JP6687486B2 - 基板処理方法 - Google Patents
基板処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6687486B2 JP6687486B2 JP2016170171A JP2016170171A JP6687486B2 JP 6687486 B2 JP6687486 B2 JP 6687486B2 JP 2016170171 A JP2016170171 A JP 2016170171A JP 2016170171 A JP2016170171 A JP 2016170171A JP 6687486 B2 JP6687486 B2 JP 6687486B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- liquid
- nozzle
- ipa
- guard
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 390
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 278
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 95
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 64
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 116
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 101
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 84
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 58
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 50
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 40
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 40
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 31
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 25
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 23
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 16
- 239000004569 hydrophobicizing agent Substances 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 14
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 12
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 11
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 10
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 10
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 6
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJWAPAVRQYYSTK-UHFFFAOYSA-N [(dimethyl-$l^{3}-silanyl)amino]-dimethylsilicon Chemical compound C[Si](C)N[Si](C)C GJWAPAVRQYYSTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N azane;hydrogen peroxide Chemical compound [NH4+].[O-]O SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- ADTGAVILDBXARD-UHFFFAOYSA-N diethylamino(dimethyl)silicon Chemical compound CCN(CC)[Si](C)C ADTGAVILDBXARD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZFNONVXCZVHRD-UHFFFAOYSA-N dimethylamino(dimethyl)silicon Chemical compound CN(C)[Si](C)C KZFNONVXCZVHRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N hydrate;hydrochloride Chemical compound O.Cl DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001165 hydrophobic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- QULMGWCCKILBTO-UHFFFAOYSA-N