KR20040034856A - 반도체 제조 장치 - Google Patents
반도체 제조 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20040034856A KR20040034856A KR1020020063490A KR20020063490A KR20040034856A KR 20040034856 A KR20040034856 A KR 20040034856A KR 1020020063490 A KR1020020063490 A KR 1020020063490A KR 20020063490 A KR20020063490 A KR 20020063490A KR 20040034856 A KR20040034856 A KR 20040034856A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- nozzle
- substrate
- protective cover
- fluid
- chuck
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 28
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 85
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 47
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 25
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 22
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 27
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
Description
Claims (21)
- 반도체 제조 설비에 있어서,반도체 기판이 놓여지는 서포터부와;상기 서포터부에 장착된 상기 기판의 가장자리부에 유체를 분사하는 노즐부와;상기 노즐부로부터 분사된 상기 유체가 상기 기판상에 패턴이 형성된 부분 중 보호면으로 흐르는 것을 방지하는 이동가능한 보호 커버를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 보호 커버는 공정 진행중에 상기 보호면으로부터 소정거리 이격되어 위치되고, 상기 기판의 가장자리부에 분사된 상기 유체가 상기 기판의 보호면으로 흐르는 것을 차단하기 위해 가스를 분사하는 가스 분사부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제 2항에 있어서,상기 보호 커버는 상기 기판의 상기 보호면과 마주보는 하부면을 구비하되,상기 하부면은 상기 기판의 보호면의 가장자리와 대응되는 부분에 돌출부를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제 3항에 있어서,상기 보호 커버의 상기 하부면은,상기 돌출부 내에 평평한 수평부와,상기 수평부와 상기 돌출부 사이에 위치되고 경사진 연결부를 더 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제 4항에 있어서,상기 가스분사부는,상기 수평부의 중앙에 형성된 가스분사구와;상기 가스분사구로 공급되는 상기 가스의 이동통로인 가스공급관을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 노즐부는,노즐과;상기 노즐로 공급되는 상기 유체의 이동통로인 유체공급관과;그리고상기 노즐을 이동시키는 노즐 이동부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제 6항에 있어서,상기 노즐은 상기 기판의 상부면과 수직한 축으로부터 상기 기판의 바깥쪽을 향하는 방향으로 경사지도록 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제 6항에 있어서,상기 노즐 이동부는,상기 노즐을 지지하는 노즐 지지대와;상기 노즐 지지대를 수평 이동하는 노즐구동부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제 8항에 있어서,상기 노즐 이동부는 상기 노즐 지지대의 수평 이동을 안내하는 가이드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 노즐부는,복수의 노즐들과;상기 복수의 노즐들에 각각 공급되는 유체의 이동통로인 유체 공급관들과;상기 복수의 노즐들을 각각 수평 이동하는 노즐 이동부를 구비하되,상기 복수의 노즐들은 상기 기판의 가장자리부에 균등하게 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제 10항에 있어서,상기 노즐 이동부는,모터와;상기 모터와 소정거리 이격되어 위치되는 풀리와;상기 모터 및 상기 풀리를 감싸며 상기 모터의 회전에 의해 소정거리씩 이동되는 그리고 양 측면에 평행하게 위치되는 벨트와;상기 벨트의 양 측면에 각각 결합되고, 상기 벨트와 함께 이동되는 브라켓들과;상기 브라켓들과 각각 결합되고, 상기 2개의 노즐들을 각각 지지하는 노즐 지지대들을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 반도체 제조 장치는 상기 보호 커버를 이동하는 보호 커버 이동부를 더 포함하되,상기 보호 커버 이동부는,상기 보호 커버를 지지하는 보호 커버 지지대와;상기 보호 커버 지지대에 연결되고, 상기 보호 커버 지지대와 함께 상하로 이동하는 이송봉과;상기 이송봉을 이동시키는 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제 12항에 있어서,상기 보호 커버 이동부는 상기 이송봉의 상하 이동을 안내하는 이송봉 가이드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 서포터부는척과;상기 척을 회전하는 척 회전부와;그리고상기 기판의 가장자리를 고정하는, 그리고 상기 서포터부가 회전될 때, 상기 기판이 상기 척으로부터 이탈되는 것을 방지하는 척킹 핀들을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제 14항에 있어서,상기 회전 장치는,상기 척을 지지하는 척 지지대와;상기 척 지지대를 회전시키는 서포트 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제 15항에 있어서,상기 반도체 제조 장치는 상기 서포터부에 장착된 상기 기판의 하부면에 유체를 분사하는 유체 분사부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제 16항에 있어서,상기 유체 분사부는,상기 척의 중앙에 형성된 유체 분사구와;상기 유체분사구를 통해 분사되는 유체를 공급하는, 그리고 상기 척 지지대의 내부에 위치되는 유체 공급관을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 반도체 제조 장치는 식각공정을 수행하는 장치인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 반도체 제조 설비에 있어서,반도체 기판이 놓여지는 회전척과;상기 회전척에 장착된 상기 기판의 가장자리부에 유체를 분사하는 노즐과,상기 노즐로부터 분사된 유체가 상기 기판상에 패턴이 형성된 부분 중 보호면으로 흐르는 것을 방지하는 이동가능한 보호 커버를 구비하되,상기 기판과 마주보는 상기 보호 커버의 하부면은,상기 기판의 상기 보호면의 가장자리와 상응되는 부분에 형성된 돌출부와상기 돌출부 둘레에 형성되며 상기 기판의 가장자리에 분사된 상기 유체가 위로 튀는 것을 방지하는 커버부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제 19항에 있어서,상기 커버부는 상기 노즐이 삽입되는 홈이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제 19항에 있어서,상기 노즐은 상기 회전척이 회전되는 방향으로 기울어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2002-0063490A KR100466297B1 (ko) | 2002-10-17 | 2002-10-17 | 반도체 제조 장치 |
US10/631,764 US6939807B2 (en) | 2002-10-17 | 2003-08-01 | Apparatus for manufacturing semiconductor devices with a moveable shield |
TW092124702A TWI293491B (en) | 2002-10-17 | 2003-09-08 | Apparatus for manufacturing semiconductor devices |
JP2003330708A JP4109175B2 (ja) | 2002-10-17 | 2003-09-22 | 半導体製造装置 |
CNB031575544A CN1285104C (zh) | 2002-10-17 | 2003-09-24 | 半导体器件制造设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2002-0063490A KR100466297B1 (ko) | 2002-10-17 | 2002-10-17 | 반도체 제조 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040034856A true KR20040034856A (ko) | 2004-04-29 |
KR100466297B1 KR100466297B1 (ko) | 2005-01-13 |
Family
ID=32089720
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2002-0063490A KR100466297B1 (ko) | 2002-10-17 | 2002-10-17 | 반도체 제조 장치 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6939807B2 (ko) |
JP (1) | JP4109175B2 (ko) |
KR (1) | KR100466297B1 (ko) |
CN (1) | CN1285104C (ko) |
TW (1) | TWI293491B (ko) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100625309B1 (ko) * | 2004-05-04 | 2006-09-20 | 세메스 주식회사 | 상압 플라즈마 발생기 및 이를 사용한 기판 가장자리 식각장치 |
US7323080B2 (en) * | 2004-05-04 | 2008-01-29 | Semes Co., Ltd. | Apparatus for treating substrate |
JP4446875B2 (ja) * | 2004-06-14 | 2010-04-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP4397299B2 (ja) * | 2004-07-30 | 2010-01-13 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
KR101316769B1 (ko) | 2005-04-01 | 2013-10-15 | 티이엘 에프에스아이, 인코포레이티드 | 하나 이상의 처리 유체를 이용하여 마이크로일렉트로닉 워크피이스를 처리하는데 이용되는 장치용 배리어 구조 및 노즐 장치 |
WO2008008154A2 (en) | 2006-07-07 | 2008-01-17 | Fsi International, Inc. | Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
JP4708286B2 (ja) * | 2006-08-11 | 2011-06-22 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
US20080128088A1 (en) * | 2006-10-30 | 2008-06-05 | Jusung Engineering Co., Ltd. | Etching apparatus for edges of substrate |
CN101981664B (zh) * | 2008-03-31 | 2013-08-28 | Memc电子材料有限公司 | 蚀刻硅晶片边缘的方法 |
WO2009137032A2 (en) | 2008-05-09 | 2009-11-12 | Fsi International, Inc. | Tools and methods for processing microelectronic workpieces using process chamber designs that easily transition between open and closed modes of operation |
EP2359390A1 (en) * | 2008-11-19 | 2011-08-24 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Method and system for stripping the edge of a semiconductor wafer |
US8853054B2 (en) | 2012-03-06 | 2014-10-07 | Sunedison Semiconductor Limited | Method of manufacturing silicon-on-insulator wafers |
US20140007901A1 (en) * | 2012-07-06 | 2014-01-09 | Jack Chen | Methods and apparatus for bevel edge cleaning in a plasma processing system |
KR20170093366A (ko) * | 2016-02-05 | 2017-08-16 | 주식회사 이오테크닉스 | 웨이퍼 세정 장치 |
CN109698149B (zh) * | 2018-12-27 | 2020-11-20 | 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) | 防溅装置及腐蚀工艺反应设备 |
CN114300396B (zh) * | 2022-01-05 | 2023-01-31 | 郯城宏创高科技电子产业园有限公司 | 一种基于半导体器件加工的绝缘层刻蚀装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01214023A (ja) * | 1988-02-22 | 1989-08-28 | Mitsubishi Electric Corp | レジストエッジ除去装置 |
JP3345468B2 (ja) * | 1993-07-05 | 2002-11-18 | ホーヤ株式会社 | 不要膜除去方法及びその装置並びに位相シフトマスクブランクス製造方法 |
JPH10189421A (ja) * | 1996-12-26 | 1998-07-21 | Sony Corp | エッジリンス装置 |
JP2954059B2 (ja) * | 1997-01-09 | 1999-09-27 | 山形日本電気株式会社 | エッジリンス機構 |
KR19990018792A (ko) | 1997-08-28 | 1999-03-15 | 양재신 | 커넥팅 로드의 고정용 지그 |
KR19990018792U (ko) * | 1997-11-14 | 1999-06-05 | 구본준 | 세척액 분사노즐 |
TW380284B (en) * | 1998-09-09 | 2000-01-21 | Promos Technologies Inc | Method for improving etching uniformity during a wet etching process |
JP2000186000A (ja) * | 1998-12-22 | 2000-07-04 | Speedfam-Ipec Co Ltd | シリコンウェーハ加工方法およびその装置 |
JP3689301B2 (ja) * | 2000-03-15 | 2005-08-31 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランクの製造方法及び不要膜除去装置 |
-
2002
- 2002-10-17 KR KR10-2002-0063490A patent/KR100466297B1/ko active IP Right Grant
-
2003
- 2003-08-01 US US10/631,764 patent/US6939807B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-08 TW TW092124702A patent/TWI293491B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-09-22 JP JP2003330708A patent/JP4109175B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-24 CN CNB031575544A patent/CN1285104C/zh not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1492485A (zh) | 2004-04-28 |
US20040077159A1 (en) | 2004-04-22 |
TWI293491B (en) | 2008-02-11 |
TW200408042A (en) | 2004-05-16 |
CN1285104C (zh) | 2006-11-15 |
KR100466297B1 (ko) | 2005-01-13 |
JP2004140345A (ja) | 2004-05-13 |
JP4109175B2 (ja) | 2008-07-02 |
US6939807B2 (en) | 2005-09-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100466297B1 (ko) | 반도체 제조 장치 | |
KR100706666B1 (ko) | 기판을 처리하는 장치 및 방법, 그리고 이에 사용되는분사헤드 | |
KR0175278B1 (ko) | 웨이퍼 세정장치 | |
KR20030038377A (ko) | 기판세정장치 및 방법 | |
KR20050035318A (ko) | 기판 세정 건조 장치 및 방법 | |
KR20100045802A (ko) | 매엽식 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR20050004482A (ko) | 반도체 기판의 가장자리부 처리 장치 및 방법 | |
KR100749544B1 (ko) | 기판세정장치 및 기판세정방법 | |
KR20010049878A (ko) | 습식처리장치 | |
JP3189087B2 (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
KR20090057797A (ko) | 기판 세정 장치 | |
KR20060065616A (ko) | 기판 세정 건조 방법 | |
KR100454637B1 (ko) | 매엽식 반도체 웨이퍼용 약액 분사노즐 | |
KR100858240B1 (ko) | 기판 스핀 장치 | |
US20050016567A1 (en) | Substrate treatment apparatus | |
KR100629919B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP2007005711A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR100558926B1 (ko) | 반도체 소자 제조 장치 | |
KR20080015647A (ko) | 매엽식 반도체 에칭 장비 | |
KR100308207B1 (ko) | 반도체현상설비의나이프에지링과이너컵및웨이퍼오염방지장치 | |
KR100493558B1 (ko) | 스핀 식각 장치 | |
KR20070097715A (ko) | 세정액 노즐 장치 및 이를 구비하는 반도체 세정 설비, 그리고 기판 세정 방법 | |
KR0129712Y1 (ko) | 반도체 제조 장치의 회전 도포 장치 | |
KR20020083684A (ko) | 양면 동시세정이 가능한 매엽식 웨이퍼 세정장치 | |
KR20080026341A (ko) | 슬릿 코터 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130103 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140103 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150106 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160106 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170105 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180104 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190104 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191226 Year of fee payment: 16 |