JP2017069531A - 基板保持回転装置およびそれを備えた基板処理装置、ならびに基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の周縁部を、処理残りなく良好に処理できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。【解決手段】６本の可動ピン１１０は、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０と、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０とを含む。第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０に対応する第１の駆動用永久磁石１５６Ａの磁極方向と、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０に対応する第２の駆動用永久磁石１５６Ｂの磁極方向とは、回転軸線に直交する方向に関し互いに異なっている。非回転状態で設けられた３つの第１の開放永久磁石１２５と、非回転状態で設けられた３つの第２の開放永久磁石とをそれぞれ昇降可能に設ける。【選択図】図１２Ａ−１２Ｂ

Description

この発明は、基板保持回転装置およびそれを備えた基板処理装置、ならびに基板処理方法に関する。保持対象または処理対象の基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。

特許文献１は、鉛直方向に沿う回転軸線のまわりに回転可能な回転台と、回転台を前記回転軸線回りに回転させる回転駆動ユニットと、回転台に配設され、基板を回転台表面から所定間隔を隔てて水平に位置決めする複数本（たとえば４本）の保持ピンとを備えた、回転式の基板保持回転装置を開示している。
複数本の保持ピンは、回転台に対して不動の固定ピンと、回転台に対して可動の可動ピンとを含む。可動ピンは、その中心軸線と同軸の回転軸線まわりに回転可能に設けられ、基板の周端縁に当接するための当接部を有している。当接部の回転により、当接部は、回転軸線から離れた遠い開放位置と、回転軸線に近づいた保持位置との間で変位する。当接部の回転軸には、ピン駆動用磁石が結合されている。

可動ピンの開閉の切換えは、回転台の下方に配置された昇降磁石を用いて行われる（磁石切換え方式）。昇降磁石には、磁石昇降ユニットが結合されている。昇降磁石が所定の下位置にあるとき、昇降磁石がピン駆動用磁石に対向しないので、可動ピンには、当該可動ピンをその保持位置へと付勢する外力が働かない。そのため、昇降磁石が下位置にあるとき、可動ピンはその開放位置に保持されることになる。一方、昇降磁石が所定の上位置にあるとき、昇降磁石とピン駆動用磁石との間の磁気吸引力によって可動ピンがその保持位置に保持される。

特開２０１３−２２９５５２号公報

そして、上記の基板保持回転装置は、基板を一枚ずつ処理する枚葉型の基板処理装置に備えられており、基板保持回転装置によって回転させられている基板の上面に、処理液ノズルから処理液（洗浄薬液）が供給される。基板の上面に供給された処理液は、基板の回転による遠心力を受けて基板の周縁部に向けて流れる。これにより、基板の上面の全域および基板の周端面が液処理される。また、基板処理の種類によっては、基板の下面の周縁部をも液処理したい場合もある。

ところが、特許文献１に記載の構成では、液処理の間、複数本（たとえば４本）の保持ピンによって基板を終始接触支持しているため、基板の周端面における保持ピンの複数箇所の当接位置において処理液が回り込まず、基板の周縁部（基板の周端面および基板の下面の周縁部）に洗浄残りが生じるおそれがある。基板を回転させている間に基板の接触支持位置を変化させれば、基板の周縁部を洗浄残りなく洗浄できるが、そのような接触支持位置の変化を実現するためには、基板の処理中において、回転中の回転台に設けられている複数本の保持ピンのうち一部の保持ピンのみを選択的に開く必要がある。しかしながら、上記特許文献１に記載の磁石切換え方式の基板保持回転装置では、可動ピンの開閉を切り替えるための昇降磁石は非回転に設けられているから、回転中の回転台に設けられている複数本の保持ピンのうち一部の保持ピンのみを選択的に開くことはできない。仮に、上記特許文献１において回転台の回転中に昇降磁石を下位置に配置して、２つの可動ピンの双方を開状態とすれば、回転状態にある回転台から基板から離脱するおそれがある。

そこで、この発明の一の目的は、基板を良好に支持して回転させることでき、かつ基板の回転中に、可動ピンによる基板の接触支持位置を変化させることが可能な磁石切換え方式の基板保持回転装置を提供することである。
また、この発明の他の目的は、基板の周縁部を、処理残りなく良好に処理できる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。

前記の目的を達成するための請求項１に記載の発明は、回転台と、前記回転台を、鉛直方向に沿う回転軸線まわりに回転させる回転駆動ユニットと、基板を水平に支持するための複数本の可動ピンであって、前記回転軸線から離れた遠い開放位置と前記回転軸線に近づいた保持位置との間で移動可能に設けられた支持部を有し、前記回転台と共に前記回転軸線まわりに回転するように設けられた可動ピンとを含み、前記複数本の可動ピンは、少なくとも３本の可動ピンを含む第１の可動ピン群と、第１の可動ピン群とは別に設けられ、少なくとも３本の可動ピンを含む第２の可動ピン群とを含み、各可動ピンの前記支持部を前記開放位置および前記保持位置の一方に付勢する付勢ユニットと、各第１の可動ピン群に対応して取り付けられ、前記回転軸線に沿う軸線に直交する方向に関し互いに等しい磁極方向を有する第１の駆動用磁石と、各第２の可動ピン群に対応して取り付けられ、前記回転軸線に沿う軸線に直交する方向に関し、前記第１の駆動用磁石とは逆の磁極方向を有する第２の駆動用磁石と、非回転状態で設けられ、前記回転軸線に沿う軸線に直交する方向に関し前記第１の駆動用磁石との間に反発力または吸引力を与えるような磁極方向を有し、当該反発力または当該吸引力により、前記第１の可動ピン群の前記支持部を前記開放位置および前記保持位置の他方に付勢する第１の移動磁石と、非回転状態で設けられ、前記回転軸線に沿う軸線に直交する方向に関し前記第２の駆動用磁石との間に反発力または吸引力を与えるような磁極方向を有し、当該反発力または当該吸引力により、前記第２の可動ピン群の前記支持部を前記開放位置および前記保持位置の前記他方に付勢する第２の移動磁石と、前記第１の移動磁石および前記回転台を、前記第１の移動磁石が前記第１の駆動用磁石との間に前記反発力または前記吸引力を与える第１の位置と、前記第１の移動磁石が前記第１の駆動用磁石との間に前記反発力および前記吸引力を与えない第２の位置との間で相対移動させる第１の相対移動ユニットと、前記第１の移動磁石および前記回転台の相対移動と独立して、前記第２の移動磁石および前記回転台を、前記第２の移動磁石が前記第２の駆動用磁石との間に前記反発力または前記吸引力を与える第３の位置と、前記第２の移動磁石が前記第２の駆動用磁石との間に前記反発力および前記吸引力を与えない第４の位置との間で相対移動させる第２の相対移動ユニットとをさらに含む、基板保持回転装置を提供する。

この構成によれば、回転台には複数本の可動ピンが設けられており、各可動ピンは、開放位置と保持位置との間で移動可能に設けられた支持部を有している。各可動ピンの支持部は、付勢ユニットによって開放位置および保持位置の一方に付勢されている。
複数本の可動ピンは、第１の可動ピン群と、第２の可動ピン群とを含む。第１の可動ピン群に対応して取り付けられた第１の駆動用磁石の磁極方向は、回転台の径方向に関し互いに等しく、第２の可動ピン群に対応して取り付けられた第２の駆動用磁石の磁極方向は、第１の駆動用磁石の磁極方向とは逆で、かつ回転台の径方向に関し互いに等しい。

また、第１の駆動用磁石との間に反発力または吸引力を与えるような磁極方向を有する第１の移動磁石が非回転状態で設けられている。第１の移動磁石および回転台の相対位置は、第１の相対移動ユニットによって、第１の移動磁石が第１の駆動用磁石との間に反発力または吸引力を与える第１の位置と、第１の移動磁石が第１の駆動用磁石との間に反発力および吸引力を与えない第２の位置との間で相対移動させられる。

さらに、第２の駆動用磁石との間に反発力または吸引力を与えるような磁極方向を有する第２の移動磁石が非回転状態で設けられている。第２の移動磁石および回転台の相対位置は、第２の相対移動ユニットによって、第２の移動磁石が第２の駆動用磁石との間に反発力または吸引力を与える第３の位置と、第２の移動磁石が第２の駆動用磁石との間に反発力および吸引力を与えない第４の位置との間で相対移動させられる。

回転台の回転状態で、第１の移動磁石を第１の位置に配置させかつ第２の移動磁石を第４の位置に配置させることにより、移動磁石（第１の移動磁石）からの反発力または吸引力が、第１の可動ピン群に対応する駆動用磁石である第１の駆動用磁石のみに与えられる。当該反発力または当該吸引力により、第１の可動ピン群の支持部は、付勢ユニットによる付勢力に抗って開放位置および保持位置の他方に付勢される。この状態では、第１の可動ピン群の支持部は開放位置および保持位置の他方に付勢されており、第２の可動ピン群の支持部は開放位置および保持位置の一方に付勢されている。すなわち、基板は、支持部が保持位置に付勢される可動ピン群（第１および第２の可動ピン群の一方）に含まれる少なくとも３本の可動ピンによって支持される。

一方、回転台の回転状態で、第１の移動磁石を第２の位置に配置させかつ第２の移動磁石を第３の位置に配置させることにより、移動磁石（第２の移動磁石）からの反発力または吸引力が、第２の可動ピン群に対応する駆動用磁石である第２の駆動用磁石のみに与えられる。当該反発力または当該吸引力により、第２の可動ピン群の支持部は、付勢ユニットによる付勢力に抗って開放位置および保持位置の他方に付勢される。この状態では、第１の可動ピン群の支持部は開放位置および保持位置の一方に付勢されており、第２の可動ピン群の支持部は開放位置および保持位置の他方に付勢されている。すなわち、基板は、支持部が保持位置に付勢される可動ピン群（第１および第２の可動ピン群の他方）に含まれる少なくとも３本の可動ピンによって支持される。

このように、基板の回転状態において、第１の移動磁石および回転台の相対位置、ならびに第２の移動磁石および回転台の相対位置をそれぞれ相対移動させることにより、３本以上の可動ピンを含む第１の可動ピン群によって基板が支持されている状態と、３本以上の可動ピンを含む第２の可動ピン群によって基板が支持されている状態との間で遷移することができる。

以上により、基板を良好に支持して回転させることできると共に、基板の回転中に、可動ピンによる基板の接触支持位置を変化させることが可能な磁石切換え方式の基板保持回転装置を提供できる。
請求項２に記載の発明は、前記第１および第２の移動磁石は、それぞれ、当該第１および第２の移動磁石が前記第１または第３の位置にありかつ前記回転台の回転状態において、前記回転台の回転に伴って回転する各可動ピンが通過可能な前記回転軸線と同軸の円環状の磁界発生領域を形成する、請求項１記載の基板保持回転装置である。

この構成によれば、第１の移動磁石によって形成される磁界発生領域および第２の移動磁石によって形成される磁界発生領域がそれぞれ円環状をなしているので、回転台の回転状態において全ての可動ピンに対応する駆動用磁石（第１の駆動用磁石および第２の駆動用磁石）が同時に磁界発生領域を通過する。したがって、第１の移動磁石を第１の位置に配置した状態で、第１の可動ピン群に含まれる全ての可動ピンに対応する第１の駆動用磁石との間で反発力または吸引力を与えることができる。また、第２の移動磁石を第３の位置に配置した状態で、第２の可動ピン群に含まれる全ての可動ピンに対応する第２の駆動用磁石との間で反発力または吸引力を与えることができる。

請求項３に記載の発明は、前記第１および第２の移動磁石は、それぞれ、互いに同数の複数個設けられており、前記複数の第１の移動磁石および前記複数の第２の移動磁石は、平面視で、前記回転台の周方向に関し交互に、かつ全体として前記回転軸線と同軸の円環状をなすように配置されている、請求項２に記載の基板保持回転装置である。
この構成によれば、複数の第１の移動磁石および複数の第２の移動磁石は、回転台の周方向に関し交互に配置されている。また、複数の第１の移動磁石および複数の第２の移動磁石は、全体として前記回転軸線と同軸の円環状をなすように配置されている。この場合、個々の種類の移動磁石（第１の移動磁石または第２の移動磁石）に着目すれば、当該移動磁石は、回転軸線の同軸円周上において回転台の周方向に間欠的に配置されている。この場合でも、回転台の回転速度如何および／または各開放磁石の周方向長さ如何により、磁界発生領域を円環状に設けることは可能である。

請求項４に記載の発明は、前記第１の可動ピン群は、前記第２の可動ピン群と同数の前記可動ピンを含み、前記第１および第２の可動ピン群は前記回転台の周方向に関し交互に、かつ各可動ピン群に含まれる複数本の可動ピンが等間隔となるように配置されており、前記第１および第２の移動磁石は、それぞれ、各可動ピン群に含まれる前記可動ピンの数と同数、前記回転台の周方向に等間隔に配置されている、請求項３に記載の基板保持回転装置である。

この構成によれば、第１および第２の可動ピン群が回転台の周方向に関し交互に配置されており、かつ各可動ピン群に含まれる複数本の可動ピンが等間隔となるように設けられているので、３つ以上の第１の可動ピン群によって基板が支持されている状態および３つ以上の第２の可動ピン群によって基板が支持されている状態とのそれぞれにおいて、各可動ピン群によって基板を良好に支持できる。

また、第１および第２の移動磁石が、それぞれ、各可動ピン群に含まれる前記可動ピンの数と同数、前記回転台の周方向に等間隔に配置されているので、回転台の非回転状態においても、第１および第２の移動磁石が、それぞれ第１および第２の可動ピン群に対応する駆動用磁石との間で反発力または吸引力を与えることができる。
請求項５に記載の発明は、前記第１の移動磁石および前記第２の移動磁石は、前記回転軸線と同軸で平面視二重円環状に配置されている、請求項２に記載の基板保持回転装置である。

この構成によれば、円環状の第１の移動磁石および円環状の第２の移動磁石を用いるので、回転台の回転状態において、磁界発生領域を確実に環状に設けることができる。
請求項６に記載の発明は、前記付勢ユニットは、前記第１の駆動用磁石との間に反発力または吸引力を与えることにより、前記第１の可動ピン群の前記支持部を前記開放位置および前記保持位置の前記一方に付勢するための第１の付勢用磁石と、前記第２の駆動用磁石との間に反発力または吸引力を与えることにより、前記第２の可動ピン群の前記支持部を前記開放位置および前記保持位置の前記一方に付勢するための第２の付勢用磁石とをさらに含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板保持回転装置である。

この構成によれば、第１の付勢用磁石および第２の付勢用磁石によって、各可動ピンの支持部が開放位置および保持位置の一方に付勢される。これにより、各可動ピンの支持部を開放位置および保持位置の一方に付勢する構成を簡単に実現できる。
請求項７に記載の発明は、前記第１および第２の付勢用磁石は、前記回転台に対して相対移動不能に設けられている、請求項６に記載の基板保持回転装置である。

この構成によれば、各可動ピンの支持部を開放位置および保持位置の一方に常時付勢しておくことが可能である。
請求項８に記載の発明は、前記回転台と前記複数本の可動ピンによる基板保持位置との間に配置され、下位置と、下位置よりも上方において前記保持部材に保持された基板の下面に接近した接近位置との間で前記回転台に対して相対的に上下動可能であり前記回転台とともに前記回転軸線まわりに回転するように前記回転台に取り付けられた保護ディスクをさらに含み、前記第１および第２の付勢用磁石は、前記保護ディスクに同伴上下動可能に設けられている、請求項６に記載の基板保持回転装置である。

この構成によれば、保護ディスクを上下動させることにより、第１および第２の付勢用磁石を上下動させることができる。そのため、保護ディスク上下動用の昇降ユニットの他に、第１および第２の付勢用磁石を別途設ける必要がなく、これにより、装置構成の簡素化やコストダウンを図ることができる。
請求項９に記載の発明は、前記開放位置および前記保持位置の前記一方は、前記保持位置であり、前記開放位置および前記保持位置の前記他方は、前記開放位置である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板保持回転装置である。

この構成によれば、各可動ピンの支持部は、付勢ユニットによって保持位置に付勢されている。回転台の回転状態で、第１の移動磁石を第１の位置に配置させかつ第２の移動磁石を第４の位置に配置させることにより、移動磁石（第１の移動磁石）からの反発力または吸引力が、第１の可動ピン群に対応する駆動用磁石である第１の駆動用磁石のみに与えられる。当該反発力または当該吸引力により、第１の可動ピン群の支持部は、付勢ユニットによる付勢力に抗って開放位置に付勢される。この状態では、第１の可動ピン群の支持部は開放位置に付勢されており、第２の可動ピン群の支持部は保持位置に付勢されている。すなわち、基板は、第２の可動ピン群に含まれる少なくとも３本の可動ピンによって支持される。

一方、回転台の回転状態で、第１の移動磁石を第２の位置に配置させかつ第２の移動磁石を第３の位置に配置させることにより、移動磁石（第２の移動磁石）からの反発力または吸引力が、第２の可動ピン群に対応する駆動用磁石である第２の駆動用磁石のみに与えられる。当該反発力または当該吸引力により、第２の可動ピン群の支持部は、付勢ユニットによる付勢力に抗って開放位置に付勢される。この状態では、第１の可動ピン群の支持部は保持位置に付勢されており、第２の可動ピン群の支持部は開放位置に付勢されている。すなわち、基板は、第１の可動ピン群に含まれる少なくとも３本の可動ピンによって支持される。

請求項１０に記載の発明は、前記回転台と前記複数本の可動ピンによる基板保持位置との間に配置され、下位置と、下位置よりも上方において前記保持部材に保持された基板の下面に接近した接近位置との間で前記回転台に対して相対的に上下動可能であり前記回転台とともに前記回転軸線まわりに回転するように前記回転台に取り付けられた保護ディスクと、前記保護ディスクに取り付けられた第１の浮上用磁石と、非回転状態で設けられ、前記第１の浮上用磁石に対して反発力を与える第２の浮上用磁石と、前記第１の移動磁石および前記回転台の相対移動ならびに前記第２の移動磁石および前記回転台の相対移動のそれぞれと独立して、前記第１の浮上用磁石と前記第２の浮上用磁石との間の距離が変化するように前記第２の浮上用磁石および前記回転台を相対移動させる第３の相対移動ユニットとを含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の基板保持回転装置である。

この構成によれば、第２の浮上用磁石および回転台の相対移動を、第１の移動磁石および前記回転台の相対移動ならびに第２の移動磁石および回転台の相対移動のそれぞれと独立して行う。これにより、保護ディスクの上下位置によらずに、第１の移動磁石および回転台の相対移動動作や、第２の移動磁石および回転台の相対移動動作を行うことができる。

前記の目的を達成するための請求項１１に記載の発明は、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の基板保持回転装置と、前記基板保持回転装置に保持されている基板の上面に対し、処理液を供給する処理液供給ユニットとを含む、基板処理装置である。
この構成によれば、処理液供給ユニットから処理液が基板の主面に供給される。基板の主面に供給された処理液は、基板の回転による遠心力を受けて基板の周縁部に向けて流れる。これにより、基板の周縁部が処理液により液処理される。この発明では、基板の回転中に、可動ピンによる基板の接触支持位置を変化させることが可能である。そのため、基板の周縁部を、処理残りなく良好に処理することができる。

請求項１２に記載の発明は、前記回転駆動ユニット、前記処理液供給ユニット、前記第１の相対移動ユニットおよび前記第２の相対移動ユニットを制御する制御ユニットとをさらに含み、前記制御ユニットは、前記回転台を前記回転軸線まわりに回転させる回転台回転工程と、前記回転台の回転に伴って回転している基板に処理液を供給する処理液供給工程と、前記回転台回転工程および前記処理液供給工程に並行して、前記第１の移動磁石および前記回転台の相対位置を前記第１の位置に配置すると共に前記第２の移動磁石および前記回転台の相対位置を前記第４の位置に配置する第１の磁石配置工程と、第１の磁石配置工程の非実行時において、前記回転台回転工程および前記処理液供給工程に並行して、前記第２の移動磁石および前記回転台の相対位置を前記第３の位置に配置すると共に前記第１の移動磁石および前記回転台の相対位置を前記第２の位置に配置する第２の磁石配置工程とを実行する、請求項１１に記載の基板処理装置である。

この構成によれば、回転状態にある基板の主面に処理液が供給される。基板の主面に供給された処理液は、基板の回転による遠心力を受けて基板の周縁部に向けて流れる。これにより、基板の周縁部が処理液により液処理される。
また、回転台の回転および処理液の供給に並行して、第１の移動磁石および前記回転台の相対位置を第１の位置に配置すると共に第２の移動磁石および前記回転台の相対位置を第４の位置に配置する（第１の磁石配置工程）。これにより、基板は、支持部が保持位置に付勢される可動ピン群（第１および第２の可動ピン群の一方）に含まれる少なくとも３本の可動ピンによって支持される。

さらに、回転台の回転および処理液の供給に並行して、第１の移動磁石および前記回転台の相対位置を第２の位置に配置すると共に第２の移動磁石および前記回転台の相対位置を第３の位置に配置する（第２の磁石配置工程）。これにより、基板は、支持部が保持位置に付勢される可動ピン群（第１および第２の可動ピン群の他方）に含まれる少なくとも３本の可動ピンによって支持される。

したがって、基板を回転させながら基板の主面に処理液を供給する処理液供給工程において、可動ピンによる基板の接触支持位置を変化させることができる。そのため、基板の周縁部の全域に処理液を供給することが可能であり、これにより、基板の周縁部を、処理残りなく良好に処理することができる。
前記の目的を達成するための請求項１３に記載の発明は、回転台と、前記回転台を、鉛直方向に沿う回転軸線まわりに回転させる回転駆動ユニットと、基板を水平に支持するための複数本の可動ピンであって、前記回転軸線から離れた遠い開放位置と前記回転軸線に近づいた保持位置との間で移動可能に設けられた支持部を有し、前記回転台と共に前記回転軸線まわりに回転するように設けられた可動ピンとを含み、前記複数本の可動ピンは、少なくとも３本の可動ピンを含む第１の可動ピン群と、第１の可動ピン群とは別に設けられ、少なくとも３本の可動ピンを含む第２の可動ピン群とを含み、各可動ピンの前記支持部を前記開放位置および前記保持位置の一方に付勢する付勢ユニットと、各第１の可動ピン群に対応して取り付けられ、前記回転軸線に沿う軸線に直交する方向に関し互いに等しい磁極方向を有する第１の駆動用磁石と、各第２の可動ピン群に対応して取り付けられ、前記回転軸線に沿う軸線に直交する方向に関し、前記第１の駆動用磁石とは逆の磁極方向を有する第２の駆動用磁石と、非回転状態で設けられ、前記回転軸線に沿う軸線に直交する方向に関し前記第１の駆動用磁石との間に反発力または吸引力を与えるような磁極方向を有し、当該反発力または当該吸引力により、前記第１の可動ピン群の前記支持部を前記開放位置および前記保持位置の他方に付勢する第１の移動磁石と、非回転状態で設けられ、前記回転軸線に沿う軸線に直交する方向に関し前記第２の駆動用磁石との間に反発力または吸引力を与えるような磁極方向を有し、当該反発力または当該吸引力により、前記第２の可動ピン群の前記支持部を前記開放位置および前記保持位置の前記他方に付勢する第２の移動磁石と、前記第１の移動磁石および前記回転台を、前記第１の移動磁石が前記第１の駆動用磁石との間に前記反発力または前記吸引力を与える第１の位置と、前記第１の移動磁石が前記第１の駆動用磁石との間に前記反発力および前記吸引力を与えない第２の位置との間で相対移動させる第１の相対移動ユニットと、前記第１の移動磁石および前記回転台の相対移動と独立して、前記第２の移動磁石および前記回転台を、前記第２の移動磁石が前記第２の駆動用磁石との間に前記反発力または前記吸引力を与える第３の位置と、前記第２の移動磁石が前記第２の駆動用磁石との間に前記反発力および前記吸引力を与えない第４の位置との間で相対移動させる第２の相対移動ユニットとをさらに含む、基板保持回転装置と、前記基板保持回転装置に保持されている基板に対し、処理液を供給する処理液供給ユニットとを含む基板処理装置において実行される基板処理方法であって、前記制御ユニットは、前記回転台を前記回転軸線まわりに回転させる回転台回転工程と、前記回転台の回転に伴って回転している基板に処理液を供給する処理液供給工程と、前記回転台回転工程および前記処理液供給工程に並行して、前記第１の移動磁石および前記回転台の相対位置を前記第１の位置に配置すると共に前記第２の移動磁石および前記回転台の相対位置を前記第４の位置に配置する第１の磁石配置工程と、前記第１の磁石配置工程の非実行時において、前記回転台回転工程および前記処理液供給工程に並行して、前記第２の移動磁石および前記回転台の相対位置を前記第３の位置に配置すると共に前記第１の移動磁石および前記回転台の相対位置を前記第２の位置に配置する第２の磁石配置工程とを含む、基板処理方法を提供する。

この方法によれば、回転状態にある基板の主面に処理液が供給される。基板の主面に供給された処理液は、基板の回転による遠心力を受けて基板の周縁部に向けて流れる。これにより、基板の周縁部が処理液により液処理される。
また、回転台の回転および処理液の供給に並行して、第１の移動磁石および前記回転台の相対位置を第１の位置に配置すると共に第２の移動磁石および前記回転台の相対位置を第４の位置に配置する（第１の磁石配置工程）。これにより、基板は、支持部が保持位置に付勢される可動ピン群（第１および第２の可動ピン群の一方）に含まれる少なくとも３本の可動ピンによって支持される。

さらに、回転台の回転および処理液の供給に並行して、第１の移動磁石および前記回転台の相対位置を第２の位置に配置すると共に第２の移動磁石および前記回転台の相対位置を第３の位置に配置する（第２の磁石配置工程）。これにより、基板は、支持部が保持位置に付勢される可動ピン群（第１および第２の可動ピン群の他方）に含まれる少なくとも３本の可動ピンによって支持される。

したがって、基板を回転させながら基板の主面に処理液を供給する処理液供給工程において、可動ピンによる基板の接触支持位置を変化させることができる。そのため、基板の周縁部の全域に処理液を供給することが可能であり、これにより、基板の周縁部を、処理残りなく良好に処理することができる。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。 図２は、前記基板処理装置に備えられた処理ユニットの構成例を説明するための図解的な断面図である。 図３は、前記基板処理装置に備えられたスピンチャックの、より具体的な構成を説明するための平面図である。 図４は、図３の構成の底面図である。 図５は、図３の切断面線V−Vから見た断面図である。 図６は、図５の構成の一部を拡大して示す拡大断面図である。 図７は、スピンチャックに備えられた可動ピンの近傍の構成を拡大して示す断面図である。 図８Ａ−８Ｂは、第１の開放永久磁石の昇降動作に伴う、第１の可動ピン群に含まれる可動ピンの状態を示す模式的な図である。 図９Ａ−９Ｂは、第２の開放永久磁石の昇降動作に伴う、第２の可動ピン群に含まれる可動ピンの状態を示す模式的な図である。 図１０Ａ−１０Ｂは、第１の可動ピン群および第２の可動ピン群の状態を示す模式的な図である。 図１１Ａ−１１Ｂは、第１の可動ピン群および第２の可動ピン群の状態を示す模式的な図である。 図１２Ａ−１２Ｂは、第１の可動ピン群および第２の可動ピン群の状態を示す模式的な図である。 図１３Ａ−１３Ｂは、第１の可動ピン群および第２の可動ピン群の状態を示す模式的な図である。 図１４Ａ−１４Ｂは、第１の可動ピン群および第２の可動ピン群の状態を示す模式的な図である。 図１５Ａ−１５Ｂは、第１の可動ピン群および第２の可動ピン群の状態を示す模式的な図である。 図１６は、前記基板処理装置の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。 図１７は、前記基板処理装置によって実行される処理液処理の一例を説明するための流れ図である。 図１８は、前記処理液処理を説明するためのタイムチャートである。 図１９Ａ−１９Ｂは、前記処理液処理の一例を説明するための図解的な図である。 図１９Ｃ−１９Ｄは、図１９Ｂに続く工程を説明するための図解的な図である。 図１９Ｅ−１９Ｆは、図１９Ｄに続く工程を説明するための模式的な図である。 図１９Ｇは、図１９Ｆに続く工程を説明するための図解的な図である。 図１９Ｈは、図１９Ｇに続く工程を説明するための図解的な図である。 図１９Ｉ−１９Ｊは、図１９Ｈに続く工程を説明するための模式的な図である。 図１９Ｋは、図１９Ｊに続く工程を説明するための模式的な図である。 図２０Ａ−２０Ｂは、可動ピンが保持位置にあるとき、および可動ピンが開放位置にあるときのそれぞれにおける、処理液の回り込み状態を示す図である。 図２０Ｃは、基板の周縁部における、処理液および不活性ガスの流れを示す断面図である。 図２１は、本発明の第２の実施形態に係る処理ユニットの構成例を説明するための図解的な断面図である。 図２２は、前記処理ユニットに備えられたスピンチャックの円環状のカバーの構成例を説明するための断面図である。 図２３は、前記スピンチャックの、より具体的な構成を説明するための平面図である。 図２４Ａ−２４Ｂは、保護ディスクの昇降動作に伴う、第１の可動ピン群に含まれる可動ピンの状態を示す模式的な図である。 図２５Ａ−２５Ｂは、保護ディスクの昇降動作に伴う、第２の可動ピン群に含まれる可動ピンの状態を示す模式的な図である。 図２６は、前記基板処理装置によって実行される処理液処理の一例を説明するための流れ図である。 図２７Ａは、前記基板処理装置によって実行される処理液処理の一例を説明するための図解的な図である。 図２７Ｂは、図２７Ａに続く工程を説明するための図解的な図である。 図２７Ｃは、図２７Ｂに続く工程を説明するための図解的な図である。 図２７Ｄは、図２７Ｃに続く工程を説明するための図解的な図である。 図２７Ｅは、図２７Ｄに続く工程を説明するための模式的な図である。 図２７Ｆは、図２７Ｅに続く工程を説明するための模式的な図である。 図２７Ｇは、図２７Ｆに続く工程を説明するための図解的な図である。 図２７Ｈは、図２７Ｇに続く工程を説明するための図解的な図である。 図２７Ｉは、図２７Ｈに続く工程を説明するための模式的な図である。 図２７Ｊは、図２７Ｉに続く工程を説明するための模式的な図である。 図２７Ｋは、図２７Ｊに続く工程を説明するための模式的な図である。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置１の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。
基板処理装置１は、半導体ウエハ（半導体基板）からなる円板状の基板Ｗを、処理液や処理ガスによって一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、複数のキャリアＣを保持するロードポートＬＰと、基板Ｗの姿勢を上下反転させる反転ユニットＴＵと、基板Ｗを処理する複数の処理ユニット２とを含む。ロードポートＬＰおよび処理ユニット２は、水平方向に間隔を空けて配置されている。反転ユニットＴＵは、ロードポートＬＰと処理ユニット２との間で搬送される基板Ｗの搬送経路上に配置されている。

基板処理装置１は、図１に示すように、さらに、ロードポートＬＰと反転ユニットＴＵとの間に配置されたインデクサロボットＩＲと、反転ユニットＴＵと処理ユニット２との間に配置されたセンターロボットＣＲと、基板処理装置１に備えられた装置の動作やバルブの開閉を制御する制御ユニット３とを含む。インデクサロボットＩＲは、ロードポートＬＰに保持されているキャリアＣから反転ユニットＴＵに複数枚の基板Ｗを一枚ずつ搬送し、反転ユニットＴＵからロードポートＬＰに保持されているキャリアＣに複数枚の基板Ｗを一枚ずつ搬送する。同様に、センターロボットＣＲは、反転ユニットＴＵから処理ユニット２に複数枚の基板Ｗを一枚ずつ搬送し、処理ユニット２から反転ユニットＴＵに複数枚の基板Ｗを一枚ずつ搬送する。センターロボットＣＲは、さらに、複数の処理ユニット２の間で基板Ｗを搬送する。

インデクサロボットＩＲは、基板Ｗを水平に支持するハンドＨ１を備えている。インデクサロボットＩＲは、ハンドＨ１を水平に移動させる。さらに、インデクサロボットＩＲは、ハンドＨ１を昇降させ、当該ハンドＨ１を鉛直軸線まわりに回転させる。同様に、センターロボットＣＲは、基板Ｗを水平に支持するハンドＨ２を備えている。センターロボットＣＲは、ハンドＨ２を水平に移動させる。さらに、センターロボットＣＲは、ハンドＨ２を昇降させ、当該ハンドＨ２を鉛直軸線まわりに回転させる。

キャリアＣには、デバイス形成面である基板Ｗの表面Ｗａが上に向けられた状態（上向き姿勢）で基板Ｗが収容されている。制御ユニット３は、インデクサロボットＩＲによって、表面Ｗａ（図２等参照）が上向きの状態でキャリアＣから反転ユニットＴＵに基板Ｗを搬送させる。そして、制御ユニット３は、反転ユニットＴＵによって、基板Ｗを反転させる。これにより、基板Ｗの裏面Ｗｂ（図２等参照）が上に向けられる。その後、制御ユニット３は、センターロボットＣＲによって、裏面Ｗｂが上向きの状態で反転ユニットＴＵから処理ユニット２に基板Ｗを搬送させる。そして、制御ユニット３は、処理ユニット２によって基板Ｗの裏面Ｗｂを処理させる。

基板Ｗの裏面Ｗｂが処理された後は、制御ユニット３は、センターロボットＣＲによって、裏面Ｗｂが上向きの状態で処理ユニット２から反転ユニットＴＵに基板Ｗを搬送させる。そして、制御ユニット３は、反転ユニットＴＵによって基板Ｗを反転させる。これにより、基板Ｗの表面Ｗａが上に向けられる。その後、制御ユニット３は、インデクサロボットＩＲによって、表面Ｗａが上向きの状態で反転ユニットＴＵからキャリアＣに基板Ｗを搬送させる。これにより、処理済みの基板ＷがキャリアＣに収容される。制御ユニット３は、インデクサロボットＩＲ等にこの一連動作を繰り返し実行させることにより、複数枚の基板Ｗを一枚ずつ処理させる。

図２は、基板処理装置１に備えられた処理ユニット２の構成例を説明するための図解的な断面図である。図３は、基板処理装置１に備えられたスピンチャック５の、より具体的な構成を説明するための平面図である。図４は、図３の構成の底面図である。図５は、図３の切断面線V−Vから見た断面図である。図６は、図５の構成の一部を拡大して示す拡大断面図である。図７は、スピンチャック５に備えられた可動ピン１１０の近傍の構成を拡大して示す断面図である。

図２に示すように、処理ユニット２は、内部空間を有する箱形の処理チャンバー４と、処理チャンバー４内で一枚の基板Ｗを水平な姿勢で保持して、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック（基板保持回転装置）５と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面（裏面（一方主面）Ｗｂ）に向けて、薬液（処理液）の一例としてのオゾン含有フッ酸溶液（以下、ＦＯＭという）を供給するための薬液供給ユニット（処理液供給ユニット）７と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面にリンス液（処理液）としての水を供給するための水供給ユニット（処理液供給ユニット）８と、基板Ｗの上面に接触して当該上面をスクラブ洗浄するための洗浄ブラシ１０と、洗浄ブラシ１０を駆動するための洗浄ブラシ駆動ユニット１１と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの下面（表面（他方主面）Ｗａ）に保護気体としての不活性ガスを供給するための保護気体供給ユニット１２と、スピンチャック５を取り囲む筒状の処理カップ（図示しない）とを含む。

図２に示すように、処理チャンバー４は、箱状の隔壁（図示しない）と、隔壁の上部から隔壁内（処理チャンバー４内に相当）に清浄空気を送る送風ユニットとしてのＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット。図示しない）と、隔壁の下部から処理チャンバー４内の気体を排出する排気装置（図示しない）とを含む。ＦＦＵおよび排気装置により、処理チャンバー４内にダウンフロー（下降流）が形成される。

図２に示すように、スピンチャック５は、鉛直方向に沿う回転軸線Ａ１のまわりに回転可能な回転台１０７を備えている。回転台１０７の回転中心の下面にボス１０９を介して回転軸１０８が結合されている。回転軸１０８は、中空軸であって、鉛直方向に沿って延びており、回転駆動ユニット１０３からの駆動力を受けて、回転軸線Ａ１まわりに回転するように構成されている。回転駆動ユニット１０３は、たとえば、回転軸１０８を駆動軸とする電動モータであってもよい。

図２に示すように、スピンチャック５は、さらに、回転台１０７の上面の周縁部に周方向に沿ってほぼ等間隔を開けて設けられた複数本（この実施形態では６本）の可動ピン１１０を備えている。各可動ピン１１０は、ほぼ水平な上面を有する回転台１０７から一定の間隔を開けた上方の基板保持高さにおいて、基板Ｗを水平に保持するように構成されている。すなわち、スピンチャック５に備えられる保持ピンは、全て可動ピン１１０である。

回転台１０７は、水平面に沿った円盤状に形成されていて、回転軸１０８に結合されたボス１０９に結合されている。
図３に示すように、各可動ピン１１０は、回転台１０７の上面の周縁部に周方向に沿って等間隔に配置されている。６本の可動ピン１１０は、互いに隣り合わない３本の可動ピン１１０ごとに、対応する駆動用永久磁石１５６Ａ，１５６Ｂの磁極方向が共通する一つの群に設定されている。換言すると、６本の可動ピン１１０は、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０と、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０とを含む。第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０に対応する第１の駆動用永久磁石１５６Ａの磁極方向と、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０に対応する第２の駆動用永久磁石１５６Ｂの磁極方向とは、回転軸線Ａ３に直交する方向に関し互いに異なっている。第１の可動ピン群１１１に含まれる可動ピン１１０と、第２の可動ピン群１１２に含まれる可動ピン１１０とは、回転台１０７の周方向に関し交互に配置されている。第１の可動ピン群１１１に着目すれば、３本の可動ピン１１０は等間隔（１２０°間隔）に配置されている。また、第２の可動ピン群１１２に着目すれば、３本の可動ピン１１０は等間隔（１２０°間隔）に配置されている。