n-[dimethylamino(dimethyl)silyl]-n-methylmethanamine Chemical compound CN(C)[Si](C)(C)N(C)C QULMGWCCKILBTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KAHVZNKZQFSBFW-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-trimethylsilylmethanamine Chemical compound CN(C)[Si](C)(C)C KAHVZNKZQFSBFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- -1 organosilane compounds Chemical class 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 125000003698 tetramethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- KFUSEUYYWQURPO-OWOJBTEDSA-N trans-1,2-dichloroethene Chemical group Cl\C=C\Cl KFUSEUYYWQURPO-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 1
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0064—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes
- B08B7/0071—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes by heating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
- H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
図12に示すように、基板の表面に微細なパターンが形成されている場合、スピンドライ工程では、パターンの内部に入り込んだリンス液を除去できないおそれがあり、それによって、乾燥不良が生じるおそれがある。パターンの内部に入り込んだリンス液の液面(空気と液体との界面)は、パターンの内部に形成されるので、液面とパターンとの接触位置に、液体の表面張力が働く。この表面張力が大きい場合には、パターンの倒壊が起こりやすくなる。典型的なリンス液である水は、表面張力が大きいために、スピンドライ工程におけるパターンの倒壊が無視できない。
そこで、この発明の1つの目的は、基板の上面に供給された疎水化剤を低表面張力液体によって速やかに置換でき、かつ、基板の上面の低表面張力液体を速やかに排除することができる基板処理方法を提供することである。
この発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記液膜排除工程と並行して前記水平に保持された基板を回転させる基板回転工程をさらに含み、前記第1着液点が、前記第2着液点よりも基板回転方向上流側に位置するように設定される。
この発明の一実施形態では、前記着液点移動工程が、前記低表面張力液体を前記第1着液点に向けて供給する第1ノズルと、前記疎水化剤を前記第2着液点に向けて供給する第2ノズルとを共通に支持する支持部材を駆動することによって、前記第1ノズルおよび前記第2ノズルを前記水平に保持された基板の上面に沿って移動させるノズル移動工程を含む。
この方法によれば、開口の外側で、かつ、第2着液点よりも開口から遠い位置に設定した第3着液点に向けて低表面張力液体が供給されるので、開口の広がりによって液膜が排除される前に局所的に液膜が蒸発して液膜割れが発生することを抑制できる。そのため、基板の上面から液膜を良好に排除することができる。
この発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記水平に保持された基板を加熱する基板加熱工程をさらに含み、前記基板加熱工程が、前記疎水化剤供給工程よりも先に開始される。
この発明の一実施形態では、前記基板加熱工程が、前記低表面張力液体供給工程が終了するまでの間継続される。この方法によれば、基板加熱工程が、低表面張力液体供給工程が終了するまでの間継続されるため、第1着液点に供給された低表面張力液体の蒸発が促進され、開口の広がりが促進される。そのため、液膜を基板の上面から一層速やかに排除することができる。
<第1実施形態>
図1は、この発明の第1実施形態に係る基板処理装置1の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。基板処理装置1は、シリコンウエハ等の基板Wを一枚ずつ処理液で処理する枚葉式の装置である。処理液としては、薬液、リンス液、有機溶剤および疎水化剤等が挙げられる。この実施形態では、基板Wは、円形状の基板である。基板Wの表面には、微細なパターン(図12参照)が形成されている。
処理ユニット2は、一枚の基板Wを水平な姿勢で保持しながら、基板Wの中心を通る鉛直な回転軸線C1まわりに基板Wを回転させるスピンチャック5を含む。スピンチャック5は、基板Wを水平に保持する基板保持手段の一例である。処理ユニット2は、基板Wの上面(上方側の主面)に対向する対向面6aを有する対向部材としての遮断部材6と、処理液で基板Wを処理するために基板Wを収容するチャンバ7とをさらに含む。チャンバ7には、基板Wを搬入/搬出するための搬入/搬出口7Aが形成されており、搬入/搬出口7Aを開閉するシャッタユニット7Bが備えられている。
