KR19990088484A - 반도체장치의세정장비및반도체장치의세정방법 - Google Patents
반도체장치의세정장비및반도체장치의세정방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR19990088484A KR19990088484A KR1019990018477A KR19990018477A KR19990088484A KR 19990088484 A KR19990088484 A KR 19990088484A KR 1019990018477 A KR1019990018477 A KR 1019990018477A KR 19990018477 A KR19990018477 A KR 19990018477A KR 19990088484 A KR19990088484 A KR 19990088484A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- solution
- semiconductor wafer
- chemical solution
- cleaning apparatus
- alcohol
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 45
- 238000005406 washing Methods 0.000 title description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 90
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 60
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 45
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 107
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 56
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 33
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 22
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 claims description 18
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 claims description 15
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims description 9
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 7
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 63
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 12
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000012864 cross contamination Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
화학 기계 연마 공정이 표면에 대하여 수행된 후에, 반도체 장치의 세정 장비가 반도체 웨이퍼의 표면을 세정한다. 롤 브러쉬가 상기 표면과 접촉하도록 상기 반도체 웨이퍼의 표면 상에 위치된다. 제 1 화학 용액 탱크가 제 1 화학 용액을 포함한다. 제 1 분사 노즐이 상기 제 1 화학 용액을 상기 반도체 웨이퍼의 표면 상에 분사한다. 제 2 화학 용액 탱크가 제 2 화학 용액을 포함한다. 제 2 분사 노즐이 상기 제 2 화학 용액을 상기 반도체 웨이퍼의 표면 상에 분사한다. 상기 롤 브러쉬 및 상기 반도체 웨이퍼가 회전하는 상태에서 상기 제 1 화학 용액 및 상기 제 2 화학 용액이 상기 반도체 웨이퍼의 표면 상으로 분사된다.
Description
본 발명은 화학 기계 연마 (Chemical Mechanical Polishing,, CMP) 공정 이후의 반도체 장치의 세정 장비 및 그 반도체 장치의 세정 방법에 관한 것이다.
종래에는, 불규칙성이 반도체 장치를 제조하는 단계에서 적층 (laminate) 구조를 가지는 반도체 장치의 표면 상에 자주 형성된다. 그 불규칙성을 가지는 표면이 공지된 CMP (화학 기계 연마) 공정을 사용함으로써 평평하게 된다.
이 연마 공정이 CMP 공정 중에 농후한 연마 입자 (예를 들어, 실리카 (silica) 입자, 알루미나 (alumina) 입자) 를 포함하는 용액을 사용함으로써 일반적으로 실시된다. 이러한 입자들은 전자 장치의 신뢰성 및 제조 라인의 바람직한 청결도를 유지하기 위하여 CMP 공정 이후에 웨이퍼 표면으로부터 거의 완벽하게 제거되어야 한다.
특히, 소수성 (hydrophobic) 막, 예를 들어, 실리콘 질화막 및 폴리 실리콘막, 이 연마되면, 친수성 (hydrophilic) 표면과 비교하여 소수성 표면 상에 잔류하는 입자를 제거하기 어렵다. 따라서, 그 입자들을 효과적으로 제거하기 위한 세정 방법이 요구되었다.
시트 공급 (sheet-fed) 타입 회전 세정 장비를 사용한 브러쉬 스크럽 방법이 CMP 공정 이후에 그 웨이퍼 상에 잔류하는 입자를 제거하는 방법으로서 일반적으로 사용된다.
예를 들어, 회전 세정 장비는 도 1 에 도시된 바와 같이, 롤 브러쉬 (12) , 분사 노즐 (13) , 화학 용액 탱크 (15) , 및 순수 분사 노즐 (14) 을 포함한다.
이 경우에, 상기 롤 브러쉬 (12) 가 웨이퍼 (11) 상에 잔류하는 입자들을 제거한다. 상기 분사 노즐 (13) 에서, 분사 구멍이 웨이퍼 (11) 에 대향한다. 또한, 화학 용액이 상기 화학 용액 탱크 (15) 에 탑재된다. 화학 용액이 상기 분사 구멍으로부터 상기 웨이퍼 (11) 를 향하여, 또는 웨이퍼 (11) 상으로 주입되거나 분사된다. 또한, 순수가 상기 순수 분사 노즐 (14) 의 분사 구멍으로부터 상기 웨이퍼 (11) 를 향하여, 또는 웨이퍼 (11) 상으로 주입되거나 분사된다.
전술한 회전 세정 장비에서, 상기 롤 브러쉬 (12) 가 상기 웨이퍼 (11) 와 접촉된다. 세정수 (washing water) 가 상기 분사 노즐 (13) 을 통하여 상기 화학 용액 탱크 (15) 로부터 상기 웨이퍼 (11) 를 향하여 공급된다.
이러한 상황 하에서, 상기 웨이퍼 (11) 는 상기 웨이퍼 (11) 및 상기 롤 브러쉬 (12) 가 회전하는 상태에서 상기 순수 분사 노즐 (14) 로부터 주입되는 순수에 의하여 세정된다.
이 경우에, 희석 암모니아 용액 (I. J. Malik 등. : MRS. Symp. Proc. Vol. 386, 109 쪽 (1995) ) 또는 희석 플루오르화수소산 (hydrofluoric acid) 용액이 상기 순수 외의 다른 세정수로서 사용된다. 하지만, 이러한 용액들은 전술한 소수성 표면을 세정하는데 효과적이지 않다.
반대로, CMP 공정 및 후속 세정 공정 중에 세제를 추가함으로써 제거 효과 (또는 성과) 를 증진시키도록 소수성이 향상되는 예에 대한 보고서가 57회 일본 응용 물리 학회의 학술 강연회 (637 쪽, 8p-L-7) 에서 작성되었다. 여기서, 세정 용액의 주성분이 상기 보고서에서는 불명확하다는 것에 주목해야 한다.
또한, CMP 공정 중에 알콜 용액을 추가함으로써 친수성 표면을 얻는 종래의 예가 일본 특개평 9-277172 호 공보에 개시되었다.
하지만, 암모니아 용액 또는 희석 플르오르화수소산 용액은 친수성 표면을 얻기 위한 능력을 가지지 않는다. 결과적으로, 그것은 소수성 표면을 세정하기에 충분히 효과적이지 않다.
다른 한편, 세제를 포함하고 있는 암모니아수가 효과적일지라도, 다음의 문제점이 있다. 즉, 상기 세제를 구성하는 고분자 (high-polymer) 유기 물질이 상기 세정 공정 이후에 상기 웨이퍼 상에 잔류하기 용이하다. 결과적으로, 상기 유기 물질을 제거하기 위한 세정 단계가 추가적으로 필요하게 된다.
또한, 적절한 용액 폐기 공정이 상기 세제에 수행되지 않으면, 상기 세제는 환경에 역효과를 나타낸다. 결과적으로, 적절한 공정을 수행하기 위하여 값비싼 공정 시설을 준비하는 것이 필요하다.
상기 CMP 공정 중에 알콜을 추가하는 예에 관하여, 알콜은 CMP 공정을 수행하는 연마 장비에서 제 1 세정 용액의 역할을 한다. 하지만, 알콜은 막을 퇴적시키는 후속의 단계에 대하여 최종 세정 용액의 역할을 하지 않는다.
일반적으로, 연마 장비에서의 세정 공정이 그 장비 내의 오염 물질을 수반한다. 결과적으로, 고청결화 (高淸潔化) 세정이 수행될 수 없다. 결과적으로, 추가적인 연마 장비가 후속의 세정 장비와 독립적으로 배열되는 것이 필요하다.
또한, 실리콘 질화막 및 폴리 실리콘막과 같은 소수성 표면이 CMP 공정 이후에 노출되면, 친수성 표면과 비교하여 소수성 표면에 잔류하는 입자를 제거하기 어렵다.
따라서, 입자들을 효과적으로 제거하는 세정 방법이 요구되었다.
따라서, 본 발명의 목적은 연마 입자의 제거 성과를 향상시킬 수 있는 반도체 세정 장비를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 CMP 공정 이후에 입자들이 웨이퍼 상에 거의 잔류하지 않는 반도체 장치 세정 장비를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 폐기 용액을 곧바로 처리할 수 있는 반도체 장치 세정 장비를 제공하는 것이다.
도 1 은 종래의 브러쉬 (brush) 스크럽 (scrub) 세정 장치의 일예를 도시하는 개략적인 구조도.
도 2 는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 장치의 세정 장비를 도시하는 개략적인 구조도.
도 3 은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 장치의 세정 장비를 도시하는 개략적인 구조도.
도 4 는 도 2 에 도시된 반도체 장치의 세정 장비에 따른 입자의 제거 결과를 도시하는 그래프.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
1 : 웨이퍼 2 : 롤 브러쉬
4 : 순수 (pure water) 분사 노즐 (nozle) 6 : 제 1 분사 노즐
7 : 제 2 분사 노즐 8 : 제 1 화학 용액 탱크
9 : 제 2 화학 용액 탱크 10 : 튜브
11 : 웨이퍼 12 : 롤 브러쉬
13 : 분사 노즐 14 : 순수 분사 노즐
15 : 화학 용액 탱크
본 발명에 따르면, 반도체 장치 세정 장비는 화학 기계 연마 공정이 표면에 수행된 이후에 반도체 웨이퍼의 표면을 세정한다.
이러한 조건 하에서, 롤 브러쉬가 표면과 접촉하도록 반도체 웨이퍼의 표면 상에 위치된다.
또한, 제 1 화학 용액 탱크가 제 1 화학 용액을 탑재한다. 제 1 분사 노즐이 반도체 웨이퍼의 표면으로 제 1 화학 용액을 분사한다.
또한, 제 2 화학 용액 탱크가 제 2 화학 용액을 탑재한다. 제 2 분사 노즐이 상기 화학 용액을 반도체 웨이퍼의 표면 상으로 분사한다.
그러한 구조로써, 롤 브러쉬 및 반도체 웨이퍼가 회전되는 상태에서 제 1 화학 용액 및 제 2 화학 용액이 반도체의 표면 상으로 분사된다.
이 조건에서, 화학 기계 연마 공정 이후에 연마 입자가 반도체 웨이퍼의 표면에 잔류된다. 롤 브러쉬가 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 연마 입자들을 제거한다.
