KR20170128801A - 기판 세정 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 - Google Patents

기판 세정 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 Download PDF

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Abstract

기판 세정 방법에 따르면, 기판의 표면으로 제 1 위치로부터 제 1 방향을 따라 보호액을 분사할 수 있다. 상기 기판의 표면으로 세정액을 토출할 수 있다. 상기 기판의 표면으로 상기 제 1 위치와 다른 제 2 위치로부터 제 2 방향을 따라 상기 보호액을 분사할 수 있다. 제 1 방향은 상기 기판의 중앙부로부터 상기 기판의 제 1 가장자리부를 향하는 방향일 수 있다. 제 2 방향은 상기 기판의 중앙부로부터 상기 제 1 가장자리부의 반대인 상기 기판의 제 2 가장자리부를 향하는 방향일 수 있다. 따라서, 보호액을 항상 기판의 중앙부로부터 가장자리부를 향해 분사할 수 있으므로, 기판 상의 패턴을 보호할 수 있다.

Description

기판 세정 방법 및 이를 수행하기 위한 장치{METHOD OF CLEANING A SUBSTRATE AND APPARATUS FOR PERFORMING THE SAME}
본 발명은 기판 세정 방법 및 이를 수행하기 위한 장치에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 보호액과 세정액으로 반도체 기판을 세정하는 방법, 및 이러한 방법을 수행하기 위한 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 기판 상의 막을 노광 공정을 통해서 패턴으로 형성할 수 있다. 노광 공정 중에 발생되어 반도체 기판에 묻은 반응 부산물들을 제거하기 위해서, 반도체 기판을 세정할 수 있다.
관련 기술들에 따르면, 반도체 기판은 더블 피처(double feature) 방식을 통해서 세정할 수 있다. 더블 피처 세정 방식은 반도체 기판의 표면으로 보호액을 분사하면서 액적(droplet) 형태의 세정액을 반도체 기판의 표면으로 토출하여, 반응 부산물들을 제거하는 방식일 수 있다. 보호액의 두께가 너무 두꺼우면, 충분한 양의 세정액이 패턴으로 제공될 수 없으므로, 세정력이 감소될 수 있다. 반면에, 보호액의 두께가 너무 얇으면, 세정액의 강한 토출 압력에 의해서 패턴이 손상될 수 있다. 따라서, 세정 효과는 보호액의 적정 두께에 의해 결정될 수 있다.
그러나, 보호액은 오직 한 방향으로부터 반도체 기판으로 분사될 수 있다. 이로 인하여, 보호액이 반도체 기판의 가장자리부로부터 중앙부로 분사되는 경우, 보호액의 상당한 양이 반도체 기판의 가장자리부 상부면이 아닌 측면으로 분사될 수 있다. 그러므로, 반도체 기판의 가장자리부 상에서의 보호액의 두께는 반도체 기판의 다른 부위들 상에서의 보호액의 두께보다 얇아질 수 있다. 결과적으로, 반도체 기판의 가장자리 상에 배치된 패턴이 세정액에 의해 손상될 수 있다.
본 발명은 패턴의 손상을 방지하면서 세정 효과를 향상시킬 수 있는 기판 세정 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기된 방법을 수행하기 위한 장치도 제공한다.
본 발명의 일 견지에 따른 기판 세정 방법에 따르면, 기판의 표면으로 제 1 위치로부터 제 1 방향을 따라 보호액을 분사할 수 있다. 상기 기판의 표면으로 세정액을 토출할 수 있다. 상기 기판의 표면으로 상기 제 1 위치와 다른 제 2 위치로부터 제 2 방향을 따라 상기 보호액을 분사할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제 1 위치는 상기 기판의 중앙부와 상기 기판의 제 1 가장자리 사이에 위치할 수 있다. 상기 제 1 방향은 상기 기판의 중앙부로부터 상기 기판의 제 1 가장자리부를 향하는 방향일 수 있다. 상기 제 2 위치는 상기 기판의 중앙부와 상기 제 1 가장자리부의 반대인 상기 기판의 제 2 가장자리부 사이에 위치할 수 있다. 상기 제 2 방향은 상기 기판의 중앙부로부터 상기 기판의 제 2 가장자리부를 향하는 방향일 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 세정액을 토출하는 것은 상기 기판의 제 1 가장자리부로부터 상기 기판의 중앙부를 지나서 상기 기판의 제 2 가장자리부를 따라 상기 세정액을 토출하는 것을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 보호액을 상기 제 1 방향을 따라 분사하는 것은 상기 세정액을 상기 기판의 제 1 가장자리부로부터 상기 기판의 중앙부까지 토출하는 동안 수행될 수 있다. 상기 보호액을 상기 제 2 방향을 따라 분사하는 것은 상기 세정액을 상기 기판의 중앙부로부터 상기 기판의 제 2 가장자리부까지 토출하는 동안 수행될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제 1 방향과 상기 제 2 방향은 상기 기판의 표면과 예각을 이룰 수 있다. 상기 세정액의 토출 방향은 상기 기판의 표면과 직각을 이룰 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 방법은 상기 기판 상의 상기 보호액의 두께를 측정하고, 그리고 상기 측정된 보호액의 두께에 따라 상기 보호액의 분사 유량 및/또는 상기 세정액의 토출 압력을 선택적으로 조절하는 것을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 세정액의 토출 압력을 조절하는 것은 상기 기판의 표면으로부터 상기 세정액의 토출 높이를 조절하는 것을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 견지에 따른 기판 세정 장치는 세정액 토출 유닛 및 보호액 분사 유닛을 포함할 수 있다. 상기 세정액 토출 유닛은 기판의 표면으로 세정액을 토출할 수 있다. 상기 보호액 분사 유닛은 상기 기판의 표면으로 서로 다른 제 1 위치와 제 2 위치로부터 각각 제 1 방향과 제 2 방향을 따라 보호액을 분사할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 보호액 분사 유닛은 상기 세정액 토출 유닛에 상기 기판의 표면과 직교하는 수직축을 중심으로 회전 가능하게 연결된 보호액 분사 노즐을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 보호액 분사 유닛은 상기 보호액 분사 노즐을 회전시키는 구동부를 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 보호액 분사 유닛은 상기 세정액 토출 유닛에 고정되고 상기 제 1 위치에서 상기 보호액을 상기 제 1 방향을 따라 분사하는 제 1 보호액 분사 노즐, 및 상기 세정액 토출 유닛에 고정되고 상기 제 2 위치에서 상기 보호액을 상기 제 2 방향을 따라 분사하는 제 2 보호액 분사 노즐을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 세정액 토출 유닛과 상기 보호액 분사 유닛은 독립적으로 구동될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 세정액 토출 유닛은 상기 기판의 제 1 가장자리부로부터 상기 기판의 중앙부를 지나서 상기 기판의 제 2 가장자리부를 따라 이동하면서 상기 세정액을 상기 기판의 표면과 직각을 이루는 방향을 따라 토출할 수 있다. 상기 보호액 분사 유닛은 상기 보호액을 상기 기판의 표면과 예각을 이루는 방향을 따라 분사할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 장치는 상기 기판 상의 상기 보호액의 두께를 측정하는 두께 센서, 및 상기 측정된 보호액의 두께에 따라 상기 보호액 분사 유닛의 상기 보호액 분사 유량 및 상기 세정액 토출 유닛의 상기 세정액 토출 압력을 제어하는 제어부를 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 세정액 토출 유닛은 상기 세정액이 제공되는 다중관을 포함할 수 있다.