回転軸22は、回転軸線C1に沿って鉛直方向(上下方向Zともいう)に延びており、この実施形態では、中空軸である。回転軸22の上端は、スピンベース21の下面の中央に結合されている。スピンベース21は、水平方向に沿う円盤形状を有している。スピンベース21の上面の周縁部には、基板Wを把持するための複数のチャックピン20が周方向に間隔を空けて配置されている。電動モータ23によって回転軸22が回転されることにより、基板Wが回転軸線C1まわりに回転される。以下では、基板Wの回転径方向内方を単に「径方向内方」といい、基板Wの回転径方向外方を単に「径方向外方」という。
遮断部材昇降機構32は、下位置から上位置までの任意の位置(高さ)に遮断部材6を位置させることができる。下位置とは、遮断部材6の可動範囲において、遮断部材6の対向面6aが基板Wに最も近接する位置である。下位置では、基板Wの上面と対向面6aとの間の距離は、例えば、0.5mmである。上位置とは、遮断部材6の可動範囲において遮断部材6の対向面6aが基板Wから最も離間する位置である。上位置では、基板Wの上面と対向面6aとの間の距離は、例えば80mmである。
第1ガード43は、排気桶40の筒部40Aよりも径方向内方でスピンチャック5を取り囲む第1筒状部43Aと、第1筒状部43Aから径方向内方に延びる第1延設部43Bとを含む。
第2ガード44は、第2ガード昇降機構47によって、第2ガード44の上端(径方向内方端)が基板Wよりも下方に位置する下位置と、第2ガード44の上端(径方向内方端)が基板Wよりも上方に位置する上位置との間で昇降される。第2ガード44は、第2ガード昇降機構47によって昇降されることで、下位置と上位置との間の基板対向位置に位置することができる。第2ガード44が基板対向位置に位置することで、第2延設部44B(の径方向内方端)が基板Wに水平方向から対向する。第2延設部44Bは、第1延設部43Bに下方から対向している。空間Aは、第2ガード44が基板対向位置に位置する状態で、第2ガード44によって下方から区画される。
第3ガード45は、第3ガード昇降機構48(図2参照)によって、第3ガード45の上端(径方向内方端)が基板Wよりも下方に位置する下位置と、第3ガード45の上端(径方向内方端)が基板Wよりも上方に位置する上位置との間で昇降される。第3ガード45は、第3ガード昇降機構48によって昇降されることで、下位置と上位置との間の基板対向位置に位置することができる。第3ガード45が基板対向位置に位置することで、第3延設部45B(の径方向内方端)が基板Wに水平方向から対向する。
下面ノズル8は、回転軸22に挿通されている。下面ノズル8は、基板Wの下面中央に臨む吐出口を上端に有している。下面ノズル8には、温水等の加熱流体が、加熱流体供給管50を介して加熱流体供給源から供給されている。加熱流体供給管50には、その流路を開閉するための加熱流体バルブ51が介装されている。温水は、室温よりも高温の水であり、例えば80℃〜85℃の水である。加熱流体は、温水に限らず、高温の窒素ガス等の気体であってもよく、基板Wを加熱することができる流体であればよい。
薬液とは、フッ酸に限られず、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸(例えば、クエン酸、蓚酸等)、有機アルカリ(例えば、TMAH:テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等)、界面活性剤、腐食防止剤のうちの少なくとも1つを含む液であってもよい。これらを混合した薬液の例としては、SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture:硫酸過酸化水素水混合液)、SC1(ammonia-hydrogen peroxide mixture:アンモニア過酸化水素水混合液)等が挙げられる。
DIWノズル10は、DIW以外のリンス液を供給するリンス液ノズルであってもよい。リンス液とは、DIWのほかにも、炭酸水、電解イオン水、オゾン水、希釈濃度(例えば、10〜100ppm程度)の塩酸水、還元水(水素水)等を例示できる。
中央IPAノズル11は、本実施形態では、IPAを供給する構成であるが、水よりも表面張力が小さい低表面張力液体を基板Wの上面の中央領域に供給する中央低表面張力液体ノズルとして機能すればよい。
処理ユニット2は、基板Wの上面にIPA等の低表面張力液体を供給する第1ノズル13と、基板Wの上面を疎水化する疎水化剤を基板Wの上面において第1ノズル13とは異なる位置に供給する第2ノズル14と、基板Wの上面において第1ノズル13および第2ノズル14とは異なる位置にIPA等の低表面張力液体を供給する第3ノズル15とをさらに含む(図2参照)。
ノズル13〜15は、空間Aが形成された状態で空間A内に配置されるように、第1ガード43の内壁から延びている。第3ノズル15から供給される低表面張力液体は、疎水化剤およびリンス液の両方と親和性を有していることが好ましい。
ノズル13〜15は、ノズル移動機構16によって、基板Wの上面の回転中心位置に対向する中央位置と、基板Wの上面に対向しない退避位置との間で移動させられる。退避位置は、平面視において、スピンベース21の外方の位置である。第3ノズル15の退避位置は、第1ガード43の第1筒状部43Aに径方向内方から隣接する位置であってもよい。
基板処理装置1による基板処理では、例えば、図5に示すように、基板搬入(S1)、薬液処理(S2)、DIWリンス処理(S3)、有機溶剤処理(S4)、乾燥処理(S5)および基板搬出(S6)がこの順番で実行される。
