CN1979770A - 接触孔的清洗方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种接触孔的清洗方法，包括干法等离子体去胶和湿法化学药液清洗两个步骤，所述湿法化学药液清洗采用SPM药液(硫酸双氧水混合溶液)和APM药液(氨水双氧水混合溶液)共同处理的方法。本发明通过湿法化学药液清洗采用两种药液共同处理的方式，彻底清除了刻蚀过程中生成的聚合物，提高了清洗的效果和产品的合格率。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体器件的清洗方法，尤其是一种半导体器件中接触孔的清洗方法。
背景技术
接触孔(contact)是芯片制造工艺中关键模块之一，其中，接触孔刻蚀后的清洗又是重要的一个环节，清洗效果的好坏直接影响到产品产量的高低。
现有的清洗方法分两步，一步为干法等离子体清洗，主要用于去除光刻胶；等离子体清洗之后是化学药液清洗，侧重于去除刻蚀时生成的聚合物，采用的是SPM药液(硫酸双氧水混合溶液，其中硫酸与双氧水的配比为5∶1)，药液温度为140摄氏度，清洗时间为10分钟。
采用这样的清洗方案，其结果是清洗后在扫描电子显微镜下发现了大量的刻蚀残留物，如图1和图2所示。经成分鉴定，该残留物为等离子体刻蚀时生成的聚合物。其残留的原因是现有的药液去除刻蚀聚合物的能力不够。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种接触孔的清洗方法，能够彻底清除刻蚀过程中生成的聚合物，提高清洗的效果，以提高产品的合格率。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案是，包括干法等离子体去胶和湿法化学药液清洗两个步骤，所述湿法化学药液清洗采用SPM药液和APM(氨水双氧水混合溶液)药液共同处理的方法。
本发明通过湿法化学药液清洗采用两种药液共同处理的方式，彻底清除了刻蚀过程中生成的聚合物，提高了清洗的效果和产品的合格率。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步描述：
图1为现有的接触孔清洗方法清洗后的接触孔；
图2为图1中接触孔的局部放大图；
图3为使用本发明的接触孔清洗方法清洗后的接触孔，
图4为图3中接触孔的局部放大图。
具体实施方式
本发明接触孔的清洗方法，其包括两个步骤，干法等离子体去胶和湿法化学药液清洗。在进行干法等离子体去胶的步骤时，温度为140℃，微波频率1200瓦，压力为0.6托，氧气流量为500标准立方厘米每分钟，处理时间为400秒。
进行湿法化学药液清洗采用SPM药液和APM药液共同处理的方法。其步骤是首先进行SPM药液处理，处理温度为140℃，处理时间为10分钟，所述SPM药液中硫酸与双氧水的配比为5∶1。然后进行热去离子水浸渍，温度为65～75℃。之后进行APM药液处理，处理温度为30～40℃，处理时间为4～6分钟，所述APM药液中氨水、双氧水和去离子水的比例为1∶4∶20。再进行冷去离子水浸渍，最后进行干燥处理。
采用本发明的清洗方法，可以取得理想的清洗效果，如图3和图4所示，在同样的区域，未发现有任何刻蚀聚合物残留的现象，并且保持了原有接触孔的形貌。
Claims (6)
1.一种接触孔的清洗方法，包括干法等离子体去胶和湿法化学药液清洗两个步骤，其特征在于，所述湿法化学药液清洗采用SPM药液和APM药液共同处理的方法。
2.根据权利要求1所述的接触孔的清洗方法，其特征在于，所述湿法化学药液清洗的步骤是首先进行SPM药液处理，然后进行热去离子水浸渍，之后进行APM药液处理，再进行冷去离子水浸渍，最后进行干燥处理。
3.根据权利要求1所述的接触孔的清洗方法，其特征在于，所述热去离子水浸渍的温度为65～75℃。
4.根据权利要求1所述的接触孔的清洗方法，其特征在于，所述APM药液中氨水、双氧水与去离子水的比例为1∶4∶20。
5.根据权利要求1所述的接触孔的清洗方法，其特征在于，所述APM药液处理的温度为30～40℃。
6.根据权利要求1所述的接触孔的清洗方法，其特征在于，所述APM药液处理的时间为4～6分钟。
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| CN 200510111299 CN1979770A (zh) | 2005-12-08 | 2005-12-08 | 接触孔的清洗方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2005
- 2005-12-08 CN CN 200510111299 patent/CN1979770A/zh active Pending
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