JP2002237030A

JP2002237030A - 情報記録媒体用基板及びその製造方法

Info

Publication number: JP2002237030A
Application number: JP2001035608A
Authority: JP
Inventors: Junji Kurachi; 淳史倉知; Kazuishi Mitani; 一石三谷; Yasuhiro Saito; 靖弘斉藤
Original assignee: Nippon Sheet Glass Co Ltd
Current assignee: Nippon Sheet Glass Co Ltd
Priority date: 2001-02-13
Filing date: 2001-02-13
Publication date: 2002-08-23

Abstract

(57)【要約】【課題】データゾーンの高密度化に対処すべくフライ
ングハイトを従来よりもより一層低くした場合であって
も安定的に駆動させるようにした。【解決手段】研磨工程２でガラス基板１上に圧縮層と
非圧縮層を形成する。次いで、エッチング工程３では、
フッ酸と硫酸等を共存させた混合溶液でエッチング処理
を行った後（第１の表面処理６ａ）、水酸化カリウム等
のｐＨ１２以上のアルカリ性溶液を使用してアルカリ洗
浄を行い（第２の表面処理６ｂ）、その後フッ酸とフッ
化アルキルアンモニウム等のフッ化物塩とを共存させた
混合溶液でエッチング処理を行い（第３の表面処理６
ｃ）、その後化学強化処理工程８で化学強化を行い、２
ｎｍ以上の突起高さが３５０個／１００μｍ²以上、
３ｎｍ以上の突起高さが１０個／１００μｍ²以下、
最大突起高さが４ｎｍ以下のディスク基板を製造する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は情報記録媒体用基板
及びその製造方法に関し、より詳しくはハードディスク
ドライブ（以下、「ＨＤＤ」という）に代表される情報
記録装置に使用される情報記録媒体用基板及びその製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、情報技術の進展は目覚しく、情報
を記憶するための各種情報記録装置の開発も盛んに行わ
れているが、これら情報記録装置の主流を占めるものと
してハードディスクドライブ（以下、「ＨＤＤ」とい
う）がある。

【０００３】ＨＤＤは、ディスク基板に形成されたデー
タゾーン上を磁気ヘッドが滑走することによって情報の
記録再生を行ない、その方式としては、ＣＳＳ（Contac
t Start Stop）方式やランプロード方式が知られてい
る。

【０００４】ＣＳＳ方式は、ＣＳＳゾーンと呼称される
数十ｎｍ程度の均一な微小凹凸を主としてディスク基板
の内周又は外周に沿って設け、ディスク基板（磁気ディ
スク）が回転している間は磁気ヘッドが基板のデータゾ
ーン上を滑空し、ディスク基板が停止又は始動するとき
はディスク基板のＣＳＳゾーン上を滑走する。

【０００５】また、ランプロード方式は、ディスク基板
が回転している間は磁気ヘッドがディスク基板上を滑空
し、ディスク基板が停止するときは磁気ヘッドを所定の
格納位置に収納する。

【０００６】したがって、上記ＣＳＳ方式又はランプロ
ード方式のいずれの駆動方式においても、ディスク基板
が回転している間は、磁気ヘッドをディスク基板から僅
かに浮かせ、磁気ヘッドから数十ｎｍの間隙（以下、
「フライングハイト」という）を維持した状態でディス
ク基板の表面上を滑空することとなる。そして、ＨＤＤ
においては、ディスク基板上を滑空している磁気ヘッド
が該ディスク基板と接触した場合、磁気ヘッドに過大な
抵抗が負荷されるのを回避する必要があり、このため、
従来より、例えば平均粒径０．３μｍ〜３．０μｍの遊
離砥粒を含有した研磨剤を使用して精密研磨を行った
後、ケイフッ酸でエッチング処理することにより、テク
スチャと呼称される微小凹凸をディスク基板の表面に形
成する技術が知られている（特開２０００−１３２８２
９号公報；以下「第１の従来技術」という）。

【０００７】該第１の従来技術では、ディスク基板の表
面をケイフッ酸でエッチング処理することにより、研磨
剤により形成された研磨痕（擦禍痕）が突起として残存
し、ディスク基板の表面に微小凹凸（テクスチャ）が形
成される。しかも、ケイフッ酸はフッ酸やフッ化カリウ
ムを含むフッ酸水溶液に比べてエッチング速度が遅く、
エッチング力が弱いため、表面粗さを高精度に制御する
ことが可能になる。

【０００８】また、前記ケイフッ酸でエッチング処理を
施す前に加熱処理を施すことにより、突起高さを低減さ
せた技術も提案されている（特開２０００−３４８３４
４号公報；以下、「第２の従来技術」という）。

【０００９】該第２の従来技術では、ケイフッ酸で表面
処理する前に加熱処理を施すことにより、遊離砥粒によ
る研磨によってガラス基板表面に発生した残留歪みを緩
和し、これにより突起高さや突起密度、及びこれらのば
らつきを低減している。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年の情報
記憶量の膨大化に伴い、小形で大きな記憶容量を有する
ＨＤＤが要求されてきており、このためデータゾーンを
高密度化する必要があり、斯かるデータゾーンの高密度
化に対処すべく低フライングハイト化（例えば、１０ｎ
ｍ以下のフライングハイト）が要請されている。

【００１１】一方、フライングハイトが低くなると磁気
ヘッドと磁気ディスクとの間の空気層が狭くなり、この
ため磁気ヘッドの浮上安定性が低下する。

【００１２】したがって、安定的な低フライングハイト
化を実現するためには、ディスク基板上に付着している
微小な異物を完全に除去して磁気ヘッドが前記異物と衝
突するのを回避する必要があるのは勿論のこと、上記テ
クスチャの品質を向上させて磁気ヘッドの浮上安定性を
向上させる必要があり、そのためには微小凹凸の突起高
さを可能な限り低くすると共にその密度を高め、且つ前
記突起高さのばらつきを抑制する必要がある。

【００１３】しかしながら、上記第１の従来技術では、
平均粒径が０．３μｍ〜３．０μｍの研磨剤（遊離砥
粒）を使用して精密研磨を行っても、ケイフッ酸のエッ
チング速度が遅いため、研磨処理後のエッチング処理で
突起高さの大きな線状又は点状の異常突起が形成され、
このため上述したような１０ｎｍ以下のフライングハイ
トで磁気ディスクを駆動させた場合、磁気ヘッドが前記
異常突起に衝突して所謂ヘッドクラッシュやサーマルア
スペリティの発生する虞があるという問題点があった。

【００１４】また、上記第２の従来技術では、微小凹凸
の密度が低減されているため、磁気ヘッドが磁気ディス
クに固着し易く、磁気ディスクの始動時に磁気ヘッドが
磁気ディスクに粘着して磁気ディスクや磁気ヘッドの破
損を招来する虞があるという問題点があった。

