KR20200047863A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일 실시예는, 기판 표면에 고표면장력 액체를 공급하여 고표면장력 액막을 형성하는 단계; 상기 고표면장력 액막이 형성된 기판의 중심 영역에 저표면장력 액체를 공급함으로써 상기 고표면장력 액막을 상기 저표면장력 액체로 치환하는 단계; 상기 저표면장력 액체를 공급하는 단계 중 적어도 일부 시간 구간 동안, 상기 고표면장력 액체를 추가 공급하는 단계;를 포함하는 기판 처리 방법을 제공한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE}
본 발명은 세정 후의 기판을 효율적으로 건조시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
약액(藥液)에 의한 약액 처리 및 순수(DIW) 등의 린스액에 의한 린스 처리가 행해진 후, 기판 표면에 부착되는 린스액을 제거하기 위하여 수많은 건조방법이 제안되어 있다.
그 중 하나로서, 순수보다 표면장력이 낮은 IPA(Isopropyl alcohol) 등의 유기용제 성분을 포함한 저표면장력 액체를 사용한 건조방법이 알려져 있다.
예를 들면, 특허문헌 1에는 DIW(De-ionized water)를 IPA로 치환 시 비교적 낮은 RPM으로 회전하는 기판에 DIW 액막을 유지시켜 놓은 후에 IPA를 기판의 센터 영역에 토출하는 방법이 개시되어 있다.
그러나 이러한 방법은 IPA가 토출되는 기판의 센터 영역으로부터 외경 방향으로 IPA 치환 영역이 균일하게 확대되지 않고, 부분적으로 치환되는 구간 예컨대, 빈 공간(Finger)이 발생하게 된다. 이 상태에서 기판의 건조가 그대로 진행되면 상기한 구간에서 파티클이 발생할 우려가 있다.
한국등록특허 10-0935977
본 발명은 DIW를 안정적으로 IPA로 치환할 수 있도록 한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다.
본 발명의 목적은 전술한 바에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의한 기판 처리 방법은, 기판 표면에 고표면장력 액체를 공급하여 고표면장력 액막을 형성하는 단계; 상기 고표면장력 액막이 형성된 기판의 센터 영역 - 저표면장력 액체가 충돌하는 범위의 기판의 중심 영역 - 에 저표면장력 액체를 공급함으로써 상기 고표면장력 액막을 상기 저표면장력 액체로 치환하는 단계; 상기 저표면장력 액체를 공급하는 단계 중 적어도 일부 시간 구간 동안, 상기 고표면장력 액체를 추가 공급하는 단계;를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 의한 기판 처리 장치는, 챔버; 상기 챔버 내에 회전 가능하게 설치되며, 기판을 지지하는 스핀척; 상기 스핀척의 일측에 설치되며, 기판 표면에 DIW를 분사하는 DIW 분사노즐을 구비한 DIW 노즐암; 상기 스핀척의 일측에 설치되며, 기판 표면에 IPA를 분사하는 IPA 분사노즐을 구비한 IPA 노즐암;을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 의한 기판 처리 장치는, 챔버; 상기 챔버 내에 회전 가능하게 설치되며, 기판을 지지하는 스핀척; 상기 스핀척의 일측에 설치되며, 기판 표면에 DIW를 분사하는 DIW 분사노즐 및 기판 표면에 IPA를 분사하는 IPA 분사노즐을 구비한 노즐암;을 포함하며, 상기 DIW 분사노즐은 기판의 센터 영역에 DIW를 분사하는 제1 DIW 노즐과, 기판의 미들 영역에 DIW를 분사하는 제2 DIW 노즐을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 고표면장력 액막(DIW)이 형성된 기판 표면에 저표면장력 액체(IPA)가 공급되어 DIW가 IPA로 치환되는 영역의 외측에는 DIW 분사노즐로부터 DIW가 추가로 분사된다. 이에 따라 기판의 중앙에 IPA를 분사하여 DIW를 IPA로 치환할 때, 기판의 IPA 치환 영역이 센터 영역으로부터 반경 방향으로 균일하게 확대됨으로써 건조 공정을 안정적으로 진행할 수 있게 된다.
