CN103846245B - 基板清洗装置及清洗方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种基板清洗装置和方法，装置包括单片清洗腔体，用于基板的清洗和干燥；槽式清洗腔体，用于基板浸泡清洗和/或干燥，槽式清洗腔体具有盛放多片基板的支架和用于升降和翻转支架的支架翻转装置；第一机械手，将干态基板放入或取出单片清洗腔体；及第二机械手，在单片清洗腔体和槽式清洗腔体之间传输基板。本发明将槽式清洗与单片清洗相结合，对基板进行槽式清洗或单片清洗或两者结合，基板在槽式清洗腔体中清洗结束后，可不用干燥处理而直接传输至单片清洗腔体，缩短了工艺流程周期，降低了工艺成本，做到了基板干湿分离。

Description

基板清洗装置及清洗方法

技术领域

本发明涉及半导体器件制造技术领域，尤其涉及一种半导体基板清洗装置及清洗方法。

背景技术

对于半导体产业而言，随着半导体器件关键尺寸不断缩小以及新材料的引入，在半导体器件的制造过程中，对半导体基板如晶圆表面的洁净度要求越来越严苛，同时，由于半导体器件关键尺寸的缩小使得清洗的工艺窗口变窄，进而使既要满足基板清洗效率又要尽量减小基板表面刻损和结构损坏变得不那么容易，而现如今，对于基板上的污染物的去除能力以及基板表面的刻损和结构损坏程度的要求越来越高，基板上的污染物如颗粒、有机物和金属通常需要用化学反应或物理力作用来克服化学键的引力或物理粘附力从而被去除。

目前基板清洗仍以湿式清洗为主，湿式清洗通常分为槽式清洗和单片清洗两种方式。槽式清洗能同时处理若干片基板，具有很高的清洗效率，然而，随着半导体器件关键尺寸的缩小，槽式清洗已经越来越无法适应湿式清洗的要求。槽式清洗的最大缺点是污染物去除率受到一定的限制，这是因为即使在清洗中使用高纯度的化学试剂与去离子水，从基板上清洗下来的污染物仍然存在于清洗液中，会对基板造成二次污染。为了避免基板被二次污染，单片清洗正逐步取代槽式清洗，单片清洗能有效防止基板的二次污染，在基板的清洗过程中，新的化学试剂和去离子水不断地供应到基板的表面，而用过的化学试剂与去离子水直接排出并被回收。此外，成品率也是转型到单片清洗的一个重要因素，通过使用单片清洗可以有效提高100纳米及以下工艺的成品率。与槽式清洗相比，单片清洗具有清洗效果好，清洗液回收率高，能有效防止交叉污染等优势，不过产能相比槽式清洗而言比较低。

在一些工艺中，为了获得较佳的清洗效果，需要采用槽式清洗和单片清洗相结合的方式对基板进行清洗，而现有的槽式清洗装置和单片清洗装置是完全独立分开的两套装置，基板在槽式清洗装置中清洗并干燥后，再放入单片清洗装置中清洗和干燥，从而导致清洗工艺周期长，而且清洗成本高。如果能发明一套装置，该装置能够根据工艺需求灵活选择对基板进行槽式清洗、单片清洗或槽式与单片相结合的清洗，将是半导体清洗技术领域的一大突破，且具有很大的市场价值。

发明内容

本发明的目的是提供一种能够根据工艺需求灵活选择对基板进行槽式清洗、单片清洗或槽式与单片相结合的清洗的基板清洗装置。

为实现上述目的，本发明提供的一种基板清洗装置，包括至少一单片清洗腔体，用于单片基板的清洗和干燥；至少一槽式清洗腔体，用于多片基板的浸泡清洗和/或干燥，具有至少一用于盛放多片基板的支架和一用于升降和翻转支架的支架翻转装置；第一机械手，用于将干态基板放入或取出单片清洗腔体；及第二机械手，用于在单片清洗腔体和槽式清洗腔体之间传输基板。