【００１５】本発明はこのような事情に鑑みなされたも
のであって、データゾーンの高密度化に対処すべくフラ
イングハイトを従来よりもより一層低くした場合であっ
ても安定的に駆動させることのできる情報記録媒体用基
板及びその製造方法を提供することを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明者等の研究によ
り、１０ｎｍ以下の低フライングハイトで磁気ヘッドの
高精度な浮上安定性を確保するためには、ディスク基板
の表面に形成される微小突起の突起高さが、２ｎｍ以上の突起高さ：３５０個／１００μｍ²以上３ｎｍ以上の突起高さ：１０個／１００μｍ²以下突起起高さの平均値からの最大高さ（以下、「最大突
起高さ」という）Ｒｐ：４ｎｍ以下の３要件を充足する必要があることが判明した。

【００１７】そこで、本発明者等は、上記３要件を充足
するディスク基板を得るべき鋭意研究したところ、精密
研磨後にフッ酸を含む少なくとも二種以上の酸性溶液が
共存した混合溶液を使用してエッチング処理を行うこと
により、上記３要件を充足することのできるディスク基
板を製造することができるという知見を得た。

【００１８】本発明はこのような知見に基づきなされた
ものであって、本発明に係る情報記録媒体用基板は、研
磨剤を使用してガラス基板に精密研磨処理を施した後、
エッチング処理を施して情報記録媒体用基板を製造する
情報記録媒体用基板の製造方法において、前記エッチン
グ処理は、フッ酸を含む少なくとも二種以上の酸性溶液
が共存した混合溶液を使用して行うことを特徴としてい
る。

【００１９】ところで、上述した精密研磨処理では研磨
剤により研磨痕が形成された圧縮層と研磨痕の形成され
なかった非圧縮層がガラス基板上に形成されるが、上述
した二種以上の酸性溶液を共存させた混合溶液でエッチ
ング処理を行うと、ガラス基板を構成する成分の一部が
酸性溶液に溶出し、前記非圧縮層の表面に多孔質な変質
層が形成される。そして、本発明者等の研究により前記
変質層はアルカリ処理を行うことにより除去することが
できることが判明した。

【００２０】そこで、本発明の情報記録媒体用基板の製
造方法は、前記エッチング処理は、前記混合溶液で第１
の表面処理を行った後、アルカリ性溶液を使用して第２
の表面処理を行うことを特徴とするのも好ましい。

【００２１】さらに、前記混合溶液は、前記酸性溶液と
して硫酸、硝酸、塩酸、又はリン酸のうちの少なくとも
一種以上を含むことを特徴とするのが好ましく、斯かる
フッ酸と硫酸等の酸性溶液を共存させた混合溶液を使用
してエッチング処理を行なうことにより、上述した３要
件を充足した情報記録媒体用基板を容易に製造すること
ができる。

【００２２】また、情報記録媒体用基板においては、一
般に、耐衝撃性や耐振動性を向上させるために化学強化
処理を施して表面圧縮応力を高めることが行われるが、
本発明者等の実験結果により、斯かる化学強化処理を行
なった場合は３ｎｍ以上の突起高さを有する微小突起が
増加することが判明し、したがって化学強化処理前に突
起高さが３ｎｍ以上の微小突起の個数を抑制する必要が
ある。

【００２３】本発明者等は、斯かる観点から更に鋭意研
究を進めたところ、上述した第１及び第２の表面処理を
行った後、少なくともフッ酸を含む水溶液、特にフッ酸
及びフッ化物塩が共存した混合溶液で表面処理を行うと
３ｎｍ以上の突起高さの個数を１０個以下に抑制しつ
つ、２ｎｍ以上の突起高さの個数を増大させることがで
き、これにより突起高さの低い多数の微小突起を高密度
で形成することができるという知見を得た。しかも、突
起高さはフッ酸の濃度に比例して増加するため、上記第
１及び第２の表面処理でフッ酸濃度を低くしたために２
ｎｍ以上の突起高さの個数が少ない場合であっても上記
フッ酸を含む水溶液で再度表面処理を行なうことによ
り、２ｎｍ〜３ｎｍの突起高さを有する微小突起の個数
を増大させることができるという知見も併せて得た。

【００２４】そこで、本発明の情報記録媒体用基板の製
造方法は、前記エッチング処理が、前記混合溶液で第１
の表面処理を行った後、アルカリ性溶液を使用して第２
の表面処理を行い、その後少なくともフッ酸を含む水溶
液で第３の表面処理を行うことを特徴とし、さらに前記
フッ酸を含む水溶液は、前記フッ酸とフッ化物塩とが共
存した混合溶液であることを特徴としている。

【００２５】そして、フッ化物塩としては、フッ化テト
ラメチルアンモニウム等のフッ化アルキルアンモニウム
を使用するのが特に好ましく、第１及び第２の表面処理
で２ｎｍ以上の突起高さの個数が３５０個／１００μｍ
²以上とならない場合であっても、前記フッ化アルキル
アンモニウムを使用して第３の表面処理を行なった場合
は３ｎｍ以上の突起高さの個数を１０個／１００μｍ²
以下に抑制しつつ２ｎｍ以上の突起高さの個数を３５０
個／１００μｍ²以上に容易にすることができる。

【００２６】また、上記情報記録媒体用基板の製造方法
に使用されるガラス基板は、モル分率で、ＳｉO₂：６３
％〜７０％、Ａｌ₂Ｏ₃：４％〜１１％、Ｌｉ₂Ｏ：５％
〜１１％、Ｎａ₂Ｏ：６％〜１４％、ＴｉＯ₂：０％〜５
％、ＺｒO₂：０％〜２．５％、ＭｇO：０％〜６％、Ｃ
ａＯ：１％〜９％、ＳｒＯ：０％〜３％、及びＢａＯ：
０％〜２％（但し、ＭｇO、ＣａＯ、ＳｒＯ、及びＢａ
Ｏは総計で２％〜１５％）であるのが好ましい。

【００２７】また、本発明に係る情報記録媒体用基板
は、ガラス基板の表面に多数の微小突起が形成された情
報記録媒体用基板において、上記製造方法により製造さ
れたことを特徴とし、さらに前記微小突起の突起高さ
は、２ｎｍ以上の突起高さが３５０個／１００μｍ²以
上であって、３ｎｍ以下の突起高さが１０個／１００μ
ｍ²以下であり、且つ前記突起高さの平均値からの最大
突起高さが４ｎｍ以下であることを特徴としている。

【００２８】すなわち、上記製造方法により製造された
情報記録媒体用基板は、上記３要件を充足し、１０ｎｍ
以下の低フライングハイトで駆動させてもヘッドクラッ
シュやサーマルアスペリティ等が生じることもなく、良
好な浮上安定性を維持することができる。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳説する。

【００３０】図１は本発明の製造方法により製造された
情報記録媒体用基板としてのディスク基板の要部断面図
であって、該ディスク基板は、２ｎｍ以上の突起高さが３５０個／１００μｍ²以上３ｎｍ以上の突起高さが１０個／１００μｍ²以下突起起高さの平均値からの最大高さである最大突起高
さＲｐが４ｎｍ以下の３要件を充足するように、ガラス基板１の表面に多数
の微小突起２が形成されている。

【００３１】すなわち、ＨＤＤの分野においては、今日
のデータゾーンの高密度化に対処すべく磁気ヘッド及び
磁気ディスク間のフライングハイトを１０ｎｍ以下にす
ることが要請されており、そのためには１０ｎｍ以下の
フライングハイトで駆動させた場合であっても浮上安定
性を確保する必要がある。

【００３２】また、磁気ヘッドと磁気ディスクとが粘着
して始動時に障害が生じないようにする必要もあり、そ
のためにはガラス基板１の表面に多数の微小突起２を形
成する必要がある。

【００３３】すなわち、フライングハイトが１０ｎｍ以
下の場合であっても磁気ディスクを安定的に駆動させる
ためには、低くて均質な突起高さを有する多数の微小突
起２を形成する必要があり、そのためには上記３要件を
充足させることが重要である。

【００３４】次に、上記ディスク基板の製造方法を説明
する。

【００３５】図２は上記ディスク基板の製造方法を示す
製造工程図である。

【００３６】本実施の形態では、ガラス基板１として、
ＳｉＯ₂:６３mol％〜７０mol％、Ａｌ₂Ｏ₃：４mol％〜
１１mol％、Ｌｉ₂Ｏ：５mol％〜１１mol％、Ｎａ₂Ｏ:６
mol％〜１４mol％、Ｋ₂Ｏ:０mol％〜２mol％、ＴｉＯ₂:
０mol％〜５mol％、ＺｒＯ₂:０mol％〜２．５mol％、Ｍ
ｇＯ:０mol％〜６mol％、ＣａＯ:１mol％〜９mol％、Ｓ
ｒＯ：０mol％〜３mol％、ＢａＯ:０mol％〜２mol％
（但し、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯの総計は２
mol％〜１５mol％）からなる化学組成を有するアルミノ
シリケート系ガラスを使用している。

【００３７】以下、上記組成範囲の設定理由について述
べる。

【００３８】ＳｉＯ₂はガラスを構成する主成分である
が、その含有率が６３％未満になるとガラスの耐久性が
悪化する一方、その含有率が７０mol％を超えると粘度
が上がり過ぎて溶融が困難になる。このため、本実施の
形態では、ＳｉＯ₂の含有率を６３mol％〜７０mol％に
設定した。

【００３９】Ａｌ₂Ｏ₃は化学強化処理時におけるイオン
交換速度を高め、ガラスの耐久性を向上させる成分であ
り、また、酸性水溶液に対して溶出し易く、したがって
酸性水溶液に対してエッチングを促進する成分である。
しかし、その含有率が４mol％未満になると所期の効果
を発揮することができず、一方その含有率が１１mol％
を超えると粘度が上がり過ぎて耐失透性が低下し、溶融
が困難になる。このため、本実施の形態では、Ａｌ₂Ｏ₃
の含有率を４mol％〜１１mol％に設定した。

【００４０】Ｌｉ₂Ｏはアルカリ金属酸化物であり、化
学強化処理時には大きなイオン半径を有するアルカリ金
属イオンとイオン交換されると共に、ガラス溶解時の溶
解性を高める成分であり、さらに酸性水溶液に対して溶
出し易く、したがって酸性水溶液に対してエッチングを
促進する成分である。しかし、その含有率が５mol％未
満の場合は、イオン交換後の表面圧縮応力が不足し、し
かも粘度が上がって溶融が困難になる。一方、その含有
率が１１mol％を超えると化学的耐久性が悪化する。こ
のため、本実施の形態では、Ｌｉ₂Ｏの含有率を５mol％
〜１１mol％に設定した。

【００４１】Ｎａ₂ＯもＬｉ₂Ｏと同様、アルカリ金属酸
化物であり、化学強化処理時には大きなイオン半径を有
するアルカリ金属イオンとイオン交換されると共に、ガ
ラス溶解時の溶解性を高め、また酸性水溶液に対して溶
出し易く、したがって酸性水溶液に対してエッチングを
促進する成分である。しかし、その含有率が６mol％未
満の場合は、イオン交換後の表面圧縮応力が不足し、し
かも粘度が上がって溶融が困難になり、またその含有率
が１４mol％を超えると化学的耐久性が悪化する。そこ
で、本実施の形態ではＮａ₂Ｏの含有率を６mol％〜１４
mol％に設定した。

【００４２】Ｋ₂Ｏもアルカリ金属酸化物であり、ガラ
ス溶解時の溶解性を高め、酸性水溶液に対して溶出を促
進する成分であり、酸性水溶液に対してエッチングを促
進する成分であるが、その含有率が２mol％を超えると
化学的耐久性が悪化する。このため、本実施の形態では
Ｋ₂Ｏの含有率を０mol％〜２mol％に設定した。

【００４３】ＴｉＯ₂はガラスの化学的耐久性を向上さ
せる成分であるが、その含有率が５mol％を超えるとガ
ラスの液相温度が上昇し、耐失透性が悪化する。このた
め、本実施の形態ではＴｉＯ₂の含有率を０mol％〜５mo
l％に設定した。

【００４４】ＺｒＯ₂はガラスの化学的耐久性を向上さ
せる成分であるが、その含有率が２．５mol％を超える
とガラス溶解時に微細な結晶として析出する虞がある。
このため、本実施の形態ではＺｒＯ₂の含有率を０mol％
〜２．５mol％に設定した。

【００４５】ＭｇＯはアルカリ土類金属酸化物であり、
ガラスの溶解性を高め、また酸性水溶液に対してエッチ
ングを促進する。しかし、その含有率が６mol％を超え
るとガラスの液相温度が上昇し、耐失透性が悪化するた
め、本実施の形態ではＭｇＯの含有率を０mol％〜６mol
％に設定した。

【００４６】ＣａＯもＭｇＯと同様、アルカリ土類金属
酸化物であり、ガラスの溶解性を高め、また酸性水溶液
に対してエッチングを促進する。そして、所期の作用・
効果を発揮するために少なくとも１mol％以上含有させ
る必要があり、また、その含有率が９mol％を超えると
ガラスの液相温度が上昇し、耐失透性が悪化する。この
ため本実施の形態ではＣａＯの含有率を１mol％〜９mol
％に設定した。

【００４７】ＳｒＯ及びＢａＯも、ＣａＯやＭｇＯと同
様、アルカリ土類金属酸化物であって、ガラスの溶解性
を高める成分であり、酸性水溶液に対してエッチングを
促進する。しかし、ＳｒＯの含有率が３mol％、ＢａＯ
の含有率が２mol％を夫々超えるとガラス基板の比重が
重くなりすぎて好ましくなく、このため、本実施の形態
ではＳｒＯの含有率を０mol％〜３mol％、ＢａＯの含有
率を０mol％〜２mol％に夫々設定した。

【００４８】そして、本実施の形態では、上述したアル
カリ土類金属酸化物、すなわちＭｇＯ、ＣａＯ、Ｍｇ
Ｏ、ＳｒＯ及びＢａＯの含有率は、総計で２mol％〜１
５mol％とされている。

【００４９】すなわち、これらアルカリ土類金属酸化物
の総計が２mol％未満の場合は酸性溶液に対してエッチ
ングを促進するという所期の作用・効果を発揮すること
ができず、一方前記総計が１５mol％を超えた場合は耐
失透性が悪化したり比重が重くなりすぎ、ディスク基板
として好ましくない。そこで、本実施の形態では、前記
アルカリ土類金属酸化物の含有率を、総計で２mol％〜
１５mol％に設定した。

【００５０】次に、前記ガラス基板１に粗研削を施して
略所定寸法に仕上げた後、研磨工程３に進む。そして研
磨工程３では、遊離砥粒を研磨液に分散させた研磨剤を
使用してガラス基板１の表面を精密研磨する。

【００５１】該研磨工程３では、精密研磨により遊離砥
粒がガラス基板１上に負荷されて研磨痕が形成され、そ
の結果、図３に示すように、ガラス基板１は研磨痕によ
って圧縮歪みの生じた圧縮層４と研磨痕の形成されない
非圧縮層５とが混在する。そして、本実施の形態では、
圧縮層４の圧縮深さＤが５ｎｍ〜１５ｎｍとなるように
遊離砥粒により精密研磨されている。

【００５２】すなわち、圧縮層４の圧縮深さＤを５ｎｍ
未満とすると、後述するエッチング処理で形成される微
小突起の突起高さが低くなり過ぎてテクスチャ形成に支
障を来たす。一方、圧縮深さＤが１５ｎｍを超えると圧
縮層が離散的とはならずに砥粒の擦過痕に沿った連続状
となり、後述するエッチング処理を行なった場合、山脈
状になってしまう。

【００５３】そこで、本実施の形態では、圧縮層４の圧
縮深さＤが５ｎｍ〜１５ｎｍとなるように遊離砥粒で精
密研磨を行う。

【００５４】尚、遊離砥粒の種類は特に限定されない
が、情報記録媒体用基板に要求される優れた表面平滑性
を得るためには酸化セリウム（ＣｅＯ₂）、マンガン酸
化物、ジルコニア酸化物、チタニア酸化物、ＳｉＯ₂、
ダイヤモンド砥粒を使用するのが好ましい。

【００５５】また、遊離砥粒の粒径も、特に限定される
ものではないが、優れた表面平滑性と研磨速度を得るた
めには、粒径０．０１μｍ〜３μｍ程度の遊離砥粒を使
用するのが好ましい。

【００５６】また、研磨方法も特に限定されないが、人
工皮革からなるスエードタイプの研磨パッドを上定盤及
び下定盤に貼り付けた両面研磨機を使用すれば、低コス
トで両面を精密研磨することができる。

【００５７】次に、エッチング工程６に進み、第１〜第
３の表面処理６ａ〜６ｃを行う。

【００５８】まず、第１の表面処理６ａでは、圧縮層４
の形成されたガラス基板１をフッ酸を含む少なくとも二
種以上の酸性溶液が共存した混合溶液でエッチング処理
する。

【００５９】すなわち、高密度化された圧縮層４では緻
密化したＳｉＯ₂がその他の成分の溶出を妨げるため、
溶解性が小さくなってエッチングされ難くなる。つま
り、図４に示すように、圧縮層４及び非圧縮層５は共に
エッチングされるが、圧縮層４は非圧縮層５に比べてエ
ッチング速度が遅いため、ガラス基板１の表面には微小
突起２が形成される（図中、仮想線はエッチング処理前
のガラス基板１の表面を示している）。

【００６０】そして、フッ酸のみでエッチング処理を行
った場合、突起高さＨはフッ酸濃度に比例し、フッ酸の
濃度を低くしたときは突起高さＨが３ｎｍを超える微小
突起２の個数を１０個／１００μｍ²以下に抑制するこ
とができるが、２ｎｍを超える微小突起２の個数も３５
０個／１００μｍ²以下となり、上記要件を充足しな
くなる。一方、フッ酸の濃度を高くしたときは突起高さ
Ｈが２ｎｍを超える微小突起２の個数は増加するが、３
ｎｍ以上の突起高さＨを有する微小突起２の個数も１０
個／１００μｍ²を超え、しかも最大突起高さＲｐも大
きくなるため、上記要件、を充足しなくなる。

【００６１】ところが、エッチング力に優れたフッ酸に
加え、エッチング液自体がフッ酸の有する水素イオン濃
度よりも大きな水素イオン濃度を有する酸性溶液（以
下、「第１の混合溶液」という）を使用してエッチング
処理を行った場合は、圧縮層４と非圧縮層５とでエッチ
ング速度の差異を拡大させることができる。したがっ
て、フッ酸と硫酸等の酸性溶液とが共存した第１の混合
液を使用してエッチング処理を施した場合は、僅かなエ
ッチング時間で上記３要件を充足した微小突起２を容易
に形成することができる。

【００６２】すなわち、圧縮層４と非圧縮層５とでエッ
チング速度の差異が拡大するため、非圧縮層５では難エ
ッチングの圧縮層４に比べエッチングが速やかに行わ
れ、その結果、突起高さＨが３ｎｍを超える微小突起２
の生成は抑制される一方で、突起高さＨが２ｎｍ以上の
微小突起２の生成を増大させることができ、これにより
上記３要件を充足するディスク基板を作製することがで
きる。

【００６３】そして、第１の表面処理６ａでは、エッチ
ング深さＬが２ｎｍ〜１５ｎｍとなるようにエッチング
処理を行う。

【００６４】すなわち、一般に突起高さＨは、圧縮層４
の圧縮深さＤや圧縮密度に依存し、圧縮層４の圧縮深さ
Ｄが浅い場合や圧縮密度が小さい場合は低く形成される
が、エッチング深さＬが圧縮深さＤより小さくなるよう
にエッチング量を制御すると、突起高さＨは圧縮深さＤ
と無関係になり、突起高さＨはエッチング量を依存した
均質な高さになるため、突起高さＨをエッチング量で制
御するのが望ましい。

【００６５】しかるに、本実施の形態では圧縮層４の最
大圧縮深さＤが１５ｎｍであるため、エッチング深さＬ
が１５ｎｍを超えると突起高さＨをエッチング量で制御
することができなくなり、均一な突起高さＨを得ること
ができなくなる。一方、エッチング深さＬが２ｎｍ未満
の場合は所望の微小突起２が形成されず、テクスチャを
形成するのに支障を来たす。

【００６６】そこで、本実施の形態では、エッチング深
さＬが２ｎｍ〜１５ｎｍとなるようにエッチング処理を
行う。

【００６７】尚、第１の混合溶液ではフッ酸と共存する
酸性溶液は特に限定されないが、所望のエッチング作用
を呈するためには、水素イオン濃度ｐＨが４以下である
ことが好ましく、具体的には、硫酸、硝酸、塩酸、りん
酸の中から選択された一種又は二種以上を使用すること
ができる。

【００６８】次に、第２の表面処理６ｂではアルカリ性
溶液を使用してアルカリ洗浄を行う。すなわち、上述し
たように非圧縮層５はＳｉＯ₂成分以外の成分を選択的
にエッチングするが、その結果、ＳｉＯ₂に富んだ成分
が溶出し、非圧縮層５の表面には多孔質な変質層（不図
示）が形成される。

【００６９】そこで、上記第１の表面処理６ａでは、ア
ルカリ性溶液でアルカリ洗浄を行い変質層を除去し、表
層面を硬化する。

【００７０】アルカリ性水溶液の種類は特に限定されな
いが、変質層を短時間で効率良く完全に除去するために
は水素イオン濃度ｐＨが１２以上であるのが好ましく、
具体的には水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等を使用
することができる。

【００７１】次に、このようにして混合溶液及びアルカ
リ性水溶液で表面処理されたガラス基板１を乾燥した
後、第３の表面処理６ｃを行う。

【００７２】すなわち、第１及び第２の表面処理６ａ、
６ｂにおけるエッチング処理ではガラス基板１上に圧縮
層４が残存しているため、第３の表面処理６ｃでフッ酸
を含む水溶液を使用して圧縮層４を更にエッチングす
る。

【００７３】つまり、後述する化学強化処理等のように
加熱処理を行った場合は圧縮層４が熱により緩和されて
膨張するため、突起高さＨにばらつきが生じ、その結
果、３ｎｍ以上の突起高さＨを有する微小突起２の個数
が増大して上記要件を充足しなくなる。

【００７４】そこで、フッ酸よりも水素イオン濃度ｐＨ
の高い水溶液（以下、「第２の混合溶液」という）を調
製し、該第２の混合溶液を使用して圧縮層４を更にエッ
チングし、これにより化学強化処理等の加熱処理が行わ
れた場合であっても３ｎｍ以上の突起高さＨを有する微
小突起２の個数が増大するのを防止している。

【００７５】しかも、このように第２の混合溶液で第３
の表面処理を行なうことにより、第１及び第２の表面処
理で２ｎｍ以上の突起高さの少ない微小突起が形成され
た場合であっても３ｎｍ以上の突起高さＨを有する微小
突起２の個数を抑制しつつ、２ｎｍ以上の突起高さの個
数のみを増大させることができる。

【００７６】第２の混合溶液の調製方法としては、例え
ば、相対的に濃度の高いフッ酸と相対的に濃度の低いア
ルカリ性水溶液とを混合することにより、フッ酸の一部
とアルカリ性水溶液とを反応させてフッ化物塩を生成
し、該フッ化物塩とフッ酸とを共存させる方法や、フッ
化物塩をフッ酸と直接的に共存させる方法があり、前者
に使用されるアルカリ性水溶液としては、ガラス基板１
から溶出した成分と難溶性塩を作製し難い分子量の小さ
い高級アミンの水酸化物が好ましく、具体的には水酸化
テトラメチルアンモニウム（以下、「ＴＭＨＡ」とい
う）や水酸化トリメチルアンモニウム等を使用すること
ができ、また後者のフッ化物塩としてはフッ化アンモニ
ウム等を使用することができる。

【００７７】尚、第１〜第３の表面処理６ａ〜６ｃにお
ける処理時間や処理温度は、特に限定されず、薬液の濃
度やガラス基板１のエッチング速度に応じて適宜決定さ
れるが、製造コスト等を考慮すると、洗浄時間は１分〜
２０分、洗浄温度は７０℃以下に設定するのが好まし
い。

【００７８】処理方法としては、本実施の形態ではガラ
ス基板１を第１の混合溶液やアルカリ性溶液に浸漬して
行う。この場合、ガラス基板１に超音波を印加しながら
洗浄を行って良い。また、斯かる超音波の印加は一定周
波数下で行ってもよく、異なる複数の周波数を同時に印
加したり、或いは周波数を経時的に変化させてもよい。
また、超音波の出力も特に限定されないが、一般的には
低周波数であって出力が高い程、ガラス基板１に与える
ダメージも強くなるため、斯かる点を考慮して決定する
のが好ましい。

【００７９】尚、処理方法としては、上述の浸漬方式の
他、シャワー方式、噴射方式等を使用してもよく、その
際、スポンジ等をガラス基板１に接触させて擦るように
するのも好ましい。

【００８０】次に、このように第１から第３の表面処理
６ａ〜６ｅが施されたガラス突起を乾燥させた後、化学
強化処理工程に進む。

【００８１】尚、乾燥方法も特に限定されるものではな
く、イソプロピルアルコール(ＩＰＡ)蒸気中にガラス基
板１を浸漬するＩＰＡ蒸気乾燥法や、ガラス基板１を高
速回転させて洗浄水を除去するスピン乾燥法等を使用す
ることができる。

【００８２】そして、化学強化処理工程８では、所定温
度に調整された溶融塩、例えば硝酸カリウム（ＫＮ
Ｏ₃）と硝酸ナトリウム（ＮａＮＯ₃）の混合溶液からな
る溶融塩にガラス基板を所定時間浸漬し、ガラス基板の
化学成分中のＬｉ⁺¹やＮａ⁺¹をイオン半径の大きいＫ⁺¹
にイオン交換する化学強化処理を実行する。そして、こ
のような化学強化処理を行うことにより表面圧縮応力が
高められ、これにより磁気ディスクを高速回転させても
破損するのを防止することができる。

【００８３】このようにして化学強化処理が行われた場
合であっても上記３要件を充足するディスク基板が製造
され、これにより１０ｎｍ以下の低フライングハイトで
磁気ディスクを駆動させてもヘッドクラッシュやサーマ
ルアスペリティが生じることもなく、磁気ヘッドの浮上
安定性を損なうことのない磁気ディスクを得ることがで
きる。また、本ディスク基板は微小突起２が多数形成さ
れているので、磁気ヘッドが磁気ディスクに固着して再
始動時に両者が粘着して破損することもなく、過度時に
おいても円滑な駆動を確保することができる。

【００８４】

【実施例】次に、本発明の実施例を具体的に説明する。

【００８５】本発明者等は、ＳｉＯ₂：６７mol％、Ａｌ
₂Ｏ₃：１０mol％、Ｌｉ₂Ｏ：７．５mol％、Ｎａ₂Ｏ：
８．５mol％、ＭｇＯ：３．０mol％、ＣａＯ：４．０mo
l％の化学組成を有するアルミノシリケートガラスに対
し、ダイヤモンド砥石を使用して研削加工を施し、外径
６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、板厚０．６ｍｍのドーナツ状
ガラス基板を作製した。

【００８６】次いで、ＣｅＯ₂砥粒が研磨液に分散され
た研磨剤（ＣｅＯ₂砥粒の粒径１．２μｍ）と人工皮革
製のスエードタイプの研磨パッドを使用して前記ガラス
基板を研磨し、その後、純水でシャワー洗浄し、ガラス
基板の表面に付着した研磨剤の粗落しを行った（精密研
磨）。

【００８７】次に、このようにして精密研磨が施された
ガラス基板に対し、下記第１〜第３の実施例に示すよう
な表面処理を行い、その表面性状を評価した。

【００８８】〔第１の実施例〕（実施例１）温度５０℃に保持した０.０１１ｗｔ％の
フッ酸（ＨＦ）と０．５ｗｔ％の硫酸（Ｈ₂ＳＯ₄）とを
含む第１の混合溶液を調製し、周波数４８ＫＨｚ、出力
１Ｗ/ｃｍ²の超音波を照射しながら前記ガラス基板を
２．５分間前記混合溶液に浸漬し、その後該ガラス基板
を純水浴中に浸漬して十分に洗浄した（第１の表面処
理）。次いで、前記ガラス基板を水素イオン濃度ｐＨが
１２の水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液中に２．５分間
浸漬し、その後ガラス基板を純水浴中に浸漬して洗浄す
る操作を３回繰り返し、その後ＩＰＡ蒸気中で１分間乾
燥させ（第２の表面処理）、ガラス基板に多数の微小突
起が形成された実施例１の試験片を作製した。

【００８９】（実施例２）温度５０℃に保持した０.０
１０ｗｔ％のフッ酸（ＨＦ）と０．５ｗｔ％の硫酸（Ｈ
₂ＳＯ₄）とを含む第１の混合溶液を調製し、該第１の混
合溶液を使用し、上記実施例１と同様の方法・手順で第
１及び第２の表面処理を行い、実施例２の試験片を作製
した。

【００９０】（実施例３）温度５０℃に保持した０.０
１２ｗｔ％のフッ酸（ＨＦ）と０．５ｗｔ％の硫酸（Ｈ
₂ＳＯ₄）とを含む第１の混合溶液を調製し、該第１の混
合溶液を使用し、上記実施例１と同様の方法・手順で第
１及び第２の表面処理を行い、実施例３の試験片を作製
した。

【００９１】（比較例１）温度５０℃に保持した０.０
０３ｗｔ％のフッ酸（ＨＦ）を使用し、周波数４８ＫＨ
ｚ、出力１Ｗ/ｃｍ²の超音波を照射しながら前記ガラス
基板を２．５分間前記フッ酸に浸漬し、その後該ガラス
基板を純水浴中に浸漬して十分に洗浄した。次いで、上
記実施例１と同様の方法・手順で第２の表面処理を行
い、比較例１の試験片を作製した。

【００９２】（比較例２）温度５０℃に保持した０.０
１０ｗｔ％のフッ酸（ＨＦ）を使用し、上記比較例１と
同様の方法・手順で表面処理を行い、比較例２の試験片
を作製した。

【００９３】（比較例３）温度５０℃に保持した０.０
１５ｗｔ％のフッ酸（ＨＦ）を使用し、上記比較例１と
同様の方法・手順で表面処理を行い、比較例３の試験片
を作製した。

【００９４】次に、これら実施例１〜３、及び比較例１
〜３の試験片について表面粗さＲａ（ｎｍ）、最大突起
高さＲｐ（ｎｍ）、２ｎｍ以上の突起高さの個数（個／
１００μｍ²）、３ｎｍ以上の突起高さの個数（個／１
００μｍ²）を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で測定し、ガ
ラス基板の表面状態、すなわちテクスチャの形成状態を
評価した。尚、原子間力顕微鏡は、デジタルインスツル
メンツ社製のナノスコープIIIａを使用し、タッピング
モードで測定した。

【００９５】表１は上記各試験片の表面性状を示してい
る。

【００９６】

【表１】

【００９７】尚、エッチング深さＬは、精密研磨された
ガラス基板の一部を市販のマスキング剤で被覆し、アル
カリ性溶液による第２の表面処理が終了した時点で前記
マスキング剤をガラス基板の表面から剥離させ、ガラス
基板のマスキング部位の表面と微小突起の底部との差異
を測定して算出した。

【００９８】この表１から明らかなように、比較例１〜
３はフッ酸以外の他の酸性溶液を共存させることなくエ
ッチング処理しているので、２ｎｍ以上の突起個数が多
い場合は３ｎｍ以上の突起個数も多くなり、２ｎｍ以上
の突起個数が少ない場合は３ｎｍ以上の突起個数も少な
くなっている。

【００９９】すなわち、フッ酸のみを使用してエッチン
グ処理を行った場合は、微小突起の突起高さがフッ酸濃
度に依存するため、比較例１又は２のようにフッ酸濃度
が０．０１０ｗｔ％以下の場合は３ｎｍ以上の突起個数
は抑制することができるが、２ｎｍ以上の突起個数も少
なくなり、上記要件を充足することができない。ま
た、比較例３のようにフッ酸濃度を０．０１５ｗｔ％と
増加させた場合は２ｎｍ以上の突起個数は増加するが、
３ｎｍ以上の突起個数も増加し、しかもこの場合は最大
突起高さＲｐも５．０ｎｍとなって４．０ｎｍを超えて
しまい、上記要件を充足することができない。

【０１００】これに対し実施例１〜３は、フッ酸と硫酸
とを共存させて水素イオンを増加させた第１の混合溶液
を使用してエッチング処理を行っているので、上記３要
件を充足することのできるディスク基板を得ることがで
きることが判る。

【０１０１】〔第２の実施例〕（実施例４）温度５０℃に保持した０.００３ｗｔ％の
フッ酸（ＨＦ）と０．５ｗｔ％の硫酸（Ｈ₂ＳＯ₄）とを
含む第１の混合溶液を調製した後、該第１の混合溶液を
使用して上記実施例１と同様の方法・手順で第１及び第
２の表面処理を行った。次いで、温度５０℃に保持した
０.０２５ｗｔ％のフッ酸（ＨＦ）と０．００５ｗｔ％
のＴＭＨＡとを含む第２の混合溶液を調製し、該第２の
混合溶液中にガラス基板を２．５分間浸漬し、その後ガ
ラス基板を純水浴中に浸漬して洗浄する操作を３回繰り
返し、その後ＩＰＡ蒸気中で１分間乾燥させ（第３の表
面処理）、実施例４の試験片を作製した。

【０１０２】（実施例５）温度５０℃に保持した０.０
０３ｗｔ％のフッ酸（ＨＦ）と０．５ｗｔ％の硝酸（Ｈ
ＮＯ₃）とを含む第１の混合溶液を調製した後、該第１
の混合溶液を使用して上記実施例１と同様の方法・手順
で第１及び第２の表面処理を施した。次いで、実施例４
と同様の方法・手順で第３の表面処理を施し、実施例５
の試験片を作製した。

【０１０３】（実施例６）温度５０℃に保持した０.０
０３ｗｔ％のフッ酸（ＨＦ）と０．５ｗｔ％の塩酸（Ｈ
Ｃｌ）とを含む第１の混合溶液を調製した後、該第１の
混合溶液を使用し、上記実施例１と同様の方法・手順で
第１及び第２の表面処理を施した。次いで、実施例４と
同様の方法・手順で第３の表面処理を施し、実施例６の
試験片を作製した。

【０１０４】（実施例７）温度５０℃に保持した０.０
０３ｗｔ％のフッ酸（ＨＦ）と０．５ｗｔ％のリン酸
（Ｈ₃ＰＯ₄）とを含む第１の混合溶液を調製した後、該
第１の混合溶液を使用し、上記実施例１と同様の方法・
手順で第１及び第２の表面処理を施した。次いで、実施
例４と同様の方法・手順で第３の表面処理を施し、実施
例７の試験片を作製した。

【０１０５】（実施例８）温度５０℃に保持した０.０
０５ｗｔ％のフッ酸（ＨＦ）と０．５ｗｔ％の硫酸（Ｈ
₂ＳＯ₄）とを含む第１の混合溶液を調製した後、該第１
の混合溶液を使用し、上記実施例１と同様の方法・手順
で第１及び第２の表面処理を施した。次いで、温度５０
℃に保持した０.０１０ｗｔ％のフッ酸（ＨＦ）と０．
０４０ｗｔ％のフッ化アンモニウム（ＮＨ₄Ｆ）とを含
む第２の混合溶液を調製し、実施例４と同様の方法・手
順で第３の表面処理を施し、実施例８の試験片を作製し
た。

【０１０６】（実施例９）実施例４と同様の方法・手順
で第１及び第２の表面処理を施した後、０．００３ｗｔ
％のフッ酸（ＨＦ）を使用し、実施例４と同様の方法・
手順で第３の表面処理を施し、実施例９の試験片を作製
した。

【０１０７】次に、本発明者等は、実施例４〜９につい
て、第１の実施例と同様の方法・手順で第２の表面処理
が終了した後（１段処理後）、及び第３の表面処理が終
了した後（２段処理後）に夫々の表面性状を測定した。

【０１０８】表２は１段処理後の表面性状を示し、表３
は２段処理後の表面性状を示している。

【０１０９】

【表２】

【０１１０】

【表３】

【０１１１】この表２から明らかなように、実施例４〜
７ではフッ酸濃度が０．０３０ｗｔ％と小さいため３ｎ
ｍ以上の突起個数は極めて少なく、また、２ｎｍ以上の
突起個数も１２０〜１４０個／１００μｍ²と少ない
が、２段処理を行うことにより圧縮層でのエッチングが
促進され、その結果表３に示すように３ｎｍ以上の突起
個数が抑制される一方で、２ｎｍ以上の突起個数が飛躍
的に増大している。

【０１１２】また、実施例８は、１段処理（表２）にお
けるフッ酸濃度が０．０５０ｗｔ％と実施例４〜７に比
べて大きくなっているため、３ｎｍ以上の突起個数、及
び２ｎｍ以上の突起個数が共に増加しているが、２段処
理を行うことにより圧縮層でのエッチングが促進され、
その結果表３に示すように、２ｎｍ以上の突起個数も３
９０個／１００μｍ²となって３５０個／１００μｍ²以
上に増加する。

【０１１３】また、実施例９は、２段処理を０．０２０
ｗｔ％のフッ酸水溶液で行っているため、１段処理の表
面性状と比較すると２ｎｍ以上の突起個数、及び３ｎｍ
以上の突起個数が双方とも増加しているが、上記３要件
は充足することが確認された。

【０１１４】〔第３の実施例〕（実施例１０）試薬１級の硝酸ナトリウムと試薬１級の
硝酸カリウムとを重量比で４０：６０に調合して温度３
８０℃の溶融塩を作製し、実施例２の試験片を前記溶融
塩中に浸漬して３時間保持し、これによりガラス基板中
のＬｉ⁺¹やＮａ⁺¹をイオン半径の大きいＫ⁺¹にイオン交
換する化学強化処理を行った。

【０１１５】そしてこの後、前記化学強化処理が施され
たガラス基板（実施例２の試験片）を純水浴中に浸漬
し、該ガラス基板の表面に付着している溶融塩を洗い流
し、実施例１０の試験片を作製した。

【０１１６】（実施例１１）上述と同様の方法・手順で
実施例９の試験片に化学強化処理を施し、その後、前記
化学強化処理が施されたガラス基板（実施例９の試験
片）を純水浴中に浸漬し、該ガラス基板の表面に付着し
ている溶融塩を洗い流し、実施例１１の試験片を作製し
た。

【０１１７】（実施例１２）上述と同様の方法・手順で
実施例４の試験片に化学強化処理を施し、その後、前記
化学強化処理が施されたガラス基板（実施例４の試験
片）を純水浴中に浸漬し、該ガラス基板の表面に付着し
ている溶融塩を洗い流し、実施例１２の試験片を作製し
た。

【０１１８】次に、第１の実施例と同様の方法・手順で
化学強化処理の施された実施例１０〜１２について夫々
の表面性状を測定した。表４は実施例１０〜１２の表面
性状を示している。

【０１１９】

【表４】

【０１２０】この表４から明らかなように、実施例１０
は、元になる実施例２の試験片が１段処理しかなされい
ないため、残存している圧縮層が化学強化処理時に緩和
膨張し、３ｎｍ以上の突起個数が増大している。また、
実施例１１は、元になる実施例９の試験片に２段処理を
施しているが、該２段処理はフッ酸を使用して表面処理
しているため、実施例１０と同様、残存している圧縮層
が化学強化処理時に緩和膨張し、３ｎｍ以上の突起個数
が増大している。したがって、実施例１０及び１１は化
学強化処理を行わない場合は使用可能であるが、化学強
化処理を行う場合は３ｎｍ以上の突起高さＨを有する微
小突起の個数が多くなり、低フライングハイトでは磁気
ディスクとして使用することができない虞がある。

【０１２１】これに対して実施例１２は、元になる実施
例４の試験片は２段処理でフッ酸とフッ化テトラメチル
アンモニウムとが共存した第２の混合溶液で表面処理を
行っているので、３ｎｍ以上の突起個数が増大するのを
抑制することができる。

【０１２２】図５はフッ酸の濃度と２ｎｍ以上の突起個
数及び３ｎｍ以上の突起個数との関係を示す特性図であ
り、横軸はフッ酸濃度（ｗｔ％）、左方の縦軸は２ｎｍ
以上の突起個数（個／１００μｍ²）、右方の縦軸は３
ｎｍ以上の突起個数（個／１００μｍ²）である。

【０１２３】実線はフッ酸と硫酸の混合溶液（第１の混
合溶液）を使用して表面処理を行った場合の２ｎｍ以上
の突起個数を示し（１段処理）、破線はフッ酸のみで表
面処理を行った場合の２ｎｍ以上の突起個数を示し（比
較例１〜３）、一点鎖線はフッ酸、又はフッ酸及び硫酸
を使用して表面処理を行った場合の３ｎｍ以上の突起個
数を示している。

【０１２４】この図５からわかるように、２ｎｍ以上の
突起個数はフッ酸濃度に比例して増加し、一方３ｎｍ以
上の突起個数はフッ酸濃度に対し放物線を描き、フッ酸
濃度が０．０１２ｗｔ％を超えると急激に増加する。し
たがって、フッ酸のみで表面処理を行った場合は要件
を充足するディスク基板を得ることができないが、フ
ッ酸と硫酸の混合溶液を使用して表面処理を行った場合
は、図中Ａに示す範囲で所望のディスク基板を得ること
ができる。

【０１２５】そして、２段処理を行った場合は、１段処
理では２ｎｍ以上の突起個数はが３５０個／１００μｍ
²以下であっても、３ｎｍ以上の突起個数の増加が抑制
されたまま２段処理により仮想線に示すように２ｎｍ以
上の突起個数が３５０個／１００μｍ²以上に容易に増
大し、これにより上記３要件を充足するディスク基板の
範囲を拡大することができ、フッ酸の広い濃度範囲で所
望のディスク基板を得ることができる。

【０１２６】

【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る情報記
録媒体用基板の製造方法は、研磨剤を使用してガラス基
板に精密研磨処理を施した後、エッチング処理を施して
情報記録媒体用基板を製造する情報記録媒体用基板の製
造方法において、前記エッチング処理は、フッ酸を含む
少なくとも二種以上の酸性溶液、例えばフッ酸と硫酸等
が共存した混合溶液を使用して行うので、微小突起の突
起高さが、２ｎｍ以上の突起高さが３５０個／１００
μｍ²以上、３ｎｍ以上の突起高さが１０個／１００
μｍ²以下、最大突起高さＲｐが４ｎｍ以下の情報記
録媒体用基板を容易に製造することができる。

【０１２７】また、前記エッチング処理は、前記混合溶
液で第１の表面処理を行った後、アルカリ性溶液を使用
して第２の表面処理を行うことにより、第１の表面処理
により非圧縮層の表面に形成される多孔質な変質層を除
去することができ、表層面の化学的耐久性を高めること
ができる。

【０１２８】また、前記エッチング処理は、前記混合溶
液で第１の表面処理を行った後、アルカリ性溶液を使用
して第２の表面処理を行い、その後少なくともフッ酸を
含む水溶液、例えばフッ酸とフッ化アルキルアンモニウ
ム等のフッ化物塩との混合溶液を使用して第３の表面処
理を行うことにより、３ｎｍ以上の突起個数を増加を抑
制しつつ２ｎｍ以上の突起個数を増加させることがで
き、化学強化処理が行われた場合であっても３ｎｍ以上
の突起個数が増加するのを抑制することができる。すな
わち、２ｎｍ〜３ｎｍの範囲の突起高さを有する微小突
起の個数を増大させることができ、均一性に優れた微小
突起が高密度で形成され、磁気ヘッドと磁気ディスクと
が固着して駆動時に破損等が生じるのを回避することが
できる。

【０１２９】また、前記ガラス基板は、モル分率で、Ｓ
ｉO₂：６３％〜７０％、Ａｌ₂Ｏ₃：４％〜１１％、Ｌｉ
₂Ｏ：５％〜１１％、Ｎａ₂Ｏ：６％〜１４％、Ｔｉ
Ｏ₂：０％〜５％、ＺｒO₂：０％〜２．５％、ＭｇO：０
％〜６％、ＣａＯ：１％〜９％、ＳｒＯ：０％〜３％、
及びＢａＯ：０％〜２％（但し、ＭｇO、ＣａＯ、Ｓｒ
Ｏ、及びＢａＯは総計で２％〜１５％）の組成成分を有
するのが好ましく、斯かる組成成分を有するガラス基板
に上記製造方法を適用することにより、低フライングハ
イトに好適した情報記録媒体用基板を容易に製造するこ
とができる。

【０１３０】また、本発明に係る情報記録媒体用基板
は、ガラス基板の表面に多数の微小突起が形成された情
報記録媒体用基板において、上記製造方法により製造さ
れ、また、その製造物における微小突起の突起高さは、
２ｎｍ以上の突起高さが３５０個／１００μｍ²であっ
て、３ｎｍ以下の突起高さが１０個／１００μｍ²であ
り、且つ前記突起高さの平均値からの最大高さが４ｎｍ
以下であるので、１０ｎｍ以下の低フライングハイトで
駆動させても浮上安定性を確保することのできる情報記
録媒体用基板を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る情報記録媒体用基板としての磁気
ディスク基板の一実施の形態を示す要部断面図である。

【図２】本発明に係る情報記録媒体用基板の製造方法の
一実施の形態を示す製造工程図である。

【図３】研磨工程で精密研磨されたガラス基板の断面図
である。

【図４】エッチング工程における表面処理の状態を示す
ガラス基板の断面図である。

【図５】フッ酸濃度と２ｎｍ以上の突起数及び３ｎｍ以
上の突起数との関係を示す特性図である。

【符号の説明】

６エッチング工程６ａ第１の表面処理６ｂ第２の表面処理６ｃ第３の表面処理

フロントページの続き (72)発明者斉藤靖弘大阪府大阪市中央区北浜４丁目７番28号日本板硝子株式会社内Ｆターム(参考） 4G059 AA09 AB11 AC03 AC30 BB04 BB10 BB17 HB03 HB14 4G062 AA18 BB03 CC01 CC10 DA06 DB03 DB04 DC01 DD01 DE01 DF01 EA03 EA04 EB03 EB04 ED01 ED02 ED03 EE03 EF01 EF02 EF03 EG01 EG02 EG03 FA01 FA10 FB01 FB02 FB03 FC01 FC02 FC03 FD01 FE01 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GA10 GB01 GC01 GD01 GE01 HH01 HH03 HH05 HH07 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM27 NN40 5D006 CB06 CB07 DA03 FA02 FA09 5D112 AA02 BA03 BA09 GA27 GA30 JJ03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】研磨剤を使用してガラス基板に精密研磨
処理を施した後、エッチング処理を施して情報記録媒体
用基板を製造する情報記録媒体用基板の製造方法におい
て、前記エッチング処理は、フッ酸を含む少なくとも二種以
上の酸性溶液が共存した混合溶液を使用して行うことを
特徴とする情報記録媒体用基板の製造方法。
【請求項２】前記エッチング処理は、前記混合溶液で
第１の表面処理を行った後、アルカリ性溶液を使用して
第２の表面処理を行うことを特徴とする請求項１記載の
情報記録媒体用基板の製造方法。
【請求項３】前記混合溶液は、前記酸性溶液として硫
酸、硝酸、塩酸、又はリン酸のうちの少なくとも一種以
上を含むことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の
情報記録媒体用基板の製造方法。
【請求項４】前記エッチング処理は、前記混合溶液で
第１の表面処理を行った後、アルカリ性溶液を使用して
第２の表面処理を行い、その後少なくともフッ酸を含む
水溶液で第３の表面処理を行うことを特徴とする請求項
１乃至請求項３のいずれかに記載の情報記録媒体用基板
の製造方法。
【請求項５】前記フッ酸を含む水溶液は、前記フッ酸
とフッ化物塩とが共存した混合溶液であることを特徴と
する請求項４記載の情報記録媒体用基板の製造方法。
【請求項６】前記フッ化物塩は、フッ化アルキルアン
モニウムであることを特徴とする請求項５記載の情報記
録媒体用基板の製造方法。
【請求項７】前記ガラス基板は、モル分率で、Ｓｉ
O₂：６３％〜７０％、Ａｌ₂Ｏ₃：４％〜１１％、Ｌｉ₂
Ｏ：５％〜１１％、Ｎａ₂Ｏ：６％〜１４％、ＴｉＯ₂：
０％〜５％、ＺｒO₂：０％〜２．５％、ＭｇO：０％〜
６％、ＣａＯ：１％〜９％、ＳｒＯ：０％〜３％、及び
ＢａＯ：０％〜２％（但し、ＭｇO、ＣａＯ、ＳｒＯ、
及びＢａＯは総計で２％〜１５％）であることを特徴と
する請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の情報記録
媒体用基板の製造方法。
【請求項８】ガラス基板の表面に多数の微小突起が形
成された情報記録媒体用基板において、前記請求項１乃
至請求項７のいずれかに記載の製造方法により製造され
たことを特徴とする情報記録媒体用基板。
【請求項９】前記微小突起の突起高さは、２ｎｍ以上
の突起高さが３５０個／１００μｍ²以上であって、３
ｎｍ以下の突起高さが１０個／１００μｍ²以下であ
り、且つ前記突起高さの平均値からの最大突起高さが４
ｎｍ以下であることを特徴とする請求項８記載の情報記
録媒体用基板。