상기된 본 발명에 따르면, 기판의 제 1 가장자리부로부터 중앙부를 향해 이동하면서 세정액을 기판의 표면으로 토출하는 동안에, 보호액을 기판의 중앙부로부터 제 1 가장자리부를 향해 분사할 수 있다. 반면에, 기판의 중앙부로부터 제 2 가장자리부를 향해 이동하면서 세정액을 토출하는 동안에, 보호액을 기판의 중앙부로부터 제 2 가장자리부를 향해 분사할 수 있다. 따라서, 보호액은 항상 기판의 중앙부로부터 가장자리부를 향해 분사되므로, 기판 표면의 보호액은 균일한 두께를 가질 수 있다. 결과적으로, 기판 상에 형성된 패턴의 손상을 방지하면서 반응 부산물을 제거하는 효율이 향상될 수 있다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치를 나타낸 단면도들이다.
도 3은 도 1에 도시된 기판 세정 장치를 나타낸 평면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 기판 세정 장치의 세정액 토출 유닛을 나타낸 단면도이다.
도 5는 도 4에 도시된 세정액 토출 유닛의 시간별 압력 변화를 나타낸 그래프이다.
도 6은 도 1에 도시된 기판 세정 장치의 세정액과 보호액 공급 구조를 나타낸 단면도이다.
도 7은 도 6의 VI-VI' 선을 따라 나타낸 단면도이다.
도 8 내지 도 11은 보호액의 두께에 따라 세정액 토출 유닛과 보호액 분사 유닛을 제어하는 동작을 나타낸 단면도들이다.
도 12는 도 1에 도시된 장치를 이용해서 기판을 세정하는 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.
도 13 및 도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 세정 장치를 나타낸 단면도들이다.
도 15는 도 13에 도시된 장치를 이용해서 기판을 세정하는 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.
도 16 및 도 17은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 세정 장치를 나타낸 단면도들이다.
도 18는 도 16에 도시된 장치를 이용해서 기판을 세정하는 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치를 나타낸 단면도들이고, 도 3은 도 1에 도시된 기판 세정 장치를 나타낸 평면도이며, 도 4는 도 1에 도시된 기판 세정 장치의 세정액 토출 유닛을 나타낸 단면도이고, 도 5는 도 4에 도시된 세정액 토출 유닛으로부터 토출된 세정액의 시간별 압력 변화를 나타낸 그래프이며, 도 6은 도 1에 도시된 기판 세정 장치의 세정액과 보호액 공급 구조를 나타낸 단면도이고, 도 7은 도 6의 VI-VI' 선을 따라 나타낸 단면도이며, 도 8 내지 도 11은 보호액의 두께에 따라 세정액 토출 유닛과 보호액 분사 유닛을 제어하는 동작을 나타낸 단면도들이다.
도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 기판 세정 장치(100)는 세정액 토출 유닛(110), 보호액 분사 유닛(120), 두께 센서(130) 및 제어부(140)를 포함할 수 있다. 본 실시예의 기판 세정 장치(100)는 보호액을 기판(W)의 상부면으로 분사하여 기판(W) 상의 패턴(P)을 보호하면서 세정액을 기판(W)의 상부면으로 토출하여, 기판(W)을 세정하는 더블 피처 방식일 수 있다.
도 3을 참조하면, 세정액 토출 유닛(110)은 기판(W)의 제 1 가장자리부로부터 기판(W)의 중앙부를 지나서 제 1 가장자리부와 반대인 기판(W)의 제 2 가장자리부를 따른 방향, 즉 스캔 방향을 따라 이동하면서 세정액을 기판(W)의 상부면으로 토출할 수 있다. 보호액 분사 유닛(120)은 서로 다른 적어도 2개의 방향들을 따라 보호액을 기판(W)의 상부면으로 분사할 수 있다.
본 실시예에서, 보호액 분사 유닛(120)은 제 1 위치로부터 제 1 방향을 따라 보호액을 기판(W)의 상부면으로 분사할 수 있다. 제 1 위치는 기판(W)의 중앙부와 제 1 가장자리부 사이인 기판(W)의 좌측 상부일 수 있다. 특히, 제 1 위치는 세정액 토출 유닛(110)의 우측일 수 있다. 제 1 방향은 기판(W)의 중앙부로부터 제 1 가장자리부를 향하는 방향일 수 있다. 따라서, 세정액 토출 유닛(110)이 기판(W)의 제 1 가장자리부로부터 중앙부까지 세정액을 토출하는 동안, 세정액 토출 유닛(110)의 우측에 배치된 보호액 분사 유닛(120)은 제 1 위치로부터 제 1 방향을 따라 보호액을 기판(W)의 좌측 상부면으로 분사할 수 있다.
또한, 보호액 분사 유닛(120)은 제 1 위치와 다른 제 2 위치로부터 제 1 방향과 다른 제 2 방향을 따라 보호액을 기판(W)의 상부면으로 분사할 수 있다. 제 2 위치는 기판(W)의 중앙부와 제 2 가장자리부 사이인 기판(W)의 우측 상부일 수 있다. 특히, 제 2 위치는 세정액 토출 유닛(110)의 좌측일 수 있다. 제 2 방향은 기판(W)의 중앙부로부터 제 2 가장자리부를 향하는 방향일 수 있다. 따라서, 세정액 토출 유닛(110)이 기판(W)의 중앙부로부터 제 2 가장자리부까지 세정액을 토출하는 동안, 세정액 토출 유닛(110)의 좌측에 배치된 보호액 분사 유닛(120)은 제 2 위치로부터 제 2 방향을 따라 보호액을 기판(W)의 우측 상부면으로 분사할 수 있다.
본 실시예에서, 제 1 방향과 제 2 방향은 정반대일 수 있다. 제 1 방향은 세정액 토출 유닛(110)의 스캔 방향과 정반대일 수 있다. 제 2 방향은 세정액 토출 유닛(110)의 스캔 방향과 일치할 수 있다. 다른 실시예로서, 제 1 방향과 제 2 방향은 정반대가 아닐 수도 있다. 또한, 제 2 방향은 세정액 토출 유닛(110)의 스캔 방향과 일치하지 않을 수도 있다.
도 1을 참조하면, 세정액 토출 유닛(110)은 기판(W)의 상부에 배치될 수 있다. 기판(W)은 패턴(P)을 포함할 수 있다. 패턴(P)은 노광 공정을 통해서 기판(W)의 상부면에 형성될 수 있다. 노광 공정 중에 발생된 반응 부산물들이 패턴(P)에 묻을 수 있다. 기판(W)은 반도체 기판, 유리 기판 등을 포함할 수 있다. 패턴(P)은 포토레지스트 패턴을 포함할 수 있다.
세정액 토출 유닛(110)은 기판(W)의 상부면으로 세정액을 토출하여 반응 부산물들을 제거할 수 있다. 본 실시예에서, 세정액은 이산화탄소가 첨가된 탈이온수를 포함할 수 있다. 그러나, 세정액의 물질은 제거하려는 반응 부산물의 종류에 따라 변경될 수 있다.
도 4를 참조하면, 세정액 토출 유닛(110)은 세정액 토출 노즐(112), 세정액 공급 라인(111), 펌프(113), 밸브(114), 필터(115), 압전소자(piezoelectric element)(116), 드레인 라인(117), 수평 구동부(118) 및 수직 구동부(119)를 포함할 수 있다.
