JPH10308374A

JPH10308374A - 洗浄方法及び洗浄装置

Info

Publication number: JPH10308374A
Application number: JP10073255A
Authority: JP
Inventors: Toshimi Hamada; 聡美濱田; Toshiro Maekawa; 敏郎前川
Original assignee: Ebara Corp
Current assignee: Ebara Corp
Priority date: 1997-03-06
Filing date: 1998-03-06
Publication date: 1998-11-17

Abstract

(57)【要約】【課題】被洗浄物中心部表面が破壊されるのを防止
し、とくに被洗浄物がウエハである場合静電気によりウ
エハ中心部表面の電子回路に静電破壊が起こるのを防止
し、また、洗浄液が被洗浄物の回転中心にも適当な量だ
け当たるため被洗浄物全面に洗浄液が当たり良好に洗浄
ができる洗浄方法及び洗浄装置を提供する。【解決手段】回転する薄板状の被洗浄物Ｗの被洗浄面
に対向しつつ移動するノズル２５から噴射された洗浄液
を被洗浄物Ｗに吹き付け、被洗浄面に付着するダストを
除去し、被洗浄物を洗浄する液噴射洗浄工程を含む洗浄
方法において、液噴射洗浄工程において、被洗浄面へ吹
き付けられた洗浄液流の中心の移動軌跡が、被洗浄物の
回転中心に最も接近した状態において中心から所定距離
ｄだけ離れている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
被洗浄物を清浄にする洗浄方法及び洗浄装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化が進む
につれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭く
なりつつある。このように半導体デバイスの高集積化が
進む中で半導体基板上に配線間距離より大きなダストが
存在すると、配線がショートする等の不具合が生じるた
め、半導体ウエハ上に許容される残留ダストの大きさも
配線間距離に比べて十分小さいものである必要がある。

【０００３】半導体ウエハ等の洗浄方法としては、従
来、ナイロン、モヘア等のブラシやＰＶＡ（ポリ・ビニ
ル・アルコール）スポンジで半導体ウエハの表面を擦っ
て行ういわゆるスクラビング洗浄、超音波の振動エネル
ギーを与えた水をウエハ表面に噴射して洗浄する超音波
洗浄方法、またはキャビテーションを有する高圧水をウ
エハに噴射して洗浄する方法、あるいはこれらの洗浄方
法を組み合わせた方法が知られている。

【０００４】ここで、超音波洗浄方法、キャビテーショ
ンを有する高圧水による洗浄方法については、ウエハ全
面に水を噴射させるために、ウエハを水平に保持してこ
れを所定の回転数で回転させ、ウエハの表面上に純水噴
射口を向けたノズルがウエハ上を横切るように一定速度
で移動しつつ、該ノズルで純水をウエハに噴射し、その
純水噴射口の移動軌跡がウエハの回転中心を通るように
構成している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】高圧又は高速の純水を
ウエハに噴射する場合は、ウエハの純水の当たった部分
には静電気が発生する。特に、上述の従来技術の超音波
洗浄方法、キャビテーションを有する高圧水による洗浄
方法によれば、ノズルで純水をウエハに噴射し、その純
水噴射口の移動軌跡、即ち、ウエハ上に噴射される洗浄
液流とウエハ表面との噴射当接部の移動軌跡がウエハの
回転中心を通るように構成しているため、ウエハの他の
部分に比べ、長時間にわたりこの軌跡の下にウエハの回
転中心があった。このため、例えば高圧の純水をウエハ
に噴射したり、超音波洗浄方法を用いて高速の純水をウ
エハに噴射したりした場合は、ウエハの中心部分はそれ
以外の部分に比べて長時間に亘り、高圧又は高速の純水
が当たるため、ウエハ中心部分に静電気が生じ、この静
電気によりウエハ中心部表面の電子回路に静電破壊が起
こり、回路がショートし、製品不良が起こるおそれがあ
った。