为实现上述目的，本发明提供的另一种基板清洗装置，包括至少一缓冲装置，用于暂存基板；至少一单片清洗腔体，用于单片基板的清洗和干燥；至少一槽式清洗腔体，用于多片基板的浸泡清洗和/或干燥，具有至少一用于盛放多片基板的支架和一用于升降和翻转支架的支架翻转装置；第一机械手，用于将干态基板放入单片清洗腔体或缓冲装置，或者用于从单片清洗腔体取出干态基板；及第二机械手，用于在缓冲装置、单片清洗腔体和槽式清洗腔体之间传输基板。

为实现上述目的，本发明提供的又一种基板清洗装置，包括第一缓冲装置，用于暂存未清洗的基板；第二缓冲装置，用于暂存已清洗和干燥的基板；单片清洗腔体，用于单片基板的清洗和干燥；槽式清洗腔体，用于多片基板的浸泡清洗和/或干燥，具有用于盛放多片基板的支架和用于升降和翻转支架的支架翻转装置；第一机械手，用于将干态基板放入第一缓冲装置或从第二缓冲装置取出干态基板；及第二机械手，用于在第一缓冲装置、单片清洗腔体、槽式清洗腔体和第二缓冲装置之间传输基板。

本发明的另一目的是提供一种基板清洗方法，包括如下步骤：

将基板放入槽式清洗腔体浸泡清洗后取出；

将从槽式清洗腔体取出的基板放入单片清洗腔体清洗和干燥；

从单片清洗腔体取出基板。

综上所述，本发明基板清洗装置及清洗方法将槽式清洗与单片清洗相结合，根据不同的工艺需求，既能够对基板进行槽式清洗或单片清洗，也能够对基板进行槽式与单片相结合的清洗，基板在槽式清洗腔体中清洗结束后，可以不用干燥处理而直接被传输至单片清洗腔体中进行进一步清洗和干燥，缩短了整个工艺流程的周期，降低了工艺成本，提高了清洗效果，并且有效做到了基板的干湿分离，实现了半导体清洗技术上的突破，此外，将槽式清洗与单片清洗整合于一套装置中，节省了装置占地空间。

附图说明

图1是本发明基板清洗装置的第一实施例的俯视图。

图2是本发明基板清洗装置的支架翻转装置的第一实施例的示意图。

图3是本发明基板清洗装置的支架翻转装置的第二实施例的示意图。

图4是本发明基板清洗装置的第二实施例的俯视图。

图5是本发明基板清洗装置的第三实施例的示意图。

图6是本发明基板清洗装置的第三实施例的俯视图。

具体实施方式

为详细说明本发明的技术内容、构造特征、所达成目的及功效，下面将结合实施例并配合图式予以详细说明。

实施例一

请参阅图1，为本发明基板清洗装置的第一实施例的俯视图。本发明基板清洗装置包括装载端口110、第一机械手120、单片清洗腔体130、第二机械手140和槽式清洗腔体150。

装载端口110用于装载干态基板。第一机械手120设置在装载端口110与单片清洗腔体130之间，用于在装载端口110与单片清洗腔体130之间传输干态基板，第一机械手120具有一个或一个以上的机械手臂121用于传输干态基板。单片清洗腔体130用于暂存基板或单片基板的清洗和干燥，单片清洗腔体130具有第一阀门131和第二阀门132分别用于传输干态基板和干态/湿态基板。打开单片清洗腔体130的第一阀门131，第一机械手120将从装载端口110处取出的待清洗的基板放入单片清洗腔体130或者将已清洗和干燥的基板从单片清洗腔体130中取出并放回装载端口110。第二机械手140设置在单片清洗腔体130与槽式清洗腔体150之间，用于在单片清洗腔体130与槽式清洗腔体150之间传输干态/湿态基板，第二机械手140具有一个或一个以上的机械手臂141用于传输干态/湿态基板。槽式清洗腔体150用于多片基板的浸泡清洗和/或干燥，槽式清洗腔体150具有第三阀门151用于传输干态/湿态基板。打开单片清洗腔体130的第二阀门132和槽式清洗腔体150的第三阀门151，第二机械手140从单片清洗腔体130中取出基板，并将基板放入槽式清洗腔体150中浸泡清洗和/或干燥，然后再将基板放回单片清洗腔体130中清洗和干燥。较佳的，所述装载端口110可以设置1至4个，所述单片清洗腔体130可以设置1至8个，所述槽式清洗腔体150可以设置1至4个。

