JP2009194090A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の主面に対して均一なエッチング処理を施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、スピンチャック４に保持されたウエハＷの上面にフッ硝酸を供給するためのフッ硝酸ノズル５と、スピンチャック４に保持されたウエハＷ上面の周縁部に向けてＤＩＷを供給するためのＤＩＷノズル７とを備えている。エッチング処理時には、フッ硝酸ノズル５からフッ硝酸が吐出されつつ、フッ硝酸ノズル５が往復移動される。フッ硝酸ノズル５からのフッ硝酸の吐出と同時に、ウエハＷ上面の周縁部に、フッ硝酸を希釈するためのＤＩＷが吐出される。
【選択図】図１

Description

この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などの基板の主面に対し、エッチング液を用いたエッチング処理を施すための基板処理方法および基板処理装置に関する。

半導体デバイスの製造工程では、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）に対して処理液を用いた液処理が行われる。このような液処理の一つは、エッチング液をウエハの主面に供給して行うエッチング処理である。ここでいうエッチング処理には、ウエハの主面（ウエハ自体またはウエハ上に形成された薄膜）にパターンを形成するためのエッチング処理、ウエハの主面の表層領域を均一に除去するためのエッチング処理のほか、エッチング作用を利用してウエハの主面の異物を除去する洗浄処理が含まれる。

ウエハの主面に対し処理液による処理を施すための基板処理装置には、複数枚のウエハに対して一括して処理を施すバッチ式のものと、ウエハを一枚ずつ処理する枚葉式のものとがある。枚葉式の基板処理装置は、たとえば、ウエハをほぼ水平姿勢に保持しつつ回転させるスピンチャックと、このスピンチャックに保持されているウエハの主面に向けて処理液を供給する処理液ノズルと、この処理液ノズルをウエハ上で移動させるノズル移動機構とを備えている。

たとえば、ウエハにおいてデバイスが形成されるデバイス形成面に対してエッチング処理を施したい場合には、ウエハはデバイス形成面を上向きにしてスピンチャックに保持される。そして、スピンチャックによって回転されるウエハの上面に処理液ノズルからエッチング液が吐出されるとともに、ノズル移動機構によって処理液ノズルが移動される。処理液ノズルの移動にともなって、ウエハの上面におけるエッチング液の着液点が移動する。この着液点を、ウエハの上面の回転中心と周縁部との間でスキャンさせることにより、ウエハの上面の全域にエッチング液を行き渡らせることができる。
特開２００７−８８３８１号公報

ところが、ウエハの上面の中央部に供給されたエッチング液は、ウエハの回転による遠心力を受けて、ウエハの上面の回転半径方向外方に向けて移動する。そのため、処理液ノズルからのエッチング液に加えて、上面の中央部から移動するエッチング液が与えられるウエハの上面の周縁部には、過剰な量のエッチング液が供給される。このため、エッチングレートは、ウエハの上面の周縁部の方が中央部よりも高くなり、ウエハの上面内に処理の不均一が生じるという問題がある。

本願発明者らは、枚葉式の基板処理装置を用いたエッチング処理によってウエハを薄型化（シンニング）する処理を検討してきた。より具体的には、ウエハの裏面（デバイスが形成されていない非デバイス形成面）を上方に向けるとともに、エッチング力の高いフッ硝酸が、エッチング液として、ウエハ裏面（上面）に供給される。フッ硝酸によってウエハ裏面の表層部のウエハ材料がエッチング除去され、これにより、ウエハが薄型化される。しかしながら、ウエハの薄型化のためのエッチング処理でも、前述したようにウエハ周縁部のエッチングレートが中央部のエッチングレートよりも高くなり、ウエハ裏面に対して均一なエッチング処理を実現することができなかった。

そこで、この発明の目的は、基板の主面に対して均一なエッチング処理を施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。

請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）を所定の回転軸線（Ｃ１）まわりに回転させる回転ステップ（Ｓ２）と、この回転ステップと並行して、基板の主面にエッチング液を供給するエッチング液供給ステップ（Ｓ４）と、前記回転ステップおよび前記エッチング液供給ステップと並行して、エッチング液を希釈するための希釈液を、前記主面の周縁部に着液するように前記主面に供給する希釈液供給ステップ（Ｓ４）とを含む、基板処理方法である。

