KR20080071679A - 지지부재 및 상기 지지부재를 구비하는 기판 처리 장치 및방법 - Google Patents

지지부재 및 상기 지지부재를 구비하는 기판 처리 장치 및방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판을 지지하는 지지부재 및 상기 지지부재를 구비하여 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 지지부재는 공정시 기판의 하부면 가장자리 영역과 선접촉 또는 면접촉하여 기판을 지지하는 지지체를 구비한다. 상기 지지체는 공정시 기판의 정밀한 수평이 이루어지도록 기판을 지지하며, 공정시 사용된 처리액이 기판의 하부면을 오염시키는 것을 방지한다.
기판, 현상, 세정, 건조, 척, 스핀척, 지지부재, 지지체,

Description

지지부재 및 상기 지지부재를 구비하는 기판 처리 장치 및 방법{SUPPORT MEMBER, AND APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE WITH THE SAME}
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 기판 처리 장치의 구성들을 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 스핀척 및 지지체의 사시도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 지지체의 사시도이다.
도 5는 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 도면이다.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 설명하기 위한 도면들이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명*
1 : 기판 처리 장치
10 : 공정처리부
12 : 하우징
14 : 스핀척
20 : 처리액 공급부
22 : 슬릿노즐
24 : 세정노즐
100 : 지지부재
110 : 플레이트
120 : 스핀척
130 : 지지체
140 : 구동기
본 발명은 기판을 지지하는 부재 및 상기 지지부재를 구비하여 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적인 기판 처리 장치는 반도체 집적회로 칩의 제조를 위한 웨이퍼 및 평판 디스플레이의 제조를 위한 유리 기판 등의 기판을 처리하는 장치이다. 이러한 기판 처리 장치는 보통 지지부재(support member)에 기판을 안착시켜 공정을 수행한다. 지지부재로는 공정시 기계적 클램프를 사용하는 지지부재와, 정전기력을 이용하여 기판을 지지하는 정전척(electrode chuck), 그리고 진공에 의한 흡입력을 이용하여 기판을 지지하는 진공척(vacuum chuck) 등이 사용된다.
상술한 지지부재들 중 현상공정을 수행하는 장치에 구비되는 지지부재는 하우징, 스핀척, 그리고 지지체를 포함한다. 하우징은 내부에 기판 처리 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 스핀척은 공정시 하우징 내부에서 기판을 지지 및 회전시킨 다. 그리고, 지지체는 현상공정시 기판의 수평이 이루어지도록 기판을 지지한다. 지지체는 복수의 지지핀들(support pins)을 가진다. 각각의 지지핀들의 상부 끝단의 높이를 서로 동일한 높이를 가진다. 따라서, 각각의 지지핀들은 공정시 기판의 하부면과 점접촉하여 기판의 수평이 이루어지도록 기판을 지지한다.
현상공정은 현상액(developer)와 같은 처리액을 기판 표면에 균일하게 도포시켜야 하므로, 현상공정시 기판은 완전한 수평이 이루어지도록 하여야 한다. 그러나, 상술한 구조의 지지체는 각각의 지지핀들이 기판과 접접촉하여 기판을 지지하는 구조이므로, 공정시 기판의 수평을 정밀하게 유지시키기 어려웠다. 특히, 기판이 대형화될수록 기판 지지시 지지핀들에 의해 지지되지 않는 기판의 영역들은 지지핀들에 의해 지지된 영역에 비해 아래로 쳐지는 현상이 발생된다. 또한, 각각의 지지핀들의 높이가 일정하지 않는 경우에는 기판이 한쪽으로 기우는 현상이 발생된다. 이러한 현상들을 방지하기 위해서는 많은 수의 지지핀들을 구비하여 기판의 보다 세밀한 영역들을 지지하도록 할 수 있으나, 지지핀들의 수가 증가하면 장치의 구조가 복잡해지고, 유지 보수시 작업자는 각각의 지지핀들의 높이를 조정하여야 하므로, 작업자의 유지 보수 작업 부담이 커진다.