【０００６】この対策として、超純水に炭酸ガスを注入
することで超純水の比抵抗を低下させ、超純水中に静電
気の発生を防止する方法がある。しかしながら、この方
法は原水中の炭酸ガスを脱炭酸塔と、アニオン交換樹脂
等で一度除去した後で、再び炭酸ガスを付加することに
なり、装置も複雑となり、また、実に不経済な方法であ
る。したがってウエハ中心部分に静電気を生じるのを防
止する有効な方法がなかった。

【０００７】本発明は、上述の事情に鑑みて為されたも
ので、被洗浄物中心部表面が破壊されるのを防止し、特
に被洗浄物がウエハである場合静電気によりウエハ中心
部表面の電子回路に静電破壊が起こるのを防止し、ま
た、洗浄液が被洗浄物の回転中心にも適当な量だけ当た
るため被洗浄物全面に洗浄液が供給されて良好な洗浄が
できる。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされたもので、請求項１に記載の発明
は、回転する薄板状の被洗浄物の被洗浄面に対向しつつ
移動するノズルから噴射された洗浄液を前記被洗浄物に
吹き付け、前記被洗浄面に付着するダストを除去し、前
記被洗浄物を洗浄する液噴射洗浄工程を含む洗浄方法に
おいて、前記液噴射洗浄工程において、前記被洗浄面へ
吹き付けられた洗浄液流の中心の移動軌跡が、前記被洗
浄物の回転中心に最も接近した状態において該中心から
所定距離ｄだけ離れていることを特徴とする洗浄方法で
ある。ここで、被洗浄面へ吹き付けられた洗浄液流の中
心とは、厳密には、被洗浄面上に衝突する直前の洗浄液
流の中心をいう。

【０００９】ｄをｄ＞０である適当な値とすることによ
り、被洗浄面へ吹き付けられた洗浄液流の中心の移動軌
跡が被洗浄物の回転中心を通らなくなり、洗浄液流がこ
の回転中心を直撃しないので、この部分に被洗浄物のそ
れ以外の部分に比べて長時間に亘り洗浄液が当たるのを
防止し、静電気により被洗浄物中心部表面の電子回路に
静電破壊が起こるのを防止している。一方、被洗浄物全
面に洗浄液が行きわたる必要があるため、洗浄液が被洗
浄物の回転中心に届く必要があるから、被洗浄面へ吹き
付けられた洗浄液流の中心の移動軌跡が、被洗浄物の回
転中心から過度に離れないようにする。

【００１０】ノズルは通常被洗浄面に対して直交するよ
うに配置され、従って、洗浄液流は被洗浄面に対して直
交するので、被洗浄面へ吹き付けられた洗浄液流の中心
の移動軌跡は、被洗浄面に投影したノズル中心の移動軌
跡と一致する。ノズルが傾斜して配置されている場合
は、洗浄液流はノズルの中心線の延長線上にあるとは限
らず、洗浄液の噴射条件等によって変化する。例えば、
被洗浄物は半導体ウエハ等の基板であり、被洗浄面は表
面または裏面のいずれの場合もある。

【００１１】請求項２に記載の発明は、薄板状の被洗浄
物を回転可能に保持する保持手段と、該被洗浄物の被洗
浄面に対向しつつ移動するノズル装置とを備え、該ノズ
ル装置は、前記被洗浄面へ吹き付けられた洗浄液流の中
心の移動軌跡が、前記被洗浄物の回転中心に最も接近し
た状態において該中心から所定距離ｄだけ離れるように
配置されていることを特徴とする洗浄装置である。

【００１２】請求項３に記載の発明は、前記ノズルの先
端部の内径をＲとすると、Ｒ／２＜ｄ＜２Ｒである
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の洗浄方法又は
洗浄装置である。ノズルが被洗浄面に対して直交するよ
うにかつその近傍に配置されている場合には、被洗浄面
へ吹き付けられる洗浄液流の直径は、ノズルの内径と等
しいと考えてよい。