この方法によれば、基板の主面にエッチング液が供給される。また、このエッチング液の供給と同時に、基板の主面の周縁部に着液するように希釈液が供給される。基板の主面に供給されたエッチング液は、基板の回転による遠心力を受けて、基板の回転半径方向外方に向けて移動し、基板の周縁部で希釈液により希釈される。そのため、基板の周縁部には、エッチング液成分の濃度が低いエッチング液が供給されるようになる。したがって、基板の主面の周縁部にエッチング液が過剰に供給されても、基板の主面の周縁部におけるエッチングレートを、基板の主面の中央部におけるエッチングレートとほぼ同程度に保つことができる。これにより、基板の主面に対して均一なエッチング処理を施すことができる。

請求項２記載の発明は、前記主面に供給されるエッチング液の着液位置（Ｐ）を、前記主面上の所定のスキャン経路（Ｔ）に沿って移動させる着液位置移動ステップ（Ｓ５）をさらに含む、請求項１記載の基板処理方法である。
この方法によれば、回転中の基板の主面をエッチング液の着液位置が移動するので、基板の主面における広範囲の領域に対して、エッチング液を直接供給することができる。そのため、基板の主面における広範囲の領域に、新鮮なエッチング液を作用させることができる。これにより、エッチングレートを全体的に高めることができる。

この場合、請求項３に記載のように、前記希釈液供給ステップは、前記スキャン経路における前記回転軸線から最も離れた位置（Ｔ２）よりも前記回転軸線に対して離れた前記主面上の位置（Ｑ）に着液するように、前記希釈液を供給するステップ（Ｓ４）を含むことが好ましい。基板の主面における希釈液の着液位置が、エッチング液の着液位置の移動範囲よりも、前記回転軸線から離れているので、基板の主面に供給されたエッチング液が、基板の回転による遠心力を受けて基板の回転方向外方に向けて移動し、基板の周縁部に供給される希釈液と良好に混ざり合うようになる。このため、基板の周縁部に、エッチング液成分の濃度が低いエッチング液を供給することができる。

請求項４記載の発明は、基板（Ｗ）を保持しつつ、基板を所定の回転軸線（Ｃ１）まわりに回転させる基板回転手段（４）と、前記基板回転手段によって回転される基板の前記主面にエッチング液を供給するエッチング液供給手段（５）と、前記エッチング液供給手段によるエッチング液の供給と同時に、前記基板回転手段により回転される基板の前記主面に、前記エッチング液を希釈するための希釈液を、当該希釈液が前記主面の周縁部に着液するように供給する希釈液供給手段（７）とを含む、基板処理装置（１）である。

この構成によれば、請求項１に関連して述べた作用効果と同様な作用効果を達成することができる。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１の構成を図解的に示す断面図である。
この基板処理装置１は、たとえばシリコンウエハからなる円形のウエハＷにおけるデバイス形成領域側の表面とは反対側の裏面（非デバイス形成面）に対して、ウエハＷのシンニング（薄型化）のためのエッチング処理を施すための枚葉式の装置である。この実施形態では、エッチング液として、たとえばフッ硝酸（フッ酸と硝酸との混合液）が用いられる。

この基板処理装置１は、隔壁（図示せず）により区画された処理室２内に、ウエハＷをその裏面を上面としてほぼ水平姿勢に保持しつつ、ウエハＷを鉛直軸線Ｃ１まわりに回転させる基板回転手段としてのスピンチャック４と、スピンチャック４に保持されたウエハＷの上面にフッ硝酸を供給するためのフッ硝酸ノズル（エッチング液供給手段）５と、スピンチャック４に保持されたウエハＷの上面の中央部に向けてリンス液としてのＤＩＷ（deionized water：脱イオン化された水）を供給するための第１ＤＩＷノズル６と、スピンチャック４に保持されたウエハＷ上面の周縁部の着液点Ｑ（図２参照）に向けて希釈液としてのＤＩＷを供給するための第２ＤＩＷノズル（希釈液供給手段）７とを備えている。ウエハＷの周縁部とは、たとえば、ウエハＷの回転中心Ｃ（図２参照）を中心とし、ウエハＷの半径の２／３程度の径を有する円（外径２００ｍｍのウエハＷで、ウエハＷの回転中心Ｃを中心とする半径７０ｍｍ程度の円、外径３００ｍｍのウエハＷで、ウエハＷの回転中心Ｃを中心とする半径１１０ｍｍ程度の円）の外側の環状領域をいう。

スピンチャック４は、真空吸着式チャックである。このスピンチャック４は、ほぼ鉛直な方向に延びたスピン軸９と、このスピン軸９の上端に取り付けられて、ウエハＷをほぼ水平な姿勢でその裏面（下面）を吸着して保持する吸着ベース１０と、スピン軸９と同軸に結合された回転軸を有するスピンモータ１１とを備えている。これにより、ウエハＷの裏面が吸着ベース１０に吸着保持された状態で、スピンモータ１１が駆動されると、ウエハＷがスピン軸９の中心軸線まわりに回転する。

フッ硝酸ノズル５は、たとえば連続流の状態でフッ硝酸を吐出するストレートノズルであり、スピンチャック４の上方でほぼ水平に延びる第１アーム１２の先端に取り付けられている。この第１アーム１２は、スピンチャック４の側方でほぼ鉛直に延びた第１アーム支持軸１３に支持されている。第１アーム支持軸１３には、フッ硝酸ノズル駆動機構１４が結合されており、このフッ硝酸ノズル駆動機構１４の駆動力によって、第１アーム支持軸１３を回転させて、第１アーム１２を揺動させることができるようになっている。

フッ硝酸ノズル５には、フッ硝酸供給管１７が接続されている。フッ硝酸供給管１７には、フッ硝酸供給源からのフッ硝酸が供給されるようになっており、その途中部には、フッ硝酸ノズル５へのフッ硝酸の供給および供給停止を切り換えるためのフッ硝酸バルブ１８が介装されている。
第１ＤＩＷノズル６は、たとえば連続流の状態でＤＩＷを吐出するストレートノズルであり、スピンチャック４の上方で、その吐出口をウエハＷの中央部に向けて配置されている。この第１ＤＩＷノズル６には、第１ＤＩＷ供給管１９が接続されており、ＤＩＷ供給源からのＤＩＷが第１ＤＩＷ供給管１９を通して供給されるようになっている。第１ＤＩＷ供給管１９の途中部には、第１ＤＩＷノズル６へのＤＩＷの供給および供給停止を切り換えるための第１ＤＩＷバルブ２０が介装されている。

第２ＤＩＷノズル７は、たとえば連続流の状態でＤＩＷを吐出するストレートノズルであり、スピンチャック４の上方でほぼ水平に延びる第２アーム２２の先端に取り付けられている。この第２アーム２２は、スピンチャック４の側方でほぼ鉛直に延びた第２アーム支持軸２３に支持されている。第２アーム支持軸２３には、第２ＤＩＷノズル駆動機構２４が結合されており、この第２ＤＩＷノズル駆動機構２４の駆動力によって、第２アーム支持軸２３を回転させて、第２アーム２２を揺動させることができるようになっている。

第２ＤＩＷノズル７には、第２ＤＩＷ供給管２７が接続されている。第２ＤＩＷ供給管２７にＤＩＷ供給源から室温（基板処理装置１内の室温（たとえば２５℃））のＤＩＷが供給されるようになっている。第２ＤＩＷ供給管２７の途中部には、第２ＤＩＷノズル７へのＤＩＷの供給および供給停止を切り換えるための第２ＤＩＷバルブ２８が介装されている。

図２は、エッチング処理時における基板処理装置１の図解的な平面図である。
エッチング処理時には、フッ硝酸ノズル５からフッ硝酸が吐出されつつ、フッ硝酸ノズル５が、ウエハＷの回転半径に沿って、ウエハＷの回転中心Ｃに近接する近接位置Ｔ１と、この近接位置Ｔ１よりもウエハＷの回転半径方向外方に位置する離隔位置Ｔ２との間を往復移動（スキャン）される。近接位置Ｔ１は、着液したフッ硝酸がウエハＷ上で拡がって回転中心Ｃを通過することができるように定めた位置であり、回転中心Ｃ（鉛直軸線Ｃ１）から間隔Ｌ１だけ隔てられている。また、離隔位置Ｔ２は、回転中心Ｃ（鉛直軸線Ｃ１）から間隔Ｌ２だけ隔てられている。たとえば外径３００ｍｍのウエハＷにエッチング処理を施す場合には、間隔Ｌ１としてたとえば１０ｍｍ程度が、間隔Ｌ２としてたとえば３５ｍｍ程度が適当である。このエッチング処理では、フッ硝酸のウエハＷの上面における着液点Ｐは、ウエハＷの回転中心Ｃを通る円弧形状の軌道のうち、近接位置Ｔ１から離隔位置Ｔ２に至る範囲を円弧状または直線状の経路（スキャン経路Ｔ）を描きつつ移動する。

一方、エッチング処理時には、第２ＤＩＷノズル７がウエハＷ周縁部の所定の吐出位置（図２に示す着液点Ｑの上方位置）に、その吐出口から吐出されたＤＩＷが着液点Ｑに着液するように配置される。着液点Ｑは、スキャン経路Ｔに沿う回転半径の延長線上に、ウエハＷの回転中心（回転中心軸線Ｃ１）に対し、この離隔位置Ｔ２よりも離れた位置であり、回転中心Ｃ（鉛直軸線Ｃ１）から間隔Ｌ３だけ隔てられている。たとえば外径３００ｍｍのウエハＷにエッチング処理を施す場合には、間隔Ｌ３としてたとえば１１０〜１２０ｍｍ程度が適当である。

図３は、基板処理装置１の電気的構成を示すブロック図である。
この基板処理装置1は、マイクロコンピュータを含む構成の制御装置５０を備えている。
この制御装置５０には、スピンモータ１１、フッ硝酸ノズル駆動機構１４、第２ＤＩＷノズル駆動機構２４、フッ硝酸バルブ１８、第１ＤＩＷバルブ２０および第２ＤＩＷバルブ２８などが、制御対象として接続されている。

図４は、基板処理装置１におけるウエハＷの処理の一例を示すフローチャートである。
未処理のウエハＷが、図示しない搬送ロボットによって処理室２内に搬入されて、スピンチャック４に受け渡される（ステップＳ１）。このとき、フッ硝酸ノズル５および第２ＤＩＷノズル７は、スピンチャック４の側方の退避位置に退避させられている。また、フッ硝酸バルブ１８、第１ＤＩＷバルブ２０および第２ＤＩＷバルブ２８は、いずれも閉状態に制御されている。

ウエハＷがスピンチャック４へ受け渡された後、制御装置５０は、スピンモータ１１を駆動して、スピンチャック４をエッチング処理回転速度（たとえば１００ｒｐｍ）で等速回転させる（ステップＳ２）。また、制御装置５０は、フッ硝酸ノズル駆動機構１４を駆動して、フッ硝酸ノズル５をウエハＷの上方へと移動させる（ステップＳ３）。さらに、制御装置５０は、第２ＤＩＷノズル駆動機構２４を駆動して、第２ＤＩＷノズル７を吐出位置（図２に示す着液点Ｑの上方位置）へと移動させる（ステップＳ３）。

フッ硝酸ノズル５がウエハＷの上方に到達すると、制御装置５０は、フッ硝酸バルブ１８を開き、フッ硝酸ノズル５からフッ硝酸を吐出させる（ステップＳ４）。また、第２ＤＩＷノズル７が吐出位置（図２に示す着液点Ｑの上方位置）に到達すると、制御装置５０は、第２ＤＩＷバルブ２８を開き、第２ＤＩＷノズル７からＤＩＷを吐出させる（ステップＳ４）。

また、制御装置５０は、フッ硝酸ノズル駆動機構１４を駆動して、第１アーム１２を揺動し、フッ硝酸ノズル５を等速で往復移動させる（ステップＳ５）。ウエハＷの上面における着液点Ｐは、近接位置Ｔ１と離隔位置Ｔ２との間を、スキャン経路Ｔ（図２参照）に沿って往復スキャンする。往復移動時におけるフッ硝酸ノズル５の速度は、たとえば１５０ｍｍ／ｓｅｃである。その後、予め定めるエッチング処理時間が経過するまで、フッ硝酸の着液点Ｐの往復スキャンが繰り返し行われる。この往復スキャン中におけるフッ硝酸ノズル５からのフッ硝酸の吐出流量は、一定（たとえば０．８５Ｌ／ｍｉｎ）に保たれている。回転状態にあるウエハＷの上面をフッ硝酸の着液点Ｐが移動するので、ウエハＷの上面上における広範囲の領域に、新鮮なフッ硝酸が直接供給される。フッ硝酸ノズル５からウエハＷの上面に供給されたフッ硝酸は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの回転半径方向に向けて移動する。着液点ＰがウエハＷ上のスキャン経路Ｔ上のいずれにあってもウエハＷの周縁部にフッ硝酸が到達するから、結果として、ウエハＷ周縁部におけるエッチングレートが過剰になるおそれがある。

一方、第２ＤＩＷノズル７から吐出されたＤＩＷは、ウエハＷの上面の着液点Ｑに着液する。このエッチング処理を通じて、第２ＤＩＷノズル７は吐出位置（図２に示す着液点Ｑの上方位置）に固定されており、着液点Ｑの移動はない。第２ＤＩＷノズル７からのＤＩＷの吐出流量は一定（たとえば２．０Ｌ／ｍｉｎ）に保たれている。回転中のウエハＷの周縁部にＤＩＷが供給されるので、円環状のウエハＷ周縁部の全域にＤＩＷが供給される。

ウエハＷの上面におけるＤＩＷの着液点Ｑが、フッ硝酸の着液点Ｐのスキャン範囲よりも、ウエハＷの回転中心Ｃ（鉛直軸線Ｃ１）から離れた位置に供給される。そのため、ウエハＷの上面に供給されたフッ硝酸が、ウエハＷの回転による遠心力を受けてウエハＷの回転方向外方に向けて移動し、ウエハＷ上面の周縁部に供給されたＤＩＷと混ざり合う。このため、ウエハＷの周縁部には、フッ硝酸成分の濃度が低いフッ硝酸が供給されるようになる。

シリコンウエハからなるウエハＷに対するフッ硝酸を用いたシンニング（エッチング処理）では、フッ硝酸とウエハＷの上面との反応により発熱が生じ、ウエハＷの上面が高温（たとえば７０℃）に昇温する。一方、この実施形態では、第２ＤＩＷノズル７からウエハＷ上面の周縁部に室温のＤＩＷが供給されている。このため、第２ＤＩＷノズル７からのＤＩＷによってウエハＷの周縁部が冷却される。

エッチング処理を所定時間（たとえば３００秒間）だけ行った後、制御装置５０は、フッ硝酸バルブ１８を閉じ、フッ硝酸ノズル５からのフッ硝酸の吐出を停止させる。また、制御装置５０は、フッ硝酸ノズル駆動機構１４を駆動して、フッ硝酸ノズル５をスピンチャック４の側方の退避位置に退避させる。制御装置５０は、第２ＤＩＷバルブ２８を閉じ、第２ＤＩＷノズル７からのＤＩＷの吐出を停止させる。さらにまた、制御装置５０は、第２ＤＩＷノズル駆動機構２４を駆動して、第２ＤＩＷノズル７をスピンチャック４の側方の退避位置に退避させる。

次に、スピンチャック４の回転が継続されつつ、制御装置５０は、第１ＤＩＷバルブ２０を開いて、第１ＤＩＷノズル６から、回転状態のウエハＷの上面の中央部に向けてＤＩＷを供給する（ステップＳ６）。これにより、ウエハＷ上のフッ硝酸が洗い流されて、ウエハＷにリンス処理が施される。このリンス処理における第１ＤＩＷノズル６からのＤＩＷの吐出流量は、たとえば２．０Ｌ／ｍｉｎである。

このリンス処理を所定時間（たとえば６０秒間）行った後に、制御装置５０は、第１ＤＩＷバルブ２０を閉じてリンス処理を終了させる。制御装置５０は、さらにスピンモータ１１を制御して、スピンチャック４の回転速度を所定の乾燥回転速度（１０００〜２０００ｒｐｍ程度）に加速する。これによって、ウエハＷの上面のＤＩＷが遠心力によって振り切られ、ウエハＷがスピンドライされる（ステップＳ７）。

スピンドライを所定時間（たとえば３０秒間）行った後、制御装置５０は、スピンモータ１１を制御して、スピンチャック４の回転を停止させる。その後、処理済みのウエハＷが、搬送ロボットによって処理室２から搬出される（ステップＳ８）。
次に、実施例および比較例について説明する。
回転状態にある外径３００ｍｍのシリコンウエハからなるウエハＷの上面（裏面）に対し、図１に示すスキャンノズルの形態に構成されたフッ硝酸ノズル５からのフッ硝酸を供給して、シンニングのためのエッチング処理を施す試験を行った。

このエッチング試験では、フッ硝酸ノズル５からのフッ硝酸の着液点Ｐを、前述の図２に示すスキャン経路Ｔに沿って、回転中心Ｃから１０ｍｍ隔てた近接位置Ｔ１と、回転中心Ｃから３５ｍｍ隔てた離隔位置Ｔ２との間で往復スキャンさせた。硝酸とフッ酸とを体積比５：１の比率で混合して作製したフッ硝酸を、２．０Ｌ／ｍｉｎの流量でフッ硝酸ノズル５からウエハＷに吐出させた。エッチング処理中におけるフッ硝酸ノズル５の移動速度はたとえば２６ｍｍ／ｓｅｃであり、エッチング処理時におけるウエハＷの回転速度は１００ｒｐｍであった。エッチング処理時間は３００秒間であった。そして、ウエハＷのエッチングレートの面内分布（半径方向位置とエッチングレートとの関係）を求めた。

実施例では、基板処理装置１を用いてエッチング処理を行った。エッチング処理中における第２ＤＩＷノズル７からのＤＩＷの吐出流量は２．０Ｌ／ｍｉｎであった。また、第２ＤＩＷノズル７から吐出されるＤＩＷの液温は、２５℃であった。
比較例では、基板処理装置１から第２ＤＩＷノズル７を省略した構成を用いてエッチング処理を行った。つまり、エッチング処理時に、ウエハＷの周縁部にＤＩＷを供給させなかった。

図５に、実施例および比較例のエッチング試験の結果を示す。図５は、エッチング試験におけるエッチングレートの面内分布を示すグラフであり、横軸はウエハＷの回転中心Ｃからの距離（y）を示しており、縦軸はエッチングレートを示している。
比較例では、エッチングレートは、ウエハＷの周縁部（ウエハＷの回転中心Ｃを中心とする半径１１０ｍｍの円外の環状領域）が中央部よりも高くなっている。とくに、ウエハＷの回転中心Ｃから１２０ｍｍよりも外側で、極めて高いエッチングレートを示している。

一方、実施例では、ウエハＷの周縁部でエッチングレートが若干高くなっているものの、比較例と比べるとそのレートは低い。
図５から、実施例においてウエハＷの周縁部における過剰な高エッチングレートを抑制できたことが理解される。
以上のとおり、この実施形態では、ウエハＷの上面にフッ硝酸が供給される。また、このフッ硝酸の供給と同時に、ウエハＷ上面の周縁部に着液するようにＤＩＷが供給される。ウエハＷの上面に供給されたフッ硝酸は、ウエハＷの回転による遠心力を受けてウエハＷの回転半径方向外方に向けて移動し、ウエハＷの周縁部でＤＩＷにより希釈される。そのため、ウエハＷの周縁部には、フッ硝酸成分の濃度が低いフッ硝酸が供給されるようになる。したがって、ウエハＷ上面の周縁部におけるエッチングレートを、ウエハＷ上面の中央部におけるエッチングレートとほぼ同程度に保つことができる。これにより、ウエハＷの上面に対して均一なエッチング処理を施すことができる。

また、第２ＤＩＷノズル７からの室温のＤＩＷによってウエハＷの周縁部が冷却される。そのため、ウエハＷの周縁部における過剰な昇温が抑えられる。これにより、ウエハＷ周縁部における過剰な高エッチングレートを抑制することができる。
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は、他の形態で実施することもできる。

また、前記の実施形態では、希釈液としてＤＩＷを用いる場合を例にとって説明したが、ＤＩＷに限らず、炭酸水、イオン水、オゾン水、還元水（水素水）または磁気水などを希釈液用いることもできる。
また、これらの液でフッ硝酸を希釈した希フッ硝酸を、希釈液として用いることもできる。この場合、希フッ硝酸のフッ硝酸成分の濃度が、フッ硝酸ノズル５から吐出されるフッ硝酸のフッ硝酸成分濃度より低いものである必要がある。

また、第２ＤＩＷノズル７から、室温よりも低温（たとえば１８℃）に温度調節されたＤＩＷを吐出させてもよい。このようにすれば、ウエハＷ周縁部におけるエッチングレートを、より低く抑えることができる。
また、前記の実施形態では、第２ＤＩＷノズル７からのＤＩＷの着液点Ｑを、スキャン経路Ｔに沿う回転半径の延長線上に設定したが、着液点Ｑはこの位置に限られず、ウエハＷの上面の周縁部であれば任意の位置に設定することができる。

また、第２ＤＩＷノズル７を、スキャンノズルの構成ではなく、ウエハＷの上面上の着液点Ｑを向けて固定配置した固定ノズルとして構成することもできる。
また、前記の実施形態では、フッ硝酸ノズル５からのフッ硝酸の着液点Ｐを、ウエハＷの面内においてＤＩＷの着液点Ｑよりも内側の所定範囲内でスキャンさせているが、ウエハＷの周端位置までスキャンさせてもよいし、ウエハＷの周端位置を超えてその外方までスキャンさせてもよい。

また、フッ硝酸ノズル５を一方向スキャンさせるものであってもよい。一方向スキャンとは、この場合、一方向へのノズル移動時にのみフッ硝酸をノズル５から吐出し、他方向へのノズル移動時にはノズル５からのフッ硝酸の吐出を停止することをいう。
また、前述の実施形態では、ウエハＷに対し、ウエハＷのシンニングのためのエッチング処理を施す基板処理装置１を例にとって説明したが、たとえば酸化膜シリコンウエハからなる円板状のウエハＷにおけるデバイス形成領域側の上面（下面）に対して、酸化膜の除去のためのエッチング処理を施す構成であってもよい。かかる場合、エッチング液としてたとえばフッ酸が用いられることが望ましい。また、ウエハＷの窒化膜の除去のためのエッチング処理を施す場合には、エッチング液として燐酸を用いることもできる。

その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す断面図である。 エッチング処理時における基板処理装置の図解的な平面図である。 図１に示す基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。 図１に示す基板処理装置におけるウエハ処理の一例を示すフローチャートである。 エッチング試験におけるエッチングレートの面内分布を示すグラフである。

符号の説明

１ 基板処理装置
４ スピンチャック（基板回転手段）
５ フッ硝酸ノズル（エッチング液供給手段）
７ 第２ＤＩＷノズル（希釈液供給手段）
Ｃ１ 鉛直軸線（回転軸線）
Ｐ 着液点（着液位置）
Ｑ 着液点（着液位置）
Ｔ スキャン経路
Ｔ２ 離隔位置
Ｗ ウエハ（基板）

Claims (4)

1. 基板を所定の回転軸線まわりに回転させる回転ステップと、
   この回転ステップと並行して、基板の主面にエッチング液を供給するエッチング液供給ステップと、
   前記回転ステップおよび前記エッチング液供給ステップと並行して、エッチング液を希釈するための希釈液を、前記主面の周縁部に着液するように前記主面に供給する希釈液供給ステップとを含む、基板処理方法。
2. 前記主面に供給されるエッチング液の着液位置を、前記主面上の所定のスキャン経路に沿って移動させる着液位置移動ステップをさらに含む、請求項１記載の基板処理方法。
3. 前記希釈液供給ステップは、前記スキャン経路における前記回転軸線から最も離れた位置よりも前記回転軸線に対して離れた前記主面上の位置に着液するように、前記希釈液を供給するステップを含む、請求項２記載の基板処理方法。
4. 基板を保持しつつ、基板を所定の回転軸線まわりに回転させる基板回転手段と、
   前記基板回転手段によって回転される基板の前記主面にエッチング液を供給するエッチング液供給手段と、
   前記エッチング液供給手段によるエッチング液の供給と同時に、前記基板回転手段により回転される基板の前記主面に、前記エッチング液を希釈するための希釈液を、当該希釈液が前記主面の周縁部に着液するように供給する希釈液供給手段とを含む、基板処理装置。

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