図6Aおよび図6Bを参照して、具体的には、まず、制御ユニット3は、ノズル移動機構16を制御して、ノズル13〜15を退避位置に位置させる。また、制御ユニット3は、遮断部材昇降機構32を制御して遮断部材6を上位置に配置する。
具体的には、制御ユニット3は、薬液バルブ54を閉じ、薬液ノズル移動機構52を制御して、薬液ノズル9を基板Wの上方からスピンベース21の側方へと退避させる。
その後、制御ユニット3は、電動モータ23を制御して、スピンベース21を例えば1200rpmで回転させて所定時間維持してから、スピンベース21の回転を例えば2000rpmまで加速させる(高速回転工程)。
そして、制御ユニット3は、加熱流体バルブ51を開いて、下面ノズル8から加熱流体を供給させることで基板Wを加熱する(基板加熱工程)。
そして、回転状態の基板Wの上面に向けてDIWノズル10からDIWが供給されている状態で、制御ユニット3は、遮断部材昇降機構32を制御して、遮断部材6を上位置から第1近接位置に移動させる。第1近接位置とは、遮断部材6の対向面6aが基板Wの上面に近接した位置であり、基板Wの上面と対向面6aとの間の距離が例えば7mmとなる位置である。
そして、制御ユニット3は、第2不活性ガスバルブ68を制御して、不活性ガス流通路18から供給される不活性ガスの流量を、例えば300リットル/minにしてもよい。不活性ガス流通路18供給される不活性ガスによって空間A内の雰囲気が不活性ガスで置換される(不活性ガス置換工程)。また、制御ユニット3が、第2ガード昇降機構47を制御して、第2ガード44を下降させて第2ガード44を基板対向位置に配置する。これにより、空間Aが第2ガード44の第2延設部44Bによって下方から区画される。また、制御ユニット3が、第3ガード昇降機構48を制御して、第3ガード45を基板対向位置よりも下方に配置させる。
有機溶剤処理では、有機溶剤リンスステップT1と、液膜形成ステップT2と、液膜排除ステップT3とが順に実行される。
図6A、図6Bおよび図7Aを参照して、有機溶剤処理(S4)では、まず、基板Wを回転させた状態で基板Wの上面のDIWをIPA等の有機溶剤で置換する有機溶剤リンスステップT1が実行される。
制御ユニット3は、遮断部材昇降機構32を制御して、遮断部材6が第1近接位置に配置された状態を維持し、ガード昇降機構46〜48を制御して、基板W、遮断部材6および第1ガード43によって空間Aが形成された状態を維持してもよい。本実施形態とは異なり、DIWリンス処理(S3)の終了時に第2ガード44が基板対向位置よりも上方に位置しているときは、制御ユニット3が第2ガード昇降機構47を制御して、第2ガード44を基板対向位置に移動させてもよい。
制御ユニット3は、電動モータ23を駆動してスピンベース21を、例えば、2000rpmで高速回転させる(高速回転工程)。すなわち、DIWリンス処理(S3)に引き続き高速回転工程を実行する。供給されたIPAは遠心力によって基板Wの上面の全体に速やかに行き渡り、基板W上のDIWがIPAによって置換される。制御ユニット3は、遮断部材回転機構33を制御して、遮断部材6を、例えば、1000rpmで回転させる。
中央IPA供給ノズル11から基板Wの上面にIPAを供給し続けることによって、基板Wの上面にIPAの液膜110が形成される(液膜形成工程)。IPAの液膜110を形成するために、制御ユニット3は、電動モータ23を駆動してスピンベース21の回転を、例えば、300rpmまで減速させる。制御ユニット3は、遮断部材回転機構33を制御して、例えば、1000rpmで遮断部材6を回転させる状態を維持する。
液膜形成ステップT2では、DIWリンス処理(S3)で開始された不活性ガス流通路18からの不活性ガスの供給は、維持されており、不活性ガスの流量は、例えば50リットル/minである。
そして、制御ユニット3は、中央IPAバルブ58を閉じて、中央IPAノズル11による基板Wの上面へのIPAの供給を停止させる。そして、制御ユニット3は、第2不活性ガスバルブ68を制御して、不活性ガス流通路18から基板Wの上面の中央領域に向けて垂直に例えば100リットル/minで不活性ガス(例えばN2ガス)を吹き付け、液膜110の中央領域に小さな開口111(例えば直径30mm程度)を開けて基板Wの上面の中央領域を露出させる(開口形成工程)。
不活性ガス流通路18による不活性ガスの吹き付けは、基板Wの上面から液膜110が排除されるまでの間、すなわち液膜排除ステップが完了するまで継続してもよい。不活性ガスの吹き付け力によりIPAの液膜110に力が付加されて開口111の拡大が促進される。その際、不活性ガスの流量を段階的に増大させてもよい。例えば、本実施形態では、不活性ガスの流量は、100リットル/minで所定時間維持され、その後、200リットル/minに流量を増大させて所定時間維持され、その後、300リットル/minに流量を増大させて所定時間維持される。
液膜排除ステップT3では、制御ユニット3は、ガード昇降機構46〜48を制御して、第1ガード43が遮断部材対向位置に配置され、第2ガード44が基板対向位置に配置された状態を維持してもよい。
開口111を拡大させる際、制御ユニット3は、基板Wの上面においてIPA等の低表面張力液体が着液する第1着液点P1を設定する。第1着液点P1は、開口111の外側に設定される。開口111の外側とは、開口111の周縁に対して回転軸線C1とは反対側をいう。制御ユニット3は、第1IPAバルブ62を開き、第1ノズル13から第1着液点P1へのIPAの供給を開始する(低表面張力液体供給工程)。
