TWI655973B - 基板處理方法 - Google Patents

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TWI655973B
TWI655973B TW106127043A TW106127043A TWI655973B TW I655973 B TWI655973 B TW I655973B TW 106127043 A TW106127043 A TW 106127043A TW 106127043 A TW106127043 A TW 106127043A TW I655973 B TWI655973 B TW I655973B
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藤井定
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武明励
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日商斯庫林集團股份有限公司
SCREEN Holdings Co., Ltd.
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Abstract

本發明之基板處理方法包含：基板保持步驟，其水平地保持基板；液膜形成步驟，其向上述保持水平之基板之上表面供給表面張力低於水之低表面張力液體，形成上述低表面張力液體之液膜；開口形成步驟，其於上述液膜之中央區域形成開口；液膜排除步驟，其藉由使上述開口擴大而將上述液膜自上述保持水平之基板之上表面排除；低表面張力液體供給步驟，其朝向設定於上述開口之外側之第1落著點供給表面張力低於水之低表面張力液體；疏水劑供給步驟，其朝向設定於上述開口之外側且較上述第1落著點更遠離上述開口之第2落著點，供給使上述保持水平之基板之上表面疏水化之疏水劑；及落著點移動步驟，其使上述第1落著點及上述第2落著點以跟隨上述開口之擴大之方式移動。

Description

基板處理方法
本發明係關於一種處理基板之基板處理方法。成為處理對象之基板係例如包含半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、FED(Field Emission Display，場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等基板。
於將基板逐片處理之單片式基板處理裝置之基板處理中，例如，對藉由旋轉夾頭而保持大致水平之基板供給藥液。其後，對基板供給淋洗液，藉此，將基板上之藥液置換為淋洗液。其後，進行用以將基板上之淋洗液排除之旋乾步驟。
如圖12所示，於基板之表面形成有微細圖案之情形時，存在無法利用旋乾步驟無法將進入圖案內部之淋洗液去除之虞。由此，存在產生乾燥不良之虞。進入圖案內部之淋洗液之液面(空氣與液體之界面)係形成於圖案之內部。因此，液體之表面張力作用於液面與圖案之接觸位置。於該表面張力較大之情形時，容易引起圖案之崩塌。作為典型之淋洗液之水係表面張力較大。因此，無法忽視旋乾步驟中之圖案之崩塌。
因此，可考慮供給表面張力低於水之作為低表面張力液體之異丙醇(Isopropyl Alcohol：IPA)，將進入圖案內部之水置換為IPA，其後，藉由 將IPA去除而使基板之上表面乾燥。然而，即便將進入圖案內部之水置換為IPA之情形時，於IPA之表面張力持續施加於圖案時等，亦可能引起圖案之崩塌。因此，必須將IPA自基板之上表面快速地排除。
另一方面，於美國專利申請案公開第2010/240219號說明書中，揭示有於基板之表面形成濡濕性較低之撥水性(疏水性)之保護膜之基板處理。於該基板處理中，藉由保護膜而將圖案所受之IPA之表面張力減小，因此，可防止圖案之崩塌。具體而言，於該基板表面處理中，向基板表面之旋轉中心附近供給矽烷偶合劑，藉由基板之旋轉所產生之離心力而使矽烷偶合劑遍佈基板表面之整個區域，藉此形成保護膜。其後，向基板之旋轉中心供給IPA，藉由基板之旋轉所產生之離心力而使IPA遍佈基板之表面整個區域，藉此，殘留於基板表面之矽烷偶合劑被IPA置換。
於美國專利申請案公開第2010/240219號說明書中記載之基板表面處理中，存在已供給至基板表面之矽烷偶合劑於被IPA置換之前之期間劣化而導致基板表面之疏水性低下之虞。如此一來，存在無法充分地減小圖案所受之IPA之表面張力之虞。
因此，本發明之目的之一在於提供一種可利用低表面張力液體快速地置換已供給至基板之上表面之疏水劑，且可將基板之上表面之低表面張力液體快速地排除之基板處理方法。
本發明提供一種基板處理方法，其包含：基板保持步驟，其水平地保持基板；液膜形成步驟，其向上述保持水平之基板之上表面，供給表面張力低於水之低表面張力液體，形成上述低表面張力液體之液膜；開口形成步驟，其於上述液膜之中央區域形成開口；液膜排除步驟，其藉由使上述 開口擴大而將上述液膜自上述保持水平之基板之上表面排除；低表面張力液體供給步驟，其朝向設定於上述開口之外側之第1落著點，供給表面張力低於水之低表面張力液體；疏水劑供給步驟，其朝向設定於上述開口之外側且較上述第1落著點更遠離上述開口之第2落著點，供給使上述保持水平之基板之上表面疏水化之疏水劑；及落著點移動步驟，其使上述第1落著點及上述第2落著點以跟隨上述開口之擴大之方式移動。
根據該方法，對於第1落著點供給表面張力低於水之低表面張力液體。第1落著點係設定於形成於液膜之中央區域之開口之外側。對於第2落著點供給使基板之上表面疏水化之疏水劑。第2落著點係設定於開口之外側且較第1落著點更遠離開口之位置。因此，於使第1落著點及第2落著點以跟隨開口之擴大之方式移動時，已供給至第2落著點之疏水劑被已供給至第1落著點之低表面張力液體快速地置換。又，由於可一邊將液膜自基板之上表面排除一邊對開口之外側供給低表面張力液體及疏水劑，故而可將已供給至第1落著點之低表面張力液體自基板之上表面快速地排除。
於本發明之一實施形態中，上述落著點移動步驟包含使上述第1落著點以跟隨上述第2落著點之移動之方式移動的步驟。根據該方法，藉由使第1落著點以跟隨第2落著點之移動之方式移動，而使已供給至第2落著點之疏水劑更快地被已供給至第1落著點之低表面張力液體置換。
於本發明之一實施形態中，上述基板處理方法更包含與上述液膜排除步驟並行地使上述保持水平之基板旋轉之基板旋轉步驟。而且，上述第1落著點以位於較上述第2落著點更靠基板旋轉方向上游側之方式設定。
根據該方法，第1落著點位於較第2落著點更靠基板旋轉方向上游側，因此，已供給至第2落著點之疏水劑被已供給至較第2落著點更靠基板旋 轉方向上游側之低表面張力液體快速地置換。
於本發明之一實施形態中，上述落著點移動步驟包含噴嘴移動步驟，該噴嘴移動步驟係藉由驅動共通地支持朝向上述第1落著點供給上述低表面張力液體之第1噴嘴、及朝向上述第2落著點供給上述疏水劑之第2噴嘴的支持構件，而使上述第1噴嘴及上述第2噴嘴沿著上述保持水平之基板之上表面移動。
根據該方法，朝向第2落著點供給疏水劑之第2噴嘴與朝向第1落著點供給低表面張力液體之第1噴嘴係由支持構件共通地支持。因此，與藉由不同之構件支持各噴嘴之情形相比，容易控制第1落著點與第2落著點之位置。又，可一邊將第1落著點與第2落著點之間隔保持固定，一邊使第1噴嘴及第2噴嘴沿著基板之上表面移動。因此，與使第1噴嘴及第2噴嘴各自地移動之情形相比，可抑制因低表面張力液體引起之疏水劑之置換之不均。
於本發明之一實施形態中，上述基板處理方法更包含朝向設定於上述開口之外側且較上述第2落著點更遠離上述開口之位置之第3落著點，供給表面張力低於水之低表面張力液體之步驟。
根據該方法，因朝向設定於開口之外側且較第2落著點更遠離開口之位置之第3落著點供給低表面張力液體，故可抑制於藉由開口之擴大而將液膜排除之前，液膜局部地蒸發而產生液膜破裂之情形。因此，可良好地將液膜自基板之上表面排除。
於本發明之一實施形態中，上述落著點移動步驟包含使上述第3落著點跟隨上述第2落著點之移動而移動之步驟。根據該方法，藉由使第3落著點跟隨第2落著點之移動而移動，便可進一步抑制於藉由開口之擴大而 將液膜排除之前，液膜局部地蒸發而產生液膜破裂之情形。
於本發明之一實施形態中，上述基板處理方法更包含將上述保持水平之基板加熱之基板加熱步驟。而且，上述基板加熱步驟係先於上述疏水劑供給步驟而開始。
根據該方法，加熱基板之基板加熱步驟係先於疏水劑供給步驟而開始，因此，已供給至第2落著點之疏水劑被快速加熱。藉此，可提昇基板上之疏水劑之活性。可藉由對第2落著點供給活性提昇之疏水劑，而提昇基板之上表面之疏水性。
於本發明之一實施形態中，上述基板加熱步驟係於上述低表面張力液體供給步驟結束之前之期間持續進行。根據該方法，因基板加熱步驟於低表面張力液體供給步驟結束之前之期間持續進行，因此，促進已供給至第1落著點之低表面張力液體之蒸發。因此，促進開口之擴大。故而，可更快地將液膜自基板之上表面排除。
本發明中之上述或者進而其他之目的、特徵及效果藉由參照隨附圖式如下地敍述之實施形態之說明而明確。
1‧‧‧基板處理裝置
1Q‧‧‧基板處理裝置
1R‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元
2P‧‧‧處理單元
2Q‧‧‧處理單元
2R‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制器
3A‧‧‧處理器
3B‧‧‧記憶體
5‧‧‧旋轉夾頭
6‧‧‧遮斷構件
6Q‧‧‧遮斷構件
6a‧‧‧對向面
6b‧‧‧連通孔
6c‧‧‧供給口
7‧‧‧腔室
7A‧‧‧搬出口
7B‧‧‧擋板單元
8‧‧‧下表面噴嘴
9‧‧‧藥液噴嘴
10‧‧‧DIW噴嘴
11‧‧‧中央IPA噴嘴
12‧‧‧惰性氣體噴嘴
13‧‧‧第1噴嘴
13a‧‧‧第1噴出口
14‧‧‧第2噴嘴
14a‧‧‧第2噴出口
15‧‧‧第3噴嘴
15a‧‧‧第3噴出口
16‧‧‧噴嘴移動機構
16a‧‧‧部分
18‧‧‧惰性氣體流通路
19‧‧‧移動噴嘴
19A‧‧‧移動噴嘴移動機構
20‧‧‧夾頭銷
21‧‧‧旋轉基座
22‧‧‧旋轉軸
23‧‧‧電動馬達
30‧‧‧中空軸
31‧‧‧遮斷構件支持構件
32‧‧‧遮斷構件升降機構
33‧‧‧遮斷構件旋轉機構
34‧‧‧配線
35‧‧‧噴嘴收容構件
40‧‧‧排氣桶
40A‧‧‧筒部
40B‧‧‧突出部
40C‧‧‧蓋部
41‧‧‧第1承杯
42‧‧‧第2承杯
43‧‧‧第1防護罩
43A‧‧‧第1筒狀部
43B‧‧‧第1延設部
43C‧‧‧傾斜部
43D‧‧‧平坦部
43E‧‧‧貫通孔
44‧‧‧第2防護罩
44A‧‧‧第2筒狀部
44B‧‧‧第2延設部
45‧‧‧第3防護罩
45A‧‧‧第3筒狀部
45B‧‧‧第3延設部
46‧‧‧第1防護罩升降機構
47‧‧‧第2防護罩升降機構
48‧‧‧第3防護罩升降機構
50‧‧‧加熱流體供給管
51‧‧‧加熱流體閥
52‧‧‧藥液噴嘴移動機構
53‧‧‧藥液供給管
54‧‧‧藥液閥
55‧‧‧DIW供給管
56‧‧‧DIW閥
57‧‧‧中央IPA供給管
58‧‧‧中央IPA閥
59‧‧‧第1惰性氣體供給管
60‧‧‧第1惰性氣體閥
61‧‧‧第1 IPA供給管
62‧‧‧第1 IPA閥
63‧‧‧疏水劑供給管
64‧‧‧疏水劑閥
65‧‧‧第2 IPA供給管
66‧‧‧第2 IPA閥
67‧‧‧第2惰性氣體供給管
68‧‧‧第2惰性氣體閥
70‧‧‧第1托架
71‧‧‧台座
72‧‧‧第2托架
80‧‧‧支持構件
81‧‧‧驅動機構
82‧‧‧外殼
85‧‧‧第4防護罩
85A‧‧‧第4筒狀部
85B‧‧‧第4延設部
86‧‧‧第4防護罩升降機構
91‧‧‧對向部
92‧‧‧環狀部
93‧‧‧貫通孔
94‧‧‧承杯
95‧‧‧防護罩
96‧‧‧防護罩升降機構
100‧‧‧間距IPA噴嘴
100A‧‧‧間距IPA噴嘴
100B‧‧‧間距IPA噴嘴
100C‧‧‧間距IPA噴嘴
100D‧‧‧間距IPA噴嘴
101‧‧‧間距疏水劑噴嘴
101A‧‧‧間距疏水劑噴嘴
101B‧‧‧間距疏水劑噴嘴
101C‧‧‧間距疏水劑噴嘴
101D‧‧‧間距疏水劑噴嘴
102‧‧‧間距IPA供給管
103‧‧‧間距IPA閥
103A‧‧‧間距IPA閥
103B‧‧‧間距IPA閥
103C‧‧‧間距IPA閥
103D‧‧‧間距IPA閥
104‧‧‧間距疏水劑供給管
105‧‧‧間距疏水劑閥
105A‧‧‧間距疏水劑閥
105B‧‧‧間距疏水劑閥
105C‧‧‧間距疏水劑閥
105D‧‧‧間距疏水劑閥
110‧‧‧液膜
111‧‧‧開口
A‧‧‧空間
B‧‧‧收容空間
C‧‧‧載具
C1‧‧‧旋轉軸線
CR‧‧‧搬送機械手
IR‧‧‧搬送機械手
LP‧‧‧裝載埠
P1‧‧‧第1落著點
P2‧‧‧第2落著點
P3‧‧‧第3落著點
R‧‧‧基板旋轉方向
R1‧‧‧上游側
R2‧‧‧下游側
S1‧‧‧基板搬入
S2‧‧‧藥液處理
S3‧‧‧DIW淋洗處理
S4‧‧‧有機溶劑處理
S5‧‧‧乾燥處理
S6‧‧‧基板搬出
T1‧‧‧有機溶劑淋洗步驟
T2‧‧‧液膜形成步驟
T3‧‧‧液膜排除步驟
W‧‧‧基板
Z‧‧‧上下方向
圖1係用以說明本發明之第1實施形態之基板處理裝置之內部之佈局之圖解性俯視圖。
圖2係用以說明上述基板處理裝置中配備之處理單元之構成例之圖解性橫剖視圖。
圖3相當於沿著圖2之III-III線之縱剖視圖，且係用以說明上述處理單元之構成例之模式圖。
圖4係用以說明上述基板處理裝置之主要部分之電氣構成之方塊圖。
圖5係用以說明上述基板處理裝置之基板處理之一例之流程圖。
圖6A~圖6B係用以說明基板處理之詳情之時序圖。
圖7A~圖7C係用以說明有機溶劑處理(圖5之S4)之詳情之圖解性剖視圖。
圖8係俯視圖7C之基板處理之情況所得之模式圖。
圖9係第1實施形態之變化例之處理單元之縱剖面之模式圖。
圖10係用以說明本發明之第2實施形態之基板處理裝置中配備之處理單元之構成例之圖解性剖視圖。
圖11係用以說明本發明之第3實施形態之基板處理裝置中配備之處理單元之構成例之圖解性剖視圖。
圖12係用以說明表面張力引起之圖案崩塌之原理之圖解性剖視圖。
<第1實施形態>
圖1係用以說明本發明之第1實施形態之基板處理裝置1之內部之佈局之圖解性俯視圖。基板處理裝置1係利用處理液對矽晶圓等基板W逐片地進行處理之單片式裝置。作為處理液，可列舉藥液、淋洗液、有機溶劑及疏水劑等。於本實施形態中，基板W為圓形狀之基板。於基板W之表面形成有微細之圖案(參照圖12)。
基板處理裝置1包含：複數個處理單元2，其等利用處理液對基板W進行處理；複數個裝載埠LP，其等分別保持收容由處理單元2處理之複數片基板W之載具C；搬送機械手IR及CR，其等於裝載埠LP與處理單元2之間搬送基板W；及控制器3，其控制基板處理裝置1。搬送機械手IR係於載具C與搬送機械手CR之間搬送基板W。搬送機械手CR係於搬送 機械手IR與處理單元2之間搬送基板W。複數個處理單元2例如具有相同之構成。
圖2係用以說明處理單元2之構成例之圖解性橫剖視圖。圖3相當於沿著圖2之III-III線之縱剖視圖，且係用以說明處理單元2之構成例之模式圖。
處理單元2包含旋轉夾頭5，該旋轉夾頭5一邊將一片基板W以水平姿勢保持，一邊使基板W繞通過基板W之中心之鉛直之旋轉軸線C1旋轉。旋轉夾頭5係將基板W水平地保持之基板保持單元之一例。處理單元2更包含：遮斷構件6，其具有與基板W之上表面(上方側之主面)對向之對向面6a；及腔室7，其收容基板W，以利用處理液對基板W進行處理。遮斷構件6係對向構件之一例。於腔室7形成有用以將基板W搬入/搬出之搬入/搬出口7A。於腔室7配備有將搬入/搬出口7A開閉之擋板單元7B。
旋轉夾頭5包含夾頭銷20、旋轉基座21、旋轉軸22、及使旋轉軸22繞旋轉軸線C1旋轉之電動馬達23。
旋轉軸22係沿著旋轉軸線C1於鉛直方向(亦稱為上下方向Z)上延伸，且於本實施形態中為中空軸。旋轉軸22之上端結合於旋轉基座21之下表面之中央。旋轉基座21具有沿著水平方向之圓盤形狀。於旋轉基座21之上表面之周緣部，沿著圓周方向隔開間隔地配置有用以固持基板W之複數個夾頭銷20。藉由利用電動馬達23使旋轉軸22旋轉，基板W繞旋轉軸線C1旋轉。以下，將基板W之旋轉徑向內側簡稱為「徑向內側」，將基板W之旋轉徑向外側簡稱為「徑向外側」。
遮斷構件6形成為具有與基板W大致相同之直徑或該基板W以上之直徑之圓板狀。遮斷構件6係於旋轉夾頭5之上方大致水平地配置。於遮 斷構件6中與對向面6a為相反側之面固定有中空軸30。於遮斷構件6中包含俯視時與旋轉軸線C1重疊之位置之部分形成有將遮斷構件6上下地貫通且與中空軸30之內部空間連通之連通孔6b。
處理單元2更包含：遮斷構件支持構件31，其水平延伸，且介隔中空軸30支持遮斷構件6；遮斷構件升降機構32，其經由遮斷構件支持構件31連結於遮斷構件6，驅動遮斷構件6之升降；及遮斷構件旋轉機構33，其使遮斷構件6繞旋轉軸線C1旋轉。
遮斷構件升降機構32可使遮斷構件6位於自下位置至上位置為止之任意之位置(高度)。所謂下位置係指於遮斷構件6之可動範圍內，遮斷構件6之對向面6a與基板W最接近之位置。於遮斷構件6位於下位置之狀態下，基板W之上表面與對向面6a之間之距離例如為0.5mm。所謂上位置係指於遮斷構件6之可動範圍內，遮斷構件6之對向面6a最遠離基板W之位置。於遮斷構件6位於上位置之狀態下，基板W之上表面與對向面6a之間之距離例如為80mm。
遮斷構件旋轉機構33包含內置於遮斷構件支持構件31之前端之電動馬達。於電動馬達連接有配置於遮斷構件支持構件31內之複數條配線34。複數條配線34包含用以對該電動馬達輸電之電力線、及用以輸出遮斷構件6之旋轉資訊之編碼器線。可藉由偵測遮斷構件6之旋轉資訊而正確地控制遮斷構件6之旋轉。
處理單元2更包含：排氣桶40，其包圍旋轉夾頭5；複數個承杯41、42(第1承杯41及第2承杯42)，其等配置於旋轉夾頭5與排氣桶40之間；及複數個防護罩43~45(第1防護罩43、第2防護罩44及第3防護罩45)，其等承接自由旋轉夾頭5保持之基板W排除至基板W外之處理液。
處理單元2更包含分別驅動複數個防護罩43~45之升降之複數個防護罩升降機構46~48(第1防護罩升降機構46、第2防護罩升降機構47及第3防護罩升降機構48)。各防護罩升降機構46~48係於本實施形態中，以俯視時以基板W之旋轉軸線C1為中心成為點對稱之方式設置有一對。藉此，可使複數個防護罩43~45分別穩定地升降。
排氣桶40包含圓筒狀之筒部40A、自筒部40A突出至筒部40A之徑向外側之複數個(本實施形態為2個)突出部40B、及安裝於複數個突出部40B之上端之複數個蓋部40C。複數個防護罩升降機構46~48係配置於在筒部40A之圓周方向上與突出部40B相同之位置且較突出部40B更靠徑向內側。詳細而言，於在筒部40A之圓周方向上與各突出部40B相同之位置，包括第1防護罩升降機構46、第2防護罩升降機構47及第3防護罩升降機構48之組各配置有1組。
各承杯41、42具有向上開放之環狀之槽。各承杯41、42係於較排氣桶40之筒部40A更靠徑向內側包圍旋轉夾頭5。第2承杯42配置於較第1承杯41更靠徑向外側。第2承杯42係例如與第3防護罩45為一體。第2承杯42係與第3防護罩45一同地升降。於各承杯41、42之槽連接有回收配管(未圖示)或廢液配管(未圖示)。導入至各承杯41、42之底部之處理液係通過回收配管或廢液配管而回收或廢棄。
防護罩43~45係以於俯視時包圍旋轉夾頭5及遮斷構件6之方式配置。
第1防護罩43包含：第1筒狀部43A，其於較排氣桶40之筒部40A更靠徑向內側包圍旋轉夾頭5；及第1延設部43B，其自第1筒狀部43A延伸至徑向內側。
第1防護罩43係藉由第1防護罩升降機構46而於下位置與上位置之間升降。下位置係第1防護罩43之上端(徑向內側端)位於較基板W更下方時之第1防護罩43之位置。上位置係第1防護罩43之上端(徑向內側端)位於較基板W更上方時之第1防護罩43之位置。第1防護罩43可藉由利用第1防護罩升降機構46進行升降而位於下位置與上位置之間之遮斷構件對向位置及基板對向位置。藉由第1防護罩43位於基板對向位置，第1延設部43B(之徑向內側端)自水平方向與基板W對向。藉由第1防護罩43位於遮斷構件對向位置，第1延設部43B(之徑向內側端)自水平方向與遮斷構件6對向。
第1防護罩43於位於遮斷構件對向位置之狀態下，可與由旋轉夾頭5保持之基板W及遮斷構件6一同地形成與外部之氛圍之互通受到限制之空間A。所謂空間A之外部係指較遮斷構件6更上方之空間或較第1防護罩43更靠徑向外側之空間。空間A以空間A內之氛圍與空間A之外部之氛圍之間之流體之流動受到限制之方式形成即可，無需以必須將空間A內之氛圍自外部之氛圍完全遮斷之方式形成。
第2防護罩44包含：第2筒狀部44A，其於較第1防護罩43之第1筒狀部43A更靠徑向內側包圍旋轉夾頭5；及第2延設部44B，其自第2筒狀部44A延伸至徑向內側。
第2防護罩44係藉由第2防護罩升降機構47而於下位置與上位置之間升降。下位置係第2防護罩44之上端(徑向內側端)位於較基板W更下方時之第2防護罩44之位置。上位置係第2防護罩44之上端(徑向內側端)位於較基板W更上方時之第2防護罩44之位置。第2防護罩44可藉由利用第2防護罩升降機構47進行升降而位於下位置與上位置之間之基板對向 位置。藉由第2防護罩44位於基板對向位置，第2延設部44B(之徑向內側端)自水平方向與基板W對向。第2延設部44B係自下方與第1延設部43B對向。空間A係於第2防護罩44位於基板對向位置之狀態下，由第2防護罩44自下方區劃。
第3防護罩45包含：第3筒狀部45A，其於較第2防護罩44之第2筒狀部44A更靠徑向內側包圍旋轉夾頭5；及第3延設部45B，其自第3筒狀部45A延伸至徑向內側。第3延設部45B係自下方與第2延設部44B對向。
第3防護罩45係藉由第3防護罩升降機構48(參照圖2)而於下位置與上位置之間升降。下位置係第3防護罩45之上端(徑向內側端)位於較基板W更下方時之第3防護罩45之位置。上位置係第3防護罩45之上端(徑向內側端)位於較基板W更上方時之第3防護罩45之位置。第3防護罩45可藉由利用第3防護罩升降機構48進行升降而位於下位置與上位置之間之基板對向位置。藉由第3防護罩45位於基板對向位置，第3延設部45B(之徑向內側端)自水平方向與基板W對向。
處理單元2包含：下表面噴嘴8，其向基板W之下表面供給加熱流體；及藥液噴嘴9，其向基板W之上表面供給氫氟酸等藥液。
下表面噴嘴8係插穿旋轉軸22。下表面噴嘴8係於上端具有面向基板W之下表面中央之噴出口。對於下表面噴嘴8，經由加熱流體供給管50自加熱流體供給源供給溫水等加熱流體。於加熱流體供給管50插入安裝有用以將其流路開閉之加熱流體閥51。溫水係較室溫為高溫之水，例如為80℃~85℃之水。加熱流體並不限於溫水，亦可為高溫之氮氣等氣體，只要為能夠將基板W加熱之流體即可。
對於藥液噴嘴9，經由藥液供給管53自藥液供給源供給藥液。於藥液供給管53插入安裝有將其流路開閉之藥液閥54。
所謂藥液並不限於氫氟酸，亦可為包含硫酸、乙酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸、草酸等)、有機鹼(例如，TMAH：氫氧化四甲基銨等)、界面活性劑、防腐劑中之至少1種的液體。作為將該等混合而成之藥液之例，可列舉SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture：硫酸過氧化氫水混合液)、SC1(ammonia-hydrogen peroxide mixture：氨水過氧化氫水混合液)等。
藥液噴嘴9係藉由藥液噴嘴移動機構52(參照圖2)而於鉛直方向及水平方向上移動。藥液噴嘴9藉由朝向水平方向移動而於中央位置與退避位置之間移動。中央位置係藥液噴嘴9與基板W之上表面之旋轉中心位置對向之位置。退避位置係藥液噴嘴9不與基板W之上表面對向之退避位置。基板W之上表面之旋轉中心位置係指基板W之上表面中之與旋轉軸線C1之交叉位置。退避位置係指俯視時旋轉基座21之外側之位置。
處理單元2更包含：DIW噴嘴10，其對基板W之上表面之中央區域供給作為淋洗液之去離子水(DIW：Deionized Water)；中央IPA噴嘴11，其對基板W之上表面之中央區域供給作為有機溶劑之IPA；及惰性氣體噴嘴12，其對基板W之上表面之中央區域供給氮氣(N2)等惰性氣體。基板W之上表面之中央區域係指包含基板W之上表面中之與旋轉軸線C1之交叉位置的基板W之上表面之中央周圍之區域。
噴嘴10~12於本實施形態中共通地收容於插穿中空軸30之內部空間與遮斷構件6之連通孔6b之噴嘴收容構件35，且可分別噴出DIW、IPA及惰性氣體。各噴嘴10~12之前端係配置於與遮斷構件6之對向面6a大 致相同之高度。各噴嘴10~12即便於形成有空間A之狀態下，亦可對基板W之上表面之中央區域分別地供給DIW、IPA及惰性氣體。
對於DIW噴嘴10，自DIW供給源經由DIW供給管55供給DIW。於DIW供給管55插入安裝有用以將其流路開閉之DIW閥56。
DIW噴嘴10亦可為供給DIW以外之淋洗液之淋洗液噴嘴。所謂淋洗液係除了DIW以外，亦可例示碳酸水、電解離子水、臭氧水、稀釋濃度(例如10~100ppm左右)之鹽酸水、還原水(氫水)等。
對於中央IPA噴嘴11，自IPA供給源經由中央IPA供給管57供給IPA。於中央IPA供給管57插入安裝有用以將其流路開閉之中央IPA閥58。
中央IPA噴嘴11於本實施形態中為供給IPA之構成。中央IPA噴嘴11作為對基板W之上表面之中央區域供給表面張力小於水之低表面張力液體之中央低表面張力液體噴嘴發揮功能即可。
作為低表面張力液體，可使用不與基板W之上表面及形成於基板W之圖案(參照圖12)產生化學反應(缺乏反應性)的IPA以外之有機溶劑。更具體而言，可使用包含IPA、HFE(氫氟醚)、甲醇、乙醇、丙酮及反-1,2二氯乙烯中之至少1種之液體作為低表面張力液體。又，低表面張力液體無須僅由單體成分構成，亦可為與其他成分混合而成之液體。例如，既可為IPA液與純水之混合液，亦可為IPA液與HFE液之混合液。
對於惰性氣體噴嘴12，經由第1惰性氣體供給管59自惰性氣體供給源供給氮氣等惰性氣體。於第1惰性氣體供給管59插入安裝有將其流路開閉之第1惰性氣體閥60。所謂惰性氣體係指不限於氮氣且相對於基板W之上表面及圖案為惰性之氣體，亦可為例如氬氣等稀有氣體類。
藉由噴嘴收容構件35之外周面、與中空軸30之內周面及遮斷構件6 中區劃連通孔6b之面之間之空間，形成對基板W之中央區域供給惰性氣體之惰性氣體流通路18。惰性氣體流通路18係經由第2惰性氣體供給管67自惰性氣體供給源被供給氮氣等惰性氣體。於第2惰性氣體供給管67插入安裝有將其流路開閉之第2惰性氣體閥68。已供給至惰性氣體流通路18之惰性氣體係自連通孔6b之下端朝向基板W之上表面噴出。
處理單元2亦可更包含向基板W之上表面供給處理液之移動噴嘴19(參照圖2)。移動噴嘴19藉由移動噴嘴移動機構19A而於鉛直方向及水平方向上移動。自移動噴嘴19供給至基板W之處理液例如為藥液、淋洗液、低表面張力液體或疏水劑等。
