TWI604522B - Semiconductor wafer cleaning method and device - Google Patents

Description

半導體矽片的清洗方法和裝置

本發明關於積體電路製造領域，更具體地，關於半導體矽片的清洗方法和裝置。

在積體電路製造工藝中，濕法清洗是獲得高質量積體電路的必備工藝。乾法刻蝕工藝結束後，矽片需要被清洗以去除殘餘的光刻膠、在乾法刻蝕過程中產生的有機物以及附著在矽片表面的薄膜材料。清洗矽片的主要化學溶液包括，例如，SC1、BOE、SPM(H₂SO₄和H₂O₂的混合溶液)。其中，SPM的溫度通常高於90℃。SPM主要用於去除殘餘的光刻膠和有機物。目前，有兩種清洗矽片的方式，一種是槽式清洗，一種是單片清洗。下面將對這兩種清洗方式進行簡單的介紹說明。

槽式清洗每次可以同時清洗數片矽片。槽式清洗裝置包括機械傳輸裝置和數個清洗槽。由於數片矽片能夠同時在一個清洗槽內進行清洗，因此，槽式清洗的清洗效率很高，通常，每小時可以清洗大約400片矽片。此外，清洗槽內的化學溶液是循環流動的，使得化學溶液能夠重復使用，降低了槽式清洗的清洗成本。尤其是高溫的化學 溶液，例如120℃的SPM，這類化學溶液的價格較昂貴，如果能夠重復使用，將大大降低清洗成本。然而，隨著積體電路的線寬越來越窄，槽式清洗的缺點已明顯顯現。在槽式清洗過程中，數片矽片豎直浸入清洗槽的化學溶液中，這樣很容易導致交叉污染。只要有一片矽片帶有金屬或有機物污染物，那麽與該矽片同用一個清洗槽的其他矽片就會被污染。在清洗槽內清洗完畢後，矽片豎直地從清洗槽內取出，此時，如果清洗槽內的化學溶液中存在微小的有機污染物，這些微小的有機污染物將會隨化學溶液一起粘附在矽片表面。一旦矽片被乾燥處理，這些粘附在矽片表面的微小有機污染物將很難去除。

單片清洗每次只能清洗一片矽片。單片清洗裝置包括機械傳輸裝置和數個獨立的單片清洗模組。在一個單片清洗模組內可以完成一片矽片的清洗和乾燥工藝。每片矽片清洗完畢後，單片清洗模組內的化學溶液都會被排掉，然後再向該單片清洗模組供應新的化學溶液以清洗下一片矽片，避免發生交叉污染。單片清洗雖然能夠有效去除顆粒和薄膜材料等污染物，但是，單片清洗在使用高溫化學溶液，例如溫度高於90℃的SPM，具有一定的局限性，主要是單片清洗的化學溶液很難被重復利用，導致清洗成本較高。

透過上述描述不難看出，槽式清洗和單片清洗都有各自的優勢和劣勢，在清洗過程中，如果僅採用其中一種清洗方式，很難達到最佳的清洗效果和滿足現代工藝 需求。因此，如果能夠發明一種方法和裝置，結合了槽式清洗和單片清洗的優勢，將會對積體電路製造領域具有突出的貢獻。

本發明的目的在於提供一種將槽式清洗與單片清洗相結合且充分發揮了槽式清洗與單片清洗各自優勢的半導體矽片的清洗方法和裝置。

根據本發明的一實施例，提出的半導體矽片的清洗方法，包括：從裝載埠處的矽片盒中取至少兩片矽片，然後將該至少兩片矽片放入裝滿化學溶液的第一清洗槽中；該至少兩片矽片在第一清洗槽內清洗結束後，將該至少兩片矽片從第一清洗槽中取出並使該至少兩片矽片保持濕潤狀態，然後將該至少兩片矽片放入裝滿液體的第二清洗槽中；該至少兩片矽片在第二清洗槽內清洗結束後，將該至少兩片矽片從第二清洗槽中取出並使該至少兩片矽片保持濕潤狀態，然後將一片矽片放置在一個單片清洗模組的矽片夾上；旋轉矽片夾並向矽片噴灑化學溶液；向矽片噴灑去離子水；乾燥矽片；及從單片清洗模組中取出已清洗、乾燥完畢的矽片並將矽片放回裝載埠處的矽片盒中。

根據本發明的一實施例，提出的半導體矽片的清洗裝置，包括：第一矽片盒、至少一個第一清洗槽、第二清洗槽、至少兩個單片清洗模組、兩個翻轉機構、第一機械手、第二機械手及第三機械手。第一矽片盒位於裝載 埠，第一矽片盒收納數片矽片。至少一個第一清洗槽裝滿化學溶液。第二清洗槽裝滿液體。至少兩個單片清洗模組清洗和乾燥單片矽片。兩個翻轉機構中的一個翻轉機構靠近第一清洗槽，另一個翻轉機構靠近第二清洗槽。第一機械手裝備有至少兩個矽片傳送臂，矽片傳送臂從第一矽片盒中取出至少兩片矽片並將該至少兩片矽片放置在靠近第一清洗槽的翻轉機構中，第一機械手從單片清洗模組內取出矽片並將矽片放回第一矽片盒。第二機械手從靠近第一清洗槽的翻轉機構中取出矽片並將矽片依次放入第一清洗槽和第二清洗槽，矽片在第一清洗槽和第二清洗槽內的工藝結束後，第二機械手從第二清洗槽中取出矽片並將矽片放置在靠近第二清洗槽的翻轉機構中。第三機械手裝備有至少兩個矽片傳送臂，矽片傳送臂從靠近第二清洗槽的翻轉機構中取出矽片並將矽片放入單片清洗模組，其中，矽片在放入單片清洗模組內執行單片清洗和乾燥處理之前，矽片始終保持濕潤狀態。