槽式清洗腔体150还包括具有盖子的化学槽体（图中未示），化学槽体的容量为5-120L，化学槽体可以连接6路化学药液，并具有液体循环装置用于化学槽体内清洗液的循环，清洗液的循环速度为5-40L/min。化学槽体内设置有兆声波发生装置用于多片基板的兆声清洗，兆声波发生装置安装在化学槽体的四壁或者底部。化学槽体还具有温度控制装置，可使化学槽体的温度控制在0-100℃。槽式清洗腔体150允许对基板进行SPM清洗。槽式清洗腔体150中所有需要接触到化学药液的零部件的材料均具有抗氧化、耐腐蚀的特性，如不锈钢、石英、PTFE等。

请参阅图2和图3，槽式清洗腔体150还包括用于盛放基板的支架152，支架152可容纳25片基板，支架152在一支架翻转装置的作用下可上下移动和翻转。如图2所示，为本发明支架翻转装置的第一实施例的示意图，图3为本发明支架翻转装置的第二实施例的示意图。

请参阅图2，本发明支架翻转装置包括升降机构210，连接带220和凸轮机构230。升降机构210通过连接带220带动支架152上升和下降。连接带220的一端环绕于升降机构210，与该端相对的另一端呈Y型，并固接在支架152的两端。凸轮机构230具有抵杆231。升降机构210和凸轮机构230均由马达驱动。若干片基板放入支架152时，升降机构210带动支架152上升，凸轮机构230的抵杆231抵顶连接带220使得支架152翻转90℃，基板被水平放入支架152，然后，抵杆231离开连接带220，支架152在自身重力作用下翻转90℃，基板竖直排列在支架152内，升降机构210带动支架152下降至化学槽体内，基板在化学槽体内浸泡清洗，清洗一定时间后，升降机构210带动支架152上升，基板离开化学槽体，凸轮机构230的抵杆231再次抵顶连接带220，支架152翻转90℃，清洗完毕的基板从支架152内水平取出，并再次水平放入若干未清洗的基板到支架152内。

请参阅图3，本发明另一支架翻转装置包括两个升降机构310、两条连接带320和一平衡架330。两个升降机构310均由马达驱动并通过两条连接带320带动支架152上升和下降。两条连接带320的一端分别环绕于一升降机构310，两条连接带320的另一端分别呈Y型，并分别固接在支架152的相对的一端。平衡架330水平布置，两条连接带320分别抵靠平衡架330相对的一边。若干片基板放入支架152时，两个升降机构310带动支架152上升，然后保持支架152的一端不动，另一个升降机构310带动支架152的另一端上升使支架152翻转90℃，基板被水平放入支架152内，然后另一个升降机构310带动支架152的另一端下降使支架152相对的两端齐平，支架152被翻转90℃，基板竖直排列于支架152内，两个升降机构310以相同的速度带动支架152下降至化学槽体内，基板在化学槽体内浸泡清洗，清洗一定时间后，两个升降机构310带动支架152上升，基板离开化学槽体，并再次保持支架152的一端不动，另一个升降机构310带动支架152的另一端上升使支架152翻转90℃，清洗完毕的基板从支架152内水平取出，并再次水平放入若干未清洗的基板到支架152内。