處理單元2更包含：第1噴嘴13，其向基板W之上表面供給IPA等低表面張力液體；第2噴嘴14，其向基板W之上表面中與第1噴嘴13不同之位置供給使基板W之上表面疏水化之疏水劑；及第3噴嘴15，其向基板W之上表面中與第1噴嘴13及第2噴嘴14不同之位置供給IPA等低表面張力液體(參照圖2)。
第1噴嘴13及第3噴嘴15各自為對基板W之上表面供給低表面張力液體之低表面張力液體供給單元之一例。第2噴嘴係對基板W之上表面供給疏水劑之疏水劑供給單元之一例。
噴嘴13~15係以於形成有空間A之狀態下配置於空間A內之方式，自第1防護罩43之內壁延伸。自第3噴嘴15供給之低表面張力液體較佳為與疏水劑及淋洗液之兩者具有親和性。
疏水劑係例如使矽自身及包含矽之化合物疏水化之矽系疏水劑、或使金屬自身及包含金屬之化合物疏水化之金屬系疏水劑。金屬系疏水劑例如包含具有疏水基之胺、及有機矽化合物之至少一者。矽系疏水劑係例如矽 烷偶合劑。矽烷偶合劑例如包含HMDS(六甲基二矽氮烷)、TMS(四甲基矽烷)、氟化烷氯矽烷、烷基二矽氮烷、及非氯系疏水劑之至少一者。非氯系疏水劑例如包含二甲基矽烷基二甲胺、二甲基矽烷基二乙胺、六甲基二矽氮烷、四甲基二矽氮烷、雙(二甲胺基)二甲基矽氧烷、N,N-二甲胺基三甲基矽烷、N-(三甲基矽烷基)二甲胺及有機矽烷化合物之至少一者。
對於第1噴嘴13，經由第1 IPA供給管61自IPA供給源供給IPA。於第1 IPA供給管61插入安裝有用以將其流路開閉之第1 IPA閥62。對於第2噴嘴14，經由疏水劑供給管63自疏水劑供給源供給疏水劑。於疏水劑供給管63插入安裝有用以將其流路開閉之疏水劑閥64。對於第3噴嘴15，經由第2 IPA供給管65自IPA供給源供給IPA。於第2 IPA供給管65插入安裝有用以將其流路開閉之第2 IPA閥66。
參照圖2，噴嘴13~15係於水平方向上延伸，且於俯視時彎曲。詳細而言，噴嘴13~15亦可具有模仿第1防護罩43之第1筒狀部43A之圓弧形狀。於第1噴嘴13之前端設置有朝向基板W之上表面於鉛直方向上(朝向下方)噴出IPA之噴出口13a。於第2噴嘴14之前端設置有朝向基板W之上表面於鉛直方向上(朝向下方)噴出疏水劑之噴出口14a。於第3噴嘴15之前端設置有朝向基板W之上表面於鉛直方向上(朝向下方)噴出IPA之噴出口15a。
第1噴嘴13、第2噴嘴14及第3噴嘴15係自徑向內側朝向徑向外側按照該順序排列地配置。第1噴嘴13之噴出口13a係位於較第2噴嘴14之噴出口14a更靠基板W之上表面之旋轉中心位置之附近(徑向內側)。第2噴嘴14之噴出口14a係位於較第3噴嘴15之噴出口15a更靠基板W之上表面之旋轉中心位置之附近(徑向內側)。
參照圖3，處理單元2更包含連結於第1防護罩43，使噴嘴13~15於基板W之上表面與遮斷構件6之對向面6a之間於水平方向上移動之噴嘴移動機構16。
噴嘴13~15藉由噴嘴移動機構16而於中央位置與退避位置之間移動。第1噴嘴13之中央位置係第1噴嘴13與基板W之上表面之旋轉中心位置對向之位置。第2噴嘴14之中央位置係第2噴嘴14與基板W之上表面之旋轉中心位置對向之位置。第3噴嘴15之中央位置係第3噴嘴15與基板W之上表面之旋轉中心位置對向之位置。。
第1噴嘴13之退避位置係第1噴嘴13不與基板W之上表面對向之位置。第2噴嘴14之退避位置係第2噴嘴14不與基板W之上表面對向之位置。第3噴嘴15之退避位置係第3噴嘴15不與基板W之上表面對向之位置。退避位置係俯視時旋轉基座21之外側之位置。第3噴嘴15之退避位置亦可為自徑向內側相鄰於第1防護罩43之第1筒狀部43A之位置。
噴嘴移動機構16包含：支持構件80，其共通地支持噴嘴13~15；驅動機構81，其連結於第1防護罩43，驅動支持構件80；及外殼82，其覆蓋驅動機構81之至少一部分。驅動機構81包含旋轉軸(未圖示)、及使該旋轉軸旋轉之驅動馬達(未圖示)。支持構件80具有由該驅動馬達驅動而繞特定之中心軸線旋動之旋動軸之形態。
支持構件80之上端係位於較外殼82更上方。噴嘴13~15與支持構件80亦可一體地形成。支持構件80及噴嘴13~15具有中空軸之形態。支持構件80之內部空間與噴嘴13~15各自之內部空間連通。於支持構件80，自上方插穿有第1 IPA供給管61、疏水劑供給管63及第2 IPA供給管65。
第1防護罩43之第1延設部43B一體地包含相對水平方向傾斜之傾斜部43C、及水平方向上平坦之平坦部43D。平坦部43D與傾斜部43C係於基板W之旋轉方向上排列地配置(參照圖2)。平坦部43D係以隨著朝向徑向外側而位於較傾斜部43C更上方之方式較傾斜部43C更向上方突出。平坦部43D係以俯視時與支持構件80、及位於旋轉基座21之外側之狀態之第1噴嘴13重疊之方式配置。平坦部43D以俯視時至少與位於退避位置之噴嘴13~15及支持構件80重疊的方式配置即可。
第2防護罩44之第2延設部44B係自下方與平坦部43D對向。於第1防護罩43與第2防護罩44之間形成有可收容第1噴嘴13之收容空間B。收容空間B係模仿第1防護罩43之第1筒狀部43A而於基板W之旋轉方向上延伸，且於俯視時具有圓弧形狀。收容空間B係由第1筒狀部43A、平坦部43D及第2延設部44B區劃而成之空間。詳細而言，收容空間B係由第1筒狀部43A自徑向外側區劃，由平坦部43D自上方區劃，且由第2延設部44B自下方區劃。位於退避位置之第1噴嘴13係於收容於收容空間B之狀態下，自下方接近平坦部43D。第2延設部44B係以隨著朝向徑向內側而朝向上方之方式相對水平方向傾斜。因此，即便第2延設部44B自下方接近第1延設部43B之狀態，收容空間B亦得以維持。
於第1防護罩43之平坦部43D形成有於上下方向Z上將平坦部43D貫通之貫通孔43E。於貫通孔43E插穿有支持構件80。於支持構件80與貫通孔43E之內壁之間，配置有橡膠等密封構件(未圖示)。藉此，將支持構件80與貫通孔43E之內壁之間密封。驅動機構81係配置於空間A外。
處理單元2更包含：第1托架70，其安裝於第1防護罩升降機構46，將噴嘴移動機構16固定於第1防護罩43；台座71，其由第1托架70支 持，且載置固定驅動機構81；及第2托架72，其連結於第1防護罩43，於較第1托架70更靠基板W之徑向內側支持台座71。噴嘴移動機構16中藉由第1托架70而固定之部分16a係於俯視時與第1防護罩升降機構46重疊。
圖4係用以說明基板處理裝置1之主要部分之電氣構成之方塊圖。控制器3具備微電腦，依據特定之控制程式，控制基板處理裝置1中配備之控制對象。更具體而言，控制器3構成為包含處理器(CPU(Central Processing Unit，中央處理單元))3A、及儲存有控制程式之記憶體3B，且藉由處理器3A執行控制程式而執行用於基板處理之各種控制。尤其，控制器3對搬送機械手IR、CR、噴嘴移動機構16、電動馬達23、遮斷構件升降機構32、遮斷構件旋轉機構33、防護罩升降機構46~48、藥液噴嘴移動機構52及閥類51、54、56、58、60、62、64、66、68等之動作進行控制。
圖5係用以說明基板處理裝置1之基板處理之一例之流程圖，且主要表示藉由控制器3執行動作程式而實現之處理。圖6A及圖6B係用以說明基板處理之詳情之時序圖。
於基板處理裝置1之基板處理中，例如圖5所示，依序執行基板搬入(S1)、藥液處理(S2)、DIW淋洗處理(S3)、有機溶劑處理(S4)、乾燥處理(S5)及基板搬出(S6)。
首先，於基板處理裝置1之基板處理中，將未處理之基板W由搬送機械手IR、CR自載具C搬入至處理單元2，且轉交至旋轉夾頭5(S1)。其後，基板W於由搬送機械手CR搬出之前，由旋轉夾頭5水平地保持(基板保持步驟)。於由旋轉夾頭5水平地保持基板W之狀態下，基板W之上表 面與遮斷構件6之對向面6a對向。
其次，對藥液處理(S2)進行說明。於搬送機械手CR退避至處理單元2外之後，執行利用藥液將基板W之上表面洗淨之藥液處理(S2)。
參照圖6A及圖6B，具體而言，首先，控制器3控制噴嘴移動機構16，使噴嘴13~15位於退避位置。又，控制器3控制遮斷構件升降機構32，將遮斷構件6配置於上位置。
繼而，控制器3驅動電動馬達23，使旋轉基座21以例如800rpm旋轉。藉此，保持水平之基板W進行旋轉(基板旋轉步驟)。控制器3控制遮斷構件旋轉機構33，使遮斷構件6旋轉。此時，亦可使遮斷構件6與旋轉基座21同步旋轉。所謂同步旋轉係指相同方向上以相同之旋轉速度進行旋轉。
繼而，控制器3控制藥液噴嘴移動機構52，將藥液噴嘴9配置於基板W之上方之藥液處理位置。於藥液噴嘴9位於藥液處理位置時，自藥液噴嘴9噴出之藥液亦可落著於基板W之上表面之旋轉中心。繼而，控制器3將藥液閥54打開。藉此，自藥液噴嘴9朝向旋轉狀態之基板W之上表面供給藥液。所供給之藥液因離心力而遍佈基板W之上表面整體。此時，自藥液噴嘴9供給之藥液之量(藥液供給量)例如為2升/min。