また、開口111を拡大させる際、制御ユニット3は、基板Wの上面においてIPA等の低表面張力液体が着液する第3着液点P3を設定する。第3着液点P3は、開口111の外側で、かつ、第2着液点P3よりも開口111から遠い位置に設定される。第3着液点P3は、第1着液点P1および第2着液点P2と回転径方向に沿って並んでいる。制御ユニット3は、第2IPAバルブ66を開き、第3ノズル15から第3着液点P3へのIPAの供給を開始する。
第3ノズル15が外周位置に到達すると、制御ユニット3は、第2IPAバルブ66を閉じ、第3ノズル15からのIPAの供給を停止する。第2ノズル14が外周位置に到達すると、疎水化剤バルブ64を閉じ、第2ノズル14からの疎水化剤の供給を停止する。そして、第1ノズル13が外周位置に到達すると、制御ユニット3が第1IPAバルブ62を閉じ、第1ノズル13からのIPAの供給を停止する。これにより、低表面張力液体供給工程が終了する。基板加熱工程は、有機溶剤処理(S4)の間、継続して実行されるので、低表面張力液体供給工程が終了するまでの間継続されている。
具体的には、制御ユニット3は、ノズル移動機構16を制御して、ノズル13〜15を退避位置へ退避させる。
また、乾燥処理(S5)では、不活性ガス流通路18からの不活性ガスの供給を維持する。不活性ガスの流量は、例えば、液膜排除ステップが終了するときと同じ(300リットル/min)である。基板Wの回転が1500rpmまで加速されると、制御ユニット3は、第2不活性ガスバルブ68を制御して、不活性ガス流通路18から供給される不活性ガスの流量を200リットル/minに低減させる。
第1実施形態によれば、疎水化剤が供給される第2着液点P2は、開口111の外側で、かつ、IPAが供給される第1着液点P1よりも開口111から遠い位置に設定されている。そのため、開口111の広がりに追従するように第1着液点P1および第2着液点P2を移動させる際、第2着液点P2に供給された疎水化剤が第1着液点P1に供給されたIPAによって速やかに置換される。また、基板Wの上面から液膜110を排除しながら開口111の外側にIPAおよび疎水化剤を供給できるので、第1着液点P1に供給されたIPAを基板Wの上面から速やかに排除することができる。
また、第1着液点P1が第2着液点P2よりも上流側S1に位置するので、第2着液点P2に供給された疎水化剤は、第2着液点P2よりも上流側S1に供給されたIPAによって、速やかに置換される。
また、第2着液点P2の移動に追従して第3着液点P3を移動させることによって、開口111の広がりによって液膜110が排除される前に局所的に液膜110が蒸発して液膜割れが発生することを一層抑制できる。
次に、第1実施形態の変形例について説明する。
図9は、第1実施形態の変形例に係る処理ユニット2Pの縦断面の模式図である。図9では、説明の便宜上、スピンチャック5および遮断部材6の周辺の部材のみを簡略化して図示している。図9と後述する図10および図11とでは、今まで説明した部材と同じ部材には同じ参照符号を付して、その説明を省略する。
<第2実施形態>
次に、この発明の第2実施形態について説明する。図10は、第2実施形態に係る基板処理装置1Qに備えられた処理ユニット2Qの構成例を説明するための図解的な断面図である。
対向部91は、円板状に形成されている。対向部91は、スピンチャック5の上方でほぼ水平に配置されている。対向部91は、基板Wの上面に対向する対向面6aを有する。対向部91において対向面6aとは反対側の面には、中空軸30が固定されている。
また、処理ユニット2Qは、第1実施形態のカップ41,42、ガード43〜45およびガード昇降機構46〜48を含んでいない。処理ユニット2Qは、これらの代りに、カップ94、ガード95およびガード昇降機構96を含んでいる。カップ94は、スピンチャック5を取り囲む。ガード95は、カップ94と一体に形成され、スピンチャック5に保持された基板Wから基板W外に排除される処理液を受ける。ガード昇降機構96は、ガード95の昇降を駆動する。
貫通孔93には、ノズル13〜15が挿通することができる。貫通孔93が基板Wよりも上方に位置する状態(例えば、遮断部材6Qが第2近接位置に位置する状態)で、ノズル13〜15は、貫通孔93を介して、環状部92よりも回転軸線C1側(径方向内方)の位置と、環状部92に対して回転軸線C1とは反対側(径方向外方)の位置との間で移動可能である。すなわち、貫通孔93は、環状部92に設けられ、ノズル13〜15が環状部92を通過することを許容する通過許容部として機能する。図10では、環状部92よりも径方向内方の位置である中央位置に位置するノズル13〜15を二点鎖線で図示している。
<第3実施形態>
次に、この発明の第3実施形態について説明する。図11は、この発明の第3実施形態に係る基板処理装置1Rに備えられた処理ユニット2Rの構成例を説明するための図解的な断面図である。
複数の離間IPAノズル100は、回転軸線C1からの距離が異なる複数の位置にそれぞれ配置され、基板Wの上面の回転中心位置から離れた位置に向けて有機溶剤(例えばIPA)を供給する。複数の離間疎水化剤ノズル101は、回転軸線C1からの距離が異なる複数の位置にそれぞれ配置され、基板Wの上面の回転中心位置から離れた位置に向けて疎水化剤を供給する。
この実施形態では、各供給口6cには、離間IPAノズル100および離間疎水化剤ノズル101が1つずつ収容されている。この実施形態とは異なり、各供給口6cには、離間IPAノズル100および離間疎水化剤ノズル101のうちの一方のみが収容されていてもよい。