使用上述基板清洗装置清洗基板时，可以包括如下清洗工艺：

工艺一：第一机械手120从装载端口110取一片基板并将该片基板放入单片清洗腔体130，然后，第二机械手140从单片清洗腔体130中取出该基板并将该基板水平放入槽式清洗腔体150内的支架152中，先后将若干片基板水平放入支架152中后，90℃翻转支架152并降低支架152，使基板竖直浸入化学槽体的清洗液中浸泡清洗5分钟后，升高支架152并90℃翻转支架152，然后，第二机械手140从支架152中水平取出最先放入的基板并将该基板放入单片清洗腔体130中进行单片清洗和干燥2分钟，同时，第二机械手140再水平放入另一片基板到支架152中，单片清洗和干燥结束后，第一机械手120从单片清洗腔体130中取出已清洗和干燥的基板并将其放入装载端口110，以此往复，直到清洗完毕装载端口110处的所有基板。基板在槽式清洗腔体150中清洗结束后，无需使用去离子水清洗和干燥而直接被放入单片清洗腔体130中进行单片清洗和干燥，相较于现有工艺和装置而言，节省了化学药剂的使用成本，缩短了整个工艺流程周期，同时也使基板的清洗效果更好，因为，槽式清洗结束后，一旦对基板进行干燥处理，附着在基板上未被清洗掉的污染物在后续工艺中很难被去除。

工艺二：第一机械手120从装载端口110取一片基板并将该片基板放入单片清洗腔体130进行单片清洗和干燥2分钟，然后，第一机械手120从单片清洗腔体130中取出已清洗和干燥的基板并将其放入装载端口110，以此往复，直到清洗完毕装载端口110处的所有基板。

工艺三：第一机械手120从装载端口110取一片基板并将该片基板放入单片清洗腔体130进行单片清洗和干燥2分钟，然后，第二机械手140从单片清洗腔体130中取出该基板并将该基板水平放入槽式清洗腔体150内的支架152中，先后将若干片基板水平放入支架152中后，90℃翻转支架152并降低支架152，使基板竖直浸入化学槽体的清洗液中浸泡清洗5分钟后，升高支架152并90℃翻转支架152，然后，第二机械手140从支架152中水平取出最先放入的基板并将该基板放入单片清洗腔体130中进行单片清洗和干燥2分钟，同时，第二机械手140再水平放入另一片基板到支架152中，单片清洗和干燥结束后，第一机械手120从单片清洗腔体130中取出已清洗和干燥的基板并将其放入装载端口110，以此往复，直到清洗完毕装载端口110处的所有基板。

实施例二

请参阅图4，为本发明基板清洗装置的第二实施例的俯视图。本发明基板清洗装置包括装载端口410、第一机械手420、单片清洗腔体430、第二机械手440、槽式清洗腔体450和缓冲装置460。

装载端口410用于装载干态基板。第一机械手420用于在装载端口410、单片清洗腔体430和缓冲装置460之间传输干态基板，第一机械手420具有一个或一个以上的机械手臂421用于传输干态基板。单片清洗腔体430用于单片基板的清洗和干燥，单片清洗腔体430具有第一阀门431和第二阀门432分别用于传输干态基板和干态/湿态基板。第二机械手440用于在单片清洗腔体430、槽式清洗腔体450和缓冲装置460之间传输干态/湿态基板，第二机械手440具有一个或一个以上的机械手臂441用于传输干态/湿态基板。槽式清洗腔体450用于多片基板的浸泡清洗和/或干燥，槽式清洗腔体450具有第三阀门451用于传输干态/湿态基板。缓冲装置460用于暂存未清洗的基板以提高工艺效率，具体地，基板从装载端口410处取出，然后存放于缓冲装置460，再从缓冲装置460中取出基板并放入槽式清洗腔体450中浸泡清洗和/或干燥。较佳的，所述装载端口410可以设置1至4个，所述单片清洗腔体430可以设置1至8个，所述槽式清洗腔体450可以设置1至4个。

槽式清洗腔体450还包括如实施例一中所述的化学槽体、支架152和支架翻转装置，由于其构造均与实施例一中的相同，在此不再赘述。

使用如实施例二所述的基板清洗装置清洗基板时，可以包括如下清洗工艺：

工艺一：第一机械手420从装载端口410处取一片基板，并将该片基板放入缓冲装置460，然后，第二机械手440从缓冲装置460中取出该基板并将该基板水平放入槽式清洗腔体450内的支架152中，先后将若干片基板水平放入支架152中后，90℃翻转支架152并降低支架152，使基板竖直浸入化学槽体的清洗液中浸泡清洗5分钟后，升高支架152并90℃翻转支架152，然后，第二机械手440从支架152中水平取出最先放入的基板并将该片基板放入单片清洗腔体430中进行单片清洗和干燥2分钟，同时，第二机械手440再水平放入另一片基板到支架152中，单片清洗和干燥结束后，第一机械手420从单片清洗腔体430中取出已清洗和干燥的基板并将其放入装载端口410，以此往复，直到清洗完毕装载端口410处的所有基板。

工艺二：第一机械手420从装载端口410处取一片基板并将该片基板放入单片清洗腔体430进行单片清洗和干燥2分钟，然后，第一机械手420从单片清洗腔体430中取出已清洗和干燥的基板并将其放入装载端口410，以此往复，直到清洗完毕装载端口410处的所有基板。

工艺三：第一机械手420从装载端口410处取一片基板，并将该片基板放入缓冲装置460，然后，第二机械手440从缓冲装置460中取出该基板并将该基板放入单片清洗腔体430进行单片清洗和干燥2分钟，然后，第二机械手440从单片清洗腔体430中取出该基板并将该基板水平放入槽式清洗腔体450内的支架152中，先后将若干片基板水平放入支架152中后，90℃翻转支架152并降低支架152，使基板竖直浸入化学槽体的清洗液中浸泡清洗5分钟后，升高支架152并90℃翻转支架152，然后，第二机械手440从支架152中水平取出最先放入的基板并将该基板放入单片清洗腔体430中进行单片清洗和干燥2分钟，同时，第二机械手440再水平放入另一片基板到支架152中，单片清洗和干燥结束后，第一机械手420从单片清洗腔体430中取出已清洗和干燥的基板并将其放入装载端口410，以此往复，直到清洗完毕装载端口410处的所有基板。

实施例三

请参阅图5和图6，为本发明基板清洗装置的第三实施例的示意图。本发明基板清洗装置包括装载端口510、第一机械手520、单片清洗腔体530、第二机械手540、槽式清洗腔体550、第一缓冲装置560和第二缓冲装置570。

装载端口510用于装载干态基板。第一机械手520用于在装载端口510、第一缓冲装置560及第二缓冲装置570之间传输干态基板，第一机械手520具有一个或一个以上的机械手臂521用于传输干态基板。单片清洗腔体530至少有两个，且位于第一缓冲装置560和第二缓冲装置570的同一侧，用于单片基板的清洗和干燥，每个单片清洗腔体530具有一阀门531用于传输干态/湿态基板。第二机械手540用于在第一缓冲装置560、单片清洗腔体530、槽式清洗腔体550及第二缓冲装置570之间传输基板，第二机械手540具有一个或一个以上的机械手臂541用于传输干态/湿态基板。槽式清洗腔体550用于多片基板的浸泡清洗和/或干燥，槽式清洗腔体550具有第三阀门551用于传输干态/湿态基板。第一缓冲装置560和第二缓冲装置570层叠或平行配置，分别用于暂存基板，具体地，第一缓冲装置560用于暂存未清洗的基板，第二缓冲装置570用于暂存已清洗和干燥的基板。

