JP3040067B2 - 半導体層を有する基板の洗浄方法 - Google Patents
半導体層を有する基板の洗浄方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はシリコン半導体ウェ
ハやＧａＡｓなどの化合物半導体ウェハまたは液晶表示
装置の透明基板などの半導体層を有する基板を洗浄する
洗浄方法に関する。
ハやＧａＡｓなどの化合物半導体ウェハまたは液晶表示
装置の透明基板などの半導体層を有する基板を洗浄する
洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程においては、半導
体ウェハの表面に有機物や金属微粉などが付着し易く、
とくに最近の微細化された集積回路（ＩＣ）において
は、これらの微小異物が付着すると半導体ウェハに形成
される集積回路などを短絡したり設計定数が変り、不良
の原因となる。そのため、製造工程の途中、たとえば熱
酸化の前とか、熱拡散の前とか、ＣＶＤ、エピ成長など
の前に洗浄作業が行われている。
体ウェハの表面に有機物や金属微粉などが付着し易く、
とくに最近の微細化された集積回路（ＩＣ）において
は、これらの微小異物が付着すると半導体ウェハに形成
される集積回路などを短絡したり設計定数が変り、不良
の原因となる。そのため、製造工程の途中、たとえば熱
酸化の前とか、熱拡散の前とか、ＣＶＤ、エピ成長など
の前に洗浄作業が行われている。
【０００３】従来のシリコン（以下、Ｓｉという）ウェ
ハなどの洗浄に用いられる洗浄液は、たとえば （１）硫酸（９６ｗｔ％）と過酸化水素水（３１ｗｔ
％）との混合液でその混合比が４：１のもの （２）アンモニア水（２９ｗｔ％）と過酸化水素水（３
１ｗｔ％）と水との混合液でその混合比が１：１：５の
もの （３）塩酸（３６ｗｔ％）と過酸化水素水（３１ｗｔ
％）と水との混合液で、その混合比が１：１：５のもの （４）フッ酸（５０ｗｔ％）と水との混合液でその混合
比が１：１００のものが古くから利用されている。
（１）および（２）の洗浄液は有機物の除去に効果があ
り、（３）の洗浄液は金属微粉の除去に効果があり、
（４）の洗浄液は自然酸化膜を除去するのに効果があ
る。
ハなどの洗浄に用いられる洗浄液は、たとえば （１）硫酸（９６ｗｔ％）と過酸化水素水（３１ｗｔ
％）との混合液でその混合比が４：１のもの （２）アンモニア水（２９ｗｔ％）と過酸化水素水（３
１ｗｔ％）と水との混合液でその混合比が１：１：５の
もの （３）塩酸（３６ｗｔ％）と過酸化水素水（３１ｗｔ
％）と水との混合液で、その混合比が１：１：５のもの （４）フッ酸（５０ｗｔ％）と水との混合液でその混合
比が１：１００のものが古くから利用されている。
（１）および（２）の洗浄液は有機物の除去に効果があ
り、（３）の洗浄液は金属微粉の除去に効果があり、
（４）の洗浄液は自然酸化膜を除去するのに効果があ
る。
【０００４】一方、前述の洗浄効果をさらに高めるた
め、最近さらに研究が進められ、 （５）（４）の洗浄液にさらに過酸化水素水を添加（フ
ッ酸の１０倍以上）することにより、各種金属の付着が
少なく、かつ、洗浄効果も向上する洗浄液、および （６）前記（２）のアンモニア水および過酸化水素水の
濃度を１／１０〜１／１００に低くすることによりウェ
ハへのダメージを小さくし、かつ、洗浄液中の金属不純
物量が減少するため、Ａｌ汚染を低減させる洗浄液が応
用物理学会学術講演会予稿集、６６６頁 ３１ｐ−ＺＢ
−２および３１ｐ−ＺＢ−４にそれぞれ発表されてい
る。
め、最近さらに研究が進められ、 （５）（４）の洗浄液にさらに過酸化水素水を添加（フ
ッ酸の１０倍以上）することにより、各種金属の付着が
少なく、かつ、洗浄効果も向上する洗浄液、および （６）前記（２）のアンモニア水および過酸化水素水の
濃度を１／１０〜１／１００に低くすることによりウェ
ハへのダメージを小さくし、かつ、洗浄液中の金属不純
物量が減少するため、Ａｌ汚染を低減させる洗浄液が応
用物理学会学術講演会予稿集、６６６頁 ３１ｐ−ＺＢ
−２および３１ｐ−ＺＢ−４にそれぞれ発表されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前述の（１）〜（４）
の洗浄液は薬品の濃度が高いので、半導体の表面がエッ
チングされて荒れが発生したり、半導体表面が酸化され
酸化膜中に金属微粉がとり込まれ残留するという問題が
ある。
の洗浄液は薬品の濃度が高いので、半導体の表面がエッ
チングされて荒れが発生したり、半導体表面が酸化され
酸化膜中に金属微粉がとり込まれ残留するという問題が
ある。
【０００６】さらに、銅などのシリコンよりイオン化傾
向の小さい金属はシリコンウェハの表面に析出し、微粒
子も付着し易くなり、除去能力が落ちるという問題があ
る。
向の小さい金属はシリコンウェハの表面に析出し、微粒
子も付着し易くなり、除去能力が落ちるという問題があ
る。
【０００７】また、（５）の洗浄液でも過酸化水素水の
濃度が濃いため、コストが高いとともに、コンタクト孔
の洗浄においてはＳｉＯ2が生成されて残留し、コンタ
クト抵抗が増大し、さらにはパーティクルの再付着はな
いが、除去能力がないという問題がある。
濃度が濃いため、コストが高いとともに、コンタクト孔
の洗浄においてはＳｉＯ2が生成されて残留し、コンタ
クト抵抗が増大し、さらにはパーティクルの再付着はな
いが、除去能力がないという問題がある。
【０００８】一方、ＵＣＳ半導体基盤技術研究会主催、
１９９１年６月６日開催の第１１回超ウルトラクリーン
テクノロジーワークショップの「アドバンスド ウェッ
トケミカル プロセシングII（Advanced Wet Chemical
ProcessingII）」の５〜２０頁のＴａｂｌｅ３およびＦ
ＩＧ．９〜１０にアンモニア水とフッ酸の混合液による
ｐＨを変化させたときのコンタミネーションの吸着状況
の調査結果が示されている。しかし、これらは洗浄液内
の不純物がシリコンウェハに吸着される条件がｐＨが大
きい程大きくなることを示しているもので、シリコンウ
ェハに付着している金属微粉などの除去効果およびその
効果を上げるための有効な洗浄液については何ら開示さ
れていない。そのため、もしこの混合液で処理するとし
ても、さらに別の過酸化水素水を含む洗浄液で洗浄しな
いと、付着しているパーティクルを完全に除去すること
ができず、２回以上の洗浄処理を行わなければならない
という問題がある。
１９９１年６月６日開催の第１１回超ウルトラクリーン
テクノロジーワークショップの「アドバンスド ウェッ
トケミカル プロセシングII（Advanced Wet Chemical
ProcessingII）」の５〜２０頁のＴａｂｌｅ３およびＦ
ＩＧ．９〜１０にアンモニア水とフッ酸の混合液による
ｐＨを変化させたときのコンタミネーションの吸着状況
の調査結果が示されている。しかし、これらは洗浄液内
の不純物がシリコンウェハに吸着される条件がｐＨが大
きい程大きくなることを示しているもので、シリコンウ
ェハに付着している金属微粉などの除去効果およびその
効果を上げるための有効な洗浄液については何ら開示さ
れていない。そのため、もしこの混合液で処理するとし
ても、さらに別の過酸化水素水を含む洗浄液で洗浄しな
いと、付着しているパーティクルを完全に除去すること
ができず、２回以上の洗浄処理を行わなければならない
という問題がある。
【０００９】本発明はこのような問題を解決し、半導体
ウェハなどの基板表面に付着している微小異物を確実に
除去するとともに、洗浄液中に存在する微小異物を逆に
半導体ウェハなどの基板表面に付着させないで洗浄効果