根據本發明的一實施例，提出的半導體矽片的清洗裝置，包括：第一矽片盒、至少一個第一清洗槽、第二清洗槽、至少兩個單片清洗模組、兩個翻轉機構、緩衝區、第一機械手、第二機械手及第三機械手。第一矽片盒位於裝載埠，第一矽片盒收納數片矽片。至少一個第一清洗槽裝滿化學溶液。第二清洗槽裝滿液體。至少兩個單片清洗模組清洗和乾燥單片矽片。兩個翻轉機構中的一個翻轉機構靠近第一清洗槽，另一個翻轉機構靠近第二清洗 槽。緩衝區用於暫存矽片。第一機械手裝備有至少兩個矽片傳送臂，矽片傳送臂從第一矽片盒中取出至少兩片矽片並將該至少兩片矽片放置在緩衝區中，第一機械手從單片清洗模組內取出矽片並將矽片放回第一矽片盒。第二機械手從靠近第一清洗槽的翻轉機構中取出矽片並將矽片依次放入第一清洗槽和第二清洗槽，矽片在第一清洗槽和第二清洗槽內的工藝結束後，第二機械手從第二清洗槽中取出矽片並將矽片放置在靠近第二清洗槽的翻轉機構中。第三機械手裝備有至少兩個矽片傳送臂，矽片傳送臂從緩衝區中取出矽片並將矽片放置在靠近第一清洗槽的翻轉機構中，第三機械手從靠近第二清洗槽的翻轉機構中取出矽片並將矽片放入單片清洗模組，其中，矽片在放入單片清洗模組內執行單片清洗和乾燥處理之前，矽片始終保持濕潤狀態。

根據本發明的一實施例，提出的半導體矽片的清洗裝置，包括：第一矽片盒、至少一個第一清洗槽、第二清洗槽、至少兩個單片清洗模組、兩個翻轉機構、第一機械手及第二機械手。第一矽片盒位於裝載埠，第一矽片盒收納數片矽片。至少一個第一清洗槽裝滿化學溶液。第二清洗槽裝滿液體。至少兩個單片清洗模組清洗和乾燥單片矽片。兩個翻轉機構中的一個翻轉機構靠近第一清洗槽，另一個翻轉機構靠近第二清洗槽。第一機械手裝備有至少三個矽片傳送臂，第一機械手的一個矽片傳送臂從第一矽片盒中取出至少兩片矽片並將該至少兩片矽片放置在 靠近第一清洗槽的翻轉機構中，第一機械手的另一個矽片傳送臂從靠近第二清洗槽的翻轉機構中取出矽片並將矽片放入單片清洗模組，其中，矽片在放入單片清洗模組內執行單片清洗和乾燥處理之前，矽片始終保持濕潤狀態，第一機械手的又一個矽片傳送臂從單片清洗模組內取出矽片並將矽片放回第一矽片盒。第二機械手從靠近第一清洗槽的翻轉機構中取出矽片並將矽片依次放入第一清洗槽和第二清洗槽，矽片在第一清洗槽和第二清洗槽內的工藝結束後，第二機械手從第二清洗槽中取出矽片並將矽片放置在靠近第二清洗槽的翻轉機構中。

綜上所述，本發明半導體矽片的清洗方法和裝置將槽式清洗和單片清洗結合在一起，充分利用了槽式清洗和單片清洗的優點來對矽片進行清洗，從而能夠有效去除有機物、顆粒和薄膜材料等污染物。高溫工藝可以在槽式清洗裝置中進行，因為高溫的化學溶液可以在槽式清洗裝置中得到循環使用，而且在槽式清洗過程中產生的酸霧能夠得到很好的控制。此外，矽片從槽式清洗裝置的第一清洗槽中取出後直至放入單片清洗模組進行單片清洗之前始終保持濕潤狀態，使得黏附在矽片表面的污染物能夠更容易的去除。

100‧‧‧清潔裝置

110‧‧‧裝載埠

120‧‧‧第一機械手

130‧‧‧槽式清洗裝置

131‧‧‧翻轉機構

132‧‧‧水平佈置的導軌

133‧‧‧豎直佈置的導軌

134‧‧‧支撐板

135‧‧‧支撐臂

136‧‧‧第二機械手

137‧‧‧第一清洗槽

138‧‧‧第二清洗槽

139‧‧‧排氣裝置

140‧‧‧第三機械手

150‧‧‧單片清洗模組

160‧‧‧噴淋管

161‧‧‧噴淋口

170‧‧‧噴頭

171‧‧‧噴嘴

200‧‧‧清洗裝置

201‧‧‧第二矽片盒

202‧‧‧泵

203‧‧‧加熱器

204‧‧‧過濾器

210‧‧‧裝載埠

220‧‧‧第一機械手

230‧‧‧槽式清洗裝置

240‧‧‧第三機械手

250‧‧‧單片清洗模組

300‧‧‧清洗裝置

301‧‧‧水槽

302‧‧‧升降機構

303‧‧‧框架

304‧‧‧第三矽片盒

310‧‧‧裝載埠

320‧‧‧第一機械手

330‧‧‧槽式清洗裝置

350‧‧‧單片清洗模組

400‧‧‧清洗裝置

410‧‧‧裝載埠

420‧‧‧第一機械手

430‧‧‧槽式清洗裝置

440‧‧‧第三機械手

450‧‧‧單片清洗模組

500‧‧‧清洗裝置

510‧‧‧裝載埠

520‧‧‧第一機械手

530‧‧‧槽式清洗裝置

540‧‧‧第三機械手

550‧‧‧單片清洗模組

600‧‧‧清洗裝置

610‧‧‧裝載埠

620‧‧‧第一機械手

630‧‧‧槽式清洗裝置

640‧‧‧第三機械手

650‧‧‧單片清洗模組

660‧‧‧緩衝區

700‧‧‧矽片

1311‧‧‧基座

1312‧‧‧導柱

1313‧‧‧側牆

1314‧‧‧支撐部

1315‧‧‧旋轉軸

1316‧‧‧矽片承載部

1317‧‧‧收容槽

1318‧‧‧驅動器(氣缸)

