KR20150000671A - 기판 세정장치 - Google Patents

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KR20150000671A
KR20150000671A KR1020130073072A KR20130073072A KR20150000671A KR 20150000671 A KR20150000671 A KR 20150000671A KR 1020130073072 A KR1020130073072 A KR 1020130073072A KR 20130073072 A KR20130073072 A KR 20130073072A KR 20150000671 A KR20150000671 A KR 20150000671A
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cleaning
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이재홍
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주식회사 케이씨텍
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Abstract

본 발명은 기판 세정장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 다양한 종류의 세정액을 시간 지연 없이 신속하게 교체하면서 기판 상면에 분사하는 기판 세정장치에 관한 것이다. 상기 기판 세정장치는 기판, 상기 기판에 세정액을 분사하는 제1분사노즐 및 상기 제1 분사노즐과 소정의 간격으로 이격된 위치에서 상기 세정액을 분사하는 제2분사노즐을 포함하고, 상기 제1분사노즐과 상기 제2분사노즐은 상기 기판의 동일한 지점에 세정액을 분사하는 것을 특징으로 한다. 이와 같은 구성으로, 복수의 노즐을 통해 신속하게 세정액 종류를 교체함으로써 기판을 세정하는 시간을 단축할 수 있다. 또한, 복수의 노즐이 세정액을 분사하는 위치를 이격시킴으로써, 노즐 간에 간섭이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

Description

기판 세정장치{Apparatus for cleaning substrate}
본 발명은 기판 세정장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 다양한 종류의 세정액을 시간 지연 없이 신속하게 교체하면서 기판 상면에 분사하는 기판 세정장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조공정에서는 절연막 및 금속물질의 증착(Deposition), 식각(Etching), 감광제(Photoresist)의 도포(Coating), 현상(Develop), 애셔(Asher)나 파티클 등의 불순물 제거 등이 수회 반복되어 미세한 패터닝(Patterning)의 배열을 만들어 나가게 되는데, 이러한 공정의 진행에 따라 반도체 기판 내에는 식각이나 불순물 제거 공정으로 완전히 제거되지 않은 불순물이 남게 된다. 반도체 장치의 미세화가 진행됨에 따라 수율과 신뢰성 측면에서 미립자를 비롯한 금속 불순물, 유기 오염물, 자연 산화막과 같은 불순물 제거의 중요성 또한 증대되고 있다. 이러한 불순물은 반도체 장치의 성능과 수율을 좌우하는 중요한 요소이기 때문에 반도체 장치를 제조하기 위한 각 공정을 진행하기 전에 세정공정을 거쳐야 한다.
이와 같이, 반도체 장치를 제조하기 위한 기판의 세정 공정은 기판 표면에 잔류하는 미립자를 비롯한 금속 불순물, 유기 오염물, 자연 산화막과 같은 표면 피막 등의 다양한 대상물을 제거하기 위하여 실시한다. 통상적으로 세정 공정은 SC1(Standard Cleaning; NH4OH와 H2O2 및 H2O가 1:1:5 ∼ 1:4:20의 비로 혼합된 유기물) 용액과 DHF(Diluted HF) 용액을 이용한 화학 세정 공정을 포함한다. 세정공정은 반도체 장치를 제조하는 총 공정의 약 1／4 ∼ 1／3을 차지하고 있으며, 이것은 세정 횟수뿐만 아니라 각 공정에 적합한 다양한 세정 공정이 요구되고 있다는 것을 의미한다.
일반적으로 반도체 기판의 습식 세정 장치는, 화학용액이 채워진 세정조(Bath) 내에 다수의 기판을 침지하여 처리하는 방식의 배치식(Batch type)과, 한 장의 기판을 수평으로 배치하여 회전시키면서 처리하는 매엽식(single type)으로 구분된다.
한편, 매엽식 세정 장치는 고속으로 회전하는 기판의 표면에 세정액을 분사하여 원심력으로 기판 표면을 세정하고, 기판 표면에 액상의 이소프로필 알코올(IPA: Iso-Propyl Alcohol)과 같은 건조액을 이용하여 기판을 건조시키게 된다.
또한, 매엽식 세정 공정은, RCA 공정, 즉 SC1, SC2, DHF 약액을 이용하여 기판 표면에서 박막을 제거하고, 파티클을 제거한 후 초순수(DI)로 린스 처리한 다음 건조 공정을 거치게 된다. 그리고 건조 공정은 일반적으로 고 RPM(1500~2500RPM)으로 기판을 회전시키면서 건조하는 스핀(Spin) 방식과 동시에 기판 표면에 불활성 가스(예를 들어, N2 가스)를 공급하여 건조시키는 방식이 있으며, 최근에는 스핀 방식과 동시에 IPA/N2 가스를 분사하여 건조시키는 로타고니 방식(Rotagoni Dry)이 각광을 받고 있다. 로타고니 방식은 IPA를 액체 또는 기체 상태로 제공하는 동시에 N2 가스를 분사함으로써, 마랑고니 효과(Marangoni Effect; 기판에 잔류하는 수분의 표면장력을 낮추어서 건조시키는 효과)를 이용하여 기판의 수분을 제거하게 된다.
그런데, 복수의 노즐이 교대로 세정액 또는 건조가스를 교체하면서 기판의 에 분사하는데, 복수의 노즐이 기판에 위치하기 위해 시간 지연이 발생하거나, 노즐간의 간섭이 발생할 수 있다. 따라서, 세정공정 중에 세정하는 시간이 지연됨에 따라 세정 효과가 저하되어 기판을 오염, 손상 시키게 되고, 이러한 과정이 반복적으로 계속되다 보면, 결국 사용자가 원하는 품질을 갖는 기판을 생산하지 못하게 된다. 최종적으로 기판의 생산성 악화라는 문제점이 야기된다.
본 발명의 실시예들에 따르면 복수의 노즐을 통해 신속하게 세정액 종류를 교체함으로써, 기판을 세정하는 시간을 단축하는 기판 세정장치를 제공하기 위한 것이다.
또한, 복수의 노즐이 세정액을 분사하는 위치를 이격시킴으로써, 노즐 간에 간섭이 발생하는 것을 방지하는 기판 세정장치를 제공하기 위한 것이다.
상술한 본 발명의 실시예들에 따른 기판 세정장치는 기판, 상기 기판에 세정액을 분사하는 제1분사노즐 및 상기 제1 분사노즐과 소정의 간격으로 이격된 위치에서 상기 세정액을 분사하는 제2분사노즐을 포함하고, 상기 제1분사노즐과 상기 제2분사노즐은 상기 기판의 동일한 지점에 세정액을 분사하는 것을 특징으로 한다.
일 실시예에 따른, 상기 동일한 지점은 상기 기판의 중심인 것을 특징으로 한다.
일 실시예에 따른, 상기 제2분사노즐은 상기 기판 상면과 수평한 면을 기준으로 상기 기판 방향으로 경사각을 형성하는 것을 특징으로 한다.
일 실시예에 따른, 상기 제1분사노즐 또는 제2분사노즐에 상기 세정액을 공급하는 공급부를 더 포함하며, 상기 공급부에서 상기 제1분사노즐 또는 상기 제2분사노즐에 공급하는 상기 세정액이 서로 다른 종류인 것을 특징으로 한다.
일 실시예에 따른, 상기 제1분사노즐 또는 제2분사노즐은 상기 기판의 중심에서 가장자리로 왕복하는 것을 특징으로 한다.
일 실시예에 따른, 상기 제1분사노즐 또는 제2분사노즐은 상기 세정액 대신 린스 또는 건조가스를 분사하는 것을 특징으로 한다.
한편, 본 발명의 다른 실시예에 따른, 기판을 수용하는 기판 세정장치는 상기 기판의 상면에 대하여 수직방향으로 세정액을 상기 기판의 중심에 분사하는 제1분사노즐 및 상기 기판의 상면에 대하여 사선방향으로 상기 세정액을 상기 기판의 중심에 분사하는 제2분사노즐을 포함한다.
다른 실시예에 따른, 상기 제1분사노즐 또는 제2분사노즐에 상기 세정액을 공급하는 공급부를 더 포함하며, 상기 공급부에서 상기 제1분사노즐 또는 상기 제2분사노즐에 공급하는 상기 세정액이 서로 다른 종류인 것을 특징으로 한다.
다른 실시예에 따른, 상기 제1분사노즐 또는 제2분사노즐은 상기 기판의 중심에서 가장자리로 왕복하는 것을 특징으로 한다.
다른 실시예에 따른, 상기 제1분사노즐 또는 제2분사노즐은 상기 세정액 대신 린스 또는 건조가스를 분사하는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 구성으로, 복수의 노즐을 통해 신속하게 세정액 종류를 교체함으로써 기판을 세정하는 시간을 단축할 수 있다. 또한, 복수의 노즐이 세정액을 분사하는 위치를 이격시킴으로써, 노즐 간에 간섭이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
이상에서 본 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면, 복수의 노즐을 통해 신속하게 세정액 종류를 교체함으로써, 기판을 세정하는 시간을 단축할 수 있다.
또한, 복수의 노즐이 세정액을 분사하는 위치를 이격시킴으로써, 노즐 간에 간섭이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
도1은 본 발명의 실시예에 따른 패턴이 형성된 반도체 기판의 모식도이다.
도2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 세정장치를 설명하기 위한 모식도이다.
도3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 세정장치의 제1분사노즐 및 제2분사노즐의 구동을 설명하기 위한 모식도이다.
이하, 도 1내지 도3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정장치에 대해서 자세히 설명한다. 참고적으로, 도 1은 본 발명의 실시예에 따른 패턴이 형성된 반도체 기판의 모식도이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 세정장치를 설명하기 위한 모식도이다. 그리고 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 세정장치의 제1분사노즐 및 제2분사노즐의 구동을 설명하기 위한 모식도이다.
도1 내지 도3를 참고하면, 기판 세정장치는 기판(10), 상기 기판(10)에 세정액을 분사하는 제1분사노즐(20) 및 상기 제1 분사노즐(20)과 소정의 간격으로 이격된 위치에서 상기 세정액을 분사하는 제2분사노즐(30)을 포함하고, 상기 제1분사노즐(20)과 상기 제2분사노즐(30)은 상기 기판(10)의 동일한 지점(A)에 세정액을 분사할 수 있다. 여기서, 상기 제1분사노즐(20) 또는 제2분사노즐(30)에 상기 세정액을 공급하는 공급부(40)를 더 포함한다.
보다 구체적으로, 기판 세정장치는 한 장의 기판(10)을 수평으로 수용하여 소정 속도로 회전시키고, 회전하는 기판(10) 상에 세정액 또는 건조가스를 제공함으로써 기판(10)의 세정 또는 건조를 수행하는 매엽식(Single spin type) 세정장치이다. 또한, 기판 세정장치는 서셉터(50)에 기판(10)이 척킹되며, 상기 서셉터(50)는 회전 가능한 축에 의하여 지지되며, 기판(10) 세정장치는 회전하는 기판(10)에 세정액 또는 건조가스를 분사하기 위한 다수의 분사노즐(20,30)이 기판(10) 상부에 구비된다.
본 발명의 실시예에서 '기판(10)'은 반도체 장치(semiconductor device) 제조용 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)일 수 있다. 그러나 본 발명의 기판(10)이 이에 한정되는 것은 아니며, LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel)와 같은 평판 디스플레이 장치(flat panel display device, FPD)용 글라스를 포함하는 투명 기판일 수 있다. 또한, 기판(10)의 형상 및 크기가 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 원형 및 사각형 등 실질적으로 다양한 형상과 크기를 가질 수 있다.
기판(10) 표면에는 홈(11b)과 라인(11a)으로 구성되는 패턴(11)이 형성되어 있다. 여기서, 도1은 패턴(11)의 홈(11b)과 라인(11a)을 간략하게 도시한 것으로, 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니다.
제1분사노즐(20) 또는 제2분사노즐(30)은 기판(10) 상부에 구비되며, 도2 내지 도3에 도시된 바와 같이, 제1분사노즐(20) 또는 제2분사노즐(30)은 기판(10)의 양측에 구비된 이송암(60)을 중심으로 기판(10)에 대해 스윙(swing)하듯이 회전하거나 기판(10)의 중심에서 가장자리로 왕복하면서 기판(10)에 세정액과 건조가스를 분사할 수 있다. 또한, 제1분사노즐(20) 또는 제2분사노즐(30)의 일측에는 세정액 또는 건조가스를 공급하는 공급부(40)가 연결되어 있으며, 공급부(40)는 IPA(Iso-Propyl Alcohol), N2 가스 또는 DIW(초순수) 등을 수용하며, 공급부(40)에서 제1분사노즐(20) 또는 상기 제2분사노즐(30)에 서로 다른 종류의 세정액을 공급할 수 있다.
또한, 제1분사노즐(20)과 제2분사노즐(30)은 상기 기판(10)의 동일한 지점(A)에 세정액 또는 건조가스를 분사할 수 있다. 여기서, 동일한 지점(A)은 기판(10)의 중심이며, 기판(10)의 회전하는 회전력에 의해 세정액 또는 건조가스가 기판(10)의 중심에서 가장자리로 확산될 수 있다.
제1분사노즐(20)은 기판(10) 상면에 대해 수직하게 구비되며, 제1분사노즐(20)은 기판(10)의 중심을 향해 일정한 유량과 압력으로 세정액을 분사할 수 있다. 또한, 제1분사노즐(20)는 분사하는 세정액 대신 린스 또는 건조가스를 분사할 수 있다. 따라서, 제1분사노즐(20)은 기판(10)의 표면에 형성되어 있는 패턴(11) 사이에 낀 불순물을 제거하는 세정공정 및 건조공정을 수행할 수 있다.
제1분사노즐(20)은 이송암(60)에 구비되며, 이송암(60)에 의해 제1분사노즐(20)은 이송암(60)의 축을 중심으로 기판(10) 상부에서 스윙하듯이 회전하며, 제1분사노즐(20)은 기판(10)의 중심에서 기판(10)의 가장자리까지 이동할 수 있다. 또한, 제1분사노즐(20)은 이송암(60)을 따라, 기판(10)의 중심에서 기판(10)의 가장자리까지 왕복으로 이동하면서, 기판(10) 상면에 대해서 세정공정 및 건조공정을 수행할 수 있다.
제2분사노즐(30)은 제1분사노즐(20)에 대해 일정한 간격으로 이격된 위치에 구비되며, 제2분사노즐(30)은 세정액을 제1분사노즐(20)이 분사하는 지점과 동일한 지점(A)에 분사할 수 있다.
그리고, 제2분사노즐(30)은 기판(10) 상면과 수평한 면을 기준으로 기판(10) 방향으로 경사각(θ)을 형성하며, 기판(10)의 중심에 세정액을 분사할 수 있다. 또한, 제2분사노즐(30)는 분사하는 세정액 대신 린스 또는 건조가스를 분사할 수 있다. 따라서, 제2분사노즐(30)은 기판(10)의 표면에 형성되어 있는 패턴(11) 사이에 낀 불순물을 제거하는 세정공정 및 건조공정을 수행할 수 있다.
예를 들면, 제1분사노즐(20)이 기판(10) 상면의 한 지점에 세정액을 분사하면, 제2분사노즐(30)은 제1분사노즐(20)이 분사한 동일한 지점(A)에 제1분사노즐(20)이 분사한 세정액과 다른 종류의 세정액 또는 건조가스를 분사할 수 있다. 여기서, 제2분사노즐(30)이 세정액을 분사하는 각도(θ)는 기판(10)의 상면에서부터 10° ~ 90°가 되도록 각도를 조절하는 것이 바람직하다.
제2분사노즐(30)은 이송암(60)에 구비되며, 이송암(60)에 의해 제2분사노즐(30)은 이송암(60)의 축을 중심으로 기판(10) 상부에서 스윙하듯이 회전하며, 제2분사노즐(30)의 기판(10)의 중심에서 기판(10)의 가장자리까지 이동할 수 있다. 또한, 제2분사노즐(30)은 이송암(60)을 따라, 기판(10)의 중심에서 기판(10)의 가장자리까지 왕복으로 이동하면서, 기판(10) 상면에 대해서 세정공정 및 건조공정을 수행할 수 있다.
이하, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 세정장치에 대해서 자세히 설명한다.
먼저, 기판(10)을 수용하는 기판 세정장치는 상기 기판(10)의 상면에 대하여 수직방향으로 세정액을 상기 기판(10)의 중심에 분사하는 제1분사노즐(20) 및 상기 기판(10)의 상면에 대하여 사선방향으로 상기 세정액을 상기 기판(10)의 중심에 분사하는 제2분사노즐(30)을 포함한다. 여기서, 제1분사노즐(20) 또는 제2분사노즐(30)에 세정액을 공급하는 공급부(40)를 더 포함하며, 상기 공급부(40)에서 상기 제1분사노즐(20) 또는 상기 제2분사노즐(30)에 서로 다른 종류의 세정액이 공급될 수 있다.
보다 구체적으로, 제1분사노즐(20) 또는 제2분사노즐(30)은 기판(10) 상부에 구비되며, 제1분사노즐(20) 또는 제2분사노즐(30)은 기판(10)의 양측면에 구비된 이송암(60)을 중심으로 기판(10)에 대해 스윙(swing)하듯이 회전하거나 기판(10)에 대해서 기판(10)의 중심에서 가장자리로 왕복하면서 기판(10)에 세정액과 건조가스를 분사할 수 있다. 또한, 제1분사노즐(20) 또는 제2분사노즐(30)의 일측에는 세정액 또는 건조가스를 공급하는 공급부(40)가 연결되어 있으며, 공급부(40)는 IPA(Iso-Propyl Alcohol), N2 가스 또는 DIW(초순수) 등을 수용하며, 공급부(40)에서 제1분사노즐(20) 또는 상기 제2분사노즐(30)에 서로 다른 종류의 세정액을 공급할 수 있다.
또한, 상기 제1분사노즐(20)과 상기 제2분사노즐(30)은 상기 기판(10)의 동일한 지점(A)에 세정액 또는 건조가스를 분사할 수 있다. 여기서, 동일한 지점(A)은 기판(10)의 중심이며, 기판(10)의 회전하는 회전력에 의해 세정액 또는 건조가스가 기판(10)의 중심에서 가장자리로 확산될 수 있다.
제1분사노즐(20)은 기판(10) 상면에 대해 수직하게 구비되며, 제1분사노즐(20)은 기판(10)의 중심을 향해 일정한 유량과 압력으로 세정액을 분사할 수 있다. 또한, 제1분사노즐(20)는 분사하는 세정액 대신 린스 또는 건조가스를 분사할 수 있다. 따라서, 제1분사노즐(20)은 기판(10)의 표면에 형성되어 있는 패턴(11)에 낀 불순물을 제거하는 세정공정 및 건조공정을 수행할 수 있다.
제1분사노즐(20)은 이송암(60)에 구비되며, 이송암(60)에 의해 제1분사노즐(20)은 이송암(60)의 축을 중심으로 기판(10) 상부에서 스윙하듯이 회전하며, 제1분사노즐(20)은 기판(10)의 중심에서 기판(10)의 가장자리까지 이동할 수 있다. 또한, 제1분사노즐(20)은 이송암(60)을 따라, 기판(10)의 중심에서 기판(10)의 가장자리까지 왕복으로 이동하면서, 기판(10) 상면에 대해서 세정공정 및 건조공정을 수행할 수 있다.
제2분사노즐(30)은 제1분사노즐(20)에 대해 일정한 간격으로 이격된 위치에 구비되며, 제2분사노즐(30)은 기판(10)의 상면에 대해서 사선방향으로 세정액을 기판(10) 중심에 분사할 수 있다. 또한, 제2분사노즐(30)는 분사하는 세정액 대신 린스 또는 건조가스를 분사할 수 있다. 따라서, 제2분사노즐(30)은 기판(10)의 표면에 형성되어 있는 패턴(11)에 낀 불순물을 제거하는 세정공정 및 건조공정을 수행할 수 있다.
예를 들면, 제1분사노즐(20)이 기판(10) 상면의 한 지점(A)에 세정액을 분사하면, 제2분사노즐(30)은 사선방향으로 제1분사노즐(20)이 분사한 동일한 지점(A)인 기판(10) 중심에 제1분사노즐(20)이 분사한 세정액과 다른 종류의 세정액 또는 건조가스를 분사할 수 있다. 여기서, 제2분사노즐(30)이 세정액을 분사하는 각도(θ)는 기판(10)의 상면에서부터 10° ~ 90°가 되도록 각도를 조절하는 것이 바람직하다.
제2분사노즐(30)은 이송암(60)에 구비되며, 이송암(60)에 의해 제2분사노즐(30)은 이송암(60)의 축을 중심으로 기판(10) 상부에서 스윙하듯이 회전하며, 제2분사노즐(30)은 기판(10)의 중심에서 기판(10)의 가장자리까지 이동할 수 있다. 또한, 제2분사노즐(30)은 이송암(60)을 따라, 기판(10)의 중심에서 기판(10)의 가장자리까지 왕복으로 이동하면서, 기판(10) 상면에 대해서 세정공정 및 건조공정을 수행할 수 있다.
이와 같은 구성으로, 복수의 노즐을 통해 신속하게 세정액 종류를 교체함으로써 기판을 세정하는 시간을 단축할 수 있다. 또한, 복수의 노즐이 세정액을 분사하는 위치를 이격시킴으로써, 노즐 간에 간섭이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
이상과 같이 본 발명에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것이다. 또한, 본 발명이 상술한 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 사상은 상술한 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
10: 기판
20: 제1분사노즐
30: 제2분사노즐
40: 공급부
50: 서셉터
60: 이동암

Claims (10)

  1. 기판;
    상기 기판에 세정액을 분사하는 제1분사노즐; 및
    상기 제1 분사노즐과 소정의 간격으로 이격된 위치에서 상기 세정액을 분사하는 제2분사노즐;
    을 포함하고,
    상기 제1분사노즐과 상기 제2분사노즐은 상기 기판의 동일한 지점에 세정액을 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 동일한 지점은 상기 기판의 중심인 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2분사노즐은 상기 기판 상면과 수평한 면을 기준으로 상기 기판 방향으로 경사각을 형성하는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1분사노즐 또는 제2분사노즐에 상기 세정액을 공급하는 공급부를 더 포함하며, 상기 공급부에서 상기 제1분사노즐 또는 상기 제2분사노즐에 공급하는 상기 세정액이 서로 다른 종류인 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1분사노즐 또는 제2분사노즐은 상기 기판의 중심에서 가장자리로 왕복하는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1분사노즐 또는 제2분사노즐은 상기 세정액 대신 린스 또는 건조가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  7. 기판을 수용하는 기판 세정장치에 있어서,
    상기 기판의 상면에 대하여 수직방향으로 세정액을 상기 기판의 중심에 분사하는 제1분사노즐; 및
    상기 기판의 상면에 대하여 사선방향으로 상기 세정액을 상기 기판의 중심에 분사하는 제2분사노즐;
    을 포함하는 기판 세정장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1분사노즐 또는 제2분사노즐에 상기 세정액을 공급하는 공급부를 더 포함하며, 상기 공급부에서 상기 제1분사노즐 또는 상기 제2분사노즐에 공급하는 상기 세정액이 서로 다른 종류인 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 제1분사노즐 또는 제2분사노즐은 상기 기판의 중심에서 가장자리로 왕복하는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 제1분사노즐 또는 제2분사노즐은 상기 세정액 대신 린스 또는 건조가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
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