본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 특허청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 기판 처리 방법을 도시한 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 의한 기판 처리 장치를 개략적으로 도시한 횡단면도이다.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 의한 기판 처리 장치의 요부를 도시한 사시도이다.
도 4는 본 발명의 제1실시예에 의한 기판 처리 장치의 일부를 도시한 측면도이다.
도 5는 본 발명의 제1실시예에 의한 기판 처리 장치의 일부를 도시한 평면도이다.
도 6은 본 발명의 제2실시예에 의한 기판 처리 장치를 도시한 사시도이다.
도 7은 본 발명의 제3실시예에 의한 기판 처리 장치를 도시한 사시도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 본 발명의 본질과 관계없는 부분은 그에 대한 상세한 설명을 생략할 수 있으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 부여할 수 있다.
또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 여기서 사용되는 용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것으로서 본 발명을 한정하도록 의도되지 않으며, 본 명세서에서 다르게 정의되지 않는 한 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 이해되는 개념으로 해석될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 기판 처리 방법을 도시한 것이다.
도 1을 참고하면, 본 발명의 실시예에 의한 기판 처리 방법은 린스 공정, 건조 공정을 포함한다.
린스 공정은 스핀척(200)에 의해 소정 속도로 회전하는 기판 표면에 고표면장력 액막을 형성하는 단계(S10)를 포함한다. 즉, 고표면장력 액막을 형성하는 단계(S10)는, 약액 등에 의해 세정 처리를 진행한 기판 표면에 고표면장력 액체인 린스액을 공급하여 약액을 제거하는 단계이다. 고표면장력 액체로는 예컨대, DIW가 적용될 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 기판 표면이란 소자 패턴이 형성된 기판의 패턴 형성면을 의미한다.
본 발명의 실시예에서, 설명의 편의를 위해 기판은 3개의 영역으로 구획될 수 있다. 예를 들면, 기판의 중심으로부터 소정 반경까지 저표면장력 액체가 충돌하는 범위를 센터 영역(Center area; CA), 센터 영역으로부터 그 외측의 소정 반경까지를 미들 영역(Middle area; MA), 미들 영역으로부터 기판의 테두리까지를 에지 영역(Edge area; EA)으로 구획할 수 있다(도 2 참고).
고표면장력 액막을 형성하는 단계(S10)에서는, 대기 위치에 있던 DIW 노즐암이 기판의 중앙 측으로 회동하고, 기판 표면에 DIW를 토출한다. 이때, 기판은 스핀척(200)에 의해 소정 속도로 회전하기 때문에 기판의 원심력에 의해 기판의 센터 영역에 토출된 DIW는 기판의 반경 방향으로 분산된다.
보다 바람직한 것은, DIW 노즐암에 센터 영역용 DIW 분사노즐 및 미들 영역용 DIW 분사노즐을 구비하여 기판의 중앙 및 미들 영역에 DIW를 동시에 토출하는 것이다. 즉, DIW를 중앙 영역에만 토출하는 경우 원심력에 의해 기판의 반경 방향으로 DIW가 분산되더라도 균일한 수막이 형성되지 않을 수 있기 때문에 기판의 센터 영역뿐만 아니라 미들 영역에도 함께 토출하는 것이 바람직하다. 이때, 기판에 토출되는 DIW 전체 유량 중 센터 영역과 미들 영역에 절반씩 나누어 토출할 수 있다.
건조 공정은 기판에 형성된 고표면장력 액막을 저표면장력 액체로 치환하는 단계(S20)를 포함한다. 이 단계(S20)에서는, 기판의 표면에 막을 형성한 고표면장력 액체를 제거하기 위해 고표면장력 액체를 저표면장력 액체로 치환하게 된다. 저표면장력 액체로는 예컨대, IPA(Isopropyl Alcohol)가 적용될 수 있다.
저표면장력 액체로 치환하는 단계(S20)에서는, 대기 위치에 있던 IPA 노즐암이 기판의 중앙 측으로 회동하여 기판 중앙에 IPA를 토출한다. 이때, IPA 노즐암의 IPA 분사노즐은 기판의 중앙 측에 고정된 상태로 IPA를 분사할 수도 있고, 또는 기판의 에지 방향으로 스캔 아웃(Scan-out)될 수도 있다.
건조 공정은 기판에 고표면장력 액체를 추가 공급하는 단계(S30)를 포함한다. 예컨대, 고표면장력 액체를 저표면장력 액체로 치환할 때, 기판의 미들 영역에서 빈 공간이 생기는 핑거(Fingering) 현상이 발생할 수 있다. 이를 방지하기 위해 기판의 미들 영역에 고표면장력 액체를 추가로 공급하는 것이다. 이에 따라 저표면장력 액체로의 치환 시 기판 표면에 핑거(Fingering) 현상이 발생하지 않고 저표면장력으로 치환된 영역이 기판 에지까지 균일하게 확대될 수 있다.
또한, 건조 공정에서는 스핀척의 회전 속도를 린스 공정보다는 감속 유지함으로써, 기판 상에 DIW와 IPA가 혼합 시 웨팅(Wetting) 불량을 방지할 수 있다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 제1실시예에 의한 기판 처리 장치를 도시한 것이다.
도 2 및 도 3을 참고하면, 제1실시예에 의한 기판 처리 장치는 챔버(100), 스핀척(200), DIW 노즐암(300), IPA 노즐암(400)을 포함한다.
챔버(100)의 일측에는 처리 대상물인 기판이 투입되거나 처리된 기판이 반출되도록 출입구(110)가 구비된다.
스핀척(200)은 챔버(100)의 대략 중앙에 배치된다. 스핀척(200)은 모터 등의 회전유닛(도시 생략)에 의해 소정 속도로 회전할 수 있다. 스핀척(200) 상에는 처리 대상물인 기판이 안착된다.
DIW 노즐암(300)은 스핀척(200)의 일측에 회전 가능하도록 배치될 수 있다. DIW 노즐암(300)의 일단에는 기판 표면에 DIW를 분사하는 DIW 분사노즐(310)이 구비되고, 타단에는 제1회전축(320)이 구비될 수 있다. DIW 노즐암(300)의 내부에는 DIW 분사노즐(310)과 연결되는 DIW 공급라인(도시 생략)이 마련된다.
DIW 분사노즐(310)은 기판의 표면에 대해 예각으로 경사지게 배치될 수 있다. 즉, DIW 분사노즐(310)은 도 4와 같이 기판의 회전 방향과 동일한 방향으로 사선으로 DIW를 분사하도록 배치될 수 있다. 예컨대, DIW 분사노즐(310)이 기판의 회전 방향과 반대 방향으로 DIW를 분사하도록 배치될 경우, 분사된 DIW에 의해 기판에 형성된 패턴들이 데미지를 입을 수 있기 때문이다.
또한, DIW 분사노즐(310)은 도 5와 같이 기판의 중심으로부터 반경 방향으로 DIW를 분사하도록 배치될 수 있다. 즉, IPA와 함께 기판의 미들 영역에 DIW를 분사할 때, 분사된 DIW가 이미 IPA로 치환된 영역으로 비산되는 것을 방지하기 위함이다.
IPA 노즐암(400)은 DIW 노즐암(300)과 간섭되지 않는 위치에 회전 가능하도록 배치될 수 있다. IPA 노즐암(400)의 일단에는 기판의 중앙에 IPA를 분사하는 IPA 분사노즐(410)이 구비되고, 타단에는 제2회전축(420)이 구비될 수 있다. 기판에 IPA를 분사할 때, IPA 분사노즐(410)은 기판의 표면에 대해 수직 방향으로 배치될 수 있다. IPA 노즐암(400)의 내부에는 IPA 분사노즐(410)과 연결되는 IPA 공급라인(도시 생략)이 마련된다.
한편, DIW 분사노즐(310)은 기판 표면에 대해 사선으로 배치되고 IPA 분사노즐(410)은 기판 표면에 대해 수직으로 형성됨으로써, 공정 진행을 위해 DIW 노즐암(300)과 IPA 노즐암(400)의 회전 시 DIW 분사노즐(310)과 IPA 분사노즐(410) 간에 물리적인 간섭이 발생하지 않는 효과를 얻을 수도 있다.
이와 같은 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 설명하면 다음과 같다.
우선, 약액 처리된 기판의 표면을 린스액 즉, 고표면장력 액체로 처리하는 린스 공정을 진행한다.
린스 공정에서는, 스핀척(200) 상의 기판(S)이 소정 속도로 회전하는 상태에서, 스핀척(200)의 외측에 대기 상태로 있던 DIW 분사노즐(310)을 기판(S)의 센터 영역(CE) 위쪽의 시작 위치로 이동시킨다.
그 후, 린스액으로서 설정량의 DIW를 DIW 분사노즐(310)로부터 기판의 표면을 향해서 토출시킨다. 이에 따라, 기판(S) 표면의 처리액은 린스액에 의해 린스 처리된다.
기판(S)에 공급된 린스액은, 회전하는 기판(S)의 원심력으로 기판(S)의 중심으로부터 외경 방향으로 분산된다. 설정량의 린스액이 공급되면, 린스액의 토출을 정지한다.
이어서, 기판(S)의 표면을 저표면장력 액체로 치환 처리한다.
저표면장력 액체로 치환하는 단계에서는, 스핀척(200) 상의 기판(S)이 소정 속도로 회전하는 상태에서, IPA 분사노즐(410)을 기판(S)의 센터 영역 위쪽의 시작 위치로 이동시킨다.
그 후, 설정량의 IPA를 IPA 분사노즐(410)로부터 기판(S)의 표면을 향해서 토출시킨다. 기판(S)에 공급된 IPA는, 회전하는 기판(S)의 원심력으로 기판(S)의 중심으로부터 외경 방향으로 분산된다. 이에 따라, 기판(S)의 표면이 중앙에서 반경 방향으로 점차적으로 DIW에서 IPA로 치환될 수 있다.
한편, IPA가 공급되어 IPA로 치환되는 영역의 외측에는 DIW 분사노즐(310)로부터 DIW를 추가로 분사한다. 이는 기판(S)의 중앙에 IPA를 분사하여 DIW를 IPA로 치환할 때, 기판(S)의 IPA 치환 영역 외측에서 빈 공간이 생기는 핑거(Fingering) 현상을 방지하기 위함이다. DIW가 분사되는 영역에는 IPA와 DIW의 혼합 영역이 형성될 수 있다.
IPA로 치환되는 영역이 기판(S)의 외경 방향으로 확대됨에 따라 DIW 노즐암(300)은 점차 기판(S) 외경 방향으로 이동시킨다. 이를 통해 IPA와 DIW 혼합 영역도 점차 기판(S)의 외경 방향으로 이동될 수 있다. IPA와 DIW 혼합 영역이 기판(S)의 에지 영역(EA)에 도달하면 DIW의 분사를 중지할 수 있다.
이후, 질소 가스(N2) 등의 불활성 가스를 이용하여 저표면장력 액체를 기판으로부터 제거하게 된다.
도 6은 본 발명의 제2실시예에 의한 기판 처리 장치를 도시한 것이다.
도 6을 참고하면, 제2실시예에 의한 기판 처리 장치는 챔버(100), 스핀척(200), DIW 노즐암(300), IPA 노즐암(400)을 포함한다. 챔버(100), 스핀척(200), IPA 노즐암(400)은 제1실시예에 의한 기판 처리 장치와 동일 또는 유사하므로 자세한 설명은 생략한다.
DIW 노즐암(300)은 기판 표면에 DIW를 분사하는 DIW 분사노즐(310)을 구비한다. DIW 분사노즐(310)은 기판의 센터 영역과 미들 영역에 동시 또는 선택적으로 고표면장력 액체를 공급할 수 있도록 제1 DIW 노즐(311) 및 제2 DIW 노즐(312)을 포함할 수 있다. 즉, 제1 DIW 노즐(311)은 기판의 센터 영역에 DIW를 분사하고, 제2 DIW 노즐(312)은 기판의 미들 영역에 DIW를 분사할 수 있다.
제2 DIW 노즐(312)은 고표면장력 액체를 기판에 추가 공급하는 기능을 수행할 수 있다. 즉, 건조 공정에서 기판의 센터 영역에 IPA를 분사하여 DIW를 IPA로 치환할 때, 센터 영역용 제1 DIW 노즐(311)은 차단되고, 미들 영역용 제2 DIW 노즐(312)은 DIW를 계속 분사할 수 있다. 이에 따라 IPA 치환 영역과 치환되지 않은 영역 사이의 경계가 균일하게 형성되지 않는 핑거(Fingering) 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 제2 DIW 노즐(312)에 의해 DIW가 분사되는 영역에는 IPA와 DIW의 혼합 영역이 형성될 수 있다.
IPA로 치환되는 영역이 기판(S)의 외경 방향으로 확대됨에 따라 DIW 노즐암(300)은 점차 기판(S) 외경 방향으로 이동시킨다. 이를 통해 IPA와 DIW 혼합 영역도 점차 기판(S)의 외경 방향으로 이동될 수 있다. IPA와 DIW 혼합 영역이 기판(S)의 에지에 도달하면 DIW의 분사를 중지할 수 있다.
DIW 분사노즐(310)은 기판의 표면에 대해 예각으로 경사지게 배치될 수 있다. 이때, DIW 분사노즐(310)은 기판의 회전 방향과 동일한 방향으로 DIW를 분사하도록 배치될 수 있다. 즉, DIW 분사노즐(310)이 기판의 회전 방향과 반대 방향으로 DIW를 분사하도록 배치될 경우, 분사된 DIW에 의해 기판에 형성된 패턴들이 데미지를 입을 수 있기 때문이다.
또한, DIW 분사노즐(310) 특히, 제2 DIW 노즐(312)은 기판의 중심으로부터 반경 방향으로 DIW를 분사하도록 배치될 수 있다. 즉, 이는 기판에 액막이 형성된 DIW를 IPA로 치환하는 과정에서 IPA와 함께 기판의 미들 영역에 DIW를 추가 공급 시, 분사된 DIW가 이미 IPA로 치환된 영역으로 비산되지 않도록 하기 위함이다.
도 7은 본 발명의 제3실시예에 의한 기판 처리 장치를 도시한 것이다.
도 7을 참고하면, 제3실시예에 의한 기판 처리 장치는 챔버(100), 스핀척(200), 노즐암(500)을 포함한다. 챔버(100), 스핀척(200)은 제1실시예에 의한 기판 처리 장치와 동일 또는 유사하므로 자세한 설명은 생략한다.
노즐암(500)의 일단에는 IPA 분사노즐(510)과 DIW 분사노즐(520)이 구비되고, 타단에는 회전축(530)이 구비될 수 있다. 노즐암(500)의 내부에는 IPA 분사노즐(510)과 연결되는 IPA 공급라인 및 DIW 분사노즐(520)과 연결되는 DIW 공급라인이 각각 마련된다.
IPA 분사노즐(510)은 기판의 표면에 대해 수직 방향으로 배치된다. DIW 분사노즐(520)은 기판의 표면에 대해 예각으로 경사지게 배치될 수 있다. 또한, DIW 분사노즐(520)은 기판의 회전 방향과 동일한 방향으로 DIW를 분사하도록 배치될 수 있다.
또한, DIW 분사노즐(520)은 기판의 중심을 향해 DIW를 분사하기 위한 제1 DIW 노즐(521)과 기판의 미들 영역에 DIW를 분사하기 위한 제2 DIW 노즐(522)을 포함할 수 있다. 제2 DIW 노즐(522)은 기판의 중심으로부터 반경 방향으로 DIW를 분사하도록 배치될 수 있다.
이와 같이, 제3실시예에 의한 기판 처리 장치는 하나의 노즐암(500)에 IPA 분사노즐(510)과 DIW 분사노즐(520)을 구비함으로써 제1실시예 및 제2실시예에 비해 공간 활용도를 높일 수 있다.
본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있으므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다.
본 발명의 범위는 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100; 챔버 110; 출입구
200; 스핀척
300; DIW 노즐암 310; DIW 분사노즐
311; 제1 DIW 노즐 312; 제2 DIW 노즐
400; IPA 노즐암 410; IPA 분사노즐
500; 노즐암 510; IPA 분사노즐
520; DIW 분사노즐

Claims (14)

  1. 기판 표면에 고표면장력 액체를 공급하여 고표면장력 액막을 형성하는 단계;
    상기 고표면장력 액막이 형성된 기판의 센터 영역 - 저표면장력 액체가 충돌하는 범위의 기판의 중심 영역 - 에 저표면장력 액체를 공급함으로써 상기 고표면장력 액막을 상기 저표면장력 액체로 치환하는 단계;
    상기 저표면장력 액체를 공급하는 단계 중 적어도 일부 시간 구간 동안, 상기 고표면장력 액체를 추가 공급하는 단계;
    를 포함하는 기판 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 고표면장력 액체를 추가 공급하는 단계에서, 상기 고표면장력 액체는 상기 저표면장력 액체가 분사되는 위치보다 외경 측에 분사되는 기판 처리 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 고표면장력 액막을 형성하는 단계 및 상기 고표면장력 액체를 추가 공급하는 단계에서, 상기 고표면장력 액체는 기판의 회전 방향과 동일한 방향으로 사선으로 분사되는 기판 처리 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 고표면장력 액체를 추가 공급하는 단계에서, 상기 고표면장력 액체는 기판의 소정 부분으로부터 외경 방향으로 사선으로 분사되는 기판 처리 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 고표면장력 액막을 형성하는 단계에서, 기판의 센터 영역 및 센터 영역의 외측의 미들 영역에 동시에 고표면장력 액체를 분사하는 기판 처리 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 고표면장력 액체의 전체 분사량에서, 상기 기판의 센터 영역과 미들 영역에 분사되는 고표면장력 액체의 분사량은 1:1인 기판 처리 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 고표면장력 액체는 DIW(De-ionized water)인 기판 처리 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 저표면장력 액체는 IPA(Isopropyl Alcohol)인 기판 처리 방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 적어도 하나의 항의 기판 처리 방법을 수행하는 기판 처리 장치로서,
    챔버;
    상기 챔버 내에 회전 가능하게 설치되며, 기판을 지지하는 스핀척;
    상기 스핀척의 일측에 설치되며, 기판 표면에 DIW를 분사하는 DIW 분사노즐을 구비한 DIW 노즐암;
    상기 스핀척의 일측에 설치되며, 기판 표면에 IPA를 분사하는 IPA 분사노즐을 구비한 IPA 노즐암;
    을 포함하는 기판 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 DIW 분사노즐은 기판의 표면에 대해 예각으로 경사지게 배치되는 기판 처리 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 DIW 분사노즐은 기판의 회전 방향과 동일한 방향으로 DIW를 분사하도록 배치되는 기판 처리 장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 DIW 분사노즐은 기판의 중심으로부터 반경 방향으로 DIW를 분사하도록 배치되는 기판 처리 장치.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 DIW 분사노즐은 기판의 센터 영역에 DIW를 분사하는 제1 DIW 노즐과, 기판의 미들 영역에 DIW를 분사하는 제2 DIW 노즐을 포함하는 기판 처리 장치.
  14. 제1항 내지 제8항 중 적어도 하나의 항의 기판 처리 방법을 수행하는 기판 처리 장치로서,
    챔버;
    상기 챔버 내에 회전 가능하게 설치되며, 기판을 지지하는 스핀척;
    상기 스핀척의 일측에 설치되며, 기판 표면에 DIW를 분사하는 DIW 분사노즐 및 기판 표면에 IPA를 분사하는 IPA 분사노즐을 구비한 노즐암;을 포함하며,
    상기 DIW 분사노즐은 기판의 센터 영역에 DIW를 분사하는 제1 DIW 노즐과, 기판의 미들 영역에 DIW를 분사하는 제2 DIW 노즐을 포함하는 기판 처리 장치.
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