1319‧‧‧連接軸

1371‧‧‧矽片托架

1372‧‧‧連接件

1373‧‧‧升降件

1374‧‧‧驅動件

1381‧‧‧矽片托架

1382‧‧‧連接件

1383‧‧‧升降件

1384‧‧‧驅動件

圖1揭示了本發明的一實施例的半導體矽片的清洗裝置 的結構示意圖。

圖2揭示了本發明的一實施例的槽式清洗裝置的頂視圖。

圖3揭示了本發明的一實施例的槽式清洗裝置的立體圖。

圖4揭示了本發明的一實施例的翻轉機構的立體圖。

圖5揭示了圖4中A部的放大圖。

圖6(a)至圖6(d)揭示了翻轉機構翻轉矽片的過程示意圖。

圖7(a)至圖7(c)揭示了機械手從翻轉機構取矽片的過程示意圖。

圖8(a)揭示了槽式清洗裝置的第一清洗槽的一實施例的立體圖。

圖8(b)揭示了25片矽片放置在第一清洗槽內以便進行清洗的示意圖。

圖8(c)揭示了25片矽片在第一清洗槽內進行清洗的示意圖。

圖9揭示了槽式清洗裝置的第一清洗槽的又一實施例的立體圖。

圖10(a)揭示了槽式清洗裝置的第二清洗槽的一實施例的立體圖。

圖10(b)揭示了25片矽片放置在第二清洗槽內以便進行清洗的示意圖。

圖10(c)揭示了25片矽片在第二清洗槽內進行清洗的 示意圖。

圖11揭示了翻轉機構將矽片翻轉90℃以便進行槽式清洗的立體圖。

圖12揭示了機械手從翻轉機構取矽片以便進行槽式清洗的立體圖。

圖13揭示了機械手將矽片放入第一清洗槽進行清洗的立體圖。

圖14揭示了機械手將矽片放入第二清洗槽進行清洗的立體圖。

圖15揭示了機械手將矽片從第二清洗槽內取出並放置在另一翻轉結構上的立體圖。

圖16(a)揭示了第一清洗槽的前視圖。

圖16(b)揭示了第一清洗槽的側視圖。

圖17揭示了本發明的又一實施例的槽式清洗裝置的示意圖。

圖18揭示了一裝置的前視圖，當矽片從第二清洗槽內取出後，該裝置使矽片保持濕潤狀態。

圖19揭示了圖18所示的裝置的頂視圖。

圖20揭示了本發明的一實施例的機械手的頂視圖。

圖21(a)至圖21(c)揭示了又一裝置的示意圖，當矽片從第二清洗槽內取出後，該裝置使矽片保持濕潤狀態。

圖22揭示了本發明的另一實施例的半導體矽片的清洗裝置的結構示意圖。

圖23揭示了本發明的又一實施例的半導體矽片的清洗 裝置的結構示意圖。

圖24揭示了本發明的又一實施例的半導體矽片的清洗裝置的結構示意圖。

圖25揭示了本發明的又一實施例的半導體矽片的清洗裝置的結構示意圖。

圖26(a)揭示了本發明的又一實施例的半導體矽片的清洗裝置的結構示意圖。

圖26(b)揭示了單片清洗模組的一實施例的排列示意圖。

為詳細說明本發明的技術內容、構造特徵、所達成目的及效果，下面將結合實施例並配合圖式予以詳細說明。

請參考圖1所示，圖1揭示了本發明的一實施例的半導體矽片的清洗裝置的結構示意圖。該清洗裝置100包括數個裝載埠110、第一機械手120、槽式清洗裝置130、第三機械手140及數個單片清洗模組150。

每個裝載埠110接收一個第一矽片盒(圖中未顯示)。第一矽片盒收納數片矽片，通常，一個第一矽片盒收納25片矽片。為了提高清洗裝置100的清洗效率，清洗裝置100具有不止一個裝載埠110。在一個實施例中，清洗裝置100具有4個裝載埠110，該4個裝載埠110並排排在清洗裝置100的一側。

第一機械手120裝備有至少兩個矽片傳送臂，其中一個矽片傳送臂能夠從裝載埠110處的第一矽片盒內取出數片矽片並將該數片矽片放置在槽式清洗裝置130的翻轉機構131中，如圖6(a)所示。另一矽片傳送臂能夠從單片清洗模組150內取出加工完畢的矽片並將矽片重新放回第一矽片盒。較佳地，第一機械手120包括有5個獨立的矽片傳送臂，每一矽片傳送臂裝備有一終端執行器以用於從單片清洗模組150內取出加工完畢的矽片並將矽片重新放回第一矽片盒。第一機械手120還包括一獨立的矽片傳送臂，該矽片傳送臂裝備有5個終端執行器以用於每次從第一矽片盒內取出5片矽片並將該5片矽片放置在槽式清洗裝置130的翻轉機構131中。

參考圖2至圖10(c)所示，示例了用於每次同時清洗數片矽片的槽式清洗裝置130。該槽式清洗裝置130包括兩個翻轉機構131、一矽片傳輸裝置、第一清洗槽137及第二清洗槽138。該兩個翻轉機構131的構造完全相同，如圖4和圖5所示。顯然，只要能夠滿足工藝所要求的翻轉功能，該兩個翻轉機構131的構造也可以不同。如圖4和圖5所示，以其中一個翻轉機構131為例，對本發明的翻轉機構131進行詳細說明。翻轉機構131具有基座1311，基座1311相對的兩側分別向基座1311的內部凸伸形成兩對導柱1312。基座1311相對的兩側分別活動連接一側牆1313，在一個實施例中，基座1311相對的兩側分別透過一旋轉軸1315與相對應的側牆1313活動連接。每一側牆 1313凸伸形成一列支撐部1314，每相鄰兩支撐部1314之間間隔一定距離以容納一矽片。基座1311的底部設置有一矽片承載部1316，在驅動裝置的驅動下，該矽片承載部1316能夠沿兩對導柱1312滑動。矽片承載部1316開設有數個用於收容矽片的收容槽1317。兩個氣缸1318分別與兩個側牆1313連接，兩個氣缸1318分別驅動兩個側牆1313繞旋轉軸1315旋轉，以展開或合攏該兩個側牆1313。連接軸1319橫向地穿過基座1311並與基座1311透過固定件，例如，螺絲等固定連接。連接軸1319的一端與驅動器1318，例如氣缸，連接，驅動器1318驅動基座1311翻轉。

如圖2和圖3所示，矽片傳輸裝置包括一對水平佈置的導軌132及一對豎直佈置的導軌133。豎直佈置的導軌133與水平佈置的導軌132垂直並且能夠沿水平佈置的導軌132移動。支撐板134設置在豎直佈置的導軌133上並且能夠沿豎直佈置的導軌133上下移動。支撐臂135固定在支撐板134上，支撐臂135垂直於支撐板134。第二機械手136固定在支撐臂135上，第二機械手136朝向佈置在第一清洗槽137一側的翻轉機構131。第二機械手136能夠沿支撐臂135移動。第二機械手136具有5對手指，每對手指相對於其他4對手指是獨立的，且每對手指每次可以抓取5片矽片。第一清洗槽137和第二清洗槽138並排佈置並位於兩個翻轉機構131之間。製造第一清洗槽137和第二清洗槽138的材料可以是，例如，石英材料。本領域的技術人員可以理解的是，凡是能夠抗腐蝕的材料均適 合製造第一清洗槽137和第二清洗槽138。第一清洗槽137內裝滿了化學溶液。第一清洗槽137內的化學溶液包括溫度在20℃至250℃的SPM，或者溫度在20℃至250℃的溶劑，例如TMAH。第二清洗槽138內裝滿了液體，該液體可以是溫度在20℃至100℃的去離子水。本領域的技術人員可以理解的是，清洗槽的數量以及清洗槽內的溶液可以根據實際需要而作相應的調整。

