JP6660628B2 - 基板保持回転装置およびそれを備えた基板処理装置、ならびに基板処理方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 394
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 151
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 106
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 79
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 55
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 49
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 48
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 41
- 230000008859 change Effects 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 12
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 11
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 9
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N h2o hydrate Chemical compound O.O JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N hydrate;hydrochloride Chemical compound O.Cl DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 239000011553 magnetic fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
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Description
複数本の保持ピンは、回転台に対して不動の固定ピンと、回転台に対して可動の可動ピンとを含む。可動ピンは、その中心軸線と同軸の回転軸線まわりに回転可能に設けられ、基板の周端縁に当接するための当接部を有している。当接部の回転により、当接部は、回転軸線から離れた遠い開放位置と、回転軸線に近づいた保持位置との間で変位する。当接部の回転軸には、ピン駆動用磁石が結合されている。
また、この発明の他の目的は、基板の周縁部を、処理残りなく良好に処理できる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
また、基板保持回転装置には、開放磁石が非回転状態で設けられている。開放磁石は、回転台の回転に伴って回転している複数本の可動ピンのうち、回転台の回転方向に関して偏って設けられた磁界発生領域を通過する可動ピンに対応する駆動用磁石のみに反発力を生じさせるが、当該磁界発生領域を通過していない可動ピンに対応する駆動用磁石には、反発力または吸引力を与えない。この磁界発生領域は、複数本の可動ピンのうち一部の可動ピンに対応する駆動用磁石のみしか通過できないように設けられている。
以上により、基板を良好に支持して回転させることできると共に、基板の回転中に、可動ピンによる基板の接触支持位置を変化させることが可能な磁石切換え方式の基板保持回転装置を提供できる。
この構成によれば、第1の相対移動ユニットによって開放磁石および回転台を相対移動させることにより、開放磁石と駆動用磁石との間の距離を変化させることができる。したがって、開放磁石および回転台を相対移動させることにより、各駆動用磁石が通過する領域に磁界発生領域が発生する状態と、当該磁界発生領域が発生しない状態とを切り換えることができる。
この構成によれば、開放磁石および回転台の相対位置が第1の位置にある状態では、磁界発生領域を通過している可動ピンに、開放磁石から反発力または吸引力が与えることができ、基板の回転中に可動ピンによる基板の接触支持位置を変化させることができる。一方、開放磁石および回転台の相対位置が第2の位置にある状態では、各駆動用磁石が通過する領域に磁界発生領域が発生しないので、基板の回転中に可動ピンによる基板の接触支持位置を変化させることができない。
この構成によれば、開放磁石および回転台の相対位置が第1の位置にある状態では、磁界発生領域を通過している可動ピンに、付勢ユニットによって与えられる付勢力を上回る反発力または吸引力が与えられる。これにより、可動ピンの支持部は、開放位置と保持位置との間の中間位置に配置される。
この構成によれば、閉塞磁石によって、各可動ピンの支持部が保持位置に付勢される。これにより、各可動ピンの支持部を保持位置に付勢する構成を簡単に実現できる。
