JP6211458B2 - 基板液処理装置及び基板液処理方法 - Google Patents
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Description
次に、図3を参照して、シリル化液ノズル43の構成について説明する。
基板保持機構30は保持したウエハWを所定速度で回転させる。アーム45が旋回して薬液ノズル41を処理位置に位置させる。薬液ノズル41から、所定時間の間、薬液、例えばDHFが吐出され、ウエハWに所定の薬液処理が施される。
薬液処理工程の終了後(薬液の吐出は停止されている)、引き続きウエハWを回転させながら、処理位置に位置させたリンス液ノズル42から、所定時間の間、リンス液としてのDIWが吐出される。これにより、ウエハW上の薬液および反応生成物が、DIWにより洗い流される。
第1リンス工程の終了後(リンス液の吐出は停止されている)、引き続きウエハWを回転させながら、処理位置に位置させた溶剤ノズル44から、所定時間の間、置換用有機溶剤としてのIPAが吐出される。これにより、ウエハW上のDIWが、IPAで置換される。
第1溶剤置換工程の終了後(IPAの吐出は停止されている)、引き続きウエハWを回転させながら、処理位置に位置させたシリル化液ノズル43から、所定時間の間、シリル化液としてTMSDMAをPGMEAで希釈した液が吐出される。これにより、ウエハW上のIPAがシリル化液で置換され、このシリル化液によりウエハWの表面が撥水化される。
シリル化工程の終了後(シリル化液の吐出は停止されている)、引き続きウエハWを回転させながら、処理位置に位置させた溶剤ノズル44から、所定時間の間、置換用有機溶剤としてのIPAが吐出される。これにより、ウエハW上のシリル化液が、IPAで置換される。
第2溶剤置換工程の終了後(IPAの吐出は停止されている)、引き続きウエハWを回転させながら、処理位置に位置させたリンス液ノズル42から、所定時間の間、リンス液としてのDIWが吐出される。これにより、ウエハW上のIPAがDIWで置換され、また、このDIWにより、シリル化工程で生じた反応生成物の残渣が洗い流される。なお、この第2リンス工程は省いてもよい。
第2リンス工程の終了後、(DIWの吐出は停止されている)アームを旋回させて退避位置に戻し、引き続きウエハWを回転させる。これにより、ウエハW上にあるDIWを遠心力により飛ばし、振り切り乾燥させる。ウエハWの表面が撥水化されているため、ウエハWの表面に形成されたパターンの間にあるDIWがパターンから出ようとするときに、DIWの表面張力によりパターンが倒壊することが防止される。これにより、ウエハWに対する一連の処理が終了し、処理後のウエハWは、基板搬送装置17により処理ユニット16から搬出される。
上記実施形態では、PGMEAを遮断流体として用いたが、置換用有機溶剤であるIPAを遮断流体として用いてもよい。この場合、シリル化液ノズル43に溶剤ノズル44としての役割を持たすことができ、溶剤ノズル44を廃止することができる。この場合における、第1溶剤置換工程、シリル化工程及び第2溶剤置換工程におけるシリル化液ノズル43の動作について図5を参照して説明する。他の工程(薬液処理工程、第1リンス工程、第2リンス工程、乾燥工程)は、先に説明したものと同じである。
上記の第1及び第2実施形態に係るシリル化液ノズル43では、遮断流体として液体の有機溶剤(PGMEA,IPA)を用いたが、これは限定されない。遮断流体は水分を含有しないか水分含有量の低い気体であってもよい。このような気体として、例えば、半導体装置の製造で良く用いられるN2(窒素)ガス、あるいはクリーンドライエア(CDA)を用いることができる。
上記第1〜第3実施形態では、シリル化液流路431に合流する遮断流体流路432から遮断流体をシリル化液流路431に供給したが、これには限定されない。遮断流体をシリル化液ノズル43の外部、具体的には吐出口434からシリル化液流路431内に供給してもよい。これを可能とする構成を図7を参照して説明する。
43 ノズル(シリル化液ノズル)
431 シリル化液流路
432 遮断流体流路
433 接続位置
434 吐出口
63 シリル化液供給機構
65 遮断流体供給機構
701 液溜め
707,708 吸引機構(ドレンライン及び開閉弁)
Claims (14)
- 基板にシリル化液を供給して基板を撥水化処理する処理部と、
前記処理部にある基板にシリル化液を供給する吐出口と、前記吐出口に向けてシリル化液が流れるシリル化液流路を有するノズルと、
前記ノズルの前記シリル化液流路にシリル化液を供給するシリル化液供給機構と、
前記ノズルの前記シリル化液流路に遮断流体を供給して、前記シリル化液流路内にあるシリル化液を、このシリル化液よりも前記吐出口に近い側に存在する遮断流体により前記吐出口の外部の雰囲気から遮断する遮断流体供給機構と、
を備え、
前記ノズルは、前記吐出口よりも上流側に設定された接続位置において前記シリル化液流路に接続された遮断流体流路を有しており、
前記遮断流体流路に前記遮断流体供給機構から遮断流体を供給することにより、前記接続位置よりも上流側の前記シリル化液流路内にあるシリル化液を前記遮断流体により前記吐出口の外部の雰囲気から遮断する、基板液処理装置。 - 前記遮断流体は液体であり、前記遮断流体供給機構は前記遮断流体流路の経路上に開閉弁を有し、前記開閉弁を所定時間開けた後に閉じることにより、前記接続位置から前記吐出口までの前記シリル化液流路内を前記遮断流体により満たされた状態とする、請求項1記載の基板液処理装置。
- 前記遮断流体は有機溶剤である、請求項1または2記載の基板液処理装置。
- 前記シリル化液は、撥水剤をシンナーにより希釈したものであり、前記遮断流体は前記シンナーである、請求項1または2記載の基板液処理装置。
- 前記遮断流体が、前記シリル化液と相溶性を有し、かつ純水とも相溶性を有する、請求項2記載の基板液処理装置。
- 液受けをさらに備え、前記液受けは、前記ノズルが基板の上方から退避した退避位置にあるときに前記ノズルから流出した前記遮断流体を受ける、請求項2から5のうちのいずれか一項に記載の基板液処理装置。
- 前記遮断流体は気体であり、この気体を前記遮断流体流路に供給し続けることにより、前記遮断流体流路及び前記接続位置から前記吐出口までの前記シリル化液流路内を前記遮断流体により満たされた状態とすることができる、請求項1記載の基板液処理装置。
- 吐出口と、前記吐出口に向けてシリル化液を流すためのシリル化液流路と、を有するノズルを用いて、前記ノズルの前記吐出口から基板に前記シリル化液を供給して、前記基板を撥水化処理する工程と、
前記ノズルからの前記シリル化液の供給を停止する工程と、
前記シリル化液流路に遮断流体を供給して、前記シリル化液流路内にある前記シリル化液を、このシリル化液よりも前記吐出口に近い側に存在する前記遮断流体により前記吐出口の外部の雰囲気から遮断する工程と、
を備え、
前記ノズルは、前記吐出口よりも上流側に設定された接続位置において前記シリル化液流路に接続された遮断流体流路を有しており、
前記遮断流体は前記遮断流体流路から前記シリル化液流路に供給され、これにより、前記接続位置よりも下流側の前記シリル化液流路内にある前記シリル化液が前記遮断流体によりパージされ、かつ、前記接続位置よりも上流側の前記シリル化液流路内にあるシリル化液が前記遮断流体により前記吐出口の外部の雰囲気から遮断される、基板液処理方法。 - 前記遮断流体は液体であり、前記シリル化液を前記遮断流体によりパージした後に前記遮断流体の通流が停止され、これにより前記遮断流体流路及び前記接続位置から前記吐出口までの前記シリル化液流路内が前記遮断流体により満たされる、請求項8記載の基板液処理方法。
- 前記遮断流体は有機溶剤である、請求項9記載の基板液処理方法。
- 前記シリル化液は、撥水剤をシンナーにより希釈したものであり、前記遮断流体は前記シンナーである、請求項9記載の基板液処理方法。
- 前記遮断流体が、前記シリル化液と相溶性を有し、かつ純水とも相溶性を有する、請求項9記載の基板液処理方法。
- 前記ノズルの前記吐出口から基板に前記シリル化液を供給して、前記基板を撥水化処理する工程と、前記ノズルからの前記シリル化液の供給を停止する工程の後に、前記ノズルを前記基板の上方から退避した退避位置に移動させる工程をさらに備え、
前記退避位置にある前記ノズルの下方には液受けが設けられており、
前記退避位置に位置している前記ノズルに前記遮断流体を供給して、前記ノズルの吐出口付近に滞留している前記遮断流体を押し出す工程をさらに備え、前記ノズルから押し出された前記遮断流体は前記液受けにより受け止められる、請求項9から12のうちのいずれか一項に記載の基板液処理方法。 - 前記遮断流体は気体であり、前記シリル化液を前記遮断流体によりパージした後にも前記遮断流体を前記遮断流体流路に供給し続けることにより、前記遮断流体流路及び前記接続位置から前記吐出口までの前記シリル化液流路内を前記遮断流体により満たされた状態とする、請求項8記載の基板液処理方法。
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