各可動ピン１１０は、回転台１０７に結合された下軸部１５１と、下軸部１５１の上端に一体的に形成された上軸部（支持部）１５２とを含み、下軸部１５１および上軸部１５２がそれぞれ円柱形状に形成されている。上軸部１５２は、下軸部１５１の中心軸線から偏心して設けられている。下軸部１５１の上端と上軸部１５２の下端との間をつなぐ表面は、上軸部１５２から下軸部１５１の周面に向かって下降するテーパ面１５３を形成している。

図７に示すように、各可動ピン１１０は、下軸部１５１がその中心軸線と同軸の回転軸線Ａ３まわりに回転可能であるように回転台１０７に結合されている。より詳細には、下軸部１５１の下端部には、回転台１０７に対して軸受け１５４を介して支持された支持軸１５５が設けられている。支持軸１５５の下端には、駆動用永久磁石（第１および第２の駆動用磁石）１５６Ａ，１５６Ｂを保持した磁石保持部材１５７が結合されている。駆動用永久磁石１５６Ａ，１５６Ｂは、たとえば、磁極方向を可動ピン１１０の回転軸線Ａ３に対して直交する方向に向けて配置されている。第１の駆動用永久磁石１５６Ａは、第１の可動ピン群１１１に含まれる可動ピン１１０に対応する駆動用永久磁石である。第２の駆動用永久磁石１５６Ｂは、第２の可動ピン群１１１に含まれる可動ピン１１０に対応する駆動用永久磁石である。第１の駆動用永久磁石１５６Ａおよび第２の駆動用永久磁石１５６Ｂは、当該駆動用永久磁石１５６Ａ，１５６Ｂに対応する可動ピン１１０に外力が付与されていない状態で、回転軸線Ａ３に直交する方向（回転軸線に沿う軸線に直交する方向）に関し互いに逆向きの等しい磁極方向を有するように設けられている。第１の駆動用永久磁石１５６Ａおよび第２の駆動用永久磁石１５６Ａは、回転台１０７の周方向に関し交互に配置されている。

回転台１０７には、可動ピン１１０の数と同数の閉塞永久磁石１２１，１２２が設けられている。閉塞永久磁石１２１，１２２は、可動ピン１１０に１対１対応で設けられており、対応する可動ピン１１０に隣接して配置されている。この実施形態では、図３および図４に示すように、閉塞永久磁石１２１，１２２は、対応する可動ピン１１０の周囲において、可動ピン１１０の平面視での中心位置よりも、回転軸線Ａ１から離反する方向に寄って配置されている。各閉塞永久磁石１２１，１２２は、対応する磁石保持部材１５７に隣接して設けられた磁石保持部材１２３に収容されている。

複数の閉塞永久磁石１２１，１２２は、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０に対応する３つの第１の閉塞永久磁石（第１の付勢用磁石）１２１と、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０に対応する３つの第２の閉塞永久磁石（第２の付勢用磁石）１２２とを含む。換言すると、第１の閉塞永久磁石１２１は、第１の駆動用永久磁石１５６Ａに対応し、第２の閉塞永久磁石１２２は、第２の駆動用永久磁石１５６Ｂに対応している。第１の閉塞永久磁石１２１および第２の駆動用永久磁石１５６Ａは、回転台１０７の周方向に関し交互に配置されている。第１の閉塞永久磁石１２１および第２の閉塞永久磁石１２２は回転台１０７に対して昇降不能に設けられている。

前述のように、第１の駆動用永久磁石１５６Ａおよび第２の駆動用永久磁石１５６Ｂは、回転軸線Ａ３に直交する方向に関し互いに逆向きの等しい磁極方向を有するように設けられている。第１の閉塞永久磁石１２１および第２の閉塞永久磁石１２２は、対応する駆動用永久磁石１５６Ａ，１５６Ｂに磁力を付与して、対応する可動ピン１１０の上軸部１５２を保持位置に付勢するために設けられている。したがって、第１の閉塞永久磁石１２１および第２の閉塞永久磁石１２２も、回転軸線Ａ３に直交する方向に関し互いに逆向きの等しい磁極方向を有するように設けられている。

第１の駆動用永久磁石１５６Ａは、第１の閉塞永久磁石１２１からの吸引磁力を受け、上軸部１５２を回転軸線Ａ１に近づいた保持位置へと移動させている。つまり、第１の可動ピン群１１１に含まれる可動ピン１１０の上軸部１５２は、第１の閉塞永久磁石１２１の吸引磁力により保持位置へと付勢されている。
第２の駆動用永久磁石１５６Ｂは、第２の閉塞永久磁石１２２からの吸引磁力を受け、上軸部１５２を回転軸線Ａ１に近づいた保持位置へと移動させている。つまり、第２の可動ピン群１１２に含まれる可動ピン１１０の上軸部１５２は、第２の閉塞永久磁石１２２の吸引磁力により保持位置へと付勢されている。したがって、駆動用永久磁石１５６Ａ，１５６Ｂが次に述べる開放永久磁石１２５，１２７からの吸引磁力を受けないときには、回転軸線Ａ１から離れた保持位置に可動ピン１１０が位置している。

図２に示すように、回転台１０７の下方には、第１の開放永久磁石（第１の昇降磁石）１２５および第２の開放永久磁石（第２の昇降磁石）１２７が設けられている。第１の開放永久磁石１２５および第２の開放永久磁石１２７の磁極方向は、ともに上下方向に沿う方向であるが互いに逆向きである。第１の開放永久磁石１２５の上面がたとえばＮ極である場合には、第２の開放永久磁石１２７の上面は逆極性のＳ極を有している。

この実施形態では、第１の開放永久磁石１２５および第２の開放永久磁石１２７はそれぞれ３つずつ（可動ピン群１１１，１１２に含まれる可動ピン１１０の数と同数）設けられている。３つの第１の駆動用永久磁石１５６Ａおよび３つの第２の駆動用永久磁石１５６Ａは、平面視で、回転台１０７の周方向に関し交互に配置されている。
３つの第１の開放永久磁石１２５は、回転軸線Ａ１を中心とする円弧状をなし、互いに共通の高さ位置でかつ回転台１０７の周方向に間隔を空けて配置されている。３つの第１の開放永久磁石１２５は、互いに等しい諸元を有しており、回転軸線Ａ１と同軸の円周上において周方向に等間隔を空けて配置されている。各第１の開放永久磁石１２５は、回転軸線Ａ１に直交する平面（水平面）に沿って配置されている。

第１の開放永久磁石１２５は、回転軸線Ａ１と同軸の円環状に形成されていて、回転軸線Ａ１に直交する平面（水平面）に沿って配置されている。第１の開放永久磁石１２５は、より具体的には、回転軸線Ａ１に対して、後述する第１の浮上用磁石１６０よりも遠く、かつ駆動用永久磁石１５６Ａ，１５６Ｂよりも近い位置に配置されている。
各第１の開放永久磁石１２５の周方向長さ(角度)は、約６０°である。各第１の開放永久磁石１２５の周方向長さ(角度)を約６０°とした理由は、後述するように基板Ｗを液処理速度（たとえば約５００ｒｐｍ）で回転させたときに、回転台１０７の回転に伴って回転する駆動用永久磁石１５６Ａ，１５６Ｂが通過する環状領域に、全周環状の磁界発生領域１２９Ａ（図１３Ａ参照）を形成するように設定したものである。

第１の開放永久磁石１２５には、当該複数の第１の開放永久磁石１２５を一括して昇降させる第１の昇降ユニット（第１の相対移動ユニット）１２６が連結されている。第１の昇降ユニット１２６は、たとえば、上下方向に伸縮可能に設けられたシリンダを含む構成であり、当該シリンダによって支持されている。また、第１の昇降ユニット１２６が、電動モータを用いて構成されていてもよい。また、第１の昇降ユニット１２６は第１の開放永久磁石１２５を個別に昇降させるようにしてもよい。

第１の開放永久磁石１２５は、第１の駆動用永久磁石１５６Ａとの間に吸引磁力を発生させ、当該吸引磁力により、第１の可動ピン群１１１に含まれる可動ピン１１０の上軸部１５２を、開放位置へと付勢するための磁石である。第１の開放永久磁石１２５が、磁極が第１の駆動用永久磁石１５６Ａに対して上下方向に接近する上位置（第１の位置。図８Ｂおよび図１９Ａ参照）に配置され、かつ、第１の開放永久磁石１２５が第１の駆動用永久磁石１５６Ａに横方向に対向する状態では、第１の開放永久磁石１２５と第１の駆動用永久磁石１５６Ａとの間に磁力（吸引磁力）が作用する。

３つの第２の開放永久磁石１２７は、回転軸線Ａ１を中心とする円弧状をなし、互いに共通の高さ位置でかつ回転台１０７の周方向に間隔を空けて配置されている。３つの第２の開放永久磁石１２７は、互いに等しい諸元を有しており、回転軸線Ａ１と同軸の円周上において周方向に等間隔を空けて配置されている。各第２の開放永久磁石１２７は、回転軸線Ａ１に直交する平面（水平面）に沿って配置されている。

第２の開放永久磁石１２７は、回転軸線Ａ１と同軸の円環状に形成されていて、回転軸線Ａ１に直交する平面（水平面）に沿って配置されている。第２の開放永久磁石１２７は、より具体的には、回転軸線Ａ１に対して、後述する第１の浮上用磁石１６０よりも遠く、かつ駆動用永久磁石１５６Ａ，１５６Ｂよりも近い位置に配置されている。
各第２の開放永久磁石１２７の周方向長さ(角度)は、約６０°である。各第２の開放永久磁石１２７の周方向長さ(角度)を約６０°とした理由は、後述するように基板Ｗを液処理速度（たとえば約５００ｒｐｍ）で回転させたときに、回転台１０７の回転に伴って回転する駆動用永久磁石１５６Ａ，１５６Ｂが通過する環状領域に、全周環状の磁界発生領域１２９Ｂ（図１３Ｂ参照）を形成するように設定したものである。

第２の開放永久磁石１２７には、当該複数の第２の開放永久磁石１２７を一括して昇降させる第２の昇降ユニット（第２の相対移動ユニット）１２８が連結されている。第２の昇降ユニット１２８は、たとえば、上下方向に伸縮可能に設けられたシリンダを含む構成であり、当該シリンダによって支持されている。また、第２の昇降ユニット１２８が、電動モータを用いて構成されていてもよい。また、第２の昇降ユニット１２８は第２の開放永久磁石１２７を個別に昇降させるようにしてもよい。

第２の開放永久磁石１２７は、第２の駆動用永久磁石１５６Ｂとの間に吸引磁力を発生させ、当該吸引磁力により、第２の可動ピン群１１２に含まれる可動ピン１１０の上軸部１５２を、開放位置へと付勢するための磁石である。第２の開放永久磁石１２７が、磁極が第２の駆動用永久磁石１５６Ｂに対して上下方向に接近する上位置（第３の位置。図９Ｂおよび図１９Ａ参照）に配置され、かつ、第２の開放永久磁石１２７が第２の駆動用永久磁石１５６Ｂに横方向に対向する状態では、第２の開放永久磁石１２７と第２の駆動用永久磁石１５６Ｂとの間に磁力（吸引磁力）が作用する。

第１の開放永久磁石１２５および第２の開放永久磁石１２７をそれぞれ第１の昇降ユニット１２６および第２の昇降ユニット１２８を用いて昇降させる。そのため、第１の開放永久磁石１２５および第２の開放永久磁石１２７を互いに独立して行うことができる。
図２に示すように、スピンチャック５は、さらに、回転台１０７の上面と可動ピン１１０による基板保持高さとの間に配置された保護ディスク１１５を備えている。保護ディスク１１５は、回転台１０７に対して上下動可能に結合されており、回転台１０７の上面に近い下位置と、当該下位置よりも上方において可動ピン１１０に保持された基板Ｗの下面に微小間隔を開けて接近した接近位置との間で移動可能である。保護ディスク１１５は、基板Ｗよりも僅かに大径の大きさを有する円盤状の部材であって、可動ピン１１０に対応する位置には当該可動ピン１１０を回避するための切り欠き１１６が形成されている。

回転軸１０８は、中空軸であって、その内部に、不活性ガス供給管１７０が挿通されている。不活性ガス供給管１７０の下端には不活性ガス供給源からの、保護気体の一例としての不活性ガスを導く不活性ガス供給路１７２が結合されている。不活性ガス供給路１７２に導かれる不活性ガスとして、ＣＤＡ（低湿度の清浄空気）や窒素ガス等の不活性ガスを例示できる。不活性ガス供給路１７２の途中には、不活性ガスバルブ１７３および不活性ガス流量調整バルブ１７４が介装されている。不活性ガスバルブ１７３は、不活性ガス供給路１７２を開閉する。不活性ガスバルブ１７３を開くことによって、不活性ガス供給管１７０へと不活性ガスが送り込まれる。この不活性ガスは、後述する構成によって、保護ディスク１１５と基板Ｗの下面との間の空間に供給される。このように、不活性ガス供給管１７０、不活性ガス供給路１７２および不活性ガスバルブ１７３などによって、前述の保護気体供給ユニット１２が構成されている。

保護ディスク１１５は、基板Ｗと同程度の大きさを有するほぼ円盤状の部材である。保護ディスク１１５の周縁部には、可動ピン１１０に対応する位置に、可動ピン１１０の外周面から一定の間隔を確保して当該可動ピン１１０を縁取るように切り欠き１１６が形成されている。保護ディスク１１５の中央領域には、ボス１０９に対応した円形の開口が形成されている。

図３および図５に示すように、ボス１０９よりも回転軸線Ａ１から遠い位置には、保護ディスク１１５の下面に、回転軸線Ａ１と平行に鉛直方向に延びたガイド軸１１７が結合されている。ガイド軸１１７は、この実施形態では、保護ディスク１１５の周方向に等間隔を開けた３箇所に配置されている。より具体的には、回転軸線Ａ１から見て、１本おきの可動ピン１１０に対応する角度位置に３本のガイド軸１１７がそれぞれ配置されている。ガイド軸１１７は、回転台１０７の対応箇所に設けられたリニア軸受け１１８と結合されており、このリニア軸受け１１８によって案内されながら、鉛直方向、すなわち回転軸線Ａ１に平行な方向へ移動可能である。したがって、ガイド軸１１７およびリニア軸受け１１８は、保護ディスク１１５を回転軸線Ａ１に平行な上下方向に沿って案内する案内ユニット１１９を構成している。

ガイド軸１１７は、リニア軸受け１１８を貫通しており、その下端に、外向きに突出したフランジ１２０を備えている。フランジ１２０がリニア軸受け１１８の下端に当接することにより、ガイド軸１１７の上方への移動、すなわち保護ディスク１１５の上方への移動が規制される。すなわち、フランジ１２０は、保護ディスク１１５の上方への移動を規制する規制部材である。

ガイド軸１１７よりも回転軸線Ａ１から遠い外方であって、かつ可動ピン１１０よりも回転軸線Ａ１に近い内方の位置には、第１の浮上用磁石１６０を保持した磁石保持部材１６１が、保護ディスク１１５の下面に固定されている。第１の浮上用磁石１６０は、この実施形態では、磁極方向を上下方向に向けて磁石保持部材１６１に保持されている。たとえば、第１の浮上用磁石１６０は、下側にＳ極を有し、上側にＮ極を有するように磁石保持部材１６１に固定されていてもよい。磁石保持部材１６１は、この実施形態では、周方向に等間隔を開けて６箇所に設けられている。より具体的には、回転軸線Ａ１から見て、隣り合う可動ピン１１０の間（この実施形態では中間）に対応する角度位置に、各磁石保持部材１６１が配置されている。さらに、回転軸線Ａ１からみて６個の磁石保持部材１６１によって分割（この実施形態では等分）される６個の角度領域のうち、一つおきの角度領域内（この実施形態では当該角度領域の中央位置）に、３本のガイド軸１１７がそれぞれ配置されている。

図４に示すように、回転台１０７には、６個の磁石保持部材１６１に対応する６箇所に、貫通孔１６２が形成されている。各貫通孔１６２は、対応する磁石保持部材１６１をそれぞれ回転軸線Ａ１と平行な鉛直方向に挿通させることができるように形成されている。保護ディスク１１５が下位置にあるとき、磁石保持部材１６１は貫通孔１６２を挿通して回転台１０７の下面よりも下方に突出しており、第１の浮上用磁石１６０は、回転台１０７の下面よりも下方に位置している。

回転台１０７の下方には、保護ディスク１１５を浮上させるための第２の浮上用磁石１２９が設けられている。第２の浮上用磁石１２９は、回転軸線Ａ１と同軸の円環状に形成されていて、回転軸線Ａ１に直交する平面（水平面）に沿って配置されている。第２の浮上用磁石１２９は、回転軸線Ａ１に対して、第１および第２の開放永久磁石１２５，１２７よりも近い位置に配置されている。つまり、平面視において、第１および第２の開放永久磁石１２５，１２７よりも内径側に位置している。また、第２の浮上用磁石１２９は、第１の浮上用磁石１６０よりも低い位置に配置されている。第２の浮上用磁石１２９の磁極方向は、この実施形態では、水平方向、すなわち回転台１０７の回転半径方向に沿っている。第１の浮上用磁石１６０が下面にＳ極を有する場合には、第２の浮上用磁石１２９は、回転半径方向内方に同じ磁極、すなわちＳ極をリング状に有するように構成される。

第２の浮上用磁石１２９には、当該第２の浮上用磁石１２９を昇降させる第３の昇降ユニット（第３の相対移動ユニット）１３０が連結されている。第３の昇降ユニット１３０は、たとえば、上下方向に伸縮可能に設けられたシリンダを含む構成であり、当該シリンダによって支持されている。また、第３の昇降ユニット１３０が、電動モータを用いて構成されていてもよい。

第２の浮上用磁石１２９が上位置（図１９Ｂ参照）にあるとき、第２の浮上用磁石１２９と第１の浮上用磁石１６０との間に反発磁力が働き、第１の浮上用磁石１６０は、上向きの外力を受ける。それによって、保護ディスク１１５は、第１の浮上用磁石１６０を保持している磁石保持部材１６１から上向きの力を受けて、基板Ｗの下面に接近した接近位置に保持される。

第２の浮上用磁石１２９が、上位置から下方に離間する下位置（図１９Ａ参照）に配置された状態では、第２の浮上用磁石１２９と第１の浮上用磁石１６０との間の反発磁力は小さく、そのため、保護ディスク１１５は、自重によって回転台１０７の上面に近い下位置に保持される。
そのため、第２の浮上用磁石１２９が下位置にあるとき、保護ディスク１１５は回転台１０７の上面に近い下位置にあり、可動ピン１１０はその開放位置に保持されることになる。この状態では、スピンチャック５に対して基板Ｗを搬入および搬出するセンターロボットＣＲは、そのハンドＨ２を保護ディスク１１５と基板Ｗの下面との間の空間に進入させることができる。

この実施形態では、保護ディスク１１５昇降の専用の昇降ユニット（第３の昇降ユニット１３０）を設けている。そのため、第２の浮上用磁石１２９の昇降動作を、第１の開放永久磁石１２５の昇降動作および第２の開放永久磁石１２７の昇降動作のそれぞれと独立して行うことができる。このことはすなわち、保護ディスク１１５の上下位置によらずに、第１の開放永久磁石１２５の昇降動作および第２の開放永久磁石１２７の昇降動作を実現できることを意味する。