【００１３】請求項４に記載の発明は、請求項１又は２
において、前記所定距離ｄが５〜７ｍｍであることを特
徴とする請求項１又は２に記載の洗浄方法又は洗浄装置
である。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例について
図面を参照しながら詳細に説明する。本実施例では半導
体ウエハを被洗浄物として洗浄する場合を示す。この洗
浄工程ではポリッシングの終了した半導体ウエハを複数
の洗浄工程を経て清浄に洗浄する。半導体ウエハはそれ
ぞれの洗浄工程のための洗浄装置間をロボット等により
順次搬送される。ここで上記ポリッシングは、固体であ
る砥粒を含む砥液を供給しながら半導体ウエハの研磨面
を研磨体に押し付けて研磨するもので、ポリッシングの
終了した半導体ウエハには砥粒と削り屑が液体に保持さ
れた状態で付着しており、非常に汚染されている。

【００１５】上記複数の洗浄工程のうち少なくとも１つ
の洗浄工程は、ノズルから液体を噴射して半導体ウエハ
に吹き付け、前記表面または裏面に付着するダストを除
去し、被洗浄物を洗浄する液噴射洗浄工程よりなる。

【００１６】該液噴射洗浄工程は、後述するようにノズ
ルから高圧の超純水を噴射させて洗浄する高圧水噴射洗
浄工程、キャビテーションを発生させるノズルからキャ
ビテーションを有する超純水を噴射させて洗浄する高圧
水噴射洗浄工程、ノズルから超音波の振動エネルギーを
与えた超純水を噴射させて洗浄する超音波洗浄工程のい
ずれか１つまたはこれらのいくつかを組み合わせたもの
である。

【００１７】図１に示すように、本実施例の第１段の洗
浄工程のための洗浄装置であるスクラビング洗浄装置の
一種であるブラシ洗浄装置は、ウエハＷの周縁部を支持
し回転させる複数本（図では６本）のスピンドル７１、
表面にブラシが設けられたブラシアーム７２、該ブラシ
アーム７２を矢印Ｇに示すように上下動させ、かつ矢印
Ｆに示すように回転させるブラシ駆動機構７３、ウエハ
Ｗの洗浄面にリンス液（超純水）を供給するリンスノズ
ル７４を具備する。

【００１８】上記構成のブラシ洗浄装置において、スピ
ンドル７１はその上部のコマ７１ａをウエハＷの周縁部
に押し付け、回転させることにより、ウエハＷを回転さ
せる。６個のコマ７１ａのうち２個が回転力をウエハＷ
に与え、他の４個のコマ７１ａはウエハＷの回転を受け
るベアリングの働きをする。ウエハＷにブラシアーム７
２を下降させてウエハＷの面に当接させ、リンスノズル
７４からウエハＷの面にリンス液（超純水）を噴射しつ
つ、ウエハＷおよびブラシアーム７２を回転させること
により、ウエハＷを洗浄する。上記ブラシ洗浄装置によ
る洗浄の後に、第２段の洗浄工程であるところの、スク
ラビング洗浄工程を備える。図２に示す第２段の洗浄工
程のためのスクラビング洗浄装置に対して、上述のブラ
シ洗浄装置により洗浄されたウエハＷは図示しないロボ
ットにより供給される。

【００１９】図２において、１０は回転チャックで半導
体ウエハＷの外周をチャック爪１１で挟持し、軸１２を
中心に矢印Ａ方向に回転する構造となっている。２０は
固定的に設けた液噴射洗浄用ノズルであり、該液噴射洗
浄用ノズル２０から、半導体ウエハＷの洗浄面に液２１
を噴射できる構造となっている。３０はスクラビング洗
浄装置であり、該スクラビング洗浄装置３０は軸３１に
支持されたアーム３２と、該アーム３２の先端に設けら
れたスポンジ装着部３３を具備している。軸３１は矢印
Ｃに示すように上下に昇降でき、該軸３１に支持される
アーム３２はこの昇降により上昇すると同時に軸３１の
回動により矢印Ｂに示すように回動できるようになって
いる。３４はスポンジ装着部３３に装着されたスポン
ジ、３５はスクラビング洗浄装置３０の停止時、スポン
ジ装着部３３を収容させておくスポンジ収容部であり、
該スポンジ収容部３５はカップ状をしており、内部に純
水が収納されている。４０はリンス用ノズルである。上
記構成の洗浄設備において、半導体ウエハＷの洗浄面を
上に向け回転チャック１０のチャック爪１１で挟持して
半導体ウエハＷを装着する。

【００２０】回転チャック１０を矢印Ａ方向に回転させ
ながら、液噴射洗浄用ノズル２０から半導体ウエハＷの
上面に超純水２１を噴射して、半導体ウエハＷの上面に
保持されている砥粒や削り屑を洗い流す。そののち、軸
３１を上昇させ、スポンジ収容部３５に載置されている
スポンジ装着部３３をアーム３２と共に持ち上げ、さら
にアーム３２を矢印Ｂのウエハに向かった方向に回動さ
せ、軸３１を下降させスポンジ３４を半導体ウエハＷの
上面に押し付け、スポンジ装着部３３を矢印Ｄ方向に回
転させる。この際アーム３２を軸３１を中心に揺動させ
ると共に回転チャック１０も回転させ、スポンジ３４で
半導体ウエハＷの上面を擦る。さらにリンス用ノズル４
０からリンス液（超純水）を噴射して、スポンジ３４で
擦り取られた砥粒や削り屑を洗い流す。

【００２１】上記スクラビング洗浄装置による洗浄の後
に、第３段の洗浄工程であるところの、ノズルから噴射
された液体をウエハＷに吹き付けこれを洗浄する液噴射
洗浄工程を備える。図３および図４に示す液噴射洗浄工
程のための液噴射洗浄装置８０に対して、上述のスクラ
ビング洗浄装置により洗浄されたウエハＷは図示しない
ロボットにより供給される。この洗浄装置において液噴
射洗浄用ノズル２５からウエハＷの上面に純水２１を噴
射してウエハＷの上面に残る砥粒や削り屑を洗い流す。

【００２２】以下説明すると、図３および図４におい
て、ウエハＷを図２と同様の回転チャック１０Ａによ
り、ウエハＷを回転可能に水平に保持している。ウエハ
Ｗの表面上に純水噴射口を向けたノズル２５は軸２５ｂ
の回転により回転可能なアーム２５ａに支持されてお
り、ウエハＷを回転させながらノズル２５からウエハＷ
の上面に純水２１を噴射しつつノズル２５を軸２５ｂの
回転により旋回させ、図４の下方から上方へノズル２５
を１回ウエハＷ上を一定の回転速度で横切るように移動
させる。なお、ノズル２５を１回ウエハＷ上を横切るよ
うに移動させるものに限らず、例えばノズル２５からウ
エハＷの上面に純水２１を噴射しつつ、ノズル２５はウ
エハ上を往復運動してもよく、またノズル２５からウエ
ハＷの上面に純水２１を噴射しつつ、図４の上方から下
方へノズル２５を１回ウエハＷ上を横切るように移動さ
せてもよい。

【００２３】図４において、移動するノズル２５の液体
噴射口の中心、即ち、ウエハ上に噴射される洗浄液流と
ウエハ表面との噴射当接部の中心の軌跡はＳ１で表され
ており（但し、ウエハＷ上方から見た場合の軌跡であ
る。）、この液体噴射口の中心位置が最もウエハＷの回
転中心に近づいたときの、ノズル２５の液体噴射口の中
心、即ち、ウエハ上に噴射される洗浄液流とウエハ表面
との噴射当接部の中心は、ウエハＷの回転中心を外れて
通過するようにしてある。