세정액 토출 노즐(112)은 기판(W)의 상부에 배치될 수 있다. 세정액 토출 노즐(112)은 세정액을 기판(W)의 표면으로 토출하기 위한 복수개의 토출공들을 가질 수 있다. 토출공들은 세정액 토출 노즐(112)의 하부면에 배열될 수 있다. 따라서, 세정액은 세정액 토출 노즐(112)로부터 기판(W)의 상부면과 실질적으로 직교하는 방향을 따라 기판(W)의 상부면으로 토출될 수 있다.
펌프(113)는 세정액 공급 라인(111)을 통해서 세정액 토출 노즐(112)에 연결될 수 있다. 세정액의 공급을 제어하는 밸브(114)는 세정액 토출 노즐(112)과 펌프(113) 사이에 배치될 수 있다. 세정액 내의 불순물을 제거하기 위한 필터(115)는 세정액 토출 노즐(112)과 밸브(114) 사이에 배치될 수 있다. 드레인 라인(117)은 세정액 토출 노즐(112)에 연결될 수 있다. 기판(W)으로 토출되지 않은 세정액은 드레인 라인(117)을 통해서 배출될 수 있다.
압전소자(116)는 세정액 토출 노즐(112)의 내부에 배치될 수 있다. 압전소자(116)는 세정액 토출 노즐(112) 내로 공급된 세정액에 진동을 인가하여, 세정액을 액적 형태로 변환시킬 수 있다. 액정 형태의 세정액들이 토출공을 통하여 기판(W)의 상부면으로 토출될 수 있다.
기판(W)으로부터 반응 부산물들을 제거하는 세정력은 세정액 액적들 개개의 압력과 크기 및 속도에 의해 결정될 수 있다. 액적의 압력이 너무 높으면, 세정액에 의해 패턴(P)이 손상될 수 있다. 반면에, 액적의 압력이 너무 낮으면, 패턴(P)으로부터 반응 부산물들이 제거되는 효율이 저하될 수 있다. 또한, 액적의 크기는 액정의 압력과 비례하므로, 액적에 적정한 크기를 부여해야만 상기된 문제점들이 유발되지 않을 수 있다. 액정의 속도가 너무 빠르면, 세정액에 의해 패턴(P)이 손상될 수 있다. 반면에, 액적의 속도가 너무 느리면, 패턴(P)으로부터 반응 부산물들이 제거되는 효율이 저하될 수 있다.
특히, 압전소자(116)에 의해 형성된 액적들 사이의 간격이 세정력을 결정할 수 있다. 예를 들어서, 액적들 사이의 간격이 너무 좁거나 액정들의 크기들이 서로 상이하면, 이웃하는 액적들이 서로 붙게 되어, 다른 액정의 크기에 비해서 상대적으로 큰 크기를 갖는 하나의 액적이 형성될 수 있다. 큰 크기를 갖는 액적은 작은 크기를 갖는 액정의 압력에 비해서 높은 압력을 갖게 되므로, 이러한 큰 크기의 액적은 패턴(P)을 손상시킬 수 있다.
액정의 크기와 압력 및 속도는 세정액 토출 노즐(112)로 공급된 세정액의 압력과 압전소자(116)의 진동수에 의해 결정될 수 있다. 따라서, 세정력을 향상시키기 위해서, 세정액의 공급 압력과 압전소자(116)의 진동수를 정확하게 매칭시킬 것이 요구될 수 있다.
세정액의 공급 압력은 펌프(113)의 회전 속도(RPM)에 의해 결정될 수 있다. 펌프(113)의 초기 구동 중에는, 세정액의 공급 압력이 설정된 압력보다 낮을 수 있다. 따라서, 이러한 세정액의 낮은 공급 압력은 압전소자(116)의 진동수와 매칭되지 않을 수 있다. 이러한 문제를 해소하기 위해, 펌프(113)의 회전 속도를 2가지로 설정할 수 있다.
도 5의 그래프에서, 곡선 a는 펌프(113)의 초기 구동부터 펌프(113)의 회전 속도를 일정하게 유지시킨 상태, 즉 펌프(113)의 회전 속도를 변경하지 않는 상태에서 세정액의 공급 압력 추이를 나타낸 것이다. 세정액의 공급 압력이 설정된 압력까지 도달하기까지 소요된 시간이 펌프(113)의 초기 구동부터 대략 6초 정도임을 알 수 있다. 즉, 펌프(113)의 초기 구동시부터 6초 정도는 세정액의 공급 압력이 압전소자(116)의 진동수와 매칭되지 못하여, 상기된 문제점들이 유발될 수 있다.
반면에, 본 실시예에서는, 펌프(113)의 초기 구동 중에, 펌프(113)의 회전 속도를 설정된 속도보다 빠르게 설정할 수 있다. 세정액의 압력이 설정 압력에 도달하면, 펌프(1130)의 회전 속도를 설정 속도로 낮출 수 있다. 곡선 b는 상기된 조건 하에서 세정액의 공급 압력 추이를 나타낸 것이다. 세정액의 공급 압력이 설정된 압력까지 도달하기까지 소요된 시간이 펌프(113)의 초기 구동부터 대략 3초 정도로 기존의 6초보다 3초 정도 단축됨을 알 수 있다. 즉, 펌프(113)의 초기 구동시부터 3초 정도만 세정액의 공급 압력이 압전소자(116)의 진동수와 매칭되지 못할 수 있다.
이와 같이, 펌프(113)의 회전 속도를 2가지로 설정하는 것에 의해서, 세정액의 공급 압력과 압전소자(116)의 진동수가 매칭되지 못하는 시간을 대폭 단축시킬 수 있다. 결과적으로, 세정액의 공급 압력과 압전소자(116)의 진동수 사이의 미스매치로 인한 패턴(P)의 손상을 크게 줄일 수 있다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 세정액 공급 라인(111)은 보호액 공급 라인(126)과 인접하게 배치될 수 있다. 따라서, 세정액 공급 라인(111)을 통해 흐르는 세정액의 온도가 보호액 공급 라인(126)을 통해 흐르는 보호액의 온도에 영향을 받을 수 있다. 특히, 보호액의 온도는 세정액의 온도보다 상대적으로 높을 수 있다. 이로 인하여, 세정액의 온도가 보호액으로 인해서 상승되어, 세정액의 압력이 설정 압력보다 높아질 수 있다. 설정 압력보다 높은 압력을 갖는 세정액은 전술한 바와 같이 패턴(P)을 손상시킬 수 있다.
세정액과 보호액 사이의 열교환을 최소화시키기 위해서, 세정액 공급 라인(111)은 다중관 형태를 가질 수 있다. 본 실시예에서, 세정액 공급 라인(111)은 삼중관 형태를 가질 수 있다. 다른 실시예로서, 세정액 공급 라인(111)은 이중관 또는 적어도 사중관 이상의 형태를 가질 수도 있다. 또한, 세정액 공급 라인(111)은 단열재로 둘러싸인 단일관일 수도 있다. 아울러, 보호액 공급 라인(126)도 다중관 형태 또는 단열재로 둘러싸인 단일관일 수도 있다.
수평 구동부(118)는 세정액 토출 노즐(112)을 수평 방향, 즉 스캔 방향을 따라 이동시킬 수 있다. 수직 구동부(119)는 세정액 토출 노즐(112)을 수직 방향을 따라 이동시킬 수 있다.
도 1을 참조하면, 보호액 분사 유닛(120)은 기판(W)의 상부면으로 보호액을 분사하여, 기판(W)의 패턴(P)을 일정 두께의 보호막으로 덮게 할 수 있다. 보호액 분사 유닛(120)은 세정액 토출 유닛(110)이 기판(W)의 상부면으로 세정액을 토출하는 동안 계속해서 보호액을 기판(W)의 상부면으로 분사할 수 있다. 보호액은 SC-1, 이소프로필알콜(IPA), 암모니아수 등을 포함할 수 있다. 다른 실시예로서, 보호액은 탈이온수를 포함할 수도 있다.
보호액 분사 유닛(120)은 세정액 토출 유닛(110)에 회전 가능하게 연결될 수 있다. 보호액 분사 유닛(120)은 세정액 토출 유닛(110)의 위치에 따라 세정액 토출 유닛(110)을 중심으로 회전할 수 있다. 따라서, 보호액 분사 유닛(120)은 세정액 토출 유닛(110)의 우측인 제 1 위치로부터 세정액 토출 유닛(110)의 좌측인 제 2 위치로 회전 이동될 수 있다. 또한, 보호액 분사 유닛(120)은 세정액 토출 유닛(110)의 좌측인 제 2 위치로부터 세정액 토출 유닛(110)의 우측인 제 1 위치로 회전 이동될 수 있다. 그러므로, 보호액 분사 유닛(120)은 제 1 위치로부터 제 1 방향을 따라 보호액을 기판(W)의 좌측 상부면으로 분사할 수 있다. 또한, 보호액 분사 유닛(120)은 제 2 위치로부터 제 2 방향을 따라 보호액을 기판(W)의 우측 상부면으로 분사할 수 있다.
보호액 분사 노즐(122), 노즐 암(124), 보호액 공급 라인(126) 및 구동부(125)를 포함할 수 있다. 보호액 공급 라인(126)은 노즐 암(124) 내부를 통해서 보호액 분사 노즐(122)에 연결될 수 있다.
노즐 암(124)은 내측 단부와 외측 단부를 가질 수 있다. 노즐 암(124)의 내측 단부는 세정액 토출 노즐(112)에 회전 가능하게 연결될 수 있다. 구체적으로, 노즐 암(124)의 내측 단부는 기판(W)의 상부면과 실질적으로 직교하는 수직축을 중심으로 세정액 토출 노즐(112)에 회전 가능하게 연결될 수 있다.
노즐 암(124)의 외측 단부는 내측 단부로부터 수평 방향을 따라 연장될 수 있다. 보호액 분사 노즐(122)은 노즐 암(124)의 외측 단부에 고정될 수 있다. 보호액 분사 노즐(122)은 노즐 암(124)의 외측 단부로부터 기판(W)의 상부면에 대해서 경사지게 연장될 수 있다. 보호액 분사 노즐(122)은 기판(W)의 상부면과 예각을 이룰 수 있다. 예를 들어서, 보호액 분사 노즐(122)은 기판(W)의 상부면과 대략 20° 내지 60° 정도의 각도를 이룰 수 있다. 따라서, 보호액은 보호액 분사 노즐(122)로부터 기판(W)의 상부면으로 경사지게 분사될 수 있다.
도 1을 참조하면, 보호액 분사 노즐(122)은 세정액 토출 노즐(112)의 우측에 배치되어, 보호액을 제 1 방향을 따라 기판(W)의 좌측 상부면으로 분사할 수 있다. 구체적으로, 세정액 토출 노즐(112)이 기판(W)의 제 1 가장자리부로부터 중앙부까지 이동하면서 세정액을 토출하는 동안, 보호액 분사 노즐(122)은 제 1 방향인 기판(W)의 중앙부로부터 제 1 가장자리부를 향해 보호액을 계속적으로 분사할 수 있다. 이와 같이, 세정액 토출 노즐(112)이 기판(W)의 제 1 가장자리부로부터 중앙부까지 이동하는 동안, 보호액 분사 노즐(122)은 기판(W)의 중앙부로부터 제 1 가장자리부를 향해 보호액을 분사하게 되므로, 기판(W)의 제 1 가장자리부 상에 위치한 보호액은 패턴(P)을 보호할 정도의 충분한 두께를 가질 수가 있다.
세정액 토출 노즐(112)이 기판(W)의 제 2 가장자리부로 세정액을 토출하는 동안에도 보호액 분사 노즐(122)이 세정액 토출 노즐(112)의 우측에 배치되어 있으면, 보호액 분사 노즐(122)로부터 분사된 보호액의 상당 부분이 기판(W)의 제 2 가장자리부 상부면이 아닌 측면으로 분사될 수 있다. 이를 방지하기 위해서, 구동부(125)가 보호액 분사 노즐(122)을 수직축을 중심으로 회전시킬 수 있다.
도 2를 참조하면, 세정액 분사 노즐(112)이 기판(W)의 중앙부에 도달하면, 구동부(125)는 보호액 분사 노즐(122)을 수직축을 중심으로 180° 회전시킬 수 있다. 보호액 분사 노즐(122)은 세정액 토출 노즐(112)의 좌측에 배치되어, 보호액을 제 2 방향을 따라 기판(W)의 상부면으로 분사할 수 있다. 구체적으로, 세정액 토출 노즐(112)이 기판(W)의 중앙부로부터 제 2 가장자리부까지 이동하면서 세정액을 토출하는 동안, 보호액 분사 노즐(122)은 제 2 방향인 기판(W)의 중앙부로부터 제 2 가장자리부를 향해 보호액을 계속적으로 분사할 수 있다. 이와 같이, 세정액 토출 노즐(112)이 기판(W)의 중앙부로부터 제 2 가장자리부까지 이동하는 동안, 보호액 분사 노즐(122)은 기판(W)의 중앙부로부터 제 2 가장자리부를 향해 보호액을 분사하게 되므로, 기판(W)의 제 2 가장자리부 상에 위치한 보호액은 패턴(P)을 보호할 정도의 충분한 두께를 가질 수가 있다.
이러한 보호액 분사 유닛(120)으로부터 분사된 보호액은 기판(W)의 패턴(P)을 균일한 두께로 덮을 수 있다. 그러나, 패턴(P) 상의 보호액은 국부적으로 균일하지 않은 두께를 가질 수도 있다. 예를 들어서, 어느 한 패턴(P) 상의 보호액의 두께가 다른 영역 상의 보호액의 두께보다 얇다면, 세정액의 압력에 의해서 얇은 두께의 보호액 하부에 위치한 패턴(P)이 손상될 수 있다. 반면에, 어느 한 패턴(P) 상의 보호액의 두께가 다른 영역 상의 보호액의 두께보다 두껍다면, 두꺼운 두께의 보호액 하부에 위치한 패턴(P)에 묻은 반응 부산물들이 세정액에 의해 제거되지 않을 수 있다.
이러한 문제점들을 해결하기 위해, 두께 센서(130)가 패턴(P) 상의 보호액의 두께를 측정할 수 있다. 두께 센서(130)는 노즐 암(124)의 하부면에 부착될 수 있다. 따라서, 두께 센서(130)는 노즐 암(124)과 함께 이동하면서 보호액의 두께를 측정할 수 있다. 두께 센서(130)는 전자기를 이용하는 방식, 방사선을 이용하는 방식, 초음파를 이용하는 방식 등을 포함할 수 있다.
제어부(140)는 두께 센서(130)가 측정한 보호액의 두께에 따라 세정액 토출 유닛(110) 및/또는 보호액 분사 유닛(120)을 선택적으로 제어할 수 있다. 제어부(140)는 기판(W)의 상부면으로부터 세정액 토출 유닛(110)의 세정액 토출 높이를 조절할 수 있다. 제어부(140)는 보호액 분사 유닛(120)의 보호액 분사 유량을 조절할 수 있다. 한편, 제어부(140)는 수직 구동부(119) 뿐만 아니라 세정액 토출 유닛(110)과 보호액 분사 유닛(120)의 동작들을 전체적으로 제어할 수 있다.