槽式清洗腔体550还包括如实施例一中所述的化学槽体、支架152和支架翻转装置，由于其构造均与实施例一中的相同，在此不再赘述。

使用如实施例三所述的基板清洗装置清洗基板时，可以包括如下清洗工艺：

工艺一：第一机械手520从装载端口510处取一片基板，并将该片基板放入第一缓冲装置560，然后，第二机械手540从第一缓冲装置560中取出该基板并将该基板水平放入槽式清洗腔体550内的支架152中，先后将若干片基板水平放入支架152中后，90℃翻转支架152并降低支架152，使基板竖直浸入化学槽体的清洗液中浸泡清洗5分钟后，升高支架152并90℃翻转支架152，然后，第二机械手540从支架152中水平取出最先放入的基板并将该片基板放入单片清洗腔体530中进行单片清洗和干燥2分钟，同时，第二机械手540再水平放入另一片基板到支架152中，单片清洗和干燥结束后，第二机械手540从单片清洗腔体530中取出基板，并将该基板放入第二缓冲装置570，第一机械手520从第二缓冲装置570中取出已清洗和干燥的基板并将其放入装载端口510，以此往复，直到清洗完毕装载端口510处的所有基板。

工艺二：第一机械手520从装载端口510处取一片基板，并将该片基板放入第一缓冲装置560，然后，第二机械手540从第一缓冲装置560中取出该基板并将该基板放入单片清洗腔体530进行单片清洗和干燥2分钟，然后，第二机械手540从单片清洗腔体530中取出该基板并将该基板放入第二缓冲装置570中，第一机械手520从第二缓冲装置570中取出已清洗和干燥的基板并将其放入装载端口510的初始位置，以此往复，直到清洗完毕装载端口510处的所有基板。

工艺三：第一机械手520从装载端口510处取一片基板，并将该片基板放入第一缓冲装置560，然后，第二机械手540从第一缓冲装置560中取出该基板并将该基板放入单片清洗腔体530进行单片清洗和干燥2分钟，然后，第二机械手540从单片清洗腔体530中取出该基板并将该基板水平放入槽式清洗腔体550内的支架152中，先后将若干片基板水平放入支架152中后，90℃翻转支架152并降低支架152，使基板竖直浸入化学槽体的清洗液中浸泡清洗5分钟后，升高支架152并90℃翻转支架152，然后，第二机械手540从支架152中水平取出最先放入的基板并将该片基板放入单片清洗腔体530中进行单片清洗和干燥2分钟，同时，第二机械手540再水平放入另一片基板到支架152中，单片清洗和干燥结束后，第二机械手540从单片清洗腔体530中取出基板，并将该基板放入第二缓冲装置570，第一机械手520从第二缓冲装置570中取出已清洗和干燥的基板并将其放入装载端口510，以此往复，直到清洗完毕装载端口510处的所有基板。

由上述可知，本发明将槽式清洗与单片清洗相结合，根据不同的工艺需求，既能够对基板进行槽式清洗或单片清洗，也能够对基板进行槽式与单片相结合的清洗，基板在槽式清洗腔体150、450、550中清洗结束后，可以不用干燥处理而直接被传输至单片清洗腔体130、430、530中进行进一步清洗和干燥，缩短了整个工艺流程的周期，降低了工艺成本，提高了清洗效果，并且有效做到了基板的干湿分离，实现了半导体清洗技术上的突破，此外，将槽式清洗与单片清洗整合于一套装置中，节省了装置占地空间。

本发明不仅适用于基板清洗，也适用于基板刻蚀，不仅可以应用于半导体制造行业，也可以应用于LED制造行业以及液晶面板制造行业的湿法去胶工艺。

综上所述，本发明通过上述实施方式及相关图式说明，已具体、详实的揭露了相关技术，使本领域的技术人员可以据以实施。而以上所述实施例只是用来说明本发明，而不是用来限制本发明的，本发明的权利范围，应由本发明的权利要求来界定。至于本文中所述元件数目的改变或等效元件的代替等仍都应属于本发明的权利范围。

Claims (19)

1.一种基板清洗装置，包括：

至少一单片清洗腔体，用于单片基板的清洗和干燥；

至少一槽式清洗腔体，用于多片基板的浸泡清洗和/或干燥，所述槽式清洗腔体具有至少一用于盛放所述多片基板的支架和一用于升降和翻转所述支架的支架翻转装置，先后将多片基板水平放入所述槽式清洗腔体的支架中，然后支架翻转装置90°翻转所述支架，再下降所述支架使基板竖直浸入所述槽式清洗腔体的清洗液中浸泡清洗，然后上升所述支架并90°翻转所述支架，再从所述支架中水平取出最先放入的基板，同时再水平放入另一片基板到所述支架中；

第一机械手，用于将干态基板放入或取出所述单片清洗腔体；及

第二机械手，用于在所述单片清洗腔体和所述槽式清洗腔体之间传输基板。

2.根据权利要求1所述的基板清洗装置，其特征在于：还包括至少一装载端口，用于装载干态基板，所述第一机械手从所述装载端口取出未清洗的基板最后再将清洗完毕的基板放回所述装载端口。

3.根据权利要求1所述的基板清洗装置，其特征在于：所述支架翻转装置包括一升降机构、一连接带和一凸轮机构，所述升降机构通过所述连接带带动所述支架上升和下降，所述连接带的一端环绕于所述升降机构，所述连接带的另一端呈Y型，并固接在所述支架的两端，所述凸轮机构具有一抵杆用于抵顶所述连接带从而使所述支架翻转。

4.根据权利要求1所述的基板清洗装置，其特征在于：所述支架翻转装置包括两个升降机构和两条连接带，所述两个升降机构通过所述两条连接带带动所述支架上升和下降，所述两条连接带的一端分别环绕于一升降机构，所述两条连接带的另一端分别呈Y型，并分别固接在所述支架的相对的一端，保持所述支架的一端不动，另一个所述升降机构带动所述支架的另一端上升从而使所述支架翻转。

5.根据权利要求4所述的基板清洗装置，其特征在于：所述支架翻转装置还包括一平衡架，所述平衡架水平布置，所述两条连接带分别抵靠所述平衡架相对的一边。

6.根据权利要求1所述的基板清洗装置，其特征在于：所述槽式清洗腔体具有兆声波发生装置，用于多片基板的兆声清洗。

7.根据权利要求1所述的基板清洗装置，其特征在于：所述槽式清洗腔体具有液体循环装置，用于所述槽式清洗腔体内清洗液的循环。

8.根据权利要求1所述的基板清洗装置，其特征在于：所述槽式清洗腔体具有温度控制装置，用于控制所述槽式清洗腔体的温度。

9.根据权利要求1所述的基板清洗装置，其特征在于：所述槽式清洗腔体允许对基板进行SPM清洗。

10.一种基板清洗装置，包括：

至少一缓冲装置，用于暂存基板；

至少一单片清洗腔体，用于单片基板的清洗和干燥；

至少一槽式清洗腔体，用于多片基板的浸泡清洗和/或干燥，所述槽式清洗腔体具有至少一用于盛放所述多片基板的支架和一用于升降和翻转所述支架的支架翻转装置，先后将多片基板水平放入所述槽式清洗腔体的支架中，然后支架翻转装置90°翻转所述支架，再下降所述支架使基板竖直浸入所述槽式清洗腔体的清洗液中浸泡清洗，然后上升所述支架并90°翻转所述支架，再从所述支架中水平取出最先放入的基板，同时再水平放入另一片基板到所述支架中；

第一机械手，用于将干态基板放入所述单片清洗腔体或所述缓冲装置，或者用于从所述单片清洗腔体取出干态基板；及

第二机械手，用于在所述缓冲装置、所述单片清洗腔体和所述槽式清洗腔体之间传输基板。

11.根据权利要求10所述的基板清洗装置，其特征在于：所述支架翻转装置包括一升降机构、一连接带和一凸轮机构，所述升降机构通过所述连接带带动所述支架上升和下降，所述连接带的一端环绕于所述升降机构，所述连接带的另一端呈Y型，并固接在所述支架的两端，所述凸轮机构具有一抵杆用于抵顶所述连接带从而使所述支架翻转。

