JP3528534B2 - シリコンウエーハの洗浄方法 - Google Patents
シリコンウエーハの洗浄方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウエーハ
（以下、Ｓｉウエーハ又は単にウエーハということがあ
る）の洗浄方法に係り、特に研磨（ポリッシング）直後
のシリコンウエーハの洗浄方法に関する。
（以下、Ｓｉウエーハ又は単にウエーハということがあ
る）の洗浄方法に係り、特に研磨（ポリッシング）直後
のシリコンウエーハの洗浄方法に関する。
【０００２】シリコンウエーハの洗浄方法としてはＫｅ
ｒｎらが提唱したＲＣＡ洗浄が、現在でも基本となって
いる。このＲＣＡ洗浄は、アンモニア：過酸化水素：水
の容積配合比＝１：１〜２：５〜７の洗浄液〔ＳＣ−１
洗浄液又はAmmonia-HydrogenPeroxide Mixture （ＡＰ
Ｍ液）〕に、７５〜８５℃、１０〜２０分の洗浄処理
（ＳＣ−1 洗浄）で有機物とパーティクルを除去し、１
％フッ酸水溶液〔希釈液、Diluted Hydrofluoric acid
（ＤＨＦ液）〕に室温で数十秒の洗浄処理（ＨＦ洗浄）
で自然酸化膜と共に金属不純物を除去し、最後に塩酸：
過酸化水素：水の容積配合比＝１：１〜２：６〜８の洗
浄液〔ＳＣ−２洗浄液又はHydrochloric acid-Hydrogen
Peroxide Mixture （ＨＰＭ液）〕に７５〜８５℃、１
０〜２０分の洗浄処理（ＳＣ−２洗浄）でシリコンに付
着した金属を除去しながらクリーンな自然酸化膜を形成
させるという洗浄方法である。
ｒｎらが提唱したＲＣＡ洗浄が、現在でも基本となって
いる。このＲＣＡ洗浄は、アンモニア：過酸化水素：水
の容積配合比＝１：１〜２：５〜７の洗浄液〔ＳＣ−１
洗浄液又はAmmonia-HydrogenPeroxide Mixture （ＡＰ
Ｍ液）〕に、７５〜８５℃、１０〜２０分の洗浄処理
（ＳＣ−1 洗浄）で有機物とパーティクルを除去し、１
％フッ酸水溶液〔希釈液、Diluted Hydrofluoric acid
（ＤＨＦ液）〕に室温で数十秒の洗浄処理（ＨＦ洗浄）
で自然酸化膜と共に金属不純物を除去し、最後に塩酸：
過酸化水素：水の容積配合比＝１：１〜２：６〜８の洗
浄液〔ＳＣ−２洗浄液又はHydrochloric acid-Hydrogen
Peroxide Mixture （ＨＰＭ液）〕に７５〜８５℃、１
０〜２０分の洗浄処理（ＳＣ−２洗浄）でシリコンに付
着した金属を除去しながらクリーンな自然酸化膜を形成
させるという洗浄方法である。
【０００３】ＳＣ−１洗浄によるパーティクル除去はシ
リコンウエーハがＳＣ−１洗浄液のエッチング作用によ
りパーティクルがエッチオフされることに基づいてい
る。また、ＳＣ−２洗浄による金属不純物除去は低ｐ
Ｈ、高酸化電位溶液による金属不純物のイオン化によっ
てなされるとしている。この際、ＳＣ−２洗浄液にシリ
コンウエーハをエッチングする能力は無いことが一般に
知られている。
リコンウエーハがＳＣ−１洗浄液のエッチング作用によ
りパーティクルがエッチオフされることに基づいてい
る。また、ＳＣ−２洗浄による金属不純物除去は低ｐ
Ｈ、高酸化電位溶液による金属不純物のイオン化によっ
てなされるとしている。この際、ＳＣ−２洗浄液にシリ
コンウエーハをエッチングする能力は無いことが一般に
知られている。
【０００４】一方、従来の洗浄方法には、先に示したＳ
Ｃ−１＋ＨＦ＋ＳＣ−２の他に、デバイス製造工程で用
いられる硫酸と過酸化水素水の混合液〔Sulfuric acid-
Hydrogen Peroxide Mixture （ＳＰＭ液）〕を組み合わ
せた洗浄法も有る。この洗浄法はＳＰＭ（レジスト除
去）＋ＨＦ（自然酸化膜除去）＋ＳＣ−１（パーティク
ル除去）＋ＨＦ（自然酸化膜除去）＋ＳＣ−２（金属除
去）＋ＨＦ（自然酸化膜除去）を基本としている。
Ｃ−１＋ＨＦ＋ＳＣ−２の他に、デバイス製造工程で用
いられる硫酸と過酸化水素水の混合液〔Sulfuric acid-
Hydrogen Peroxide Mixture （ＳＰＭ液）〕を組み合わ
せた洗浄法も有る。この洗浄法はＳＰＭ（レジスト除
去）＋ＨＦ（自然酸化膜除去）＋ＳＣ−１（パーティク
ル除去）＋ＨＦ（自然酸化膜除去）＋ＳＣ−２（金属除
去）＋ＨＦ（自然酸化膜除去）を基本としている。
【０００５】半導体デバイスの製造は、大雑把に分け、
デバイスの基板を製造する為のウエーハ製造工程とこの
ウエーハ上に各種パターンを形成するデバイス製造工程
がある。
デバイスの基板を製造する為のウエーハ製造工程とこの
ウエーハ上に各種パターンを形成するデバイス製造工程
がある。
【０００６】ＳＰＭ洗浄液は酸化性が非常に強い洗浄液
であるため取り扱いに危険を伴う。デバイス製造工程で
はレジストを使用しているためＳＰＭ洗浄を行わざるを
得ない。しかしウエーハ製造工程ではＳＰＭ洗浄液を使
用しなければ除去できないような有機物を使用していな
い。したがって、ウエーハ製造工程ではＳＰＭ洗浄及び
それに続いたＨＦ洗浄を省略した洗浄法を行っている。
であるため取り扱いに危険を伴う。デバイス製造工程で
はレジストを使用しているためＳＰＭ洗浄を行わざるを
得ない。しかしウエーハ製造工程ではＳＰＭ洗浄液を使
用しなければ除去できないような有機物を使用していな
い。したがって、ウエーハ製造工程ではＳＰＭ洗浄及び
それに続いたＨＦ洗浄を省略した洗浄法を行っている。
【０００７】すなわち、一般的に研磨後のウエーハに対
しては、ＳＣ−１洗浄が行われ、ＨＦ洗浄の有無に差は
あるが、その後ＳＣ−２洗浄が施されている。例えば、
図６に示すようなＳＣ−１洗浄５２及びＳＣ−２洗浄５
４からなる洗浄方法がおこなわれている。
しては、ＳＣ−１洗浄が行われ、ＨＦ洗浄の有無に差は
あるが、その後ＳＣ−２洗浄が施されている。例えば、
図６に示すようなＳＣ−１洗浄５２及びＳＣ−２洗浄５
４からなる洗浄方法がおこなわれている。
【０００８】ところで、ウエーハ製造工程には自然酸化
膜がない状態のＳｉウエーハを水中保管することがあ
る。例えば、研磨直後のウエーハが洗浄工程に送られる
までの待ち時間には、研磨剤がウエーハ上に固着するの
を防ぐため、研磨直後のウエーハを水中保管する場合が
ある。この時、水中にシリコンよりもイオン化傾向が小
さい金属が存在するとその金属がウエーハ表面に析出す
る。
膜がない状態のＳｉウエーハを水中保管することがあ
る。例えば、研磨直後のウエーハが洗浄工程に送られる
までの待ち時間には、研磨剤がウエーハ上に固着するの
を防ぐため、研磨直後のウエーハを水中保管する場合が
ある。この時、水中にシリコンよりもイオン化傾向が小
さい金属が存在するとその金属がウエーハ表面に析出す
る。
【０００９】例えば、Ｃｕ2+やＡｇ+やＰｄ2+が存在す
ると、これらはＳｉとの電気化学反応によってウエーハ
表面に析出する。これを模式的に表したのが図７であ
る。シリコンウエーハ１上に、イオン化傾向が小さい金
属が付着し電気化学反応によって金属不純物２を析出す
る。この析出に伴い不純物金属の下にＳｉＯ2 の酸化物
３が生成し、その生成に伴いＳｉＯ2 とＳｉとの界面に
歪み４が発生する。
ると、これらはＳｉとの電気化学反応によってウエーハ
表面に析出する。これを模式的に表したのが図７であ
る。シリコンウエーハ１上に、イオン化傾向が小さい金
属が付着し電気化学反応によって金属不純物２を析出す
る。この析出に伴い不純物金属の下にＳｉＯ2 の酸化物
３が生成し、その生成に伴いＳｉＯ2 とＳｉとの界面に
歪み４が発生する。
【００１０】この歪み４は、従来のウエーハ製造工程で
行われている図６に示すような従来の洗浄方法では除去
することが出来ない。図６の洗浄方法によって洗浄した
シリコンウェーハの洗浄前と洗浄後の状態を図８（ａ）
（ｂ）として示した。シリコンウエーハ表面に析出した
金属不純物は、ＳＣ−１洗浄で除去できる金属、例えば
ＣｕやＡｇが付着した場合、これらはＳＣ−１洗浄で除
去されるが、その後のＳＣ−２洗浄でＳｉＯ2 や歪みを
除去することは不可能である［図８（ｂ）］。
行われている図６に示すような従来の洗浄方法では除去
することが出来ない。図６の洗浄方法によって洗浄した
シリコンウェーハの洗浄前と洗浄後の状態を図８（ａ）
（ｂ）として示した。シリコンウエーハ表面に析出した
金属不純物は、ＳＣ−１洗浄で除去できる金属、例えば
ＣｕやＡｇが付着した場合、これらはＳＣ−１洗浄で除
去されるが、その後のＳＣ−２洗浄でＳｉＯ2 や歪みを
除去することは不可能である［図８（ｂ）］。
【００１１】また、ＳＣ−１洗浄とＳＣ−２洗浄の間に
ＨＦ洗浄を入れてＳｉＯ2 を除去してもＳＣ−２洗浄自
体にはエッチング力がないために歪みが残存する。すな
わち、ウエーハ製造工程で行われている洗浄では、金属
の付着に伴って生じた歪みを除去することが出来ない。
ＨＦ洗浄を入れてＳｉＯ2 を除去してもＳＣ−２洗浄自
体にはエッチング力がないために歪みが残存する。すな
わち、ウエーハ製造工程で行われている洗浄では、金属
の付着に伴って生じた歪みを除去することが出来ない。
【００１２】歪みが残ったウエーハをデバイス製造工程
に供した場合、デバイス工程の洗浄法によっては歪みが
残存したまま酸化膜が形成されることとなる。この場
合、酸化膜の歪みの影響により、酸化膜の特性（酸化膜
耐圧）が劣化し、デバイス不良の発生が増える。つま
り、ウエーハ表面に歪みが存在する場合、この歪みに起
因した酸化膜耐圧不良が発生する。
に供した場合、デバイス工程の洗浄法によっては歪みが
残存したまま酸化膜が形成されることとなる。この場
合、酸化膜の歪みの影響により、酸化膜の特性（酸化膜
耐圧）が劣化し、デバイス不良の発生が増える。つま
り、ウエーハ表面に歪みが存在する場合、この歪みに起
因した酸化膜耐圧不良が発生する。
【００１３】通常の水中保管では、十分な純度を有する
純水を使用しているため汚染は皆無である。しかし、設
備等からの不慮の汚染により水中にＳｉよりもイオン化
傾向の小さな金属のイオンが混入する可能性も考えられ
る。
純水を使用しているため汚染は皆無である。しかし、設
備等からの不慮の汚染により水中にＳｉよりもイオン化
傾向の小さな金属のイオンが混入する可能性も考えられ
る。
【００１４】特にＣｕ2+が水中にある場合、１ｐｐｂ以
下の濃度でも歪み起因の酸化膜耐圧不良が発生すること
がある。このように低レベルのＣｕ濃度を常時モニタリ
ングすることは非常に困難である。
下の濃度でも歪み起因の酸化膜耐圧不良が発生すること
がある。このように低レベルのＣｕ濃度を常時モニタリ
ングすることは非常に困難である。
【００１５】すなわち、従来のウエーハ製造工程におけ
る洗浄方法は金属汚染による酸化膜耐圧劣化に対してマ
ージンが少なく、良質のウエーハを確実に提供すること
ができないことがあった。
る洗浄方法は金属汚染による酸化膜耐圧劣化に対してマ
ージンが少なく、良質のウエーハを確実に提供すること
ができないことがあった。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記した従来
技術の問題点に鑑みなされたもので、特に金属不純物の
電気化学反応を伴った付着が心配される工程において、
従来より存在する洗浄の順番を工夫することにより、今
までに問題であった歪みの発生、この歪みに伴う酸化膜
耐圧の低下が抑えられるようにしたシリコンウエーハの
洗浄方法を提供することを目的とする。
技術の問題点に鑑みなされたもので、特に金属不純物の
電気化学反応を伴った付着が心配される工程において、
従来より存在する洗浄の順番を工夫することにより、今
までに問題であった歪みの発生、この歪みに伴う酸化膜
耐圧の低下が抑えられるようにしたシリコンウエーハの
洗浄方法を提供することを目的とする。
【００１７】本発明のシリコンウエーハの洗浄方法は、
シリコンウエーハの表面に電気化学的に析出した金属を
除去する第１ステップと、シリコンウエーハの表面に形
成されたＳｉＯ2を除去する第２ステップと、更にシリ
コンウエーハの表面の歪みを除去する第３ステップを有
することを特徴とする。
シリコンウエーハの表面に電気化学的に析出した金属を
除去する第１ステップと、シリコンウエーハの表面に形
成されたＳｉＯ2を除去する第２ステップと、更にシリ
コンウエーハの表面の歪みを除去する第３ステップを有
することを特徴とする。
【００１８】本発明のシリコンウエーハの洗浄方法にお
ける第１の実施態様としては、シリコンウエーハの表面
に電気化学的に析出した金属をＳＣ−１洗浄で除去した
後、シリコンウエーハの表面に形成されたＳｉＯ2をＨ
Ｆ洗浄で除去し、更にＳＣ−１組成を有した洗浄液によ
りシリコンウエーハの表面をエッチングすることが好ま
しい。つまり、第１ステップとしてＳＣ−１洗浄を施し
た後、第２ステップとしてＨＦ洗浄を施し、さらに第３
ステップとしてＳＣ−１洗浄を施すのが好適である。
ける第１の実施態様としては、シリコンウエーハの表面
に電気化学的に析出した金属をＳＣ−１洗浄で除去した
後、シリコンウエーハの表面に形成されたＳｉＯ2をＨ
Ｆ洗浄で除去し、更にＳＣ−１組成を有した洗浄液によ
りシリコンウエーハの表面をエッチングすることが好ま
しい。つまり、第１ステップとしてＳＣ−１洗浄を施し
た後、第２ステップとしてＨＦ洗浄を施し、さらに第３
ステップとしてＳＣ−１洗浄を施すのが好適である。
【００１９】上記した本発明の第１の実施態様の洗浄方
法は、ＣｕやＡｇの様にＳＣ−１洗浄で除去できる金属
がシリコンウエーハ上に電気化学的に付着している場合
に有効である。
法は、ＣｕやＡｇの様にＳＣ−１洗浄で除去できる金属
がシリコンウエーハ上に電気化学的に付着している場合
に有効である。
【００２０】本発明のシリコンウエーハの洗浄方法にお
ける第２の実施態様としては、シリコンウエーハの表面
に電気化学的に析出した金属をＳＣ−２洗浄で除去した
後、シリコンウエーハの表面に形成されたＳｉＯ2をＨ
Ｆ洗浄で除去し、更にＳＣ−１組成を有する洗浄液によ
りシリコンウエーハの表面をエッチングすることを特徴
とする。この第２の実施態様は、ＳＣ−１洗浄では除去
できないがＳＣ−２洗浄で除去できる金属、例えば、Ｐ
ｄが電気化学的に付着している場合に有効である。
ける第２の実施態様としては、シリコンウエーハの表面
に電気化学的に析出した金属をＳＣ−２洗浄で除去した
後、シリコンウエーハの表面に形成されたＳｉＯ2をＨ
Ｆ洗浄で除去し、更にＳＣ−１組成を有する洗浄液によ
りシリコンウエーハの表面をエッチングすることを特徴
とする。この第２の実施態様は、ＳＣ−１洗浄では除去
できないがＳＣ−２洗浄で除去できる金属、例えば、Ｐ
ｄが電気化学的に付着している場合に有効である。
【００２１】本発明のシリコンウエーハの洗浄方法にお
ける第３の実施態様としては、シリコンウエーハの表面
に電気化学的に析出した金属をＳＣ−１洗浄及びＳＣ−
２洗浄で除去した後、シリコンウエーハの表面に形成さ
れたＳｉＯ2をＨＦ洗浄で除去し、更にＳＣ−１組成を
有する洗浄液によりウエーハ表面をエッチングすること
が好ましい。この第３の実施態様は、研磨スラリー除去
のためにＳＣ−１洗浄を行い、その後、ＳＣ−２以降の
洗浄を行うものであるが、この場合にも同様の効果が得
られる。
ける第３の実施態様としては、シリコンウエーハの表面
に電気化学的に析出した金属をＳＣ−１洗浄及びＳＣ−
２洗浄で除去した後、シリコンウエーハの表面に形成さ
れたＳｉＯ2をＨＦ洗浄で除去し、更にＳＣ−１組成を
有する洗浄液によりウエーハ表面をエッチングすること
が好ましい。この第３の実施態様は、研磨スラリー除去
のためにＳＣ−１洗浄を行い、その後、ＳＣ−２以降の
洗浄を行うものであるが、この場合にも同様の効果が得
られる。
【００２２】本発明の洗浄方法は、シリコンウエーハの
製造工程において、好ましくは、シリコンウエーハの研
磨（ポリッシング）直後実施される。また、本発明の洗
浄方法は、研磨直後のシリコンウエーハを水中保管した
後、実施されるのが好適である。さらに、本発明の洗浄
方法は、研磨直後と同じような状態のシリコンウエー
ハ、即ち表面に自然酸化膜がない状態のシリコンウエー
ハを水中保管した後、実施されるのが好ましい。
製造工程において、好ましくは、シリコンウエーハの研
磨（ポリッシング）直後実施される。また、本発明の洗
浄方法は、研磨直後のシリコンウエーハを水中保管した
後、実施されるのが好適である。さらに、本発明の洗浄
方法は、研磨直後と同じような状態のシリコンウエー
ハ、即ち表面に自然酸化膜がない状態のシリコンウエー
ハを水中保管した後、実施されるのが好ましい。
【００２３】本発明の洗浄方法の各態様はいずれも初段
の洗浄で金属不純物を除去し、つづいて金属不純物の直
下にあるＳｉＯ2 を除去、最後にＳｉＯ2 直下の歪みを
除去することを目的として構成されている。
の洗浄で金属不純物を除去し、つづいて金属不純物の直
下にあるＳｉＯ2 を除去、最後にＳｉＯ2 直下の歪みを
除去することを目的として構成されている。
【００２４】前述したごとく、ＲＣＡ洗浄で用いられる
ＳＣ−１洗浄は、アンモニアと過酸化水素水とをＮＨ4
ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１〜２：５〜７の割合で
混合したＳＣ−1 洗浄液を用いて７５〜８５℃で、１０
〜２０分間行われる。
ＳＣ−１洗浄は、アンモニアと過酸化水素水とをＮＨ4
ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１〜２：５〜７の割合で
混合したＳＣ−1 洗浄液を用いて７５〜８５℃で、１０
〜２０分間行われる。
【００２５】本発明で用いられるＳＣ−１組成を有する
洗浄液としては、上記した従来のＳＣ−1 洗浄を適用す
ることも可能であるが、低い薬液濃度を用い、低温で短
時間の洗浄を行うこともできる。即ち、ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ
2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１〜２：５〜４０という広い割合
で混合したＳＣ−1 洗浄液を用い常温〜８５℃の温度範
囲で２〜３０分間の洗浄処理を行うことができる。ＳＣ
−１洗浄液の薬液濃度が低い場合にはヘイズの悪化がな
い上、薬液使用を減らしてコストダウンを図ることがで
きる利点がある。
洗浄液としては、上記した従来のＳＣ−1 洗浄を適用す
ることも可能であるが、低い薬液濃度を用い、低温で短
時間の洗浄を行うこともできる。即ち、ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ
2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１〜２：５〜４０という広い割合
で混合したＳＣ−1 洗浄液を用い常温〜８５℃の温度範
囲で２〜３０分間の洗浄処理を行うことができる。ＳＣ
−１洗浄液の薬液濃度が低い場合にはヘイズの悪化がな
い上、薬液使用を減らしてコストダウンを図ることがで
きる利点がある。
【００２６】ＲＣＡ洗浄で用いられるＨＦ洗浄は、１％
フッ酸水溶液を用いて室温で数十秒間行われる。
フッ酸水溶液を用いて室温で数十秒間行われる。
【００２７】本発明で用いられるＨＦ洗浄としては、酸
化膜が完全に除去できる条件であればよく、上記した従
来のＨＦ洗浄を適用することも可能である。即ち、０．
５〜６％のフッ酸水溶液を用い常温で１０秒〜５分の洗
浄処理を行うことで充分である。
化膜が完全に除去できる条件であればよく、上記した従
来のＨＦ洗浄を適用することも可能である。即ち、０．
５〜６％のフッ酸水溶液を用い常温で１０秒〜５分の洗
浄処理を行うことで充分である。
【００２８】また、前述したごとく、ＲＣＡ洗浄で用い
られるＳＣ−２洗浄は、塩酸と過酸化水素水とをＨＣ
ｌ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１〜２：６〜８の割合で混
合したＳＣ−２洗浄液を用いて７５〜８５℃で、１０〜
２０分間行われる。
られるＳＣ−２洗浄は、塩酸と過酸化水素水とをＨＣ
ｌ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１〜２：６〜８の割合で混
合したＳＣ−２洗浄液を用いて７５〜８５℃で、１０〜
２０分間行われる。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を添付
図面中、図１〜４に基づいて説明する。
図面中、図１〜４に基づいて説明する。
【００３０】図１は本発明のシリコンウエーハの洗浄方
法の一例を示すフローチャートである。図２はシリコン
よりイオン化傾向が小さい金属が付着したシリコンウエ
ーハを図１の洗浄方法で洗浄したときのウエーハ表面状
態を模式的に示した説明図である。図３は本発明のシリ
コンウエーハの洗浄方法の他の例を示すフローチャート
である。図４は本発明のシリコンウエーハの洗浄方法の
別の例を示すフローチャートである。
法の一例を示すフローチャートである。図２はシリコン
よりイオン化傾向が小さい金属が付着したシリコンウエ
ーハを図１の洗浄方法で洗浄したときのウエーハ表面状
態を模式的に示した説明図である。図３は本発明のシリ
コンウエーハの洗浄方法の他の例を示すフローチャート
である。図４は本発明のシリコンウエーハの洗浄方法の
別の例を示すフローチャートである。
【００３１】研磨直後のシリコンウエーハのように自然
酸化膜がない状態のシリコンウエーハを水中保管した場
合、水中にシリコンよりもイオン化傾向が小さい金属が
存在すると、図７に示したようにその金属がウエーハ表
面に析出する。
酸化膜がない状態のシリコンウエーハを水中保管した場
合、水中にシリコンよりもイオン化傾向が小さい金属が
存在すると、図７に示したようにその金属がウエーハ表
面に析出する。
【００３２】本発明のシリコンウエーハの洗浄方法の一
つの態様は、上記したような研磨後のシリコンウエーハ
の表面に電気化学的に析出した金属を除去する第一ステ
ップと、シリコンウエーハ表面に形成されたＳｉＯ2 を
除去する第２ステップと、シリコンウエーハ表面の歪み
を除去する第３ステップとから構成される。
つの態様は、上記したような研磨後のシリコンウエーハ
の表面に電気化学的に析出した金属を除去する第一ステ
ップと、シリコンウエーハ表面に形成されたＳｉＯ2 を
除去する第２ステップと、シリコンウエーハ表面の歪み
を除去する第３ステップとから構成される。
【００３３】本発明のシリコンウエーハの洗浄方法の一
例について、更に具体的に言えば、図１に示すごとく、
第１ステップとして第１のＳＣ−１洗浄１２、第２ステ
ップとしてＨＦ洗浄１４そして第３ステップとして第２
のＳＣ−１洗浄１６を用いる工程が好適である。
例について、更に具体的に言えば、図１に示すごとく、
第１ステップとして第１のＳＣ−１洗浄１２、第２ステ
ップとしてＨＦ洗浄１４そして第３ステップとして第２
のＳＣ−１洗浄１６を用いる工程が好適である。
【００３４】ＳＣ−１洗浄は、前述のごとく、アンモニ
アと過酸化水素水の洗浄液（ＳＣ−１洗浄液）を用いる
洗浄である。シリコンウエーハの表面に電気化学的に析
出した金属のうちでＳＣ−１洗浄液で除去される金属、
例えばＣｕやＡｇが第１ステップとして採用される第１
のＳＣ−1 洗浄１２によって除去される[ 図２（ｂ）]
。
アと過酸化水素水の洗浄液（ＳＣ−１洗浄液）を用いる
洗浄である。シリコンウエーハの表面に電気化学的に析
出した金属のうちでＳＣ−１洗浄液で除去される金属、
例えばＣｕやＡｇが第１ステップとして採用される第１
のＳＣ−1 洗浄１２によって除去される[ 図２（ｂ）]
。
【００３５】第１のＳＣ−１洗浄１２は前述した従来の
ＳＣ−１洗浄と同様の条件で行えばよい。
ＳＣ−１洗浄と同様の条件で行えばよい。
【００３６】上記第２ステップとしては、図１に示すご
とく、ＨＦ洗浄が好適に用いられる。ＨＦ洗浄はフッ酸
水溶液を用いる洗浄をいう。ＨＦ洗浄１４によってシリ
コンウエーハ表面に形成されたＳｉＯ2 が除去される[
図２（ｃ）] 。
とく、ＨＦ洗浄が好適に用いられる。ＨＦ洗浄はフッ酸
水溶液を用いる洗浄をいう。ＨＦ洗浄１４によってシリ
コンウエーハ表面に形成されたＳｉＯ2 が除去される[
図２（ｃ）] 。
【００３７】ＨＦ洗浄１４は常法により、少なくとも酸
化膜が除去される条件で行えばよい。
化膜が除去される条件で行えばよい。
【００３８】上記第３ステップとしては、図１に示すご
とく、第２のＳＣ−１洗浄１６としてＳＣ−１洗浄が再
び適用される。この第２のＳＣ−１洗浄１６により、金
属不純物がシリコンウエーハ表面に存在しない状態でエ
ッチング力のある洗浄が行われ、ＳｉＯ2 生成に起因し
たシリコンウエーハ表面の歪みが除去される[ 図２
（ｄ）］。
とく、第２のＳＣ−１洗浄１６としてＳＣ−１洗浄が再
び適用される。この第２のＳＣ−１洗浄１６により、金
属不純物がシリコンウエーハ表面に存在しない状態でエ
ッチング力のある洗浄が行われ、ＳｉＯ2 生成に起因し
たシリコンウエーハ表面の歪みが除去される[ 図２
（ｄ）］。
【００３９】第２のＳＣ−１洗浄１６は歪を除去できる
条件であればよいが、前述した従来のＳＣ−１洗浄と同
様の条件で行えば充分である。
条件であればよいが、前述した従来のＳＣ−１洗浄と同
様の条件で行えば充分である。
【００４０】一方、従来の洗浄方法によっては、図８
（ｂ）に示したように、シリコンウエーハ表面の歪みは
除去できない。
（ｂ）に示したように、シリコンウエーハ表面の歪みは
除去できない。
【００４１】本発明のシリコン洗浄方法の他の具体例に
ついていえば、図３に示すごとく、第１ステップとして
ＳＣ−２洗浄２２、第２ステップとしてＨＦ洗浄２４及
び第３ステップとしてＳＣ−1 洗浄２６からなる工程を
用いることもできる。
ついていえば、図３に示すごとく、第１ステップとして
ＳＣ−２洗浄２２、第２ステップとしてＨＦ洗浄２４及
び第３ステップとしてＳＣ−1 洗浄２６からなる工程を
用いることもできる。
【００４２】ここで、ＳＣ−２洗浄は、前述のごとく、
塩酸と過酸化水素水の混合液（ＳＣ−２洗浄液）を用い
る洗浄である。シリコンウエーハの表面に電気化学的に
析出した金属でＳＣ−1 洗浄液で除去されないがＳＣ−
２洗浄液で除去される金属が付着している場合に第１ス
テップとしてＳＣ−２洗浄２２が有効に実施される。
塩酸と過酸化水素水の混合液（ＳＣ−２洗浄液）を用い
る洗浄である。シリコンウエーハの表面に電気化学的に
析出した金属でＳＣ−1 洗浄液で除去されないがＳＣ−
２洗浄液で除去される金属が付着している場合に第１ス
テップとしてＳＣ−２洗浄２２が有効に実施される。
【００４３】ＳＣ−２洗浄２２は前述した従来のＳＣ−
２洗浄と同様の条件で行えばよい。
２洗浄と同様の条件で行えばよい。
【００４４】上記ＨＦ洗浄２４は前記したＨＦ洗浄１４
と同様にＳｉＯ2 を除去する作用を行う。上記ＳＣ−1
洗浄２６は前記した第２のＳＣ−1 洗浄１６と同様にエ
ッチング作用によりシリコンウエーハ表面の歪みを除去
する。ＨＦ洗浄２４の洗浄条件は前記ＨＦ洗浄１４と同
様である。また、ＳＣ−１洗浄２６の洗浄条件は前記Ｓ
Ｃ−１洗浄１６と同様である。
と同様にＳｉＯ2 を除去する作用を行う。上記ＳＣ−1
洗浄２６は前記した第２のＳＣ−1 洗浄１６と同様にエ
ッチング作用によりシリコンウエーハ表面の歪みを除去
する。ＨＦ洗浄２４の洗浄条件は前記ＨＦ洗浄１４と同
様である。また、ＳＣ−１洗浄２６の洗浄条件は前記Ｓ
Ｃ−１洗浄１６と同様である。
【００４５】本発明のシリコン洗浄方法の別の具体例に
ついていえば、図４に示すごとく、第１ステップとして
ＳＣ−1 洗浄３０及びＳＣ−２洗浄３２、第２ステップ
としてＨＦ洗浄３４及び第３ステップとしてＳＣ−1 洗
浄３６からなる工程を用いることもできる。
ついていえば、図４に示すごとく、第１ステップとして
ＳＣ−1 洗浄３０及びＳＣ−２洗浄３２、第２ステップ
としてＨＦ洗浄３４及び第３ステップとしてＳＣ−1 洗
浄３６からなる工程を用いることもできる。
【００４６】ＳＣ−１洗浄３０は前述した従来のＳＣ−
１洗浄と同様の条件で行えばよい。ＳＣ−２洗浄３２も
前述した従来のＳＣ−１洗浄と同様の条件で行えば充分
である。
１洗浄と同様の条件で行えばよい。ＳＣ−２洗浄３２も
前述した従来のＳＣ−１洗浄と同様の条件で行えば充分
である。
【００４７】なお、上記第１ステップはシリコンウエー
ハの表面に電気化学的に析出した金属を除去するもので
あり、ＳＣ−２洗浄３２を先に行い、その後ＳＣ−１洗
浄３０を行うようにしても同様の作用効果が達成される
ことは勿論である。
ハの表面に電気化学的に析出した金属を除去するもので
あり、ＳＣ−２洗浄３２を先に行い、その後ＳＣ−１洗
浄３０を行うようにしても同様の作用効果が達成される
ことは勿論である。
【００４８】ＨＦ洗浄３４の洗浄条件は前記ＨＦ洗浄１
４と同様である。また、ＳＣ−１洗浄３６の洗浄条件は
前記ＳＣ−１洗浄１６と同様である。
４と同様である。また、ＳＣ−１洗浄３６の洗浄条件は
前記ＳＣ−１洗浄１６と同様である。
【００４９】この工程において、ＳＣ−1 洗浄３０は、
研磨スラリー除去のために導入され、このＳＣ−1 洗浄
３０の後にＳＣ−２洗浄３２、ＨＦ洗浄３４及びＳＣ−
1 洗浄３６が行われる。この場合も同様の効果が達成さ
れる。
研磨スラリー除去のために導入され、このＳＣ−1 洗浄
３０の後にＳＣ−２洗浄３２、ＨＦ洗浄３４及びＳＣ−
1 洗浄３６が行われる。この場合も同様の効果が達成さ
れる。
【００５０】このシリコンウエーハ表面の歪みを除去す
ることにより、その後のデバイス工程で重要な酸化膜耐
圧の劣化が抑制できる。
ることにより、その後のデバイス工程で重要な酸化膜耐
圧の劣化が抑制できる。
【００５１】有機物の除去及び重金属の除去にはデバイ
ス工程で用いられているＳＰＭ洗浄も使用可能である。
しかしこの洗浄はデバイス工程等で使用されるレジスト
の除去が目的であり、直接シリコンウエーハに作用する
ものではない。また取り扱い易さの観点から今回の洗浄
には望ましくない。今回の洗浄対象がデバイスを形成す
る前の状態、すなわちウエーハ製造工程の研磨直後のウ
エーハであることから簡便なＳＣ−１洗浄またはＳＣ−
２洗浄が望ましい。
ス工程で用いられているＳＰＭ洗浄も使用可能である。
しかしこの洗浄はデバイス工程等で使用されるレジスト
の除去が目的であり、直接シリコンウエーハに作用する
ものではない。また取り扱い易さの観点から今回の洗浄
には望ましくない。今回の洗浄対象がデバイスを形成す
る前の状態、すなわちウエーハ製造工程の研磨直後のウ
エーハであることから簡便なＳＣ−１洗浄またはＳＣ−
２洗浄が望ましい。
【００５２】本発明の洗浄方法は工程中にシリコンウエ
ーハが金属によって汚染された場合に特に大きな効果を
示すが、汚染以外にも何らかの理由で酸化膜とＳｉ基板
の間に歪みが残っている場合にも、本発明の洗浄方法を
適用することにより酸化膜耐圧等の酸化膜の特性を改善
することができる。
ーハが金属によって汚染された場合に特に大きな効果を
示すが、汚染以外にも何らかの理由で酸化膜とＳｉ基板
の間に歪みが残っている場合にも、本発明の洗浄方法を
適用することにより酸化膜耐圧等の酸化膜の特性を改善
することができる。
【００５３】このように本発明の洗浄方法は金属汚染が
予想される工程を通った後でも、最終的に要求される酸
化膜耐圧等の品質（歩留まり）を下げることのない洗浄
方法である。しかも本発明洗浄方法における個々の洗浄
ステップは従来より知られているものであり、従来の設
備をそのまま利用できる為、手軽に実施できる利点があ
る。
予想される工程を通った後でも、最終的に要求される酸
化膜耐圧等の品質（歩留まり）を下げることのない洗浄
方法である。しかも本発明洗浄方法における個々の洗浄
ステップは従来より知られているものであり、従来の設
備をそのまま利用できる為、手軽に実施できる利点があ
る。
【００５４】以上のように、洗浄の組み合わせを工夫し
たことにより、微量の不純物金属がシリコンウエーハに
析出しても、酸化膜耐圧不良を回避できることがわか
り、歩留まりを向上するという効果がある。
たことにより、微量の不純物金属がシリコンウエーハに
析出しても、酸化膜耐圧不良を回避できることがわか
り、歩留まりを向上するという効果がある。
【００５５】
【実施例】以下に本発明の洗浄方法について実施例をあ
げてさらに具体的に説明する。
げてさらに具体的に説明する。
【００５６】実施例１及び比較例１及び２
チョクラルスキー（ＣＺ）法で製造された鏡面研磨ウエ
ーハでＨＦ洗浄仕上がりのもの（表面に酸化膜がないウ
エーハであり、研磨直後と同様な状態）を１ｐｐｂのＣ
ｕ2+水溶液中に浸漬し、３０分間放置した。この状態で
シリコンウエーハの表面にはＣｕが析出し、その直下に
ＳｉＯ2 が形成される。また、このＳｉＯ2 とＳｉとの
間には歪みが発生する。
ーハでＨＦ洗浄仕上がりのもの（表面に酸化膜がないウ
エーハであり、研磨直後と同様な状態）を１ｐｐｂのＣ
ｕ2+水溶液中に浸漬し、３０分間放置した。この状態で
シリコンウエーハの表面にはＣｕが析出し、その直下に
ＳｉＯ2 が形成される。また、このＳｉＯ2 とＳｉとの
間には歪みが発生する。
【００５７】このウエーハを本発明の洗浄方法（実施例
１）と一般的な研磨直後のウエーハの洗浄方法（比較例
１）を用いて洗浄した。
１）と一般的な研磨直後のウエーハの洗浄方法（比較例
１）を用いて洗浄した。
【００５８】１．実施例１の洗浄工程
ＳＣ−１
ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2Ｏ＝１：１：５、温度８０
℃、時間１５分 ＨＦ洗浄 １％ＨＦ、温度 常温（２５℃）、時間６０秒 ＳＣ−１ ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：３８、温度８
０℃、時間１５分 ＳＣ−２ ＨＣ１：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：６、温度８０℃、
時間１５分 ＩＰＡ乾燥
℃、時間１５分 ＨＦ洗浄 １％ＨＦ、温度 常温（２５℃）、時間６０秒 ＳＣ−１ ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：３８、温度８
０℃、時間１５分 ＳＣ−２ ＨＣ１：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：６、温度８０℃、
時間１５分 ＩＰＡ乾燥
【００５９】ここで：本発明の洗浄方法の第１ステッ
プ、：本発明の洗浄方法の第２ステップ、：本発明
の洗浄方法の第３ステップである。
プ、：本発明の洗浄方法の第２ステップ、：本発明
の洗浄方法の第３ステップである。
【００６０】２．比較例１の洗浄工程
ＳＣ−１
ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2Ｏ＝１：１：５、温度８０
℃、時間１５分 ＨＦ洗浄 １％ＨＦ、温度 常温（２５℃）、時間６０秒 ＳＣ−２ ＨＣ１：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：６、温度８０℃、
時間１５分 ＩＰＡ乾燥
℃、時間１５分 ＨＦ洗浄 １％ＨＦ、温度 常温（２５℃）、時間６０秒 ＳＣ−２ ＨＣ１：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：６、温度８０℃、
時間１５分 ＩＰＡ乾燥
【００６１】上記した実施例１及び比較例１の洗浄工程
でウエーハを洗浄後、通常の熱酸化処理前の洗浄を行
い、２５nmの熱酸化膜を形成した。
でウエーハを洗浄後、通常の熱酸化処理前の洗浄を行
い、２５nmの熱酸化膜を形成した。
【００６２】洗浄の効果は酸化膜品質で評価した。具体
的にはＣｕデコレーション法で行った。Ｃｕデコレーシ
ョン法はＮＴＴの逸見氏らによって考案された酸化膜品
質評価法である。本評価法はＣｕ2+が溶存する液体の中
で、熱酸化膜に電位を印可すると、酸化膜が劣化してい
る部位に電流が流れ、Ｃｕ2+がＣｕとなって析出するこ
とを利用している。すなわち、Ｃｕデコレーション後の
Ｃｕ析出物が多いほど酸化膜欠陥が多いことを示す。
的にはＣｕデコレーション法で行った。Ｃｕデコレーシ
ョン法はＮＴＴの逸見氏らによって考案された酸化膜品
質評価法である。本評価法はＣｕ2+が溶存する液体の中
で、熱酸化膜に電位を印可すると、酸化膜が劣化してい
る部位に電流が流れ、Ｃｕ2+がＣｕとなって析出するこ
とを利用している。すなわち、Ｃｕデコレーション後の
Ｃｕ析出物が多いほど酸化膜欠陥が多いことを示す。
【００６３】実施例１と比較例１による洗浄を行ったウ
エーハについて、Ｃｕデコレーション法で評価した。使
用したＣｕデコレーション法の条件は次の通りである。 印可電圧：酸化膜にかかる電界強度で５ＭＶ／ｃｍ 処理時間：１５ｍｉｎ 処理薬液：メタノール Ｃｕ2+濃度：Ｃｕ電極の溶解を利用 評価方法：光学顕微鏡を用い倍率５０倍でＣｕ析出個数
を数える。視野をスキャンさせながら全観察面積が１ｃ
ｍ2 になるようにする。
エーハについて、Ｃｕデコレーション法で評価した。使
用したＣｕデコレーション法の条件は次の通りである。 印可電圧：酸化膜にかかる電界強度で５ＭＶ／ｃｍ 処理時間：１５ｍｉｎ 処理薬液：メタノール Ｃｕ2+濃度：Ｃｕ電極の溶解を利用 評価方法：光学顕微鏡を用い倍率５０倍でＣｕ析出個数
を数える。視野をスキャンさせながら全観察面積が１ｃ
ｍ2 になるようにする。
【００６４】評価の結果を図５に示す。比較例１の従来
の洗浄方法ではＣｕ析出物が数百個あるのに対し、実施
例１の本発明の洗浄法では析出物の数が十個程度であ
る。
の洗浄方法ではＣｕ析出物が数百個あるのに対し、実施
例１の本発明の洗浄法では析出物の数が十個程度であ
る。
【００６５】上記の実施例１及び比較例１では、故意に
金属不純物により汚染を行ったものであり、電気化学的
に金属不純物が析出し、不純物金属の下にＳｉＯ2 が生
成され、ＳｉＯ2 とＳｉとの界面に歪みを発生させたも
のである。
金属不純物により汚染を行ったものであり、電気化学的
に金属不純物が析出し、不純物金属の下にＳｉＯ2 が生
成され、ＳｉＯ2 とＳｉとの界面に歪みを発生させたも
のである。
【００６６】ここで、比較の為、比較例２として金属汚
染のない状態で従来の洗浄方法で洗浄を実施し、同じよ
うに評価した結果を図５に示す。これらの結果をみる
と、本発明の洗浄方法を行うことにより、例え工程中に
金属汚染があったとしても、汚染の無い時と同様の酸化
膜品質に回復していることがわかる。
染のない状態で従来の洗浄方法で洗浄を実施し、同じよ
うに評価した結果を図５に示す。これらの結果をみる
と、本発明の洗浄方法を行うことにより、例え工程中に
金属汚染があったとしても、汚染の無い時と同様の酸化
膜品質に回復していることがわかる。
【００６７】なお、実施例１ではＣｕ汚染であるため、
第１洗浄ステップとしてＣｕを除去できるＳＣ−１洗浄
を金属不純物除去のための洗浄としたが、ＳＣ−１洗浄
で除去が不可能な金属、例えばＰｄの場合は、図３に示
したように、第１洗浄ステップとしてＳＣ−２洗浄を行
ったが同様の結果が得られた。
第１洗浄ステップとしてＣｕを除去できるＳＣ−１洗浄
を金属不純物除去のための洗浄としたが、ＳＣ−１洗浄
で除去が不可能な金属、例えばＰｄの場合は、図３に示
したように、第１洗浄ステップとしてＳＣ−２洗浄を行
ったが同様の結果が得られた。
【００６８】また、図４に示したように研磨スラリー除
去のためのＳＣ−１洗浄を入れた後にＳＣ−２以降の洗
浄を行っても、同様な効果が得られた。
去のためのＳＣ−１洗浄を入れた後にＳＣ−２以降の洗
浄を行っても、同様な効果が得られた。
【００６９】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明のシリコンウ
エーハの洗浄方法によれば、微量の不純物金属がシリコ
ンウエーハ表面に析出しても、酸化膜耐圧不良を回避す
ることができ、良質のウエーハを確実にデバイス工程に
提供することができるという著大な効果が達成される。
エーハの洗浄方法によれば、微量の不純物金属がシリコ
ンウエーハ表面に析出しても、酸化膜耐圧不良を回避す
ることができ、良質のウエーハを確実にデバイス工程に
提供することができるという著大な効果が達成される。
【図１】本発明のシリコンウエーハの洗浄方法の一例を
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
【図２】シリコンよりイオン化傾向が小さい金属が付着
したシリコンウエーハを図１の洗浄方法で洗浄したとき
のウエーハ表面状態を模式的に示した説明図で、（ａ）
は洗浄前の状態、（ｂ）はＳＣ−１洗浄後の状態、
（ｃ）はＨＦ洗浄後の状態及び（ｄ）はＳＣ−２後の状
態をそれぞれ示す。
したシリコンウエーハを図１の洗浄方法で洗浄したとき
のウエーハ表面状態を模式的に示した説明図で、（ａ）
は洗浄前の状態、（ｂ）はＳＣ−１洗浄後の状態、
（ｃ）はＨＦ洗浄後の状態及び（ｄ）はＳＣ−２後の状
態をそれぞれ示す。
【図３】本発明のシリコンウエーハの洗浄方法の他の例
を示すフローチャートである。
を示すフローチャートである。
【図４】本発明のシリコンウエーハの洗浄方法の別の例
を示すフローチャートである。
を示すフローチャートである。
【図５】実施例１、比較例１及び２における酸化膜品質
をＣｕデコレーション法により評価した結果を示すグラ
フである。
をＣｕデコレーション法により評価した結果を示すグラ
フである。
【図６】従来のシリコンウエーハの洗浄方法の一例を示
すフローチャートである。
すフローチャートである。
【図７】酸化膜のないシリコンウエーハをシリコンより
イオン化傾向が小さい金属を含む水に浸漬したときのウ
エーハの表面状態を模式的に示した説明図である。
イオン化傾向が小さい金属を含む水に浸漬したときのウ
エーハの表面状態を模式的に示した説明図である。
【図８】シリコンよりイオン化傾向が小さい金属が付着
したシリコンウエーハを従来の洗浄方法で洗浄したとき
のウエーハ表面状態を模式的に示した説明図で、（ａ）
は洗浄前の状態及び（ｂ）は洗浄後の状態をそれぞれ示
す。
したシリコンウエーハを従来の洗浄方法で洗浄したとき
のウエーハ表面状態を模式的に示した説明図で、（ａ）
は洗浄前の状態及び（ｂ）は洗浄後の状態をそれぞれ示
す。
１ シリコンウエーハ、２ 不純物金属の析出物、３
ＳｉＯ2 、４ 歪み １２，１６，３０，３６，５２ ＳＣ−１洗浄、２２，
３２，５４ ＳＣ−２洗浄、１４，２４，３４ ＨＦ洗
浄
ＳｉＯ2 、４ 歪み １２，１６，３０，３６，５２ ＳＣ−１洗浄、２２，
３２，５４ ＳＣ−２洗浄、１４，２４，３４ ＨＦ洗
浄
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 内山 勇雄
福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平
150番地 信越半導体株式会社 半導体
白河研究所内
(56)参考文献 特開 平７−263384（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−135192（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−6993（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−216098（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−225229（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−144131（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−101418（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−211831（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/304
B08B 3/08
C23F 1/00
Claims (7)
- 【請求項１】シリコンウエーハの表面に電気化学的に析
出した金属を除去する第１ステップと、シリコンウエー
ハの表面に形成されたＳｉＯ2 を除去する第２ステップ
と、更にシリコンウエーハの表面の歪みを除去する第３
ステップとを有することを特徴とするシリコンウエーハ
の洗浄方法。 - 【請求項２】請求項１記載のシリコンウエーハの洗浄方
法であって、シリコンウエーハの表面に電気化学的に析
出した金属をＳＣ−１洗浄で除去した後、シリコンウエ
ーハの表面に形成されたＳｉＯ2をＨＦ洗浄で除去し、
更にＳＣ−１組成を有する洗浄液によりシリコンウエー
ハの表面をエッチングすることを特徴とするシリコンウ
エーハの洗浄方法。 - 【請求項３】請求項１記載のシリコンウエーハの洗浄方
法であって、シリコンウエーハの表面に電気化学的に析
出した金属をＳＣ−２洗浄で除去した後、シリコンウエ
ーハの表面に形成されたＳｉＯ2をＨＦ洗浄で除去し、
更にＳＣ−１組成を有する洗浄液によりシリコンウエー
ハの表面をエッチングすることを特徴とするシリコンウ
エーハの洗浄方法。 - 【請求項４】請求項１記載のシリコンウエーハの洗浄方
法であって、シリコンウエーハの表面に電気化学的に析
出した金属をＳＣ−１洗浄及びＳＣ−２洗浄で除去した
後、シリコンウエーハの表面に形成されたＳｉＯ2をＨ
Ｆ洗浄で除去し、更にＳＣ−１組成を有する洗浄液によ
りシリコンウエーハの表面をエッチングすることを特徴
とするシリコンウエーハの洗浄方法。 - 【請求項５】シリコンウエーハの製造工程において、シ
リコンウエーハの研磨直後、実施されることを特徴とす
る請求項１〜４のいずれか１項記載のシリコンウエーハ
の洗浄方法。 - 【請求項６】シリコンウエーハの製造工程において、研
磨直後のシリコンウエーハを水中保管した後、実施され
ることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の
シリコンウエーハの洗浄方法。 - 【請求項７】シリコンウエーハの製造工程において、表
面に自然酸化膜がない状態のシリコンウエーハを水中保
管した後、実施されることを特徴とする請求項１〜４の
いずれか１項記載のシリコンウエーハの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24252797A JP3528534B2 (ja) | 1997-09-08 | 1997-09-08 | シリコンウエーハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24252797A JP3528534B2 (ja) | 1997-09-08 | 1997-09-08 | シリコンウエーハの洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1187281A JPH1187281A (ja) | 1999-03-30 |
| JP3528534B2 true JP3528534B2 (ja) | 2004-05-17 |
Family
ID=17090448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24252797A Expired - Fee Related JP3528534B2 (ja) | 1997-09-08 | 1997-09-08 | シリコンウエーハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP3528534B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JP4870873B2 (ja) * | 2001-03-08 | 2012-02-08 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| KR100475272B1 (ko) * | 2002-06-29 | 2005-03-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자 제조방법 |
| KR100538884B1 (ko) * | 2004-03-30 | 2005-12-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래쉬 메모리소자의 제조방법 |
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| JP2006319282A (ja) * | 2005-05-16 | 2006-11-24 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP5168966B2 (ja) * | 2007-03-20 | 2013-03-27 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 研磨方法及び研磨装置 |
| JP4947393B2 (ja) * | 2007-07-24 | 2012-06-06 | 信越半導体株式会社 | 半導体基板の製造方法 |
| JP5304255B2 (ja) * | 2009-01-13 | 2013-10-02 | 住友電気工業株式会社 | 炭化ケイ素基板、エピタキシャルウエハおよび炭化ケイ素基板の製造方法 |
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-
1997
- 1997-09-08 JP JP24252797A patent/JP3528534B2/ja not_active Expired - Fee Related
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