또한, 상술한 구조의 지지체는 현상공정시 기판의 상부면으로 공급되는 현상액이 기판을 지지하는 지지핀들 사이를 통해 기판의 하부면으로 유입되므로, 현상액에 의해 기판의 하부면이 오염될 수 있다. 기판의 하부면이 오염되면 후속 공정시 오류가 발생될 수 있다. 따라서, 기판 처리 장치에는 현상공정 후 기판의 하부면을 세정하기 위한 별도의 세정장치가 구비되어야 하나, 이러한 세정장치의 부가 로 인해 기판 처리 장치의 내부 구조가 복잡해지고, 장치의 제작 비용이 증가하는 문제점이 있다.
본 발명은 기판 처리 공정의 효율을 향상시키는 지지부재 및 상기 지지부재를 구비하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 공정시 기판의 수평이 이루어지도록 기판을 지지하는 지지부재 및 상기 지지부재를 구비하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 공정시 기판의 하부면이 처리액에 의해 오염되는 것을 방지하는 지지부재 및 상기 지지부재를 구비하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 장치의 구조가 단순화하고 작업자의 유지 보수가 용이한 지지부재 및 상기 지지부재를 구비하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 지지부재는 플레이트, 상기 플레이트에 설치되며, 스핀처리공정시 기판을 지지하는 스핀척, 그리고 상기 스핀척의 외측면을 감싸도록 상기 플레이트에 설치되고 도포공정시 기판의 하부면과 선접촉 또는 면접촉하도록 상부면이 링형상으로 형상지어지는 지지체를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 지지체는 사각틀 형상의 몸체를 가진다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 지지부재는 상기 스핀척과 상기 지지체의 상대 높이를 조절하는 구동기를 더 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 지지체의 상부면에는 실링부재가 제공된다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 내부에 기판을 처리하는 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징, 공정시 상기 하우징 내부에서 기판을 지지하는 지지부재, 그리고 공정시 상기 지지부재에 의해 지지된 기판으로 처리유체를 분사하는 처리유체 공급부를 포함하되, 상기 지지부재는 플레이트, 상기 플레이트에 설치되며 스핀처리공정시 기판을 지지하는 스핀척, 그리고 상기 스핀척의 외측면을 감싸도록 상기 플레이트에 설치되고 현상공정시 기판의 하부면과 선접촉 또는 면접촉하도록 상부면이 링형상으로 형상지어지는 지지체를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 처리유체 공급부는 현상액을 공급하는 현상노즐 및 세정액을 공급하는 세정노즐을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 지지체는 사각틀 형상의 몸체를 가진다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 지지체는 원통형상의 몸체를 가진다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 지지부재는 상기 스핀척와 상기 지지체의 상대 높이를 조절하는 구동기를 더 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 구동기는 상기 스핀척을 상하로 승강 및 하강시키는 승강기를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 지지체의 상부면에는 실링부재가 제공된다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 방법은 플레이트 및 상기 플레이트의 중앙에 설치되어 스핀처리공정시 기판을 지지하는 스핀척, 그리고 현상공정시 기판을 지지하는 지지체를 구비하여 기판을 처리하는 방법에 있어서, 현상액을 도포하는 공정시에는 상기 지지체의 높이가 상기 스핀척의 높이보다 높도록 상기 지지체와 상기 스핀척의 상대높이가 조절되어 공정을 진행하고, 기판을 세정하는 공정시에는 상기 스핀척의 높이가 상기 지지체의 높이보다 높도록 상기 지지체와 상기 스핀척의 상대높이를 조절되어 공정을 진행하되, 상기 지지체는 상기 현상공정시 상기 기판 하부면과 선접촉 또는 점접촉하여 기판을 지지한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 방법은 상기 지지체에 의해 지지된 기판으로 현상액을 도포하여 기판 표면에 현상액을 도포하되, 상기 지지체의 상부면에 실링부재를 제공함으로써 상기 기판으로 도포된 현상액은 상기 지지체에 의해 기판의 하부면의 중앙영역으로 유입되는 것이 방지된다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다. 오히려, 여기서 소개되는 일 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해지도록, 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달되도록 하기 위해 제공되는 것이다. 또한, 본 실시예에서는 평판 디스플레이 제조용 유리 기판을 처리하는 장치를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 기판을 지지시키는 지 지부재를 구비하는 모든 기판 처리 장치에 적용이 가능하다.
(실시예)
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 기판 처리 장치의 구성들을 보여주는 도면이다. 그리고, 도 3은 도 2에 도시된 스핀척 및 지지체의 사시도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(apparatus for treating substrate)(1)는 공정처리부(process treating member)(10) 및 처리유체공급부(treating-fluid supply member)(20)를 포함한다. 공정처리부(10)는 기판 처리 공정을 수행하고, 처리유체 공급부(20)는 기판 처리 공정에 필요한 유체를 공정처리부(10)로 공급한다. 공정처리부(10)는 하우징(housing)(12) 및 지지부재(support member)(100)를 포함하고, 처리유체 공급부(20)는 슬릿노즐(slit nozzle)(22) 및 세정노즐(cleaning nozzle)(24)을 포함한다.
하우징(12)은 내부에 기판(s)을 처리하는 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 여기서, 상기 기판 처리 공정은 기판(s)표면에 현상액(developer)을 도포하는 현ㅅ아공정(develop process) 및 기판(s) 표면에 잔류하는 현상액 및 기타 이물질을 제거하는 세정공정(cleaning process)을 포함한다. 하우징(12)은 상부가 개방된 원통형상을 가진다. 하우징(12)의 개방된 상부는 공정시 하우징(12)의 외부와 상기 공간 상호간에 기판(s)이 이동되기 위한 통로로 사용된다. 하우징(12)에는 공정시 사용된 처리액을 하우징(12)으로부터 배수시키는 배수라인(12a)이 제공된다.
슬릿노즐(22)은 공정시 기판(s)의 처리면으로 현상액을 공급한다. 슬릿노즐(22)은 공정위치(a) 및 대기위치(b) 상호간에 이동된다. 공정위치(a)는 현상공정시 지지체(130)에 의해 지지된 기판(s)의 처리면으로 현상액을 공급하기 위한 슬릿노즐(22)의 위치이고, 대기위치(b)는 공정위치(a)로 이동되기 전에 하우징(12) 외부에서 대기하는 슬릿노즐(22)의 위치이다. 공정위치(a)는 제1 위치(a1) 및 제2 위치(a2)를 가진다. 제1 위치(a1)는 기판(s)의 일끝단으로 현상액을 도포하기 위한 슬릿노즐(22)의 위치이고, 제2 위치(a2)는 기판(s)의 타끝단으로 현상액을 도포하기 위한 슬릿노즐(22)의 위치이다. 본 실시예에서는 현상액을 분사하는 노즐(현상노즐)로 슬릿노즐이 사용되는 것을 예로 들었으나, 현상노즐로는 다양한 노즐이 사용될 수 있다.
세정노즐(24)은 공정시 기판(s)의 처리면으로 세정액을 공급한다. 세정노즐(24)은 노즐부(24a) 및 이송부재(24b)를 가진다. 노즐부(24a)는 공정시 세정유체를 토출한다. 상기 세정유체로는 린스액 및 건조가스를 포함한다. 예컨대, 린스액으로는 초순수(DIW:Deionized Water)가 사용되고, 건조가스로는 질소가스가 사용될 수 있다. 이송부재(24b)는 노즐부(24a)를 분사위치(c) 및 대기위치(d) 상호간에 이동한다. 분사위치(c)는 공정시 스핀척(120)에 의해 지지된 기판(s)으로 세정유체를 분사하기 위한 노즐부(24a)의 위치이고, 대기위치(d)는 공정위치(c)로 이동하기 전에 하우징(12)의 외부에서 대기하는 노즐부(24a)의 위치이다.
지지부재(100)는 공정시 하우징(12) 내부에서 기판(s)을 지지한다. 지지부재(100)는 플레이트(plate)(110), 스핀척(spin chuck)(120) 및 지지체(support body)(130), 그리고 구동기(driving part)(140)를 포함한다.
플레이트(110)는 하우징(12) 내부 중앙 하부면에 설치된다. 플레이트(110)는 대체로 원판형상을 가진다. 플레이트(110)의 중앙에는 슬핀척(120)이 상하로 승강 및 하강운동하기 위한 개구가 형성된다.
스핀척(120)은 세정공정시 기판(s)을 지지한다. 스핀척(120)은 대체로 원통형상을 가진다. 스핀척(120)은 하우징(12)의 중앙에 회전가능하도록 설치된다. 또한, 스핀척(120)은 상하로 승강 및 하강이 가능하도록 설치된다. 스핀척(120)은 대체로 원통형상을 가진다. 스핀척(120)에는 공정시 기판(s)을 스핀척(120)의 상부면에 흡착고정시키기 위한 수단이 제공된다. 예컨대, 상기 수단으로는 상기 스핀척(120)의 상부면에 형성되는 진공홀들(122)과 상기 진공홀들과 연결되는 진공라인(미도시됨)을 포함한다. 공정시 기판(s)이 스핀척(120)의 상부면에 안착되면, 진공라인은 진공홀들(122)에 흡입압력을 제공하여 기판(s)이 스핀척(120)에 의해 흡착고정시킨다.
지지체(130)는 현상공정시 기판(s)을 지지한다. 지지체(130)는 플레이트(110)의 상부에 고정설치된다. 지지체(130)는 스핀척(120)의 외부면을 감싸는 링(ring) 형상의 몸체(132)를 가진다. 몸체(132)에는 기판(s) 지지시 기판(s)과 접촉하는 상부면(134)을 가진다. 몸체(132)의 상부면(134)은 완전한 수평을 이룬다. 따라서, 공정시 기판(s)이 지지체(130)에 안착되면, 기판(s)은 수평을 이룬다. 또한, 몸체(132)의 상부면(132)은 공정시 기판(s)의 하부면 가장자리 영역과 선접촉 또는 면접촉한다. 이를 위해, 몸체(132)는 사각틀 형상을 가진다.
몸체(132)의 상부면(132)에는 실링부재(136)가 제공된다. 실링부재(136)는 지지체(130)가 기판(s)을 지지할 때, 몸체(130)와 기판(s)의 접촉부분이 밀폐되기 위해 제공된다. 따라서, 현상공정시에는 실링부재(136)에 의해 지지체(130)과 기판(s)의 접촉부분이 밀폐되므로, 지지체(130)는 기판(s)으로 공급된 현상액이 기판(s)의 하부면 중앙영역으로 유입되는 것을 방지한다. 실링부재(136)로는 오링(O-ring)이 사용될 수 있다. 여기서, 몸체(132)는 기판(s)의 가장자리 영역과 선접촉하여 기판(s)을 지지하므로, 기판(s)의 형상에 따라 그 형상이 변형된다. 예컨대, 도 4에 도시된 바와 같이, 기판(w)이 웨이퍼(wafer)와 같은 원판 형상의 기판인 경우에는, 몸체(132')는 환형으로 형상지어진다.
구동기(140)는 공정시 스핀척(120) 및 지지체(130)를 구동한다. 즉, 구동기(130)는 공정시 스핀척(120)을 회전시켜 스핀척(120)에 안착된 기판(s)을 기설정된 공정속도로 회전시킨다. 또한, 구동기(130)는 스핀척(120)과 지지체(130)의 상대높이를 조절한다. 예컨대, 구동기(130)는 스핀척(120)을 승강 및 하강시켜 스핀척(120)과 지지체(130)의 상대높이를 조절한다. 이를 위해, 구동기(130)는 스핀척(120)을 승강 및 하강시키는 승강기(미도시됨)를 구비한다.
본 실시예에서는 구동기(140)가 스핀척(120)을 승강 및 하강시켜 스핀척(120)과 지지체(130)의 상대높이를 조절하는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 스핀척(120)과 지지체(130)의 상대높이는 다양한 방식으로 조절될 수 있다. 예컨대, 구동기(140)는 스핀척(120)의 높이를 일정하게 유지시키고 지지체(130)를 승강 및 하강시켜 스핀척(120)과 지지체(130)의 상대높이를 조절할 수 있다. 또는, 구동 기(140)는 스핀척(120)과 지지체(130) 모두의 높이를 승강 및 하강시켜 스핀척(120)과 지지체(130)의 상대높이를 조절할 수 있다.
이하, 상술한 구성을 가지는 기판 처리 장치의 공정 과정을 상세히 설명한다. 여기서, 상술한 구성들과 동일한 구성들에 대한 참조번호는 동일하게 병기하고, 그 구성들에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 5는 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 도면이고, 도 6a 내지 도 6d는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 설명하기 위한 도면들이다.
도 5를 참조하면, 기판 처리 공정이 개시되면, 로봇암(robot arm)과 같은 기판이송장치(미도시됨)는 지지부재(100)에 기판(s)을 로딩시킨다(S110). 즉, 도 6a를 참조하면, 구동기(140)는 스핀척(120)의 상부면이 하우징(12)의 개방된 상부를 통해 하우징(12) 외부로 노출되도록 스핀척(120)을 상승시키고, 기판이송장치는 상승된 스핀척(120)의 상부면에 기판(s)을 안착시킨다.
기판(s)이 로딩되면, 기판(s)의 현상공정이 개시된다. 즉, 도 5b를 참조하면, 구동기(140)는 스핀척(120)을 하강시켜, 스핀척(120)의 상부면 높이보다 지지체(130)의 상부면 높이가 더 높도록 한다. 스핀척(120)이 하강되는 과정에서 스핀척(120)의 상부면 높이가 지지체(130)의 상부면 높이보다 낮아지면, 스핀척(120)에 놓여졌던 기판(s)은 지지체(130)의 상부면에 안착된다(S120). 지지체(130)는 기판(s) 하부면의 가장자리 영역과 선접촉 또는 면접촉되어 기판(s)을 지지한다. 지지체(130)에 놓여진 기판(s)은 수평을 이루며, 기판(s)의 지지체(130)의 접촉부분은 실링부재(134)에 의해 밀폐된다.
기판(s)이 지지체(130)에 안착되면, 처리유체 공급부(20)는 기판(s)의 처리면으로 현상액을 공급한다(S130). 즉, 도 6c를 참조하면, 슬릿노즐(22)은 대기위치(b)로부터 공정위치(a)의 제1 위치(a1)로 이동된다. 그리고, 슬릿노즐(22)은 제1 위치(a1)로부터 제2 위치(a2)로 이동되면서 기판(s)의 처리면으로 현상액을 도포한다. 기판(s) 표면에 현상액이 도포되면, 기판(s) 표면의 박막과 현상액이 반응하도록 일정시간 동안 대기한다.
현상액 도포가 완료되면, 기판(s)의 린스 공정이 개시된다. 즉, 도 6d를 참조하면, 슬릿노즐(22)은 공정위치(a)로부터 대기위치(b)로 이동되고, 구동기(140)는 스핀척(120)을 승강시켜 스핀척(120)의 상부면 높이가 지지체(130)의 상부면 높이보다 높도록 한다. 스핀척(120)을 승강하는 과정에서 스핀척(120)의 상부면 높이가 지지체(130)의 상부면 높이보다 높아지면, 지지체(130)에 놓여졌던 기판(s)은 스핀척(120)에 놓여지게 된다. 기판(s)이 스핀척(120)에 놓여지면, 진공라인(미도시됨)은 진공홀들(122)에 흡입압력을 제공하여 기판(s)을 스핀척(120)에 흡착고정시킨다.
기판(s)이 스핀척(120)에 고정되면, 구동기(140)는 스핀척(120)을 회전시켜 기판(s)을 기설정된 공정속도로 회전시킨다. 기판(s)이 회전되면, 세정노즐(24)은 대기위치(d)로부터 공정위치(c)로 이동된 후 기판(s)의 처리면으로 린스액을 분사한다. 분사된 린스액은 기판(s) 표면의 현상액 및 현상액과 반응한 박막을 제거한 후 기판(s)으로부터 비산된다. 비산된 린스액은 하우징(12) 내 공간에 수용된 후 배수라인(12a)을 통해 하우징(12)으로부터 배수된다.
기판(s)의 린스공정이 완료되면, 기판(s)의 건조공정이 개시된다(S150). 즉, 세정노즐(24)은 린스액의 공급을 중단한 후 기판(s)의 처리면으로 건조가스를 분사한다. 분사된 건조가스는 기판(s) 표면을 건조시킨다. 기판(s)의 세정 공정이 완료되면, 기판(s)은 기판 이송 장치(미도시됨)에 의해 스핀척(120)으로부터 언로딩(unlaoding)된 후 후속 공정이 이루어지는 설비로 이송된다(S160).
상술한 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 공정시 기판(s)의 가장자리 영역과 선접촉하여 기판(s)을 지지하는 지지체(130)를 구비함으로써, 공정시 기판(s)의 수평이 효과적으로 이루어지도록 한다. 즉, 본 발명의 지지체(130)는 종래의 복수의 지지핀들을 사용하여 기판을 지지하는 방식에 비해, 기판(s)을 안정적으로 지지할 수 있어 기판(s)이 한쪽으로 기울거나 기판(s)의 특정 부분이 아래로 쳐지는 현상 등을 방지한다. 또한, 본 발명은 종래의 각각의 지지핀들의 높이를 일일히 조정하여 각각의 지지핀들의 수평을 조절하는 방식에 비해, 지지체(130)의 단일 구성의 높이만을 조정하여 방식이므로, 지지체(130)의 수평을 용이하게 조절할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 지지체(130)가 기판(s)의 하부면 가장자리 영역과 선접촉 또는 면접촉하면서 기판(s)을 지지하므로, 공정시 기판(s)으로 분사되는 처리액이 기판(s)의 하부면으로 유입되는 것을 방지할 수 있어 기판(s)의 오염을 방지한다. 특히, 종래에는 공정시 기판(s)의 하부면이 처리액에 의해 오염되므로, 기판(s)의 하부면을 세정하는 장치가 필수적으로 부가되나 본 발명은 기판(s)의 하부면을 세정하는 장치가 필수적으로 구비되지 않는다.
또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 지지체(130)는 종래의 복수의 지지핀들을 구비하는 방식에 비해 구조를 단순화시킬 수 있고, 작업자의 유지 보수 작업을 효율적으로 수행할 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 지지부재 및 상기 지지부재를 구비하는 기판 처리 장치 및 방법은 공정시 기판의 정밀한 수평이 이루어지도록 기판을 지지하여 기판 처리 공정, 특히 도포공정의 효율을 향상시킨다.
또한, 본 발명에 따른 지지부재 및 상기 지지부재를 구비하는 기판 처리 장치 및 방법은 도포공정시 기판의 하부면이 처리액에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 지지부재 및 상기 지지부재를 구비하는 기판 처리 장치 및 방법은 장치의 구조를 단순화하고 작업자의 유지 보수가 용이하다.

Claims (13)

  1. 기판을 지지하는 부재에 있어서,
    플레이트와,
    상기 플레이트에 설치되며, 스핀처리공정시 기판을 지지하는 스핀척과,
    상기 스핀척의 외측면을 감싸도록 상기 플레이트에 설치되는, 그리고 도포공정시 기판의 하부면과 선접촉 또는 면접촉하도록 상부면이 링형상으로 형상지어지는 지지체를 포함하는 것을 특징으로 하는 지지부재.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지체는,
    사각틀 형상의 몸체를 가지는 것을 특징으로 하는 지지부재.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 지지부재는,
    상기 스핀척과 상기 지지체의 상대 높이를 조절하는 구동기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 지지부재.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 지지체의 상부면에는,
    실링부재가 제공되는 것을 특징으로 하는 지지부재.
  5. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 기판을 처리하는 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징과,
    공정시 상기 하우징 내부에서 기판을 지지하는 지지부재와,
    공정시 상기 지지부재에 의해 지지된 기판으로 처리유체를 분사하는 처리유체 공급부를 포함하되,
    상기 지지부재는,
    플레이트와,
    상기 플레이트에 설치되며, 스핀처리공정시 기판을 지지하는 스핀척과,
    상기 스핀척의 외측면을 감싸도록 상기 플레이트에 설치되는, 그리고 현상공정시 기판의 하부면과 선접촉 또는 면접촉하도록 상부면이 링형상으로 형상지어지는 지지체를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 처리유체 공급부는,
    현상액을 공급하는 현상노즐 및 세정액을 공급하는 세정노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 지지체는,
    사각틀 형상의 몸체를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 지지체는,
    원통형상의 몸체를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제 5 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지부재는,
    상기 스핀척와 상기 지지체의 상대 높이를 조절하는 구동기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 구동기는,
    상기 스핀척을 상하로 승강 및 하강시키는 승강기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 지지체의 상부면에는,
    실링부재가 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 플레이트 및 상기 플레이트의 중앙에 설치되어 스핀처리공정시 기판을 지지하는 스핀척, 그리고 현상공정시 기판을 지지하는 지지체를 구비하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    현상액을 도포하는 공정시에는 상기 지지체의 높이가 상기 스핀척의 높이보다 높도록 상기 지지체와 상기 스핀척의 상대높이가 조절되어 공정을 진행하고,
    기판을 세정하는 공정시에는 상기 스핀척의 높이가 상기 지지체의 높이보다 높도록 상기 지지체와 상기 스핀척의 상대높이를 조절되어 공정을 진행하되,
    상기 지지체는,
    상기 현상공정시 상기 기판 하부면과 선접촉 또는 점접촉하여 기판을 지지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 기판 처리 방법은,
    상기 지지체에 의해 지지된 기판으로 현상액을 도포하여 기판 표면에 현상액을 도포하되, 상기 지지체의 상부면에 실링부재를 제공함으로써 상기 기판으로 도포된 현상액은 상기 지지체에 의해 기판의 하부면의 중앙영역으로 유입되는 것이 방지되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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KR20140095811A (ko) * 2013-01-25 2014-08-04 삼성디스플레이 주식회사 기판 지지 장치

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101226951B1 (ko) * 2010-10-19 2013-01-28 세메스 주식회사 기판 지지 유닛

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3172645B2 (ja) * 1994-11-25 2001-06-04 大日本スクリーン製造株式会社 回転式塗布装置
KR0129712Y1 (ko) * 1995-10-06 1999-02-01 문정환 반도체 제조 장치의 회전 도포 장치
JP3483376B2 (ja) * 1995-11-27 2004-01-06 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8382555B2 (en) 2008-11-26 2013-02-26 Semes Co., Ltd. Substrate supporting unit, and apparatus and method for polishing substrate using the same
KR20140095811A (ko) * 2013-01-25 2014-08-04 삼성디스플레이 주식회사 기판 지지 장치

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