12.根据权利要求10所述的基板清洗装置，其特征在于：所述支架翻转装置包括两个升降机构和两条连接带，所述两个升降机构通过所述两条连接带带动所述支架上升和下降，所述两条连接带的一端分别环绕于一升降机构，所述两条连接带的另一端分别呈Y型，并分别固接在所述支架的相对的一端，保持所述支架的一端不动，另一个所述升降机构带动所述支架的另一端上升从而使所述支架翻转。

13.一种基板清洗装置，包括：

第一缓冲装置，用于暂存未清洗的基板；

第二缓冲装置，用于暂存已清洗和干燥的基板；

单片清洗腔体，用于单片基板的清洗和干燥；

槽式清洗腔体，用于多片基板的浸泡清洗和/或干燥，具有用于盛放所述多片基板的支架和用于升降和翻转所述支架的支架翻转装置，先后将多片基板水平放入所述槽式清洗腔体的支架中，然后支架翻转装置90°翻转所述支架，再下降所述支架使基板竖直浸入所述槽式清洗腔体的清洗液中浸泡清洗，然后上升所述支架并90°翻转所述支架，再从所述支架中水平取出最先放入的基板，同时再水平放入另一片基板到所述支架中；

第一机械手，用于将干态基板放入所述第一缓冲装置或从所述第二缓冲装置取出干态基板；及

第二机械手，用于在所述第一缓冲装置、所述单片清洗腔体、所述槽式清洗腔体和所述第二缓冲装置之间传输基板。

14.根据权利要求13所述的基板清洗装置，其特征在于：所述支架翻转装置包括一升降机构、一连接带和一凸轮机构，所述升降机构通过所述连接带带动所述支架上升和下降，所述连接带的一端环绕于所述升降机构，所述连接带的另一端呈Y型，并固接在所述支架的两端，所述凸轮机构具有一抵杆用于抵顶所述连接带从而使所述支架翻转。

15.根据权利要求13所述的基板清洗装置，其特征在于：所述支架翻转装置包括两个升降机构和两条连接带，所述两个升降机构通过所述两条连接带带动所述支架上升和下降，所述两条连接带的一端分别环绕于一升降机构，所述两条连接带的另一端分别呈Y型，并分别固接在所述支架的相对的一端，保持所述支架的一端不动，另一个所述升降机构带动所述支架的另一端上升从而使所述支架翻转。

16.根据权利要求13所述的基板清洗装置，其特征在于：所述单片清洗腔体至少有两个，且位于所述第一缓冲装置和所述第二缓冲装置的同一侧。

17.根据权利要求13所述的基板清洗装置，其特征在于：所述第一缓冲装置和所述第二缓冲装置层叠或平行配置。

18.一种使用权利要求1、10、13之一所述基板清洗装置清洗基板的方法，包括如下步骤：

将基板放入槽式清洗腔体浸泡清洗后取出，其中包括先后将多片基板水平放入所述槽式清洗腔体的支架中，然后支架翻转装置90°翻转所述支架，再下降所述支架使基板竖直浸入所述槽式清洗腔体的清洗液中浸泡清洗，然后上升所述支架并90°翻转所述支架，再从所述支架中水平取出最先放入的基板，同时再水平放入另一片基板到所述支架中；

将从所述槽式清洗腔体取出的基板放入单片清洗腔体清洗和干燥；

从所述单片清洗腔体取出基板。

19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于：在将基板放入槽式清洗腔体浸泡清洗后取出之前，该方法进一步包括将基板放入所述单片清洗腔体清洗和干燥，然后从所述单片清洗腔体取出基板。