図６に拡大して示すように、回転軸１０８の上端に結合されたボス１０９は、不活性ガス供給管１７０の上端部を支持するための軸受けユニット１７５を保持している。軸受けユニット１７５は、ボス１０９に形成された凹所１７６に嵌め込まれて固定されたスペーサ１７７と、スペーサ１７７と不活性ガス供給管１７０との間に配置された軸受け１７８と、同じくスペーサ１７７と不活性ガス供給管１７０との間において軸受け１７８よりも上方に設けられた磁性流体軸受け１７９とを備えている。

図５に示すように、ボス１０９は、水平面に沿って外方に突出したフランジ１８１を一体的に有しており、このフランジ１８１に回転台１０７が結合されている。さらに、フランジ１８１には、回転台１０７の内周縁部を挟み込むように前述のスペーサ１７７が固定されていて、このスペーサ１７７に、カバー１８４が結合されている。カバー１８４は、ほぼ円盤状に形成されており、不活性ガス供給管１７０の上端を露出させるための開口を中央に有し、この開口を底面とした凹所１８５がその上面に形成されている。凹所１８５は、水平な底面と、その底面の周縁から外方に向かって斜め上方に立ち上がった倒立円錐面状の傾斜面１８３とを有している。凹所１８５の底面には、整流部材１８６が結合されている。整流部材１８６は、回転軸線Ａ１のまわりに周方向に沿って間隔を開けて離散的に配置された複数個（たとえば４個）の脚部１８７を有し、この脚部１８７によって凹所１８５の底面から間隔をあけて配置された底面１８８を有している。底面１８８の周縁部から、外方に向かって斜め上方へと延びた倒立円錐面からなる傾斜面１８９が形成されている。

図５および図６に示すように、カバー１８４の上面外周縁には外向きにフランジ１８４ａが形成されている。このフランジ１８４ａは、保護ディスク１１５の内周縁に形成された段差部１１５ａと整合するようになっている。すなわち、保護ディスク１１５が基板Ｗの下面に接近した接近位置にあるとき、フランジ１８４ａと段差部１１５ａとが合わさり、カバー１８４の上面と保護ディスク１１５の上面とが同一平面内に位置して、平坦な不活性ガス流路を形成する。

このような構成により、不活性ガス供給管１７０の上端から流出する不活性ガスは、カバー１８４の凹所１８５内において整流部材１８６の底面１８８によって区画された空間に出る。この不活性ガスは、さらに、凹所１８５の傾斜面１８３および整流部材１８６の傾斜面１８９によって区画された放射状の流路１８２を介して、回転軸線Ａ１から離れる放射方向に向かって吹き出されることになる。この不活性ガスは、保護ディスク１１５と可動ピン１１０によって保持された基板Ｗの下面との間の空間に不活性ガスの気流を形成し、当該空間から基板Ｗの回転半径方向外方へ向かって吹き出す。

図５に示すように、保護ディスク１１５の上面の周縁部および保護ディスク１１５の周端は、円環状の円環カバー１９１によって保護されている。円環カバー１９１は、上面の周縁部から径方向外方に向けて水平方向に張り出す円環板部１９２と、円環板部１９２の周端から垂下する円筒部１９３とを含む。円環板部１９２の外周は、回転台１０７の周端よりも外方に位置している。円環板部１９２および円筒部１９３は、たとえば、耐薬性を有する樹脂材料を用いて一体に形成されている。円環板部１９２の内周の、可動ピン１１０に対応する位置には、該可動ピン１１０を回避するための切り欠き１９４が形成されている。切り欠き１９４は、可動ピン１１０の外周面から一定の間隔を確保して当該可動ピン１１０を縁取るように形成されている。円環板部１９２および円筒部１９３は、たとえば、耐薬性を有する樹脂材料を用いて一体に形成されている。

円環カバー１９１の円環板部１９２は、可動ピン１１０によって保持された基板Ｗの周縁部において不活性ガスの流路を絞る絞り部１９０（図２０Ｃ参照）を上面に有している。この絞り部１９０によって、円環カバー１９１と基板Ｗの下面との間の空間から外方に吹き出される不活性ガス流の流速が高速になるので、基板Ｗの上面の処理液（薬液やリンス液）が基板Ｗの下面の周縁部よりも内側に進入することを確実に回避または抑制することができる。

図２に示すように、薬液供給ユニット１３は、ＦＯＭ（薬液）を基板Ｗの上面に向けて吐出する薬液ノズル６と、薬液ノズル６が先端部に取り付けられたノズルアーム２１と、ノズルアーム２１を移動させることにより、薬液ノズル６を移動させるノズル移動ユニット２２とを含む。
薬液ノズル６は、たとえば、連続流の状態でＦＯＭを吐出するストレートノズルであり、たとえば基板Ｗの上面に垂直な方向にＦＯＭを吐出する垂直姿勢でノズルアーム２１に取り付けられている。ノズルアーム２１は水平方向に延びており、スピンチャック５の周囲で鉛直方向に延びる所定の揺動軸線（図示しない）まわりに旋回可能に設けられている。

薬液供給ユニット１３は、薬液ノズル６にＦＯＭを案内する薬液配管１４と、薬液配管１４を開閉する薬液バルブ１５とを含む。薬液バルブ１５が開かれると、ＦＯＭ供給源からのＦＯＭが、薬液配管１４から薬液ノズル６に供給される。これにより、ＦＯＭが、薬液ノズル６から吐出される。
ノズル移動ユニット２２は、揺動軸線まわりにノズルアーム２１を旋回させることにより、平面視で基板Ｗの上面中央部を通る軌跡に沿って薬液ノズル６を水平に移動させる。ノズル移動ユニット２２は、薬液ノズル６から吐出されたＦＯＭが基板Ｗの上面に着液する処理位置と、薬液ノズル６が平面視でスピンチャック５の周囲に設定されたホーム位置との間で、薬液ノズル６を水平に移動させる。さらに、ノズル移動ユニット２２は、薬液ノズル６から吐出されたＦＯＭが基板Ｗの上面中央部に着液する中央位置と、薬液ノズル６から吐出されたＦＯＭが基板Ｗの上面周縁部に着液する周縁位置との間で、薬液ノズル６を水平に移動させる。中央位置および周縁位置は、いずれも処理位置である。

なお、薬液ノズル６は、吐出口が基板Ｗの上面の所定位置（たとえば中央部）に向けて固定的に配置された固定ノズルであってもよい。
図２に示すように、水供給ユニット８は水ノズル４１を含む。水ノズル４１は、たとえば、連続流の状態で液を吐出するストレートノズルであり、スピンチャック５の上方で、その吐出口を基板Ｗの上面の中央部に向けて固定的に配置されている。水ノズル４１には、水供給源からの水が供給される水配管４２が接続されている。水配管４２の途中部には、水ノズル４１からの水の供給／供給停止を切り換えるための水バルブ４３が介装されている。水バルブ４３が開かれると、水配管４２から水ノズル４１に供給された連続流の水が、水ノズル４１の下端に設定された吐出口から吐出される。また、水バルブ４３が閉じられると、水配管４２から水ノズル４１への水の供給が停止される。水は、たとえば脱イオン水（ＤＩＷ）である。ＤＩＷに限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水および希釈濃度（たとえば、１０ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかであってもよい。

なお、水ノズル４１は、それぞれ、スピンチャック５に対して固定的に配置されている必要はなく、たとえば、スピンチャック５の上方において水平面内で揺動可能なアームに取り付けられて、このアームの揺動により基板Ｗの上面における水の着液位置がスキャンされる、いわゆるスキャンノズルの形態が採用されてもよい。
洗浄ブラシ１０は、たとえばＰＶＡ（ポリビニルアルコール）からなるスポンジ状のスクラブ部材であり、円柱状をなしている。洗浄ブラシ１０は、その下面に、平坦状の洗浄面１０ａを有している。洗浄面１０ａが、基板Ｗの上面と接触する接触面として機能する。

洗浄ブラシ駆動ユニット１１は、洗浄ブラシ１０を先端部に保持する揺動アーム４７と、揺動アーム４７を駆動するためのアーム駆動ユニット４８とを含む。アーム駆動ユニット４８は、揺動アーム４７を、鉛直方向に延びる揺動軸線Ａ２回りに揺動させたり、揺動アーム４７を上下動させたりすることができるように構成されている。この構成により、基板Ｗがスピンチャック５に保持されて回転しているときに、洗浄ブラシ１０を、基板Ｗの上方の位置と、スピンチャック５の側方に設定されたホーム位置との間で水平に移動させることができる。

さらに、洗浄ブラシ１０の洗浄面１０ａを基板Ｗの上面（裏面Ｗｂ）に押し付け、洗浄ブラシ１０の押付け位置を、基板Ｗの中央部と、基板Ｗの周縁部との間で基板Ｗの半径方向に移動(スキャン)させることもできる。
このスクラブ洗浄の際に、水ノズル４１から水（たとえば純水（deionized water：脱
イオン水））が供給されることによって、基板Ｗの裏面Ｗｂの異物が取れやすくなり、また、洗浄ブラシ１０によって擦り落とされた異物を基板Ｗ外へと排出することができる。

図７を参照して前述したように、可動ピン１１０は、回転軸線Ａ２から偏心した位置に上軸部１５２を有している。すなわち、上軸部１５２の中心軸線Ｂは回転軸線Ａ２からずれている。したがって、下軸部１５１の回転により、上軸部１５２は、（中心軸線Ｂが）回転軸線Ａ１から離れた遠い開放位置（後述する図８Ａおよび図９Ａ参照）と、中心軸線Ｂが）回転軸線Ａ１に近づいた保持位置（後述する図８Ｂおよび図９Ｂ参照）との間で変位することになる。可動ピン１１０の上軸部１５２は、ばね等の弾性押圧部材（図示しない）の弾性押圧力によって開放位置へと付勢されている。可動ピン１１０が開放位置に位置する状態では、基板Ｗの周端面と所定のギャップが形成される。

図８Ａ，８Ｂは、第１の開放永久磁石１２５の昇降動作に伴う、第１の可動ピン群１１１に含まれる可動ピン１１０の状態を示す模式的な図である。図９Ａ，９Ｂは、第２の開放永久磁石１２７の昇降動作に伴う、第２の可動ピン群１１２に含まれる可動ピン１１０の状態を示す模式的な図である。図８Ａでは、第１の開放永久磁石１２５が下位置（第２の位置）にある状態を示し、図８Ｂでは、第１の開放永久磁石１２５が上位置にある状態を示す。図９Ａでは、第２の開放永久磁石１２７が下位置にある状態を示し、図８Ｂでは、第２の開放永久磁石１２７が上位置にある状態を示す。

第１の開放永久磁石１２５と第１の駆動用永久磁石１５６Ａとの角度位置が揃った状態であっても、図８Ａに示すように、第１の開放永久磁石１２５が下位置にある状態では、第１の開放永久磁石１２５からの磁力が第１の駆動用永久磁石１５６Ａに作用しない。そのため、第１の可動ピン群１１１に含まれる可動ピン１１０は保持位置に位置している。この状態で、第１の駆動用永久磁石１５６Ａは、たとえばＮ極が回転台１０７の径方向の内方に向き、かつＳ極が回転台１０７の径方向の外方に向くように配置されている。

図８Ａに示す状態から、第１の開放永久磁石１２５を上昇させ、上位置に配置する。第１の開放永久磁石１２５の上面が第１の駆動用永久磁石１５６Ａに接近することにより、第１の駆動用永久磁石１５６Ａに吸引磁力が発生し、第１の駆動用永久磁石１５６Ａと第１の開放永久磁石１２５との間に吸引力が発生する。第１の開放永久磁石１２５が上位置に配置された状態において、第１の駆動用永久磁石１５６Ａに働く吸引磁力の大きさは、第１の閉塞永久磁石１２１からの吸引磁力（付勢力）を大きく上回っており、これにより、上軸部１５２が回転軸線Ａ１に近づいた保持位置から、回転軸線Ａ１（図２参照）から離反した開放位置へと移動する。これにより、第１の可動ピン群１１１に含まれる可動ピン１１０が開放位置へと付勢される。この状態では、図８Ｂに示すように、第１の駆動用永久磁石１５６Ａは、たとえばＳ極が回転台１０７の径方向の内方に向き、かつＮ極が回転台１０７の径方向の外方に向くように配置されている。

第２の開放永久磁石１２７と第２の駆動用永久磁石１５６Ｂとの角度位置が揃った状態であっても、図９Ａに示すように、第２の開放永久磁石１２７が下位置（第４の位置）にある状態では、第２の開放永久磁石１２７からの磁力が第２の駆動用永久磁石１５６Ｂに作用しない。そのため、第２の可動ピン群１１２に含まれる可動ピン１１０は保持位置に位置している。この状態で、第２の駆動用永久磁石１５６Ｂは、たとえばＳ極が回転台１０７の径方向の内方に向き、かつＮ極が回転台１０７の径方向の外方に向くように配置されている。

図９Ａに示す状態から、第２の開放永久磁石１２７を上昇させ、上位置に配置する。第２の開放永久磁石１２７の上面が第２の駆動用永久磁石１５６Ｂに接近することにより、第２の駆動用永久磁石１５６Ｂに吸引磁力が発生し、第２の駆動用永久磁石１５６Ｂと第２の開放永久磁石１２７との間に吸引力が発生する。第２の開放永久磁石１２７が上位置に配置された状態において、第２の駆動用永久磁石１５６Ｂに働く吸引磁力の大きさは、第２の閉塞永久磁石１２２からの吸引磁力（付勢力）を大きく上回っており、これにより、上軸部１５２が回転軸線Ａ１に近づいた保持位置から、回転軸線Ａ１（図２参照）から離反した開放位置へと移動する。これにより、第２の可動ピン群１１２に含まれる可動ピン１１０が開放位置へと付勢される。この状態では、図９Ｂに示すように、第２の駆動用永久磁石１５６Ｂは、たとえばＮ極が回転台１０７の径方向の内方に向き、かつＳ極が回転台１０７の径方向の外方に向くように配置されている。

図１０Ａ〜図１５Ｂは、第１の可動ピン群１１１および第２の可動ピン群１１２の状態を示す模式的な図である。図１０Ａ，１１Ａ，１２Ａ，１３Ａ，１４Ａ，１５Ａには、駆動用永久磁石１５６Ａ，１５６Ｂ、開放永久磁石１２５，１２７および開放永久磁石１２５，１２７の状態を示し、図１０Ｂ，１１Ｂ，１２Ｂ，１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂには、各可動ピン１１０の開閉状況を示す。

図１０Ａ，１０Ｂには、第１および第２の開放永久磁石１２５，１２７が共に上位置にある状態を示し、図１１Ａ，１１Ｂには、第１および第２の開放永久磁石１２５，１２７が共に下位置にある状態を示す。図１２Ａ〜１３Ｂには、第１の開放永久磁石１２５が上位置にありかつ第２の開放永久磁石１２７が下位置にある状態が示されているが、図１２Ａ，１２Ｂは回転台１０７の非回転状態であり、図１３Ａ，１３Ｂは、回転台１０７の回転状態である。図１４Ａ〜１５Ｂには、第２の開放永久磁石１２７が上位置にありかつ第１の開放永久磁石１２５が下位置にある状態が示されているが、図１４Ａ，１４Ｂは回転台１０７の非回転状態であり、図１５Ａ，１５Ｂは、回転台１０７の回転状態である。

開放永久磁石１２５，１２７は、回転台１０７の周方向に６０°の等間隔で配置されている。また、可動ピン１１０も６０°等間隔で配置されている。したがって、図１０Ｂ，１１Ｂ，１２Ｂ，１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂに示すように、各第１の開放永久磁石１２５と各第１の駆動用永久磁石１５６Ａとの角度位置が揃い（互いに対向し）、かつ各第２の開放永久磁石１２７と、各第２の駆動用永久磁石１５６Ｂとの角度位置が揃う（互いに対向する）対向状態を作り出すことができる。

この対向状態において、図１０Ａ，１０Ｂに示すように、第１および第２の開放永久磁石１２５，１２７を共に上位置に配置した状態では、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０、および第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０のいずれも、すなわち６本の可動ピン１１０の全てが開放位置（ｏｐｅｎ）に配置されている。

前記の対向状態において、図１１Ａ，１１Ｂに示すように、第１および第２の開放永久磁石１２５，１２７を共に下位置に配置した状態では、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０、および第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０のいずれも、すなわち６本の可動ピン１１０の全てが保持位置（ｃｌｏｓｅ）に配置されている。

前記の対向状態において、図１２Ａ，１２Ｂに示すように、第１の開放永久磁石１２５を上位置に配置しかつ第２の開放永久磁石１２７を下位置に配置した状態では、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０は開放位置（ｏｐｅｎ）に配置され、かつ第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０は保持位置（ｃｌｏｓｅ）に配置される。

図１２Ａ，１２Ｂの状態から、回転台１０７を回転させた状態を考える。回転台１０７の回転速度は、液処理速度（たとえば約５００ｒｐｍ）とする。回転台１０７の回転状態では、回転台１０７の回転に伴って回転する駆動用永久磁石１５６Ａ，１５６Ｂが通過する環状領域に、磁界発生領域１２９Ａ（図１３Ａ参照）が形成される。この磁界発生領域１２９Ａの周方向長さ（角度）は、対応する第１の開放永久磁石１２５の周方向長さ（角度）よりも長くなる。第１の開放永久磁石１２５の周方向長さ（角度）が６０°であり、しかも、第１の開放永久磁石１２５が回転台１０７の周方向に３つ設けられているので、基板Ｗを液処理速度（たとえば約５００ｒｐｍ）で回転方向Ｄｒに向けて回転させたときには、回転台１０７の回転に伴って回転する駆動用永久磁石１５６Ａ，１５６Ｂが通過する環状領域に、図１３Ａ，１３Ｂに示すように、全周環状の磁界発生領域１２９Ａ（図１３Ａ参照）が形成される。

磁界発生領域１２９Ａ（図１３Ａ参照）が全周環状をなしているので、回転台１０７の回転姿勢によらずに、第１の開放永久磁石１２５からの吸引磁力が第１の駆動用永久磁石１５６Ａに作用する。そのため、回転台１０７の回転状態において、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０は開放位置（ｏｐｅｎ）に配置される。第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０は、無論保持位置（ｃｌｏｓｅ）に配置される。このとき、基板Ｗは、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０によって支持され、良好に回転される。

前記の対向状態において、図１４Ａ，１４Ｂに示すように、第２の開放永久磁石１２７を上位置に配置しかつ第１の開放永久磁石１２５を下位置に配置した状態では、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０は開放位置（ｏｐｅｎ）に配置され、かつ第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０は保持位置（ｃｌｏｓｅ）に配置される。

図１４Ａ，１４Ｂの状態から、回転台１０７を回転させた状態を考える。回転台１０７の回転速度は、液処理速度（たとえば約５００ｒｐｍ）とする。回転台１０７の回転状態では、回転台１０７の回転に伴って回転する駆動用永久磁石１５６Ａ，１５６Ｂが通過する環状領域に、磁界発生領域１２９Ｂ（図１５Ａ参照）が形成される。この磁界発生領域１２９Ｂの周方向長さ（角度）は、対応する第２の開放永久磁石１２７の周方向長さ（角度）よりも長くなる。第２の開放永久磁石１２７の周方向長さ（角度）が６０°であり、しかも、第２の開放永久磁石１２７が回転台１０７の周方向に３つ設けられているので、基板Ｗを液処理速度（たとえば約５００ｒｐｍ）で回転方向Ｄｒに向けて回転させたときには、回転台１０７の回転に伴って回転する駆動用永久磁石１５６Ａ，１５６Ｂが通過する環状領域に、図１５Ａ，１５Ｂに示すように、全周環状の磁界発生領域１２９Ｂ（図１５Ａ参照）が形成される。