第3実施形態の基板処理装置1Rによる有機溶剤処理(S4)と第1実施形態の基板処理装置1による有機溶剤処理(S4)とが主に異なる点は、基板処理装置1Rによる液膜排除ステップT3では、ノズル13〜15の代わりに、離間IPAノズル100および離間疎水化剤ノズル101が用いられる点である。
開口111を拡大させる際、制御ユニット3は、開口111の外側に第1着液点P1を設定する。そして、制御ユニット3は、離間IPAバルブ103を開き、対応する離間IPAノズル100から第1着液点P1へのIPA等の低表面張力液体の供給を開始する(低表面張力液体供給工程)。
ここで、図11において、基板Wの回転中心位置に最も近い離間IPAノズル100から順に符号100A〜100Dを付し、離間IPAノズル100A〜100Dに対応する離間IPAバルブ103のそれぞれには、符号103A〜103Dを付す。また、図11において、基板Wの回転中心位置に最も近い離間疎水化剤ノズル101から順に符号101A〜101Dを付し、対応する離間疎水化剤バルブ105のそれぞれには、符号105A〜105Dを付す。
まず、制御ユニット3は、第3着液点P3を開口111の広がりに追従させるために、開口111の周縁が第1着液点P1に到達する前に第3着液点P3を径方向外方に移動させる。具体的には、制御ユニット3は、離間IPAバルブ103Cを閉じて離間IPAバルブ103Dを開くことによって、基板Wの上面にIPAを供給する離間IPAノズル100を(離間IPAノズル100Cから離間IPAノズル100Dに)切り替える。
第3実施形態によれば、第1実施形態と同様の効果を奏する。
この発明は、以上に説明した実施形態に限定されるものではなく、さらに他の形態で実施することができる。
また、第1実施形態では、ノズル13〜15は、共通の支持部材80によって支持されていたが、第1実施形態とは異なり、別々の支持部材によって支持されていてもよい。また、第1実施形態では、ノズル13〜15は、共通のノズル移動機構16によって基板Wの上面と遮断部材6の対向面6aとの間で水平方向に移動されるように構成されていたが、別々の移動機構によって水平方向に移動されるように構成されていてもよい。
また、第1実施形態および第3実施形態とは異なり、第3着液点P3を設定しない基板処理も有り得る。この場合、第1実施形態では、第3ノズル15を省略することができる。
また、第1着液点P1よりも第2着液点P2が開口111から遠くに設定されていてれば、第1着液点が第2着液点よりも下流側に設定されていてもよい。
14 第2ノズル
80 支持部材
110 液膜
111 開口
S1 基板回転方向上流
P1 第1着液点
P2 第2着液点
P3 第3着液点
W 基板
Claims (8)
- 基板を水平に保持する基板保持工程と、
水よりも表面張力の低い低表面張力液体を前記水平に保持された基板の上面に供給し前記低表面張力液体の液膜を形成する液膜形成工程と、
前記液膜の中央領域に開口を形成する開口形成工程と、
前記開口を広げることによって、前記水平に保持された基板の上面から前記液膜を排除する液膜排除工程と、
前記開口の外側に設定した第1着液点に向けて水よりも表面張力の低い低表面張力液体を供給する低表面張力液体供給工程と、
前記水平に保持された基板の上面を疎水化させる疎水化剤を、前記開口の外側でかつ前記第1着液点よりも前記開口から遠くに設定した第2着液点に向けて供給する疎水化剤供給工程と、
前記開口の広がりに追従するように前記第1着液点および前記第2着液点を移動させる着液点移動工程とを含む、基板処理方法。 - 前記着液点移動工程が、前記第2着液点の移動に追従するように前記第1着液点を移動させる工程を含む、請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記液膜排除工程と並行して前記水平に保持された基板を回転させる基板回転工程をさらに含み、
前記第1着液点が、前記第2着液点よりも基板回転方向上流側に位置するように設定される、請求項1または2に記載の基板処理方法。 - 前記着液点移動工程が、前記低表面張力液体を前記第1着液点に向けて供給する第1ノズルと、前記疎水化剤を前記第2着液点に向けて供給する第2ノズルとを共通に支持する支持部材を駆動することによって、前記第1ノズルおよび前記第2ノズルを前記水平に保持された基板の上面に沿って移動させるノズル移動工程を含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記開口の外側でかつ前記第2着液点よりも前記開口から遠い位置に設定した第3着液点に向けて、水よりも表面張力の低い低表面張力液体を供給する工程をさらに含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記着液点移動工程が、前記第2着液点の移動に追従して前記第3着液点を移動させる工程を含む、請求項5に記載の基板処理方法。
- 前記水平に保持された基板を加熱する基板加熱工程をさらに含み、
前記基板加熱工程が、前記疎水化剤供給工程よりも先に開始される、請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記基板加熱工程が、前記低表面張力液体供給工程が終了するまでの間継続される、請求項7に記載の基板処理方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016170171A JP6687486B2 (ja) | 2016-08-31 | 2016-08-31 | 基板処理方法 |
TW106127043A TWI655973B (zh) | 2016-08-31 | 2017-08-10 | 基板處理方法 |
CN201710756122.7A CN107799439B (zh) | 2016-08-31 | 2017-08-29 | 基板处理方法 |