이 경우에, 제 1 분사 노즐이 제 1 분사 구멍을 가지는 한편, 제 2 분사 노즐이 제 2 분사 구멍을 가진다. 제 1 분사 구멍 및 제 2 분사 구멍의 각각이 반도체 웨이퍼의 표면에 대향한다. 제 1 화학 용액이 제 1 분사 구멍을 통하여 표면 상에 분사되는 한편, 제 2 화학 용액이 제 2 분사 구멍을 통하여 표면 상에 분사된다.
이 경우에, 제 1 화학 용액이 암모니아 용액을 구비하는 한편, 제 2 화학 용액이 알콜 용액을 구비한다.
암모니아 용액이 바람직하게 저알코올을 구비한다. 이 경우에, 저알코올이 에탄올 (ethanol), 메탄올 (methanol) 및 이소프로필 알콜 (isopropyl alchol) 로 구성된 그룹으로부터 선택되는 1개 이상일 수 있다.
여기서, 반도체 웨이퍼의 표면이 소수성이다. 소수성 표면이 알콜 용액을 사용함으로써 친수성 표면으로 변화된다. 이 경우에, 반도체 표면 상에 잔류된 연마 입자의 제거 성과를 향상시키기 위하여, 소수성 표면이 친수성 표면으로 변화된다. 소수성 표면이 실리콘 질화막 또는 폴리 실리콘막이 노출되는 표면을 구비할 수도 있다.
따라서, 전술한 바와 같이, 알콜 용액을 첨가함으로써, 소수성 웨이퍼 표면이 친수성 표면으로 변화된다. 따라서, 입자들의 제거 성과가 크게 향상된다.
또한, 알콜 용액은 세제와 비교하여 저분자로 구성된다. 결과적으로, CMP 공정 이후 입자들이 웨이퍼 상에 잔류하기가 어렵다. 또한, 알콜 용액은 세제와 비교하여 곧바로 폐기될 수 있다.
또한, 본 발명은 실리콘 질화막 및 폴리 실리콘막과 같이 CMP 공정 이후 곧바로 소수성이 되는 노출된 표면을 가지는 웨이퍼에 대하여 효과적이다. 이러한 조건하에서, 웨이퍼 상에 잔류하는 연마 입자들은 효과적으로 제거될 수 있다.
결과적으로, 반도체 장치의 신뢰성이 향상될 수 있다. 또한, 제조 라인의 상호 오염이 효과적으로 억제될 수 있다. 결과적으로, 제조 수율이 향상될 수 있다.
또한, 세제와 같은 물질은 본 발명에 사용되지 않는다. 이것은 세제를 폐기하기 어렵기 때문이다. 결과적으로, 환경은 파괴되지 않고, 세정 용액을 폐기하기 위한 비용은 큰 폭으로 감소될 수 있다.
도 2 를 참조하여, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 장치 세정 장비에 대하여 설명한다.
제 1 실시예에서는, 브러쉬 스크럽 세정 장비의 시트 공급 타입 및 롤 타입이 화학 기계 연마 (CMP) 공정 이후에 사용된다.
도 2 에 도시된 바와 같이, 세정 장비가 롤 브러쉬 (2) , 제 1 분사 노즐 (6) , 제 1 화학 용액 탱크 (8) , 순수 분사 노즐 (4) , 제 2 분사 노즐 (7) , 및 제 2 화학 용액 탱크 (9) 를 포함한다.
이 경우에, 롤 브러쉬 (2) 가 반도체 웨이퍼 (1) 상에 잔류하는 입자를 제거한다. 제 1 분사 노즐 (6) 에서, 분사 구멍이 웨이퍼 (1) 에 대향한다. 또한, 제 1 화학 용액이 제 1 화학 용액 탱크 (8) 에 탑재된다. 제 1 화학 용액 탱크에 탑재된 제 1 화학 용액이 분사 구멍으로부터 웨이퍼 (1) 를 향하여 또는 웨이퍼 (1) 상에 주입되거나 분사된다.
또한, 순수가 순수 분사 노즐 (4) 의 분사 구멍으로부터 웨이퍼 (1) 를 향하여 또는 웨이퍼 (1) 상에 주입되거나 분사된다. 또한, 제 2 화학 용액이 제 2 화학 용액 탱크 (9) 에 탑재된다. 제 2 화학 용액 탱크 (9) 에 탑재된 제 2 화학 용액이 분사 구멍으로부터 웨이퍼 (1) 를 향하여 또는 웨이퍼 (1) 상에 주입되거나 분사된다.
이 경우에, 제 1 화학 용액이 암모니아 용액을 포함하는 한편, 제 2 화학 용액이 알콜 용액을 포함한다.
전술한 세정 장비에서, 롤 브러쉬 (2) 가 상기 웨이퍼 (1) 와 접촉된다. 이러한 조건에서, 제 1 화학 용액 및 제 2 화학 용액 (즉, 세정수) 이 제 1 분사 노즐 (6) 및 제 2 분사 노즐 (7) 을 통하여 제 1 화학 용액 탱크 (8) 및 제 2 화학 용액 탱크 (9) 로부터 웨이퍼 (1) 를 향하여 공급된다.
이러한 상황에서, 웨이퍼 (1) 가 웨이퍼 (1) 및 롤 브러쉬 (2) 가 회전되는 상황에서 순수 분사 노즐 (4) 로부터 주입된 순수에 의하여 세정된다.