請求項7に記載の発明は、前記開放磁石は、前記回転台の周方向に間隔を空けて設けられた複数個の開放磁石を含み、各駆動用磁石が通過する領域に形成される前記磁界発生領域は、前記回転台の回転方向に間欠的な領域である、請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板保持回転装置である。
請求項10に記載の発明は、前記回転台の回転速度および/または前記開放磁石の周方向長さは、1つの前記開放磁石によって形成される前記磁界発生領域が前記回転台の周方向に関し前記可動ピンの周方向の配置間隔と一致するように設けられている、請求項7〜9のいずれか一項に記載の基板保持回転装置である。
請求項11に記載の発明は、前記開放磁石によって発生する磁界と前記閉塞磁石によって発生する磁界との干渉を遮蔽する遮蔽部材をさらに含む、請求項5または6に記載の基板保持回転装置である。
前記の目的を達成するための請求項12に記載の発明は、請求項1〜11のいずれか一項に記載の基板保持回転装置と、前記基板保持回転装置に保持されている基板の主面に対し、処理液を供給する処理液供給ユニットとを含む、基板処理装置である。
また、回転台の回転および処理液の供給に並行して、開放磁石および回転台の相対位置を、各駆動用磁石が通過する領域に磁界発生領域を形成する第1の位置に配置する。この場合、回転台の回転位相の変化に伴って可動ピンによる基板の接触支持位置を変化させることができる。そのため、基板の周縁部の全域に処理液を供給することが可能であり、これにより、基板の周縁部を、処理残りなく良好に処理することができる。
また、回転台の回転および処理液の供給に並行して、開放磁石および回転台の相対位置を、各駆動用磁石が通過する領域に磁界発生領域を形成する第1の位置に配置する。この場合、回転台の回転位相の変化に伴って可動ピンによる基板の接触支持位置を変化させることができる。そのため、基板の周縁部の全域に処理液を供給することが可能であり、これにより、基板の周縁部を、処理残りなく良好に処理することができる。
図1は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置1の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。
基板処理装置1は、半導体ウエハ(半導体基板)からなる円板状の基板Wを、処理液や処理ガスによって一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置1は、複数のキャリアCを保持するロードポートLPと、基板Wの姿勢を上下反転させる反転ユニットTUと、基板Wを処理する複数の処理ユニット2とを含む。ロードポートLPおよび処理ユニット2は、水平方向に間隔を空けて配置されている。反転ユニットTUは、ロードポートLPと処理ユニット2との間で搬送される基板Wの搬送経路上に配置されている。
図3に示すように、各可動ピン110は、回転台107の上面の周縁部に周方向に沿って等間隔に配置されている。各可動ピン110は、互いに共通の諸元を有している。6本の可動ピン110は、互いに隣り合わない3本の可動ピン110ごとに一つの群に設定されている。図3では、可動ピン110a、可動ピン110cおよび可動ピン110eの群と、可動ピン110b、可動ピン110dおよび可動ピン110fとの群が、互いに別の群に設定されている。
図2に示すように、回転台107の下方には、複数の開放永久磁石(開放磁石)127が回転台107の周方向に沿って配置されている。具体的には、回転軸線A1を中心とする円弧状をなす3つ(各可動ピン群111,112に含まれる可動ピン110の数と同数))の開放永久磁石127が、互いに共通の高さ位置でかつ回転台107の周方向に間隔を空けて配置されている。3つの開放永久磁石127は、互いに等しい諸元を有しており、回転軸線A1と同軸の円周上において周方向に等間隔を空けて配置されている。各開放永久磁石127は、回転軸線A1に直交する平面(水平面)に沿って配置されている。開放永久磁石127は、より具体的には、回転軸線A1に対して、駆動用永久磁石156と略同じ位置か、駆動用永久磁石156よりも若干径方向の外方に配置されている(図3および図4では、略同じ位置の場合を示している)。各開放永久磁石127の周方向長さ(角度)は、約30°である。各開放永久磁石127の周方向長さ(角度)を約30°とした理由は、後述するように基板Wを液処理速度(たとえば約500rpm)で回転させたときに、回転台107の回転に伴って回転する駆動用永久磁石156が通過する環状領域に形成される磁界発生領域129(図9A等参照)の周方向長さが、約60°(可動ピン110の周方向の配置間隔)と略一致するように設定したものである。
開放永久磁石127には、当該複数の開放永久磁石127を一括して昇降させる外側昇降ユニット(第1の相対移動ユニット)128が連結されている。外側昇降ユニット128は、たとえば、上下方向に伸縮可能に設けられたシリンダを含む構成であり、当該シリンダによって支持されている。また、外側昇降ユニット128が、電動モータを用いて構成されていてもよい。また、外側昇降ユニット128は開放永久磁石127を個別に昇降させるようにしてもよい。
図2に示すように、回転台107の下方には、閉塞永久磁石(閉塞磁石)125が配置されている。閉塞永久磁石125には、当該閉塞永久磁石125を昇降させる内側昇降ユニット(第2の相対移動ユニット)126が連結されている。内側昇降ユニット126は、たとえば、上下方向に伸縮可能に設けられたシリンダを含む構成であり、当該シリンダによって支持されている。また、内側昇降ユニット126が、駆動モータを用いて構成されていてもよい。
回転台107の下方には、開放永久磁石127によって発生する磁界と閉塞永久磁石125によって発生する磁界とを遮蔽する遮蔽部材130が設けられている。遮蔽部材130は、遮蔽部材130は、回転台107の周方向に間隔を空けて配置された平面視円弧状の3つ(開放永久磁石127の個数と同数)の遮弊板131を有する。各遮弊板131は、回転軸線A1を中心とする円弧状をなしている。3つの遮弊板131は、互いに等しい諸元を有しており、回転軸線A1と同軸の円周上において周方向に等間隔を空けて配置されている。各遮弊板131は、閉塞永久磁石125の内側に配置されている。3つの遮弊板131は3つの開放永久磁石127に一対一対応で設けられている。互いに対応する一組の遮弊板131および開放永久磁石127は、回転軸線A1からみて互いに同じ角度方向に配置されている。また、互いに対応する一組の遮弊板131および開放永久磁石127は、互いに等しい。各遮弊板131は、閉塞永久磁石125と一体昇降可能に閉塞永久磁石125に取り付けられていてもよいし、回転台107に対して相対回転不能かつ相対昇降不能に設けられた別の支持部材に取り付けられていてもよい。各遮弊板131の上下幅は、開放永久磁石127によって発生する磁界と閉塞永久磁石125によって発生する磁界とを完全に遮蔽できるような寸法に設定されている。
薬液ノズル6は、たとえば、連続流の状態でFOMを吐出するストレートノズルであり、たとえば基板Wの上面に垂直な方向にFOMを吐出する垂直姿勢でノズルアーム21に取り付けられている。ノズルアーム21は水平方向に延びており、スピンチャック5の周囲で鉛直方向に延びる所定の揺動軸線(図示しない)まわりに旋回可能に設けられている。
ノズル移動ユニット22は、揺動軸線まわりにノズルアーム21を旋回させることにより、平面視で基板Wの上面中央部を通る軌跡に沿って薬液ノズル6を水平に移動させる。ノズル移動ユニット22は、薬液ノズル6から吐出されたFOMが基板Wの上面に着液する処理位置と、薬液ノズル6が平面視でスピンチャック5の周囲に設定されたホーム位置との間で、薬液ノズル6を水平に移動させる。さらに、ノズル移動ユニット22は、薬液ノズル6から吐出されたFOMが基板Wの上面中央部に着液する中央位置と、薬液ノズル6から吐出されたFOMが基板Wの上面周縁部に着液する周縁位置との間で、薬液ノズル6を水平に移動させる。中央位置および周縁位置は、いずれも処理位置である。
図2に示すように、水供給ユニット8は水ノズル41を含む。水ノズル41は、たとえば、連続流の状態で液を吐出するストレートノズルであり、スピンチャック5の上方で、その吐出口を基板Wの上面の中央部に向けて固定的に配置されている。水ノズル41には、水供給源からの水が供給される水配管42が接続されている。水配管42の途中部には、水ノズル41からの水の供給/供給停止を切り換えるための水バルブ43が介装されている。水バルブ43が開かれると、水配管42から水ノズル41に供給された連続流の水が、水ノズル41の下端に設定された吐出口から吐出される。また、水バルブ43が閉じられると、水配管42から水ノズル41への水の供給が停止される。水は、たとえば脱イオン水(DIW)である。DIWに限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水および希釈濃度(たとえば、10ppm〜100ppm程度)の塩酸水のいずれかであってもよい。
洗浄ブラシ10は、たとえばPVA(ポリビニルアルコール)からなるスポンジ状のスクラブ部材であり、円柱状をなしている。洗浄ブラシ10は、その下面に、平坦状の洗浄面10aを有している。洗浄面10aが、基板Wの上面と接触する接触面として機能する。
このスクラブ洗浄の際に、水ノズル41から水(たとえば純水(deionized water:脱
イオン水))が供給されることによって、基板Wの裏面Wbの異物が取れやすくなり、また、洗浄ブラシ10によって擦り落とされた異物を基板W外へと排出することができる。
図8Aに示す状態から、閉塞永久磁石125を上昇させ、上位置に配置する。閉塞永久磁石125の上面が駆動用永久磁石156に接近することにより、駆動用永久磁石156に吸引磁力が発生し、駆動用永久磁石156と閉塞永久磁石125との間に吸引力が発生する。閉塞永久磁石125が上位置に配置された状態において、駆動用永久磁石156に働く吸引磁力の大きさは弾性押圧部材による弾性押圧力を上回っており、これにより、上軸部152が、回転軸線A1(図2参照)から離反した開放位置から、回転軸線A1に近づいた保持位置へと移動する。これにより、可動ピン110が保持位置へと付勢される。この状態では、図8Bに示すように、駆動用永久磁石156は、たとえばS極が回転台107の径方向の内方に向き、かつN極が回転台107の径方向の外方に向くように配置されている。