US15/690,569 US10685829B2 (en) | 2016-08-31 | 2017-08-30 | Substrate processing method |
KR1020170110923A KR102061395B1 (ko) | 2016-08-31 | 2017-08-31 | 기판 처리 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016170171A JP6687486B2 (ja) | 2016-08-31 | 2016-08-31 | 基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018037551A JP2018037551A (ja) | 2018-03-08 |
JP6687486B2 true JP6687486B2 (ja) | 2020-04-22 |
Family
ID=61243199
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016170171A Active JP6687486B2 (ja) | 2016-08-31 | 2016-08-31 | 基板処理方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10685829B2 (ja) |
JP (1) | JP6687486B2 (ja) |
KR (1) | KR102061395B1 (ja) |
CN (1) | CN107799439B (ja) |
TW (1) | TWI655973B (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6875811B2 (ja) * | 2016-09-16 | 2021-05-26 | 株式会社Screenホールディングス | パターン倒壊回復方法、基板処理方法および基板処理装置 |
JP6938248B2 (ja) * | 2017-07-04 | 2021-09-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
JP7017342B2 (ja) | 2017-08-31 | 2022-02-08 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
TWI771501B (zh) * | 2018-09-28 | 2022-07-21 | 大陸商盛美半導體設備(上海)股份有限公司 | 基板清洗裝置 |
KR102134261B1 (ko) * | 2018-10-25 | 2020-07-16 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
CN109939984B (zh) * | 2019-03-19 | 2021-09-03 | 盐城东方天成机械有限公司 | 一种油漆渣回收利用设备 |
CN113539900B (zh) * | 2021-07-16 | 2023-09-19 | 长江存储科技有限责任公司 | 用于干燥晶圆的方法和装置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI286353B (en) | 2004-10-12 | 2007-09-01 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
CN101165854A (zh) * | 2006-10-19 | 2008-04-23 | 大日本网目版制造株式会社 | 基板处理装置和基板处理方法 |
US7838425B2 (en) | 2008-06-16 | 2010-11-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of treating surface of semiconductor substrate |
JP5789400B2 (ja) | 2011-04-12 | 2015-10-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法及び液処理装置 |
JP5820709B2 (ja) | 2011-11-30 | 2015-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、この基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体、および基板処理装置 |
WO2013132881A1 (ja) * | 2012-03-06 | 2013-09-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法、液処理装置及び記憶媒体 |
JP6317547B2 (ja) * | 2012-08-28 | 2018-04-25 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
JP6104786B2 (ja) * | 2013-12-16 | 2017-03-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
CN108155133B (zh) * | 2014-02-27 | 2022-04-15 | 斯克林集团公司 | 基板处理装置 |
JP6211458B2 (ja) * | 2014-04-30 | 2017-10-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法 |