그러한 구조로써, 제 1 화학 용액 탱크 (8) 로부터의 암모니아 용액 (예를 들어, 0.05% 의 암모니아 용액) 이 웨이퍼 (1) 및 롤 브러쉬 (2) 가 회전되는 상황에서 제 1 분사 노즐 (6) 을 통하여 웨이퍼 (1) 상에 공급된다. 여기서, 실리콘 질화막의 표면이 웨이퍼 (1) 상에 노출된다는 것이 공지되어야 한다.
동시에, 제 2 화학 용액 탱크 (9) 로부터의 알콜 용액 (예를 들어, 0.1% 의 알콜 용액) 이 제 2 분사 노즐 (7) 을 통하여 웨이퍼 (1) 상에 공급된다.
세정 공정 (예를 들어, 약 40초 정도) 이후에, 순수가 순수 분사 노즐 (4) 을 통하여 웨이퍼 (1) 상에 공급되어 린스 공정 (예를 들어, 약 20초 정도) 을 수행한다.
이 경우에, 제 1 화학 용액, 제 2 화학 용액 및 순수가 웨이퍼 (1) 상에 직접 공급되지 않을 수도 있고, 롤 브러쉬 (2) 상에 적하시킬 수도 있다. 처리된 웨이퍼 (1) 가 인접한 세정실 (도시 안됨) 로 이동된다.
대체적으로, 세정 공정의 순서에서, 알콜 용액이 최초 10초간 제 2 분사 노즐 (7) 로부터 웨이퍼 (1) 상으로 최초 공급되어 웨이퍼 (1) 의 표면을 친수성 표면으로 변화시킨다. 따라서, 암모니아 용액이 후속의 40초간 제 1 분사 노즐로부터 공급되어 세정 공정을 수행할 수도 있다.
이 경우에, 알콜 용액이 저알코올 용액을 포함한다. 이 저알코올 용액은 에탄올, 메탄올, 또는 이소프로필 알콜 (IPA) 을 포함한다. 여기서, 알콜 용액의 농도가 바람직하게 0.005% 와 10% 의 사이 범위에 놓이게 되는 한편, 암모니아 용액의 농도는 바람직하게 0.001% 와 10% 의 사이 범위에 놓이게 된다.
다음으로, 도 3 을 참조하여, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 장치 세정 장비에 대하여 설명한다.
제 2 실시예에서, 화학 용액이 롤 브러쉬 (2) 의 내부로부터 공급된다. 예를 들어, 제 1 화학 용액 탱크 (8) 로부터의 암모니아 용액 및 제 2 화학 용액 탱크 (9) 로부터의 이소프로필 알콜 (IPA) 은 튜브 (10) 에서 혼합되며, 튜브 (10) 를 통하여 롤 브러쉬 (2) 의 내부에 공급된다.
공급된 화학 용액이 롤 브러쉬 (2) 상에 배열되거나 개방된 미세 구멍으로부터 웨이퍼 (1) 상에 주입되거나 분사된다. 여기서, 실리콘 질화막 표면이 웨이퍼 (1) 상에 노출되는 것이 공지된다. 이 실시예에서, 제 1 실시예와 동일하게, 각 화학 용액이 전술한 시간차에 따라서 공급될 수 있다.
알콜 용액이 바람직하게 메탄올 또는 에탄올과 같은 저알코올을 포함한다. 여기서, 알콜 용액의 농도가 바람직하게 0.005% 와 10% 의 사이 범위에 놓이게 되는 한편, 암모니아 용액의 농도는 바람직하게 0.001% 와 10% 의 사이 범위에 놓이게 된다.
제 2 실시예에서, 화학 용액이 롤 브러쉬 (2) 의 내부로부터 웨이퍼 (1) 상으로 공급되더라도, 화학 용액은 롤 브러쉬 상에 적하된다.
또한, 브러쉬는 롤 타입에 한정되는 것이 아니라, 디스크 (disk) 타입 또는 펜 (pen) 타입일 수도 있다.
또한, 본 발명은 실리콘 질화막 표면 이외의 폴리 실리콘막과 같이 곧바로 소수성이 되는 노출된 표면을 가지는 웨이퍼 (1) 에 대하여 효과적이다.
도 4 에서, 제 1 실시예에 따른 세정 장비를 사용하여 실험한 결과가 도시된다.
우선, 웨이퍼 (1) 는 실리콘 질화막에 대하여 CMP 공정이 실시된 이후 세정된다. 따라서, 웨이퍼 (1) 상에 잔류하는 실리카 입자 (입자 지름이 0.2㎛ 이상) 의 수가 측정된다.
결과적으로, 도 4 에 도시된 바와 같이, 암모니아 용액을 사용하는 종래의 세정 장비에서 평균 웨이퍼 당 308 개를 가지는 입자가 웨이퍼 상에 잔류한다.
반대로, 도 4 에 도시된 바와 같이, IPA 및 암모니아 용액을 사용한 본 발명에 따른 세정 장비에서, 평균 웨이퍼 당 32 개를 가지는 입자가 웨이퍼 상에 잔류한다.
따라서, 본 발명에서 입자의 잔여 개수가 종래의 경우보다 상당히 작다는 것을 도 4 로부터 알 수 있다.
본 발명의 반도체 장치의 제조 방법을 채용하는 것에 의하여, 화학 기계 연마 이후, 실리콘 질화막 및 폴리 실리콘막등의 소수성이 되기 용이하게 표면이 노출된 상태의 웨이퍼에 대하여, 웨이퍼의 표면에 잔류하는 연마 입자를 효과적으로 제거하는 것이 가능하다.
따라서, 전자 장치의 신뢰성을 높이는 것이 가능하고, 제조 라인의 상호 오염도 억제하는 것이 가능하기 때문에, 제조 수율을 향상시키는 것이 가능하다. 즉, 세제와 같은 용액 폐기 처리가 곤란한 물질을 사용하지 않기 위하여, 환경에 대한 역효과를 감소시키며, 용액 폐기 처리의 비용 삭감이 도모할 수 있다.
본 발명에서는, 알콜의 첨가에 따라서 소수막 표면을 친수성으로 변화시켜서, 잔류 입자의 제거 성능이 향상될 수 있다. 또한, 알콜은 세제에 비하여 저분자로 구성되기 때문에, 처리 후, 웨이퍼 상에 잔류하기 어렵다. 즉, 알콜은 세제와 비교하여, 용액 폐기 처리가 용이하다.
Claims (32)
- 화학 기계 연마 공정이 표면에 대하여 수행된 이후 반도체 웨이퍼의 표면을 세정하는 반도체 장치의 세정 장비에 있어서,상기 표면과 접촉하도록 상기 반도체 웨이퍼의 표면 상에 위치된 롤 브러쉬;제 1 화학 용액을 탑재하는 제 1 화학 용액 탱크;상기 반도체 웨이퍼 상으로 상기 제 1 화학 용액을 분사하는 제 1 분사 노즐;제 2 화학 용액을 탑재하는 제 2 화학 용액 탱크; 및상기 반도체 웨이퍼의 표면 상으로 상기 제 2 화학 용액을 분사하는 제 2 분사 노즐을 구비하고,상기 롤 브러쉬 및 상기 반도체 웨이퍼가 회전되는 상태에서 상기 반도체 웨이퍼의 표면 상으로 상기 제 1 화학 용액 및 상기 제 2 화학 용액이 분사되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 장비.
- 제 1 항에 있어서, 연마 입자가 상기 화학 기계 연마 공정 이후에 상기 반도체 웨이퍼의 표면 상에 잔류하고,상기 롤 브러쉬가 상기 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 상기 연마 입자를 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 장비.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 분사 노즐이 제 1 분사 구멍을 가지는 한편, 상기 제 2 분사 노즐이 제 2 분사 구멍을 가지며,상기 제 1 분사 구멍 및 상기 제 2 분사 구멍의 각각이 상기 반도체 웨이퍼의 표면에 대향하고,상기 제 1 화학 용액이 상기 제 1 분사 구멍을 통하여 표면 상에 분사되는 한편, 상기 제 2 화학 용액이 상기 제 2 분사 구멍을 통하여 표면 상에 분사되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 장비.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 화학 용액이 암모니아 용액을 구비하는 한편, 상기 제 2 화학 용액이 알콜 용액을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 장비.
- 제 4 항에 있어서, 상기 암모니아 용액이 저알코올을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 장비.
- 제 5 항에 있어서, 상기 저알코올이 에탄올, 메탄올 및 이소프로필 알콜로 구성되는 그룹으로부터 선택된 1개 이상을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 장비.
- 제 4 항에 있어서, 상기 암모니아 용액의 농도가 0.001% 와 10% 사이의 범위에 놓이는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 장비.
- 제 4 항에 있어서, 상기 알콜 용액의 농도가 0.005% 와 10% 사이의 범위에 놓이는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 장비.
- 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼의 표면 상으로 순수를 분사하는 제 3 분사 노즐을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 장비.
- 제 9 항에 있어서, 상기 제 1 용액, 상기 제 2 용액 및 상기 순수가 상기 롤 브러쉬 상으로 적하되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 장비.
- 제 4 항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼의 표면이 소수성이고,상기 소수성 표면이 상기 알콜 용액을 사용함으로써 친수성 표면으로 변화하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 장비.
- 제 11 항에 있어서, 상기 반도체 표면 상에 잔류하는 연마 입자의 제거 성과를 향상시키기 위하여 상기 소수성 표면이 상기 친수성 표면으로 변화되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 장비.
- 제 11 항에 있어서, 상기 소수성 표면이 실리콘 질화막 또는 폴리 실리콘막이 노출되는 표면을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 장비.
- 화학 기계 연마 공정이 표면에 대하여 수행된 이후 반도체 웨이퍼의 표면을 세정하는 반도체 장치의 세정 장비에 있어서,상기 표면과 접촉하도록 상기 반도체 웨이퍼의 표면 상에 위치하며 복수의 미세 구멍을 가지는 롤 브러쉬;제 1 화학 용액을 탑재하는 제 1 화학 용액 탱크;제 2 화학 용액을 탑재하는 제 2 화학 용액 탱크; 및상기 제 1 화학 용액과 상기 제 2 화학 용액을 혼합하여, 상기 롤 브러쉬의 내부에 혼합 용액을 공급하는 튜브를 구비하고,상기 롤 브러쉬 및 상기 반도체 웨이퍼가 회전되는 상태에서 상기 롤 브러쉬의 상기 미세 구멍을 통하여 상기 반도체 웨이퍼의 표면 상으로 상기 혼합 용액이 분사되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 장비.
- 제 14 항에 있어서, 상기 화학 기계 연마 공정 이후에 연마 입자가 상기 표면에 잔류하고,상기 롤 브러쉬가 상기 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 상기 연마 입자를 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 장비.
- 제 14 항에 있어서, 상기 제 1 화학 용액이 암모니아 용액을 구비하는 한편, 상기 제 2 화학 용액이 알콜 용액을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 장비.
- 제 16 항에 있어서, 상기 암모니아 용액이 저알코올을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 장비.
- 제 17 항에 있어서, 상기 저알코올이 에탄올, 메탄올 및 이소프로필 알콜로 구성되는 그룹으로부터 선택된 1개 이상을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 장비.
- 제 16 항에 있어서, 상기 암모니아 용액의 농도가 0.001% 와 10% 사이의 범위에 놓이는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 장비.
- 제 16 항에 있어서, 상기 알콜 용액의 농도가 0.005% 와 10% 사이의 범위에 놓이는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 장비.
- 제 14 항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼의 표면 상으로 순수를 분사하는 제 3 분사 노즐을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 장비.
- 제 14 항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼의 표면이 소수성이고,상기 소수성 표면이 상기 알콜 용액을 사용함으로써 친수성 표면으로 변화하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 장비.
- 제 22 항에 있어서, 상기 소수성 표면이 상기 친수성 표면으로 변화되기 위하여 상기 반도체 표면 상에 남겨진 연마 입자의 제거 성과를 향상시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 장비.
- 제 22 항에 있어서, 상기 소수성 표면이 실리콘 질화막 또는 폴리 실리콘막이 노출되는 표면을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 장비.
- 표면을 가지는 반도체 웨이퍼를 포함하는 반도체 장치의 세정 방법에 있어서,소수성인 반도체 웨이퍼의 표면에 대하여 화학 기계 연마 공정을 수행하는 단계;알콜 용액을 사용함으로써 상기 소수성 표면을 친수성 표면으로 변화시키는 단계;상기 친수성 표면에 암모니아 용액을 공급하는 단계; 및순수를 사용함으로써 린스 공정을 수행하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 방법.
- 제 25 항에 있어서, 화학 기계 연마 공정 이후 상기 표면 상에 잔류된 연마 입자의 제거 성과를 향상시키기 위하여 상기 소수성 표면이 상기 친수성 표면으로 변화되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 방법.
- 제 25 항에 있어서, 상기 소수성 표면이 실리콘 질화막 또는 폴리 실리콘막이 노출되는 표면을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 방법.
- 제 25 항에 있어서, 상기 화학 기계 연마 공정 이후 상기 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 상기 연마 입자를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 방법.
- 제 25 항에 있어서, 상기 알콜 용액이 저알코올을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 방법.
- 제 29 항에 있어서, 상기 저알코올이 에탄올, 메탄올 및 이소프로필 알콜로 구성되는 그룹으로부터 선택된 1개 이상을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 방법.
- 제 25 항에 있어서, 상기 암모니아 용액의 농도가 0.001% 와 10% 사이의 범위에 놓이는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 방법.
- 제 25 항에 있어서, 상기 알콜 용액의 농도가 0.005% 와 10% 사이의 범위에 놓이는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP98-141748 | 1998-05-22 | ||
| JP14174898A JP3185753B2 (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990088484A true KR19990088484A (ko) | 1999-12-27 |
| KR100335450B1 KR100335450B1 (ko) | 2002-05-04 |
Family
ID=15299289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019990018477A KR100335450B1 (ko) | 1998-05-22 | 1999-05-21 | 반도체 장치의 세정 장비 및 반도체 장치의 세정 방법 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6241584B1 (ko) |
| EP (1) | EP0959490A2 (ko) |
| JP (1) | JP3185753B2 (ko) |
| KR (1) | KR100335450B1 (ko) |
| CN (1) | CN1135604C (ko) |
| TW (1) | TW411522B (ko) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100758220B1 (ko) * | 2005-10-20 | 2007-09-17 | 주식회사 케이씨텍 | 다중 슬릿형 노즐을 가지는 기판 세정 장치 및 이를 이용한세정 방법 |
| KR100816611B1 (ko) * | 2000-10-02 | 2008-03-24 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 세정처리장치 |
| KR101312571B1 (ko) * | 2004-03-31 | 2013-09-30 | 램 리써치 코포레이션 | 호환성 화학물을 이용하는 기판 브러시 스크러빙과 근접 세정-건조 시퀀스, 근접 기판 준비 시퀀스, 및 이를 구현하기 위한 방법, 장치, 및 시스템 |
| KR101639769B1 (ko) | 2015-11-10 | 2016-07-14 | 주식회사 알앤에이 | Led 제조용 세정장치 |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1122591C (zh) * | 1999-12-23 | 2003-10-01 | 财团法人工业技术研究院 | 抛光后线上清洗方法 |
| CN101251719B (zh) * | 2001-10-03 | 2012-03-21 | Asml美国公司 | 通过减少pH值突变而使显影反应物的沉淀最小化的方法 |
| US6743080B2 (en) * | 2002-07-31 | 2004-06-01 | Seh America, Inc. | Method for seasoning a polishing pad |
| DE10335163B3 (de) * | 2003-07-30 | 2005-03-03 | Micronas Gmbh | Gassensor |
| CN100351040C (zh) * | 2004-03-25 | 2007-11-28 | 力晶半导体股份有限公司 | 晶片研磨机台 |
| JP4064943B2 (ja) * | 2004-04-02 | 2008-03-19 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2005327807A (ja) * | 2004-05-12 | 2005-11-24 | Sony Corp | 枚葉式洗浄装置及びその洗浄方法 |
| JP4537826B2 (ja) * | 2004-10-22 | 2010-09-08 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板の処理装置 |
| JP4514140B2 (ja) * | 2005-02-28 | 2010-07-28 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| CN101495248A (zh) * | 2006-07-07 | 2009-07-29 | Fsi国际公司 | 液体气溶胶颗粒去除方法 |
| KR100901459B1 (ko) | 2007-10-11 | 2009-06-08 | 세메스 주식회사 | 약액 공급 장치 |
| US20090205686A1 (en) * | 2008-02-19 | 2009-08-20 | United Microelectronics Corp. | Wafer cleaning apparatus |
| JP5813495B2 (ja) * | 2011-04-15 | 2015-11-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法、液処理装置および記憶媒体 |
| CN102179343A (zh) * | 2011-04-25 | 2011-09-14 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 溶液喷射设备及溶液喷射方法 |
| JP5829082B2 (ja) * | 2011-09-09 | 2015-12-09 | オリンパス株式会社 | 洗浄装置 |
| US20130061876A1 (en) * | 2011-09-14 | 2013-03-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor Device Surface Clean |
| CN103128073A (zh) * | 2011-12-01 | 2013-06-05 | 无锡华润上华科技有限公司 | 晶圆清洗方法、晶圆清洗装置以及晶圆 |
| US9138861B2 (en) * | 2012-02-15 | 2015-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | CMP pad cleaning apparatus |
| JP6133120B2 (ja) | 2012-05-17 | 2017-05-24 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置 |
| JP6265702B2 (ja) * | 2012-12-06 | 2018-01-24 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 |
| JP6044455B2 (ja) * | 2013-05-28 | 2016-12-14 | 信越半導体株式会社 | ウェーハの研磨方法 |
| TWI705493B (zh) * | 2013-07-03 | 2020-09-21 | 日商荏原製作所股份有限公司 | 基板洗淨裝置 |
| CN103646920A (zh) * | 2013-11-29 | 2014-03-19 | 上海华力微电子有限公司 | 用于w-cmp的后处理方法及其装置 |
| JP6367763B2 (ja) | 2015-06-22 | 2018-08-01 | 株式会社荏原製作所 | ウェーハ乾燥装置およびウェーハ乾燥方法 |
| JP6968547B2 (ja) * | 2016-03-30 | 2021-11-17 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置、基板処理方法およびプログラム記録媒体 |
| CN113327873B (zh) * | 2021-05-28 | 2022-07-15 | 华海清科股份有限公司 | 一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法 |
| CN115318721B (zh) * | 2022-08-15 | 2023-05-26 | 江苏富联通讯技术股份有限公司 | 一种5g通讯芯片制造用铜板清洗装置及其清洗方法 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4129457A (en) * | 1977-05-23 | 1978-12-12 | International Business Machines Corporation | Post-polishing cleaning of semiconductor surfaces |
| US4258508A (en) * | 1979-09-04 | 1981-03-31 | Rca Corporation | Free hold down of wafers for material removal |
| JPS5941124A (ja) | 1982-08-30 | 1984-03-07 | 日本電気株式会社 | 電源一括制御回路 |
| JPH053184A (ja) | 1991-06-24 | 1993-01-08 | Sony Corp | ウエハの洗浄方法 |
| JPH05267260A (ja) | 1992-03-17 | 1993-10-15 | Fujitsu Ltd | 半導体表面の安定化方法及び半導体装置の製造方法 |
| US5607718A (en) * | 1993-03-26 | 1997-03-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polishing method and polishing apparatus |
| JPH0787010A (ja) | 1993-09-17 | 1995-03-31 | Fujitsu Ltd | 携帯電話システム用移動機のバッテリセービング回路 |
| JPH08238463A (ja) * | 1995-03-03 | 1996-09-17 | Ebara Corp | 洗浄方法及び洗浄装置 |
| JP3040067B2 (ja) | 1995-09-28 | 2000-05-08 | ローム株式会社 | 半導体層を有する基板の洗浄方法 |
| WO1997013590A1 (en) * | 1995-10-13 | 1997-04-17 | Ontrak Systems, Inc. | Method and apparatus for chemical delivery through the brush |
| JP3453977B2 (ja) * | 1995-12-28 | 2003-10-06 | 信越半導体株式会社 | ウェーハの研磨装置 |
| US5766367A (en) * | 1996-05-14 | 1998-06-16 | Sandia Corporation | Method for preventing micromechanical structures from adhering to another object |
| JP3183174B2 (ja) | 1996-06-27 | 2001-07-03 | 三菱化学株式会社 | 基体の表面処理方法及びそれに用いる有機錯化剤含有アンモニア水溶液 |
| US5844030A (en) * | 1996-07-09 | 1998-12-01 | Andros; Nicholas | Charged ion cleaning devices and cleaning system |
| JP3344287B2 (ja) | 1996-08-30 | 2002-11-11 | 住友電気工業株式会社 | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体結晶の表面清浄化方法 |
| US5896870A (en) * | 1997-03-11 | 1999-04-27 | International Business Machines Corporation | Method of removing slurry particles |
| WO1998047662A1 (en) * | 1997-04-18 | 1998-10-29 | Cabot Corporation | Polishing pad for a semiconductor substrate |
| US6022400A (en) * | 1997-05-22 | 2000-02-08 | Nippon Steel Corporation | Polishing abrasive grains, polishing agent and polishing method |
| US6059888A (en) * | 1997-11-14 | 2000-05-09 | Creative Design Corporation | Wafer cleaning system |
| JP3333733B2 (ja) * | 1998-02-20 | 2002-10-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄装置 |
| US6405399B1 (en) * | 1999-06-25 | 2002-06-18 | Lam Research Corporation | Method and system of cleaning a wafer after chemical mechanical polishing or plasma processing |
-
1998
- 1998-05-22 JP JP14174898A patent/JP3185753B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-05-21 US US09/316,248 patent/US6241584B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-05-21 EP EP99110055A patent/EP0959490A2/en not_active Withdrawn
- 1999-05-21 KR KR1019990018477A patent/KR100335450B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-05-21 TW TW088108484A patent/TW411522B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-05-24 CN CNB991074912A patent/CN1135604C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-03-16 US US09/810,156 patent/US6695683B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100816611B1 (ko) * | 2000-10-02 | 2008-03-24 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 세정처리장치 |
| KR101312571B1 (ko) * | 2004-03-31 | 2013-09-30 | 램 리써치 코포레이션 | 호환성 화학물을 이용하는 기판 브러시 스크러빙과 근접 세정-건조 시퀀스, 근접 기판 준비 시퀀스, 및 이를 구현하기 위한 방법, 장치, 및 시스템 |
| KR100758220B1 (ko) * | 2005-10-20 | 2007-09-17 | 주식회사 케이씨텍 | 다중 슬릿형 노즐을 가지는 기판 세정 장치 및 이를 이용한세정 방법 |
| KR101639769B1 (ko) | 2015-11-10 | 2016-07-14 | 주식회사 알앤에이 | Led 제조용 세정장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20010021623A1 (en) | 2001-09-13 |
| US6241584B1 (en) | 2001-06-05 |
| CN1236977A (zh) | 1999-12-01 |
| EP0959490A2 (en) | 1999-11-24 |
| CN1135604C (zh) | 2004-01-21 |
| US6695683B2 (en) | 2004-02-24 |
| JPH11340184A (ja) | 1999-12-10 |
| TW411522B (en) | 2000-11-11 |
| KR100335450B1 (ko) | 2002-05-04 |
| JP3185753B2 (ja) | 2001-07-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100335450B1 (ko) | 반도체 장치의 세정 장비 및 반도체 장치의 세정 방법 | |
| KR101147944B1 (ko) | 근접 헤드부를 이용한 웨이퍼 건조시 주위 분위기의 제어 | |
| US5723019A (en) | Drip chemical delivery method and apparatus | |
| US20090014028A1 (en) | Method of cleaning substrates and substrate cleaner | |
| KR101437071B1 (ko) | 액체 에어로솔 입자 제거 방법 | |
| JPH08187475A (ja) | スクラバ中の金属を除去する方法 | |
| JPH08238463A (ja) | 洗浄方法及び洗浄装置 | |
| US20090056744A1 (en) | Wafer cleaning compositions and methods | |
| JP2006278392A (ja) | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 | |
| KR100797421B1 (ko) | 화학기계적연마(ｃｍｐ) 또는 플라즈마처리 후의 웨이퍼 세정방법 및 시스템 | |
| KR101017102B1 (ko) | 습식 기판 세정 장치 및 그 세정 방법 | |
| US6949411B1 (en) | Method for post-etch and strip residue removal on coral films | |
| US6360756B1 (en) | Wafer rinse tank for metal etching and method for using | |
| US6143637A (en) | Process for production of semiconductor device and cleaning device used therein | |
| WO2006105125A2 (en) | Systems and methods for single integrated substrate cleaning and rinsing | |
| JP7550954B2 (ja) | 蒸気アシスト単一基板洗浄プロセス及び装置 | |
| KR100417648B1 (ko) | 웨이퍼 세정방법 | |
| CN221832892U (zh) | 清洗装置及半导体制造设备 | |
| KR20080089710A (ko) | 반도체 장치의 세정 방법 | |
| KR20090069380A (ko) | Ｈｆ 모듈을 구비한 스크러버 및 이를 이용한 웨이퍼세정방법 | |
| JP2001035824A (ja) | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 | |
| US20080149136A1 (en) | Method of cleaning semiconductor device | |
| JPH10256216A (ja) | 半導体装置製造方法および半導体装置製造装置 | |
| KR20070044966A (ko) | 매엽식 기판 세정 방법 | |
| KR19980036049A (ko) | 웨이퍼 대구경화에 대응한 반도체 세정 장치의 매엽식 챔버 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20060410 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |