CN107870510A - 光掩膜版的清洗方法及去胶方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种光掩膜版的清洗方法及去胶方法，所述光掩膜版的清洗方法至少包括以下步骤：1）使用硫酸及双氧水的混合液对所述光掩膜版进行清洗；2）使用氨水、双氧水及去离子水的混合溶液对所述光掩膜版进行清洗；3）使用超声波对所述光掩膜版进行清洗；4）使用热去离子水对所述光掩膜版进行清洗。本发明的光掩膜版的清洗方法可以实现对光掩膜版进行有效地清洗，能够去除所述光掩膜版表面残留的光刻胶，保证所述光掩膜版表面的清洁度，从而放宽了对去胶步骤中清洁度的要求，可以在去胶过程中避免氨水的使用。
Description
技术领域
本发明属于半导体制备技术领域，特别是涉及一种光掩膜版的清洗方法及去胶方法。
背景技术
众所周知，在半导体生产制造过程中，对于化学品的使用十分广泛并且十分依赖，从而使得其对环境的影响也是十分明显，这是我们不想看到的。在国家“十三五”规划中，生态环境质量总体改善已经被列为主要目标，主要污染物排放总量大幅减少则是生态环境质量总体改善目标中的主要内容。并且在国家对于生产企业氨氮排放要求的基础下，去除或减少氨水的使用成为我们主动或被动的义务。
在现有的去胶过程中，通常使用硫酸和双氧水按照一定比例混合，然后通过摇臂将其喷淋在经过蚀刻仍带光阻的光掩模版上达到去除光阻的作用。在此之后，部分光阻有机物残渣和部分化学品以及环境中的颗粒依旧会残存在光掩模版表面。然后再经过SC-1，将这部分光阻有机物残渣和表面颗粒进行去除。从而在之后的图形检查过程中，得过较好的效果。
在光掩模去胶过程中，SC-1是去除光掩模版表面颗粒的重要清洗液。其化学品组成为氨水、双氧水及去离子水，在其按照一定比例的混合下对于光掩模表面颗粒的去除十分明显。然而，在去胶过程中，氨水的大量使用并不能有效回收，从而会对环境造成明显的影响。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种光掩膜版的清洗方法及去胶方法，用于解决现有技术中光掩膜版的去胶方法中大量使用氨水却不能有效回收而导致的对环境造成明显影响的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种光掩膜版的清洗方法，适于对去胶处理后的光掩膜版进行清洗，所述光掩膜版的清洗方法至少包括以下步骤：
1)使用硫酸及双氧水的混合液对所述光掩膜版进行清洗；
2)使用氨水、双氧水及去离子水的混合溶液对所述光掩膜版进行清洗；
3)使用超声波对所述光掩膜版进行清洗；
4)使用热去离子水对所述光掩膜版进行清洗。
作为本发明的光掩膜版的清洗方法的一种优选方案，步骤1)中，所述硫酸及双氧水的混合液中硫酸与双氧水的体积比为1：1～5：1。
作为本发明的光掩膜版的清洗方法的一种优选方案，所述硫酸及双氧水的混合液中硫酸与双氧水的体积比为3：1。
作为本发明的光掩膜版的清洗方法的一种优选方案，步骤1)中，使用硫酸及双氧水的混合液对所述光掩膜版进行清洗的温度为90℃～110℃。
作为本发明的光掩膜版的清洗方法的一种优选方案，步骤2)中，所述氨水、双氧水及去离子水的混合溶液中氨水、双氧水及去离子水的体积比为1：2：10。
作为本发明的光掩膜版的清洗方法的一种优选方案，步骤3)中，使用超声波对所述光掩膜版进行清洗时超声波的功率测试不小于60mV。