參考圖8(a)至圖8(c)所示，示例了第一清洗槽137的詳細構造。第一清洗槽137內設置有一對縱向相對佈置的矽片托架1371，該對矽片托架1371能夠支撐最多25片矽片700。一對連接件1372橫向佈置在該對矽片托架1371的兩端並與該對矽片托架1371固定連接。兩個升降件1373分別與連接件1372連接，兩個升降件1373還分別與驅動件1374連接，該驅動件1374可以選用，例如氣缸。驅動件1374驅動升降件1373上升或下降，相應地，帶動矽片托架1371上升或下降。當第二機械手136從靠近第一清洗槽137的翻轉機構131中取出25片矽片並將該25片矽片放入第一清洗槽137時，驅動件1374驅動升降件1373上升，從而帶動矽片托架1371上升至第一清洗槽137的化學溶液的上方，第二機械手136將25片矽片放在矽片托架1371上，避免了第二機械手136接觸第一清洗槽137的化學溶液。矽片放在矽片托架1371上之後，驅動件1374驅動升降件1373下降，從而帶動矽片托架1371下降並使矽片浸沒在第一清洗槽137的化學溶液中。

參考圖9所示，揭示了又一實施例的第一清洗槽的構造。與上述實施例相比，本實施例中的第一清洗槽的區別僅在於兩個升降件1373分別與矽片托架1371的中部連接，以帶動矽片托架1371上升或下降。

參考圖10(a)至圖10(c)所示，示例了第二清洗槽138的詳細構造。第二清洗槽138被分為5個獨立的區域。與第一清洗槽137的構造相似，第二清洗槽138的每一區域內設置有一對相對佈置的矽片托架1381，該對矽片托架1381能夠支撐最多5片矽片。一對連接件1382佈置在該對矽片托架1381的兩端並與該對矽片托架1381固定連接。兩個升降件1383分別與連接件1382連接，兩個升降件1383還分別與驅動件1384連接，該驅動件1384可以選用，例如氣缸。驅動件1384驅動升降件1383上升或下降，相應地，帶動矽片托架1381上升或下降。當第二機械手136從第一清洗槽137內取出5片矽片並將該5片矽片放入第二清洗槽138中時，驅動件1384驅動升降件1383上升，從而帶動矽片托架1381上升至第二清洗槽138的溶液的上方，第二機械手136將5片矽片放在矽片托架1381上，避免了第二機械手136接觸第二清洗槽138的溶液。矽片放在矽片托架1381上之後，驅動件1384驅動升降件1383下降，從而帶動矽片托架1381下降並使矽片浸沒在第二清洗槽138的溶液中。

第三機械手140裝備有至少兩個矽片傳送臂，以用於每次從槽式清洗裝置130取出一片經槽式清洗裝置 130加工處理過的矽片並將該片矽片放入一個單片清洗模組150內進行單片清洗和乾燥工藝。為了保證矽片在放入單片清洗模組150進行單片清洗和乾燥之前一直保持濕潤狀態，第三機械手140的矽片傳送臂上安裝帶有噴嘴171的噴頭170，透過噴嘴171向第三機械手140的矽片傳送臂上的矽片噴灑去離子水，如圖20所示。較佳地，第三機械手140具有5個獨立的矽片傳送臂，每個矽片傳送臂裝備有一個終端執行器、一個噴頭170及一個噴嘴171。

單片清洗模組150用於清洗和乾燥單片矽片。為了提高清洗效率，可以佈置數個單片清洗模組150，該數個單片清洗模組150的排列方式多樣。在一個實施例中，佈置了10個單片清洗模組150，該10個單片清洗模組150的排列方式為兩排五列。可以理解的是，單片清洗模組150的數量和排列方式可以根據實際應用靈活選擇。每個單片清洗模組150包括佈置在單片清洗腔內的矽片夾。矽片在槽式清洗裝置130內進行加工處理後，取出並被放置在單片清洗模組150的矽片夾上進行工藝加工。矽片被放置在矽片夾上後，旋轉矽片夾，並將化學溶液供應至矽片以清洗矽片，最後再供應去離子水清洗矽片。化學溶液和去離子水均透過噴霧嘴噴灑在矽片上。然後，乾燥矽片。最後，第一機械手120從單片清洗模組150內取出已乾燥的矽片並將矽片放回第一矽片盒。供應至矽片上的化學溶液可以選用下述的一種，例如，稀釋的氯化氫溶液、SC1溶液、稀釋的氯化氫溶液和SC1溶液、SC2溶液、臭氧水溶液、 摻有氣體和NH₄OH的功能水溶液，其中，氣體是氫氣，氫氣的濃度是1.6ppm，NH₄OH的濃度小於100ppm。較佳地，在乾燥矽片之前，向矽片上供應一種化學溶液，該化學溶液可以選用下述中的一種，例如，稀釋的氯化氫溶液、SC1溶液和SC2溶液。乾燥矽片的方法包括旋轉矽片夾並向矽片供應IPA溶液。在一個實施例中，在單片清洗過程中，可以利用兆聲波清洗矽片。

參考圖6(a)至圖6(d)所示，示例了翻轉機構131翻轉矽片的過程。第一機械手120從裝載埠110的第一矽片盒內取出25片矽片並將該25片矽片放在靠近第一清洗槽137旁的翻轉機構131中。具體地，各矽片水平放置在兩側牆1313的支撐部1314上，矽片由兩側牆1313夾持固定。然後，與連接軸1319的一端相連接的驅動器1318驅動基座1311翻轉90℃，從而使矽片豎直排列在翻轉機構131中。在驅動裝置的驅動下，矽片承載部1316沿兩對導柱1312向上滑動，使矽片收容在收容槽1317中。與兩個側牆1313相連接的兩個氣缸1318分別驅動兩個側牆1313繞旋轉軸1315旋轉，該兩個側牆1313展開，以供第二機械手136從翻轉機構131中取走矽片，如圖7(a)至圖7(c)所示。第二機械手136每次可以從翻轉機構131中取5片、10片、15片、20片或25片矽片。

參考圖11至圖15所示，第二機械手136從翻轉機構131中取出數片矽片，例如25片矽片，然後將矽片豎直放入第一清洗槽137中，矽片在第一清洗槽137中清 洗30至600秒。矽片在第一清洗槽137的清洗工藝結束後，第二機械手136從第一清洗槽137中取出矽片，然後將矽片放入第二清洗槽138中清洗一時間段。矽片在第二清洗槽138的清洗工藝結束後，第二機械手136從第二清洗槽138中取出矽片並將矽片豎直放置在靠近第二清洗槽138旁的翻轉機構131中。矽片從第一清洗槽137中取出直至放入單片清洗模組150，在這一過程中，矽片始終保持濕潤狀態。此外，當矽片在第一清洗槽137中進行清洗時，第一清洗槽137內產生的酸霧透過佈置在第一清洗槽137兩側的排氣裝置139排出，如圖16(a)至圖16(b)所示。

參考圖17所示，示例了用於槽式清洗的又一裝置的結構。該裝置包括第二機械手136，該第二機械手136能夠繞支撐臂135擺動。第二機械手136攜帶裝有矽片的第二矽片盒201在第一清洗槽137或第二清洗槽138內擺動，以對矽片進行清洗。第一清洗槽137內的化學溶液可以循環使用。化學溶液從第一清洗槽137的上方溢出，然後透過泵202再次供應至第一清洗槽137。在泵202與第一清洗槽137之間，還可以設置加熱器203和過濾器204，以便對化學溶液進行加熱和過濾。

參考圖18和圖19所示，第二機械手136從第二清洗槽138中取出矽片後，靠近第二清洗槽138的翻轉機構131的兩側牆1313展開，且矽片承載部1316在驅動裝置的驅動下沿兩對導柱1312向上滑動，第二機械手136將矽片豎直放置在收容槽1317中。與兩個側牆1313相連接的 兩個氣缸1318分別驅動兩個側牆1313繞旋轉軸1315旋轉，該兩個側牆1313合攏，以夾持矽片。矽片承載部1316在驅動裝置的驅動下沿兩對導柱1312向下滑動，與連接軸1319的一端相連接的驅動器1318驅動基座1311翻轉90℃，從而使矽片水平排列在翻轉機構131中並由支撐部1314支撐。在靠近第二清洗槽138的翻轉機構131的周圍佈置有三個噴淋管160，每個噴淋管160具有25個噴淋口161，以用於向矽片噴灑去離子水，使矽片在放入單片清洗模組150之前始終保持濕潤狀態。接著，第三機械手140從翻轉機構131中取出矽片並將矽片放入單片清洗模組150進行清洗和乾燥，一個單片清洗模組150一次加工一片矽片。矽片在單片清洗模組150內的加工工藝結束後，第一機械手120從單片清洗模組150內取出矽片並將矽片放回裝載埠110處的第一矽片盒。

參考圖21(a)至圖21(c)所示，示例了另一使矽片保持濕潤狀態的裝置的結構。該裝置包括裝滿去離子水的水槽301。水槽301內的去離子水在處理完同一批次的矽片後被排掉，然後再向水槽301補充新的去離子水以處理下一批次的矽片。升降機構302設置在水槽301中。框架303傾斜地固定在位於水槽301中的升降機構302上，框架303收納裝有矽片的第三矽片盒304。由於框架303是傾斜地，因此，相應地，第三矽片盒304傾斜地放置在框架303上並浸沒在水槽301內的去離子水中。當需要從第三矽片盒304中取出矽片時，升降機構302升起框架303 並使框架303豎直的露出水面，相應地，第三矽片盒304也由傾斜狀變為豎直狀，第三矽片盒304內的矽片水平排列。第三機械手140從第三矽片盒304中水平的取出矽片並將矽片放入單片清洗模組150內進行清洗和乾燥。

參考圖22所示，揭示了本發明的另一實施例的半導體矽片的清洗裝置的結構示意圖。該清洗裝置200包括數個裝載埠210、第一機械手220、兩個槽式清洗裝置230、第三機械手240及數個單片清洗模組250。相較於清洗裝置100，本實施例的清洗裝置200包括兩個槽式清洗裝置230，該兩個槽式清洗裝置230佈置在清洗裝置200相對的兩端。清洗裝置200能夠進一步提高清洗效率。

參考圖23所示，揭示了本發明的又一實施例的半導體矽片的清洗裝置的結構示意圖。該清洗裝置300包括數個裝載埠310、第一機械手320、槽式清洗裝置330及數個單片清洗模組350。相較於清洗裝置100，其區別在於，清洗裝置300省略了第三機械手。本實施例中的第一機械手320能夠在裝載埠310、槽式清洗裝置330及單片清洗模組350之間傳輸矽片。因此，第一機械手320裝備有至少3個矽片傳送臂，其中，一個矽片傳送臂用於從裝載埠310取矽片並將矽片放入槽式清洗裝置330進行槽式清洗。另一個矽片傳送臂用於從槽式清洗裝置330取矽片並將矽片放入單片清洗模組350進行單片清洗和乾燥。又一個矽片傳送臂用於從單片清洗模組350取矽片並將矽片放回裝載埠310。

參考圖24所示，揭示了本發明的又一實施例的半導體矽片的清洗裝置的結構示意圖。該清洗裝置400包括數個裝載埠410、第一機械手420、槽式清洗裝置430、第三機械手440及數個單片清洗模組450。相較於清洗裝置100，其區別在於，本實施例的槽式清洗裝置430具有不止一個第一清洗槽。例如，在圖式示例的清洗裝置400中，槽式清洗裝置430有兩個第一清洗槽，該兩個第一清洗槽內的化學溶液相同。該兩個第一清洗槽和槽式清洗裝置430的第二清洗槽並排排列。矽片在其中一個第一清洗槽內進行粗洗，然後再放入另一個第一清洗槽內進行精洗。矽片在該兩個第一清洗槽內清洗完畢後，再被放入第二清洗槽內清洗。

參考圖25所示，揭示了本發明的又一實施例的半導體矽片的清洗裝置的結構示意圖。該清洗裝置500包括數個裝載埠510、第一機械手520、槽式清洗裝置530、第三機械手540及數個單片清洗模組550。相較於清洗裝置100，其區別在於，該清洗裝置500的槽式清洗裝置530的第一清洗槽和第二清洗槽均被分為5個獨立的區域。每一區域每次可以處理5片矽片。

