JP4109175B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4109175B2 JP4109175B2 JP2003330708A JP2003330708A JP4109175B2 JP 4109175 B2 JP4109175 B2 JP 4109175B2 JP 2003330708 A JP2003330708 A JP 2003330708A JP 2003330708 A JP2003330708 A JP 2003330708A JP 4109175 B2 JP4109175 B2 JP 4109175B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nozzle
- protective cover
- substrate
- semiconductor manufacturing
- manufacturing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 90
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 52
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 21
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 21
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 20
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 25
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 21
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Weting (AREA)
Description
に移動される。このために、前記ノズル部300は前記ノズル310を移動させるノズル
移動部を具備する。望ましくは、前記ノズル移動部は外部に露出しないように、後述の保
護カバー400のハウジング420の内部に位置し、ノズル310は保護カバー400に装着される。
110 チャック
130 チャック回転部
132 チャック支持台
134 サポート駆動部
200 流体噴射部
210 流体噴射口
220 流体供給管
300 ノズル部
310 ノズル
322 ノズル支持台
324 ノズル駆動部
326 プーリ
327 ブラケット
328 ガイドレール
329 ベルト
332 ノズル支持台
336 ピニオン
400 保護カバー
410 下部面
412 突出部
414 水平部
416 連結部
418 カバー部
500 保護カバー移動装置
510 保護カバー支持台
520 移送棒
530 移送棒ガイド
540 駆動部
Claims (14)
- 半導体基板が置かれる支持部と、
前記支持部に装着された前記基板のエッジ部に流体を噴射するノズル部と、
前記ノズル部から噴射された前記流体が前記基板上にパターンが形成された部分のうち保護面に流れることを防止する移動可能な保護カバーと、を具備する半導体製造装置であって、
前記保護カバーは、工程進行中に前記保護面から所定の距離を離隔されて位置し、前記基板のエッジ部に噴射された前記流体が前記基板の保護面に流れることを遮断するためにガスを噴射するガス噴射部を具備するとともに、前記基板の前記保護面と向き合う下部面を具備し、
前記下部面は前記基板の保護面のエッジと対応する部分に突出部を有することを特徴とする半導体製造装置。 - 前記保護カバーの下部面は、
前記突出部内に平たい水平部と、
前記水平部と前記突出部との間に位置し、傾いた連結部をさらに有することを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。 - 前記ガス噴射部は、
前記水平部の中央に形成されたガス噴射口と、
前記ガス噴射口に供給される前記ガスの移動通路であるガス供給管とを具備することを特徴とする請求項2に記載の半導体製造装置。 - 前記保護カバーを上下に駆動する保護カバー移動部をさらに具備し、
前記ノズル部は、
ノズルと、
前記ノズルに供給される前記流体の移動通路である流体供給管と、
前記ノズルから噴射されるエッチング液によりエッチングされる基板のエッジ部の幅が調節可能であるように前記ノズルを移動させるノズル移動部と、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。 - 前記ノズルは前記基板の上部面と垂直な軸から前記基板の外側に向く方向に傾くように設置されることを特徴とする請求項4に記載の半導体製造装置。
- 前記ノズル移動部は、
前記ノズルを支持するノズル支持台と、
前記ノズル支持台を水平移動するノズル駆動部と、を具備することを特徴とする請求項4に記載の半導体製造装置。 - 前記ノズル部は、
複数のノズルと、
前記複数のノズルに各々供給される流体の移動通路である流体供給管と、
前記複数のノズルを各々水平移動するノズル移動部とを具備し、
前記複数のノズルは前記基板のエッジ部に均等に配置されることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。 - 前記ノズル移動部は、
モータと、
前記モータと所定の距離離隔されて位置するプーリと、
前記モータ及び前記プーリを囲み、前記モータの回転により所定の距離ずつ移動し、両側面に平行に位置するベルトと、
前記ベルトの両側面に各々結合し、前記ベルトと共に移動するブラケットと、
前記ブラケットと各々結合し、前記二つのノズルを各々支持するノズル支持台とを具備することを特徴とする請求項7に記載の半導体製造装置。 - 前記半導体製造装置は前記保護カバーを移動する保護カバー移動部をさらに含み、
前記保護カバー移動部は、
前記保護カバーを支持する保護カバー支持台と、
前記保護カバー支持台に連結され、前記保護カバー支持台とともに上下に移動する移送棒と、
前記移送棒を移動させる駆動部とを含むことを特徴とする請求項1又は4に記載の半導体製造装置。 - 前記半導体製造装置は前記半導体基板のエッジをエッチングする工程を実行する装置であることを特徴とする請求項1又は4に記載の半導体製造装置。
- 半導体基板が置かれる回転チャックと、
前記回転チャックが装着された前記基板のエッジ部に流体を噴射するノズルと、
前記ノズルから噴射された流体が前記基板上にパターンが形成された部分のうち保護面に流れることを防止する移動可能な保護カバーとを具備し、
前記基板と向き合う前記保護カバーの下部面は、
前記基板の前記保護面のエッジと相応する部分に形成された突出部と
前記突出部のまわりに形成され、前記基板のエッジに噴射された前記流体が上に飛ぶことを防止するカバー部とを含むことを特徴とする半導体製造装置。 - 前記カバー部は前記ノズルが挿入される溝が形成されていることを特徴とする請求項11に記載の半導体製造装置。
- 前記ノズルは前記回転チャックが回転する方向に傾いたことを特徴とする請求項11に記載の半導体製造装置。
- 前記ノズルは、水平方向に移動可能であるように前記保護カバーに装着されることを特徴とする請求項4乃至請求項7のうちのいずれか一項に記載の半導体製造装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2002-0063490A KR100466297B1 (ko) | 2002-10-17 | 2002-10-17 | 반도체 제조 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004140345A JP2004140345A (ja) | 2004-05-13 |
JP4109175B2 true JP4109175B2 (ja) | 2008-07-02 |
Family
ID=32089720
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003330708A Expired - Lifetime JP4109175B2 (ja) | 2002-10-17 | 2003-09-22 | 半導体製造装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6939807B2 (ja) |
JP (1) | JP4109175B2 (ja) |
KR (1) | KR100466297B1 (ja) |
CN (1) | CN1285104C (ja) |
TW (1) | TWI293491B (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100625309B1 (ko) * | 2004-05-04 | 2006-09-20 | 세메스 주식회사 | 상압 플라즈마 발생기 및 이를 사용한 기판 가장자리 식각장치 |
US7323080B2 (en) * | 2004-05-04 | 2008-01-29 | Semes Co., Ltd. | Apparatus for treating substrate |
JP4446875B2 (ja) * | 2004-06-14 | 2010-04-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP4397299B2 (ja) * | 2004-07-30 | 2010-01-13 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US8544483B2 (en) * | 2005-04-01 | 2013-10-01 | Tel Fsi, Inc. | Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
CN101484974B (zh) * | 2006-07-07 | 2013-11-06 | Fsi国际公司 | 用于处理微电子工件的设备和方法以及遮挡结构 |
JP4708286B2 (ja) * | 2006-08-11 | 2011-06-22 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
US20080128088A1 (en) * | 2006-10-30 | 2008-06-05 | Jusung Engineering Co., Ltd. | Etching apparatus for edges of substrate |
US8192822B2 (en) * | 2008-03-31 | 2012-06-05 | Memc Electronic Materials, Inc. | Edge etched silicon wafers |
JP5705723B2 (ja) | 2008-05-09 | 2015-04-22 | テル エフエスアイ インコーポレイテッド | 操作において開モードと閉モードとの切り替えを簡単に行う加工チェンバ設計を用いてマイクロ電子加工品を加工するための道具および方法 |
WO2010059556A1 (en) * | 2008-11-19 | 2010-05-27 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and system for stripping the edge of a semiconductor wafer |
US8853054B2 (en) | 2012-03-06 | 2014-10-07 | Sunedison Semiconductor Limited | Method of manufacturing silicon-on-insulator wafers |
US20140007901A1 (en) * | 2012-07-06 | 2014-01-09 | Jack Chen | Methods and apparatus for bevel edge cleaning in a plasma processing system |
KR20170093366A (ko) * | 2016-02-05 | 2017-08-16 | 주식회사 이오테크닉스 | 웨이퍼 세정 장치 |
CN109698149B (zh) * | 2018-12-27 | 2020-11-20 | 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) | 防溅装置及腐蚀工艺反应设备 |
CN114300396B (zh) * | 2022-01-05 | 2023-01-31 | 郯城宏创高科技电子产业园有限公司 | 一种基于半导体器件加工的绝缘层刻蚀装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01214023A (ja) * | 1988-02-22 | 1989-08-28 | Mitsubishi Electric Corp | レジストエッジ除去装置 |
JP3345468B2 (ja) * | 1993-07-05 | 2002-11-18 | ホーヤ株式会社 | 不要膜除去方法及びその装置並びに位相シフトマスクブランクス製造方法 |
JPH10189421A (ja) * | 1996-12-26 | 1998-07-21 | Sony Corp | エッジリンス装置 |
JP2954059B2 (ja) * | 1997-01-09 | 1999-09-27 | 山形日本電気株式会社 | エッジリンス機構 |
KR19990018792A (ko) | 1997-08-28 | 1999-03-15 | 양재신 | 커넥팅 로드의 고정용 지그 |
KR19990018792U (ko) * | 1997-11-14 | 1999-06-05 | 구본준 | 세척액 분사노즐 |
TW380284B (en) * | 1998-09-09 | 2000-01-21 | Promos Technologies Inc | Method for improving etching uniformity during a wet etching process |
JP2000186000A (ja) * | 1998-12-22 | 2000-07-04 | Speedfam-Ipec Co Ltd | シリコンウェーハ加工方法およびその装置 |
JP3689301B2 (ja) * | 2000-03-15 | 2005-08-31 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランクの製造方法及び不要膜除去装置 |
-
2002
- 2002-10-17 KR KR10-2002-0063490A patent/KR100466297B1/ko active IP Right Grant
-
2003
- 2003-08-01 US US10/631,764 patent/US6939807B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-08 TW TW092124702A patent/TWI293491B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-09-22 JP JP2003330708A patent/JP4109175B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-24 CN CNB031575544A patent/CN1285104C/zh not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004140345A (ja) | 2004-05-13 |
KR20040034856A (ko) | 2004-04-29 |
US6939807B2 (en) | 2005-09-06 |
TW200408042A (en) | 2004-05-16 |
KR100466297B1 (ko) | 2005-01-13 |
US20040077159A1 (en) | 2004-04-22 |
CN1492485A (zh) | 2004-04-28 |
TWI293491B (en) | 2008-02-11 |
CN1285104C (zh) | 2006-11-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4109175B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
JP4474438B2 (ja) | 基板処理装置及び方法、そしてこれに用いられる噴射ヘッド | |
US7803230B2 (en) | Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, and medium for recording program used for the method | |
KR0175278B1 (ko) | 웨이퍼 세정장치 | |
KR102358941B1 (ko) | 액 처리 방법, 기억 매체 및 액 처리 장치 | |
US9048269B2 (en) | Substrate liquid treatment apparatus with lift pin plate | |
KR101486165B1 (ko) | 기판처리장치 및 노즐 | |
JP7197376B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP2013207303A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP3974552B2 (ja) | 半導体製造装置及び半導体製造方法 | |
US7166183B2 (en) | Apparatus and method for treating edge of substrate | |
KR100749544B1 (ko) | 기판세정장치 및 기판세정방법 | |
KR100710803B1 (ko) | 기판 세정 장치 | |
KR100568873B1 (ko) | 웨이퍼의 에지 비드 스트립용 노즐장치 | |
TW201629641A (zh) | 顯影方法 | |
JP3573445B2 (ja) | 現像装置及び洗浄装置 | |
KR102096945B1 (ko) | 기판처리장치 및 방법 | |
TWI762188B (zh) | 製造半導體裝置的方法與製程設備 | |
KR100629919B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP6814847B2 (ja) | 現像方法 | |
JP2005244130A (ja) | 基板処理法及び基板処理装置 | |
KR20080015647A (ko) | 매엽식 반도체 에칭 장비 | |
KR100558926B1 (ko) | 반도체 소자 제조 장치 | |
KR102248891B1 (ko) | 노즐 유닛 및 기판 처리 장치 | |
JP6443806B2 (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060831 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060912 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061206 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071106 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080206 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080304 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080403 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110411 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4109175 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120411 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130411 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140411 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |