JP5168966B2 - 研磨方法及び研磨装置 - Google Patents
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Description
最初に、本発明の予備的事項について説明する。
図1は、予備的事項に係る半導体製造装置の上面図である。
次に、上記した半導体製造装置100を用いた半導体装置の製造方法について説明する。
・研磨ヘッド104の圧力…280g重/cm2
・研磨ヘッド104の回転数…98回転/分
・プラテン102の回転数…110回転/分
・スラリ供給量…0.2リットル/分
なお、スラリとしては、Cabot社製のSS25を純水で1:1(体積比)に希釈したものを使用し得る。そして、研磨パッド101としては、ロデールニッタ社製のIC1010を使用し得る。
次に、半導体装置100を用いた半導体装置の製造方法の別の例について説明する。
上記した半導体装置の製造方法では、研磨面S1、S2の洗浄に際して、洗浄部101bにおいて最初にアンモニア水で洗浄し、次にフッ酸において洗浄した。
前記被研磨膜を研磨する工程と、
前記研磨により形成された研磨面の少なくとも一部領域をエッチングする作用のある酸性の第1洗浄液に前記研磨面を曝す第1のステップと、該第1のステップの後、アルカリ性の第2洗浄液に前記研磨面を曝す第2のステップとを行うことにより、前記研磨面を洗浄する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記一部領域における前記窒化シリコン膜に開口を形成する工程と、
前記開口を通じて前記半導体基板をエッチングすることにより素子分離溝を形成する工程とを更に有し、
前記被研磨膜を形成する工程において、該被研磨膜として前記酸化シリコン膜を前記素子分離溝内と前記窒化シリコン膜上とに形成し、
前記被研磨膜を研磨する工程において、前記窒化シリコン膜を研磨ストッパ膜として使用しながら、前記酸化シリコン膜を研磨して前記素子分離溝内に素子分離絶縁膜として残すことを特徴とする付記8に記載の半導体装置。
前記一部領域以外の前記酸化シリコン膜にホールを形成する工程とを更に有し、
前記被研磨膜を形成する工程において、該被研磨膜として前記タングステン膜を前記ホール内と前記酸化シリコン膜上とに形成し、
前記被研磨膜を研磨する工程において、前記タングステン膜を研磨して前記ホール内に導電性プラグとして残すと共に、前記一部領域に前記酸化シリコン膜を表出させることを特徴とする付記10に記載の半導体装置の製造方法。
前記研磨によって形成された研磨面の少なくとも一部領域をエッチングする作用のある酸性の第1洗浄液に前記研磨面を曝す第1洗浄槽と、
前記1洗浄液に曝された後の前記研磨面をアルカリ性の第2洗浄液に曝す第2洗浄槽と、
を有することを特徴とする半導体製造装置。
Claims (8)
- 半導体基板上に被研磨膜を形成する工程と、
前記被研磨膜を研磨する工程と、
前記研磨により形成された研磨面の少なくとも一部領域をエッチングする作用のある酸性の第1洗浄液に前記研磨面を曝す第1のステップと、該第1のステップの後、アルカリ性の第2洗浄液に前記研磨面を曝す第2のステップとを行うことにより、前記研磨面を洗浄する工程とを有し、
前記第1のステップは、洗浄用ブラシを前記研磨面に当てずに行われ、
さらに、前記第2のステップは、洗浄用ブラシを前記研磨面に当てながら行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1のステップ及び前記第2のステップは、前記半導体基板を縦に保持しながら行われることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記研磨面の前記一部領域に酸化シリコン膜が露出し、前記第1洗浄液としてフッ酸を使用することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2洗浄液としてアンモニア水を使用することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記研磨により、前記一部領域と該一部領域に隣接する他領域との境において、前記研磨面に段差が形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記研磨面が、前記一部領域に隣接する他領域に形成された窒化シリコン膜と、前記一部領域に形成された酸化シリコン膜とにより構成されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記研磨面が、前記一部領域に隣接する他領域に形成されたタングステン膜と、前記一部領域に形成された酸化シリコン膜とにより構成されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板上に形成された被研磨膜を研磨する研磨部と、
前記研磨によって形成された研磨面の少なくとも一部領域をエッチングする作用のある酸性の第1洗浄液に前記研磨面を曝す第1洗浄槽と、
前記第1洗浄槽に設置された第1の洗浄ブラシと、
前記1洗浄液に曝された後の前記研磨面をアルカリ性の第2洗浄液に曝す第2洗浄槽と、
前記第2洗浄槽に設置された第2の洗浄ブラシと、
を有し、
前記第1洗浄槽では洗浄中に前記第1の洗浄ブラシを前記研磨面に当てず、前記第2洗浄層では洗浄中に前記第2の洗浄ブラシを前記研磨面に当てることを特徴とする半導体製造装置。
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CN102626704B (zh) * | 2012-03-31 | 2017-01-11 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 化学机械研磨后清洗方法以及化学机械研磨方法 |
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CN103985658B (zh) * | 2014-05-27 | 2016-10-26 | 上海华力微电子有限公司 | 一种化学机械研磨后的清洗装置 |
CN105225924A (zh) * | 2014-06-18 | 2016-01-06 | 上海华力微电子有限公司 | 一种去除晶圆表面颗粒的方法 |
JP6358944B2 (ja) * | 2014-12-12 | 2018-07-18 | シチズン時計株式会社 | 電鋳部品の製造方法、電鋳部品、時計用電鋳部品及びベアリング |
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US10388537B2 (en) * | 2016-04-15 | 2019-08-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cleaning apparatus, chemical mechanical polishing system including the same, cleaning method after chemical mechanical polishing, and method of manufacturing semiconductor device including the same |
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JP2998687B2 (ja) * | 1997-03-14 | 2000-01-11 | 日本電気株式会社 | ブラシスクラブ装置 |
JPH1187287A (ja) * | 1997-09-05 | 1999-03-30 | Fujitsu Ltd | 基板の平坦化研磨方法 |
JP3528534B2 (ja) * | 1997-09-08 | 2004-05-17 | 信越半導体株式会社 | シリコンウエーハの洗浄方法 |
JP3371775B2 (ja) * | 1997-10-31 | 2003-01-27 | 株式会社日立製作所 | 研磨方法 |
JP3111979B2 (ja) * | 1998-05-20 | 2000-11-27 | 日本電気株式会社 | ウエハの洗浄方法 |
US6258697B1 (en) * | 2000-02-11 | 2001-07-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of etching contacts with reduced oxide stress |
JP2002009035A (ja) * | 2000-06-26 | 2002-01-11 | Toshiba Corp | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 |
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JP3578338B2 (ja) * | 2001-04-03 | 2004-10-20 | プロモス テクノロジーズ インコーポレイテッド | 平坦化プロセス後ウェハー表面残留粒子の除去方法 |
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JP2004200314A (ja) * | 2002-12-17 | 2004-07-15 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 半導体ウェーハの製造方法 |
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KR100614239B1 (ko) * | 2004-05-14 | 2006-08-18 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 방법 및 장치 |
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JP2005340328A (ja) * | 2004-05-25 | 2005-12-08 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2006120912A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
TWI241643B (en) * | 2005-01-19 | 2005-10-11 | United Microelectronics Corp | Cleaning method for semiconductor wafers |
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