開放永久磁石127が上位置に配置された状態(図8Cに示す状態)で、かつ回転台107の回転状態では、回転台107の回転に伴って回転する駆動用永久磁石156が通過する環状領域に、回転台107の周方向に沿って延びる帯状の3つ(開放永久磁石127の個数と同数)の磁界発生領域129が間欠的に設けられている(周方向に互いに間隔を空けて配置されている)。各磁界発生領域129は、近接している開放永久磁石127の磁力によって形成される磁界が存在する領域である。回転台107の回転状態では、各磁界発生領域129の周方向長さ(角度)が、対応する開放永久磁石127の周方向長さ(角度)に比べて長くなる。各磁界発生領域129(図9A等参照)の周方向長さ(角度)は、約60°に設定されている。
処理ユニット2は、たとえば、アニール装置や成膜装置等の前処理装置で処理された後の基板W(以下、「未洗浄基板」とい場合がある。)Wを処理対象としている。基板Wの一例として円形のシリコン基板を挙げることができる。処理ユニット2は、たとえば、基板Wにおける表面Wa(他方主面。デバイス形成面)と反対側の裏面Wb(一方主面。デバイス非形成面)を洗浄する。
また、閉塞永久磁石125が上位置へと上昇する過程で、閉塞永久磁石125が保護ディスク側永久磁石160に下方から接近して、それらの永久磁石125,160の間の距離が縮まり、それに応じて、それらの間に働く反発磁力が大きくなる。この反発磁力によって、保護ディスク115が回転台107の上面から基板Wに向かって浮上する。そして、閉塞永久磁石125が上位置に達するときまでに、図12Bに示すように、保護ディスク115が基板Wの表面Wa(下面)に微小間隔を開けて接近した接近位置に達し、ガイド軸117の下端に形成されたフランジ120がリニア軸受け118に当接する。これにより、保護ディスク115は、前記接近位置に保持されることになる。この状態で、制御ユニット3は不活性ガスバルブ173を開き、図12Bに示すように、不活性ガスの供給を開始する(S4:不活性ガス供給開始)。供給された不活性ガスは、不活性ガス供給管170の上端から吐出され、整流部材186等の働きによって、接近位置にある保護ディスク115と基板Wの表面Wa(下面)との間の狭空間に向かって、回転軸線A1を中心とした放射状に吹き出される。
FOM供給工程(S6)の終了に引き続いて、リンス液である水が基板Wの裏面Wbに供給開始される(S7;リンス工程。処理液供給工程)。
そして、制御ユニット3は、内側昇降ユニット126を制御することにより、閉塞永久磁石125を下方位置へと下降させる(ステップS12)。これにより、閉塞永久磁石125と保護ディスク側永久磁石160との間の距離が広がり、それらの間の磁気反発力が減少していく。それに伴い、保護ディスク115は、回転台107の上面に向かって降下していく。これにより、保護ディスク115の上面と基板Wの表面Wa(下面)との間には、センターロボットCRのハンドH2を進入させることができるだけの空間が確保される。一方、閉塞永久磁石125が駆動用永久磁石156に対向しなくなるので、可動ピン110を保持位置へと付勢する外力が失われ、弾性押圧部材(図示しない)からの弾性押圧力を受けて、可動ピン110は開放位置へと配置されることになる。これによって、基板Wの握持が解除される。
たとえば、回転軸線A3に直交する方向に関し、閉塞永久磁石125を内側に、開放永久磁石127を外側にそれぞれ配置したが、この配置位置が逆であってもよい。
また、開放永久磁石127の磁極方向が上下方向に沿っているとして説明したが、開放永久磁石127の磁極方向が、可動ピン110の回転軸線A3に対して直交する方向であってもよい。
また、前述の実施形態では、磁界発生領域129を、3本の可動ピン110に対応する駆動用永久磁石156(すなわち3つの駆動用永久磁石156)が同時に通過するように設けたが、全部で6つの駆動用永久磁石156のうち1本または2本の可動ピン110に対応する駆動用永久磁石156(すなわち1つまたは2つの駆動用永久磁石156)が同時に通過するように設けられていてもよい。この場合、3本の可動ピン110からなる第1および第2の可動ピン群111,112で基板Wを持ち換える構成ではなく、6本の可動ピン110のうち、1本または2本の可動ピン110が同時に中間位置に配置され、このような動作が、6本の可動ピン110に関して順次行われる。
また、可動ピン110の個数を6個としたが、6個以上とすることもできる。この場合、可動ピン110の個数が偶数個であれば、第1の可動ピン群111に含まれる可動ピン110の個数と、第2の可動ピン群112に含まれる可動ピン110の個数と互いに同数とすることができ、レイアウトの観点から望ましい。たとえば、可動ピン110の個数を8個とする場合、各可動ピン群111,112に含まれる可動ピンの個数が4つになるが、この場合、開放永久磁石127の個数も、可動ピン110の個数と同数の4つである。
また、一連の処理液処理が、異物の除去に限られず、金属の除去、膜中に埋設された不純物の除去を目的とするものであってもよい。また、一連の処理液処理が、洗浄処理ではなくエッチング処理であってもよい。
また、前述の説明では、リンス工程(S7〜S9)の全期間において、開放永久磁石127を上位置に配置するとして説明したが、リンス工程(S7〜S9)のうちの一部の期間のみ、開放永久磁石127を上位置に配置するようにしてもよい。
また、処理対象面が、基板Wの上面であるとして説明したが、基板Wの下面を処理対象面としてもよい。この場合、基板Wの下面に処理液を供給するのであるが、基板Wの周縁部における基板支持位置において基板Wの下面から基板Wの上面への回り込みを許容することにより、基板Wの周縁部を、処理液を用いて処理残りなく良好に処理することができる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
107 :回転台
110 :可動ピン
111 :第1の可動ピン群
112 :第2の可動ピン群
125 :閉塞永久磁石
126 :内側昇降ユニット
127 :開放永久磁石
128 :外側昇降ユニット
129 :磁界発生領域
130 :遮蔽部材
W :基板
Claims (14)
- 回転台と、
前記回転台を、鉛直方向に沿う回転軸線まわりに回転させる回転駆動ユニットと、
基板を水平に支持するための複数本の可動ピンであって、前記回転軸線から離れた遠い開放位置と前記回転軸線に近づいた保持位置との間で移動可能に設けられた支持部を有し、前記回転台と共に前記回転軸線まわりに回転するように設けられた可動ピンと、
各可動ピンの前記支持部を前記保持位置に付勢する付勢ユニットと、
各可動ピンに対応して取り付けられた駆動用磁石と、
非回転状態で設けられた開放磁石であって、前記回転台の回転に伴って回転する各可動ピンが通過可能な所定の磁界発生領域であって前記回転台の回転方向に関して偏ってかつ複数本の可動ピンのうち一部の可動ピンに対応する駆動用磁石のみしか通過できないように設けられた磁界発生領域を形成し、当該磁界発生領域を通過する前記可動ピンの駆動用磁石に反発力または吸引力を与え、前記付勢ユニットによって前記保持位置に付勢されている当該可動ピンの前記支持部に、前記付勢ユニットによる付勢力に抗って前記開放位置に向わせる力を生じさせる開放磁石とを含む、基板保持回転装置。 - 前記開放磁石と前記駆動用磁石との間の距離が変化するように前記開放磁石および前記回転台を相対移動させる第1の相対移動ユニットをさらに含む、請求項1に記載の基板保持回転装置。
- 前記第1の相対移動ユニットは、前記開放磁石および前記回転台を、各駆動用磁石が通過する領域に前記磁界発生領域を形成する第1の位置と、各駆動用磁石が通過する領域に前記磁界発生領域を形成しない第2の位置との間で相対移動させる、請求項2に記載の基板保持回転装置。
- 前記開放磁石および前記回転台が前記第1の位置にある状態で、前記可動ピンの前記支持部は、前記開放位置と前記保持位置との間の中間位置に配置される、請求項3に記載の基板保持回転装置。
- 前記付勢ユニットは、各駆動用磁石との間に反発力または吸引力を与え、各可動ピンの前記支持部を前記保持位置に付勢する閉塞磁石を含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板保持回転装置。
- 前記閉塞磁石および前記回転台を、前記閉塞磁石が前記駆動用磁石との間に前記反発力または前記吸引力を与える第3の位置と、前記閉塞磁石が前記駆動用磁石との間に前記反発力および前記吸引力を与えない第4の位置との間で相対移動させる第2の相対移動ユニットをさらに含む、請求項5に記載の基板保持回転装置。
- 前記開放磁石は、前記回転台の周方向に間隔を空けて設けられた複数個の開放磁石を含み、各駆動用磁石が通過する領域に形成される前記磁界発生領域は、前記回転台の回転方向に間欠的な領域である、請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板保持回転装置。
- 前記可動ピンは、少なくとも3本の可動ピンを含む第1の可動ピン群と、前記第1の可動ピン群とは別に設けられ、少なくとも3本の可動ピンを含む第2の可動ピン群とを含み、
全ての前記可動ピンに対応して取り付けられた前記駆動用磁石は、前記回転軸線に沿う軸線に直交する方向に関し互いに等しい磁極方向を有するように設けられており、
前記複数の前記開放磁石は、前記第1の可動ピン群に対応する各駆動用磁石が前記磁界発生領域内に存在している状態で、前記第2の可動ピン群に対応する各駆動用磁石が前記磁界発生領域内に存在せず、かつ前記第2の可動ピン群に対応する各駆動用磁石が前記磁界発生領域内に存在している状態で、前記第1の可動ピン群に対応する各駆動用磁石が前記磁界発生領域内に存在しないように配置されている、請求項7に記載の基板保持回転装置。 - 前記第1の可動ピン群は、前記第2の可動ピン群と同数の前記可動ピンを含み、
前記第1および第2の可動ピン群は前記回転台の周方向に関し交互に、かつ各可動ピン群に含まれる複数本の可動ピンが等間隔となるように配置されており、
前記複数の開放磁石は、各可動ピン群に含まれる前記可動ピンの数と同数、前記回転台の周方向に等間隔に配置されている、請求項8に記載の基板保持回転装置。 - 前記回転台の回転速度および/または前記開放磁石の周方向長さは、1つの前記開放磁石によって形成される前記磁界発生領域が前記回転台の周方向に関し前記可動ピンの周方向の配置間隔と一致するように設けられている、請求項7〜9のいずれか一項に記載の基板保持回転装置。
- 前記開放磁石によって発生する磁界と前記閉塞磁石によって発生する磁界との干渉を遮蔽する遮蔽部材をさらに含む、請求項5または6に記載の基板保持回転装置。
- 請求項1〜11のいずれか一項に記載の基板保持回転装置と、
前記基板保持回転装置に保持されている基板の主面に対し、処理液を供給する処理液供給ユニットとを含む、基板処理装置。 - 前記開放磁石および前記回転台を、各駆動用磁石が通過する領域に前記磁界発生領域を形成する第1の位置と、各駆動用磁石が通過する領域に前記磁界発生領域を形成しない第2の位置との間で相対移動させる第1の相対移動ユニットと、
前記回転駆動ユニット、前記処理液供給ユニットおよび前記第1の相対移動ユニットを制御する制御ユニットとをさらに含み、
前記制御ユニットは、
前記回転台を前記回転軸線まわりに回転させる回転台回転工程と、
前記回転台の回転に伴って回転している基板に処理液を供給する処理液供給工程と、
前記回転台回転工程および前記処理液供給工程に並行して、前記開放磁石および前記回転台の相対位置を前記第1の位置に配置する開放磁石配置工程とを実行する、請求項12に記載の基板処理装置。 - 回転台と、前記回転台を、鉛直方向に沿う回転軸線まわりに回転させる回転駆動ユニットと、基板を水平に支持するための複数本の可動ピンであって、前記回転軸線から離れた遠い開放位置と前記回転軸線に近づいた保持位置との間で移動可能に設けられた支持部を有し、前記回転台と共に前記回転軸線まわりに回転するように設けられた可動ピンと、各可動ピンの前記支持部を前記保持位置に付勢する付勢ユニットと、各可動ピンに対応して取り付けられた駆動用磁石と、非回転状態で設けられた開放磁石であって、前記回転台の回転に伴って回転する各可動ピンが通過可能な所定の磁界発生領域であって前記回転台の回転方向に関して偏ってかつ複数本の可動ピンのうち一部の可動ピンに対応する駆動用磁石のみしか通過できないように設けられた磁界発生領域を形成し、当該磁界発生領域を通過する前記可動ピンの駆動用磁石に反発力または吸引力を与え、前記付勢ユニットによって前記保持位置に付勢されている当該可動ピンの前記支持部に、前記付勢ユニットによる付勢力に抗って前記開放位置に向わせる力を生じさせる開放磁石とを含む、基板保持回転装置と、前記開放磁石および前記回転台を、各駆動用磁石が通過する領域に前記磁界発生領域を形成する第1の位置と、各駆動用磁石が通過する領域に前記磁界発生領域を形成しない第2の位置との間で相対移動させる第1の相対移動ユニットとを含む基板処理装置において実行される基板処理方法であって、
前記回転台を前記回転軸線まわりに回転させる回転台回転工程と、
前記回転台の回転に伴って回転している基板に処理液を供給する処理液供給工程と、
前記回転台回転工程および前記処理液供給工程に並行して、前記開放磁石および前記回転台の相対位置を前記第1の位置に配置する開放磁石配置工程とを含む、基板処理方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/271,642 US9892955B2 (en) | 2015-09-29 | 2016-09-21 | Substrate holding/rotating device, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method |
KR1020160122154A KR101911144B1 (ko) | 2015-09-29 | 2016-09-23 | 기판 유지 회전 장치 및 그것을 구비한 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 방법 |
TW105131018A TWI605534B (zh) | 2015-09-29 | 2016-09-26 | 基板保持旋轉裝置及具備其之基板處理裝置、暨基板處理方法 |
CN201610864314.5A CN106952858B (zh) | 2015-09-29 | 2016-09-29 | 基板保持旋转装置、基板处理装置以及基板处理方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015192154 | 2015-09-29 | ||
JP2015192154 | 2015-09-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017069532A JP2017069532A (ja) | 2017-04-06 |
JP6660628B2 true JP6660628B2 (ja) | 2020-03-11 |
Family
ID=58495231
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016030155A Active JP6660628B2 (ja) | 2015-09-29 | 2016-02-19 | 基板保持回転装置およびそれを備えた基板処理装置、ならびに基板処理方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6660628B2 (ja) |
KR (1) | KR101911144B1 (ja) |
CN (1) | CN106952858B (ja) |
TW (1) | TWI605534B (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6899703B2 (ja) * | 2017-05-29 | 2021-07-07 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR102030471B1 (ko) | 2017-07-25 | 2019-10-14 | 세메스 주식회사 | 리프트 핀 유닛 및 이를 구비하는 기판 지지 유닛 |
NL2020360B1 (en) * | 2018-01-31 | 2019-08-07 | Besi Netherlands Bv | Handler device for handling substrates |
JP7116550B2 (ja) * | 2018-02-08 | 2022-08-10 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP7282494B2 (ja) * | 2018-09-18 | 2023-05-29 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP7145019B2 (ja) * | 2018-09-19 | 2022-09-30 | 株式会社Screenホールディングス | レシピ変換方法、レシピ変換プログラム、レシピ変換装置および基板処理システム |
CN111069115A (zh) * | 2018-10-22 | 2020-04-28 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种cmp后清洗方法 |
US20200203209A1 (en) * | 2018-12-21 | 2020-06-25 | Xia Tai Xin Semiconductor (Qing Dao) Ltd. | Apparatus and system for wafer spin process |
JP7256728B2 (ja) * | 2019-10-04 | 2023-04-12 | 株式会社荏原製作所 | 基板ホルダ及び基板処理装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4070686B2 (ja) | 2003-08-07 | 2008-04-02 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板回転保持装置および回転式基板処理装置 |
JP4095613B2 (ja) * | 2005-01-13 | 2008-06-04 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板保持装置 |
US9385020B2 (en) * | 2011-12-19 | 2016-07-05 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate holding and rotating device, substrate treatment apparatus including the device, and substrate treatment method |
-
2016
- 2016-02-19 JP JP2016030155A patent/JP6660628B2/ja active Active
- 2016-09-23 KR KR1020160122154A patent/KR101911144B1/ko active IP Right Grant
- 2016-09-26 TW TW105131018A patent/TWI605534B/zh active
- 2016-09-29 CN CN201610864314.5A patent/CN106952858B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106952858B (zh) | 2020-04-17 |
KR101911144B1 (ko) | 2018-10-23 |
CN106952858A (zh) | 2017-07-14 |
JP2017069532A (ja) | 2017-04-06 |
TW201721788A (zh) | 2017-06-16 |
TWI605534B (zh) | 2017-11-11 |
KR20170038157A (ko) | 2017-04-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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