【００２４】すなわち、ウエハＷの回転中心部分にウエ
ハのそれ以外の部分に比べて長時間に亘り洗浄液が当た
るのを防止するためには、ノズル２５の液体噴射口中
心、即ち、ウエハ上に噴射される洗浄液流とウエハ表面
との噴射当接部の中心の移動軌跡がウエハＷの回転中心
を通らないようにする必要があり、一方、ウエハＷ全面
に洗浄液を当てるためには、洗浄液がウエハの回転中心
にも適当量当たる必要があるから、ノズル２５の液体噴
射口中心の移動軌跡が、ウエハＷの回転中心から過度に
離れないようにする必要もまた生じる。

【００２５】本出願人の１つの実験によると、ノズル２
５からキャビテーションを有する超純水を噴射させて洗
浄する場合、および超音波の振動エネルギーを与えた高
速の超純水を噴射させて洗浄する場合には、ノズル２５
の先端部の内径（ノズル２５からの洗浄液の噴射径）Ｒ
が５〜１０ｍｍ、洗浄液の総量が０．８〜２．０ｌ／ｍ
ｉｎの時、この２つの条件を満たす最も好ましい距離ｄ
は５〜７ｍｍであった。ただしｄは、Ｒ／２＜ｄ＜２Ｒ
の範囲内にとれば前述の条件を満たすのに十分であっ
た。すなわち、ノズル２５から高圧の超純水を噴射させ
て洗浄する場合、キャビテーションを有する超純水を噴
射させて洗浄する場合、超音波の振動エネルギーを与え
た高速の超純水を噴射させて洗浄する場合のいずれの場
合にも、ウエハＷの中心部分には静電破壊によるショー
トが生じなかった。

【００２６】これらの場合、ウエハに噴射された洗浄液
は次の過程を経ることにより、ウエハの中心部分を洗浄
することができる。ウエハに衝突した直後の噴射流は、
ウエハの中心部分を通過せずウエハ中央部分の洗浄には
寄与しないが、噴射流の衝突後にウエハ面上に広がった
衝突流は、該噴射流よりも静電気発生が少なく、該衝突
流がウエハの中心部分にも供給され、この衝突流により
ウエハの中心部分が洗浄される。図４に、参考までに従
来例の純水噴射口の移動軌跡を一点鎖線Ｓで示す。Ｓで
示すように従来は純水噴射口の中心の移動軌跡はウエハ
の回転中心を通っていた。

【００２７】図５は図３の液噴射洗浄用ノズル２５に用
いる超音波洗浄用ノズルの構造を示す。超音波洗浄用ノ
ズル２５は、ノズル本体２６の後端に超音波振動子２７
を設けた構造である。超音波振動子２７を起動し、注入
口２６ａから高圧の超純水を注入することにより、この
超純水には超音波振動エネルギーが付与され、噴射口２
６ｂから該超音波振動エネルギーの付与された超純水が
ウエハＷの上面に噴射される。これにより、ウエハＷの
上面のダストに該噴射された超純水を介して超音波エネ
ルギーが間接的に付与される。その結果ダストが加振さ
れ、ウエハＷの面から剥離し、噴射された超純水により
洗い流される。この場合のノズル内径Ｒは噴射口２６ｂ
の内径である。

【００２８】上記のように超音波洗浄用ノズルを用いる
ことにより、直径８インチのウエハＷにおいて、ポリッ
シング終了時、数十万個であるダスト径１μｍ以上のダ
ストを数万から数千個のレベルまで落とすことが可能で
ある。この超音波洗浄に用いる超音波の振動数は１．０
ＭＨｚ程度である。

【００２９】図６は、図５の超音波洗浄用ノズル２５に
替えて、図３の液噴射洗浄用ノズルに用いるキャビテー
ション洗浄用ノズルの構造を示す。キャビテーション洗
浄用ノズルは、キャビテーションを有する高圧水をノズ
ルから噴射して洗浄するものである。キャビテーション
洗浄用ノズル５０は低圧ノズル５１と高圧ノズル５２を
具備し、高圧ノズル５２はその先端が低圧ノズル５１の
枠体内に位置するように挿入された構造である。

【００３０】低圧ノズル５１には低圧洗浄液を注入する
注入口５１ａ及び洗浄液を噴射する噴射口５１ｂが形成
されている。また、高圧ノズル５２には高圧洗浄液を注
入する注入口５２ａが形成され、その先端に噴射口金５
３が嵌められ、該噴射口金５３の中央部には噴射口５３
ａが形成されている。上記構造のキャビテーション洗浄
用ノズル５０において、低圧ノズル５１の注入口５１ａ
から１〜２ｋｇ／ｃｍ²位の低圧の洗浄液（超純水）を
注入すると同時に、高圧ノズル５２の注入口５２ａから
３０〜１５０ｋｇ／ｃｍ²位の高圧の洗浄液（超純水）
を注入すると、噴射口５１ｂから噴射される低速噴流中
を噴射口金５３の噴射口５３ａから噴射される高速噴流
が通過する。この低速噴流と高速噴流の速度差から両噴
流の境界面でキャビテーションが発生する。この場合の
ノズル内径Ｒは噴射口５１ｂの内径である。

【００３１】上記キャビテーションが破壊する位置にウ
エハＷの面を位置させること（該キャビテーション洗浄
用ノズル５０の高さ等の位置を調整して、キャビテーシ
ョンがウエハＷの面で破壊するようにすること）によ
り、ダストにキャビテーションの破壊エネルギーが与え
られ、該ダストはウエハＷの面から該ダストを剥離す
る。上記キャビテーション洗浄ではサブミクロンレベル
のダストを落とす能力があることが知られている。この
洗浄により、直径８インチのウエハＷでダスト径０．２
μｍ以上のダスト数を数十から数個レベルまで落とすこ
とができる。また本洗浄用ノズル５０の変形例として、
低圧ノズル５１の噴射口５１ｂの径よりも高圧ノズル５
２の外径を狭くしてノズル５２の先端をノズル５１の噴
射口５１ｂの下側に配置しても、前述のようにキャビテ
ーションを形成して、ウエハ上のダストを良好に除去す
ることができる。

【００３２】図７は、図５の超音波洗浄用ノズル２５に
替えて、図３の液噴射洗浄用ノズルに用いる高圧ジェッ
ト洗浄用ノズルの構造を示す。高圧ジェット洗浄用ノズ
ル６０はノズル本体６１に高圧の洗浄液を注入する注入
口６１ａが形成され、該注入口６１ａの先端に噴射口金
６２を嵌め込んだ構造で、噴射口金６２の中央部に細径
の噴射口６２ａが形成されている。注入口６１ａに高圧
の超純水を注入すると、この超純水は先端の噴射口金６
２の噴射口６２ａで絞られ、その出口で高速流（噴流速
度数十ｍ／ｓ）となって噴射される。この高速の超純水
はウエハＷの面に衝突し、その衝撃力でダストをウエハ
Ｗの面から剥離し、該剥離されたダストは該純水ととも
にウエハＷの外に除去される。この場合のノズル内径Ｒ
は噴射口６２ａの内径である。

【００３３】なお、本発明は上記実施例に限らず、種々
の変更が可能である。例えば、上記実施例では半導体ウ
エハＷの洗浄例を示したが、例えばＬＣＤの洗浄等に本
発明の洗浄方法及び洗浄装置を適用することも可能であ
る。図１において、６個のコマ７１ａのうち２個が回転
力をウエハＷに与え、他の４個のコマ７１ａはウエハＷ
の回転を受けるベアリングの働きをしているが、これに
限らず、例えば６個のコマ７１ａ全てが回転力をウエハ
Ｗに与えるように構成してもよい。

【００３４】また、本実施例では、図３においてウエハ
の上面のみに超純水を噴射しているが、ウエハの下面の
みに超純水を噴射する構成にしてもよい。このときはウ
エハの下面にノズルの純水噴射口が対向するようにし
て、ノズルが図３と同様に揺動する構成とする。またウ
エハの上下面に超純水を別々のノズルで噴射する構成に
してもよい。また、ノズルは本実施例では水平方向へ揺
動（回転軸が鉛直方向）するが、これに限らず回転軸が
鉛直方向に対し傾いた状態でノズルを揺動する構成とし
てもよい。この場合、ノズルから噴射されて傾いた洗浄
液流のウエハと接触する部分の中心の移動軌跡が、ウエ
ハの中心部分から離れるようにすればよい。

【００３５】また、液噴射洗浄工程は、本実施例では図
３のノズルを図５乃至図７のノズルのいずれかから選ぶ
ようにしているが、これに限らず、例えば液噴射洗浄工
程は上述した高圧水噴射洗浄工程、キャビテーションを
有する高圧水を噴射する洗浄工程、超音波洗浄工程のい
くつかを組み合わせたものとしてもよい。

【００３６】すなわち、例えば図３と同様の装置を３つ
並べて配置し、各段のノズルをそれぞれ図５乃至図７の
ノズルとし、この３段の液噴射洗浄工程により順次ウエ
ハを洗浄してもよい。またこのように装置を３段設ける
代わりに共通の回転チャック上に移動可能なアームをこ
の回転チャックの周囲に３個設けてそれぞれのアームに
図５乃至図７のノズルを設け、各ノズルが代わる代わる
ウエハの上面に対向するよう移動するようにし、図５乃
至図７のノズルにより順次ウエハを洗浄してもよい。ま
た図３のノズルとして図５乃至図７のノズルから選んで
適宜に順次付け替えて図５乃至図７のノズルにより順次
ウエハを洗浄してもよい。

【００３７】ノズルの移動軌跡については、回転するウ
エハとノズルの移動との共働作用により結果的にウエハ
の全面に洗浄液が当たればよいため、ノズルは本実施例
のように回転運動による公転運動をしなくてもよい。例
えば、直進するようにしてもよく、また、回転運動でな
く、ある曲線の軌跡を描いて移動してもよく、また、ウ
エハ上方を完全に横切らずともよく、例えばウエハの外
方からウエハ上に移動してきてウエハの回転中心付近ま
で到達したらまたもとの位置に戻るようにしてもよい。
また本実施例ではノズルの移動速度を一定としたが、ノ
ズルのウエハＷ上の移動速度を移動軌跡上で可変として
もよい。好ましくは、ウエハＷ中心部分を速く外周部分
に行くほど遅くして、ウエハＷ上の中心部分に噴射され
る洗浄液の接触時間をさらに短くすることもできる。

【００３８】また、本実施例において、液噴射洗浄工程
の前段に第１、２の洗浄工程としてブラシアーム、スポ
ンジによる洗浄工程を設けたが、これに限られず液噴射
洗浄工程の前段に３段以上の洗浄工程を設けてもよく、
例えばウエハの下面に図１のようなブラシアーム、上面
に図２のようなスポンジをそれぞれ対向して設けた構
成、またはウエハの上下面に図１のようなブラシアーム
をそれぞれ対向して設けた構成などのウエハ両面洗浄装
置を液噴射洗浄工程の前段に設けてもよく、これら洗浄
装置と図１および図２の装置を組み合わせ、連ねて多段
に洗浄装置を構成し、より清浄にウエハを洗浄するよう
にしてもよい。また図１および図２のウエハの回転機構
について、図１において図２の回転チャックによる回転
装置を採用したり、図２において図１のスピンドルによ
る回転装置を採用することも可能である。

【００３９】また、液噴射洗浄工程においてウエハを水
平に保持し回転させる装置も本実施例に限られず、適宜
図１のようなスピンドルの構成も採用可能である。な
お、上記実施例においては洗浄液として純水を用いた
が、界面活性剤、アルカリ、酸性等の薬液を使用しても
よい。また、本実施例に用いた液噴洗浄用ノズルから噴
射される噴射流の水平断面形状は略円形状であるが、こ
れに限らず楕円形、多角形状となるノズルを用いてもよ
い。

【００４０】

【発明の効果】本発明では、ノズルを回転する薄板状の
被洗浄物の表面または裏面に対向しつつ移動させ、ノズ
ルから洗浄液を被洗浄物に吹き付け、被洗浄物を洗浄す
る液噴射洗浄工程において、ウエハ上に噴射される洗浄
液流とウエハ表面との噴射当接部の移動軌跡が被洗浄物
の回転中心を通らないようにすることにより、この回転
中心部分に被洗浄物のそれ以外の部分に比べて長時間に
亘り洗浄液が当たるのを防止し、一方、ノズルの移動軌
跡が、被洗浄物の回転中心から過度に離れないようにし
ている。このため、被洗浄物中心部表面が破壊されるの
を防止し、特に被洗浄物がウエハである場合、静電気に
よりウエハ中心部表面の電子回路に静電破壊が起こるの
を防止し、また、洗浄液が被洗浄物の回転中心にも適当
な量だけ当たるため被洗浄物全面に洗浄液が当たり良好
に洗浄ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例のブラシ洗浄装置の斜視図で
ある。

【図２】本発明の一実施例のスポンジによる洗浄装置の
斜視図である。

【図３】本発明の一実施例の液噴射洗浄装置の斜視図で
ある。

【図４】本発明の一実施例の液噴射洗浄装置の要部平面
図である。

【図５】本発明の一実施例の超音波洗浄用ノズルの断面
図である。

【図６】本発明の一実施例のキャビテーション洗浄用ノ
ズルの断面図である。

【図７】本発明の一実施例の高圧ジェット洗浄用ノズル
の断面図である。

【符号の説明】

ｄ所定距離Ｒノズル内径Ｗ被洗浄物２５超音波洗浄用ノズル５０キャビテーション洗浄用ノズル６０高圧ジェット洗浄用ノズル８０液噴射洗浄機構

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】回転する薄板状の被洗浄物の被洗浄面に
対向しつつ移動するノズルから噴射された洗浄液を前記
被洗浄物に吹き付け、前記被洗浄面に付着するダストを
除去し、前記被洗浄物を洗浄する液噴射洗浄工程を含む
洗浄方法において、前記液噴射洗浄工程において、前記被洗浄面へ吹き付け
られた洗浄液流の中心の移動軌跡が、前記被洗浄物の回
転中心に最も接近した状態において該中心から所定距離
ｄだけ離れていることを特徴とする洗浄方法。
【請求項２】薄板状の被洗浄物を回転可能に保持する
保持手段と、該被洗浄物の被洗浄面に対向しつつ移動するノズル装置
とを備え、該ノズル装置は、前記被洗浄面へ吹き付けられた洗浄液
流の中心の移動軌跡が、前記被洗浄物の回転中心に最も
接近した状態において該中心から所定距離ｄだけ離れる
ように配置されていることを特徴とする洗浄装置。
【請求項３】前記ノズルの先端部の内径をＲとする
と、Ｒ／２＜ｄ＜２Ｒであることを特徴とする請求項１又は２に記載の洗浄方
法又は洗浄装置。
【請求項４】前記所定距離ｄが５〜７ｍｍであること
を特徴とする請求項１又は２に記載の洗浄方法又は洗浄
装置。