參考圖26(a)所示，揭示了本發明的又一實施例的半導體矽片的清洗裝置的結構示意圖。該清洗裝置600包括數個裝載埠610、第一機械手620、槽式清洗裝置630、第三機械手640及數個單片清洗模組650。相較於清洗裝置100，其區別在於，該清洗裝置600還包括一緩衝區 660，如圖26(b)所示。清洗裝置600可以具有八個單片清洗模組650及一個緩衝區660，該八個單片清洗模組650及一個緩衝區660的排列方式為三排三列，其中，緩衝區660居於中心位置。可以理解的是，單片清洗模組650的數量是可變的，並不局限於八個，而且緩衝區660的位置也不局限於中心位置，緩衝區660可以設置在任何適合的位置。第一機械手620從裝載埠610處取數片矽片並將矽片暫放在緩衝區660。第三機械手640從緩衝區660處取矽片並將矽片傳送至槽式清洗裝置630進行槽式清洗。矽片在槽式清洗裝置630中的清洗工藝結束後，第三機械手640從槽式清洗裝置630處取矽片並將矽片傳送至單片清洗模組650進行單片清洗和乾燥。矽片在單片清洗模組650中的清洗、乾燥工藝結束後，第一機械手620從單片清洗模組650處取出矽片並將矽片放回裝載埠610處的第一矽片盒。

相應地，本發明還揭示了半導體矽片的清洗方法，該方法總結如下：第一步：從裝載埠處的第一矽片盒中取至少兩片矽片，然後將該至少兩片矽片放入裝滿化學溶液的第一清洗槽中；第二步：該至少兩片矽片在第一清洗槽內清洗結束後，將該至少兩片矽片從第一清洗槽中取出並使該至少兩片矽片保持濕潤狀態，然後將該至少兩片矽片放入裝滿液體的第二清洗槽中； 第三步：該至少兩片矽片在第二清洗槽內清洗結束後，將該至少兩片矽片從第二清洗槽中取出並使該至少兩片矽片保持濕潤狀態，然後將一片矽片放置在一個單片清洗模組的矽片夾上；第四步：旋轉矽片夾並向矽片噴灑化學溶液；第五步：向矽片噴灑去離子水；第六步：乾燥矽片；以及第七步：從單片清洗模組中取出已經清洗、乾燥完畢的矽片並將矽片放回裝載埠處的第一矽片盒中。

由上述可知，本發明半導體矽片的清洗方法和裝置將槽式清洗和單片清洗結合在一起，充分利用了槽式清洗和單片清洗的優點來對矽片進行清洗，從而能夠有效去除有機物、顆粒和薄膜材料等污染物。高溫工藝可以在槽式清洗裝置中進行，因為高溫的化學溶液可以在槽式清洗裝置中得到循環使用，而且在槽式清洗過程中產生的酸霧能夠得到很好的控制。此外，矽片從槽式清洗裝置的第一清洗槽中取出後直至放入單片清洗模組進行單片清洗之前始終保持濕潤狀態，使得黏附在矽片表面的污染物能夠更容易的去除。

綜上所述，本發明的半導體矽片的清洗方法和裝置透過上述實施方式及相關圖式說明，己具體、詳實的揭露了相關技術，使本領域的技術人員可以據以實施。而以上所述實施例只是用來說明本發明，而不是用來限制本發明的，本發明的權利範圍，應由本發明的申請專利範圍 來界定。至於本文中所述元件數目的改變或等效元件的代替等仍都應屬於本發明的權利範圍。

100‧‧‧清洗裝置

110‧‧‧裝載埠

120‧‧‧第一機械手

130‧‧‧槽式清洗裝置

140‧‧‧第三機械手

150‧‧‧單片清洗模組

Claims (43)

1. 一種半導體矽片的清洗方法，其特徵在於，包括：從裝載埠處的矽片盒中取至少兩片矽片，然後將該至少兩片矽片放入裝滿化學溶液的第一清洗槽中；該至少兩片矽片在第一清洗槽內清洗結束後，將該至少兩片矽片從第一清洗槽中取出並使該至少兩片矽片保持濕潤狀態，然後將該至少兩片矽片放入裝滿液體的第二清洗槽中；該至少兩片矽片在第二清洗槽內清洗結束後，將該至少兩片矽片從第二清洗槽中取出並使該至少兩片矽片保持濕潤狀態，然後將一片矽片放置在一個單片清洗模組的矽片夾上；旋轉矽片夾並向矽片噴灑化學溶液；向矽片噴灑去離子水；乾燥矽片；以及從單片清洗模組中取出已清洗、乾燥完畢的矽片並將矽片放回裝載埠處的矽片盒中。
2. 根據請求項1所述的半導體矽片的清洗方法，其特徵在於，所述第一清洗槽中的化學溶液是溫度在20℃至250℃的SPM。
3. 根據請求項1所述的半導體矽片的清洗方法，其特徵在於，所述第一清洗槽中的化學溶液包含溫度在20℃至250 ℃的溶劑。
4. 根據請求項3所述的半導體矽片的清洗方法，其特徵在於，所述溶劑是TMAH。
5. 根據請求項1所述的半導體矽片的清洗方法，其特徵在於，所述第二清洗槽中的液體是去離子水。
6. 根據請求項5所述的半導體矽片的清洗方法，其特徵在於，所述去離子水的溫度為20℃至100℃。
7. 根據請求項1所述的半導體矽片的清洗方法，其特徵在於，所述步驟旋轉矽片夾並向矽片噴灑化學溶液包括向矽片噴灑稀釋的氯化氫溶液、SC1、SC2或臭氧水溶液。
8. 根據請求項1所述的半導體矽片的清洗方法，其特徵在於，所述步驟旋轉矽片夾並向矽片噴灑化學溶液包括摻有氣體和NH₄OH的功能水溶液。
9. 根據請求項8所述的半導體矽片的清洗方法，其特徵在於，所述氣體是氫氣，氫氣的濃度是1.6ppm，NH₄OH的濃度小於100ppm。
10. 根據請求項1所述的半導體矽片的清洗方法，其特徵在於，還進一步包括在步驟乾燥矽片之前，向矽片噴灑化 學溶液。
11. 根據請求項10所述的半導體矽片的清洗方法，其特徵在於，所述化學溶液是稀釋的氯化氫溶液、SC1或SC2。
12. 根據請求項1所述的半導體矽片的清洗方法，其特徵在於，所述步驟乾燥矽片包括旋轉矽片夾並向矽片供應IPA溶液。
13. 根據請求項1所述的半導體矽片的清洗方法，其特徵在於，在單片清洗過程中，利用兆聲波清洗矽片。
14. 根據請求項1所述的半導體矽片的清洗方法，其特徵在於，所述化學溶液和去離子水均透過噴霧嘴噴灑在矽片上。
15. 一種半導體矽片的清洗裝置，其特徵在於，包括：第一矽片盒，所述第一矽片盒位於裝載埠，所述第一矽片盒收納數片矽片；至少一個第一清洗槽，所述第一清洗槽裝滿化學溶液；第二清洗槽，所述第二清洗槽裝滿液體；至少兩個單片清洗模組，所述單片清洗模組清洗和乾燥單片矽片；兩個翻轉機構，其中一個翻轉機構靠近所述第一清洗槽，另一個翻轉機構靠近所述第二清洗槽； 第一機械手，所述第一機械手裝備有至少兩個矽片傳送臂，所述矽片傳送臂從所述第一矽片盒中取出至少兩片矽片並將該至少兩片矽片放置在靠近所述第一清洗槽的翻轉機構中，所述第一機械手從所述單片清洗模組內取出矽片並將矽片放回所述第一矽片盒；第二機械手，所述第二機械手從靠近所述第一清洗槽的翻轉機構中取出矽片並將矽片依次放入所述第一清洗槽和所述第二清洗槽，矽片在所述第一清洗槽和所述第二清洗槽內的工藝結束後，所述第二機械手從所述第二清洗槽中取出矽片並將矽片放置在靠近所述第二清洗槽的翻轉機構中；第三機械手，所述第三機械手裝備有至少兩個矽片傳送臂，所述矽片傳送臂從靠近所述第二清洗槽的翻轉機構中取出矽片並將矽片放入所述單片清洗模組，其中，矽片在放入所述單片清洗模組內執行單片清洗和乾燥處理之前，所述矽片始終保持濕潤狀態。
16. 根據請求項15所述的半導體矽片的清洗裝置，其特徵在於，所述第一清洗槽中的化學溶液是溫度在20℃至250℃的SPM。
17. 根據請求項15所述的半導體矽片的清洗裝置，其特徵在於，所述第二清洗槽中的液體是去離子水，所述去離子水的溫度為20℃至100℃。
18. 根據請求項15所述的半導體矽片的清洗裝置，其特 徵在於，所述第一清洗槽的數量為兩個，該兩個第一清洗槽內均裝滿溫度在20℃至250℃的SPM。
19. 根據請求項15所述的半導體矽片的清洗裝置，其特徵在於，採用稀釋的氯化氫溶液或SC1溶液對放入所述單片清洗模組內的矽片執行單片清洗處理。
20. 根據請求項15所述的半導體矽片的清洗裝置，其特徵在於，採用IPA溶液對放入所述單片清洗模組內的矽片執行單片乾燥處理。
21. 根據請求項15所述的半導體矽片的清洗裝置，其特徵在於，所述第一機械手包括有5個獨立的矽片傳送臂，每一矽片傳送臂裝備有一終端執行器以用於從所述單片清洗模組內取出矽片並將矽片重新放回第一矽片盒。
22. 根據請求項15所述的半導體矽片的清洗裝置，其特徵在於，所述第一機械手包括一獨立的矽片傳送臂，該矽片傳送臂裝備有5個終端執行器以用於每次從第一矽片盒內取出5片矽片並將該5片矽片放置在靠近所述第一清洗槽的翻轉機構中。
23. 根據請求項15所述的半導體矽片的清洗裝置，其特徵在於，所述第二機械手具有5對手指，每對手指相對於其他4對手指是獨立的，且每對手指每次可以抓取5片矽片。
24. 根據請求項15所述的半導體矽片的清洗裝置，其特徵在於，所述第三機械手具有5個獨立的矽片傳送臂，每個矽片傳送臂裝備有一個終端執行器以用於從靠近所述第二清洗槽的翻轉機構中取出一片矽片並將該片矽片放入所述單片清洗模組。
25. 根據請求項15所述的半導體矽片的清洗裝置，其特徵在於，所述第三機械手的矽片傳送臂上安裝具有噴嘴的噴頭，透過所述噴嘴向第三機械手的矽片傳送臂上的矽片噴灑去離子水。
26. 根據請求項15所述的半導體矽片的清洗裝置，其特徵在於，所述第一機械手每次從所述第一矽片盒中取出25片矽片並將該25片矽片放置在靠近所述第一清洗槽的翻轉機構中。
27. 根據請求項15所述的半導體矽片的清洗裝置，其特徵在於，所述第一機械手每次從所述第一矽片盒中取出5片矽片並將該5片矽片放置在靠近所述第一清洗槽的翻轉機構中。
28. 根據請求項15所述的半導體矽片的清洗裝置，其特徵在於，所述第一清洗槽和所述第二清洗槽的製造材料是石英材料。
29. 根據請求項15所述的半導體矽片的清洗裝置，其特徵在於，所述第一清洗槽內設置有一對相對佈置的矽片托架，一對連接件佈置在該對矽片托架的兩端並與該對矽片托架固定連接，兩個升降件分別與所述連接件連接，所述兩個升降件還分別與驅動件連接，該驅動件驅動升降件上升或下降，相應地，帶動所述矽片托架上升或下降。
30. 根據請求項15所述的半導體矽片的清洗裝置，其特徵在於，所述第一清洗槽內設置有一對相對佈置的矽片托架，一對連接件佈置在該對矽片托架的兩端並與該對矽片托架固定連接，兩個升降件分別與所述矽片托架的中部連接，所述兩個升降件還分別與驅動件連接，該驅動件驅動所述升降件上升或下降，相應地，帶動矽片托架上升或下降。
31. 根據請求項15所述的半導體矽片的清洗裝置，其特徵在於，所述第二清洗槽被分為5個獨立的區域，所述第二清洗槽的每一區域內設置有一對相對佈置的矽片托架，一對連接件佈置在該對矽片托架的兩端並與該對矽片托架固定連接，兩個升降件分別與所述連接件連接，所述兩個升降件還分別與驅動件連接，該驅動件驅動所述升降件上升或下降，而相應地帶動所述矽片托架上升或下降。
32. 根據請求項15所述的半導體矽片的清洗裝置，其特徵在於，所述矽片在所述第一清洗槽中清洗30至600秒。
33. 根據請求項15所述的半導體矽片的清洗裝置，其特徵在於，所述每一翻轉機構具有基座，該基座相對的兩側分別向該基座的內部凸伸形成兩對導柱，所述基座相對的兩側分別透過一旋轉軸與一側牆活動連接，每一側牆凸伸形成一列支撐部，所述基座的底部設置有一矽片承載部，該矽片承載部沿所述兩對導柱滑動，所述矽片承載部開設有數個用於收容矽片的收容槽，兩個氣缸分別與所述兩個側牆連接，所述兩個氣缸分別驅動所述兩個側牆繞旋轉軸旋轉，以展開或合攏所述兩個側牆，連接軸穿過所述基座並與所述基座透過固定件固定連接，所述連接軸的一端與驅動器連接，所述驅動器驅動所述基座翻轉。
34. 根據請求項15所述的半導體矽片的清洗裝置，其特徵在於，還進一步包括一對水平佈置的導軌及一對豎直佈置的導軌，所述豎直佈置的導軌與所述水平佈置的導軌垂直並且能夠沿所述水平佈置的導軌移動，支撐板設置在所述豎直佈置的導軌上並且沿所述豎直佈置的導軌上下移動，支撐臂固定在所述支撐板上，所述支撐臂垂直於支撐板，所述第二機械手固定在所述支撐臂上，所述第二機械手沿所述支撐臂移動。
35. 根據請求項34所述的半導體矽片的清洗裝置，其特徵在於，所述第二機械手繞所述支撐臂擺動。
36. 根據請求項15所述的半導體矽片的清洗裝置，其特徵在於，進一步包括排氣裝置，所述排氣裝置佈置在所述第一清洗槽的兩側，所述排氣裝置將第一清洗槽內產生的酸霧排出。
37. 根據請求項15所述的半導體矽片的清洗裝置，其特徵在於，進一步包括在靠近所述第二清洗槽的翻轉機構的周圍佈置有數個噴淋管，每個噴淋管具有數個噴淋口，以用於向矽片噴灑去離子水，使矽片在放入所述單片清洗模組內執行單片清洗和乾燥處理之前始終保持濕潤狀態。
38. 根據請求項15所述的半導體矽片的清洗裝置，其特徵在於，進一步包括裝滿去離子水的水槽，升降機構設置在所述水槽中，框架固定在位於所述水槽中的升降機構上，所述框架收納裝有矽片的第三矽片盒，該第三矽片盒放置在所述框架上並浸沒在所述水槽內的去離子水中，當需要從所述第三矽片盒中取出矽片時，所述升降機構升起所述框架並使框架豎直的露出水面。
39. 根據請求項38所述的半導體矽片的清洗裝置，其特徵在於，所述水槽內的去離子水在處理完同一批次的矽片後被排掉，然後再向所述水槽補充新的去離子水以處理下一批次的矽片。
40. 根據請求項15所述的半導體矽片的清洗裝置，其特 徵在於，進一步包括相對佈置的另外至少一個第一清洗槽、另外一個第二清洗槽、另外兩個翻轉機構、另外一個第二機械手。
41. 根據請求項15所述的半導體矽片的清洗裝置，其特徵在於，所述第一清洗槽和所述第二清洗槽均被分為5個獨立的區域，每個區域每次處理5片矽片。
42. 一種半導體矽片的清洗裝置，其特徵在於，包括：第一矽片盒，所述第一矽片盒位於裝載埠，所述第一矽片盒收納數片矽片；至少一個第一清洗槽，所述第一清洗槽裝滿化學溶液；第二清洗槽，所述第二清洗槽裝滿液體；至少兩個單片清洗模組，所述單片清洗模組清洗和乾燥單片矽片；兩個翻轉機構，其中一個翻轉機構靠近所述第一清洗槽，另一個翻轉機構靠近所述第二清洗槽；緩衝區，所述緩衝區用於暫存矽片；第一機械手，所述第一機械手裝備有至少兩個矽片傳送臂，所述矽片傳送臂從所述第一矽片盒中取出至少兩片矽片並將該至少兩片矽片放置在所述緩衝區中，所述第一機械手從所述單片清洗模組內取出矽片並將矽片放回所述第一矽片盒；第二機械手，所述第二機械手從靠近所述第一清洗槽的翻轉機構中取出矽片並將矽片依次放入所述第一清洗槽和 所述第二清洗槽，矽片在所述第一清洗槽和所述第二清洗槽內的工藝結束後，所述第二機械手從所述第二清洗槽中取出矽片並將矽片放置在靠近所述第二清洗槽的翻轉機構中；第三機械手，所述第三機械手裝備有至少兩個矽片傳送臂，所述矽片傳送臂從所述緩衝區中取出矽片並將矽片放置在靠近所述第一清洗槽的翻轉機構中，所述第三機械手從靠近所述第二清洗槽的翻轉機構中取出矽片並將矽片放入所述單片清洗模組，其中，矽片在放入所述單片清洗模組內執行單片清洗和乾燥處理之前，所述矽片始終保持濕潤狀態。
43. 一種半導體矽片的清洗裝置，其特徵在於，包括：第一矽片盒，所述第一矽片盒位於裝載埠，所述第一矽片盒收納數片矽片；至少一個第一清洗槽，所述第一清洗槽裝滿化學溶液；第二清洗槽，所述第二清洗槽裝滿液體；至少兩個單片清洗模組，所述單片清洗模組清洗和乾燥單片矽片；兩個翻轉機構，其中一個翻轉機構靠近所述第一清洗槽，另一個翻轉機構靠近所述第二清洗槽；第一機械手，所述第一機械手裝備有至少三個矽片傳送臂，所述第一機械手的一個矽片傳送臂從所述第一矽片盒中取出至少兩片矽片並將該至少兩片矽片放置在靠近所述第一清洗槽的翻轉機構中，所述第一機械手的另一個矽片傳送臂從靠近所述第二清洗槽的翻轉機構中取出矽片並將矽片放入所述單片清洗模組，其中，矽片在放入所述單片清洗模 組內執行單片清洗和乾燥處理之前，所述矽片始終保持濕潤狀態，所述第一機械手的又一個矽片傳送臂從所述單片清洗模組內取出矽片並將矽片放回所述第一矽片盒；第二機械手，所述第二機械手從靠近所述第一清洗槽的翻轉機構中取出矽片並將矽片依次放入所述第一清洗槽和所述第二清洗槽，矽片在所述第一清洗槽和所述第二清洗槽內的工藝結束後，所述第二機械手從所述第二清洗槽中取出矽片並將矽片放置在靠近所述第二清洗槽的翻轉機構中。