作为本发明的光掩膜版的清洗方法的一种优选方案，步骤4)中，所述热去离子水的温度为70℃～100℃。
作为本发明的光掩膜版的清洗方法的一种优选方案，步骤4)中，使用热去离子水对所述光掩膜版进行清洗的时间不小于10分钟。
本发明还提供一种光掩膜版的去胶方法，所述光掩膜版的去胶方法至少包括以下步骤：
1)使用硫酸及双氧水的混合液去除光掩膜版表面的光刻胶层；
2)使用双氧水及去离子水的混合溶液去除所述光掩膜版表面残留的光刻胶颗粒；
3)使用如上述任一方案中所述的清洗方法对所述光掩膜版进行清洗。
作为本发明的光掩膜版的去胶方法的一种优选方案，步骤3)之后还包括以下步骤：
4)对所述光掩膜版表面进行图形检查；若所述光掩膜版表面没有图形缺陷，则结束；
5)若所述光掩膜版表面有图形缺陷，将所述光掩模版修版后使用如上述任一方案中所述的清洗方法对所述光掩膜版再次进行清洗；
6)重复步骤4)～步骤5)。
如上所述，本发明的光掩膜版的清洗方法及去胶方法，具有以下有益效果：本发明的光掩膜版的清洗方法可以实现对光掩膜版进行有效地清洗，能够去除所述光掩膜版表面残留的光刻胶，保证所述光掩膜版表面的清洁度，从而放宽了对去胶步骤中清洁度的要求，可以在去胶过程中避免氨水的使用。
附图说明
图1显示为本发明实施例一中提供的光掩膜版的清洗方法的流程图。
图2显示为本发明实施例二中提供的光掩膜版的去胶方法的流程图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1至图2。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，虽图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
实施例一
请参阅图1，本发明提供一种光掩膜版的清洗方法，适于对去胶处理后的光掩膜版进行清洗，所述光掩膜版的清洗方法至少包括以下步骤：
1)使用硫酸及双氧水的混合液对所述光掩膜版进行清洗；
2)使用氨水、双氧水及去离子水的混合溶液对所述光掩膜版进行清洗；
3)使用超声波对所述光掩膜版进行清洗；
4)使用热去离子水对所述光掩膜版进行清洗。
在步骤1)中，请参阅图1中的S1步骤，使用硫酸及双氧水的混合液对所述光掩膜版进行清洗。
作为示例，所述硫酸及双氧水的混合液中硫酸与双氧水的体积比为1：1～5：1，其中，所述硫酸的浓度可以根据实际需要进行设定，此处对于硫酸的浓度不做限定。
作为示例，所述硫酸及双氧水的混合液中硫酸与双氧水的体积比为3：1。
作为示例，使用硫酸及双氧水的混合液对所述光掩膜版进行清洗的温度为90℃～110℃，即所述硫酸及双氧水的混合液的温度为90℃～110℃。
在步骤2)中，请参阅图1中的S2步骤，使用氨水、双氧水及去离子水的混合溶液对所述光掩膜版进行清洗。
作为示例，所述氨水、双氧水及去离子水的混合溶液中氨水、双氧水及去离子水的比例可以根据实际需要设定，优选地，本实施例中，氨水、双氧水及去离子水的体积比可以为但不仅限于1：2：10。
在步骤3)中，请参阅图1中的S3步骤，使用超声波对所述光掩膜版进行清洗。
作为示例，为了达到最佳的清洗效果，所述超声波需要达到一定的功率，优选地，本实施例中，使用超声波对所述光掩膜版进行清洗时超声波的功率测试不小于60mV。需要说明的是，60mV是使用超声波功率测试仪测试到的超声波功率所对应的电压值。
在步骤4)中，请参阅图1中的S4步骤，使用热去离子水对所述光掩膜版进行清洗。
作为示例，所述热去离子水的温度可以根据实际需要进行设定，优选地，本实施例中，所述热去离子水的温度为70℃～100℃。
作为示例，使用热去离子水对所述光掩膜版进行清洗的时间可以根据实际需要进行设定，优选地，本实施例中，使用热去离子水对所述光掩膜版进行清洗的时间不小于10分钟。
实施例二
请参阅图2，本发明还提供一种光掩膜版的去胶方法，所述光掩膜版的去胶方法至少包括以下步骤：
1)使用硫酸及双氧水的混合液去除光掩膜版表面的光刻胶层；
2)使用双氧水及去离子水的混合溶液去除所述光掩膜版表面残留的光刻胶颗粒；
3)对所述光掩膜版进行清洗。
在步骤1)中，请参阅图2中的S1步骤，使用硫酸及双氧水的混合液去除光掩膜版表面的光刻胶层。
作为示例，使用硫酸及双氧水的混合液去除光掩膜版表面的光刻胶层的具体方法为：将硫酸及双氧水以一定的比例混合后，通过摇臂将硫酸及双氧水的混合溶液喷淋到经过刻蚀但仍带有光刻胶的光掩膜版上以去除所述光掩膜版上的光刻胶层。
在步骤2)中，请参阅图2中的S2步骤，使用双氧水及去离子水的混合溶液去除所述光掩膜版表面残留的光刻胶颗粒。
作为示例，在步骤1)使用硫酸及双氧水的混合溶液去除所述光掩膜版表面的光刻胶层之后，所述光掩膜版表面还有部分光刻胶有机物残渣、部分化学品及环境中的颗粒残留，使用双氧水及去离子水的混合溶液可以去除所述光掩膜版表面残留的光刻胶颗粒、残留化学品及其他颗粒。
在该步骤中，只使用双氧水及去离子水的混合溶液对所述光掩膜版进行清洗，虽然在某种程度上削弱了去除光刻胶有机物残渣及表面颗粒的能力，但后续还有一步具有特定条件清洗步骤可以确保光掩膜版表面的清洁度。
在步骤3)中，请参阅图2中的S3步骤，对所述光掩膜版进行清洗。
作为示例，对所述掩膜版进行清洗至少包括以下步骤：
3-1)使用硫酸及双氧水的混合液对所述光掩膜版进行清洗；
3-2)使用氨水、双氧水及去离子水的混合溶液对所述光掩膜版进行清洗；
3-3)使用超声波对所述光掩膜版进行清洗；
3-4)使用热去离子水对所述光掩膜版进行清洗。
作为示例，步骤3-1)中，所述硫酸及双氧水的混合液中硫酸与双氧水的体积比为1：1～5：1，其中，所述硫酸的浓度可以根据实际需要进行设定，此处对于硫酸的浓度不做限定。
作为示例，步骤3-1)中，所述硫酸及双氧水的混合液中硫酸与双氧水的体积比为3：1。
作为示例，步骤3-1)中，使用硫酸及双氧水的混合液对所述光掩膜版进行清洗的温度为90℃～110℃，即所述硫酸及双氧水的混合液的温度为90℃～110℃。
作为示例，步骤3-2)中，所述氨水、双氧水及去离子水的混合溶液中氨水、双氧水及去离子水的比例可以根据实际需要设定，优选地，本实施例中，氨水、双氧水及去离子水的体积比可以为但不仅限于1：2：10。
作为示例，步骤3-3)中，为了达到最佳的清洗效果，所述超声波需要达到一定的功率，优选地，本实施例中，使用超声波对所述光掩膜版进行清洗时超声波的功率测试不小于60mV。需要说明的是，60mV是使用超声波功率测试仪测试到的超声波功率所对应的电压值。
作为示例，步骤3-4)中，所述热去离子水的温度可以根据实际需要进行设定，优选地，本实施例中，所述热去离子水的温度为70℃～100℃。
作为示例，步骤3-4)中，使用热去离子水对所述光掩膜版进行清洗的时间可以根据实际需要进行设定，优选地，本实施例中，使用热去离子水对所述光掩膜版进行清洗的时间不小于10分钟。
作为示例，步骤3)之后还包括以下步骤：
4)对所述光掩膜版表面进行图形检查；若所述光掩膜版表面没有图形缺陷，则结束；
5)若所述光掩膜版表面有图形缺陷，将所述光掩模版进行正确的修版后使用上述步骤3)所述的清洗方法对所述光掩膜版再次进行清洗；
6)重复步骤4)～步骤5)，直至所述掩膜版表面没有图形缺陷。
综上所述，本发明提供一种光掩膜版的清洗方法及去胶方法，所述光掩膜版的清洗方法至少包括以下步骤：1)使用硫酸及双氧水的混合液对所述光掩膜版进行清洗；2)使用氨水、双氧水及去离子水的混合溶液对所述光掩膜版进行清洗；3)使用超声波对所述光掩膜版进行清洗；4)使用热去离子水对所述光掩膜版进行清洗。本发明的光掩膜版的清洗方法可以实现对光掩膜版进行有效地清洗，能够去除所述光掩膜版表面残留的光刻胶，保证所述光掩膜版表面的清洁度，从而放宽了对去胶步骤中清洁度的要求，可以在去胶过程中避免氨水的使用。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (10)
1.一种光掩膜版的清洗方法，适于对去胶处理后的光掩膜版进行清洗，其特征在于，所述光掩膜版的清洗方法至少包括以下步骤：
1)使用硫酸及双氧水的混合液对所述光掩膜版进行清洗；
2)使用氨水、双氧水及去离子水的混合溶液对所述光掩膜版进行清洗；
3)使用超声波对所述光掩膜版进行清洗；
4)使用热去离子水对所述光掩膜版进行清洗。
2.根据权利要求1所述的光掩膜版的清洗方法，其特征在于：步骤1)中，所述硫酸及双氧水的混合液中硫酸与双氧水的体积比为1：1～5：1。
3.根据权利要求2所述的光掩膜版的清洗方法，其特征在于：所述硫酸及双氧水的混合液中硫酸与双氧水的体积比为3：1。
4.根据权利要求1所述的光掩膜版的清洗方法，其特征在于：步骤1)中，使用硫酸及双氧水的混合液对所述光掩膜版进行清洗的温度为90℃～110℃。
5.根据权利要求1所述的光掩膜版的清洗方法，其特征在于：步骤2)中，所述氨水、双氧水及去离子水的混合溶液中氨水、双氧水及去离子水的体积比为1：2：10。
6.根据权利要求1所述的光掩膜版的清洗方法，其特征在于：步骤3)中，使用超声波对所述光掩膜版进行清洗时超声波的功率测试不小于60mV。
7.根据权利要求1所述的光掩膜版的清洗方法，其特征在于：步骤4)中，所述热去离子水的温度为70℃～100℃。
8.根据权利要求1所述的光掩膜版的清洗方法，其特征在于：步骤4)中，使用热去离子水对所述光掩膜版进行清洗的时间不小于10分钟。
9.一种光掩膜版的去胶方法，其特征在于，所述光掩膜版的去胶方法至少包括以下步骤：
1)使用硫酸及双氧水的混合液去除光掩膜版表面的光刻胶层；
2)使用双氧水及去离子水的混合溶液去除所述光掩膜版表面残留的光刻胶颗粒；
3)使用如权利要求1至8中任一项所述的清洗方法对所述光掩膜版进行清洗。
10.根据权利要求9所述的光掩膜版的去胶方法，其特征在于：步骤3)之后还包括以下步骤：
4)对所述光掩膜版表面进行图形检查；若所述光掩膜版表面没有图形缺陷，则结束；
5)若所述光掩膜版表面有图形缺陷，将所述光掩模版修版后使用如权利要求1至8中任一项所述的清洗方法对所述光掩膜版再次进行清洗；
6)重复步骤4)～步骤5)。
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
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Application publication date: 20180403 |