도 8을 참조하면, 세정액 토출 노즐(112)은 기판(W)의 상부면으로부터 설정 거리(d)만큼 이격되어 있을 수 있다. 어느 한 패턴(P) 상에 도포된 보호액의 두께가 다른 패턴(P)들 상에 도포된 보호액의 두께보다 얇을 수 있다. 얇은 보호액 하부에 위치한 패턴(P)은 세정액의 압력에 의해 손상될 수 있다. 두께 센서(130)는 얇은 보호액의 두께를 측정할 수 있다. 측정된 보호액의 두께는 제어부(140)로 전송될 수 있다.
도 9를 참조하면, 제어부(140)는 수직 구동부(119)를 구동시킬 수 있다. 수직 구동부(119)는 세정액 토출 노즐(112)을 상승시킬 수 있다. 이에 따라, 세정액 토출 노즐(112)과 기판(W)의 상부면 사이의 거리(d1)가 설정 거리(d)보다 길어질 수 있다. 결과적으로, 세정액 토출 노즐(112)로부터 토출되어 패턴(P)에 인가된 세정액의 압력이 상대적으로 낮아질 수 있다. 또는, 세정액 토출 노즐(112)의 위치를 그대로 유지시킨 상태에서, 제어부(140)는 보호액 분사 유닛(120)을 제어하여, 보호액 분사 노즐(122)로부터의 보호액 분사 유량을 증가시킬 수 있다. 다른 실시예로서, 제어부(140)는 세정액 토출 노즐(112)의 높이를 상승시킴과 아울러 보호액 분사 노즐(122)의 보호액 분사 유량을 같이 증가시킬 수도 있다.
반면에, 도 10을 참조하면, 어느 한 패턴(P) 상에 도포된 보호액의 두께가 다른 패턴(P)들 상에 도포된 보호액의 두께보다 두꺼울 수 있다. 두꺼운 보호액 하부에 위치한 패턴(P)에 묻은 반응 부산물들은 세정액으로 제거되지 않을 수 있다. 두께 센서(130)는 두꺼운 보호액의 두께를 측정할 수 있다. 측정된 보호액의 두께는 제어부(140)로 전송될 수 있다.
도 11을 참조하면, 제어부(140)는 수직 구동부(119)를 구동시킬 수 있다. 수직 구동부(119)는 세정액 토출 노즐(112)을 하강시킬 수 있다. 이에 따라, 세정액 토출 노즐(112)과 기판(W)의 상부면 사이의 거리(d2)가 설정 거리(d)보다 짧아질 수 있다. 결과적으로, 세정액 토출 노즐(112)로부터 토출되어 패턴(P)에 인가된 세정액의 압력이 상대적으로 높아질 수 있다. 또는, 세정액 토출 노즐(112)의 위치를 그대로 유지시킨 상태에서, 제어부(140)는 보호액 분사 유닛(120)을 제어하여, 보호액 분사 노즐(122)로부터의 보호액 분사 유량을 감소시킬 수 있다. 다른 실시예로서, 제어부(140)는 세정액 토출 노즐(112)의 높이를 하강시킴과 아울러 보호액 분사 노즐(122)의 보호액 분사 유량을 같이 감소시킬 수도 있다.
도 12는 도 1에 도시된 장치를 이용해서 기판을 세정하는 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.
도 1, 도 2 및 도 12를 참조하면, 단계 ST200에서, 펌프(113)의 회전 속도를 설정 속도보다 빠르게 구동시킬 수 있다.
단계 ST202에서, 세정액의 압력이 설정 압력에 도달하면, 펌프(113)의 회전 속도를 설정 속도로 낮출 수 있다. 이러한 펌프(113)의 회전 속도 제어를 통해서, 세정액의 공급 압력과 압전소자(116)의 진동수가 매칭되지 못하는 시간을 대폭 단축시킬 수 있다. 결과적으로, 세정액의 공급 압력과 압전소자(116)의 진동수 사이의 미스매치로 인한 패턴(P)의 손상을 크게 줄일 수 있다.
단계 ST204에서, 세정액 토출 노즐(112)이 스캔 방향인 기판(W)의 제 1 가장자리부로부터 중앙부를 지나서 제 2 가장자리부로 이동하면서 액적 형태의 세정액을 기판(W)의 상부면으로 토출할 수 있다.
단계 ST206에서, 세정액 토출 노즐(112)이 기판(W)의 제 1 가장자리부로부터 중앙부까지 이동하는 동안, 세정액 토출 노즐(112)의 우측에 배치된 보호액 분사 노즐(122)이 제 1 방향인 기판(W)의 중앙부로부터 제 1 가장자리부를 향해 보호액을 기판(W)의 상부면으로 분사할 수 있다.
단계 ST208에서, 세정액 토출 노즐(112)이 기판(W)의 중앙부에 도달하면, 구동부(125)가 보호액 분사 노즐(122)을 180° 회전시킬 수 있다. 보호액 분사 노즐(122)은 세정액 토출 노즐(112)의 좌측에 배치될 수 있다.
단계 ST210에서, 세정액 토출 노즐(112)이 기판(W)의 중앙부로부터 제 2 가장자리부까지 이동하는 동안, 세정액 토출 노즐(112)의 좌측에 배치된 보호액 분사 노즐(122)이 제 2 방향인 기판(W)의 중앙부로부터 제 2 가장자리부를 향해 보호액을 기판(W)의 상부면으로 분사할 수 있다.
이와 같이, 보호액은 항상 기판(W)의 중앙부로부터 가장자리부를 향해 분사되므로, 기판의 가장자리부 상에도 충분한 두께의 보호액이 형성될 수 있다. 그러므로, 기판의 가장자리부에 위치한 패턴(P)의 손상이 방지될 수 있다.
단계 ST212에서, 보호액 분사 노즐(122)이 보호액을 분사하는 동안, 두께 센서(130)가 패턴(P) 상의 보호액의 두께를 측정할 수 있다.
단계 ST214에서, 두께 센서(130)에 의해 측정된 보호액의 영역별 두께에 따라, 제어부(140)가 세정액 토출 노즐(112) 및/또는 보호액 분사 노즐(122)을 제어하여, 세정액 토출 높이 및/또는 보호액 분사 유량을 선택적으로 조절할 수 있다.
이러한 보호액 두께에 따른 세정액 토출 노즐(112) 및/또는 보호액 분사 노즐(122)의 제어를 통해서, 패턴(P)의 손상을 방지함과 아울러 세정력을 향상시킬 수 있다.
도 13 및 도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 세정 장치를 나타낸 단면도들이다.
도 13 및 도 14를 참조하면, 본 실시예의 기판 세정 장치(100a)는 세정액 토출 유닛(110), 보호액 분사 유닛(120a), 제 1 두께 센서(130), 제 2 두께 센서(130a) 및 제어부(140a)를 포함할 수 있다.
도 13에 도시된 세정액 토출 유닛(110)은 도 1에 도시된 세정액 토출 유닛(110)의 구조 및 기능과 실질적으로 동일한 구조 및 기능을 가질 수 있다. 따라서, 도 13에 도시된 세정액 토출 유닛(110)에 대한 반복 설명은 생략할 수 있다.
보호액 분사 유닛(120a)은 제 1 보호액 분사 노즐(122) 및 제 2 보호액 분사 노즐(122a)을 포함할 수 있다. 제 1 보호액 분사 노즐(122)은 세정액 토출 노즐(112)의 우측에 배치될 수 있다. 제 2 보호액 분사 노즐(122a)은 세정액 토출 노즐(112)의 좌측에 배치될 수 있다. 제 1 보호액 분사 노즐(122)은 세정액 토출 노즐(112)에 고정될 수 있다. 제 2 보호액 분사 노즐(122a)은 세정액 토출 노즐(112)에 고정될 수 있다. 제어부(140a)는 제 1 보호액 분사 노즐(122)과 제 2 보호액 분사 노즐(122a)의 동작들을 세정액 토출 노즐(112)의 위치에 따라 선택적으로 제어할 수 있다.
세정액 토출 노즐(112)이 기판(W)의 제 1 가장자리부로부터 중앙부까지 이동하는 동안, 제어부(140a)는 제 1 보호액 분사 노즐(122)만을 작동시킬 수 있다. 따라서, 세정액 토출 노즐(112)의 우측에 배치된 제 1 보호액 분사 노즐(122)이 제 1 방향인 기판(W)의 중앙부로부터 제 1 가장자리부를 향해 보호액을 기판(W)의 상부면으로 분사할 수 있다.
세정액 토출 노즐(112)이 기판(W)의 중앙부에 도달하면, 제어부(140a)는 제 1 보호액 분사 노즐(122)을 정지시키고 제 2 보호액 분사 노즐(122a)을 작동시킬 수 있다. 따라서, 세정액 토출 노즐(112)이 기판(W)의 중앙부로부터 제 2 가장자리부까지 이동하는 동안, 세정액 토출 노즐(112)의 좌측에 배치된 제 2 보호액 분사 노즐(122a)이 제 2 방향인 기판(W)의 중앙부로부터 제 2 가장자리부를 향해 보호액을 기판(W)의 상부면으로 분사할 수 있다.
제 1 두께 센서(130)는 제 1 보호액 분사 노즐(122)에 부착될 수 있다. 제 2 두께 센서(130a)는 제 2 보호막 분사 노즐(122a)에 부착될 수 있다. 따라서, 제 1 두께 센서(130)는 기판(W)의 제 1 가장자리부부터 중앙부까지의 패턴(P) 상에 위치한 보호액의 두께를 측정할 수 있다. 제 2 두께 센서(130a)는 기판(W)의 중앙부로부터 제 2 가장자리부까지의 패턴(P) 상에 위치한 보호액의 두께를 측정할 수 있다.
도 15는 도 13에 도시된 장치를 이용해서 기판을 세정하는 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.
도 13 내지 도 15를 참조하면, 단계 ST300에서, 펌프(113)의 회전 속도를 설정 속도보다 빠르게 구동시킬 수 있다.
단계 ST302에서, 세정액의 압력이 설정 압력에 도달하면, 펌프(113)의 회전 속도를 설정 속도로 낮출 수 있다. 이러한 펌프(113)의 회전 속도 제어를 통해서, 세정액의 공급 압력과 압전소자(116)의 진동수가 매칭되지 못하는 시간을 대폭 단축시킬 수 있다. 결과적으로, 세정액의 공급 압력과 압전소자(116)의 진동수 사이의 미스매치로 인한 패턴(P)의 손상을 크게 줄일 수 있다.
단계 ST304에서, 세정액 토출 노즐(112)이 스캔 방향인 기판(W)의 제 1 가장자리부로부터 중앙부를 지나서 제 2 가장자리부로 이동하면서 액적 형태의 세정액을 기판(W)의 상부면으로 토출할 수 있다.
단계 ST306에서, 세정액 토출 노즐(112)이 기판(W)의 제 1 가장자리부로부터 중앙부까지 이동하는 동안, 세정액 토출 노즐(112)의 우측에 배치된 제 1 보호액 분사 노즐(122)이 제 1 방향인 기판(W)의 중앙부로부터 제 1 가장자리부를 향해 보호액을 기판(W)의 상부면으로 분사할 수 있다.
단계 ST308에서, 세정액 토출 노즐(112)이 기판(W)의 중앙부에 도달하면, 제어부(140a)가 제 1 보호액 분사 노즐(122)을 정지시키고 제 2 보호액 분사 노즐(122a)을 작동시킬 수 있다.
단계 ST310에서, 세정액 토출 노즐(112)이 기판(W)의 중앙부로부터 제 2 가장자리부까지 이동하는 동안, 세정액 토출 노즐(112)의 좌측에 배치된 제 2 보호액 분사 노즐(122a)이 제 2 방향인 기판(W)의 중앙부로부터 제 2 가장자리부를 향해 보호액을 기판(W)의 상부면으로 분사할 수 있다.
이와 같이, 보호액은 항상 기판(W)의 중앙부로부터 가장자리부를 향해 분사되므로, 기판의 가장자리부 상에도 충분한 두께의 보호액이 형성될 수 있다. 그러므로, 기판의 가장자리부에 위치한 패턴(P)의 손상이 방지될 수 있다.
단계 ST312에서, 제 1 및 제 2 보호액 분사 노즐(122, 122a)이 보호액을 분사하는 동안, 두께 센서(130)가 패턴(P) 상의 보호액의 두께를 측정할 수 있다.
단계 ST314에서, 두께 센서(130)에 의해 측정된 보호액의 영역별 두께에 따라, 제어부(140)가 세정액 토출 노즐(112) 및/또는 제 1 및 제 2 보호액 분사 노즐(122, 122a)들을 제어하여, 세정액 토출 높이 및/또는 보호액 분사 유량을 선택적으로 조절할 수 있다.
이러한 보호액 두께에 따른 세정액 토출 노즐(112) 및/또는 제 1 및 제 2 보호액 분사 노즐(122, 122a)들의 제어를 통해서, 패턴(P)의 손상을 방지함과 아울러 세정력을 향상시킬 수 있다.
도 16 및 도 17은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 세정 장치를 나타낸 단면도들이다.
도 16 및 도 17을 참조하면, 본 실시예의 기판 세정 장치(100b)는 세정액 토출 유닛(110b), 보호액 분사 유닛(120b), 두께 센서(130), 제어부(140), 제 1 구동부(150b) 및 제 2 구동부(152b)를 포함할 수 있다.
세정액 토출 유닛(110b)은 보호액 분사 유닛(120b)과 별도로 분리될 수 있다. 즉, 세정액 토출 유닛(110b)과 보호액 분사 유닛(120b)은 독립적으로 구동될 수 있다. 이를 위해서, 세정액 토출 유닛(110b)은 세정액 토출 유닛(110b)의 동작을 독립적으로 제어하기 위한 제 1 구동부(150b)를 포함할 수 있다. 보호액 분사 유닛(120b)은 보호액 분사 유닛(120b)의 동작을 독립적으로 제어하기 위한 제 2 구동부(152b)를 포함할 수 있다.
보호액 분사 유닛(120b)이 세정액 토출 유닛(110b)과 독립적으로 구동되므로, 제 2 구동부(152b)는 세정액 토출 유닛(110b)의 위치에 따라 보호액 분사 유닛(120b)을 이동시킬 수 있다. 예를 들어서, 제 2 구동부(152b)는 보호액 분사 유닛(120b)의 보호액 분사 방향이 제 1 방향과 제 2 방향이 되도록 보호액 분사 유닛(120b)을 이동시킬 수 있다. 그러나, 제 2 구동부(152b)에 의한 보호액 분사 유닛(120b)의 보호액 분사 방향이 제 1 및 제 2 방향들로만 국한되지 않을 수 있다.
도 18은 도 16에 도시된 장치를 이용해서 기판을 세정하는 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.
도 16 내지 도 18을 참조하면, 단계 ST400에서, 펌프(113)의 회전 속도를 설정 속도보다 빠르게 구동시킬 수 있다.
단계 ST402에서, 세정액의 압력이 설정 압력에 도달하면, 펌프(113)의 회전 속도를 설정 속도로 낮출 수 있다. 이러한 펌프(113)의 회전 속도 제어를 통해서, 세정액의 공급 압력과 압전소자(116)의 진동수가 매칭되지 못하는 시간을 대폭 단축시킬 수 있다. 결과적으로, 세정액의 공급 압력과 압전소자(116)의 진동수 사이의 미스매치로 인한 패턴(P)의 손상을 크게 줄일 수 있다.
단계 ST404에서, 세정액 토출 노즐(112b)이 스캔 방향인 기판(W)의 제 1 가장자리부로부터 중앙부를 지나서 제 2 가장자리부로 이동하면서 액적 형태의 세정액을 기판(W)의 상부면으로 토출할 수 있다.
단계 ST406에서, 제 1 구동부(150b)에 의해 세정액 토출 노즐(112b)이 기판(W)의 제 1 가장자리부로부터 중앙부까지 이동하는 동안, 제 2 구동부(152b)에 의해 세정액 토출 노즐(112b)의 우측에 배치된 보호액 분사 노즐(122b)이 제 1 방향인 기판(W)의 중앙부로부터 제 1 가장자리부를 향해 보호액을 기판(W)의 상부면으로 분사할 수 있다.
단계 ST408에서, 제 1 구동부(150b)에 의해 세정액 토출 노즐(112b)이 기판(W)의 중앙부에 도달하면, 제 2 구동부(152b)가 보호액 분사 노즐(122b)을 세정액 토출 노즐(112b)의 좌측으로 이동시킬 수 있다.
단계 ST410에서, 제 1 구동부(150b)에 의해 세정액 토출 노즐(112b)이 기판(W)의 중앙부로부터 제 2 가장자리부까지 이동하는 동안, 세정액 토출 노즐(112b)의 좌측에 배치된 보호액 분사 노즐(122b)이 제 2 방향인 기판(W)의 중앙부로부터 제 2 가장자리부를 향해 보호액을 기판(W)의 상부면으로 분사할 수 있다.
이와 같이, 보호액은 항상 기판(W)의 중앙부로부터 가장자리부를 향해 분사되므로, 기판의 가장자리부 상에도 충분한 두께의 보호액이 형성될 수 있다. 그러므로, 기판의 가장자리부에 위치한 패턴(P)의 손상이 방지될 수 있다.
단계 ST412에서, 보호액 분사 노즐(122b)이 보호액을 분사하는 동안, 두께 센서(130b)가 패턴(P) 상의 보호액의 두께를 측정할 수 있다.
단계 ST414에서, 두께 센서(130b)에 의해 측정된 보호액의 영역별 두께에 따라, 제어부(140)가 세정액 토출 노즐(112b) 및/또는 보호액 분사 노즐(122b)을 제어하여, 세정액 토출 높이 및/또는 보호액 분사 유량을 선택적으로 조절할 수 있다.
이러한 보호액 두께에 따른 세정액 토출 노즐(112b) 및/또는 보호액 분사 노즐(122b)들의 제어를 통해서, 패턴(P)의 손상을 방지함과 아울러 세정력을 향상시킬 수 있다.
상기된 본 실시예들에 따르면, 기판의 제 1 가장자리부로부터 중앙부를 향해 이동하면서 세정액을 기판의 표면으로 토출하는 동안에, 보호액을 기판의 중앙부로부터 제 1 가장자리부를 향해 분사할 수 있다. 반면에, 기판의 중앙부로부터 제 2 가장자리부를 향해 이동하면서 세정액을 토출하는 동안에, 보호액을 기판의 중앙부로부터 제 2 가장자리부를 향해 분사할 수 있다. 따라서, 보호액은 항상 기판의 중앙부로부터 가장자리부를 향해 분사되므로, 기판 표면의 보호액은 균일한 두께를 가질 수 있다. 결과적으로, 기판 상에 형성된 패턴의 손상을 방지하면서 반응 부산물을 제거하는 효율이 향상될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
110 ; 세정액 토출 유닛 111 ; 세정액 공급 라인
112 ; 세정액 토출 노즐 113 ; 펌프
114 ; 밸브 115 ; 필터
116 ; 압전소자 117 ; 드레인 라인
118 ; 수평 구동부 119 ; 수직 구동부
120 ; 보호액 분사 유닛 122 ; 보호액 분사 노즐
124 ; 노즐 암 125 ; 구동부
126 ; 보호액 공급 라인 130 ; 두께 센서
140 ; 제어부

Claims (10)

  1. 기판의 표면으로 제 1 위치로부터 제 1 방향을 따라 보호액을 분사하고;
    상기 기판의 표면으로 세정액을 토출하고; 그리고
    상기 기판의 표면으로 상기 제 1 위치와 다른 제 2 위치로부터 제 2 방향을 따라 상기 보호액을 분사하는 것을 포함하는 기판 세정 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 위치는 상기 기판의 중앙부와 상기 기판의 제 1 가장자리 사이에 위치하고, 상기 제 1 방향은 상기 기판의 중앙부로부터 상기 기판의 제 1 가장자리부를 향하는 방향이며, 상기 제 2 위치는 상기 기판의 중앙부와 상기 제 1 가장자리부의 반대인 상기 기판의 제 2 가장자리부 사이에 위치하고, 상기 제 2 방향은 상기 기판의 중앙부로부터 상기 기판의 제 2 가장자리부를 향하는 방향인 기판 세정 방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 세정액을 토출하는 것은 상기 기판의 제 1 가장자리부로부터 중앙부를 지나서 상기 기판의 제 2 가장자리부를 따라서 상기 세정액을 토출하는 것을 포함하는 기판 세정 방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 보호액을 상기 제 1 방향을 따라 분사하는 것은 상기 세정액을 상기 기판의 제 1 가장자리부로부터 상기 기판의 중앙부까지 토출하는 동안 수행되고, 상기 보호액을 상기 제 2 방향을 따라 분사하는 것은 상기 세정액을 상기 기판의 중앙부로부터 상기 기판의 제 2 가장자리부까지 토출하는 동안 수행되는 기판 세정 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 상의 상기 보호액의 두께를 측정하고; 그리고
    상기 측정된 보호액의 두께에 따라 상기 보호액의 분사 유량 및/또는 상기 세정액의 토출 압력을 선택적으로 조절하는 것을 더 포함하는 기판 세정 방법.
  6. 기판의 표면으로 세정액을 토출하는 세정액 토출 유닛; 및
    상기 기판의 표면으로 서로 다른 제 1 위치와 제 2 위치로부터 각각 제 1 방향과 제 2 방향을 따라 보호액을 분사하는 보호액 분사 유닛을 포함하는 기판 세정 장치.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 보호액 분사 유닛은 상기 세정액 토출 유닛에 상기 기판의 표면과 직교하는 수직축을 중심으로 회전 가능하게 연결된 보호액 분사 노즐을 포함하는 기판 세정 장치.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 보호액 분사 유닛은 상기 보호액 분사 노즐을 회전시키는 구동부를 더 포함하는 기판 세정 장치.
  9. 제 6 항에 있어서, 상기 보호액 분사 유닛은
    상기 세정액 토출 유닛에 고정되고, 상기 제 1 위치에서 상기 보호액을 상기 제 1 방향을 따라 분사하는 제 1 보호액 분사 노즐; 및
    상기 세정액 토출 유닛에 고정되고, 상기 제 2 위치에서 상기 보호액을 상기 제 2 방향을 따라 분사하는 제 2 보호액 분사 노즐을 포함하는 기판 세정 장치.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 기판 상의 상기 보호액의 두께를 측정하는 두께 센서; 및
    상기 측정된 보호액의 두께에 따라 상기 보호액 분사 유닛의 상기 보호액 분사 유량 및 상기 세정액 토출 유닛의 상기 세정액 토출 압력을 제어하는 제어부를 더 포함하는 기판 세정 장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108636687A (zh) * 2018-05-21 2018-10-12 汤美侠 一种二极管引线封胶处理系统
CN114914167A (zh) * 2022-07-11 2022-08-16 广州粤芯半导体技术有限公司 清洗溶液的监测方法及其监测系统

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10553720B2 (en) * 2016-11-29 2020-02-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of removing an etch mask
JP7197376B2 (ja) * 2019-01-17 2022-12-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
WO2021133564A1 (en) * 2019-12-27 2021-07-01 Veeco Instruments Inc. An apparatus and method for die stack flux removal
KR20220038223A (ko) 2020-09-18 2022-03-28 삼성전자주식회사 기판 세정 방법 및 그를 포함하는 기판 제조 방법

Family Cites Families (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5688110A (en) 1995-06-02 1997-11-18 Stanadyne Automotive Corp. Fuel pump arrangement having cam driven low and high pressure reciprocating plunger pump units
US5975098A (en) 1995-12-21 1999-11-02 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus for and method of cleaning substrate
US6352073B1 (en) 1998-11-12 2002-03-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor manufacturing equipment
JP2002011419A (ja) 2000-06-28 2002-01-15 Hitachi Ltd 洗浄方法およびこれに用いる洗浄装置
JP3875456B2 (ja) 2000-06-29 2007-01-31 株式会社東芝 洗浄方法および洗浄装置
US6475072B1 (en) 2000-09-29 2002-11-05 International Business Machines Corporation Method of wafer smoothing for bonding using chemo-mechanical polishing (CMP)
TW561516B (en) 2001-11-01 2003-11-11 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2003234321A (ja) 2002-02-06 2003-08-22 Kawasaki Microelectronics Kk 洗浄方法
US7524771B2 (en) 2002-10-29 2009-04-28 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing method using alkaline solution and acid solution
KR100471750B1 (ko) 2003-03-28 2005-03-16 재단법인서울대학교산학협력재단 액적 발생장치
JP2005183937A (ja) 2003-11-25 2005-07-07 Nec Electronics Corp 半導体装置の製造方法およびレジスト除去用洗浄装置
JP2006165372A (ja) 2004-12-09 2006-06-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 枚葉式洗浄装置および洗浄方法
KR100591163B1 (ko) 2004-12-29 2006-06-19 동부일렉트로닉스 주식회사 화학기계적 연마 공정에서 유기물 제거를 위한 세정 방법
KR100795622B1 (ko) 2005-03-30 2008-01-17 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
TW200703482A (en) 2005-03-31 2007-01-16 Toshiba Kk Method and apparatus for cleaning electronic device
KR100696381B1 (ko) 2005-07-14 2007-03-19 삼성전자주식회사 처리액 공급 장치 및 이를 가지는 반도체 소자 제조 장치
JP4667264B2 (ja) 2006-02-08 2011-04-06 パナソニック株式会社 半導体基板の洗浄方法及び半導体基板の洗浄装置
GB0606685D0 (en) 2006-04-03 2006-05-10 Xaar Technology Ltd Droplet Deposition Apparatus
KR100853148B1 (ko) 2006-09-18 2008-08-20 주식회사 케이씨텍 대면적 기판 세정장치 및 방법
JP4989370B2 (ja) 2006-10-13 2012-08-01 大日本スクリーン製造株式会社 ノズルおよびそれを備える基板処理装置
JP2008108830A (ja) 2006-10-24 2008-05-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 二流体ノズルユニットおよびそれを用いた基板処理装置
JP5168966B2 (ja) 2007-03-20 2013-03-27 富士通セミコンダクター株式会社 研磨方法及び研磨装置
JP5148156B2 (ja) 2007-04-18 2013-02-20 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置および基板洗浄方法
US20080265564A1 (en) 2007-04-24 2008-10-30 Rod Thomas Multi-chamber vacuum insulated pipe systems and methods
KR20090010809A (ko) 2007-07-24 2009-01-30 삼성전자주식회사 기판 처리 방법
US7964945B2 (en) 2007-09-28 2011-06-21 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Glass cap molding package, manufacturing method thereof and camera module
JP5261077B2 (ja) 2008-08-29 2013-08-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄方法および基板洗浄装置
EP2342083B1 (en) 2008-09-30 2019-05-22 Fujifilm Dimatix, Inc. Control of velocity through a nozzle
US8317934B2 (en) 2009-05-13 2012-11-27 Lam Research Corporation Multi-stage substrate cleaning method and apparatus
WO2011048889A1 (ja) 2009-10-22 2011-04-28 日立化成工業株式会社 研磨剤、濃縮１液式研磨剤、２液式研磨剤及び基板の研磨方法
JP5123329B2 (ja) 2010-01-07 2013-01-23 株式会社岡本工作機械製作所 半導体基板の平坦化加工装置および平坦化加工方法
US8511583B2 (en) 2010-02-05 2013-08-20 Msp Corporation Fine droplet atomizer for liquid precursor vaporization
KR20130005307A (ko) 2010-04-27 2013-01-15 시너스 테크놀리지, 인코포레이티드 전하가 가해진 액적의 기화 또는 원자화
KR101665750B1 (ko) 2010-04-29 2016-10-12 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피. 유체 분사 장치
JP5743853B2 (ja) 2010-12-28 2015-07-01 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
KR101398759B1 (ko) 2011-03-01 2014-05-27 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 노즐, 기판처리장치, 및 기판처리방법
JP5852898B2 (ja) 2011-03-28 2016-02-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
WO2012139270A1 (en) * 2011-04-11 2012-10-18 Intel Corporation Face recognition control and social networking
CN102810459B (zh) 2011-06-03 2015-04-08 中国科学院微电子研究所 化学机械平坦化后清洗晶圆的方法
JP5837788B2 (ja) 2011-09-29 2015-12-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス ノズル、基板処理装置、および基板処理方法
JP5866227B2 (ja) 2012-02-23 2016-02-17 株式会社荏原製作所 基板洗浄方法
JP6055637B2 (ja) 2012-09-20 2016-12-27 株式会社日立国際電気 クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
JP6250924B2 (ja) 2012-10-02 2017-12-20 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置および研磨装置
US9558927B2 (en) 2013-03-14 2017-01-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wet cleaning method for cleaning small pitch features
US20140261572A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Dainippon Screen Mfg.Co., Ltd. Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
JP6225067B2 (ja) 2013-06-21 2017-11-01 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法
JP6215671B2 (ja) 2013-11-26 2017-10-18 株式会社東京精密 基板の洗浄方法及び洗浄装置
KR102285832B1 (ko) 2014-07-25 2021-08-05 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6331961B2 (ja) 2014-10-22 2018-05-30 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108636687A (zh) * 2018-05-21 2018-10-12 汤美侠 一种二极管引线封胶处理系统
CN114914167A (zh) * 2022-07-11 2022-08-16 广州粤芯半导体技术有限公司 清洗溶液的监测方法及其监测系统

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Publication number Publication date
US10395951B2 (en) 2019-08-27
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