磁界発生領域１２９Ｂ（図１５Ａ参照）が全周環状をなしているので、回転台１０７の回転姿勢によらずに、第２の開放永久磁石１２７からの吸引磁力が第２の駆動用永久磁石１５６Ｂに作用する。そのため、回転台１０７の回転状態において、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０は開放位置（ｏｐｅｎ）に配置される。第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０は、無論保持位置（ｃｌｏｓｅ）に配置される。このとき、基板Ｗは、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０によって支持され、良好に回転される。

このように、基板Ｗの回転状態において、制御ユニット３が、第１の昇降ユニット１２６および第２の昇降ユニット１２８を制御して、第１の開放永久磁石１２５を上位置に配置しかつ第２の開放永久磁石１２７を下位置に配置した状態（図１３Ａ，１３Ｂ参照）と、第２の開放永久磁石１２７を上位置に配置しかつ第１の開放永久磁石１２５を下位置に配置した状態（図１５Ａ，１５Ｂ参照）とを切り換えることにより、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗが接触支持されている状態と、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗが接触支持されている状態とを切り換えることができる。

図１６は、基板処理装置１の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。
制御ユニット３は、予め定められたプログラムに従って、回転駆動ユニット１０３、ノズル移動ユニット２２、アーム駆動ユニット４８、第１〜第３の昇降ユニット１２６，１２８，１３０等の動作を制御する。さらに、制御ユニット３は、薬液バルブ１５、水バルブ４３、不活性ガスバルブ１７３、不活性ガス流量調整バルブ１７４等の開閉動作等を制御する。

図１７は、処理ユニット２によって実行される処理液処理としての洗浄処理の一例を説明するための流れ図である。図１８は、処理液処理を説明するためのタイムチャートである。図１９Ａ〜１９Ｋは、前記処理液処理の一例を説明するための図解的な図である。図２０Ａ，２０Ｂは、可動ピン１１０が保持位置にあるとき、および可動ピン１１０が開放位置にあるときのそれぞれにおける、処理液の回り込み状態を示す図である。図２０Ｃは、基板Ｗの周縁部における、処理液および不活性ガスの流れを示す断面図である。

この処理液処理について、図１、図２〜図７、図１７および図１８を参照しながら説明する。また、図１９Ａ〜１９Ｋおよび図２０Ａ〜２０Ｃについては適宜参照する。
処理ユニット２は、たとえば、アニール装置や成膜装置等の前処理装置で処理された後の基板Ｗ（以下、「未洗浄基板」という場合がある。）Ｗを処理対象としている。基板Ｗの一例として円形のシリコン基板を挙げることができる。処理ユニット２は、たとえば、基板Ｗにおける表面Ｗａ（他方主面。デバイス形成面）と反対側の裏面Ｗｂ（一方主面。デバイス非形成面）を洗浄する。

未洗浄基板Ｗが収容されたキャリアＣは、前処理装置から基板処理装置１に搬送され、ロードポートＬＰに載置される。キャリアＣには、基板Ｗの表面Ｗａを上に向けた状態で基板Ｗが収容されている。制御ユニット３は、インデクサロボットＩＲによって、表面Ｗａが上向きの状態でキャリアＣから反転ユニットＴＵに基板Ｗを搬送させる。そして、制御ユニット３は、搬送されてきた基板Ｗを、反転ユニットＴＵによって反転させる（Ｓ１：基板反転）。これにより、基板Ｗの裏面Ｗｂが上に向けられる。その後、制御ユニット３は、センターロボットＣＲのハンドＨ２によって、反転ユニットＴＵから基板Ｗを取り出し、その裏面Ｗｂを上方に向けた状態で処理ユニット２内に搬入させる（ステップＳ２）。

基板Ｗの搬入に先立って、薬液ノズル６は、スピンチャック５の側方に設定されたホーム位置に退避させられている。また、洗浄ブラシ１０も、スピンチャック５の側方に設定されたホーム位置に退避させられている。各第１の開放永久磁石１２５と各第１の駆動用永久磁石１５６Ａとの角度位置が互いに対向し、かつ各第２の開放永久磁石１２７と、各第２の駆動用永久磁石１５６Ｂとの角度位置が互いに対向する対向状態となるように、回転台１０７の回転方向姿勢が決められている。また、第１の開放永久磁石１２５および第２の開放永久磁石１２７はともに上位置に配置されている。このとき、図１０Ａ，１０Ｂに示す状態となる。この状態では、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０、および第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０のいずれも、すなわち６本の可動ピン１１０の全てが開放位置に配置されている。

また、第２の浮上用磁石１２９が下位置に配置されており、そのため第２の浮上用磁石１２９が回転台１０７から下方に大きく離れているので、第２の浮上用磁石１２９と第１の浮上用磁石１６０との間に働く反発磁力は小さい。そのため、保護ディスク１１５は回転台１０７の上面に近接した下位置に位置している。よって、可動ピン１１０による基板保持高さと保護ディスク１１５の上面との間には、センターロボットＣＲのハンドＨ２が入り込むことができる十分な空間が確保されている。

センターロボットＣＲのハンドＨ２は、可動ピン１１０の上端よりも高い位置で基板Ｗを保持した状態で当該基板Ｗをスピンチャック５の上方まで搬送する。その後、センターロボットＣＲのハンドＨ２は、図１９Ａに示すように、回転台１０７の上面に向かって下降する。
次いで、制御ユニット３は、第１および第２の昇降ユニット１２６，１２８を制御して、第１の開放永久磁石１２５および第２の開放永久磁石１２７を下位置に向けて下降し、下位置のまま保持する（ステップＳ３）。このとき、図１０Ａ，１０Ｂに示す状態となる。したがって、それによって、全ての可動ピン１１０が開放位置から保持位置へと駆動されて、その保持位置に保持される。これにより、６本の可動ピン１１０によって基板Ｗが握持される。基板Ｗは、その表面Ｗａを下方に向け、かつその裏面Ｗｂを上方に向けた状態でスピンチャック５に保持される。

その後、センターロボットＣＲのハンドＨ２は、可動ピン１１０の間を通ってスピンチャック５の側方へと退避していく。
また、制御ユニット３は、第３の昇降ユニット１３０を制御して、図１９Ｂに示すように、第２の浮上用磁石１２９を上位置に向けて上昇させる。それらの浮上用磁石１２９，１６０の間の距離が縮まり、それに応じて、それらの間に働く反発磁力が大きくなる。この反発磁力によって、保護ディスク１１５が回転台１０７の上面から基板Ｗに向かって浮上する。そして、第１の開放永久磁石１２５が上位置に達すると、保護ディスク１１５が基板Ｗの表面Ｗａ（下面）に微小間隔を開けて接近した接近位置に達し、ガイド軸１１７の下端に形成されたフランジ１２０がリニア軸受け１１８に当接する。これにより、保護ディスク１１５は、前記接近位置に保持されることになる。この状態で、制御ユニット３は不活性ガスバルブ１７３を開き、図１９Ｂに示すように、不活性ガスの供給を開始する（Ｓ４：不活性ガス供給開始）。供給された不活性ガスは、不活性ガス供給管１７０の上端から吐出され、整流部材１８６等の働きによって、接近位置にある保護ディスク１１５と基板Ｗの表面Ｗａ（下面）との間の狭空間に向かって、回転軸線Ａ１を中心とした放射状に吹き出される。

その後、制御ユニット３は、回転駆動ユニット１０３を制御して、回転台１０７の回転を開始し（回転台回転工程）、これによって、図１９Ｃに示すように基板Ｗを回転軸線Ａ１まわりに回転させる（ステップＳ５）。基板Ｗの回転速度は、予め定める液処理速度（３００〜１５００ｒｐｍの範囲内で、たとえば５００ｒｐｍ）まで上昇させられ、その液処理速度に維持される。

基板Ｗの回転速度が液処理速度に達した後、制御ユニット３は、図１９Ｃに示すようにＦＯＭを基板Ｗの裏面Ｗｂに供給するＦＯＭ供給工程（処理液供給工程。ステップＳ６）を行う。ＦＯＭ供給工程（Ｓ６）では、制御ユニット３は、ノズル移動ユニット２２を制御することにより、薬液ノズル６をホーム位置から中央位置に移動させる。これにより、薬液ノズル６が基板Ｗの中央部の上方に配置される。薬液ノズル６が基板Ｗの上方に配置された後、制御ユニット３は、薬液バルブ１５を開くことにより、薬液ノズル６の吐出口からＦＯＭが吐出され、基板Ｗの裏面Ｗｂの中央部に着液する。基板Ｗの裏面Ｗｂの中央部に供給されたＦＯＭは、基板Ｗの回転による遠心力を受けて、基板Ｗの裏面Ｗｂを周縁部に向けて放射状に広がる。そのため、基板Ｗの裏面Ｗｂの全域にＦＯＭが行き渡らせることができる。

ＦＯＭ供給工程（Ｓ６）では、ＦＯＭに含まれるオゾンの酸化作用により、シリコン基板である基板Ｗの裏面Ｗｂにシリコン酸化膜が形成される。また、ＦＯＭに含まれるフッ酸の酸化膜エッチング作用により、基板Ｗの裏面Ｗｂに形成されている傷（欠け、凹み等）が除去され、また、基板Ｗの裏面Ｗｂから異物（パーティクル、不純物、当該基板Ｗの裏面Ｗｂの剥れ等）も除去される。

ＦＯＭ供給工程（Ｔ６）において、不活性ガス供給管１７０の上端から吐出された不活性ガスは、整流部材１８６等の働きによって、接近位置にある保護ディスク１１５と基板Ｗの表面Ｗａ（下面）との間の狭空間に向かって、回転軸線Ａ１を中心とした放射状に吹き出される。この不活性ガスは、図２０Ｃに示すように、さらに、保護ディスク１１５の周縁部に配置された円環カバー１９１の円環板部１９２に形成された絞り部１９０（第１の段部１９０ａおよび第２の段部１９０ｂ）と基板Ｗの周縁部との間に形成されるオリフィスによって加速され、基板Ｗの側方に高速の吹き出し気流を形成する。この実施形態では、保護ディスク１１５を用いた基板Ｗの表面Ｗａ（下面）に対する不活性ガスの供給により、基板Ｗの表面Ｗａ（下面）への処理液（薬液やリンス液）の回り込みを完全に防止するのではなく、基板Ｗの表面Ｗａ（下面）の周縁領域（基板Ｗの周端から１．０ｍｍ程度の微小範囲）のみ処理液をあえて回り込ませ、当該表面Ｗａ（下面）の周縁領域を洗浄している。そして、高速の吹き出し気流を形成することにより、その回り込み量を精度良く制御している。この回り込み量は、基板Ｗの上面への処理液の供給流量、基板Ｗの下面への不活性ガスの供給流量、基板Ｗの回転速度等に依存している。

また、ＦＯＭ供給工程（Ｓ６）では、当該工程の実行中に、基板Ｗを３本の可動ピン１１０で支持する。さらに、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗを接触支持している状態と、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗを接触支持している状態とを切り換える。
具体的には、ＦＯＭの吐出開始から所定の期間が経過すると、制御ユニット３は、第１の昇降ユニット１２６を制御して、図１９Ｄに示すように、それまで下位置にあった第１の開放永久磁石１２５を上位置に向けて上昇させ、当該上位置に保持する。これにより、第１の開放永久磁石１２５を上位置に配置しかつ第２の開放永久磁石１２７を下位置に配置した状態（図１３Ａ，１３Ｂ参照）となり、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０がそれまでの保持位置から開放位置に配置される。これにより、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗが接触支持されている状態になる（第１の磁石配置工程）。

第１の開放永久磁石１２５の上昇から所定の期間（たとえば１０秒間）が経過すると、制御ユニット３は、第１の昇降ユニット１２６を制御して、図１９Ｃに示すように、第１の開放永久磁石１２５を下位置に向けて下降させ、当該下位置に保持する。これにより、第１の開放永久磁石１２５および第２の開放永久磁石１２７をともに下位置に配置した状態となり、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０が開放位置へと復帰し、これにより、再び、合計６本の可動ピン１１０によって基板Ｗが接触支持されている状態になる。

第１の開放永久磁石１２５の下降から所定の期間（たとえば３秒間）が経過すると、制御ユニット３は、第２の昇降ユニット１２８を制御して、図１９Ｅに示すように、それまで下位置にあった第２の開放永久磁石１２７を上位置に向けて上昇させ、当該上位置に保持する。これにより、第２の開放永久磁石１２７を上位置に配置しかつ第１の開放永久磁石１２５を下位置に配置した状態（図１５Ａ，１５Ｂ参照）となり、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０がそれまでの保持位置から開放位置に配置される。これにより、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗが接触支持されている状態になる（第２の磁石配置工程）。

第２の開放永久磁石１２７の上昇から所定の期間（たとえば１０秒間）が経過すると、制御ユニット３は、第２の昇降ユニット１２８を制御して、第２の開放永久磁石１２７を下位置に向けて下降させ、当該下位置に保持する。これにより、第１の開放永久磁石１２５および第２の開放永久磁石１２７をともに下位置に配置した状態となり、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０が開放位置へと復帰し、これにより、再び、合計６本の可動ピン１１０によって基板Ｗが接触支持されている状態になる。

このように、第１の可動ピン群１１１のみによる基板Ｗの接触支持している状態と、第２の可動ピン群１１２のみによる基板Ｗの接触支持している状態とを切り換えることにより、ＦＯＭ供給工程（Ｓ６）において、回転状態にある基板の基板Ｗの周縁部における可動ピン１１０の接触支持位置を変化させることができる。
基板Ｗにおける可動ピン１１０の所期の支持位置（周方向の６か所）におけるＦＯＭの回り込みについて検討する。可動ピン１１０が保持位置に位置する状態では、基板Ｗの上面に供給されたＦＯＭは、図２０Ａに示すように、基板Ｗの周端面に接触する上軸部１５２と干渉する。そのため、所期の支持位置（周方向の６か所）において可動ピン１１０が保持位置に位置する状態では、基板Ｗの上面に供給されたＦＯＭを基板Ｗの周端面を介して基板Ｗの下面の周縁領域に回り込ませることはできない。

一方、可動ピン１１０が開放位置に位置する状態では、図２０Ｂに示すように、基板Ｗの周端面と所定のギャップが形成されている。このギャップを介して基板Ｗの上面に供給されたＦＯＭを基板Ｗの周端面を介して基板Ｗの下面の周縁領域に回り込ませることができる。
ＦＯＭの吐出開始から所定の期間が経過すると、ＦＯＭ供給工程（Ｓ６）が終了する。具体的には、制御ユニット３は、薬液バルブ１５を閉じて、薬液ノズル６からのＦＯＭの吐出を停止させる。また、制御ユニット３は、薬液ノズル６を中央位置からホーム位置に移動させる。これにより、薬液ノズル６が基板Ｗの上方から退避させられる。

ＦＯＭ供給工程（Ｓ６）における前述の説明では、第１の可動ピン群１１１のみによる基板Ｗの支持と、第２の可動ピン群１１２のみによる基板Ｗの支持とを、１回ずつ行う場合を説明したが、ＦＯＭ供給工程（Ｓ６）において、これらの可動ピン群１１１，１１２の一方による支持を複数回行うようにしてもよい。
ＦＯＭ供給工程（Ｓ６）の終了に引き続いて、リンス液である水が基板Ｗの裏面Ｗｂに供給開始される（Ｓ７；リンス工程。処理液供給工程）。

具体的には、制御ユニット３は、水バルブ４３を開いて、図１９Ｆに示すように、基板Ｗの裏面Ｗｂの中央部に向けて水ノズル４１から水を吐出させる。水ノズル４１から吐出された水は、ＦＯＭによって覆われている基板Ｗの裏面Ｗｂの中央部に着液する。基板Ｗの裏面Ｗｂの中央部に着液した水は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの裏面Ｗｂ上を基板Ｗの周縁部に向けて流れ、基板Ｗの裏面Ｗｂの全域へと広がる。そのため、基板Ｗ上のＦＯＭが、水によって外方に押し流され、基板Ｗの周囲に排出される。これにより、基板Ｗの裏面Ｗｂに付着したＦＯＭが水に置換される。

また、リンス工程（Ｓ７）では、当該工程の実行中に、基板Ｗを３本の可動ピン１１０で支持する。さらに、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗを接触支持している状態と、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗを接触支持している状態とを切り換える。
具体的には、水の吐出開始から所定の期間が経過すると、制御ユニット３は、第１の昇降ユニット１２６を制御して、図１９Ｇに示すように、それまで下位置にあった第１の開放永久磁石１２５を上位置に向けて上昇させ、当該上位置に保持する。これにより、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗが接触支持されている状態になる（第１の磁石配置工程）。

第１の開放永久磁石１２５の上昇から所定の期間（たとえば１０秒間）が経過すると、制御ユニット３は、第１の昇降ユニット１２６を制御して、図１９Ｆに示すように、第１の開放永久磁石１２５を下位置に向けて下降させ、当該下位置に保持する。これにより、再び、合計６本の可動ピン１１０によって基板Ｗが接触支持されている状態になる。
第１の開放永久磁石１２５の下降から所定の期間（たとえば３秒間）が経過すると、制御ユニット３は、第２の昇降ユニット１２８を制御して、図１９Ｈに示すように、それまで下位置にあった第２の開放永久磁石１２７を上位置に向けて上昇させ、当該上位置に保持する。これにより、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗが接触支持されている状態になる（第２の磁石配置工程）。

第２の開放永久磁石１２７の上昇から所定の期間（たとえば１０秒間）が経過すると、制御ユニット３は、第２の昇降ユニット１２８を制御して、開放永久磁石１２７を下位置に向けて下降させ、当該下位置に保持する。これにより、再び、合計６本の可動ピン１１０によって基板Ｗが接触支持されている状態になる。
このように、第１の可動ピン群１１１のみによる基板Ｗの接触支持している状態と、第２の可動ピン群１１２のみによる基板Ｗの接触支持している状態とを切り換えることにより、リンス工程（Ｓ７）において、回転状態にある基板の基板Ｗの周縁部における可動ピン１１０の接触支持位置を変化させることができる。

基板Ｗにおける可動ピン１１０の所期の支持位置（周方向の６か所）における水の回り込みについて検討する。可動ピン１１０が保持位置に位置する状態では、基板Ｗの上面に供給された水は、図２０Ａに示すように、基板Ｗの周端面に接触する上軸部１５２と干渉する。そのため、所期の支持位置（周方向の６か所）において可動ピン１１０が保持位置に位置する状態では、基板Ｗの上面に供給された水を基板Ｗの周端面を介して基板Ｗの下面の周縁領域に回り込ませることはできない。

一方、可動ピン１１０が開放位置に位置する状態では、図２０Ｂに示すように、基板Ｗの周端面と所定のギャップが形成されている。このギャップを介して基板Ｗの上面に供給された水を基板Ｗの周端面を介して基板Ｗの下面の周縁領域に回り込ませることができる。これにより、基板Ｗの周端面や基板Ｗの下面の周縁領域に付着したＦＯＭを洗い流すことができる。

リンス工程（Ｓ７）における前述の説明では、第１の可動ピン群１１１のみによる基板Ｗの支持と、第２の可動ピン群１１２のみによる基板Ｗの支持とを、１回ずつ行う場合を説明したが、リンス工程（Ｓ７）において、これらの可動ピン群１１１，１１２の一方による支持を複数回行うようにしてもよい。
水の吐出開始から、所定の期間が経過すると、制御ユニット３は、アーム駆動ユニット４８を制御して、図１９Ｆに示すように、洗浄ブラシ１０による基板Ｗの裏面Ｗｂのスクラブ洗浄を実行する（Ｓ８：ブラシ洗浄工程。処理液供給工程）。これにより、基板Ｗの裏面Ｗｂに対して、水を供給しながら洗浄ブラシ１０によるスクラブ洗浄が行われる。具体的には、制御ユニット３は、アーム駆動ユニット４８を制御して、揺動アーム４７を揺動軸線Ａ２周りに揺動させて、洗浄ブラシ１０をホーム位置から基板Ｗの上方へ配置させるとともに、洗浄ブラシ１０を降下させて、洗浄ブラシ１０の洗浄面１０ａを基板Ｗの裏面Ｗｂに押し付ける。そして、制御ユニット３は、図１９Ｇに示すようにアーム駆動ユニット４８を制御して、洗浄ブラシ１０の押付け位置を、基板Ｗの中央部と、基板Ｗの周縁部との間で移動（スキャン）させる。これにより、洗浄ブラシ１０の押付け位置が基板Ｗの裏面Ｗｂの全域を走査し、基板Ｗの裏面Ｗｂの全域が洗浄ブラシ１０によりスクラブされる。ブラシ洗浄工程（Ｓ８）では、ＦＯＭ供給工程（Ｓ６）で剥離された異物が、洗浄ブラシ１０によるスクラブによりにより掻き取られる。そして、洗浄ブラシ１０により掻き取られた異物は、水により洗い流される。これにより、剥離された異物を基板Ｗの裏面Ｗｂから除去できる。

洗浄ブラシ１０の往動が予め定める回数（たとえば４回）行われた後、制御ユニット３は、アーム駆動ユニット４８を制御して、洗浄ブラシ１０をスピンチャック５の上方からホーム位置に戻す。これにより、ブラシ洗浄工程（Ｓ８）は終了する。また、制御ユニット３は、水バルブ４３を開いたままの状態に維持する。これにより、リンス液である水が基板Ｗの裏面Ｗｂに供給され、洗浄ブラシ１０により掻き取られた異物が基板Ｗ外に排出される（図１９Ｉ参照。Ｓ９：最終リンス工程。処理液供給工程）。

また、リンス工程（Ｓ７）において説明した、第１の可動ピン群１１１のみによる基板Ｗの支持、および第２の可動ピン群１１２のみによる基板Ｗの支持、１回ずつ行う場合を説明したが、このような支持は、リンス工程（Ｓ７）、ブラシ洗浄工程（Ｓ８）および最終リンス工程（Ｓ９）の少なくとも一工程で行われればよい。無論３つ全ての工程で行っても良いし、これらの工程のうち２つの工程で行うようにしてもよい。

水の供給開始から所定の期間が経過すると、制御ユニット３は、水バルブ４３を閉じて、水ノズル４１からの水の吐出を停止させる。また、制御ユニット３は、保護液バルブ４５を閉じて、不活性ガス供給管１７０からの不活性ガスの吐出を停止させる。また、制御ユニット３は、第１の昇降ユニット１２６を制御して、第１の開放永久磁石１２５を下位置まで下降させる。これ以降は、基板Ｗは６本の可動ピン１１０によって挟持され、これにより基板Ｗが強固に保持される。

次に、基板Ｗを乾燥させるスピンドライ工程（ステップＳ１０）が行われる。具体的には、制御ユニット３は、回転駆動ユニット１７を制御することにより、図１９Ｊに示すように、ＦＯＭ供給工程（Ｓ６）から最終リンス工程（Ｓ９）までの回転速度よりも大きい乾燥回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）まで基板Ｗを加速させ、乾燥回転速度で基板Ｗを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板Ｗ上の液体に加わり、基板Ｗに付着している液体が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、基板Ｗから液体が除去され、基板Ｗが乾燥する。このとき、基板Ｗは６本の可動ピン１１０で把持されているので、基板Ｗを強固に保持しながら高速回転させることができる。

そして、基板Ｗの高速回転が開始されてから所定の期間が経過すると、制御ユニット３は、回転駆動ユニット１７を制御することにより、スピンチャック５による基板Ｗの回転を停止させる（ステップＳ１１）。
その後、制御ユニット３は、第３の昇降ユニット１３０を制御することにより、第２の浮上用磁石１２９を下方位置へと下降させる（ステップＳ１２）。これにより、第２の浮上用磁石１２９と第１の浮上用磁石１６０との間の距離が広がり、それらの間の磁気反発力が減少していく。それに伴い、保護ディスク１１５は、回転台１０７の上面に向かって降下していく。これにより、保護ディスク１１５の上面と基板Ｗの表面Ｗａ（下面）との間には、センターロボットＣＲのハンドＨ２を進入させることができるだけの空間が確保される。

また、制御ユニット３は、第１および第２の昇降ユニット１２６，１２８を制御して、第１の開放永久磁石１２５および第２の開放永久磁石１２７をそれぞれ上位置へと上昇させ、上位置で保持させる。これにより、６本の可動ピン１１０の全てが開放位置に配置され、これによって、基板Ｗの握持が解除される。
次に、処理チャンバー４内から基板Ｗが搬出される（ステップＳ１３）。具体的には、制御ユニット３は、全てのノズル等がスピンチャック５の上方から退避している状態で、センターロボットＣＲを制御し、図１９Ｋに示すように、ハンドＨ２を保護ディスク１１５と基板Ｗの表面Ｗａ（下面）との間に確保された空間に進入させる。そして、ハンドＨ２は、可動ピン１１０に保持されている基板Ｗをすくい取り、その後に、スピンチャック５の側方へと退避する。これにより、洗浄処理済みの基板Ｗが処理チャンバー４から搬出される。

制御ユニット３は、センターロボットＣＲのハンドＨ２によって、洗浄処理済みの基板Ｗを反転ユニットＴＵに搬送させる。そして、制御ユニット３は、搬送されてきた基板Ｗを、反転ユニットＴＵによって反転させる（ステップＳ１４）。これにより、基板Ｗの表面Ｗａが上に向けられる。その後、制御ユニット３は、インデクサロボットＩＲのハンドＨ１によって、反転ユニットＴＵから基板Ｗを取り出し、洗浄処理済みの基板Ｗを、その表面Ｗａを上に向けた状態でキャリアＣに収容する。洗浄処理済みの基板Ｗが収容されたキャリアＣは、基板処理装置１から、露光装置等の後処理装置に向けて搬送される。

以上により、この実施形態によれば、回転台１０７の回転および処理液の供給（図１１のＳ６〜Ｓ９）に並行して、基板Ｗを３本の可動ピン１１０で支持し、さらに、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗを接触支持している状態と、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗを接触支持している状態とを切り換える。２つの可動ピン群１１１，１１２によって基板Ｗを持ち換えることができ、これにより、基板Ｗにおける可動ピン１１０による接触支持位置を変化させることができる。そのため、基板Ｗの周縁部の全域に処理液（ＦＯＭ、水）を供給することが可能であり、これにより、基板Ｗの周縁部を、処理液を用いて処理残りなく良好に処理することができる。

また、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置１は、次に述べる２つの点で、特開２００８−１３５７５０号公報に開示された基板処理装置と相違している。
１つ目の点について説明する。特開２００８−１３５７５０号公報では、磁石（磁石１５２ｂおよび磁石１６２ｂ）が上下方向に沿う磁極方向を有している。また、磁石（磁石１５２ｂおよび磁石１６２ｂ）と、第１ピン（第１ピン１２２，１２４，１２６）および第２ピン（第２ピン１３２，１３４，１３６）とがカム機構を介して連結されている。すなわち、第１ピンおよび第２ピンを開閉駆動させるための構成が非常に複雑である。

これに対し、第１の実施形態では、第１の駆動用永久磁石１５６Ａおよび第２の駆動用永久磁石１５６Ｂが、回転軸線Ａ１に沿う軸線に直交する方向に関し磁極方向を有している。また、第１の駆動用永久磁石１５６Ａおよび第２の駆動用永久磁石１５６Ｂが可動ピン１１０の支持軸１５５に固定されている。そのため、可動ピン１１０を開閉駆動させるための構成を簡単な構成で実現できる。

２つ目の点について説明する。特開２００８−１３５７５０号公報では、磁石（磁石１５２ｂおよび磁石１６２ｂ）がそれぞれ環状をなしている。そのため、磁石１５２ｂおよび磁石１６２ｂを２重環状に設ける必要があり、そのため、基板処理装置１が径方向に大型化するおそれがある。これに対し、第１の実施形態では、第１の駆動用永久磁石１５６Ａおよび第２の駆動用永久磁石１５６Ｂが、周方向に交互に配置されている。そのため、基板処理装置１を径方向にコンパクト化させることができる。

図２１は、本発明の第２の実施形態に係る処理ユニット２０２の構成例を説明するための図解的な断面図である。図２２は、処理ユニット２０２に備えられたスピンチャック２０５の円環状のカバー２９１の構成例を説明するための断面図である。図２３は、スピンチャック２０５の、より具体的な構成を説明するための平面図である。図２１は、図２３の切断面線XXI−XXIから見た図である。

第２の実施形態において、第１の実施形態に示された各部に対応する部分には、図１〜図２０Ｃの場合と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
第２の実施形態に係る処理ユニット２０２は、基板保持回転装置としてスピンチャック２０５を備えている。第２の実施形態に係るスピンチャック２０５が第１の実施形態に係るスピンチャック５と相違する点は、付勢用磁石（第１および第２の付勢用磁石）としての開閉切換え永久磁石２１０Ａ，２１０Ｂを保護ディスク１１５と同伴昇降可能に設けた点にある。また、第３の昇降ユニット１３０による保護ディスク１１５の昇降動作に伴って、これにより、開閉切換え永久磁石２１０Ａ，２１０Ｂを昇降させている。さらに、開閉切換え永久磁石２１０Ａ，２１０Ｂは、可動ピン１１０を保持位置および開放位置の一方または他方に付勢する構成ではなく、保持位置への付勢状態と開放位置への付勢状態とを切り換えるための磁石である。つまり、第３の昇降ユニット１３０により保護ディスク１１５を昇降させることにより、可動ピン１１０の開閉を切り換え可能な構成が採用されている。

より、具体的には、円環カバー２９１が保護ディスク１１５に固定されており、開閉切換え永久磁石２１０Ａ，２１０Ｂは、円環カバー２９１の内部に埋設されている。
円環状の円環カバー２９１は、円環状の円環カバー１９１は、保護ディスク１１５の上面の周縁部および保護ディスク１１５の周端を保護している。円環状の円環カバー２９１は、ボルト等の締結部材を含む固定ユニット２０３を介して、保護ディスク１１５の外周部に取り付けられている。保護ディスク１１５の上面の周縁部および保護ディスク１１５の周端にされている。円環カバー２９１は、上面の周縁部から径方向外方に向けて水平方向に張り出す円環板部２９２と、円環板部２９２の周端から垂下する円筒部２９３とを含む。円環板部２９２の外周は、回転台１０７の周端よりも外方に位置している。円環板部２９２および円筒部２９３は、たとえば、耐薬性を有する樹脂材料を用いて一体に形成されている。円環板部２９２の内周の、可動ピン１１０に対応する位置には、該可動ピン１１０を回避するための切り欠き２９４（図２３参照）が形成されている。切り欠き２９４は、可動ピン１１０の外周面から一定の間隔を確保して当該可動ピン１１０を縁取るように形成されている。円環板部２９２および円筒部２９３は、たとえば、耐薬性を有する樹脂材料を用いて一体に形成されている。

円環カバー２９１の円環板部１９２は、可動ピン１１０によって保持された基板Ｗの周縁部において不活性ガスの流路を絞る絞り部２９０（図２０Ｃの絞り部１９０と同様）を上面に有している。この絞り部２９０によって、円環カバー２９１と基板Ｗの下面との間の空間から外方に吹き出される不活性ガス流の流速が高速になるので、基板Ｗの上面の処理液（薬液やリンス液）が基板Ｗの下面の周縁部よりも内側に進入することを確実に回避または抑制することができる。

円筒部２９３には、可動ピン１１０の個数と同数（この実施形態では６個）の開閉切換え永久磁石２１０Ａ，２１０Ｂが埋設されている。複数の開閉切換え永久磁石２１０Ａ，２１０Ｂは、周方向に間隔を空けて配置されている。各開閉切換え永久磁石２１０Ａ，２１０Ｂは、棒状をなしており、上下方向に延びた状態で円筒部２９３に埋設されている。開閉切換え永久磁石は、第１の開閉切換え永久磁石（第１の付勢用磁石）２１０Ａと、第１の開閉切換え永久磁石２１０Ａと極性が上下方向に反対にされた第２の開閉切換え永久磁石（第２の付勢用磁石）２１０Ｂとを含む。第１の開閉切換え永久磁石２１０Ａは、第１の可動ピン群１１１に含まれる可動ピン１１０を駆動するための永久磁石であり、第２の開閉切換え永久磁石２１０Ｂは、第２の可動ピン群１１２に含まれる可動ピン１１０を駆動するための永久磁石である。すなわち、複数の開閉切換え永久磁石２１０Ａ，２１０Ｂは等間隔に配置されている。また、第１の開閉切換え永久磁石２１０Ａと第２の開閉切換え永久磁石２１０Ｂとは周方向に交互に配置されている。この実施形態では、第１の開閉切換え永久磁石２１０Ａは、Ｎ極性を示すＮ極部２１１が上端側に形成され、Ｓ極性を示すＳ極部２１２が下端側に形成されている。

図２４Ａ，２４Ｂは、保護ディスク１１５の昇降動作に伴う、第１の可動ピン群１１１に含まれる可動ピン１１０の状態を示す模式的な図である。図２５Ａ，２５Ｂは、保護ディスク１１５の昇降動作に伴う、第２の可動ピン群１１２に含まれる可動ピン１１０の状態を示す模式的な図である。図２４Ａ，２５Ａでは、保護ディスク１１５が接近位置（つまり、上位置）にある状態を示し、図２４Ｂ，２５Ｂでは、保護ディスク１１５が下位置にある状態を示す。

第１の開閉切換え永久磁石２１０Ａは、図２４Ａ，２４Ｂに示すように、保護ディスク１１５が接近位置にある状態で上端側のＮ極部２１１が第１の駆動用永久磁石１５６Ａに接近し、保護ディスク１１５が下位置にある状態で下端側のＳ極部２１２が第１の駆動用永久磁石１５６Ａに接近するように配置されている。
第２の開閉切換え永久磁石２１０Ｂは、図２５Ａ，２５Ｂに示すように、保護ディスク１１５が接近位置にある状態で上端側のＳ極部２１２が第２の駆動用永久磁石１５６Ｂに接近し、保護ディスク１１５が下位置にある状態で下端側のＮ極部２１１が第２の駆動用永久磁石１５６Ｂに接近するように配置されている。

第１の実施形態において前述のように、第２の浮上用磁石１２９が上位置（図１９Ｂ、図２４Ｂおよび図２５Ｂ参照）にあるとき、第２の浮上用磁石１２９と第１の浮上用磁石１６０との間に生じる反発磁力の働きによって、保護ディスク１１５は、基板Ｗの下面に接近した接近位置に保持される。これに対し、第２の浮上用磁石１２９が、上位置から下方に離間する下位置（図１９Ａ、図２４Ａおよび図２５Ａ参照）にあるときには、第２の浮上用磁石１２９と第１の浮上用磁石１６０との間の反発磁力は小さく、そのため、保護ディスク１１５は、自重によって回転台１０７の上面に近い下位置に保持される。

保護ディスク１１５が下位置にある状態では、図２４Ａに示すように、第１の開閉切換え永久磁石２１０Ａの上端側のＮ極部２１１が、第１の駆動用永久磁石１５６Ａに接近する。この状態では、第１の開閉切換え永久磁石２１０Ａのうち、Ｎ極部２１１からの磁力のみが第１の駆動用永久磁石１５６Ａに作用し、Ｓ極部２１２からの磁力は第１の駆動用永久磁石１５６Ａに作用しない。そのため、第１の開閉切換え永久磁石２１０Ａからの磁力を受けて、第１の駆動用永久磁石１５６Ａは、図２４Ａに示すように、Ｎ極が回転台１０７の径方向の内方に向きかつＳ極が回転台１０７の径方向の外方に向く姿勢に配置される。この状態では、第１の可動ピン群１１１に含まれる可動ピン１１０の上軸部１５２が回転軸線Ａ１（図２１参照）から離反した遠い開放位置に位置している。

また、この状態（保護ディスク１１５が下位置にある状態）では、図２５Ａに示すように、第２の開閉切換え永久磁石２１０Ｂの上端側のＳ極部２１２が、第２の駆動用永久磁石１５６Ｂに接近する。この状態では、第２の開閉切換え永久磁石２１０Ｂのうち、Ｓ極部２１２からの磁力のみが第２の駆動用永久磁石１５６Ｂに作用し、Ｎ極部２１１からの磁力は第２の駆動用永久磁石１５６Ｂに作用しない。そのため、第２の開閉切換え永久磁石２１０Ｂからの磁力を受けて、第２の駆動用永久磁石１５６Ｂは、図２５Ａに示すように、Ｓ極が回転台１０７の径方向の内方に向きかつＮ極が回転台１０７の径方向の外方に向く姿勢に配置される。この状態では、この状態では、第２の可動ピン群１１２に含まれる可動ピン１１０の上軸部１５２が回転軸線Ａ１（図２１参照）から離反した遠い開放位置に位置している。

図２４Ａおよび図２５Ａに示す状態から、第２の浮上用磁石１２９（図２１参照）を上昇させ、保護ディスク１１５を浮上させる。保護ディスク１１５の浮上に伴って、第１および第２の開閉切換え永久磁石２１０Ａ，２１０Ｂも上昇する。
そして、保護ディスク１１５が接近位置に配置された状態では、図２４Ｂに示すように、第１の開閉切換え永久磁石２１０Ａの下端側のＳ極部２１２が、第１の駆動用永久磁石１５６Ａに接近する。この状態では、第１の開閉切換え永久磁石２１０Ａのうち、Ｓ極部２１２からの磁力のみが第１の駆動用永久磁石１５６Ａに作用し、Ｎ極部２１１からの磁力は第１の駆動用永久磁石１５６Ａに作用しない。そのため、第１の開閉切換え永久磁石２１０Ａからの磁力を受けて、第１の駆動用永久磁石１５６Ａは、図２４Ｂに示すように、Ｓ極が回転台１０７の径方向の内方に向きかつＮ極が回転台１０７の径方向の外方に向く姿勢になる。この状態では、第１の可動ピン群１１１に含まれる可動ピン１１０の上軸部１５２が、開放位置よりも回転軸線Ａ１に近づいた保持位置へと移動する。その結果、第１の可動ピン群１１１に含まれる可動ピン１１０が、保持位置へと付勢される。

また、この状態（保護ディスク１１５が接近位置に配置された状態）では、図２５Ｂに示すように、第２の開閉切換え永久磁石２１０Ｂの下端側のＮ極部２１１が、第２の駆動用永久磁石１５６Ｂに接近する。この状態では、第２の開閉切換え永久磁石２１０Ｂのうち、Ｎ極部２１１からの磁力のみが第２の駆動用永久磁石１５６Ｂに作用し、Ｓ極部２１２からの磁力は第２の駆動用永久磁石１５６Ｂに作用しない。そのため、第２の開閉切換え永久磁石２１０Ｂからの磁力を受けて、第２の駆動用永久磁石１５６Ｂは、図２５Ｂに示すように、Ｎ極が回転台１０７の径方向の内方に向きかつＳ極が回転台１０７の径方向の外方に向く姿勢になる。この状態では、第２の可動ピン群１１１に含まれる可動ピン１１０の上軸部１５２が、開放位置よりも回転軸線Ａ１に近づいた保持位置へと移動する。その結果、第２の可動ピン群１１２に含まれる可動ピン１１０が、保持位置へと付勢される。

第２実施形態に係る処理ユニット２０２においても、図１７および図１８に示す処理液処理（たとえば洗浄処理）と同等の処理が実行される。図２７は、図１７は、処理ユニット２によって実行される処理液処理としての洗浄処理の一例を説明するための流れ図である。
この処理液処理について、図２１、図２３、図２４Ａ，２４Ｂ、図２５Ａ，２５Ｂおよび図２６を参照しながら、また、図２７Ａ〜２７Ｋについては適宜参照する。

処理ユニット２０２は、シリコン基板等の円形の未洗浄基板について、表面Ｗａ（他方主面。デバイス形成面）と反対側の裏面Ｗｂ（一方主面。デバイス非形成面）を洗浄する。
基板Ｗは、反転ユニットＴＵによって反転させられた後（Ｔ１：基板反転）、センターロボットＣＲのハンドＨ２によって、裏面Ｗｂを上方に向けた状態で処理ユニット２内に搬入させられる（ステップＴ２）。ステップＴ１，Ｔ２の工程は、それぞれ、図１７に示すステップＳ１，Ｓ２と同等の工程であるので、説明を省略する。

基板Ｗの搬入前の状態では、第２の浮上用磁石１２９が下位置に配置されており、そのため第２の浮上用磁石１２９が回転台１０７から下方に大きく離れているので、第２の浮上用磁石１２９と第１の浮上用磁石１６０との間に働く反発磁力は小さい。そのため、保護ディスク１１５は回転台１０７の上面に近接した下位置に位置している。よって、可動ピン１１０による基板保持高さと保護ディスク１１５の上面との間には、センターロボットＣＲのハンドＨ２が入り込むことができる十分な空間が確保されている。

また、保護ディスク１１５が下位置に位置しているので、第１の開閉切換え永久磁石２１０Ａの上端側のＮ極部２１１が第１の駆動用永久磁石１５６Ａに接近し、かつ第２の開閉切換え永久磁石２１０Ｂの上端側のＳ極部２１２が第２の駆動用永久磁石１５６Ｂに接近している。この状態では、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０、および第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０のいずれも、すなわち６本の可動ピン１１０の全てが開放位置に配置されている。

センターロボットＣＲのハンドＨ２は、可動ピン１１０の上端よりも高い位置で基板Ｗを保持した状態で当該基板Ｗをスピンチャック５の上方まで搬送する。その後、センターロボットＣＲのハンドＨ２は、図２７Ａに示すように、回転台１０７の上面に向かって下降する。これにより、開放位置にある６本の可動ピン１１０に基板Ｗが引き渡される。その後、センターロボットＣＲのハンドＨ２は、可動ピン１１０の間を通ってスピンチャック５の側方へと退避していく。

制御ユニット３は、第３の昇降ユニット１３０を制御して、図２７Ｂに示すように、第２の浮上用磁石１２９を上位置に向けて上昇させる。それらの浮上用磁石１２９，１６０の間の距離が縮まり、それに応じて、それらの間に働く反発磁力が大きくなる。この反発磁力によって、保護ディスク１１５が回転台１０７の上面から基板Ｗに向かって浮上する。そして、第１の開放永久磁石１２５が上位置に達すると、保護ディスク１１５が基板Ｗの表面Ｗａ（下面）に微小間隔を開けて接近した接近位置に達し、ガイド軸１１７の下端に形成されたフランジ１２０がリニア軸受け１１８に当接する。これにより、保護ディスク１１５は、前記接近位置に保持されることになる。

保護ディスク１１５の下位置から接近位置への上昇に伴って、第１の開閉切換え永久磁石２１０Ａの上端側のＮ極部２１１が第１の駆動用永久磁石１５６Ａから離反し、代わりに、第１の開閉切換え永久磁石２１０Ａの下端側のＳ極部２１２が第１の駆動用永久磁石１５６Ａに接近する。また、保護ディスク１１５の下位置から接近位置への上昇に伴って、第２の開閉切換え永久磁石２１０Ｂの上端側のＳ極部２１２が第２の駆動用永久磁石１５６Ｂから離反し、代わりに、第２の開閉切換え永久磁石２１０Ｂの下端側のＮ極部２１１が第２の駆動用永久磁石１５６Ｂに接近する。それによって、全ての可動ピン１１０が開放位置から保持位置へと駆動されて、その保持位置に保持される。これにより、６本の可動ピン１１０によって基板Ｗが握持され、基板Ｗは、その表面Ｗａを下方に向け、かつその裏面Ｗｂを上方に向けた状態でスピンチャック５に保持される。

次いで、制御ユニット３は不活性ガスバルブ１７３を開き、図２７Ｂに示すように、不活性ガスの供給を開始する（Ｔ４：不活性ガス供給開始）。その後、制御ユニット３は、回転駆動ユニット１０３を制御して、回転台１０７の回転を開始し（回転台回転工程）、これによって、図２７Ｃに示すように基板Ｗを回転軸線Ａ１まわりに回転させる（ステップＴ５）。ステップＴ４，Ｔ５の工程は、それぞれ、図１７に示すステップＳ４，Ｓ５と同等の工程であるので、説明を省略する。

基板Ｗの回転速度が液処理速度に達した後、制御ユニット３は、ＦＯＭを、基板Ｗの裏面Ｗｂに供給するＦＯＭ供給工程（処理液供給工程。ステップＴ６）を行う。ステップＴ６は、基板Ｗの裏面ＷｂにＦＯＭを供給しながら、第１の可動ピン群１１１のみによる基板Ｗの支持と、第２の可動ピン群１１２のみによる基板Ｗの支持とを１回または複数回ずつ行う点で、図１７に示すステップＴ６と共通している。

ＦＯＭ供給工程（Ｔ６）は、図２７Ｃ〜２７Ｅに示すように、第１の実施形態に係るＦＯＭ供給工程（Ｓ６）と同等の工程である。ＦＯＭ供給工程（Ｔ６）では、そのうちの一部の期間において、基板Ｗを６本の可動ピン１１０ではなく３本の可動ピン１１０で支持する。さらに、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗを接触支持している状態と、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗを接触支持している状態とが切り換えられる。

具体的には、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗを接触支持する際には、制御ユニット３は、第１の昇降ユニット１２６を制御して、図２７Ｄに示すように、それまで下位置にあった第１の開放永久磁石１２５を上位置に向けて上昇させ、当該上位置に配置する。第１の開放永久磁石１２５の上昇に伴って、第１の開放永久磁石１２５の上面が第１の駆動用永久磁石１５６Ａに接近する。これにより、第１の駆動用永久磁石１５６Ａに吸引磁力が発生し、第１の駆動用永久磁石１５６Ａと第１の開放永久磁石１２５との間に吸引力が発生する。第１の開放永久磁石１２５が上位置に配置された状態において、第１の駆動用永久磁石１５６Ａに働く吸引磁力の大きさは、第１の開閉切換え永久磁石２１０Ａの下端側のＳ極部２１２からの吸引力を大きく上回っており、これにより、上軸部１５２が回転軸線Ａ１に近づいた保持位置から、回転軸線Ａ１（図２参照）から離反した開放位置へと移動する。これにより、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０がそれまでの保持位置から開放位置に配置される。その結果、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗが接触支持されている状態になる（第１の磁石配置工程）。

また、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗを接触支持する際には、制御ユニット３は、第２の昇降ユニット１２８を制御して、図２７Ｅに示すように、それまで下位置にあった第２の開放永久磁石１２７を上位置に向けて上昇させ、当該上位置に配置する。第２の開放永久磁石１２７の上昇に伴って、第２の開放永久磁石１２７の上面が第２の駆動用永久磁石１５６Ｂに接近する。これにより、第２の駆動用永久磁石１５６Ｂに吸引磁力が発生し、第２の駆動用永久磁石１５６Ｂと第２の開放永久磁石１２７との間に吸引力が発生する。第２の開放永久磁石１２７が上位置に配置された状態において、第２の駆動用永久磁石１５６Ｂに働く吸引磁力の大きさは、第２の開閉切換え永久磁石２１０Ｂの下端側のＮ極部２１１からの吸引力を大きく上回っており、これにより、上軸部１５２が回転軸線Ａ１に近づいた保持位置から、回転軸線Ａ１（図２参照）から離反した開放位置へと移動する。これにより、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０がそれまでの保持位置から開放位置に配置される。その結果、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗが接触支持されている状態になる（第２の磁石配置工程）
ＦＯＭの吐出開始から所定の期間が経過すると、ＦＯＭ供給工程（Ｔ６）が終了する。具体的には、制御ユニット３は、薬液バルブ１５を閉じて、薬液ノズル６からのＦＯＭの吐出を停止させる。また、制御ユニット３は、薬液ノズル６を中央位置からホーム位置に移動させる。これにより、薬液ノズル６が基板Ｗの上方から退避させられる。

ＦＯＭ供給工程（Ｔ６）の終了に引き続いて、リンス液である水が基板Ｗの裏面Ｗｂに供給開始される（Ｔ７；リンス工程。処理液供給工程）。
リンス工程（Ｔ７）、ブラシ洗浄工程（Ｔ８）および最終リンス工程（Ｔ９）は、図２７Ｆ〜２７Ｉに示すように、それぞれ、第１の実施形態に係る、リンス工程（Ｓ７）、ブラシ洗浄工程（Ｓ８）および最終リンス工程（Ｓ９）と同等の工程である。リンス工程（Ｔ７）では、そのうちの一部の期間において、基板Ｗを６本の可動ピン１１０ではなく３本の可動ピン１１０で支持する。さらに、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗを接触支持している状態と、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗを接触支持している状態とが切り換えられる。

具体的には、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗを接触支持する際には、制御ユニット３は、第１の昇降ユニット１２６を制御して、図２７Ｄに示すように、それまで下位置にあった第１の開放永久磁石１２５を上位置に向けて上昇させ、当該上位置に配置する。第１の開放永久磁石１２５の上昇に伴って、第１の開放永久磁石１２５の上面が第１の駆動用永久磁石１５６Ａに接近する。これにより、第１の駆動用永久磁石１５６Ａに吸引磁力が発生し、第１の駆動用永久磁石１５６Ａと第１の開放永久磁石１２５との間に吸引力が発生する。第１の開放永久磁石１２５が上位置に配置された状態において、第１の駆動用永久磁石１５６Ａに働く吸引磁力の大きさは、第１の開閉切換え永久磁石２１０Ａの下端側のＳ極部２１２からの吸引力を大きく上回っており、これにより、上軸部１５２が回転軸線Ａ１に近づいた保持位置から、回転軸線Ａ１（図２参照）から離反した開放位置へと移動する。これにより、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０がそれまでの保持位置から開放位置に配置される。その結果、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗが接触支持されている状態になる（第１の磁石配置工程）。

また、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗを接触支持する際には、制御ユニット３は、第２の昇降ユニット１２８を制御して、図２７Ｅに示すように、それまで下位置にあった第２の開放永久磁石１２７を上位置に向けて上昇させ、当該上位置に配置する。第２の開放永久磁石１２７の上昇に伴って、第２の開放永久磁石１２７の上面が第２の駆動用永久磁石１５６Ｂに接近する。これにより、第２の駆動用永久磁石１５６Ｂに吸引磁力が発生し、第２の駆動用永久磁石１５６Ｂと第２の開放永久磁石１２７との間に吸引力が発生する。第２の開放永久磁石１２７が上位置に配置された状態において、第２の駆動用永久磁石１５６Ｂに働く吸引磁力の大きさは、第２の開閉切換え永久磁石２１０Ｂの下端側のＮ極部２１１からの吸引力を大きく上回っており、これにより、上軸部１５２が回転軸線Ａ１に近づいた保持位置から、回転軸線Ａ１（図２参照）から離反した開放位置へと移動する。これにより、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０がそれまでの保持位置から開放位置に配置される。その結果、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗが接触支持されている状態になる（第２の磁石配置工程）
リンス工程（Ｔ７）は、第１の実施形態に係るリンス工程（Ｓ７）と同等の工程であり、リンス工程（Ｓ７）の場合と同様に、当該工程の実行中に、基板Ｗを３本の可動ピン１１０で支持する。さらに、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗを接触支持している状態と、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗを接触支持している状態とを切り換える。

具体的には、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗを接触支持する際には、制御ユニット３は、第１の昇降ユニット１２６を制御して、図２７Ｇに示すように、それまで下位置にあった第１の開放永久磁石１２５を上位置に向けて上昇させ、当該上位置に保持する。これにより、第１の開放永久磁石１２５を上位置に配置しかつ第２の開放永久磁石１２７を下位置に配置した状態（図１３Ａ，１３Ｂ参照）となり、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０がそれまでの保持位置から開放位置に配置される。これにより、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗが接触支持されている状態になる（第１の磁石配置工程）。

また、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗを接触支持する際には、制御ユニット３は、第２の昇降ユニット１２８を制御して、図２７Ｈに示すように、それまで下位置にあった第２の開放永久磁石１２７を上位置に向けて上昇させ、当該上位置に保持する。これにより、第２の開放永久磁石１２７を上位置に配置しかつ第１の開放永久磁石１２５を下位置に配置した状態（図１５Ａ，１５Ｂ参照）となり、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０がそれまでの保持位置から開放位置に配置される。これにより、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗが接触支持されている状態になる（第２の磁石配置工程）
リンス液の吐出開始から所定の期間が経過すると、次に、基板Ｗを乾燥させるスピンドライ工程（ステップＴ１０）が行われる。具体的には、制御ユニット３は、回転駆動ユニット１７を制御することにより、図２７Ｊに示すように、ＦＯＭ供給工程（Ｔ６）から最終リンス工程（Ｔ９）までの回転速度よりも大きい乾燥回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）まで基板Ｗを加速させ、乾燥回転速度で基板Ｗを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板Ｗ上の液体に加わり、基板Ｗに付着している液体が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、基板Ｗから液体が除去され、基板Ｗが乾燥する。このとき、基板Ｗは６本の可動ピン１１０で把持されているので、基板Ｗを強固に保持しながら高速回転させることができる。この実施形態では、保護ディスク１１５が接近位置に配置された状態のまま、スピンドライ工程（Ｔ１０）が実行される。

そして、基板Ｗの高速回転が開始されてから所定の期間が経過すると、制御ユニット３は、回転駆動ユニット１７を制御することにより、スピンチャック５による基板Ｗの回転を停止させる（ステップＴ１１）。
そして、制御ユニット３は、第３の昇降ユニット１３０を制御することにより、第２の浮上用磁石１２９を下方位置へと下降させる（ステップＴ１２）。これにより、第２の浮上用磁石１２９と第１の浮上用磁石１６０との間の距離が広がり、それらの間の磁気反発力が減少していく。それに伴い、保護ディスク１１５は、回転台１０７の上面に向かって降下していく。これにより、保護ディスク１１５の上面と基板Ｗの表面Ｗａ（下面）との間には、センターロボットＣＲのハンドＨ２を進入させることができるだけの空間が確保される。

また、保護ディスク１１５の接近位置から下位置への下降に伴って、第１の開閉切換え永久磁石２１０Ａの下端側のＳ極部２１２が第１の駆動用永久磁石１５６Ａから離反し、代わりに、第１の開閉切換え永久磁石２１０Ａの上端側のＮ極部２１１が第１の駆動用永久磁石１５６Ａに接近する。また、保護ディスク１１５の接近位置から下位置への上昇に伴って、第２の開閉切換え永久磁石２１０Ｂの上端側のＮ極部２１１が第２の駆動用永久磁石１５６Ｂから離反し、代わりに、第２の開閉切換え永久磁石２１０Ｂの上端側のＳ極部２１２が第２の駆動用永久磁石１５６Ｂに接近する。それによって、全ての可動ピン１１０が保持位置から開放位置へと駆動されて、その開放位置に保持される。これにより、基板Ｗの握持が解除される。

次に、処理チャンバー４内から基板Ｗが搬出され（図２７Ｋ参照。ステップＴ１３）、搬出された基板Ｗは、反転ユニットＴＵによって反転させられる（ステップＴ１４）。ステップＴ１３，Ｔ１４の工程は、それぞれ、図１７に示すステップＳ１３，Ｓ１４と同等の工程であるので、説明を省略する。その後、洗浄処理済みの基板Ｗは、その表面Ｗａを上に向けた状態でキャリアＣに収容され、基板処理装置１から、露光装置等の後処理装置に向けて搬送される。

以上により、第２の実施形態によれば、第１の実施形態に関連して説明した作用効果に加えて次のような作用効果を奏する。
すなわち、第１および第２の開閉切換え永久磁石２１０Ａ，２１０Ｂが、保護ディスク１１５に同伴昇降可能に設けられている。そのため、第３の昇降ユニット１３０による保護ディスク１１５の昇降動作に伴って、開閉切換え永久磁石２１０Ａ，２１０Ｂを昇降させている。これにより、第１および第２の開閉切換え永久磁石２１０Ａ，２１０Ｂの駆動用の昇降ユニットを別途設ける必要がなく、これにより、装置構成の簡素化やコストダウンを図ることができる。

また、可動ピン１１０は、回転処理時（ステップＴ５〜ステップＴ１１）にのみ保持位置にあればよく、常時保持位置にある必要はない。また、回転処理時（ステップＴ５〜ステップＴ１１）には、保護ディスク１１５が接近位置にある。すなわち、保護ディスク１１５が接近位置にあるときのみ可動ピン１１０が保持位置にある必要があり、保護ディスク１１５が下位置にあるときには、可動ピン１１０が開放位置にあってもよい。そのため、この実施形態では、保護ディスク１１５が接近位置にあるときには、開閉切換え永久磁石２１０Ａ，２１０Ｂの働きにより全ての可動ピン１１０を保持位置に保持し、保護ディスク１１５が下位置にあるときには、開閉切換え永久磁石２１０Ａ，２１０Ｂの働きにより全ての可動ピン１１０を開放位置に保持している。これにより、保護ディスク１１５の機能を損なうことなく、可動ピン１１０を良好に開閉させることができる。

また、１つの開閉切換え永久磁石２１０Ａ，２１０Ｂ（第１の開閉切換え永久磁石２１０Ａまたは第２の開閉切換え永久磁石２１０Ｂ）の上下動によって、対応する可動ピン１１０の開動作だけでなく、当該可動ピン１１０の閉動作をも行っている。これにより、ピン開放用の磁石とピン閉塞用の磁石とを個別に設ける場合と比較して、ピン開閉のための磁石の個数の低減を図ることができる。

また、第２の実施形態の処理液処理例において、ＦＯＭ供給工程（Ｔ６）およびリンス工程（Ｔ７）において、基板Ｗに薬液（ＦＯＭ）を供給しながら、第１の可動ピン群１１１のみによる基板Ｗの支持と、第２の可動ピン群１１２のみによる基板Ｗの支持とを１回または複数回ずつ行っている。しかしながら、第２の実施形態において、このような基板の持ち換えを行なわなくてもよい。

前述のようにこの第２の実施形態では、第３の昇降ユニット１３０により保護ディスク１１５を昇降させることにより、可動ピン１１０の開閉を切り換えることができる。そのため、基板処理において、２つの可動ピン群１１１，１１２による基板Ｗの持ち換えを行わない場合には、開放永久磁石１２５，１２７および閉塞永久磁石１２１，１２２の構成を廃止してもよい。この場合、当然に、第１および第２の昇降ユニット１２６，１２８の構成も廃止される。

すなわち、１つの昇降ユニット（第３の昇降ユニット１３０）だけで、保護ディスク１１５の昇降動作と可動ピン１１０の開閉動作との双方を行うことができ、これにより、部品点数を省略して、基板処理装置１のコストダウンを図ることができる。
また、この第２実施形態では、第１の駆動用永久磁石１５６Ａの磁極方向と、第２の駆動用永久磁石１５６Ｂの磁極方向とは、回転軸線に直交する方向に関し互いに異なっていため、上下方向に関し磁極方向が互いに反対にされた第１および第２の開閉切換え永久磁石２１０Ａ，２１０Ｂを設けた。しかしながら、第２の実施形態において、第１の駆動用永久磁石１５６Ａの磁極方向と、第２の駆動用永久磁石１５６Ｂの磁極方向とを、回転軸線に直交する方向に関し揃えてもよく、この場合には、第１および第２の開閉切換え永久磁石２１０Ａ，２１０Ｂも上下方向に関し揃えることができる。

また、第２の実施形態において、保護ディスク１１５に一体昇降可能に設けられている磁石が、可動ピン１１０の開放および閉塞を切り換えるための開閉切換え永久磁石２１０Ａ，２１０Ｂでなくてもよく、可動ピン１１０の開放動作および閉塞動作のいずれか一方を行うものであればよい。
以上、この発明の２つの実施形態について説明したが、本願発明はさらに他の形態で実施することもできる。

たとえば、第１および第２の実施形態において、第１の開放永久磁石１２５および第２の開放永久磁石１２７をそれぞれ回転軸線Ａ１と同軸の平面視で二重円環状に設けることもできる。この場合、第１および２の昇降永久磁石の一方が、第１および２の昇降永久磁石の他方の外周を取り囲むように配置される。また、この場合、各第１および２の昇降永久磁石は、周方向に間欠状に設けられていてもよい。

また、第１および第２の実施形態において、第１および第２の開放永久磁石１２５，１２７の磁極方向が上下方向に沿っているとして説明したが、第１の開放永久磁石１２５の磁極方向が、可動ピン１１０の回転軸線Ａ３に対して直交する方向であってもよい。
また、第１および第２の実施形態において、第１の開放永久磁石１２５と第１の駆動用永久磁石１５６Ａとの間に生じる吸引磁力、および第２の開放永久磁石１２７と駆動用永久磁石１５６Ｂとの間に生じる吸引磁力により駆動用永久磁石１５６Ａ，１５６Ｂを駆動させるものとして説明したが、第１の開放永久磁石１２５と第１の駆動用永久磁石１５６Ａとの間に生じる反発磁力および／または第２の開放永久磁石１２７と駆動用永久磁石１５６Ｂとの間に生じる反発磁力により駆動用永久磁石１５６Ａ，１５６Ｂを駆動させるようにしてもよい。

また、第１および第２の実施形態において、駆動用永久磁石１５６Ａ，１５６Ｂを保持位置に付勢する付勢ユニットとして第１および第２の閉塞永久磁石１２１，１２２を設けたが、第１および第２の閉塞永久磁石１２１，１２２に代えて、駆動用永久磁石１５６Ａ，１５６Ｂを保持位置に付勢するばね等の弾性押圧ユニットを設けるようにしてもよい。
また、第１および第２の実施形態において、可動ピン１１０の個数を６個としたが、６個以上とすることもできる。この場合、可動ピン１１０の個数が偶数個であれば、第１の可動ピン群１１１に含まれる可動ピン１１０の個数と、第２の可動ピン群１１２に含まれる可動ピン１１０の個数と互いに同数とすることができ、レイアウトの観点から望ましい。たとえば、可動ピン１１０の個数を８個とする場合、各可動ピン群１１１，１１２に含まれる可動ピンの個数が４つになるが、この場合、第１の開放永久磁石１２５の個数も、可動ピン１１０の個数と同数の４つである。

また、第１および第２の実施形態において、開放永久磁石１２５，１２７を、回転台１０７に対して昇降可能に設けられた昇降磁石とし、閉塞永久磁石１２１，１２２を、回転台１０７に対して昇降不能に設けられた付勢磁石として説明したが、この逆の構成を採用してもよい。回転台１０７に対して昇降可能に設けられた昇降磁石を開放用の磁石とし、回転台１０７に対して昇降不能に設けられた付勢磁石を閉塞用の磁石としてもよい。

たとえば、処理対象面が、基板Ｗの裏面（デバイス非形成面）Ｗｂであるとして説明したが、基板Ｗの表面（デバイス形成面）Ｗａを処理対象面としてもよい。この場合、反転ユニットＴＵを廃止することもできる。
また、第１および第２の実施形態において、一連の処理液処理が、異物の除去に限られず、金属の除去、膜中に埋設された不純物の除去を目的とするものであってもよい。また、一連の処理液処理が、洗浄処理ではなくエッチング処理であってもよい。

また、第1および第２の実施形態において、基板Ｗに供給される薬液としてＦＯＭを用いたが、薬液は、たとえば、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえばクエン酸、蓚酸など）、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど）、有機溶剤（たとえば、ＩＰＡ：イソプロピルアルコールなど）、および界面活性剤、腐食防止剤の少なくとも１つを含む液である。

基板Ｗに供給される薬液として、より好ましくは、ＤＨＦ（希釈フッ酸）、ＢＨＦ（バファードフッ酸）、ＳＣ１（ＮＨ_４ＯＨおよびＨ_２Ｏ_２を含む液）、ＦＰＭ（ＨＦおよびＨ_２Ｏ_２を含む液）等を用いることができる。すなわち、ＦＯＭ供給工程（Ｓ６，Ｔ６）に代えて、これらの薬液うちの１つを含む薬液を基板Ｗの処理対象面に供給する薬液供給工程を実行することができ、この薬液供給工程において使用される薬液として、ＤＨＦ、ＢＨＦ、ＳＣ１、ＦＰＭ等を用いることができる。これらの液が薬液として用いられる場合、基板Ｗの処理対象面はベアシリコンである必要はなく、基板Ｗの処理対象面が、酸化膜（たとえばシリコン酸化膜）および／または窒化膜（たとえばシリコン窒化膜）を含んでいてもよい。

また、第１および第２の実施形態において、前述の各処理液処理からブラシ洗浄工程（Ｓ８，Ｔ８）を廃止することもできる。この場合最終リンス工程（Ｓ９）を行う必要性がないから、最終リンス工程（Ｓ９）を併せて廃止することもできる。
また、処理対象面が、基板Ｗの上面であるとして説明したが、基板Ｗの下面を処理対象面としてもよい。この場合、基板Ｗの下面に処理液を供給するのであるが、基板Ｗの周縁部における基板支持位置において基板Ｗの下面から基板Ｗの上面への回り込みを許容することにより、基板Ｗの周縁部を、処理液を用いて処理残りなく良好に処理することができる。

また、基板処理装置１が円板状の半導体基板を処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置１は、液晶表示装置用ガラス基板などの多角形の基板を処理する装置であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

１ ：基板処理装置
５ ：スピンチャック
１０７ ：回転台
１１０ ：可動ピン
１１１ ：第１の可動ピン群
１１２ ：第２の可動ピン群
１１５ ：保護ディスク
１２１ ：第１の閉塞永久磁石
１２２ ：第２の閉塞永久磁石
１２５ ：第１の開放永久磁石
１２６ ：第１の昇降ユニット
１２７ ：第２の開放永久磁石
１２８ ：第２の昇降ユニット
１３０ ：第３の昇降ユニット
１５６Ａ ：第１の駆動用永久磁石
１５６Ｂ ：第２の駆動用永久磁石
２０５ ：スピンチャック
２１０Ａ ：第１の開閉切換え永久磁石
２１０Ｂ ：第２の開閉切換え永久磁石

Claims (13)

1. 回転台と、
   前記回転台を、鉛直方向に沿う回転軸線まわりに回転させる回転駆動ユニットと、
   基板を水平に支持するための複数本の可動ピンであって、前記回転軸線から離れた遠い開放位置と前記回転軸線に近づいた保持位置との間で移動可能に設けられた支持部を有し、前記回転台と共に前記回転軸線まわりに回転するように設けられた可動ピンとを含み、
   前記複数本の可動ピンは、少なくとも３本の可動ピンを含む第１の可動ピン群と、第１の可動ピン群とは別に設けられ、少なくとも３本の可動ピンを含む第２の可動ピン群とを含み、
   各可動ピンの前記支持部を前記開放位置および前記保持位置の一方に付勢する付勢ユニットと、
   各第１の可動ピン群に対応して取り付けられ、前記回転軸線に沿う軸線に直交する方向に関し互いに等しい磁極方向を有する第１の駆動用磁石と、
   各第２の可動ピン群に対応して取り付けられ、前記回転軸線に沿う軸線に直交する方向に関し、前記第１の駆動用磁石とは逆の磁極方向を有する第２の駆動用磁石と、
   非回転状態で設けられ、前記回転軸線に沿う軸線に直交する方向に関し前記第１の駆動用磁石との間に反発力または吸引力を与えるような磁極方向を有し、当該反発力または当該吸引力により、前記第１の可動ピン群の前記支持部を前記開放位置および前記保持位置の他方に付勢する第１の移動磁石と、
   非回転状態で設けられ、前記回転軸線に沿う軸線に直交する方向に関し前記第２の駆動用磁石との間に反発力または吸引力を与えるような磁極方向を有し、当該反発力または当該吸引力により、前記第２の可動ピン群の前記支持部を前記開放位置および前記保持位置の前記他方に付勢する第２の移動磁石と、
   前記第１の移動磁石および前記回転台を、前記第１の移動磁石が前記第１の駆動用磁石との間に前記反発力または前記吸引力を与える第１の位置と、前記第１の移動磁石が前記第１の駆動用磁石との間に前記反発力および前記吸引力を与えない第２の位置との間で相対移動させる第１の相対移動ユニットと、前記第１の移動磁石および前記回転台の相対移動と独立して、前記第２の移動磁石および前記回転台を、前記第２の移動磁石が前記第２の駆動用磁石との間に前記反発力または前記吸引力を与える第３の位置と、前記第２の移動磁石が前記第２の駆動用磁石との間に前記反発力および前記吸引力を与えない第４の位置との間で相対移動させる第２の相対移動ユニットとをさらに含む、基板保持回転装置。
2. 前記第１および第２の移動磁石は、それぞれ、当該第１および第２の移動磁石が前記第１または第３の位置にありかつ前記回転台の回転状態において、前記回転台の回転に伴って回転する各可動ピンが通過可能な前記回転軸線と同軸の円環状の磁界発生領域を形成する、請求項１記載の基板保持回転装置。
3. 前記第１および第２の移動磁石は、それぞれ、互いに同数の複数個設けられており、
   前記複数の第１の移動磁石および前記複数の第２の移動磁石は、平面視で、前記回転台の周方向に関し交互に、かつ全体として前記回転軸線と同軸の円環状をなすように配置されている、請求項２に記載の基板保持回転装置。
4. 前記第１の可動ピン群は、前記第２の可動ピン群と同数の前記可動ピンを含み、前記第１および第２の可動ピン群は前記回転台の周方向に関し交互に、かつ各可動ピン群に含まれる複数本の可動ピンが等間隔となるように配置されており、前記第１および第２の移動磁石は、それぞれ、各可動ピン群に含まれる前記可動ピンの数と同数、前記回転台の周方向に等間隔に配置されている、請求項３に記載の基板保持回転装置。
5. 前記第１の移動磁石および前記第２の移動磁石は、前記回転軸線と同軸で平面視二重円環状に配置されている、請求項２に記載の基板保持回転装置。
6. 前記付勢ユニットは、
   前記第１の駆動用磁石との間に反発力または吸引力を与えることにより、前記第１の可動ピン群の前記支持部を前記開放位置および前記保持位置の前記一方に付勢するための第１の付勢用磁石と、
   前記第２の駆動用磁石との間に反発力または吸引力を与えることにより、前記第２の可動ピン群の前記支持部を前記開放位置および前記保持位置の前記一方に付勢するための第２の付勢用磁石とをさらに含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板保持回転装置。
7. 前記第１および第２の付勢用磁石は、前記回転台に対して相対移動不能に設けられている、請求項６に記載の基板保持回転装置。
8. 前記回転台と前記複数本の可動ピンによる基板保持位置との間に配置され、下位置と、下位置よりも上方において前記保持部材に保持された基板の下面に接近した接近位置との間で前記回転台に対して相対的に上下動可能であり前記回転台とともに前記回転軸線まわりに回転するように前記回転台に取り付けられた保護ディスクをさらに含み、
   前記第１および第２の付勢用磁石は、前記保護ディスクに同伴上下動可能に設けられている、請求項６に記載の基板保持回転装置。
9. 前記開放位置および前記保持位置の前記一方は、前記保持位置であり、
   前記開放位置および前記保持位置の前記他方は、前記開放位置である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板保持回転装置。
10. 前記回転台と前記複数本の可動ピンによる基板保持位置との間に配置され、下位置と、下位置よりも上方において前記保持部材に保持された基板の下面に接近した接近位置との間で前記回転台に対して相対的に上下動可能であり前記回転台とともに前記回転軸線まわりに回転するように前記回転台に取り付けられた保護ディスクと、
    前記保護ディスクに取り付けられた第１の浮上用磁石と、
    非回転状態で設けられ、前記第１の浮上用磁石に対して反発力を与える第２の浮上用磁石と、
    前記第１の移動磁石および前記回転台の相対移動ならびに前記第２の移動磁石および前記回転台の相対移動のそれぞれと独立して、前記第１の浮上用磁石と前記第２の浮上用磁石との間の距離が変化するように前記第２の浮上用磁石および前記回転台を相対移動させる第３の相対移動ユニットとを含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の基板保持回転装置。
11. 請求項１〜１０のいずれか一項に記載の基板保持回転装置と、
    前記基板保持回転装置に保持されている基板の主面に対し、処理液を供給する処理液供給ユニットとを含む、基板処理装置。
12. 前記回転駆動ユニット、前記処理液供給ユニット、前記第１の相対移動ユニットおよび前記第２の相対移動ユニットを制御する制御ユニットとをさらに含み、
    前記制御ユニットは、
    前記回転台を前記回転軸線まわりに回転させる回転台回転工程と、
    前記回転台の回転に伴って回転している基板に処理液を供給する処理液供給工程と、
    前記回転台回転工程および前記処理液供給工程に並行して、前記第１の移動磁石および前記回転台の相対位置を前記第１の位置に配置すると共に前記第２の移動磁石および前記回転台の相対位置を前記第４の位置に配置する第１の磁石配置工程と、
    前記第１の磁石配置工程の非実行時において、前記回転台回転工程および前記処理液供給工程に並行して、前記第２の移動磁石および前記回転台の相対位置を前記第３の位置に配置すると共に前記第１の移動磁石および前記回転台の相対位置を前記第２の位置に配置する第２の磁石配置工程とを実行する、請求項１１に記載の基板処理装置。
13. 回転台と、前記回転台を、鉛直方向に沿う回転軸線まわりに回転させる回転駆動ユニットと、基板を水平に支持するための複数本の可動ピンであって、前記回転軸線から離れた遠い開放位置と前記回転軸線に近づいた保持位置との間で移動可能に設けられた支持部を有し、前記回転台と共に前記回転軸線まわりに回転するように設けられた可動ピンとを含み、前記複数本の可動ピンは、少なくとも３本の可動ピンを含む第１の可動ピン群と、第１の可動ピン群とは別に設けられ、少なくとも３本の可動ピンを含む第２の可動ピン群とを含み、各可動ピンの前記支持部を前記開放位置および前記保持位置の一方に付勢する付勢ユニットと、各第１の可動ピン群に対応して取り付けられ、前記回転軸線に沿う軸線に直交する方向に関し互いに等しい磁極方向を有する第１の駆動用磁石と、各第２の可動ピン群に対応して取り付けられ、前記回転軸線に沿う軸線に直交する方向に関し、前記第１の駆動用磁石とは逆の磁極方向を有する第２の駆動用磁石と、非回転状態で設けられ、前記回転軸線に沿う軸線に直交する方向に関し前記第１の駆動用磁石との間に反発力または吸引力を与えるような磁極方向を有し、当該反発力または当該吸引力により、前記第１の可動ピン群の前記支持部を前記開放位置および前記保持位置の他方に付勢する第１の移動磁石と、非回転状態で設けられ、前記回転軸線に沿う軸線に直交する方向に関し前記第２の駆動用磁石との間に反発力または吸引力を与えるような磁極方向を有し、当該反発力または当該吸引力により、前記第２の可動ピン群の前記支持部を前記開放位置および前記保持位置の前記他方に付勢する第２の移動磁石と、前記第１の移動磁石および前記回転台を、前記第１の移動磁石が前記第１の駆動用磁石との間に前記反発力または前記吸引力を与える第１の位置と、前記第１の移動磁石が前記第１の駆動用磁石との間に前記反発力および前記吸引力を与えない第２の位置との間で相対移動させる第１の相対移動ユニットと、前記第１の移動磁石および前記回転台の相対移動と独立して、前記第２の移動磁石および前記回転台を、前記第２の移動磁石が前記第２の駆動用磁石との間に前記反発力または前記吸引力を与える第３の位置と、前記第２の移動磁石が前記第２の駆動用磁石との間に前記反発力および前記吸引力を与えない第４の位置との間で相対移動させる第２の相対移動ユニットとをさらに含む、基板保持回転装置と、前記基板保持回転装置に保持されている基板に対し、処理液を供給する処理液供給ユニットとを含む基板処理装置において実行される基板処理方法であって、
    前記制御ユニットは、前記回転台を前記回転軸線まわりに回転させる回転台回転工程と、
    前記回転台の回転に伴って回転している基板に処理液を供給する処理液供給工程と、
    前記回転台回転工程および前記処理液供給工程に並行して、前記第１の移動磁石および前記回転台の相対位置を前記第１の位置に配置すると共に前記第２の移動磁石および前記回転台の相対位置を前記第４の位置に配置する第１の磁石配置工程と、
    前記第１の磁石配置工程の非実行時において、前記回転台回転工程および前記処理液供給工程に並行して、前記第２の移動磁石および前記回転台の相対位置を前記第３の位置に配置すると共に前記第１の移動磁石および前記回転台の相対位置を前記第２の位置に配置する第２の磁石配置工程とを含む、基板処理方法。

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