控制器3控制防護罩升降機構46~48，將第3防護罩45配置於較基板對向位置更上方。因此，因離心力飛散至基板外之藥液通過第3防護罩45之第3延設部45B之下方，由第3防護罩45之第3筒狀部45A承接。被第3筒狀部45A接納之藥液流向第1承杯41(參照圖3)。
其次，對DIW淋洗處理(S3)進行說明。於固定時間之藥液處理(S2)之後，將基板W上之藥液置換為DIW，藉此，執行將藥液自基板W之上 表面排除之DIW淋洗處理(S3)。
具體而言，控制器3將藥液閥54關閉。繼而，控制器3控制藥液噴嘴移動機構52，使藥液噴嘴9自基板W之上方朝向旋轉基座21之側方退避。
繼而，控制器3將DIW閥56打開。藉此，自DIW噴嘴10朝向旋轉狀態之基板W之上表面供給DIW。所供給之DIW因離心力而遍佈基板W之上表面整體。藉由該DIW沖洗基板W上之藥液。此時，自DIW噴嘴10供給之DIW之量(DIW供給量)例如為2升/min。
控制器3控制遮斷構件升降機構32，維持遮斷構件6位於上位置之狀態。繼而，控制器3驅動電動馬達23，使旋轉基座21以例如800rpm旋轉。
其後，控制器3控制電動馬達23，使旋轉基座21以例如1200rpm旋轉且維持特定時間之後，使旋轉基座21之旋轉加速至例如2000rpm(高速旋轉步驟)。
控制器3控制遮斷構件旋轉機構33，使遮斷構件6以與旋轉基座21不同之速度旋轉。具體而言，遮斷構件6例如以800rpm旋轉。
繼而，控制器3將加熱流體閥51打開，藉由自下表面噴嘴8供給加熱流體而將基板W加熱(基板加熱步驟)。
繼而，控制器3將第2惰性氣體閥68打開，自惰性氣體流通路18朝向基板W之上表面供給惰性氣體。
繼而，於自DIW噴嘴10朝向旋轉狀態之基板W之上表面供給DIW之狀態下，控制器3控制遮斷構件升降機構32，使遮斷構件6自上位置移動至第1接近位置。所謂第1接近位置係指遮斷構件6之對向面6a與基板 W之上表面接近之位置，且係基板W之上表面與對向面6a之間之距離成為例如7mm之位置。
繼而，控制器3於遮斷構件6配置於第1接近位置之狀態下，控制第1防護罩升降機構46，使第1防護罩43自藥液處理(S2)時之位置下降，將第1防護罩43配置於遮斷構件對向位置。藉此，藉由基板W、遮斷構件6及第1防護罩43而形成空間A(空間形成步驟)。
繼而，控制器3亦可控制第2惰性氣體閥68，將自惰性氣體流通路18供給之惰性氣體之流量設為例如300升/min。藉由自惰性氣體流通路18供給之惰性氣體而將空間A內之氛圍由惰性氣體置換(惰性氣體置換步驟)。又，控制器3控制第2防護罩升降機構47，使第2防護罩44下降，將第2防護罩44配置於基板對向位置。藉此，空間A由第2防護罩44之第2延設部44B自下方區劃。又，控制器3控制第3防護罩升降機構48，將第3防護罩45配置於較基板對向位置更下方。
因離心力飛散至基板W外之DIW通過第1防護罩43之第1延設部43B與第2防護罩44之第2延設部44B之間，由第1防護罩43之第1筒狀部43A承接。亦可為與本實施形態不同地使因離心力飛散至基板外之藥液由第2防護罩44之第2筒狀部44A承接之構成。於該情形時，以通過第2防護罩44之第2延設部44B與第3防護罩45之第3延設部45B之間而由第2防護罩44之第2筒狀部44A承接之方式，控制器3控制防護罩升降機構46~48，將第2防護罩44配置於較基板對向位置更上方，且將第3防護罩45配置於較基板對向位置更下方。
其次，對有機溶劑處理(S4)進行說明。於固定時間之DIW淋洗處理(S3)之後，執行將基板W上之DIW置換為表面張力低於水之作為低表面 張力液體之有機溶劑(例如IPA)的有機溶劑處理(S4)。於執行有機溶劑處理(S4)之期間，繼續對基板W進行加熱(基板加熱步驟)。具體而言，控制器3維持將加熱流體閥51打開之狀態。藉此，持續自下表面噴嘴8供給加熱流體，因此，持續進行基板W之加熱。
圖7A~圖7C係用以說明有機溶劑處理(圖5之S4)之情況之處理單元2之主要部分之圖解性剖視圖。
於有機溶劑處理中，依次執行有機溶劑淋洗步驟T1、液膜形成步驟T2、及液膜排除步驟T3。
參照圖6A、圖6B及圖7A，於有機溶劑處理(S4)中，首先執行於使基板W旋轉之狀態下利用IPA等有機溶劑置換基板W之上表面之DIW之有機溶劑淋洗步驟T1。
控制器3將DIW閥56關閉。藉此，停止自DIW噴嘴10供給DIW。控制器3將中央IPA閥58打開。藉此，自中央IPA噴嘴11朝向旋轉狀態之基板W之上表面供給IPA。
控制器3亦可控制遮斷構件升降機構32，維持遮斷構件6配置於第1接近位置之狀態，並控制防護罩升降機構46~48，維持藉由基板W、遮斷構件6及第1防護罩43而形成有空間A之狀態。亦可不同於本實施形態而於DIW淋洗處理(S3)結束時第2防護罩44位於較基板對向位置更上方時，控制器3控制第2防護罩升降機構47，使第2防護罩44移動至基板對向位置。
控制器3控制第2惰性氣體閥68，將自惰性氣體流通路18供給之惰性氣體之流量設為例如50升/min。
控制器3驅動電動馬達23，使旋轉基座21以例如2000rpm高速旋 轉(高速旋轉步驟)。即，繼DIW淋洗處理(S3)後，執行高速旋轉步驟。所供給之IPA因離心力而快速地遍佈基板W之上表面之整體，從而基板W上之DIW被IPA置換。控制器3控制遮斷構件旋轉機構33，使遮斷構件6以例如1000rpm進行旋轉。
參照圖6A、圖6B及圖7B，於有機溶劑處理中，其次，執行形成IPA之液膜110之液膜形成步驟T2。
藉由自中央IPA噴嘴11向基板W之上表面持續供給IPA，而於基板W之上表面形成IPA之液膜110(液膜形成步驟)。為形成IPA之液膜110，控制器3驅動電動馬達23，使旋轉基座21之旋轉減速至例如300rpm。控制器3控制遮斷構件旋轉機構33，維持例如使遮斷構件6以1000rpm旋轉之狀態。
控制器3控制遮斷構件升降機構32，使遮斷構件6自例如第1接近位置移動(上升)至第2接近位置。於形成有空間A之情形時，亦可一邊維持空間A，一邊調整基板W之上表面與遮斷構件6之對向面6a之間之間隔(間隔調整步驟)。所謂第2接近位置係指遮斷構件6之對向面6a與基板W之上表面接近之位置，且係較第1接近位置更上方之位置。遮斷構件6位於第2接近位置時之對向面6a較遮斷構件6位於第1接近位置時之對向面6a位於更上方，且與基板W之上表面之距離為15mm左右。
於間隔調整步驟時，控制器3控制第1防護罩升降機構46，使第1防護罩43與遮斷構件6一同地移動。藉此，將遮斷構件6配置於遮斷構件對向位置。藉此，於間隔調整步驟之前後，維持形成有空間A之狀態。繼而，控制器3控制第2防護罩升降機構47，維持第2防護罩44配置於基板對向位置之狀態。
於基板W上形成IPA之液膜110之前之期間，控制器3控制噴嘴移動機構16，使噴嘴13~15朝向處理位置移動。所謂處理位置係指第1噴嘴13配置於自基板W之中央區域朝向基板W之周緣側略微(例如40mm左右)偏移之位置時的各噴嘴13~15之位置。
於液膜形成步驟T2中，維持DIW淋洗處理(S3)中開始之惰性氣體自惰性氣體流通路18之供給。惰性氣體之流量例如為50升/min。
參照圖6A、圖6B及圖7C，於有機溶劑處理(S4)中，其次，執行將基板W之上表面之IPA之液膜110排除之液膜排除步驟T3。於液膜排除步驟T3中，於IPA之液膜110形成開口111(開口形成步驟)，且藉由使開口111擴大而將液膜110自基板W之上表面排除(液膜排除步驟)。
繼而，控制器3將中央IPA閥58關閉，停止利用中央IPA噴嘴11向基板W之上表面供給IPA。繼而，控制器3控制第2惰性氣體閥68，自惰性氣體流通路18朝向基板W之上表面之中央區域垂直地以例如100升/min吹送惰性氣體(例如N2氣體)，於液膜110之中央區域打開較小之開口111(例如直徑30mm左右)，使基板W之上表面之中央區域露出(開口形成步驟)。
開口形成步驟並非必須藉由惰性氣體之吹送而執行。例如，亦可藉由利用下表面噴嘴8對基板W之下表面之中央區域供給加熱流體而加熱基板W使中央區域之IPA蒸發，從而不進行惰性氣體之吹送便於液膜110之中央區域形成開口111。又，亦可藉由惰性氣體朝向基板W之上表面之吹送、及加熱流體對基板W之下表面之中央區域之加熱之兩者而於液膜110形成開口111。
藉由基板W之旋轉所產生之離心力而將開口111擴大，將IPA之液 膜110自基板W之上表面逐漸排除(液膜排除步驟)。亦於液膜排除步驟之期間，使保持於旋轉基座21之基板W進行旋轉。即，基板旋轉步驟係與液膜排除步驟並行地執行。
惰性氣體流通路18之惰性氣體之吹送亦可於將液膜110自基板W之上表面排除之前之期間、即液膜排除步驟完成之前繼續進行。藉由惰性氣體之吹送力而對IPA之液膜110附加力，促進開口111之擴大。此時，亦可使惰性氣體之流量階段性增大。例如，於本實施形態中，將惰性氣體之流量以100升/min維持特定時間，其後，使流量增大至200升/min且維持特定時間，其後，使流量增大至300升/min且維持特定時間。
此時，控制器3亦可控制第1惰性氣體閥60，亦自惰性氣體噴嘴12對基板W之上表面之中央區域供給惰性氣體。藉此，進一步促進開口111之擴大。
於液膜排除步驟T3中，控制器3亦可控制防護罩升降機構46~48，維持第1防護罩43配置於遮斷構件對向位置且第2防護罩44配置於基板對向位置之狀態。
其次，亦參照俯視圖7C之基板處理之情況所得之模式圖即圖8，對液膜排除步驟T3中之噴嘴13~15之控制進行詳細說明。
於使開口111擴大時，控制器3於基板W之上表面設定IPA等低表面張力液體落著之第1落著點P1。第1落著點P1係設定於開口111之外側。所謂開口111之外側係指相對於開口111之周緣而言與旋轉軸線C1為相反側。控制器3將第1 IPA閥62打開，開始自第1噴嘴13向第1落著點P1供給IPA(低表面張力液體供給步驟)。
又，於使開口111擴大時，控制器3於基板W之上表面設定疏水劑 落著之第2落著點P2。第2落著點P2係設定於開口111之外側且較第1落著點P1距離開口111更遠之位置。第2落著點P2係與第1落著點P1沿著旋轉徑向排列。控制器3將疏水劑閥64打開，開始自第2噴嘴14向第2落著點P2供給疏水劑(疏水劑供給步驟)。此處，將基板W之旋轉方向設為基板旋轉方向R，將基板旋轉方向R之上游側稱為上游側R1，將基板旋轉方向R之下游側稱為下游側R2。第1落著點P1較佳為設定於較第2落著點P2更靠上游側R1。
如上所述，基板加熱步驟係於執行有機溶劑處理(S4)之期間繼續地執行。因此，基板加熱步驟係先於液膜排除步驟T3中開始之疏水劑供給步驟而開始。
又，於使開口111擴大時，控制器3於基板W之上表面設定IPA等低表面張力液體落著之第3落著點P3。第3落著點P3係設定於開口111之外側且較第2落著點P2距離開口111更遠之位置。第3落著點P3係與第1落著點P1及第2落著點P2沿著旋轉徑向排列。第3落著點P3係設定於較第2落著點P2更靠下游側R2。控制器3將第2 IPA閥66打開，開始自第3噴嘴15向第3落著點P3供給IPA。
伴隨開口111之擴大，控制器3使第1落著點P1、第2落著點P2及第3落著點P3以跟隨開口111之擴大之方式移動(落著點移動步驟)。詳細而言，控制器3為使第1落著點P1、第2落著點P2及第3落著點P3跟隨開口111之擴大，而控制噴嘴移動機構16，使位於處理位置之噴嘴13~15朝向基板W之周緣移動。更詳細而言，藉由驅動機構81(參照圖3)使支持構件80(參照圖3)繞特定之中心軸線旋轉驅動，而使噴嘴13~15沿著基板W之上表面移動至徑向外側(噴嘴移動步驟)。噴嘴移動機構16係將第1 落著點P1之位置變更之第1落著點變更單元之一例。噴嘴移動機構16不僅為將第2落著點P2之位置變更之第2落著點變更單元之一例，而且為將第3落著點P3之位置變更之第3落著點變更單元之一例。藉由利用噴嘴移動機構16使噴嘴13~15移動，第1落著點P1及第3落著點P3跟隨第2落著點P2之移動而移動。
液膜排除步驟T3係例如於第1噴嘴13到達外周位置之時間點結束。所謂外周位置係指噴嘴13~15之噴出口13a~15a與基板W之周緣(自基板W之中央區域朝向基板W之周緣側偏移例如140mm之位置)對向時的噴嘴13~15之位置。或者，液膜排除步驟T3亦可於開口111之周緣到達基板W之周緣之時間點結束。
第3噴嘴15之第3噴出口15a、第2噴嘴14之第2噴出口14a及第1噴嘴13之第1噴出口13a係按照該順序自徑向外側朝徑向內側排列。因此，第3噴嘴15較第1噴嘴13及第2噴嘴14更先到達外周位置，且第2噴嘴14較第1噴嘴13更先到達外周位置。
若第3噴嘴15到達外周位置，則控制器3將第2 IPA閥66關閉，停止自第3噴嘴15供給IPA。若第2噴嘴14到達外周位置，則將疏水劑閥64關閉，停止自第2噴嘴14供給疏水劑。繼而，若第1噴嘴13到達外周位置，則控制器3將第1 IPA閥62關閉，停止自第1噴嘴13供給IPA。藉此，低表面張力液體供給步驟結束。基板加熱步驟係於有機溶劑處理(S4)之期間繼續地執行，故而於低表面張力液體供給步驟結束之前之期間持續進行。
其次，參照圖6A及圖6B，對乾燥處理(S5：旋乾)進行說明。於結束有機溶劑處理(S4)之後，執行用以藉由離心力將基板W之上表面之液成分 甩脫之乾燥處理(S5)。
具體而言，控制器3控制噴嘴移動機構16，使噴嘴13~15朝向退避位置退避。
繼而，控制器3控制遮斷構件升降機構32，使遮斷構件6朝向下位置移動。繼而，控制器3控制第2防護罩升降機構47及第3防護罩升降機構48，將第2防護罩44及第3防護罩45配置於較基板對向位置更下方。繼而，控制器3控制第1防護罩升降機構46，使第1防護罩43下降，將第1防護罩43配置於較下位置略靠上方且較基板對向位置略靠上方之位置。
繼而，控制器3控制電動馬達23，使旋轉基座21之旋轉階段性加速。具體而言，旋轉基座21之旋轉以例如500rpm維持特定時間，其後加速至750rpm且維持特定時間，其後加速至1500rpm且維持特定時間。藉此，利用離心力將基板W上之液成分甩脫。
繼而，控制器3控制遮斷構件旋轉機構33，使遮斷構件6以例如1000rpm旋轉。控制器3控制遮斷構件旋轉機構33，於基板W之旋轉速度達到1500rpm之時點使遮斷構件6之旋轉加速至1500rpm，使旋轉基座21與遮斷構件6同步旋轉。
又，於乾燥處理(S5)中，維持來自惰性氣體流通路18之惰性氣體之供給。惰性氣體之流量例如與液膜排除步驟結束時相同(300升/min)。若基板W之旋轉加速至1500rpm，則控制器3控制第2惰性氣體閥68，使自惰性氣體流通路18供給之惰性氣體之流量減少至200升/min。
其後，控制器3將加熱流體閥51關閉，停止向基板W之下表面供給加熱流體。控制器3控制電動馬達23，使旋轉夾頭5之旋轉停止。繼而，控制器3控制遮斷構件升降機構32，使遮斷構件6退避至上位置。繼而， 控制器3控制防護罩升降機構46~48，使防護罩43~45朝向下位置移動。
其後，搬送機械手CR進入處理單元2，自旋轉夾頭5撈取已處理過之基板W，且朝向處理單元2外搬出(S6)。該基板W係自搬送機械手CR轉交至搬送機械手IR，且藉由搬送機械手IR而收納於載具C。
根據第1實施形態，對於第1落著點P1供給IPA，且對於第2落著點P2供給疏水劑。第2落著點P2係設定於開口111之外側且較第1落著點P1距離開口111更遠之位置。因此，於使第1落著點P1及第2落著點P2以跟隨開口111之擴大之方式移動時，已供給至第2落著點P2之疏水劑被已供給至第1落著點P1之IPA快速地置換。又，因可一邊將液膜110自基板W之上表面排除一邊朝開口111之外側供給IPA及疏水劑，故而可將已供給至第1落著點P1之IPA自基板W之上表面快速地排除。
又，藉由使第1落著點P1以跟隨第2落著點P2之移動之方式移動，而將已供給至第2落著點P2之疏水劑更快地被已供給至第1落著點P1之IPA置換。
又，第1落著點P1係位於較第2落著點P2更靠上游側R1。因此，已供給至第2落著點P2之疏水劑被已供給至較第2落著點P2更靠上游側R1之IPA快速地置換。
又，朝向第2落著點P2供給疏水劑之第2噴嘴14與朝向第1落著點P1供給IPA之第1噴嘴13藉由支持構件80而共通地支持。因此，與藉由不同構件支持各噴嘴13~15之情形相比，容易控制第1落著點P1與第2落著點P2之位置。又，可一邊將第1落著點P1與第2落著點P2之間隔保持固定，一邊使第1噴嘴13及第2噴嘴14沿著基板W之上表面移動。因此，與使第1噴嘴13及第2噴嘴14分別移動之情形相比，可抑制IPA 造成之疏水劑之置換之不均。
於液膜排除步驟T3中IPA對液膜110之供給不充分之情形時，存在如下情況，即，於利用離心力將IPA之液膜110去除之前，於局部IPA蒸發殆盡，產生液膜破裂，露出基板W。藉此，存在於基板W之上表面局部地殘留液滴之情況。該液滴於最終蒸發之前，對基板W上之圖案(參照圖12)持續地施加表面張力。藉此，存在引起圖案崩塌之虞。
然而，因朝向設定於開口111之外側且較第2落著點P2距離開口111更遠之位置的第3落著點P3供給IPA，故而可抑制於藉由開口111之擴大而將液膜110排除之前，液膜110於局部蒸發，產生液膜破裂之情形。因此，可良好地將液膜110自基板W之上表面排除。
又，藉由使第3落著點P3跟隨第2落著點P2之移動而移動，可進一步抑制於藉由開口111之擴大將液膜110排除之前，液膜110於局部蒸發，產生液膜破裂之情形。
又，可藉由朝向第3落著點P3供給如IPA般與水及疏水劑之兩者具有親和性之低表面張力液體，而提昇基板W之上表面相對於疏水劑之親和性。藉此，可藉由已供給至第2落著點P2之疏水劑而提昇基板W之上表面之疏水性。由此，可使作用於基板W之上表面之圖案(參照圖12)之表面張力減小。
又，因先於疏水劑供給步驟開始加熱基板W之基板加熱步驟，故而已供給至第2落著點P2之疏水劑被快速加熱。藉此，可提昇基板W上之疏水劑之活性。可藉由將活性已提昇之疏水劑供給至第2落著點P2，而提昇基板W之上表面之疏水性。由此，可進一步減小對基板W之上表面之圖案(參照圖12)施加之表面張力。
又，因基板加熱步驟於低表面張力液體供給步驟結束之前之期間繼續進行，故而促進已供給至第1落著點P1之IPA之蒸發。因此，促進開口111之擴大。故而，可更快地將液膜110自基板W之上表面排除。
其次，對第1實施形態之變化例進行說明。
圖9係第1實施形態之變化例之處理單元2P之縱剖面之模式圖。於圖9中，為便於說明，而僅圖示旋轉夾頭5及遮斷構件6之周邊之構件。於圖9中，對於與目前已說明之構件相同之構件標註相同之參照符號，並省略其說明。
圖9所示之第1實施形態之變化例之處理單元2P與第1實施形態之處理單元2(參照圖3)主要不同之處係處理單元2P更包含：第4防護罩85，其承接自保持於旋轉夾頭5之基板W排除至基板W外之處理液；及第4防護罩升降機構86，其驅動第4防護罩85之升降。第4防護罩85包含：第4筒狀部85A，其於較第1防護罩43之第1筒狀部43A更靠徑向內側且較第2防護罩44之第2筒狀部44A更靠徑向外側包圍旋轉夾頭5；及第4延設部85B，其自第4筒狀部85A延伸至徑向內側。第4延設部85B係自下方與第1防護罩43之第1延設部43B對向，且自上方與第2防護罩44之第2延設部44B對向。
第4防護罩85係藉由第4防護罩升降機構86而於下位置與上位置之間升降。第4防護罩85之下位置係第4防護罩85之上端位於較基板W更下方時之第4防護罩85之位置。第4防護罩85之上位置係第4防護罩85之上端位於較基板W更上方時之第4防護罩85之位置。第4防護罩85可藉由利用第4防護罩升降機構86進行升降而位於下位置與上位置之間之基板對向位置。藉由第4防護罩85位於基板對向位置，第4延設部85B(之 上方端)自水平方向與基板W對向。空間A係於第4防護罩85位於基板對向位置之狀態下，由第4防護罩85自下方區劃。
於第1實施形態之變化例中，可進行與第1實施形態相同之基板處理，因此，省略其說明。於變化例之基板處理中，亦可不同於第1實施形態之基板處理，而於液膜排除步驟T3中，控制器3控制第4防護罩升降機構86，將第4防護罩85之位置調整至較基板對向位置更上方。於將第4防護罩85之位置調整至較基板對向位置更上方時，可使噴嘴13~15通過第4延設部85B與第1防護罩43之第1延設部43B之間。又，藉由將第4防護罩85之位置調整至較基板對向位置更上方，而於液膜排除步驟T3中，因離心力飛散至基板外之IPA或疏水劑通過第4防護罩85之第4延設部85B與第2防護罩44之第2延設部44B之間，由第4防護罩85之第4筒狀部85A承接。
根據該變化例，發揮與第1實施形態相同之效果。又，可利用第4防護罩85而非第1防護罩43來承接因離心力朝向基板外飛散之液體中混合有疏水劑之液體。因此，可抑制第1防護罩43及噴嘴13~15被疏水劑污染。
<第2實施形態>
其次，對本發明之第2實施形態進行說明。圖10係用以說明第2實施形態之基板處理裝置1Q中配備之處理單元2Q之構成例之圖解性剖視圖。於圖10中，對於與目前已說明之構件相同之構件標註相同之參照符號，並省略其說明。
圖10所示之第2實施形態之處理單元2Q與第1實施形態之處理單元2(參照圖3)主要不同不同之處係處理單元2Q之遮斷構件6Q包含與基板 W之上表面對向之對向部91；及以俯視時包圍基板W之方式自對向部91之周緣部延伸至下方之環狀部92。
對向部91係形成為圓板狀。對向部91係於旋轉夾頭5之上方大致水平地配置。對向部91具有與基板W之上表面對向之對向面6a。於對向部91中與對向面6a為相反側之面固定有中空軸30。
遮斷構件6Q與第1實施形態之遮斷構件6同樣地，可藉由遮斷構件升降機構32而於上位置與下位置之間升降。遮斷構件6Q可位於上位置與下位置之間之第1接近位置及第2接近位置。於遮斷構件6Q位於下位置、第1接近位置或第2接近位置之狀態下，環狀部92自水平方向與基板W對向。於環狀部92自水平方向與基板W對向之狀態下，遮斷構件6Q之對向面6a與基板W之上表面之間之氛圍自周圍之氛圍被遮斷。
於遮斷構件6Q形成有於基板W之旋轉徑向上貫通環狀部92之貫通孔93。貫通孔93將環狀部92之內周面及外周面貫通。遮斷構件6Q之環狀部92之內周面係以隨著朝向下方而朝向徑向外側之方式彎曲。環狀部92之外周面係沿鉛直方向延伸。
又，處理單元2Q不包含第1實施形態之承杯41、42、防護罩43~45及防護罩升降機構46~48。取而代之，處理單元2Q包含承杯94、防護罩95及防護罩升降機構96。承杯94包圍旋轉夾頭5。防護罩95係與承杯94一體地形成，承接自保持於旋轉夾頭5之基板W排除至基板W外之處理液。防護罩升降機構96驅動防護罩95之升降。
第2實施形態之噴嘴13~15之噴出口13a~15a之各者係與第1實施形態不同地自其前端延伸至下方。又，第2實施形態之噴嘴移動機構16配置於較遮斷構件6Q之環狀部92更靠徑向外側。
噴嘴13~15可插穿貫通孔93。於貫通孔93位於較基板W更上方之狀態(例如，遮斷構件6Q位於第2接近位置之狀態)下，噴嘴13~15可經由貫通孔93於較環狀部92更靠旋轉軸線C1側(徑向內側)之位置與相對於環狀部92而與旋轉軸線C1為相反側(徑向外側)之位置之間移動。即，貫通孔93作為設置於環狀部92容許噴嘴13~15通過環狀部92之通過容許部發揮功能。於圖10中，以二點鏈線圖示了位於較環狀部92更靠徑向內側之位置即中央位置之噴嘴13~15。
於第2實施形態之基板處理裝置1Q中，除了與防護罩43~45(參照圖3)之升降有關之步驟以外，亦可進行與第1實施形態之基板處理裝置1大致相同之基板處理，因此，省略其說明。但，基板處理裝置1Q之基板處理係於液膜形成步驟T2及液膜排除步驟T3中，於使噴嘴13~15通過貫通孔93時，必須使遮斷構件6Q之旋轉停止。又，基板處理裝置1Q之基板處理亦可控制防護罩升降機構96，使防護罩95以不與噴嘴13~15干涉之方式升降。
根據第2實施形態，發揮與第1實施形態相同之效果。
<第3實施形態>
其次，對本發明之第3實施形態進行說明。圖11係用以說明本發明之第3實施形態之基板處理裝置1R中配備之處理單元2R之構成例之圖解性剖視圖。於圖11中，對於與目前已說明之構件相同之構件標註相同之參照符號，並省略其說明。
圖11所示之第3實施形態之處理單元2R與第1實施形態之處理單元2(參照圖3)主要不同之處係處理單元2R包含複數個間距IPA噴嘴100、及複數個間距疏水劑噴嘴101而取代噴嘴13~15。
複數個間距IPA噴嘴100係分別配置於與旋轉軸線C1相距之距離不同之複數個位置，且朝向基板W之上表面之遠離旋轉中心位置之位置供給有機溶劑(例如IPA)。複數個間距疏水劑噴嘴101係分別配置於與旋轉軸線C1相距之距離不同之複數個位置，且朝向基板W之上表面之遠離旋轉中心位置之位置供給疏水劑。
複數個間距IPA噴嘴100係於本實施形態中沿著基板W之旋轉徑向排列。複數個間距IPA噴嘴100各自之前端(噴出口)係收容於形成於遮斷構件6之對向面6a之複數個供給口6c之各者。自複數個間距IPA噴嘴100噴出之IPA係通過供給口6c供給至基板W之上表面。複數個供給口6c係於本實施形態中於上下方向Z上將遮斷構件6貫通之貫通孔。
於複數個間距IPA噴嘴100之各者結合有複數個間距IPA供給管102之各者，且於複數個間距IPA供給管102之各者插入安裝有複數個間距IPA閥103之各者。換言之，於各間距IPA噴嘴100結合有單獨之間距IPA供給管102，且於該間距IPA供給管102插入安裝有1個間距IPA閥103。
複數個間距IPA閥103分別構成將IPA朝向對應之間距IPA噴嘴100之供給之有無進行切換之供給切換單元。間距IPA噴嘴100設置有至少2個，且可自至少2個間距IPA噴嘴100供給IPA。控制器3可藉由控制複數個間距IPA閥103而使第1落著點P1變更為基板W之上表面之旋轉中心位置以外之至少2個部位。即，複數個間距IPA閥103係第1落著點變更單元之一例。
複數個間距疏水劑噴嘴101係於本實施形態中沿著基板W之旋轉徑向排列。複數個間距疏水劑噴嘴101之前端(噴出口)分別收容於複數個供給口6c之各者。自複數個間距疏水劑噴嘴101噴出之疏水劑係通過供給口 6c供給至基板W之上表面。
本實施形態係於各供給口6c，將間距IPA噴嘴100及間距疏水劑噴嘴101各收容1個。亦可不同於本實施形態而於各供給口6c僅收容間距IPA噴嘴100及間距疏水劑噴嘴101中之一者。
於複數個間距疏水劑噴嘴101之各者結合有複數個間距疏水劑供給管104之各者，且於複數個間距疏水劑供給管104之各者插入安裝有複數個間距疏水劑閥105之各者。換言之，於各間距疏水劑噴嘴101結合有單獨之間距疏水劑供給管104，且於該間距疏水劑供給管104插入安裝有1個間距疏水劑閥105。
複數個間距疏水劑供給管104分別構成將疏水劑朝向對應之間距疏水劑噴嘴101之供給之有無進行切換之供給切換單元。間距疏水劑噴嘴101設置有至少2個，且可自至少2個間距疏水劑噴嘴101供給疏水劑。控制器3可藉由控制複數個間距疏水劑閥105而使第2落著點P2變更為基板W之上表面之旋轉中心位置以外之至少2個部位。即，複數個間距疏水劑閥105係第2落著點變更單元之一例。
於第3實施形態之基板處理裝置1R中，除了與防護罩43~45(參照圖3)之升降及遮斷構件6之旋轉相關之步驟以外，可執行與第1實施形態之基板處理裝置1大致相同之基板處理，但有機溶劑處理(S4)之液膜排除步驟T3不同。
第3實施形態之基板處理裝置1R之有機溶劑處理(S4)與第1實施形態之基板處理裝置1之有機溶劑處理(S4)主要不同之處係於基板處理裝置1R之液膜排除步驟T3中，使用間距IPA噴嘴100及間距疏水劑噴嘴101取代噴嘴13~15。
於基板處理裝置1R之液膜排除步驟T3中，首先，與第1實施形態之基板處理裝置1之基板處理同樣地，於液膜形成步驟T2中形成之液膜110形成開口111。
於使開口111擴大時，控制器3於開口111之外側設定第1落著點P1。繼而，控制器3將間距IPA閥103打開，開始自對應之間距IPA噴嘴100對第1落著點P1供給IPA等低表面張力液體(低表面張力液體供給步驟)。
又，於使開口111擴大時，控制器3於開口111之外側且較第1落著點P1距離開口111更遠之位置設定第2落著點P2。繼而，控制器3將間距疏水劑閥105打開，開始自第2噴嘴14對第2落著點P2供給疏水劑(疏水劑供給步驟)。因第2落著點P2設定於較第1落著點P1距離開口111更遠之位置，故而控制器3將與位於較對第1落著點P1供給IPA之間距IPA噴嘴100更靠徑向外側之間距疏水劑噴嘴101對應的間距疏水劑閥105打開。
又，於使開口111擴大時，控制器3於開口111之外側且較第2落著點P2距離開口111更遠之位置設定第3落著點P3。繼而，控制器3將與對第1落著點P1供給IPA之間距IPA噴嘴100不同之間距IPA噴嘴100所對應的間距IPA閥103打開，開始自對應之間距IPA噴嘴100對第3落著點供給IPA等低表面張力液體。因第3落著點P3設定於較第2落著點P2距離開口111更遠之位置，故而控制器3將與位於較對第2落著點P2供給疏水劑之間距疏水劑噴嘴101更靠徑向外側之間距IPA噴嘴100對應的間距IPA閥103打開。
伴隨開口111之擴大，控制器3使第1落著點P1、第2落著點P2及第3落著點P3以跟隨開口111之擴大之方式移動(落著點移動步驟)。
此處，於圖11中，自與基板W之旋轉中心位置最近之間距IPA噴嘴100起依序標註符號100A~100D。對於與各間距IPA噴嘴100A~100D對應之間距IPA閥103之各者標註符號103A~103D。又，於圖11中，自與基板W之旋轉中心位置最近之間距疏水劑噴嘴101起依序標註符號101A~101D。對於與各間距疏水劑噴嘴101A~101D對應之間距疏水劑閥105之各者標註符號105A~105D。
以下，設想於剛形成開口111後，間距IPA噴嘴100A對第1落著點P1供給IPA，間距疏水劑噴嘴101B對第2落著點P2供給疏水劑，間距IPA噴嘴100C對第3落著點P3供給IPA之狀態(圖11所示之狀態)，對第3實施形態之落著點移動步驟之一例進行詳細說明。
首先，控制器3為使第3落著點P3跟隨開口111之擴大，而於開口111之周緣到達第1落著點P1之前使第3落著點P3移動至徑向外側。具體而言，控制器3將間距IPA閥103C關閉，且將間距IPA閥103D打開，將對基板W之上表面供給IPA之間距IPA噴嘴100(由間距IPA噴嘴100C至間距IPA噴嘴100D)進行切換。
繼而，控制器3為使第2落著點P2跟隨開口111之擴大，而於開口111之周緣到達第1落著點P1之前使第2落著點P2移動至徑向外側。具體而言，控制器3藉由將間距疏水劑閥105B關閉，且將間距疏水劑閥105C打開，而將對基板W之上表面供給疏水劑之間距疏水劑噴嘴101(由間距疏水劑噴嘴101B至間距疏水劑噴嘴101C)進行切換。
繼而，控制器3為使第1落著點P1跟隨開口111之擴大，而於開口111之周緣到達第1落著點P1之前使第1落著點P1移動至徑向外側。具體而言，控制器3藉由將間距IPA閥103A關閉，且將間距IPA閥103B打開， 而將對基板W之上表面供給IPA之間距IPA噴嘴100(由間距IPA噴嘴100A至間距IPA噴嘴100B)進行切換。
如此般，於第3實施形態之液膜排除步驟T3中，結合開口111之擴大將供給IPA之間距IPA噴嘴100及供給疏水劑之間距疏水劑噴嘴101進行切換，藉此，可使第1落著點P1、第2落著點P2及第3落著點P3移動。
根據第3實施形態，發揮與第1實施形態相同之效果。
又，根據第3實施形態，於有機溶劑處理(S4)中，無須使噴嘴於遮斷構件6與基板W之間移動，因此，與第1實施形態相比，可於使遮斷構件6靠近基板W之狀態下對基板W進行處理。
本發明並不限定於以上說明之實施形態，可進而以其他之形態實施。
例如，於第1實施形態中，噴嘴13~15係繞支持構件80之旋轉軸線移動之構成，但亦可為不同於第1實施形態而於第1噴嘴13延伸之方向上直線地移動之構成。
又，於第1實施形態中，噴嘴13~15係由共通之支持構件80支持，但亦可不同於第1實施形態而由分開之支持構件支持。又，於第1實施形態中，噴嘴13~15構成為藉由共通之噴嘴移動機構16而於基板W之上表面與遮斷構件6之對向面6a之間於水平方向上移動，但亦可構成為藉由分開之移動機構而於水平方向上移動。
又，於上述實施形態中，設為落著點P1~P3以於旋轉徑向上排列之方式設定，但亦可設定為於基板旋轉方向R上隔開間隔地設定落著點P1~P3。於該情形時，於第1實施形態之構成中，噴嘴13~15無須於旋轉徑向上排列。
又，亦可能存在不同於第1實施形態及第3實施形態地不設定第3落 著點P3之基板處理。於該情形時，於第1實施形態中，可省略第3噴嘴15。
又，於第1實施形態之基板處理中，構成為中央IPA噴嘴11對基板W之上表面之中央區域供給IPA等有機溶劑，但亦可與第1實施形態不同，第3噴嘴15對基板W之上表面之中央區域供給作為有機溶劑之IPA。於該情形時，可省略中央IPA噴嘴11。
又，若第2落著點P2設定為較第1落著點P1距離開口111更遠，則第1落著點亦可設定於較第2落著點更靠下游側R2。
又，於本實施形態中，藥液噴嘴9係於水平方向上移動之移動噴嘴，但亦可與本實施形態不同地成為以朝向基板W之上表面之旋轉中心噴出藥液之方式配置之固定噴嘴。詳細而言，藥液噴嘴9亦可具有與DIW噴嘴10、惰性氣體噴嘴12及中央IPA噴嘴11一同地將插穿中空軸30之噴嘴收容構件35插穿之形態。
又，處理單元2亦可包含於有機溶劑處理中對基板W進行加熱之加熱器。加熱器既可內置於旋轉基座21，亦可內置於遮斷構件6，亦可內置於旋轉基座21與遮斷構件6之兩者。於基板處理中對基板W進行加熱之情形時，使用下表面噴嘴8、內置於旋轉基座21之加熱器及內置於遮斷構件6之加熱器中之至少1個。
已對本發明之實施形態進行了詳細說明，但該等僅為用於明確本發明之技術內容之具體例，本發明不應限定於該等具體例進行解釋，本發明之範圍僅由申請專利範圍限定。
本申請案係對應於2016年8月31日向日本特許廳提出之日本專利特願2016-170171號，且本申請案之所有揭示以引用之形式組入至本文中。

Claims (8)

  1. 一種基板處理方法，其包含： 基板保持步驟，其水平地保持基板； 液膜形成步驟，其向上述保持水平之基板之上表面供給表面張力低於水之低表面張力液體，形成上述低表面張力液體之液膜； 開口形成步驟，其於上述液膜之中央區域形成開口； 液膜排除步驟，其藉由將上述開口擴大而將上述液膜自上述保持水平之基板之上表面排除； 低表面張力液體供給步驟，其朝向設定於上述開口之外側之第1落著點供給表面張力低於水之低表面張力液體； 疏水劑供給步驟，其朝向設定於上述開口之外側且較上述第1落著點更遠離上述開口之第2落著點，供給使上述保持水平之基板之上表面疏水化之疏水劑；及 落著點移動步驟，其使上述第1落著點及上述第2落著點以跟隨上述開口之擴大之方式移動。
  2. 如請求項1之基板處理方法，其中上述落著點移動步驟包含使上述第1落著點以跟隨上述第2落著點之移動之方式移動之步驟。
  3. 如請求項1或2之基板處理方法，其更包含與上述液膜排除步驟並行地使上述保持水平之基板旋轉之基板旋轉步驟，且 上述第1落著點以位於較上述第2落著點更靠基板旋轉方向上游側之方式設定。
  4. 如請求項1或2之基板處理方法，其中上述落著點移動步驟包含噴嘴移動步驟，該噴嘴移動步驟係藉由將共通地支持朝向上述第1落著點供給上述低表面張力液體之第1噴嘴、及朝向上述第2落著點供給上述疏水劑之第2噴嘴之支持構件驅動，而使上述第1噴嘴及上述第2噴嘴沿著上述保持水平之基板之上表面移動。
  5. 如請求項1或2之基板處理方法，其更包含朝向設定於上述開口之外側且較上述第2落著點更遠離上述開口之位置的第3落著點，供給表面張力低於水之低表面張力液體之步驟。
  6. 如請求項5之基板處理方法，其中上述落著點移動步驟包含使上述第3落著點跟隨上述第2落著點之移動而移動之步驟。
  7. 如請求項1或2之基板處理方法，其更包含將上述保持水平之基板加熱之基板加熱步驟，且 上述基板加熱步驟係先於上述疏水劑供給步驟而開始。
  8. 如請求項7之基板處理方法，其中上述基板加熱步驟係於上述低表面張力液體供給步驟結束之前之期間持續進行。
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