の優れた半導体層を有する基板の洗浄方法を提供するこ
とを目的とする。
ウェハなどの基板表面に付着している微小異物を確実に
除去するとともに、洗浄液中に存在する微小異物を逆に
半導体ウェハなどの基板表面に付着させないで洗浄効果
の優れた半導体層を有する基板の洗浄方法を提供するこ
とを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体層を
有する基板の洗浄方法は、５０ｗｔ％のフッ酸と、２９
ｗｔ％のアンモニア水と、３１ｗｔ％の過酸化水素水
と、水とを、体積比で実質的に１：１：２：３００〜５
００の割合で準備し、前記フッ酸と過酸化水素水との混
合液および前記アンモニア水の一方を前記水に希釈し、
その後前記混合液およびアンモニア水の他方を混合する
ことにより、ｐＨが４〜５になるような濃度の洗浄液を
調合し、該洗浄液を用いて半導体層を有する基板を洗浄
することを特徴とする。
有する基板の洗浄方法は、５０ｗｔ％のフッ酸と、２９
ｗｔ％のアンモニア水と、３１ｗｔ％の過酸化水素水
と、水とを、体積比で実質的に１：１：２：３００〜５
００の割合で準備し、前記フッ酸と過酸化水素水との混
合液および前記アンモニア水の一方を前記水に希釈し、
その後前記混合液およびアンモニア水の他方を混合する
ことにより、ｐＨが４〜５になるような濃度の洗浄液を
調合し、該洗浄液を用いて半導体層を有する基板を洗浄
することを特徴とする。
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【００１４】ここに混合比における実質的な比率とは洗
浄効果に差が表われない程度をいい、少なくとも±１０
％程度のブレは含まれるとともに、各薬品のｗｔ％が変
れば比率も変り、真の薬品の重量比がこの程度になるこ
とを意味する。
浄効果に差が表われない程度をいい、少なくとも±１０
％程度のブレは含まれるとともに、各薬品のｗｔ％が変
れば比率も変り、真の薬品の重量比がこの程度になるこ
とを意味する。
【００１５】前記混合液にさらに界面活性剤が重量比で
１００〜２００ｐｐｍ添加されることが、さらに洗浄効
果を上昇させるために好ましい。
１００〜２００ｐｐｍ添加されることが、さらに洗浄効
果を上昇させるために好ましい。
【００１６】
【００１７】
【発明の実施の形態】つぎに、本発明による洗浄方法お
よびそれに用いる洗浄液について説明する。
よびそれに用いる洗浄液について説明する。
【００１８】前述のように、ＳｉウェハやＧａＡｓなど
の化合物半導体などの半導体ウェハは高集積化に伴ない
一層微小異物の僅かな存在も問題となり、半導体ウェハ
のプロセス中に、熱酸化前、熱拡散前、ＣＶＤ前、エピ
タキシャル成長前、コンタクト孔への金属膜デポジショ
ン前、レジスト塗布前、アニール前、エッチング後、ポ
リシリコンのデポジション前などに半導体ウェハを洗浄
し、その表面に有機物や金属粉などの微小異物（パーテ
ィクル）を除去したり、洗浄時に付着しないように処理
している。
の化合物半導体などの半導体ウェハは高集積化に伴ない
一層微小異物の僅かな存在も問題となり、半導体ウェハ
のプロセス中に、熱酸化前、熱拡散前、ＣＶＤ前、エピ
タキシャル成長前、コンタクト孔への金属膜デポジショ
ン前、レジスト塗布前、アニール前、エッチング後、ポ
リシリコンのデポジション前などに半導体ウェハを洗浄
し、その表面に有機物や金属粉などの微小異物（パーテ
ィクル）を除去したり、洗浄時に付着しないように処理
している。
【００１９】本発明者はこの洗浄を簡単に行うことがで
き、微小異物を完全に除去したり、洗浄時に微小異物が
付着しないように半導体ウェハの表面を清浄な状態にす
るため鋭意検討を重ねた結果、洗浄液としてフッ酸と過
酸化水素水と水とを１：２：３００〜５００程度に混合
した液にアンモニウム水をフッ酸と同程度の量混合し、
ｐＨを４〜５になるように調合した混合液を用いること
により、優れた洗浄効果がえられることを見出した。す
なわち、この混合液に５〜１０分間半導体ウェハを浸漬
しておくだけの１回の洗浄作業によりパーティクルの付
着防止だけではなく、半導体層表面に付着しているパー
ティクルをも効果的に除去することができること、さら
にコンタクト孔の洗浄に使用しても酸化物の残留がな
く、コンタクト抵抗を小さくすることができることを見
出した。
き、微小異物を完全に除去したり、洗浄時に微小異物が
付着しないように半導体ウェハの表面を清浄な状態にす
るため鋭意検討を重ねた結果、洗浄液としてフッ酸と過
酸化水素水と水とを１：２：３００〜５００程度に混合
した液にアンモニウム水をフッ酸と同程度の量混合し、
ｐＨを４〜５になるように調合した混合液を用いること
により、優れた洗浄効果がえられることを見出した。す
なわち、この混合液に５〜１０分間半導体ウェハを浸漬
しておくだけの１回の洗浄作業によりパーティクルの付
着防止だけではなく、半導体層表面に付着しているパー
ティクルをも効果的に除去することができること、さら
にコンタクト孔の洗浄に使用しても酸化物の残留がな
く、コンタクト抵抗を小さくすることができることを見
出した。
【００２０】前述のフッ酸としては、たとえば５０ｗｔ
％のものを、過酸化水素水としては、たとえば３１ｗｔ
％のものを、アンモニウム水としては、たとえば２９ｗ
ｔ％のものを使用することにより前述のような体積混合
比１：１：２にし、さらに水の混合割合を３００〜５０
０としたものが優れた洗浄効果を示現した。しかし、フ
ッ酸などの濃度が変ればそれに伴ない混合比も変り、フ
ッ酸などの実質的な量の比が上述の混合比になれば優れ
た洗浄効果がえられる。さらに、この混合比は少なくと
も±１０％ズレても優れた洗浄効果は維持される。この
ような混合比にすることによりｐＨは４〜５程度とな
り、コンタミネーションの付着も防止され、一層洗浄効
果が向上する。
％のものを、過酸化水素水としては、たとえば３１ｗｔ
％のものを、アンモニウム水としては、たとえば２９ｗ
ｔ％のものを使用することにより前述のような体積混合
比１：１：２にし、さらに水の混合割合を３００〜５０
０としたものが優れた洗浄効果を示現した。しかし、フ
ッ酸などの濃度が変ればそれに伴ない混合比も変り、フ
ッ酸などの実質的な量の比が上述の混合比になれば優れ
た洗浄効果がえられる。さらに、この混合比は少なくと
も±１０％ズレても優れた洗浄効果は維持される。この
ような混合比にすることによりｐＨは４〜５程度とな
り、コンタミネーションの付着も防止され、一層洗浄効
果が向上する。
【００２１】本発明による洗浄方法に用いる洗浄液では
フッ酸と過酸化水素水とアンモニウム水とが混合された
液であることに第１の特徴があり、フッ酸の自然酸化膜
除去の効果、過酸化水素水の金属粉や有機物などの微小
異物除去の効果、さらにアンモニウム水のパーティクル
付着防止の効果をすべて合わせもつものである。このフ
ッ酸と過酸化水素水とアンモニウム水との混合液を調合
するには、フッ酸と過酸化水素水との混合液またはアン
モニウム水のいずれか一方を水１００〜３００の前述の
割合で希釈し、他方の薬品を徐々に添加する。このばあ
い、薬品の追加は原液の濃度の１／１００以下になった
時点で順次追加するのが、酸とアルカリの反応を防止す
る点で好ましい。
フッ酸と過酸化水素水とアンモニウム水とが混合された
液であることに第１の特徴があり、フッ酸の自然酸化膜
除去の効果、過酸化水素水の金属粉や有機物などの微小
異物除去の効果、さらにアンモニウム水のパーティクル
付着防止の効果をすべて合わせもつものである。このフ
ッ酸と過酸化水素水とアンモニウム水との混合液を調合
するには、フッ酸と過酸化水素水との混合液またはアン
モニウム水のいずれか一方を水１００〜３００の前述の
割合で希釈し、他方の薬品を徐々に添加する。このばあ
い、薬品の追加は原液の濃度の１／１００以下になった
時点で順次追加するのが、酸とアルカリの反応を防止す
る点で好ましい。
【００２２】本発明の洗浄方法に用いる洗浄液は水の混
合比率が従来の１０〜１００倍程度高いことに第２の特
徴がある。すなわち、過酸化水素水やアンモニウム水の
濃度がその分低くされている。そうすることにより微小
異物の洗浄効果は低下せず、Ａｌなどの金属汚染も低減
し、従来以上の洗浄効果がえられるとともに、薬品の使
用量が減り経済的効果も向上する。
合比率が従来の１０〜１００倍程度高いことに第２の特
徴がある。すなわち、過酸化水素水やアンモニウム水の
濃度がその分低くされている。そうすることにより微小
異物の洗浄効果は低下せず、Ａｌなどの金属汚染も低減
し、従来以上の洗浄効果がえられるとともに、薬品の使
用量が減り経済的効果も向上する。
【００２３】前述のフッ酸とアンモニウム水との混合の
代りにバッファードフッ酸を用い、バッファードフッ酸
と過酸化水素水と水とを１：１：１００〜３００程度に
混合した洗浄液を用いても同様の洗浄効果がえられた。
ここでバッファードフッ酸とは、１５〜４０ｗｔ％のフ
ッ化アンモニウムと、１〜１０ｗｔ％のフッ酸との混合
水溶液で、たとえば１５〜２０ｗｔ％のフッ化アンモニ
ウムと５〜７ｗｔ％のフッ酸とを体積比で１：１程度に
混合することによりとくに優れた洗浄効果の洗浄液がえ
られる。また、バッファードフッ酸と混合する過酸化水
素水の濃度は、たとえば３１ｗｔ％程度のものを使用す
ることができ、これらの薬品の濃度と混合比との関係は
前述のように、相互に変化しうる。
代りにバッファードフッ酸を用い、バッファードフッ酸
と過酸化水素水と水とを１：１：１００〜３００程度に
混合した洗浄液を用いても同様の洗浄効果がえられた。
ここでバッファードフッ酸とは、１５〜４０ｗｔ％のフ
ッ化アンモニウムと、１〜１０ｗｔ％のフッ酸との混合
水溶液で、たとえば１５〜２０ｗｔ％のフッ化アンモニ
ウムと５〜７ｗｔ％のフッ酸とを体積比で１：１程度に
混合することによりとくに優れた洗浄効果の洗浄液がえ
られる。また、バッファードフッ酸と混合する過酸化水
素水の濃度は、たとえば３１ｗｔ％程度のものを使用す
ることができ、これらの薬品の濃度と混合比との関係は
前述のように、相互に変化しうる。
【００２４】これらの混合液を調合するには液温２０〜
２５℃で、液中のゴミを除去するフィルトレーションに
より液を循環させながら行う。またフッ酸とアンモニウ
ム水とを混合するばあいは、一方の薬品を混合比割合の
水で希釈したのち、他方の薬品を添加することにより混
合する。すなわち、一方の薬品の濃度が原液の１／１０
０以下になった状態で混合することにより酸とアルカリ
の反応による洗浄液槽へのダメージを小さくすることが
できる。
２５℃で、液中のゴミを除去するフィルトレーションに
より液を循環させながら行う。またフッ酸とアンモニウ
ム水とを混合するばあいは、一方の薬品を混合比割合の
水で希釈したのち、他方の薬品を添加することにより混
合する。すなわち、一方の薬品の濃度が原液の１／１０
０以下になった状態で混合することにより酸とアルカリ
の反応による洗浄液槽へのダメージを小さくすることが
できる。
【００２５】前述の混合液からなる洗浄液の各々につい
て、Ｓｉウェハを用いた半導体装置の製造工程で洗浄を
行い、その評価試験を行い、従来の洗浄液を用いて洗浄
したばあいと比較した。なお、洗浄方法はトレイにＳｉ
ウェハを１０枚程度並べてたてかけ、トレイごとに洗浄
液中に浸し、５〜１０分間放置し、水洗ののち乾燥する
ことにより行った。
て、Ｓｉウェハを用いた半導体装置の製造工程で洗浄を
行い、その評価試験を行い、従来の洗浄液を用いて洗浄
したばあいと比較した。なお、洗浄方法はトレイにＳｉ
ウェハを１０枚程度並べてたてかけ、トレイごとに洗浄
液中に浸し、５〜１０分間放置し、水洗ののち乾燥する
ことにより行った。
【００２６】（１）洗浄後ゲート酸化膜を形成し、その
上にポリシリコンを５００μｍ×５００μｍの面積で形
成し、該ゲート酸化膜の経時絶縁破壊（ＴＤＤＢ：Time
Dependent Dieelectric Breakdown）をパルス電圧を印
加し、リーク電流を検査する方法（５ＭＶのパルス電圧
でリーク電流が１μＡ以上のものが不良）により調べた
結果、従来の洗浄液を使用したばあいの不良率３２〜３
８％より不良率が２２〜３０％に低下した。
上にポリシリコンを５００μｍ×５００μｍの面積で形
成し、該ゲート酸化膜の経時絶縁破壊（ＴＤＤＢ：Time
Dependent Dieelectric Breakdown）をパルス電圧を印
加し、リーク電流を検査する方法（５ＭＶのパルス電圧
でリーク電流が１μＡ以上のものが不良）により調べた
結果、従来の洗浄液を使用したばあいの不良率３２〜３
８％より不良率が２２〜３０％に低下した。
【００２７】（２）各洗浄工程の洗浄に前述の洗浄液を
用い、ウェハプロセスの全工程を行ったのち、ウェハの
状態で実デバイスの電気試験による評価を行った。その
結果、従来の洗浄液を用いたばあいより歩留が２０％程
度向上した。
用い、ウェハプロセスの全工程を行ったのち、ウェハの
状態で実デバイスの電気試験による評価を行った。その
結果、従来の洗浄液を用いたばあいより歩留が２０％程
度向上した。
【００２８】（３）金属の強制汚染（Ａｌ、Ｃｕなどを
直接シリコンウェハに付着させたり、酸により溶解した
液につけたりする）による洗浄を行ったのち、ゲート酸
化膜を形成し、その上にポリシリコンを５００μｍ×５
００μｍの面積で形成し、ＭＯＳ構造のゲート電圧に＋
から−の変化する電圧を印加（２００℃、５分間、５
Ｖ）したときの容量の変化（容量が変動すると不良）で
あるＣｖ特性を調べた結果、本発明の洗浄液を用いたも
のはフラットバンド電圧（電圧が安定してフラットにな
る電圧）ΔＶFBが０Ｖの高特性がえられた。
直接シリコンウェハに付着させたり、酸により溶解した
液につけたりする）による洗浄を行ったのち、ゲート酸
化膜を形成し、その上にポリシリコンを５００μｍ×５
００μｍの面積で形成し、ＭＯＳ構造のゲート電圧に＋
から−の変化する電圧を印加（２００℃、５分間、５
Ｖ）したときの容量の変化（容量が変動すると不良）で
あるＣｖ特性を調べた結果、本発明の洗浄液を用いたも
のはフラットバンド電圧（電圧が安定してフラットにな
る電圧）ΔＶFBが０Ｖの高特性がえられた。
【００２９】また、ゲート電圧に負の電圧（−５Ｖ程
度）を印加したばあいの反転領域の正孔の発生速度（電
子に対するズレ）によりＳｉ中またはＳｉとＳｉＯ2の
界面の汚染などによる欠陥（欠陥があると空乏層の厚さ
や反転領域での電子正孔対の発生が多くなる）を調べる
Ｃｔ特性を調べた結果、平衡時の容量をＣfinとして容
量Ｃに対する比Ｃ／Ｃfinがほぼ１になる時間ｔは２３
００秒以上で、従来の洗浄液を用いたばあいの１５００
秒より回復時間が長く、Ｓｉ中やＳｉとＳｉＯ2との界
面に欠陥が少なく、清浄であることが判明した。
度）を印加したばあいの反転領域の正孔の発生速度（電
子に対するズレ）によりＳｉ中またはＳｉとＳｉＯ2の
界面の汚染などによる欠陥（欠陥があると空乏層の厚さ
や反転領域での電子正孔対の発生が多くなる）を調べる
Ｃｔ特性を調べた結果、平衡時の容量をＣfinとして容
量Ｃに対する比Ｃ／Ｃfinがほぼ１になる時間ｔは２３
００秒以上で、従来の洗浄液を用いたばあいの１５００
秒より回復時間が長く、Ｓｉ中やＳｉとＳｉＯ2との界
面に欠陥が少なく、清浄であることが判明した。
【００３０】（４）Ｓｉ表面のラフネスを評価するた
め、ゲート耐圧、ゲートのリーク、コンタクト抵抗、ｐ
ｎ接合のジャンクションリークを調べた結果、いずれも
従来の洗浄液を用いたものより良好であった。
め、ゲート耐圧、ゲートのリーク、コンタクト抵抗、ｐ
ｎ接合のジャンクションリークを調べた結果、いずれも
従来の洗浄液を用いたものより良好であった。
【００３１】（５）トランジスタ単体で、１２５℃程度
の高温で４Ｖ程度の逆バイアスを印加し、ＨＶＬ（バー
ンイン：Burn In）での高温、高圧、高湿度試験を行っ
た。その結果、信頼性においても不良率が２５％から０
％程度に下がった。
の高温で４Ｖ程度の逆バイアスを印加し、ＨＶＬ（バー
ンイン：Burn In）での高温、高圧、高湿度試験を行っ
た。その結果、信頼性においても不良率が２５％から０
％程度に下がった。
【００３２】前記の混合液からなる洗浄液に、たとえば
オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミンなどから
なる界面活性剤を混合液の全重量に対し、１００〜２０
０ｐｐｍ程度の割合で混入すると、金属再付着やパーテ
ィクルの再付着の防止、Ｓｉ荒れの防止などにより、一
層洗浄効果が上昇した。
オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミンなどから
なる界面活性剤を混合液の全重量に対し、１００〜２０
０ｐｐｍ程度の割合で混入すると、金属再付着やパーテ
ィクルの再付着の防止、Ｓｉ荒れの防止などにより、一
層洗浄効果が上昇した。
【００３３】また、前述の例ではＳｉウェハについて行
ったが、他の半導体ウェハやＳｉ層が形成された液晶デ
バイス用の透明基板など他の基板の洗浄についても同様
に行うことができる。
ったが、他の半導体ウェハやＳｉ層が形成された液晶デ
バイス用の透明基板など他の基板の洗浄についても同様
に行うことができる。
【００３４】
【発明の効果】本発明によれば、パーティクルや金属汚
染の除去効果が顕著となり、最終的な製品歩留が１０〜
２０％程度向上する。
染の除去効果が顕著となり、最終的な製品歩留が１０〜
２０％程度向上する。
【００３５】さらに歩留に影響しないまでも、コンタク
ト孔における抵抗の低減化、ラフネスの向上に伴ない酸
化膜耐圧などの特性が向上し、高品質の製品がえられ
る。
ト孔における抵抗の低減化、ラフネスの向上に伴ない酸
化膜耐圧などの特性が向上し、高品質の製品がえられ
る。
【００３６】また、薬品の濃度を下げられるため、薬品
の消耗量が減るとともに、処理槽の耐久性が向上し、さ
らに排水処理の簡素化、安全性が向上し、コストダウン
に大いに寄与する。
の消耗量が減るとともに、処理槽の耐久性が向上し、さ
らに排水処理の簡素化、安全性が向上し、コストダウン
に大いに寄与する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 C11D 7/08,7/18
Claims (2)
- 【請求項１】 ５０ｗｔ％のフッ酸と、２９ｗｔ％のア
ンモニア水と、３１ｗｔ％の過酸化水素水と、水とを、
体積比で実質的に１：１：２：３００〜５００の割合で
準備し、前記フッ酸と過酸化水素水との混合液および前
記アンモニア水の一方を前記水に希釈し、その後前記混
合液およびアンモニア水の他方を混合することにより、
ｐＨが４〜５になるような濃度の洗浄液を調合し、該洗
浄液を用いて半導体層を有する基板を洗浄する洗浄方
法。 - 【請求項２】 前記洗浄液に、さらに界面活性剤を重量
比で１００〜２００ｐｐｍ添加して洗浄する請求項１記
載の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7250957A JP3040067B2 (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 半導体層を有する基板の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7250957A JP3040067B2 (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 半導体層を有する基板の洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0992636A JPH0992636A (ja) | 1997-04-04 |
| JP3040067B2 true JP3040067B2 (ja) | 2000-05-08 |
Family
ID=17215531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7250957A Expired - Fee Related JP3040067B2 (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 半導体層を有する基板の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3040067B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP3185753B2 (ja) | 1998-05-22 | 2001-07-11 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| EP1648024A1 (en) * | 2004-10-15 | 2006-04-19 | Sez Ag | Method for removing particles from a surface |
| JP5493302B2 (ja) | 2007-07-19 | 2014-05-14 | 三菱化学株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体基板およびその洗浄方法 |
| JP2011003759A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-01-06 | Nikon Corp | 部材の洗浄方法、露光方法、デバイス製造方法、および洗浄液 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3187109B2 (ja) * | 1992-01-31 | 2001-07-11 | キヤノン株式会社 | 半導体部材およびその製造方法 |
| JP2857042B2 (ja) * | 1993-10-19 | 1999-02-10 | 新日本製鐵株式会社 | シリコン半導体およびシリコン酸化物の洗浄液 |
| JP3186914B2 (ja) * | 1994-01-18 | 2001-07-11 | 森田化学工業株式会社 | 二酸化シリコンおよび窒化ケイ素系膜の表面処理剤 |
| JP3046208B2 (ja) * | 1994-08-05 | 2000-05-29 | 新日本製鐵株式会社 | シリコンウェハおよびシリコン酸化物の洗浄液 |
-
1995
- 1995-09-28 JP JP7250957A patent/JP3040067B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0992636A (ja) | 1997-04-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |