KR20070097715A - 세정액 노즐 장치 및 이를 구비하는 반도체 세정 설비, 그리고 기판 세정 방법 - Google Patents

세정액 노즐 장치 및 이를 구비하는 반도체 세정 설비, 그리고 기판 세정 방법 Download PDF

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KR20070097715A
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 복수의 방식을 이용하는 세정액 노즐 장치 및 이를 구비하는 반도체 세정 설비에 관한 것이다. 세정액 노즐 장치는 샤워 노즐과 스프레이 노즐 및 체결부재를 포함하여 모듈화한다. 그러므로 세정액 노즐 장치는 현상 공정 후, 웨이퍼 기판 상에 잔존하는 현상액 및 부산물을 효과적으로 제거하기 위하여 샤워 노즐 및/또는 스프레이 노즐을 이용하여 세정액을 동시에 또는 독립적으로 토출한다.
반도체 세정 설비, 세정액 노즐 장치, 샤워 노즐, 스프레이 노즐

Description

세정액 노즐 장치 및 이를 구비하는 반도체 세정 설비{NOZZLE APPARATUS FOR CLEANNING AND SEMICONDUCTOR CLEANNING EQUIPMENT INCLUDING THE SAME}
도 1은 일반적인 반도체 세정 설비의 세정액 노즐 장치의 구성을 도시한 도면;
도 2는 본 발명에 따른 반도체 세정 설비의 일부 구성을 도시한 단면도;
도 3은 도 2에 도시된 세정액 노즐 장치의 개략적인 구성을 도시한 단면도;
도 4는 도 3에 도시된 세정액 노즐 장치의 상세한 구성을 도시한 사시도;
도 5는 도 4에 도시된 샤워 노즐의 구성을 나타내는 단면도; 그리고
도 6은 도 4에 도시된 스프레이 노즐의 구성을 나타내는 단면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *
100 : 반도체 세정 설비 102 : 웨이퍼 기판
104 : 스핀 척 108 : 컵
110 : 구동 장치 120 : 로봇암
130 : 세정액 노즐 장치 132 : 체결부재
140 : 샤워 노즐 150 : 스프레이 노즐
본 발명은 반도체 세정 설비에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 샤워 및 스프레이 방식을 이용하는 세정액 노즐 장치 및 이를 구비하는 반도체 세정 설비에 관한 것이다.
반도체 제조 공정 중 현상 공정은 웨이퍼 기판 상에 회로 패턴을 형성하기 위하여 현상액 즉, 포토레지스트를 도포하여 처리한다. 포토레지스트에 대한 현상 공정 후 웨이퍼 기판에 존재하는 부산물 및 현상액을 제거하기 위하여 세정 공정을 실시한다. 이 경우, 세정액 노즐 장치를 이용하여 세정액을 웨이퍼 기판 상에 토출하는데, 샤워 형태의 슬릿 노즐 또는 2 구 직하 방식의 노즐을 이용하여 세정한다. 예를 들어, 이러한 노즐은 300 mm 웨이퍼 세정 공정시, 웨이퍼가 스핀 척에 의해 회전되므로 150 mm 정도의 세정 영역에 세정액을 토출하는 길이를 갖는다.
도 1을 참조하면, 일반적인 반도체 세정 설비는 현상 공정이 완료된 후, 웨이퍼 기판 상에 잔존하는 현상액 및 부산물을 제거하기 위하여 세정 공정을 실시한다. 즉, 세정액 노즐 장치(10)는 구동 장치(미도시됨)에 의해 웨이퍼 기판(2) 상부로 이동되고, 세정액 공급원(미도시됨)으로부터 세정액 공급구(12)를 통해 세정액을 받아들여서, 스핀 척(4)에 로딩된 웨이퍼 기판(2)으로 다수의 토출구(14)들을 통해 세정액을 커튼(curtain) 모양으로 토출한다.
그러나, 이러한 반도체 세정 설비는 세정 공정 후에도 포토레지스트 부산물이 실오라기 형태로 즉, 미세하게 웨이퍼 표면에 잔존하는 현상이 발생되는데, 이는 반도체 제조 수율을 저하시키는 원인이 된다.
본 발명의 목적은 웨이퍼 기판 세정을 효과적으로 처리하기 위하여 서로 다른 방식을 이용하는 세정액 노즐 장치 및 이를 구비하는 반도체 세정 설비를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 현상 공정 후의 웨이퍼 기판에 잔존하는 부산물 및 현상액을 제거하기 위한 세정액 노즐 장치 및 이를 구비하는 반도체 세정 설비를 제공하는 것이다.
상기 목적들을 달성하기 위한, 세정액 노즐 장치는 웨이퍼 기판으로 세정액을 토출하는 샤워 노즐과, 일정 압력의 가스를 이용하여 세정액을 분사하는 스프레이 노즐을 하나로 모듈화하는데 그 한 특징이 있다. 이와 같이 세정액 노즐 장치는 을 웨이퍼 기판으로 세정액을 균일하게 토출 및 분사 가능하다.
본 발명의 세정액 노즐 장치는, 세정액 공급원으로부터 세정액을 받아들여서 기판으로 세정액을 토출(discharge)하는 샤워 노즐과; 상기 샤워 노즐 일측에 구비되어 세정액 공급원 및 가스 공급원으로부터 세정액 및 일정 압력의 가스를 받아들이고, 가스의 상기 압력에 의해 세정액을 상기 기판으로 분사(spray)하는 적어도 하나의 스프레이 노즐 및; 상기 샤워 노즐 및 상기 스프레이 노즐을 결합시키는 체결부재를 포함한다.
한 실시예에 있어서, 상기 샤워 노즐은; 세정액의 공급 경로가 형성된 제 1 몸체와, 상기 제 1 몸체의 상기 공급 경로 일측에 구비되어 세정액 공급원으로부터 세정액을 받아들이는 적어도 하나의 세정액 공급구 및, 상기 제 1 몸체의 공급 경로 타측에 구비되어 상기 세정액 공급구에 대응하여 구비되는 다수의 토출구들을 포함한다.
다른 실시예에 있어서, 상기 스프레이 노즐은; 세정액 공급원으로부터 세정액을 받아들이는 세정액 공급구와, 가스 공급원으로부터 상기 일정 압력의 가스를 받아들이는 가스 공급구 및, 상기 세정액 공급구와 상기 가스 공급구가 연결되어 세정액 및 가스가 동시에 유입되는 공급 경로가 내부에 형성된 제 2 몸체 및, 상기 제 2 몸체 하부에 구비되어 상기 공급 경로로부터 가스의 상기 압력에 의해 세정액을 분사하는 분사구를 포함한다.
또 다른 실시예에 있어서, 상기 세정액 노즐 장치는; 상기 샤워 노즐 상부와 결합되는 로봇암을 더 포함하되; 상기 체결부재는 상기 스프레이 노즐과 상기 로봇암이 상호 결합되도록 체결한다. 여기서 상기 체결부재는 상기 스프레이 노즐과 웨이퍼 기판과의 간격을 조절 가능하게 구비된다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 서로 다른 방식의 세정액을 토출하는 세정액 노즐 장치를 구비하는 반도체 세정 설비가 제공된다. 이와 같은 본 발명의 반도체 세정 설비는 현상 공정 후의 현상액 및 부산물을 효과적으로 제거할 수 있다.
본 발명의 반도체 세정 설비는, 웨이퍼 기판이 로딩되는 스핀 척과; 상기 스핀 척 상부에서 웨이퍼 기판으로 세정액을 복수의 분사 방식으로 분사하는 세정액 노즐 장치 및; 상기 세정액 노즐 장치를 상기 스핀 척 상부로 이동하는 구동 장치를 포함한다.
한 실시예에 있어서, 상기 세정액 노즐 장치는; 다수의 토출구를 구비하고, 세정액 공급원으로부터 세정액을 받아들여서 상기 토출구들을 통해 기판으로 세정액을 토출하는 샤워 노즐과; 상기 샤워 노즐 일측에 구비되어 세정액 공급원 및 가스 공급원으로부터 세정액 및 일정 압력의 가스를 받아들이고, 가스의 상기 압력에 의해 세정액을 상기 기판으로 분사하는 적어도 하나의 스프레이 노즐 및; 상기 샤워 노즐 및 상기 스프레이 노즐을 상호 결합시키는 체결부재를 포함한다.
이 실시예에 있어서, 상기 스프레이 노즐은, 세정액 공급원으로부터 세정액을 받아들이는 세정액 공급구와, 가스 공급원으로부터 상기 일정 압력의 가스를 받아들이는 가스 공급구 및, 상기 세정액 공급구와 상기 가스 공급구가 연결되어 세정액 및 가스가 동시에 유입되는 공급 경로가 내부에 형성된 몸체 및; 상기 몸체 하단부에 구비되어 상기 공급 경로로부터 가스의 상기 압력에 의해 세정액을 분사하는 분사구를 포함한다. 또 상기 체결부재는; 상기 스프레이 노즐 및 상기 구동 장치와 상호 결합되도록 체결한다.
다른 실시예에 있어서, 상기 구동 장치는; 웨이퍼 기판과의 거리를 조절하기 위해 상하로 이동되어 상기 샤워 노즐 상부와 결합되는 제 1 로봇암과, 상기 제 1 로봇암과 결합되고 회전하여 상기 세정액 노즐 장치를 상기 스핀 척으로 이동하는 제 2 로봇암 및, 상기 제 2 로봇암을 상하로 이동하거나 회전시키는 구동부를 포함한다.
본 발명의 실시예들은 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.
이하 첨부된 도 2 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
도 2 및 도 3은 본 발명에 따른 반도체 세정 설비의 일부 구성을 도시한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 반도체 세정 설비(100)는 복수의 방식 즉, 샤워 및 스프레이 방식으로 세정액을 토출하는 세정액 노즐 장치(130)와, 세정액 노즐 장치(130)와 체결되는 다수의 로봇암들(120) 및, 로봇암들(120)을 수직, 수평 이동 및 회전시키는 구동 장치(110)를 포함한다.
또 반도체 세정 설비(100)는 전형적인 현상 공정 후 세정 공정을 처리하기 위한 구성 예를 들어, 챔버 내부에 구비되어 웨이퍼 기판(102)을 지지하고 흡착, 홀딩하여 회전시키는 스핀 척(104)과, 상부가 오픈된 챔버 외주를 둘러싸는 컵(cup)(108) 및 스핀 척(104)에 로딩된 웨이퍼 기판(102)의 하부면(back-side)을 세정하기 위한 다수의 노즐(106)들을 포함한다. 컵(108)은 예컨대, 상하로 이동할 수 있도록 이중 구조로 구비되며 세정액 노즐 장치(130)가 웨이퍼 기판(102)으로 세정액 공급할 때, 상부로 이동하여 스핀 척(104)의 회전으로 인해 세정액이 주변으로 튀어 주변 장치를 오염시키는 것을 방지한다.
도 3을 참조하면, 세정액 노즐 장치(130)는 샤워 노즐(140)과, 적어도 하나 의 스프레이 노즐(150) 및 체결부재(132)를 포함한다. 샤워 노즐(140)은 세정액 공급원으로부터 세정액을 공급받아서 웨이퍼 기판으로 세정액을 커튼 모양으로 토출(discharge)한다. 스프레이 노즐(150)은 세정액 공급원 및 가스 공급원으로부터 세정액 및 일정 압력의 가스를 공급받아서 가스의 압력에 의해 세정액을 웨이퍼 기판으로 분사(spray)한다. 예를 들어, 스프레이 노즐(150)은 약 0.3 (Kg/cm·cm)의 압력으로 질소 가스(N2)를 공급받아서 세정액을 분사한다. 또 스프레이 노즐(150)은 샤워 노즐(140)의 수평 길이 방향에 대응하여 복수 개가 구비되며 이 때, 각각의 스프레이 노즐(150)들은 독립적으로 웨이퍼 기판과의 간격을 조절하여 분사 영역을 설정할 수 있다. 그리고 체결부재(132)는 예컨대 상호 수직되는 결합면들을 갖는 브라켓 등으로 구비되고, 나사 체결에 의해 샤워 노즐(140)과 스프레이 노즐(150)을 결합시킨다. 또 체결부재(132)는 샤워 노즐(140)과 스프레이 노즐(150)을 각각 웨이퍼 기판과의 간격이 조절 가능하도록 구비하여 각 노즐 위치가 동일하거나 서로 다르게 높이 조절이 가능하다.
로봇암(120)은 웨이퍼 기판과의 간격을 조절하며 일단이 샤워 노즐(140)과 결합되는 제 1 로봇암(124)과, 일단이 제 1 로봇암(124)의 타단과 결합되고 타단이 결합부재(126)를 이용하여 수직으로 구동 장치(110)와 결합되는 제 2 로봇암(122)을 포함한다.
그리고 구동 장치(110)는 예컨대, 회전 모터(미도시됨)와, 세정액 노즐 장치(130)의 샤워 노즐(140) 및 스프레이 노즐(150)을 사용하기 위하여 여러 단계로 높이를 조절하는 다단 실린더(미도시됨)를 포함하는 구동부(112)와, 구동부(112) 상부에 구비되어 회전 모터의 중심축에 연결되는 제 1 풀리(114a)와, 구동부(112) 상부에 제 1 풀리(114a)와 수평되게 구비되고, 다단 실리더의 중심축과 연결되며, 밸트(116)를 이용하여 제 1 풀리(114a)와 연결되는 제 2 풀리(114b) 및, 제 2 풀리(114b)의 중심축의 연장선상에 구비되는 회전축(118)을 포함한다. 그리고 구동 장치(110)는 다단 실린더를 이용하여 세정액 노즐 장치(130)의 수직 위치를 조절하고, 회전 모터와 제 1 풀리(114a)와 밸트(116) 및 제 2 풀리(114b)를 통해 회전축(118)을 회전시켜서 세정액 노즐 장치(130)를 웨이퍼 기판 상부로 이동시킨다. 예를 들어, 세정액 노즐 장치(130)가 샤워 노즐(140) 또는 스프레이 노즐(150)을 독립적으로 처리하면, 다단 실린더는 샤워 노즐(140) 또는 스프레이 노즐(150)의 세정 영역을 설정하기 위하여 웨이퍼 기판과의 간격을 조절하도록 2 단계로 높이 조절이 가능하다. 또 샤워 노즐(140) 및 스프레이 노즐(150)을 동시에 사용하는 경우에도 웨이퍼 기판과의 간격이 동일하거나 서로 다르게 설정할 수 있다.
따라서 구동 장치(110)는 로봇암(120)을 수평 및 수직 이동시키고 회전시켜서 세정액 노즐 장치(130)를 대기 위치에서 웨이퍼 기판 상부로, 웨이퍼 기판 상부에서 대기 위치로 이동시킨다.
구체적으로 도 4를 참조하면, 샤워 노즐(140)은 수평 방향으로 일정 길이가 연장된 형상의 제 1 몸체(144)와, 제 1 몸체(144) 상부에 구비되어 세정액 공급원(미도시됨)으로부터 세정액(DIW)을 공급받는 적어도 하나의 세정액 공급구(142) 및, 제 1 몸체(144) 하단부에 구비되고 세정액 공급구(142)에 대응하여 웨이퍼 기판으로 세정액(DIW)을 토출하는 다수의 토출구(146)들을 포함한다. 예컨대 제 1 몸 체(144)는 웨이퍼 기판의 반경 크기의 길이로 구비되어 스핀 척(도 2의 104)의 회전에 의해 웨이퍼 기판 전면에 균일하게 세정액을 토출한다.
제 1 몸체(144)는 도 5에 도시된 바와 같이, 적어도 하나의 세정액 공급구(142)(예를 들어, 2 개의 세정액 공급구)들 각각에 대응하여 다수의 토출구(146)(예를 들어, 16 개의 토출구)들을 구비하고, 내부에 세정액 공급구(142)와 다수의 토출구(146)가 연결되어 세정액을 저장, 공급하는 적어도 하나의 공급 경로(148)(예를 들어, 2 개의 공급 경로)가 형성된다. 그리고 제 1 몸체(144)의 양측면은 공급 경로(148)에서 세정액이 유출되지 않도록 밀폐된다. 또 샤워 노즐(140)의 상부는 제 1 로봇암(124)과 결합된다.
스프레이 노즐(150)은 도 4 및 도 6에 도시된 바와 같이, 세정액 공급구(152)와 가스 공급구(154)가 연결되어 세정액 및 가스가 동시에 유입되는 공급 경로(도 6의 153)가 내부에 형성된 제 2 몸체(156)와, 제 2 몸체(156) 측면에 구비되어 세정액 공급원으로부터 세정액을 받아들이는 세정액 공급구(152)와, 제 2 몸체(156) 상부에 구비되어 가스 공급원으로부터 일정 압력의 가스를 받아들이는 가스 공급구(154) 및, 제 2 몸체(156) 하부에 구비되어 공급 경로(151)로부터 공급되는 가스의 일정 압력에 의해 세정액을 웨이퍼 기판에 분사하는 분사구(158)를 포함한다. 그리고 세정액 공급구(152)와 가스 공급구(154) 및 분사구(158)는 공급 경로(151)에 의해 연결되며 공급 경로(151)는 공급된 세정액이 저장되고 가스의 일정 압력에 의해 분사구(158)로 분사된다.
그리고 체결부재(132)는 샤워 노즐(140)과 스프레이 노즐(150)에 각각 결합 되는 결합면을 상호 수직되게 구비하고, 각 결합면에는 나사 체결을 위한 홀(136)들을 구비한다. 또 체결부재(132)는 제 1 로봇암(124)과 나사 체결되는 부위에 스프레이 노즐(150)의 높이가 미세 조절이 가능하도록 수직 방향으로 길게 형성된 홀(136)을 구비한다. 따라서 체결부재(132)는 샤워 노즐(140)과 스프레이 노즐(150)이 웨이퍼 기판과 동일하거나 서로 다른 간격을 갖도록 체결된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 세정액 노즐 장치(130)는 샤워 노즐(140)과 일정 압력의 가스에 의한 스프레이 노즐(150)을 이용하여 웨이퍼 기판으로 동시에 또는 번갈아가며 세정액을 토출 및 분사함으로써, 현상 공정 후의 현상액 및 부산물을 효과적으로 제거한다.
이상에서, 본 발명에 따른 세정액 노즐 장치 및 이를 구비하는 반도체 세정 설비의 구성 및 작용을 상세한 설명과 도면에 따라 도시하였지만, 이는 실시예를 들어 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능하다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 세정액 노즐 장치는 샤워 노즐과 함께 스프레이 노즐을 이용하여 세정액을 토출 및 분사함으로써, 현상 공정 후에 웨이퍼 기판 상에 잔존하는 포토레지스트 및 부산물을 완전히 제거시킬 수 있다.
따라서 반도체 세정 공정에서의 제조 수율을 향상시키는 효과를 얻을 수 있다.

Claims (10)

  1. 세정액 노즐 장치에 있어서:
    세정액 공급원으로부터 세정액을 받아들여서 기판으로 세정액을 토출(discharge)하는 샤워 노즐과;
    상기 샤워 노즐 일측에 구비되어 세정액 공급원 및 가스 공급원으로부터 세정액 및 일정 압력의 가스를 받아들이고, 가스의 상기 압력에 의해 세정액을 상기 기판으로 분사(spray)하는 적어도 하나의 스프레이 노즐 및;
    상기 샤워 노즐 및 상기 스프레이 노즐을 결합시키는 체결부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 세정액 노즐 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 샤워 노즐은;
    세정액의 공급 경로가 형성된 제 1 몸체와,
    상기 제 1 몸체의 상기 공급 경로 일측에 구비되어 세정액 공급원으로부터 세정액을 받아들이는 적어도 하나의 세정액 공급구 및,
    상기 제 1 몸체의 공급 경로 타측에 구비되어 상기 세정액 공급구에 대응하여 구비되는 다수의 토출구들을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정액 노즐 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 스프레이 노즐은;
    세정액 공급원으로부터 세정액을 받아들이는 세정액 공급구와,
    가스 공급원으로부터 상기 일정 압력의 가스를 받아들이는 가스 공급구 및,
    상기 세정액 공급구와 상기 가스 공급구가 연결되어 세정액 및 가스가 동시에 유입되는 공급 경로가 내부에 형성된 제 2 몸체 및;
    상기 제 2 몸체 하부에 구비되어 상기 공급 경로로부터 가스의 상기 압력에 의해 세정액을 분사하는 분사구를 포함하는 것을 특징으로 하는 세정액 노즐 장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 세정액 노즐 장치는;
    상기 샤워 노즐 상부와 결합되는 로봇암을 더 포함하되;
    상기 체결부재는 상기 스프레이 노즐과 상기 로봇암이 상호 결합되도록 체결하는 것을 특징으로 하는 세정액 노즐 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 체결부재는 상기 스프레이 노즐과 웨이퍼 기판과의 간격을 조절 가능하게 구비하는 것을 특징으로 하는 세정액 노즐 장치.
  6. 반도체 세정 설비에 있어서:
    웨이퍼 기판이 로딩되는 스핀 척과;
    상기 스핀 척 상부에서 웨이퍼 기판으로 세정액을 복수의 분사 방식으로 분사하는 세정액 노즐 장치 및;
    상기 세정액 노즐 장치를 상기 스핀 척 상부로 이동하는 구동 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 세정 설비.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 세정액 노즐 장치는;
    다수의 토출구를 구비하고, 세정액 공급원으로부터 세정액을 받아들여서 상기 토출구들을 통해 기판으로 세정액을 토출하는 샤워 노즐과;
    상기 샤워 노즐 일측에 구비되어 세정액 공급원 및 가스 공급원으로부터 세정액 및 일정 압력의 가스를 받아들이고, 가스의 상기 압력에 의해 세정액을 상기 기판으로 분사하는 적어도 하나의 스프레이 노즐 및;
    상기 샤워 노즐 및 상기 스프레이 노즐을 상호 결합시키는 체결부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 세정 설비.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 스프레이 노즐은,
    세정액 공급원으로부터 세정액을 받아들이는 세정액 공급구와,
    가스 공급원으로부터 상기 일정 압력의 가스를 받아들이는 가스 공급구 및,
    상기 세정액 공급구와 상기 가스 공급구가 연결되어 세정액 및 가스가 동시 에 유입되는 공급 경로가 내부에 형성된 몸체 및;
    상기 몸체 하단부에 구비되어 상기 공급 경로로부터 가스의 상기 압력에 의해 세정액을 분사하는 분사구를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 세정 설비.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 체결부재는;
    상기 스프레이 노즐 및 상기 구동 장치와 상호 결합되도록 체결하는 것을 특징으로 하는 반도체 세정 설비.
  10. 제 6 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 구동 장치는;
    웨이퍼 기판과의 거리를 조절하기 위해 상하로 이동되어 상기 샤워 노즐 상부와 결합되는 제 1 로봇암과,
    상기 제 1 로봇암과 결합되고 회전하여 상기 세정액 노즐 장치를 상기 스핀 척으로 이동하는 제 2 로봇암 및,
    상기 제 2 로봇암을 상하로 이동하거나 회전시키는 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 세정 설비.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101375898B1 (ko) * 2011-09-15 2014-03-18 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 반도체 디바이스 세정 방법
CN113113334A (zh) * 2021-04-08 2021-07-13 杨智仁 湿制程清洗设备及湿制程清洗方法

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