JP2017516310A (ja) * | 2014-05-12 | 2017-06-15 | 東京エレクトロン株式会社 | フレキシブルなナノ構造の乾燥を改善するための方法及びシステム |
JP2016008227A (ja) * | 2014-06-23 | 2016-01-18 | 株式会社リコー | ポリキノン誘導体、及びそれを用いた二次電池用電極活物質 |
JP6484144B2 (ja) * | 2014-10-17 | 2019-03-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
US10026629B2 (en) | 2014-10-17 | 2018-07-17 | Tokyo Electron Limited | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer-readable storage medium storing substrate liquid processing program |
JP6410694B2 (ja) | 2014-10-21 | 2018-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理方法及び基板液処理装置並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
-
2016
- 2016-08-31 JP JP2016170171A patent/JP6687486B2/ja active Active
-
2017
- 2017-08-10 TW TW106127043A patent/TWI655973B/zh active
- 2017-08-29 CN CN201710756122.7A patent/CN107799439B/zh active Active
- 2017-08-30 US US15/690,569 patent/US10685829B2/en active Active
- 2017-08-31 KR KR1020170110923A patent/KR102061395B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102061395B1 (ko) | 2019-12-31 |
US10685829B2 (en) | 2020-06-16 |
CN107799439B (zh) | 2021-07-13 |
TWI655973B (zh) | 2019-04-11 |
CN107799439A (zh) | 2018-03-13 |
KR20180025288A (ko) | 2018-03-08 |
US20180061631A1 (en) | 2018-03-01 |
JP2018037551A (ja) | 2018-03-08 |
TW201825196A (zh) | 2018-07-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6687486B2 (ja) | 基板処理方法 | |
JP6588819B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
CN107871691B (zh) | 基板处理方法和基板处理装置 | |
JP7034634B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
TWI687989B (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
TWI735798B (zh) | 基板處理裝置 | |
TW201802882A (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
US20150090302A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
KR102126154B1 (ko) | 기판 처리 방법 | |
JP7017342B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2016167582A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP6710608B2 (ja) | 基板処理方法 | |
KR102531469B1 (ko) | 기판 처리 장치, 처리액 및 기판 처리 방법 | |
JP6916003B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
WO2023090171A1 (ja) | 基板処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190624 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200306 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200312 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200402 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6687486 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |