WO2019230564A1 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents

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WO2019230564A1
WO2019230564A1 PCT/JP2019/020516 JP2019020516W WO2019230564A1 WO 2019230564 A1 WO2019230564 A1 WO 2019230564A1 JP 2019020516 W JP2019020516 W JP 2019020516W WO 2019230564 A1 WO2019230564 A1 WO 2019230564A1
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substrate
clamping
unit
holding
sandwiching
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PCT/JP2019/020516
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亨 遠藤
昌之 林
柴山　宣之
雄二 菅原
克栄 東
誠士 阿野
Original Assignee
株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス
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    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus.
  • substrates to be processed include semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, plasma display substrates, FED (Field (Emission Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, and photomasks.
  • substrate semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, plasma display substrates, FED (Field (Emission Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, and photomasks.
  • substrate ceramic substrate, solar cell substrate and the like.
  • a single-wafer type substrate processing apparatus that processes substrates one by one includes, for example, a spin chuck that horizontally holds and rotates a substrate, and a main substrate that is held by the spin chuck. And a processing liquid supply unit for supplying the processing liquid to the surface.
  • a spin chuck there is a case where a holding chuck that holds a substrate horizontally by bringing a plurality of holding pins into contact with a peripheral portion of the substrate and holding the substrate in a horizontal direction may be adopted.
  • the plurality of clamping pins are provided at appropriate intervals on the circumference corresponding to the outer peripheral shape of the substrate.
  • a chemical process is performed in which a chemical liquid as a processing liquid is supplied to a substrate held by a spin chuck.
  • the chemical liquid supplied to the substrate receives a centrifugal force due to the rotation of the substrate and is discharged from the peripheral portion.
  • a rinsing process is performed in which a rinsing liquid as a processing liquid is supplied to the substrate.
  • the rinsing liquid supplied to the substrate receives a centrifugal force due to the rotation of the substrate and is discharged from the peripheral portion.
  • a spin dry process for removing the rinse liquid adhering to the main surface of the substrate is performed. In the spin dry process, when the substrate is rotated at a high speed, the rinse liquid adhering to the substrate is shaken off and removed (dried).
  • a common rinse solution is deionized water.
  • the rinsing liquid remains between the pinching portion of the pin and the peripheral portion of the substrate.
  • the remaining rinse liquid (the rinse liquid remaining between the sandwiching portion and the peripheral portion of the substrate) may contain a chemical solution.
  • the chemical liquid contained in the rinse liquid may be dried, and particles may be generated at the peripheral edge of the main surface of the substrate. That is, it has been demanded to suppress or prevent the occurrence of particle contamination due to the spin dry process being performed while the liquid remains between the sandwiching portion and the peripheral portion of the substrate.
  • one of the objects of the present invention is to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of suppressing or preventing the generation of particles at the peripheral edge of the substrate.
  • the present invention has at least three first clamping portions that can contact the peripheral edge of the substrate, and the at least three first clamping portions contact the peripheral edge of the substrate to hold the substrate.
  • One clamping unit and the first clamping unit are provided separately and have at least three second clamping parts that can contact the peripheral edge of the substrate, and the at least three second clamping parts are A substrate that is executed in a substrate processing apparatus including a substrate holding and rotating device that includes a second holding unit that holds the substrate by contacting a peripheral edge of the substrate, and for performing a process using a chemical solution on the substrate.
  • the substrate held by the substrate holding / rotating device is rotated to rotate around the rotation axis passing through the central portion of the substrate, and the rinsing liquid is supplied to the main surface of the substrate.
  • a spin drying step of rotating the substrate around the rotation axis at a swinging speed at which the rinse liquid can be shaken off from the main surface of the substrate without supplying a rinse liquid to the main surface of the substrate.
  • the at least three first sandwiching portions are formed on the substrate while the at least three second sandwiching portions are separated from the peripheral portion of the substrate.
  • the first clamping unit By bringing the substrate into contact with the peripheral edge, the first clamping unit realizes a first clamping state in which the substrate is sandwiched by the first clamping unit and the substrate is not sandwiched by the second clamping unit.
  • the at least three first clamping parts are connected to the base in parallel with the spin drying step.
  • the at least three second holding portions are brought into contact with the peripheral portion of the substrate while being separated from the peripheral portion of the substrate, whereby the substrate is held by the second holding unit, and the substrate is held by the first holding unit.
  • a substrate processing method including a second clamping step that realizes a second clamping state that is not clamped and maintains the second clamping state for a predetermined second period.
  • the first sandwiching state in which the substrate is sandwiched by the first sandwiching unit and the substrate is not sandwiched by the second sandwiching unit is maintained ( First clamping step).
  • First clamping step In the first clamping state, each second clamping part is separated from the peripheral edge part of the substrate.
  • each second clamping part rotates around the rotation axis while being separated from the peripheral edge of the substrate. Therefore, even if the liquid is attached to the second holding part before the start of the first holding process, centrifugal force acts on the liquid attached to the second holding part as the substrate rotates. Thus, the liquid is shaken off from the second clamping unit. Therefore, at the end of the first clamping step, the liquid is removed from the second clamping unit.
  • a second clamping state is maintained in which the substrate is sandwiched by the second sandwiching unit and the substrate is not sandwiched by the first sandwiching unit (the second sandwiching state). Clamping process).
  • each first clamping part is separated from the peripheral part of the substrate, and the second clamping part is in contact with the peripheral part of the substrate.
  • the substrate can be sandwiched by the second sandwiching unit without causing a liquid containing a chemical solution to exist between the second sandwiching portion and the peripheral portion of the substrate.
  • the first clamping parts rotate around the rotation axis while the first clamping parts are separated from the peripheral edge of the substrate. Therefore, even if the liquid is attached to the first holding part before the start of the second holding process, a large centrifugal force acts on the liquid attached to the first holding part as the substrate rotates, Thereby, the liquid is shaken off from the first clamping unit. Therefore, the liquid is removed from the first clamping unit after the second clamping process is completed.
  • the substrate is sandwiched by the second sandwiching unit, the already-dried first sandwiching portion comes into contact with the peripheral portion of the substrate. At this time, there is no liquid between the first clamping part and the peripheral part of the substrate. That is, in the step subsequent to the second clamping step, the substrate can be clamped by the first clamping unit without causing the liquid containing the chemical liquid to exist between the first clamping portion and the peripheral edge portion of the substrate.
  • the spin dry process can be executed while suppressing or preventing the liquid containing the chemical liquid from remaining between the first and second sandwiching portions and the peripheral portion of the substrate. Therefore, the generation of particles at the peripheral edge of the substrate can be suppressed or prevented.
  • the substrate processing method is provided on the main surface of the substrate while rotating the substrate held by the substrate holding and rotating device around the rotation axis before the rinsing step. It further includes a chemical liquid process for supplying the chemical liquid.
  • the chemical solution process is executed prior to the rinsing process.
  • the chemical solution may permeate into the sandwiching portion in the chemical solution process.
  • the soaked chemical solution oozes out into the rinsing liquid remaining between the first sandwiching portion and the peripheral edge portion of the substrate or between the second sandwiching portion and the peripheral edge portion of the substrate.
  • the chemical solution may be contained in the rinsing liquid remaining between the first sandwiching portion and the peripheral portion of the substrate or between the second sandwiching portion and the peripheral portion of the substrate. If the spin dry process is performed in this state, particles may be generated at the peripheral edge of the substrate.
  • the spin dry process can be performed while suppressing or preventing the liquid containing the chemical liquid from remaining between the first and second sandwiching portions and the peripheral portion of the substrate. Therefore, the occurrence of particle contamination can be suppressed or prevented.
  • the chemical solution may contain a sulfuric acid-containing solution.
  • the sulfuric acid-containing liquid is generally used for substrate processing with a very high liquid temperature. In this case, depending on the material of the pin, the sulfuric acid-containing liquid may penetrate into the pin. When the sulfuric acid-containing liquid oozes out in the rinse liquid remaining between the sandwiching portion and the peripheral portion of the substrate during the spin drying process, particles may be generated at the peripheral portion of the substrate.
  • the spin dry process can be executed while suppressing or preventing the liquid containing the sulfuric acid-containing liquid from remaining between the first and second sandwiching portions and the peripheral edge portion of the substrate. Therefore, even when a sulfuric acid-containing liquid is used as the chemical liquid, the generation of particles at the peripheral edge of the substrate can be suppressed or prevented.
  • the first period is a period during which the rinsing liquid can be shaken off from the at least three first holding portions
  • the second period is the at least three second This is a period during which the rinsing liquid can be shaken off from the nipping portion.
  • the second clamping unit can be dried at the end of the first clamping process. Further, the first clamping unit can be dried at the end of the second clamping process. Thereby, the remaining of the liquid containing the chemical solution between the first and second sandwiching portions and the peripheral portion of the substrate during the spin dry process can be more effectively suppressed.
  • the at least three second clamping parts that are separated from the peripheral part of the substrate are brought into contact with the peripheral part of the substrate.
  • the first clamping state since the first clamping state is transited from the first clamping state to the second clamping state once, the first clamping state is changed to the second clamping state without stopping the rotation of the substrate. Transition can be made.
  • the substrate is sandwiched by the first sandwiching unit and the second sandwiching unit in parallel with the spin dry step.
  • achieves the both clamping state to perform is further included.
  • the spin dry step is capable of shaking off the rinse liquid from the main surface of the substrate in parallel with the first clamping step and the second clamping step.
  • the rinse liquid can be shaken off from the main surface of the substrate, and the first And a second spin drying step of rotating around the rotation axis at a second drying speed higher than the drying speed.
  • the substrate can be rotated at a higher second drying speed in the spin dry process, the substrate can be satisfactorily shaken and dried.
  • the first clamping step is executed in parallel with the spin dry step.
  • the rinse liquid from the substrate may fall on the second clamping part that is separated from the peripheral part of the substrate. Further, since the rotation speed of the substrate is slow, there is a possibility that the centrifugal force acting on each second clamping part rotating while being separated from the peripheral part in the first clamping process is not increased.
  • the rinsing liquid from the substrate is applied to the second clamping portion that is separated from the peripheral portion of the substrate. There is no risk of falling. Further, since the rotation speed of the substrate is high enough to shake off the rinsing liquid, the centrifugal force acting on each of the second holding portions rotating while being separated from the peripheral portion in the first holding step is large. Thereby, in a 1st clamping process, a 2nd clamping part can be dried more favorably.
  • the first clamping process and the second clamping process are performed again in parallel with the spin dry process.
  • the first clamping step and the second clamping step are executed a plurality of times. Therefore, the spin dry process can be executed while more effectively suppressing the remaining of the liquid containing the chemical liquid between the first and second sandwiching portions and the peripheral portion of the substrate. Therefore, the generation of particles at the peripheral edge of the substrate can be more effectively suppressed.
  • the present invention is a substrate processing apparatus for performing a process using a chemical solution on a substrate, and includes at least three first holding portions that can contact a peripheral portion of the substrate, and the at least three first A first clamping unit capable of clamping the substrate by one clamping unit; and at least three second clamping units provided separately from the first clamping unit and capable of contacting the peripheral edge of the substrate A second sandwiching unit capable of sandwiching the substrate by the at least three second sandwiching portions, and the first sandwiching unit and the second sandwiching unit at a central portion of the substrate.
  • a substrate holding / rotating device including a rotating unit that rotates around a rotation axis passing through the first holding unit and a holding driving unit that drives the first holding unit and the second holding unit, and the substrate holding rotation.
  • a rinsing liquid supply unit for supplying a rinsing liquid to the main surface of the substrate held by the apparatus, and a control device for controlling the rotating unit, the clamping drive unit, and the rinsing liquid supply unit, While the control device rotates the substrate held by the substrate holding and rotating device around the rotation axis passing through the central portion of the substrate by the rotation unit, the rinse liquid supply unit causes the main surface of the substrate to be rotated.
  • At least one of a spin dry process that rotates about the rotation axis, the rinse process, and the spin dry process In parallel, in order to shake off the rinsing liquid from the at least three second clamping parts, the at least three second clamping parts are separated from the peripheral edge of the substrate by the clamping drive unit.
  • a first clamping step for maintaining the first clamping state for a predetermined first period, and after the first clamping step, in parallel with the spin dry process, from the at least three first clamping parts In order to shake off the rinsing liquid, the at least three second holding units are separated from the peripheral portion of the substrate by the holding driving unit. Is brought into contact with the peripheral portion of the substrate, thereby realizing a second clamping state in which the substrate is sandwiched by the second sandwiching unit and the substrate is not sandwiched by the first sandwiching unit.
  • a substrate processing apparatus is provided that executes a second clamping step of maintaining the two clamping states for a predetermined second period.
  • the first sandwiching state in which the substrate is sandwiched by the first sandwiching unit and the substrate is not sandwiched by the second sandwiching unit is maintained ( First clamping step).
  • First clamping step In the first clamping state, each second clamping part is separated from the peripheral edge part of the substrate.
  • each second clamping part rotates around the rotation axis while being separated from the peripheral edge of the substrate. Therefore, even if the liquid is attached to the second holding part before the start of the first holding process, centrifugal force acts on the liquid attached to the second holding part as the substrate rotates. Thus, the liquid is shaken off from the second clamping unit. Therefore, at the end of the first clamping step, the liquid is removed from the second clamping unit.
  • a second clamping state is maintained in which the substrate is sandwiched by the second sandwiching unit and the substrate is not sandwiched by the first sandwiching unit (the second sandwiching state). Clamping process).
  • each first clamping part is separated from the peripheral part of the substrate, and the second clamping part is in contact with the peripheral part of the substrate.
  • the substrate can be sandwiched by the second sandwiching unit without causing a liquid containing a chemical solution to exist between the second sandwiching portion and the peripheral portion of the substrate.
  • the first clamping parts rotate around the rotation axis while the first clamping parts are separated from the peripheral edge of the substrate. Therefore, even if the liquid is attached to the first holding part before the start of the second holding process, a large centrifugal force acts on the liquid attached to the first holding part as the substrate rotates, Thereby, the liquid is shaken off from the first clamping unit. Therefore, the liquid is removed from the first clamping unit after the second clamping process is completed.
  • the substrate is sandwiched by the second sandwiching unit, the already-dried first sandwiching portion comes into contact with the peripheral portion of the substrate. At this time, there is no liquid between the first clamping part and the peripheral part of the substrate. That is, in the step subsequent to the second clamping step, the substrate can be clamped by the first clamping unit without causing the liquid containing the chemical liquid to exist between the first clamping portion and the peripheral edge portion of the substrate.
  • the spin dry process can be executed while suppressing or preventing the liquid containing the chemical liquid from remaining between the first and second sandwiching portions and the peripheral portion of the substrate. Therefore, the generation of particles at the peripheral edge of the substrate can be suppressed or prevented.
  • the controller controls the chemical liquid on the main surface of the base while rotating the substrate held by the substrate holding circuit device around the rotation axis before the rinsing step.
  • the chemical liquid process is executed prior to the rinsing process.
  • the chemical solution may permeate into the sandwiching portion in the chemical solution process.
  • the soaked chemical solution oozes out into the rinsing liquid remaining between the first sandwiching portion and the peripheral edge portion of the substrate or between the second sandwiching portion and the peripheral edge portion of the substrate.
  • the chemical solution may be contained in the rinsing liquid remaining between the first sandwiching portion and the peripheral portion of the substrate or between the second sandwiching portion and the peripheral portion of the substrate. If the spin dry process is performed in this state, particles may be generated at the peripheral edge of the substrate.
  • the spin dry process can be performed while suppressing or preventing the liquid containing the chemical liquid from remaining between the first and second sandwiching portions and the peripheral portion of the substrate. Therefore, the occurrence of particle contamination can be suppressed or prevented.
  • the chemical solution may contain a sulfuric acid-containing solution.
  • the sulfuric acid-containing liquid is generally used for substrate processing with a very high liquid temperature. In this case, depending on the material of the pin, the sulfuric acid-containing liquid may penetrate into the pin. When the sulfuric acid-containing liquid oozes out in the rinse liquid remaining between the sandwiching portion and the peripheral portion of the substrate during the spin drying process, particles may be generated at the peripheral portion of the substrate.
  • the spin dry process can be executed while suppressing or preventing the liquid containing the sulfuric acid-containing liquid from remaining between the first and second sandwiching portions and the peripheral edge portion of the substrate. Therefore, even when a sulfuric acid-containing liquid is used as the chemical liquid, the generation of particles at the peripheral edge of the substrate can be suppressed or prevented.
  • the first period is a period during which the rinsing liquid can be shaken off from the at least three first holding portions
  • the second period is the at least three second This is a period during which the rinsing liquid can be shaken off from the nipping portion.
  • the second clamping unit can be dried at the end of the first clamping process. Further, the first clamping unit can be dried at the end of the second clamping process. Thereby, the remaining of the liquid containing the chemical solution between the first and second sandwiching portions and the peripheral portion of the substrate during the spin dry process can be more effectively suppressed.
  • control device causes the at least three second holding portions spaced from the peripheral portion of the substrate to contact the peripheral portion of the substrate in the first holding state.
  • a first transition step of transitioning from the first sandwiched state to a sandwiched state in which the substrate is sandwiched by the first sandwiching unit and the second sandwiching unit, and in the both sandwiched state, the substrate A second transition step in which the at least three first sandwiching portions in contact with the peripheral portion of the substrate are separated from the peripheral portion of the substrate to transition from the both sandwiched states to the second sandwiched state.
  • the first clamping state since the first clamping state is transited from the first clamping state to the second clamping state once, the first clamping state is changed to the second clamping state without stopping the rotation of the substrate. Transition can be made.
  • control apparatus clamps the substrate by the first clamping unit and the second clamping unit in parallel with the spin dry process after the second clamping process. Both clamping processes for realizing both clamping states are further executed.
  • the control device in the spin dry process, removes the substrate from the main surface of the substrate in parallel with the first clamping process and the second clamping process.
  • the rinse liquid in parallel with the first spin-drying step of rotating around the rotation axis at a first drying speed that can be shaken off, and the both clamping steps, the rinse liquid can be shaken off from the main surface of the substrate.
  • the substrate can be rotated at a faster second drying speed in the spin dry process, the substrate can be satisfactorily shaken and dried.
  • control device executes the first clamping process in parallel with the spin dry process.
  • the rinse liquid from the substrate may fall on the second clamping part that is separated from the peripheral part of the substrate. Further, since the rotation speed of the substrate is slow, there is a possibility that the centrifugal force acting on each second clamping part rotating while being separated from the peripheral part in the first clamping process is not increased.
  • the rinse liquid from the substrate is applied to the second clamping part that is separated from the peripheral part of the substrate. There is no risk of falling. Further, since the rotation speed of the substrate is high enough to shake off the rinsing liquid, the centrifugal force acting on each of the second holding portions rotating while being separated from the peripheral portion in the first holding step is large. Thereby, in a 1st clamping process, a 2nd clamping part can be dried more favorably.
  • control device executes the first clamping step and the second clamping step again in parallel with the spin dry step.
  • the first clamping step and the second clamping step are executed a plurality of times. Therefore, the spin dry process can be executed while more effectively suppressing the remaining of the liquid containing the chemical liquid between the first and second sandwiching portions and the peripheral portion of the substrate. Therefore, the generation of particles at the peripheral edge of the substrate can be more effectively suppressed.
  • the first clamping portion and the second clamping portion include a resin member.
  • the processing using the chemical solution is performed while the substrate is clamped by the first clamping unit and the second clamping unit.
  • the chemical solution may permeate into the first sandwiching portion and the second sandwiching portion.
  • the rinsing liquid may remain between the first sandwiching portion and the peripheral portion of the substrate or between the second sandwiching portion and the peripheral portion of the substrate. If the spin dry process is performed in a state where the chemical liquid soaked in the chemical liquid process is oozed out into the rinse liquid, particle contamination may occur on the main surface of the substrate.
  • the spin dry process can be executed while suppressing or preventing the liquid containing the chemical liquid from remaining between the first and second sandwiching portions and the peripheral portion of the substrate. Therefore, even when the first sandwiching portion and the second sandwiching portion include a resin member, the generation of particles at the peripheral portion of the substrate can be suppressed or prevented.
  • the resin member contains carbon
  • the carbon falls out of the resin member due to deterioration over time. And it is possible that a fine space
  • the spin dry process can be executed while suppressing or preventing the liquid containing the chemical liquid from remaining between the first and second sandwiching portions and the peripheral portion of the substrate. Therefore, even when the first sandwiching portion and the second sandwiching portion include a resin member containing carbon, generation of particles at the peripheral portion of the substrate can be suppressed or prevented.
  • FIG. 1 is an illustrative plan view for explaining an internal layout of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic view of the inside of the processing unit provided in the substrate processing apparatus as viewed in the horizontal direction.
  • FIG. 3 is a side view for explaining a more specific configuration of the spin chuck provided in the processing unit.
  • FIG. 4 is a plan view for explaining a more specific configuration of the spin chuck.
  • FIG. 5A is an enlarged cross-sectional view showing a configuration in the vicinity of the first clamping pin.
  • FIG. 5A shows a state where the first clamping unit is in the contact position.
  • FIG. 5B is an enlarged cross-sectional view showing a configuration in the vicinity of the first clamping pin.
  • FIG. 5A is an enlarged cross-sectional view showing a configuration in the vicinity of the first clamping pin.
  • FIG. 5B shows a state where the first clamping unit is in the separated position.
  • FIG. 6A is an enlarged cross-sectional view showing the configuration in the vicinity of the second clamping pin.
  • FIG. 6A shows a state where the second clamping unit is in the contact position.
  • FIG. 6B is an enlarged cross-sectional view showing the configuration in the vicinity of the second clamping pin.
  • FIG. 6B shows a state where the second sandwiching portion is in the separated position.
  • 7A and 7B are schematic diagrams illustrating states of the first clamping unit and the second clamping unit.
  • 8A and 8B are schematic diagrams illustrating states of the first clamping unit and the second clamping unit.
  • 9A and 9B are schematic views showing the states of the first clamping unit and the second clamping unit.
  • 10A and 10B are schematic diagrams illustrating states of the first clamping unit and the second clamping unit.
  • 11A and 11B are schematic views showing the states of the first clamping unit and the second clamping unit.
  • 12A and 12B are schematic diagrams illustrating states of the first clamping unit and the second clamping unit.
  • FIG. 13 is a block diagram for explaining an electrical configuration of a main part of the substrate processing apparatus.
  • FIG. 14 is a flowchart for explaining an example of substrate processing by the processing unit.
  • FIG. 15 is a timing chart for explaining the second rinsing step and the spin dry step.
  • 16A and 16B are schematic diagrams for explaining the SPM process and the first rinsing process.
  • 16C and 16D are schematic diagrams for explaining the SC1 step and the second rinsing step.
  • 16E to 16G are schematic views for explaining the spin dry process.
  • FIG. 17 is a timing chart for explaining a part of the first modification processing example by the processing unit.
  • FIG. 18 is a timing chart for explaining a part of the second modification processing example by the processing unit.
  • FIG. 19 is a timing chart for explaining a part of a third modification processing example by the processing unit.
  • FIG. 20 is a timing chart for explaining a part of the fourth modification processing example by the processing unit.
  • FIG. 1 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention as viewed from above.
  • the substrate processing apparatus 1 is a single wafer processing apparatus that processes substrates W such as silicon wafers one by one.
  • the substrate W is a disk-shaped substrate.
  • the substrate processing apparatus 1 includes a plurality of processing units 2 that process a substrate W with a processing liquid and a rinsing liquid, and a load port on which a substrate container C that stores a plurality of substrates W processed by the processing unit 2 is placed.
  • LP an indexer robot IR and a substrate transfer robot CR that transfer the substrate W between the load port LP and the processing unit 2, and a control device 3 that controls the substrate processing apparatus 1.
  • the indexer robot IR transports the substrate W between the substrate container C and the substrate transport robot CR.
  • the substrate transport robot CR transports the substrate W between the indexer robot IR and the processing unit 2.
  • the plurality of processing units 2 have the same configuration, for example.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining a configuration example of the processing unit 2.
  • the processing unit 2 holds a box-shaped chamber 4 having an internal space, and a single substrate W in the chamber 4 in a horizontal posture, and places the substrate W around a vertical rotation axis A1 passing through the center of the substrate W.
  • a spin chuck (substrate holding and rotating device) 5 to be rotated and sulfuric acid for supplying a sulfuric acid-containing liquid as an example of a chemical solution to the surface (main surface, for example, a pattern forming surface) of the substrate W held by the spin chuck 5
  • the blocking member 8 facing the upper surface of the substrate W held by the substrate 5 and the inside of the blocking member 8 are inserted vertically, and the rinsing liquid is directed toward the center of the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 5.
  • the chamber 4 includes a box-shaped partition wall 14 that accommodates the spin chuck 5, and an FFU (fan filter unit) as a blower unit that sends clean air (air filtered by a filter) into the partition wall 14 from above the partition wall 14. 15 and an exhaust duct 16 for discharging the gas in the chamber 4 from the lower part of the partition wall 14.
  • the FFU 15 is disposed above the partition wall 14 and attached to the ceiling of the partition wall 14.
  • the FFU 15 sends clean air of low humidity downward from the ceiling of the partition wall 14 into the chamber 4.
  • the exhaust duct 16 is connected to the bottom of the processing cup 11 and guides the gas in the chamber 4 toward an exhaust processing facility provided in a factory where the substrate processing apparatus 1 is installed. Therefore, a downflow (downflow) that flows downward in the chamber 4 is formed by the FFU 15 and the exhaust duct 16.
  • the processing of the substrate W is performed in a state where a down flow is formed in the chamber 4.
  • a clamping chuck that holds the substrate W horizontally with the substrate W held in the horizontal direction is employed.
  • a specific configuration of the spin chuck 5 will be described later.
  • the sulfuric acid-containing liquid supply unit 6 includes a sulfuric acid-containing liquid nozzle 18, a nozzle arm 19 having the sulfuric acid-containing liquid nozzle 18 attached to the tip thereof, and a nozzle that moves the sulfuric acid-containing liquid nozzle 18 by moving the nozzle arm 19.
  • Mobile unit 20 (see FIG. 13).
  • the sulfuric acid-containing liquid supplied from the sulfuric acid-containing liquid supply unit 6 is, for example, SPM (sulfuric acid / sulfuric acid / hydrogen sulfate mixed solution containing H 2 SO 4 (sulfuric acid) and H 2 O 2 (hydrogen peroxide water)). hydrogen peroxide mixture)).
  • the sulfuric acid-containing liquid nozzle 18 is, for example, a straight nozzle that discharges SPM as an example of the sulfuric acid-containing liquid in a continuous flow state.
  • the sulfuric acid-containing liquid nozzle 18 is attached to the nozzle arm 19 in a vertical posture that discharges SPM in a vertical direction, an inclined direction, or a horizontal direction toward the upper surface of the substrate W, for example.
  • the nozzle arm 19 extends in the horizontal direction.
  • the nozzle moving unit 20 horizontally moves the sulfuric acid-containing liquid nozzle 18 by horizontally moving the nozzle arm 19 around the swing axis.
  • the nozzle moving unit 20 includes a motor and the like.
  • the nozzle moving unit 20 includes a processing position where the SPM discharged from the sulfuric acid-containing liquid nozzle 18 is deposited on the upper surface of the substrate W, and a retreat position where the sulfuric acid-containing liquid nozzle 18 is set around the spin chuck 5 in plan view. In between, the sulfuric acid containing liquid nozzle 18 is moved horizontally.
  • the processing position is, for example, a central position at which the SPM discharged from the sulfuric acid-containing liquid nozzle 18 is deposited on the central portion of the upper surface of the substrate W.
  • the sulfuric acid-containing liquid supply unit 6 further includes a sulfuric acid supply unit 21 that supplies H 2 SO 4 to the sulfuric acid-containing liquid nozzle 18 and a hydrogen peroxide solution supply unit 22 that supplies H 2 O 2 to the sulfuric acid-containing liquid nozzle 18. Including.
  • the sulfuric acid supply unit 21 includes a sulfuric acid pipe 23 having one end connected to the sulfuric acid-containing liquid nozzle 18 and a sulfuric acid valve 24 for opening and closing the sulfuric acid pipe 23.
  • the sulfuric acid pipe 23 is supplied with H 2 SO 4 kept at a predetermined high temperature from a sulfuric acid supply source.
  • the sulfuric acid supply unit 21 may further include a sulfuric acid flow rate adjusting valve that adjusts the flow rate of H 2 SO 4 flowing through the sulfuric acid piping 23 by adjusting the opening degree of the sulfuric acid piping 23.
  • the sulfuric acid flow rate adjusting valve includes a valve body having a valve seat provided therein, a valve body that opens and closes the valve seat, and an actuator that moves the valve body between an open position and a closed position. The same applies to other flow rate adjusting valves.
  • the hydrogen peroxide solution supply unit 22 includes a hydrogen peroxide solution pipe 25 having one end connected to the sulfuric acid-containing liquid nozzle 18 and a hydrogen peroxide solution valve 26 for opening and closing the hydrogen peroxide solution pipe 25.
  • the hydrogen peroxide solution pipe 25 is supplied with H 2 O 2 at a normal temperature (about 23 ° C.) whose temperature is not adjusted from a hydrogen peroxide solution supply source.
  • the hydrogen peroxide solution supply unit 22 further includes a hydrogen peroxide solution adjustment valve that adjusts the flow rate of H 2 O 2 flowing through the hydrogen peroxide solution pipe 25 by adjusting the opening of the hydrogen peroxide solution pipe 25. It may be.
  • H 2 SO 4 from the sulfuric acid pipe 23 and H 2 O 2 from the hydrogen peroxide water pipe 25 are supplied into the casing of the sulfuric acid-containing liquid nozzle 18. And thoroughly mixed (stirred) in the casing. This mixture, H 2 SO 4 and H 2 O 2 and is mingled evenly, a mixed solution of H 2 SO 4 and H 2 O 2 by reaction of H 2 SO 4 and H 2 O 2 (SPM) is generated Is done.
  • SPM contains peroxomonosulfuric acid (H 2 SO 5 ), which has strong oxidizing power, and is heated to a temperature higher than the temperature of H 2 SO 4 before mixing (100 ° C. or higher, for example, 160 to 220 ° C.). It is done.
  • the generated high-temperature SPM is discharged from a discharge port opened in the casing of the sulfuric acid-containing liquid nozzle 18.
  • the SC1 supply unit 7 includes an SC1 nozzle 28, a nozzle arm 29 with the SC1 nozzle 28 attached to the tip thereof, and a nozzle moving unit 30 that moves the SC1 nozzle 28 by moving the nozzle arm 29 (see FIG. 13). Including.
  • the nozzle moving unit 30 moves the SC1 nozzle 28 horizontally by horizontally moving the nozzle arm 29 around the swing axis.
  • the nozzle moving unit 30 includes a motor and the like.
  • the nozzle moving unit 30 has a processing position where SC1 discharged from the SC1 nozzle 28 is deposited on the surface of the substrate W (a jet of SC1 droplets discharged from the SC1 nozzle 28 is sprayed on the surface of the substrate W); The SC1 nozzle 28 is moved horizontally between the SC1 nozzle 28 and the retracted position set around the spin chuck 5 in plan view. Further, the nozzle moving unit 30 has a liquid landing position of SC1 discharged from the SC1 nozzle 28 (a spraying position of a jet of droplets of SC1 discharged from the SC1 nozzle 28) at the center of the surface of the substrate W and the substrate W. The sulfuric acid-containing liquid nozzle 18 is moved horizontally so as to move between the peripheral portions of the surface.
  • the SC1 nozzle 28 discharges a jet of SC1 droplets onto the surface of the substrate W held on the spin chuck 5 (discharges SC1 in the form of a spray).
  • the SC1 nozzle 28 has the form of a known two-fluid nozzle (for example, see Japanese Patent Application Laid-Open No. 2017-005230) that ejects SC1 fine droplets.
  • the SC1 supply unit 7 switches the SC1 pipe 32 to supply the SC1 pipe 32 for supplying liquid SC1 from the SC1 supply source to the SC1 nozzle 28 and the supply and stop of supply of SC1 from the SC1 pipe 32 to the SC1 nozzle 28.
  • the gas pipe 34 is opened and closed in order to switch the supply and stop of gas supply from the gas pipe 34 to the SC1 nozzle 28, the SC1 valve 33 that opens and closes the gas, the gas pipe 34 that supplies the gas from the gas supply source to the SC1 nozzle 28, And a gas valve 35.
  • an inert gas such as nitrogen gas (N 2 ) can be exemplified, but other than that, for example, dry air or clean air can be employed.
  • the SC1 nozzle 28 may have a form of a straight nozzle that discharges SC1 in a continuous flow mode instead of a form of a two-fluid nozzle.
  • the gas By causing the gas to collide (mix), it is possible to generate the fine droplets of SC1, and the SC1 can be ejected in a spray form.
  • the blocking member 8 includes a blocking plate 41 and a rotary shaft 42 provided on the blocking plate 41 so as to be integrally rotatable.
  • the blocking plate 41 has a disk shape having a diameter substantially equal to or larger than that of the substrate W.
  • the blocking plate 41 has a substrate facing surface 41a formed of a circular horizontal flat surface facing the entire surface of the substrate W on the lower surface thereof.
  • the rotation shaft 42 is provided to be rotatable around a rotation axis A2 (an axis that coincides with the rotation axis A1 of the substrate W) extending vertically through the center of the blocking plate 41.
  • the rotating shaft 42 is cylindrical.
  • the rotating shaft 42 is supported by a support arm 43 extending horizontally above the blocking plate 41 so as to be relatively rotatable.
  • a cylindrical through hole 40 is formed in the central portion of the blocking plate 41 so as to vertically penetrate the blocking plate 41 and the rotating shaft 42.
  • the central axis nozzle 9 is inserted vertically into the through hole 40. That is, the center axis nozzle 9 penetrates the blocking plate 41 and the rotating shaft 42 vertically.
  • the central axis nozzle 9 is provided with a cylindrical casing that extends vertically inside the through hole 40. The lower end of the central axis nozzle 9 opens to the substrate facing surface 41a to form a discharge port 9a.
  • the center axis nozzle 9 is supported by the support arm 43 so as not to rotate with respect to the support arm 43.
  • the central shaft nozzle 9 moves up and down together with the blocking plate 41, the rotating shaft 42 and the support arm 43.
  • a rinse liquid supply unit 10 is connected to the upstream end of the central shaft nozzle 9.
  • the rinse liquid supply unit 10 includes a rinse liquid pipe 44 that guides the rinse liquid to the central shaft nozzle 9 and a rinse liquid valve 45 that opens and closes the rinse liquid pipe 44.
  • the rinse liquid is water, for example.
  • the water is any one of pure water (deionized water), carbonated water, electrolytic ion water, hydrogen water, ozone water, and ammonia water having a diluted concentration (for example, about 10 to 100 ppm).
  • the rinsing liquid valve 45 is opened, the rinsing liquid from the rinsing liquid supply source is supplied from the rinsing liquid pipe 44 to the central axis nozzle 9. Thereby, the rinse liquid is discharged downward from the discharge port 9a of the central axis nozzle 9.
  • An inert gas supply unit 46 is connected to the central axis nozzle 9.
  • the inert gas supply unit 46 includes an inert gas pipe 47 connected to the upstream end of the central shaft nozzle 9 and an inert gas valve 48 interposed in the middle of the inert gas pipe 47.
  • the inert gas is, for example, nitrogen gas (N 2 ).
  • N 2 nitrogen gas
  • the shield plate 41 is coupled to a shield plate rotating unit 49 having a configuration including an electric motor or the like.
  • the shielding plate rotating unit 49 rotates the shielding plate 41 and the rotation shaft 42 around the rotation axis A ⁇ b> 2 with respect to the support arm 43.
  • the support arm 43 is coupled with a blocking member lifting / lowering unit 50 including an electric motor, a ball screw, and the like.
  • the blocking member lifting / lowering unit 50 lifts and lowers the blocking member 8 (the blocking plate 41 and the rotating shaft 42) and the central axis nozzle 9 together with the support arm 43 in the vertical direction.
  • the blocking plate 41 is positioned at a blocking position where the substrate facing surface 41a is close to the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 5 (shown by a broken line in FIG. 2, as shown in FIGS. 16E to 16G, etc.). Position) and a retracted position (shown by a solid line in FIG. 2) retracted upward from the blocking position.
  • the blocking member lifting / lowering unit 50 can hold the blocking plate 41 at the blocking position, the intermediate position (the position shown in FIGS. 16B and 16D), and the retracted position.
  • the space between the substrate facing surface 41a and the upper surface of the substrate W in the state where the blocking plate 41 is in the blocking position is not completely isolated from the surrounding space. There is no gas inflow from. That is, the space is substantially isolated from the surrounding space.
  • the processing cup 11 is disposed outward (in a direction away from the rotation axis A1) from the substrate W held by the spin chuck 5.
  • the processing cup 11 surrounds a spin base 51 described below.
  • a liquid such as a chemical solution, a rinse solution, or a protective solution
  • the liquid supplied to the substrate W is shaken off around the substrate W.
  • the upper end portion 11a of the processing cup 11 is disposed above the spin base 51 described below. Therefore, the liquid discharged around the substrate W is received by the processing cup 11. Then, the liquid received by the processing cup 11 is sent to a recovery device or a waste liquid device (not shown).
  • FIG. 3 is a side view for explaining a more specific configuration of the spin chuck 5.
  • FIG. 4 is a plan view for explaining a more specific configuration of the spin chuck 5.
  • 5A and 5B are enlarged cross-sectional views showing the configuration in the vicinity of the first clamping pin 52A.
  • 6A and 6B are enlarged cross-sectional views showing a configuration in the vicinity of the second holding pin 52B.
  • FIG. 3 is a view of FIG. 4 as viewed from the section line III-III.
  • the spin chuck 5 includes a spin base 51 that can rotate around a rotation axis A ⁇ b> 1 along the vertical direction, and a circumferential direction Y of the spin base 51 at the peripheral edge of the upper surface of the spin base 51.
  • a spin motor 54 that rotates around.
  • All of the holding pins provided in the spin chuck 5 are pins on which the support portions (the first holding unit 55 and the second holding unit 56) that come into contact with the peripheral portion of the substrate W are movable.
  • the six clamping pins and the spin base 51 rotate with the rotation of the rotation shaft 53.
  • the six clamping pins include one group (first clamping unit 55 or first clamping unit) in which three clamping pins 52A that are not adjacent to each other and three clamping pins 52B that are not adjacent to each other are opened and closed simultaneously. 2 sandwiching units 56).
  • the six sandwiching pins include three sandwiching pins 52A included in the first sandwiching unit 55 (hereinafter referred to as “first sandwiching pin 52A”) and three sandwiching pins included in the second sandwiching unit 56.
  • a pin 52B hereinafter referred to as “second pin 52B”).
  • the first clamping pins 52A and the second clamping pins 52B are alternately arranged in the circumferential direction Y.
  • the three first clamping pins 52A are arranged at equal intervals (120 ° intervals). If attention is paid to the second clamping unit 56, the three second clamping pins 52B are arranged at equal intervals (120 ° intervals).
  • each first holding pin 52 ⁇ / b> A includes a first shaft portion 61 and a first holding portion 62 formed integrally with the upper end of the first shaft portion 61.
  • the first shaft portion 61 and the first clamping portion 62 are each formed in a cylindrical shape.
  • the first clamping part 62 is provided eccentric from the central axis of the first shaft part 61.
  • the surface connecting the upper end of the first shaft portion 61 and the lower end of the first holding portion 62 is a first taper that descends from the first holding portion 62 toward the peripheral surface of the first shaft portion 61.
  • a surface 63 is formed.
  • each first clamping pin 52A is attached to the spin base 51 so that the first shaft portion 61 can rotate around the rotation axis A3 coaxial with the center axis. Yes. More specifically, a first support shaft 65 supported on the spin base 51 via a first bearing 64 is provided at the lower end portion of the first shaft portion 61.
  • the first holding pin 52 ⁇ / b> A includes a conductive member 70.
  • the conductive member 70 includes a first shaft portion 61 and a first clamping portion 62.
  • the conductive member 70 is grounded via the first support shaft 65.
  • the conductive member 70 is formed of a composite material having chemical resistance and conductivity.
  • a specific example of the composite material is a material containing a resin and carbon.
  • the conductive member 70 has a mode in which a carbon material is dispersed in a resin member formed of resin.
  • the carbon contained in the conductive member 70 is, for example, carbon fiber (carbon fiber).
  • the carbon contained in the conductive member 70 may be carbon powder or particles.
  • resin contained in the conductive member 70 are PFA (perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene- copolymer), PCTFE (Poly Chloro Tri Furuoro Ethylene), PTFE (polytetrafluoroethylene), and PEEK (polyether-ether ketone). It is.
  • the center axis of the first clamping unit 62 is deviated from the rotation axis A3. Therefore, by the rotation of the first shaft portion 61, the first holding portion 62 is moved away from the rotation axis A1 (the center axis) is away from the rotation axis A1 (the position shown in FIG. 5B), and the center axis is the rotation axis A1. It will be displaced between the approaching position (position shown in FIG. 5A) approaching. In a state where the first sandwiching pin 52 ⁇ / b> A is located at the separation position, a predetermined gap is formed between the peripheral end surface (peripheral end portion) of the substrate W and the first sandwiching portion 62.
  • the spin chuck 5 further includes a first opening / closing unit 57 for opening and closing the three first holding pins 52A at once.
  • the first opening / closing unit 57 includes a first drive magnet 66 provided in a one-to-one correspondence with each first holding pin 52A, and a first one provided in a one-to-one correspondence with each first holding pin 52A.
  • a lifting unit 69 is also provided to raise and lowering the plurality of first opening / closing magnets 68.
  • the first driving magnet 66 is fixed to the lower end of the first support shaft 65 of each first clamping pin 52A. As the first drive magnet 66 rotates about the rotation axis A3, the first holding pin 52A rotates about the rotation axis A3.
  • the first drive magnet 66 is a permanent magnet and extends in a longitudinal direction along the horizontal.
  • the magnetic pole directions of the three first driving magnets 66 corresponding to the plurality of (for example) three first clamping pins 52A are such that the substrate W rotates when no external force is applied to the first clamping pins 52A. Common in the radial direction.
  • the first urging magnet 67 is disposed adjacent to the corresponding first holding pin 52A and closer to the direction away from the rotation axis A1 than the center position of the first holding pin 52A. .
  • the first urging magnet 67 exerts a magnetic force on the corresponding first driving magnet 66.
  • the first opening / closing magnet 68 has an arc shape centered on the rotation axis A1.
  • the three first opening / closing magnets 68 are at a common height position.
  • the three first opening / closing magnets 68 are arranged at equal intervals in the circumferential direction Y on a circumference coaxial with the rotation axis A1.
  • 1st magnet raising / lowering unit 69 is the structure containing the cylinder provided so that expansion-contraction was possible for the up-down direction, for example, and is supported by the said cylinder. Moreover, the 1st magnet raising / lowering unit 69 may be comprised using the electric motor.
  • the first magnet lifting unit 69 may include a plurality (for example, three) of individual lifting units that individually lift and lower the first opening / closing magnet 68.
  • each second clamping pin 52 ⁇ / b> B includes a second shaft portion 71 and a second clamping portion 72 formed integrally with the upper end of the second shaft portion 71.
  • the second shaft portion 71 and the second holding portion 72 are each formed in a cylindrical shape.
  • the second clamping portion 72 is provided eccentric from the central axis of the second shaft portion 71.
  • the surface connecting the upper end of the second shaft portion 71 and the lower end of the second holding portion 72 is a second taper that descends from the second holding portion 72 toward the peripheral surface of the second shaft portion 71.
  • a surface 73 is formed.
  • each second clamping pin 52B is attached to the spin base 51 so that the second shaft portion 71 can rotate around a rotation axis A4 coaxial with the center axis.
  • a second support shaft 75 supported by a spin base 51 via a second bearing 74 is provided at the lower end portion of the second shaft portion 71.
  • the second holding pin 52B includes a conductive member 80.
  • the conductive member 80 includes a second shaft portion 71 and a second clamping portion 72.
  • the conductive member 80 is grounded via the second support shaft 75.
  • the conductive member 80 is formed of a composite material having chemical resistance and conductivity.
  • a specific example of the composite material is a material containing a resin and carbon.
  • the conductive member 80 has a mode in which a carbon material is dispersed in a resin member formed of resin.
  • the carbon contained in the conductive member 80 is, for example, carbon fiber (carbon fiber).
  • the carbon contained in the conductive member 80 may be carbon powder or particles.
  • the resin contained in the conductive member 80 include PFA (perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene- copolymer), PCTFE (Poly Chloro Tri Furuoro Ethylene), PTFE (polytetrafluoroethylene), and PEEK (polyether-ether ketone). It is.
  • the center axis of the second clamping portion 72 is deviated from the rotation axis A4. Therefore, due to the rotation of the second shaft portion 71, the second sandwiching portion 72 is moved away from the rotation axis A1 (the center axis) is away from the rotation axis A1 (position shown in FIG. 6B), and the center axis is turned to the rotation axis A1. It will be displaced between the approaching position (position shown in FIG. 6A) approaching. In a state where the second holding pin 52B is located at the separation position, a predetermined gap is formed with the peripheral end surface (peripheral end portion) of the substrate W.
  • the spin chuck 5 further includes a second opening / closing unit 58 for opening and closing the three second holding pins 52B collectively.
  • the second opening / closing unit 58 includes a second drive magnet 76 provided in a one-to-one correspondence with each second holding pin 52B, and a second one provided in a one-to-one correspondence with each second holding pin 52B.
  • a lifting unit 79 is also provided in a lifting unit 79.
  • the second drive magnet 76 is fixed to the lower end of the second support shaft 75 of each second clamping pin 52B. As the second drive magnet 76 rotates about the rotation axis A4, the second clamping pin 52B rotates about the rotation axis A4.
  • the second drive magnet 76 is a permanent magnet and extends in the longitudinal direction along the horizontal.
  • the magnetic pole directions of the three second driving magnets 76 corresponding to the three plural (for example) second holding pins 52B are the rotations of the substrate W in the state where no external force is applied to the second holding pins 52B. Common in the radial direction.
  • the second urging magnet 77 is disposed adjacent to the corresponding second holding pin 52B and closer to the direction away from the rotation axis A1 than the center position of the second holding pin 52B. .
  • the second urging magnet 77 exerts a magnetic force on the corresponding second driving magnet 76.
  • the magnetic pole direction of each second biasing magnet 77 is opposite to the magnetic pole direction of each first biasing magnet 67 with respect to the rotational radius direction of the substrate W.
  • the first urging magnets 67 and the second urging magnets 77 are alternately arranged in the circumferential direction Y.
  • the second opening / closing magnet 78 has an arc shape centered on the rotation axis A1.
  • the three second opening / closing magnets 78 are at a common height position.
  • the three second opening / closing magnets 78 are arranged at equal intervals in the circumferential direction Y on the circumference coaxial with the rotation axis A1.
  • the three first opening / closing magnets 68 and the three second opening / closing magnets 78 are alternately arranged in the circumferential direction Y.
  • the magnetic pole directions of the three first opening / closing magnets 68 and the magnetic pole directions of the three second opening / closing magnets 78 are directions along the rotational radius direction of the spin base 51.
  • the magnetic pole direction of each first opening / closing magnet 68 and the magnetic pole direction of each second opening / closing magnet 78 are opposite to each other.
  • the outer peripheral surface of the first opening / closing magnet 68 is, for example, N-pole
  • the outer peripheral surface of the second opening / closing magnet 78 has an S-polarity of opposite polarity.
  • the 2nd magnet raising / lowering unit 79 may be comprised using the electric motor.
  • the second magnet lifting unit 79 may include a plurality (for example, three) of individual lifting units that individually lift and lower the second opening / closing magnet 78.
  • the first opening / closing magnets 68 and the second opening / closing magnets 78 are alternately arranged in the circumferential direction Y at intervals of 60 °.
  • the first clamping pins 52A and the second clamping pins 52B are also arranged in the circumferential direction Y at 60 ° intervals.
  • FIG. 5A and 5B the first opening / closing magnet 68 and the first clamping pin 52A are aligned in the circumferential direction Y (opposite each other).
  • FIG. 5A shows a state where the first opening / closing magnet 68 is in the lower position
  • FIG. 5B shows a state where the first opening / closing magnet 68 is in the upper position.
  • the first drive magnet 66 is disposed so that, for example, the north pole faces inward in the rotational radius direction and the south pole faces outward in the rotational radius direction.
  • the first clamping pin 52A is located at the contact position. That is, in a state where the first opening / closing magnet 68 is in the lower position, the first holding portion 62 of the first holding pin 52A is arranged at the contact position.
  • the first opening / closing magnet 68 is raised and placed in the upper position.
  • the first clamping pin 52 ⁇ / b> A rotates about the rotation axis A ⁇ b> 3 against the repulsive magnetic force of the first urging magnet 67.
  • the 1st clamping part 62 moves to a separation position from a contact position. That is, in a state where the first opening / closing magnet 68 is in the upper position, the first holding portion 62 of the first holding pin 52A is disposed in the separated position.
  • FIG. 6A shows a state where the second opening / closing magnet 78 is in the lower position
  • FIG. 6B shows a state where the second opening / closing magnet 78 is in the upper position.
  • the second drive magnet 76 is arranged, for example, such that the south pole faces inward in the rotational radius direction and the north pole faces outward in the rotational radius direction.
  • the second clamping pin 52B is located at the contact position. That is, in a state where the second opening / closing magnet 78 is in the lower position, the second holding portion 72 of the second holding pin 52B is disposed at the contact position.
  • the second opening / closing magnet 78 is raised and placed in the upper position.
  • the second clamping pin 52 ⁇ / b> B rotates about the rotation axis A ⁇ b> 4 against the repulsive magnetic force of the second urging magnet 77.
  • the 2nd clamping part 72 moves to a separation position from a contact position. That is, in a state where the second opening / closing magnet 78 is in the upper position, the second holding portion 72 of the second holding pin 72A is disposed in the separated position.
  • FIGS. 10B, 11B, 12B, 13B, 14B, 15B show the opening / closing states of the holding pins 52A, 52B.
  • the reason why the first opening / closing magnet 68 and / or the second opening / closing magnet 78 is not shown in the plan view is that it is retracted downward.
  • the first opening / closing magnet 68 and the second opening / closing magnet 78, and the first holding pin 52A and the second holding pin 52B are aligned in the circumferential direction Y (opposing each other).
  • the first opening / closing magnet 68 and the second opening / closing magnet 78 are both in the upper position.
  • each of the three first sandwiching pins 52A and the three second sandwiching pins 52B has a sandwiching section (the first sandwiching section 62 and the second sandwiching section 72).
  • An open state (open) located in the separated position is exhibited.
  • the first opening / closing magnet 68 and the second opening / closing magnet 78, and the first holding pin 52A and the second holding pin 52B are aligned in the circumferential direction Y (opposing each other).
  • the first opening / closing magnet 68 and the second opening / closing magnet 78 are both in the lower position.
  • each of the three first sandwiching pins 52A and the three second sandwiching pins 52B has a sandwiching section (the first sandwiching section 62 and the second sandwiching section 72).
  • the closed state (close) located in the clamping position is exhibited.
  • FIGS. 10A and 10B the first opening / closing magnet 68 and the second opening / closing magnet 78, and the first holding pin 52A and the second holding pin 52B are aligned in the circumferential direction Y, respectively.
  • the first opening / closing magnet 68 is in the upper position and the second opening / closing magnet 78 is in the lower position.
  • 9A and 9B show the spin base 51 in a non-rotating state
  • FIGS. 10A and 10B show the spin base 51 in a rotating state.
  • the three first holding pins 52A exhibit an open state in which the first holding portion 62 is located at the separated position
  • the three second holding pins 52A The clamping pin 52B exhibits a closed state (close) in which the second clamping unit 72 is located at the contact position.
  • FIGS. 12A and 12B the first opening / closing magnet 68 and the second opening / closing magnet 78, and the first holding pin 52A and the second holding pin 52B are aligned in the circumferential direction Y, respectively.
  • the first opening / closing magnet 68 is in the lower position and the second opening / closing magnet 78 is in the upper position.
  • 11A and 11B show the spin base 51 in a non-rotating state
  • FIGS. 12A and 12B show the spin base 51 in a rotating state.
  • the three first clamping pins 52A exhibit a closed state in which the first clamping part 62 is located at the contact position, and the second clamping part 72 is An open state (open) located in the separated position is exhibited.
  • FIG. 13 is a block diagram for explaining the electrical configuration of the main part of the substrate processing apparatus 1.
  • the control device 3 is configured using, for example, a microcomputer.
  • the control device 3 includes an arithmetic unit such as a CPU, a fixed memory device, a storage unit such as a hard disk drive, and an input / output unit.
  • the storage unit stores a program executed by the arithmetic unit.
  • control device 3 performs the spin motor 54, the first magnet lifting unit 69, the second magnet lifting unit 79, the blocking plate rotating unit 49, the blocking member lifting unit 50, and the nozzle moving unit 20 in accordance with a predetermined program. , 30 etc. are controlled. Further, the control device 3 opens and closes the sulfuric acid valve 24, the hydrogen peroxide solution valve 26, the SC1 valve 33, the gas valve 35, the rinsing liquid valve 45, the inert gas valve 48, and the like according to a predetermined program.
  • FIG. 14 is a flowchart for explaining an example of substrate processing by the processing unit 2.
  • FIG. 15 is a timing chart for explaining the second rinsing step S6 and the spin dry step S7.
  • 16A to 16G are schematic diagrams for explaining each process of the substrate processing example. A substrate processing example will be described with reference to FIGS. Reference is made to FIGS. 15 and 16A to 16G as appropriate.
  • This substrate processing example is a resist removal process for removing the resist from the upper surface of the substrate W.
  • the resist is mainly composed of a resin (polymer), a photosensitive agent, an additive, and a solvent.
  • the substrate processing example is performed on the substrate W by the processing unit 2, the substrate W after the ion implantation processing at a high dose is carried into the chamber 4 (S1 in FIG. 14). It is assumed that the substrate W has not undergone a process for ashing the resist.
  • the control device 3 moves the hand H (see FIG. 1) of the substrate transport robot CR (see FIG. 1) holding the substrate W in the chamber 4 while all the nozzles and the like are retracted from above the spin chuck 5. By entering the inside, the substrate W is delivered to the spin chuck 5 with its surface facing upward.
  • the control device 3 controls the first magnet lifting unit 69 and the second magnet lifting unit 79 to move the first opening / closing magnet 68 and the second opening / closing magnet 78 from the upper position to the lower position. Lower and hold in the down position. Thereby, all of the first clamping unit 62 and the second clamping unit 72 are driven from the separated position to the contact position and are held at the contact position. As a result, the substrate W is sandwiched between the three first sandwiching pins 52A and the three second sandwiching pins 52B (both sandwiched states).
  • the control device 3 starts the rotation of the substrate W by the spin motor 54 (S2 in FIG. 14).
  • the substrate W is raised to a predetermined liquid processing speed (within 300 to 1500 rpm, for example, 500 rpm) and maintained at the liquid processing speed.
  • the control device 3 executes a sulfuric acid-containing liquid process (chemical liquid process) S3 as shown in FIG. 16A.
  • control device 3 controls the nozzle moving unit 20 to move the sulfuric acid-containing liquid nozzle 18 from the retracted position to the processing position. Further, the control device 3 opens the sulfuric acid valve 24 and the hydrogen peroxide water valve 26 at the same time. Accordingly, H 2 SO 4 is supplied to the sulfuric acid-containing liquid nozzle 18 through the sulfuric acid pipe 23, and H 2 O 2 is supplied to the sulfuric acid-containing liquid nozzle 18 through the hydrogen peroxide water pipe 25. H 2 SO 4 and H 2 O 2 are mixed in the sulfuric acid-containing liquid nozzle 18 to generate a high-temperature (for example, 160 to 220 ° C.) SPM. The SPM is discharged from the discharge port of the sulfuric acid-containing liquid nozzle 18 and reaches the central portion of the surface of the substrate W.
  • high-temperature for example, 160 to 220 ° C.
  • the SPM discharged from the sulfuric acid-containing liquid nozzle 18 lands on the surface of the substrate W and then flows outward along the surface of the substrate W by centrifugal force. Therefore, SPM is supplied to the entire surface of the substrate W, and an SPM liquid film covering the entire surface of the substrate W is formed on the substrate W. As a result, the resist and the SPM chemically react, and the resist on the substrate W is removed from the substrate W by the SPM.
  • the SPM that has moved to the peripheral edge of the substrate W is scattered from the peripheral edge of the substrate W toward the side of the substrate W, and is processed after being received by the processing cup 11.
  • the control device 3 controls the nozzle moving unit 20 so that the sulfuric acid-containing liquid nozzle 18 is positioned at the peripheral position facing the peripheral edge of the surface of the substrate W and the center of the upper surface of the substrate W You may make it move between the center positions which oppose a part.
  • the SPM liquid deposition position on the upper surface of the substrate W is scanned over the entire upper surface of the substrate W. Thereby, the entire upper surface of the substrate W can be processed uniformly.
  • the control device 3 closes the sulfuric acid valve 24 and the hydrogen peroxide solution valve 26 and stops the SPM discharge from the sulfuric acid-containing liquid nozzle 18. Thereby, sulfuric-acid containing liquid process S3 is complete
  • the high-temperature SPM falls on the first sandwiching pin 52A and the second sandwiching pin 52B that sandwich the substrate W. Since this SPM contains sulfuric acid and has a high temperature (for example, 160 to 220 ° C.), there is a possibility that the first sandwiching pin 52A and the second sandwiching pin 52B including the resin material may permeate. In particular, since the resin member that is the base material of the first holding pin 52A and the second holding pin 52B contains carbon fiber, the carbon fiber is detached from the resin member over time, and a void is formed in the resin member. There is a risk of being. When the SPM enters the gap, the chemical solution soaks into the first holding part and the second holding part.
  • a first rinsing step (S4 in FIG. 14) is performed in which the SPM adhering to the surface of the substrate W is washed away using a rinsing liquid.
  • the control device 3 controls the blocking member lifting / lowering unit 50 so that the blocking member 8 disposed at the retracted position is moved to the rinse processing position (see FIG. 16B) set between the retracted position and the blocking position.
  • the control device 3 opens the rinse liquid valve 45. Thereby, the rinse liquid is discharged from the discharge port 9a of the central axis nozzle 9 toward the center of the surface of the substrate W rotating at the liquid processing speed.
  • the rinse liquid discharged from the central axis nozzle 9 is deposited on the center of the surface of the substrate W covered with SPM.
  • the rinsing liquid that has landed on the center of the surface of the substrate W receives the centrifugal force generated by the rotation of the substrate W and flows on the surface of the substrate W toward the periphery of the substrate W.
  • the SPM on the substrate W is washed away by the rinse liquid and discharged around the substrate W.
  • the SPM and the resist (and the resist residue) are washed away over the entire surface of the substrate W.
  • the rinse liquid that has moved to the peripheral edge of the substrate W is scattered from the peripheral edge of the substrate W toward the side of the substrate W, is received by the processing cup 11, and then processed.
  • the control device 3 closes the rinsing liquid valve 45 and stops the discharge of the rinsing liquid from the discharge port 9a of the central shaft nozzle 9. Moreover, the control apparatus 3 controls the interruption
  • an SC1 step (S5 in FIG. 14) for cleaning the surface of the substrate W using SC1 is performed.
  • the control device 3 controls the nozzle moving unit 30 to move the SC1 nozzle 28 from the retracted position to the processing position.
  • the control device 3 opens the SC1 valve 33 and the gas valve 35.
  • the SC1 droplet jet is ejected from the SC1 nozzle 28.
  • the control device 3 controls the nozzle moving unit 30 in parallel with the ejection of the SC1 droplet jet from the SC1 nozzle 28 so that the SC1 nozzle 28 is positioned between the center position and the peripheral position of the substrate W.
  • the SC1 liquid landing position from the SC1 nozzle 28 can be reciprocated between the center of the surface of the substrate W and the peripheral edge of the surface of the substrate W. Thereby, the entire area of the surface of the substrate W can be scanned for the liquid deposition position of SC1.
  • SC1 By supplying SC1 to the surface of the substrate W, the resist residue can be removed from the surface of the substrate W. Further, the sulfur component can be removed from the surface of the substrate W by supplying SC1 to the surface of the substrate W.
  • the control device 3 closes the SC1 valve 33 and the gas valve 35, and stops the discharge of the SC1 droplet jet from the SC1 nozzle 28. Thereby, SC1 process S5 is complete
  • a second rinsing step (S6 in FIG. 14) is performed in which SC1 adhering to the surface of the substrate W is washed away with a rinsing liquid.
  • the control device 3 controls the blocking member lifting / lowering unit 50 to lower the blocking member 8 disposed at the retracted position to the rinse processing position and hold it at the rinse processing position. Further, the control device 3 opens the rinse liquid valve 45. Thereby, the rinse liquid is discharged from the discharge port 9a of the central axis nozzle 9 toward the center of the surface of the substrate W rotating at the liquid processing speed. The rinse liquid discharged from the central axis nozzle 9 is deposited on the center of the surface of the substrate W covered with SC1.
  • the rinsing liquid that has landed on the center of the surface of the substrate W receives the centrifugal force generated by the rotation of the substrate W and flows on the surface of the substrate W toward the peripheral edge of the substrate W.
  • the SC1 on the substrate W is washed away by the rinse liquid and discharged around the substrate W.
  • the SC1 and the resist residue are washed away over the entire surface of the substrate W.
  • the rinse liquid that has moved to the peripheral edge of the substrate W is scattered from the peripheral edge of the substrate W toward the side of the substrate W, is received by the processing cup 11, and then processed.
  • the control device 3 closes the rinsing liquid valve 45 and stops the discharge of the rinsing liquid from the discharge port 9a of the central axis nozzle 9. Further, the control device 3 controls the blocking member lifting / lowering unit 50 to lower the blocking member 8 to the blocking position.
  • the peripheral edge of the substrate W, the first clamping unit 62 and the second clamping unit 72 are in contact via a strong pressing force.
  • the rinse liquid enters between the peripheral edge portion of the substrate W and the first and second sandwiching portions 62 and 72 by the action of the capillary force of the rinse solution. It is difficult to discharge the rinse liquid that has entered in this way. Therefore, at the end of the second rinsing step S6 or at the end of the second rinsing step S6, the rinsing liquid remains between the peripheral portion of the substrate W and the first and second holding portions 62 and 72.
  • a spin dry process for drying the substrate W is performed.
  • the substrate W is rotated at a predetermined drying speed (for example, 1000 to several thousand rpm), and the liquid is caused around the substrate W by a large centrifugal force applied to the liquid adhering to the substrate W. It is a process of shaking off.
  • control device 3 controls the blocking member lifting / lowering unit 50 to lower the blocking member 8 toward the blocking position and hold it at the blocking position.
  • the control device 3 controls the shield plate rotation unit 49 to rotate the shield plate 41 around the rotation axis A2 in synchronization with the substrate W.
  • the control device 3 opens the inert gas valve 48 and discharges the inert gas from the discharge port 9a.
  • the control device 3 controls the spin motor 54 to accelerate the rotation of the substrate W to the drying speed and maintain it at the drying speed. Thereby, a large centrifugal force is applied to the liquid on the substrate W, and the liquid adhering to the substrate W is shaken off around the substrate W.
  • the rinsing liquid remaining between the peripheral edge portion of the substrate W and the first holding portion 62 and the second holding portion 72 is removed. May contain SPM. This is considered to be caused by the SPM soaking into the resin member of the first sandwiching pin 52A and the second sandwiching pin 52B soaking into the rinse liquid. In this state, if the spin dry process (S7 in FIG. 14) described below is executed, there is a possibility that particle contamination occurs on the surface of the substrate W. In order to prevent the occurrence of such particle contamination, the spin drying step S7 is performed as follows.
  • the control device 3 controls the spin motor 54 to accelerate the rotation of the substrate W to the first drying speed V1 (for example, in the range of 800 to 2500 rpm, for example, 1500 rpm), and the first drying speed. V1 is maintained (first spin dry process).
  • the first drying speed V1 is a speed at which the liquid on the substrate W can be shaken out around the substrate W, but is relatively low. Therefore, there is a problem that if the substrate W is rotated at the first drying speed V1 over the entire period of the spin drying step S7, it takes a long time.
  • the control device 3 is in parallel with the initial stage of the spin dry step S7 (the state in which the rinsing liquid is attached to the surface of the substrate W and the first holding unit 62 and the second holding unit 72).
  • the first holding unit 55 (three first holding pins 52A) holds the substrate W and the second holding unit 56 does not hold the substrate W (see FIG. 16E)
  • a second clamping state (see FIG. 16F) in which the substrate W is sandwiched by the first sandwiching unit 56 (three second sandwiching pins 52B) and the substrate W is not sandwiched by the first sandwiching unit 55 is sequentially executed.
  • the control device 3 The second magnet lifting / lowering unit 79 is controlled so that the second opening / closing magnet 78 that has been in the lower position is raised toward the upper position and held in the upper position. Thereby, the 2nd clamping part 72 of the 2nd clamping pin 52B moves to a separation
  • the first holding pin 52A and the second holding pin 52B are rotated at the first drying speed V1
  • the first holding pin 52A and the second holding pin It is set to a period sufficient for the liquid adhering to 52B to shake off (for example, about 3 seconds).
  • the second clamping unit 72 rotates around the rotation axis A1 while the second clamping unit 72 is separated from the peripheral edge of the substrate W. Therefore, a large centrifugal force accompanying the rotation of the substrate W acts on the rinse liquid adhering to the second clamping unit 72 before the start of the first clamping process T1. Thereby, the rinse liquid is shaken off from the second clamping unit 72. Therefore, at the end of the first clamping step T1, the second clamping unit 72 is dry.
  • the control device 3 controls the second magnet lifting unit 79 to place the second opening / closing magnet 78 in the lower position. Is lowered and held in the lower position. Thereby, the 2nd clamping part 72 of the 2nd clamping pin 52B moves to a contact position from a separation position. Thereby, the both clamping state which clamps the board
  • the control device 3 controls the first magnet raising / lowering unit 69 to raise the first opening / closing magnet 68 which has been in the lower position so far toward the upper position, and holds the first opening / closing magnet 68 in the upper position.
  • the 1st clamping part 62 of 52 A of 1st clamping pins moves to a separation position from a contact position.
  • the 2nd clamping state as mentioned above is implement
  • the first clamping pin 52A and the second clamping pin 52B are rotated at the first drying speed V1
  • the first clamping pin 52A and the second clamping pin It is set to a period sufficient for the liquid adhering to 52B to shake off (for example, about 3 seconds).
  • the first clamping parts 62 rotate around the rotation axis A1 while the first clamping parts 62 are separated from the peripheral edge of the substrate W. Therefore, a large centrifugal force accompanying the rotation of the substrate W acts on the rinse liquid adhering to the first clamping unit 62 before the start of the second clamping process T2. Thereby, the rinse liquid is shaken off from the first clamping unit 62. Therefore, at the end of the second clamping step T2, the first clamping unit 62 is dry.
  • the control device 3 controls the first magnet lifting unit 69 to move the first opening / closing magnet 68 to the lower position. Is lowered and held in the lower position. Thereby, the 1st clamping part 62 of 52 A of 1st clamping pins moves to a contact position from a separation position.
  • a both-clamping state in which the substrate W is clamped by the six clamping pins 52A and 52B is realized (both clamping process T3).
  • the first sandwiching portion 62 in the already dried state comes into contact with the peripheral portion of the substrate W.
  • the control device 3 controls the spin motor 54 to rotate the substrate W at a second drying speed V2 (for example, about 1200 to about 2000 rpm, which is faster than the first drying speed V1, for example, about And is maintained at the second drying speed V2 (second spin drying step).
  • a second drying speed V2 for example, about 1200 to about 2000 rpm, which is faster than the first drying speed V1, for example, about And is maintained at the second drying speed V2 (second spin drying step).
  • the control device 3 controls the spin motor 54 to stop the rotation of the substrate W by the spin chuck 5 (S8 in FIG. 14). Further, the control device 3 controls the shield plate rotation unit 49 to stop the rotation of the shield plate 41. Further, the control device 3 controls the blocking member lifting / lowering unit 50 to raise the blocking member 8 and retract it to the retracted position.
  • the control device 3 releases the clamping by the first clamping pin 52A and the second clamping pin 52B. Specifically, the control device 3 controls the first magnet lifting unit 69 and the second magnet lifting unit 79 to move the first opening / closing magnet 68 and the second opening / closing magnet 78 from the lower position. Ascend toward the upper position and hold in the upper position. As a result, all of the first clamping unit 62 and the second clamping unit 72 are driven from the contact position to the separated position and held at the separated position. Thereby, the holding of the substrate W by the three first holding pins 52A and the three second holding pins 52B is released.
  • control device 3 causes the hand H of the substrate transport robot CR to enter the chamber 4. And the control apparatus 3 hold
  • the first holding unit 55 holds the substrate W and the second holding unit 56 does not hold the substrate W. 1 is maintained (first clamping step T1).
  • each second clamping part 72 is separated from the peripheral edge part of the substrate W.
  • the second clamping unit 72 rotates around the rotation axis A1 while the second clamping unit 72 is separated from the peripheral edge of the substrate W. Therefore, even if the rinsing liquid adheres to the second clamping part 72 before the start of the first clamping process T1, the rinsing liquid adhering to the second clamping part 72 increases with the rotation of the substrate W. Centrifugal force acts, whereby the rinse liquid is shaken off from the second sandwiching portion 72. Therefore, at the end of the first clamping step T1, the second clamping unit 72 is dry.
  • each first clamping part 62 is separated from the peripheral part of the substrate W, and each second clamping part 72 is in contact with the peripheral part of the substrate W.
  • a rinsing liquid is provided between the second sandwiching portion 72 and the peripheral portion of the substrate W in the second sandwiching step T2. Does not exist. That is, in the second sandwiching step T2, the substrate W can be sandwiched by the second sandwiching unit 56 without the rinsing liquid being present between the second sandwiching portion 72 and the peripheral portion of the substrate W.
  • the first clamping unit 62 rotates around the rotation axis A1 while the first clamping unit 62 is separated from the peripheral edge of the substrate W. Therefore, even if the rinsing liquid adheres to the first clamping part 62 before the start of the second clamping process T2, the rinsing liquid adhering to the first clamping part 62 increases with the rotation of the substrate W. Centrifugal force acts, whereby the rinse liquid is shaken off from the first clamping unit 62. Therefore, at the end of the second clamping step T2, the first clamping unit 62 is dry.
  • the spin dry step S7 is performed while suppressing or preventing the rinsing liquid from remaining between the first sandwiching portion 62 and the peripheral portion of the substrate W and between the second sandwiching portion 72 and the peripheral portion of the substrate W. Can be executed. Therefore, the occurrence of particle contamination can be suppressed or prevented.
  • the second sandwiching process T1 is separated from the peripheral edge of the substrate W.
  • the rinsing liquid from the substrate W falls on the sandwiching portion 72.
  • the rotation speed of the substrate W is high enough to shake off the rinsing liquid, it acts on each of the second holding portions 72 rotating while being separated from the peripheral edge portion of the substrate W in the first holding step T1.
  • the centrifugal force is large. Thereby, in the 1st clamping process T1, the 2nd clamping part 72 can be dried more favorably.
  • FIG. 17 shows a case where a total of two pairs of the first clamping step T1 and the second clamping step T2 are performed, but a total of three or more pairs may be performed.
  • the first clamping step T1 may be started before the end of the second rinsing step S6, not after the start of the spin dry step S7. Good.
  • the rotation speed of the substrate W is lower than the first drying speed V1 when switching from the first clamping process T1 to the second clamping process T2. It may be once lowered to a switching speed (for example, about 200 rpm). In this case, the switching from the first clamping step T1 to the second clamping step T2 can be performed without applying a large load to the first clamping unit 55 and the second clamping unit 56.
  • the substrate is kept at the first drying speed V1 without increasing the rotation of the substrate W to the second drying speed V2 in parallel with the both clamping steps T3. W may continue to rotate.
  • the second sandwiching step is performed in parallel with the spin dry step S7 after the final second sandwiching step T2. T2 may continue to be maintained.
  • the first period Te1 and the second clamping step T2 for executing the first clamping step T1 are executed.
  • the second period Te2 is set to be a period sufficient for the liquid adhering to the first sandwiching pin 52A and the second sandwiching pin 52B to shake off. The period may be such that the liquid is removed to such an extent that the chemical component contained in the rinse liquid adhering to the sandwiching pins 52A and 52B is not transferred.
  • a first discharging solution supplying step for supplying a discharging solution to the surface of the substrate W prior to the sulfuric acid-containing solution step S3.
  • the neutralizing liquid is, for example, carbonated water.
  • carbonated water is used as the rinsing liquid
  • carbonated water from a common carbonated water supply unit may be used as the first charge removal liquid supply step.
  • a first cleaning step for cleaning the surface of the substrate W using the first cleaning chemical may be performed prior to the sulfuric acid-containing liquid step S3.
  • An example of such first cleaning chemical solution is hydrofluoric acid (HF).
  • a hydrogen peroxide solution supplying process for supplying H 2 O 2 to the upper surface (front surface) of the substrate W is performed prior to the first rinsing process S4 after the sulfuric acid-containing liquid process S3. May be.
  • the control device 3 closes only the sulfuric acid valve 24 while keeping the hydrogen peroxide solution valve 26 open.
  • H 2 O 2 is supplied to the sulfuric acid-containing liquid nozzle 18, and H 2 O 2 is discharged from the discharge port of the sulfuric acid-containing liquid nozzle 18.
  • the influence of heat on the hydrogen peroxide solution supply process can be alleviated, and the sulfur component remaining (S remaining) on the surface of the substrate W can be prevented or suppressed.
  • the SC1 process can be abolished.
  • an organic solvent (drying liquid) having a low surface tension such as IPA (isopropyl alcohol) is supplied to replace the rinsing liquid on the upper surface of the substrate W with the organic solvent.
  • a process may be performed.
  • the step of replacing the supplied organic solvent with the water repellent and forming the water repellent film on the upper surface of the substrate W may be performed after the organic solvent replacement step.
  • first clamping step T1 and the second clamping step T2 are executed not only in the period from the end of the second rinsing step S6 to the spin dry step S7, but also in the beginning and middle of the second rinsing step S6. You may do it.
  • the resist removal process is described as an example, but the process is not limited to the resist, and may be a process of removing other organic substances using SPM.
  • the nozzle for discharging the rinsing liquid may be provided in a separate member from the blocking member 8 instead of the central shaft nozzle 9 integrated with the blocking member 8.
  • first clamping unit 55 and the second clamping unit 56 have been described as including the three clamping pins 52A and 52B, respectively, but may include four or more clamping pins 52A and 52B, respectively. .
  • a mechanical structure such as a link structure is provided as a spin chuck 5 that can switch the sandwiching state of the substrate W between the first sandwiching state and the second sandwiching state. It is also possible to employ a method of switching between the first clamping state and the second clamping state using
  • the sulfuric acid-containing liquid supply unit 6 is described as an example of a nozzle mixing type in which H 2 SO 4 and H 2 O 2 are mixed inside the sulfuric acid-containing liquid nozzle 18.
  • a mixing part connected via a pipe is provided on the upstream side of the sulfuric acid-containing liquid nozzle 18, and a pipe mixing type in which mixing of H 2 SO 4 and H 2 O 2 is performed in this mixing part is adopted. You can also.
  • the sulfuric acid-containing liquid supplied to the surface of the substrate W in the sulfuric acid-containing liquid step S3 may be sulfuric acid (concentrated sulfuric acid) or SOM (sulfuric acid ozone (a liquid in which ozone is dispersed in sulfuric acid)) in addition to SPM. Good.
  • sulfuric acid-containing liquid supplied to the surface of the substrate W in the chemical liquid process is not limited to the sulfuric acid-containing liquid, but may be other chemical liquids.
  • the substrate processing example may not include the sulfuric acid-containing liquid step S3.
  • the sulfuric acid-containing liquid process S3 is not included, in the processing unit 2, when the sulfuric acid-containing liquid has been used in the past, at the end of the rinsing process or at the end of the rinsing process,
  • the rinsing liquid remaining between the first holding pin 52A and the second holding pin 52B and the peripheral portion of the substrate W contains a sulfuric acid-containing liquid or the like.
  • the present invention can be suitably applied.
  • the substrate processing apparatus 1 is an apparatus for processing the surface of the substrate W made of a semiconductor wafer.
  • the substrate processing apparatus is a substrate for a liquid crystal display device, an organic EL (electroluminescence) display.
  • Even devices that process substrates such as FPD (Flat Panel Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, photomask substrates, ceramic substrates, solar cell substrates, etc. Good.
  • 1 substrate processing device 2: processing unit 3: control device 5: spin chuck (substrate holding and rotating device) 10: Rinse solution supply unit 54: Spin motor (rotary unit) 55: 1st clamping unit 56: 2nd clamping unit 57: 1st opening / closing unit (clamping drive unit) 58: Second opening / closing unit (clamping drive unit) 62: 1st clamping part 72: 2nd clamping part A1: Rotation axis line Te1: 1st period Te2: 2nd period V1: 2nd drying speed V2: 2nd drying speed W: Substrate Y: Circumference direction

Abstract

基板処理方法は、リンス工程およびスピンドライ工程の少なくとも一方に並行して、少なくとも３つの第２の挟持部を基板の周縁部から離間させながら少なくとも３つの第１の挟持部を基板の周縁部に接触させることにより、第１の挟持ユニットによって基板を挟持し第２の挟持ユニットによって前記基板を挟持しない第１の挟持状態を実現し、その第１の挟持状態を所定の第１の期間維持する第１の挟持工程と、前記第１の挟持工程の後、前記スピンドライ工程に並行して、前記少なくとも３つの第１の挟持部を前記基板の周縁部から離間させながら前記少なくとも３つの第２の挟持部を前記基板の周縁部に接触させることにより、前記第２の挟持ユニットによって前記基板を挟持し前記第１の挟持ユニットによって前記基板を挟持しない第２の挟持状態を実現し、その第２の挟持状態を所定の第２の期間維持する第２の挟持工程とを含む。

Description

基板処理方法および基板処理装置
　この発明は、基板処理方法および基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。
　半導体装置の製造工程において、たとえば、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置は、たとえば、基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持されている基板の主面に処理液を供給する処理液供給ユニットとを備えている。スピンチャックとして、複数の挟持ピンを基板の周縁部に接触させて当該基板を水平方向に挟むことにより基板を水平に保持する挟持式のチャックが採用されることがある。挟持式のチャックでは、複数の挟持ピンは、基板の外周形状に対応する円周上で適当な間隔を空けて設けられている。
　典型的な基板処理工程では、スピンチャックに保持された基板に対して、処理液としての薬液が供給される薬液工程が実行される。薬液工程において、基板に供給された薬液は基板の回転による遠心力を受けて周縁部から排出される。その後、処理液としてのリンス液が基板に供給されるリンス工程が実行される。リンス工程において、基板に供給されたリンス液は基板の回転による遠心力を受けて周縁部から排出される。その後、基板の主面に付着しているリンス液を排除するためのスピンドライ工程が行われる。スピンドライ工程では、基板が高速回転されることにより、基板に付着しているリンス液が振り切られて排除（乾燥）される。一般的なリンス液は脱イオン水である。
US5882433 A
　リンス工程の終了後には、挟持ピンの挟持部と基板の周縁部との間にリンス液が残存している。この残存するリンス液（挟持部と基板の周縁部との間に残存するリンス液）に薬液が含まれていることがある。この状態でスピンドライ工程が実行されると、このリンス液に含まれる薬液が乾燥して、基板の主面の周縁部にパーティクルが発生するおそれがある。すなわち、挟持部と基板の周縁部との間に液体が残存したままスピンドライ工程が行われることに起因するパーティクル汚染の発生を抑制または防止することが求められていた。
　そこで、この発明の目的の一つは、基板の周縁部におけるパーティクルの発生を抑制または防止できる、基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
　この発明は、基板の周縁部に接触可能な少なくとも３つの第１の挟持部を有し、前記少なくとも３つの第１の挟持部が前記基板の周縁部に接触することによって前記基板を挟持する第１の挟持ユニットと、前記第１の挟持ユニットとは別に設けられ、前記基板の周縁部に接触可能な少なくとも３つの第２の挟持部を有し、前記少なくとも３つの第２の挟持部が前記基板の周縁部に接触することによって前記基板を挟持する第２の挟持ユニットとを含む基板保持回転装置を含む基板処理装置において実行され、前記基板に対して薬液を用いた処理を施すための基板処理方法であって、前記基板保持回転装置によって保持されている前記基板を、当該基板の中央部を通る回転軸線回りに回転させながら、前記基板の主面にリンス液を供給するリンス工程と、前記基板の主面に対してリンス液を供給せずに、当該基板を、当該基板の主面からリンス液を振り切ることができる振り切り速度で前記回転軸線回りに回転させるスピンドライ工程と、前記リンス工程および前記スピンドライ工程の少なくとも一方に並行して、前記少なくとも３つの第２の挟持部を前記基板の周縁部から離間させながら前記少なくとも３つの第１の挟持部を前記基板の周縁部に接触させることにより、前記第１の挟持ユニットによって前記基板を挟持し前記第２の挟持ユニットによって前記基板を挟持しない第１の挟持状態を実現し、その第１の挟持状態を所定の第１の期間維持する第１の挟持工程と、前記第１の挟持工程の後、前記スピンドライ工程に並行して、前記少なくとも３つの第１の挟持部を前記基板の周縁部から離間させながら前記少なくとも３つの第２の挟持部を前記基板の周縁部に接触させることにより、前記第２の挟持ユニットによって前記基板を挟持し前記第１の挟持ユニットによって前記基板を挟持しない第２の挟持状態を実現し、その第２の挟持状態を所定の第２の期間維持する第２の挟持工程とを含む、基板処理方法を提供する。
　この方法によれば、リンス工程およびスピンドライ工程の少なくとも一方に並行して、第１の挟持ユニットによって基板を挟持し第２の挟持ユニットによって基板を挟持しない第１の挟持状態が維持される（第１の挟持工程）。第１の挟持状態においては、各第２の挟持部が基板の周縁部から離間させられている。
　第１の挟持工程において、各第２の挟持部が基板の周縁部から離間させられながら当該第２の挟持部が回転軸線回りに回転する。そのため、第１の挟持工程の開始前に第２の挟持部に液体が付着していても、基板の回転に伴って第２の挟持部に付着している液体に遠心力が作用し、これにより、当該液体が、第２の挟持部から振り切られる。そのため、第１の挟持工程の終了時においては、第２の挟持部から液体が除去されている。
　第１の挟持工程の終了後、スピンドライ工程に並行して、第２の挟持ユニットによって基板を挟持し第１の挟持ユニットによって基板を挟持しない第２の挟持状態が維持される（第２の挟持工程）。第２の挟持状態においては、各第１の挟持部が基板の周縁部から離間させられ、かつ当該第２の挟持部が基板の周縁部に接触している。
　既に液体除去済みの第２の挟持部が基板の周縁部に接触するので、第２の挟持工程において、第２の挟持部と基板の周縁部との間に液体が存在しない。すなわち、第２の挟持工程では、第２の挟持部と基板の周縁部との間に、薬液を含んだ液体を存在させることなく、第２の挟持ユニットによって基板を挟持できる。
　また、第２の挟持工程において、各第１の挟持部が基板の周縁部から離間させられながら当該第１の挟持部が回転軸線回りに回転する。そのため、第２の挟持工程の開始前に第１の挟持部に液体が付着していても、基板の回転に伴って第１の挟持部に付着している液体に大きな遠心力が作用し、これにより、当該液体が、第１の挟持部から振り切られる。そのため、第２の挟持工程の終了後には第１の挟持部から液体が除去されている。
　その後、第２の挟持ユニットによって基板を挟持する場合に、既に乾燥済みの第１の挟持部が基板の周縁部に接触する。このとき、第１の挟持部と基板の周縁部との間に液体が存在しない。すなわち、第２の挟持工程の後の工程において、第１の挟持部と基板の周縁部との間に、薬液を含んだ液体を存在させることなく、第１の挟持ユニットによって基板を挟持できる。
　したがって、第１および第２の挟持部と基板の周縁部との間に、薬液を含んだ液体が残存することを抑制または防止しながらスピンドライ工程を実行できる。そのため、基板の周縁部におけるパーティクルの発生を、抑制または防止できる。
　この発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記リンス工程の前に、前記基板保持回転装置によって保持されている前記基板を、前記回転軸線回りに回転させながら、前記基板の主面に薬液を供給する薬液工程をさらに含む。
　この方法によれば、リンス工程に先立って薬液工程が実行される。薬液の種類や薬液の温度および挟持部の材質によっては、薬液工程において挟持部の内部に薬液が染み込むおそれがある。そして、染み込んだ薬液が第１の挟持部と基板の周縁部との間や第２の挟持部と基板の周縁部との間に残存するリンス液に染み出すことにより、リンス工程の終盤やリンス工程の終了時において、第１の挟持部と基板の周縁部との間や第２の挟持部と基板の周縁部との間に残存するリンス液に薬液が含まれることがある。この状態でスピンドライ工程が実行されると、基板の周縁部においてパーティクルが発生するおそれがある。
　この方法によれば、第１および第２の挟持部と基板の周縁部との間に、薬液を含んだ液体が残存することを抑制または防止しながらスピンドライ工程を実行できる。そのため、パーティクル汚染の発生を、抑制または防止できる。
　また、前記薬液が、硫酸含有液を含んでいてもよい。
　硫酸含有液は、一般的に、非常に高い液温を有している状態で基板処理に使用される。この場合、挟持ピンの材質によっては硫酸含有液が挟持ピンに染み込むおそれがある。そして、スピンドライ工程中に、挟持部と基板の周縁部との間に残存するリンス液に硫酸含有液が染み出すと、基板の周縁部においてパーティクルが発生するおそれがある。
　この方法によれば、第１および第２の挟持部と基板の周縁部との間に、硫酸含有液を含んだ液体が残存することを抑制または防止しながらスピンドライ工程を実行できる。そのため、薬液として硫酸含有液を用いる場合であっても、基板の周縁部におけるパーティクルの発生を、抑制または防止できる。
　この発明の一実施形態では、前記第１の期間が、前記少なくとも３つの第１の挟持部からリンス液を振り切ることが可能な期間であり、前記第２の期間が、前記少なくとも３つの第２の挟持部からリンス液を振り切ることが可能な期間である。
　この方法によれば、第１の挟持工程の終了の時点で、第２の挟持部を乾燥させることができる。また、第２の挟持工程の終了の時点で、第１の挟持部を乾燥させることができる。これにより、スピンドライ工程中における、第１および第２の挟持部と基板の周縁部との間における薬液を含んだ液体の残存を、より効果的に抑制できる。
　この発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記第１の挟持状態において、前記基板の周縁部から離間している前記少なくとも３つの第２の挟持部を前記基板の周縁部に接触させることにより、前記第１の挟持状態から、前記第１の挟持ユニットおよび前記第２の挟持ユニットによって前記基板を挟持する両挟持状態に遷移する第１の遷移工程と、前記両挟持状態において、前記基板の周縁部に接触している前記少なくとも３つの第１の挟持部を前記基板の周縁部から離間させることにより、前記両挟持状態から前記第２の挟持状態に遷移する第２の遷移工程とをさらに含む。
　この方法によれば、第１の挟持状態から両挟持状態を一旦経て第２の挟持状態に遷移させるので、基板の回転を停止させることなく、第１の挟持状態から第２の挟持状態へと遷移させることができる。
　この発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記第２の挟持工程の後、前記スピンドライ工程に並行して、前記第１の挟持ユニットおよび前記第２の挟持ユニットによって前記基板を挟持する両挟持状態を実現する両挟持工程をさらに含む。
　この方法によれば、第２の挟持工程の後、スピンドライ工程に並行して、第１の挟持ユニットおよび第２の挟持ユニットによって基板を挟持する両挟持状態が実現される（両挟持工程）。これにより、第２の挟持工程の後に、第１の挟持工程や第２の挟持工程よりも速い速度で基板を回転させることが可能である。
　この発明の一実施形態では、前記スピンドライ工程が、前記第１の挟持工程および前記第２の挟持工程に並行して、前記基板を、当該基板の主面からリンス液を振り切ることができる第１の乾燥速度で前記回転軸線回りに回転させる第１のスピンドライ工程と、前記両挟持工程に並行して、前記基板を、当該基板の主面からリンス液を振り切ることができ、前記第１の乾燥速度よりも速い第２の乾燥速度で前記回転軸線回りに回転させる第２のスピンドライ工程とを含む。
　この方法によれば、スピンドライ工程において、より速い第２の乾燥速度で基板を回転させることができるので、基板を良好に振り切り乾燥させることができる。
　この発明の一実施形態では、前記第１の挟持工程が、前記スピンドライ工程に並行して実行される。
　仮に、第１の挟持工程がリンス工程に並行して実行される場合には、基板の周縁部から離間している第２の挟持部に基板からのリンス液が降り掛かるおそれがある。また、基板の回転速度が遅いために、第１の挟持工程において周縁部から離間しながら回転している各第２の挟持部に作用する遠心力が大きくならないおそれがある。
　これに対し、この方法によれば、第１の挟持工程が、スピンドライ工程に並行して実行されるので、基板の周縁部から離間している第２の挟持部に基板からのリンス液が降り掛かるおそれがない。また、リンス液を振り切るほどの基板の回転速度になるために、第１の挟持工程において周縁部から離間しながら回転している各第２の挟持部に作用する遠心力が大きい。これにより、第１の挟持工程において、第２の挟持部をより良好に乾燥させることができる。
　この発明の一実施形態では、前記第２の挟持工程の後、前記スピンドライ工程に並行して、前記第１の挟持工程および前記第２の挟持工程が再度実行される。
　この方法によれば、第１の挟持工程および前記第２の挟持工程が複数回実行される。そのため、第１および第２の挟持部と基板の周縁部との間における薬液を含んだ液体の残存をより一層効果的に抑制しながらスピンドライ工程を実行できる。そのため、基板の周縁部におけるパーティクルの発生を、より効果的に抑制できる。
　この発明は、基板に対して薬液を用いた処理を施すための基板処理装置であって、前記基板の周縁部に接触可能な少なくとも３つの第１の挟持部を有し、前記少なくとも３つの第１の挟持部によって前記基板を挟持することが可能な第１の挟持ユニットと、前記第１の挟持ユニットとは別に設けられ、前記基板の周縁部に接触可能な少なくとも３つの第２の挟持部を有し、前記少なくとも３つの第２の挟持部によって前記基板を挟持することが可能な第２の挟持ユニットと、前記第１の挟持ユニットおよび前記第２の挟持ユニットを、前記基板の中央部を通る回転軸線まわりに回転させる回転ユニットと、前記第１の挟持ユニットおよび前記第２の挟持ユニットを駆動する挟持駆動ユニットとを含む基板保持回転装置と、前記基板保持回転装置によって保持されている前記基板の主面に対してリンス液を供給するためのリンス液供給ユニットと、前記回転ユニット、前記挟持駆動ユニットおよび前記リンス液供給ユニットを制御する制御装置とを含み、前記制御装置が、前記基板保持回転装置によって保持されている前記基板を、前記回転ユニットによって当該基板の中央部を通る回転軸線回りに回転させながら、前記リンス液供給ユニットによって前記基板の主面にリンス液を供給するリンス工程と、前記基板の主面に対してリンス液を供給せずに、当該基板を、前記回転ユニットによって、当該基板の主面からリンス液を振り切ることができる振り切り速度で前記回転軸線回りに回転させるスピンドライ工程と、前記リンス工程および前記スピンドライ工程の少なくとも一方に並行して、前記少なくとも３つの第２の挟持部からリンス液を振り切るために、前記挟持駆動ユニットによって、前記少なくとも３つの第２の挟持部を前記基板の周縁部から離間させながら前記少なくとも３つの第１の挟持部を前記基板の周縁部に接触させることにより、前記第１の挟持ユニットによって前記基板を挟持し前記第２の挟持ユニットによって前記基板を挟持しない第１の挟持状態を実現し、その第１の挟持状態を所定の第１の期間維持する第１の挟持工程と、前記第１の挟持工程の後、前記スピンドライ工程に並行して、前記少なくとも３つの第１の挟持部からリンス液を振り切るために、前記挟持駆動ユニットによって、前記少なくとも３つの第１の挟持部を前記基板の周縁部から離間させながら前記少なくとも３つの第２の挟持部を前記基板の周縁部に接触させることにより、前記第２の挟持ユニットによって前記基板を挟持し前記第１の挟持ユニットによって前記基板を挟持しない第２の挟持状態を実現し、その第２の挟持状態を所定の第２の期間維持する第２の挟持工程とを実行する、基板処理装置を提供する。
　この構成によれば、リンス工程およびスピンドライ工程の少なくとも一方に並行して、第１の挟持ユニットによって基板を挟持し第２の挟持ユニットによって基板を挟持しない第１の挟持状態が維持される（第１の挟持工程）。第１の挟持状態においては、各第２の挟持部が基板の周縁部から離間させられている。
　第１の挟持工程において、各第２の挟持部が基板の周縁部から離間させられながら当該第２の挟持部が回転軸線回りに回転する。そのため、第１の挟持工程の開始前に第２の挟持部に液体が付着していても、基板の回転に伴って第２の挟持部に付着している液体に遠心力が作用し、これにより、当該液体が、第２の挟持部から振り切られる。そのため、第１の挟持工程の終了時においては、第２の挟持部から液体が除去されている。
　第１の挟持工程の終了後、スピンドライ工程に並行して、第２の挟持ユニットによって基板を挟持し第１の挟持ユニットによって基板を挟持しない第２の挟持状態が維持される（第２の挟持工程）。第２の挟持状態においては、各第１の挟持部が基板の周縁部から離間させられ、かつ当該第２の挟持部が基板の周縁部に接触している。
　既に液体除去済みの第２の挟持部が基板の周縁部に接触するので、第２の挟持工程において、第２の挟持部と基板の周縁部との間に液体が存在しない。すなわち、第２の挟持工程では、第２の挟持部と基板の周縁部との間に、薬液を含んだ液体を存在させることなく、第２の挟持ユニットによって基板を挟持できる。
　また、第２の挟持工程において、各第１の挟持部が基板の周縁部から離間させられながら当該第１の挟持部が回転軸線回りに回転する。そのため、第２の挟持工程の開始前に第１の挟持部に液体が付着していても、基板の回転に伴って第１の挟持部に付着している液体に大きな遠心力が作用し、これにより、当該液体が、第１の挟持部から振り切られる。そのため、第２の挟持工程の終了後には第１の挟持部から液体が除去されている。
　その後、第２の挟持ユニットによって基板を挟持する場合に、既に乾燥済みの第１の挟持部が基板の周縁部に接触する。このとき、第１の挟持部と基板の周縁部との間に液体が存在しない。すなわち、第２の挟持工程の後の工程において、第１の挟持部と基板の周縁部との間に、薬液を含んだ液体を存在させることなく、第１の挟持ユニットによって基板を挟持できる。
　したがって、第１および第２の挟持部と基板の周縁部との間に、薬液を含んだ液体が残存することを抑制または防止しながらスピンドライ工程を実行できる。そのため、基板の周縁部におけるパーティクルの発生を、抑制または防止できる。
　この発明の一実施形態では、前記制御装置が、前記リンス工程の前に、前記基板保持回装置によって保持されている前記基板を、前記回転軸線回りに回転させながら、前記基の主面に薬液を供給する薬液工程をさらに実行する。
　この構成によれば、リンス工程に先立って薬液工程が実行される。薬液の種類や薬液の温度および挟持部の材質によっては、薬液工程において挟持部の内部に薬液が染み込むおそれがある。そして、染み込んだ薬液が第１の挟持部と基板の周縁部との間や第２の挟持部と基板の周縁部との間に残存するリンス液に染み出すことにより、リンス工程の終盤やリンス工程の終了時において、第１の挟持部と基板の周縁部との間や第２の挟持部と基板の周縁部との間に残存するリンス液に薬液が含まれることがある。この状態でスピンドライ工程が実行されると、基板の周縁部においてパーティクルが発生するおそれがある。
　この方法によれば、第１および第２の挟持部と基板の周縁部との間に、薬液を含んだ液体が残存することを抑制または防止しながらスピンドライ工程を実行できる。そのため、パーティクル汚染の発生を、抑制または防止できる。
　また、前記薬液が、硫酸含有液を含んでいてもよい。
　硫酸含有液は、一般的に、非常に高い液温を有している状態で基板処理に使用される。この場合、挟持ピンの材質によっては硫酸含有液が挟持ピンに染み込むおそれがある。そして、スピンドライ工程中に、挟持部と基板の周縁部との間に残存するリンス液に硫酸含有液が染み出すと、基板の周縁部においてパーティクルが発生するおそれがある。
　この方法によれば、第１および第２の挟持部と基板の周縁部との間に、硫酸含有液を含んだ液体が残存することを抑制または防止しながらスピンドライ工程を実行できる。そのため、薬液として硫酸含有液を用いる場合であっても、基板の周縁部におけるパーティクルの発生を、抑制または防止できる。
　この発明の一実施形態では、前記第１の期間が、前記少なくとも３つの第１の挟持部からリンス液を振り切ることが可能な期間であり、前記第２の期間が、前記少なくとも３つの第２の挟持部からリンス液を振り切ることが可能な期間である。
　この構成によれば、第１の挟持工程の終了の時点で、第２の挟持部を乾燥させることができる。また、第２の挟持工程の終了の時点で、第１の挟持部を乾燥させることができる。これにより、スピンドライ工程中における、第１および第２の挟持部と基板の周縁部との間における薬液を含んだ液体の残存を、より効果的に抑制できる。
　この発明の一実施形態では、前記制御装置が、前記第１の挟持状態において、前記基板の周縁部から離間している前記少なくとも３つの第２の挟持部を前記基板の周縁部に接触させることにより、前記第１の挟持状態から、前記第１の挟持ユニットおよび前記第２の挟持ユニットによって前記基板を挟持する両挟持状態に遷移する第１の遷移工程と、前記両挟持状態において、前記基板の周縁部に接触している前記少なくとも３つの第１の挟持部を前記基板の周縁部から離間させることにより、前記両挟持状態から前記第２の挟持状態に遷移する第２の遷移工程とをさらに実行する。
　この構成によれば、第１の挟持状態から両挟持状態を一旦経て第２の挟持状態に遷移させるので、基板の回転を停止させることなく、第１の挟持状態から第２の挟持状態へと遷移させることができる。
　この発明の一実施形態では、前記制御装置が、前記第２の挟持工程の後、前記スピンドライ工程に並行して、前記第１の挟持ユニットおよび前記第２の挟持ユニットによって前記基板を挟持する両挟持状態を実現する両挟持工程をさらに実行する。
　この構成によれば、第２の挟持工程の後、スピンドライ工程に並行して、第１の挟持ユニットおよび第２の挟持ユニットによって基板を挟持する両挟持状態が実現される（両挟持工程）。これにより、第２の挟持工程の後に、第１の挟持工程や第２の挟持工程よりも速い速度で基板を回転させることが可能である。
　この発明の一実施形態では、前記制御装置が、前記スピンドライ工程において、前記第１の挟持工程および前記第２の挟持工程に並行して、前記基板を、当該基板の主面からリンス液を振り切ることができる第１の乾燥速度で前記回転軸線回りに回転させる第１のスピンドライ工程と、前記両挟持工程に並行して、前記基板を、当該基板の主面からリンス液を振り切ることができ、前記第１の乾燥速度よりも速い第２の乾燥速度で前記回転軸線回りに回転させる第２のスピンドライ工程とを実行する。
　この構成によれば、スピンドライ工程において、より速い第２の乾燥速度で基板を回転させることができるので、基板を良好に振り切り乾燥させることができる。
　この発明の一実施形態では、前記制御装置が、前記第１の挟持工程を、前記スピンドライ工程に並行して実行する。
　仮に、第１の挟持工程がリンス工程に並行して実行される場合には、基板の周縁部から離間している第２の挟持部に基板からのリンス液が降り掛かるおそれがある。また、基板の回転速度が遅いために、第１の挟持工程において周縁部から離間しながら回転している各第２の挟持部に作用する遠心力が大きくならないおそれがある。
　これに対し、この構成によれば、第１の挟持工程が、スピンドライ工程に並行して実行されるので、基板の周縁部から離間している第２の挟持部に基板からのリンス液が降り掛かるおそれがない。また、リンス液を振り切るほどの基板の回転速度になるために、第１の挟持工程において周縁部から離間しながら回転している各第２の挟持部に作用する遠心力が大きい。これにより、第１の挟持工程において、第２の挟持部をより良好に乾燥させることができる。
　この発明の一実施形態では、前記制御装置が、前記第２の挟持工程の後、前記スピンドライ工程に並行して前記第１の挟持工程および前記第２の挟持工程を再度実行する。
　この構成によれば、第１の挟持工程および前記第２の挟持工程が複数回実行される。そのため、第１および第２の挟持部と基板の周縁部との間における薬液を含んだ液体の残存をより一層効果的に抑制しながらスピンドライ工程を実行できる。そのため、基板の周縁部におけるパーティクルの発生を、より効果的に抑制できる。
　この発明の一実施形態では、前記第１の挟持部および前記第２の挟持部が、樹脂部材を含む。
　この構成によれば、第１の挟持部および第２の挟持部が樹脂部材を含む場合には、第１の挟持ユニットおよび第２の挟持ユニットによって基板を挟持しながら、薬液を用いた処理を基板に対し施すことにより、第１の挟持部および第２の挟持部に薬液が染み込むおそれがある。そして、リンス工程において、第１の挟持部と基板の周縁部との間や第２の挟持部と基板の周縁部との間にリンス液が残存することがある。このリンス液に、薬液工程において染み込んだ薬液が染み出している状態でスピンドライ工程が実行されると、基板の主面にパーティクル汚染が発生するおそれがある。
　この構成によれば、第１および第２の挟持部と基板の周縁部との間に、薬液を含んだ液体が残存することを抑制または防止しながらスピンドライ工程を実行できる。そのため、第１の挟持部および第２の挟持部が樹脂部材を含む場合であっても、基板の周縁部におけるパーティクルの発生を、抑制または防止できる。
　この発明の一実施形態では、前記樹脂部材には炭素が含まれている。
　この構成によれば、第１の挟持部および第２の挟持部が、炭素を含む樹脂部材を含む場合には、経時劣化により、樹脂部材から炭素が抜け落ちる。そして、炭素が抜け落ちた後の樹脂部材には微細な空隙が発生し、その空隙に薬液が入り込むことにより、第１の挟持部および第２の挟持部に対して薬液が染み込むことが考えられる。
　この構成によれば、第１および第２の挟持部と基板の周縁部との間に、薬液を含んだ液体が残存することを抑制または防止しながらスピンドライ工程を実行できる。そのため、第１の挟持部および第２の挟持部が、炭素を含む樹脂部材を含む場合であっても、基板の周縁部におけるパーティクルの発生を、抑制または防止できる。
　本発明における前述の、またはさらに他の目的、特徴および効果は、添付図面を参照して次に述べる実施形態の説明により明らかにされる。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。 図２は、前記基板処理装置に備えられた処理ユニットの内部を水平方向に見た模式図である。 図３は、前記処理ユニットに備えられたスピンチャックの、より具体的な構成を説明するための側面図である。 図４は、前記スピンチャックの、より具体的な構成を説明するための平面図である。 図５Ａは、第１の挟持ピンの近傍の構成を拡大して示す断面図である。図５Ａには、第１の挟持部が接触位置にある状態を示す。 図５Ｂは、第１の挟持ピンの近傍の構成を拡大して示す断面図である。図５Ｂには、第１の挟持部が離間位置にある状態を示す。 図６Ａは、第２の挟持ピンの近傍の構成を拡大して示す断面図である。図６Ａには、第２の挟持部が接触位置にある状態を示す。 図６Ｂは、第２の挟持ピンの近傍の構成を拡大して示す断面図である。図６Ｂには、第２の挟持部が離間位置にある状態を示す。 図７Ａ，７Ｂは、第１の挟持ユニットおよび第２の挟持ユニットの状態を示す模式的な図である。 図８Ａ，８Ｂは、第１の挟持ユニットおよび第２の挟持ユニットの状態を示す模式的な図である。 図９Ａ，９Ｂは、第１の挟持ユニットおよび第２の挟持ユニットの状態を示す模式的な図である。 図１０Ａ，１０Ｂは、第１の挟持ユニットおよび第２の挟持ユニットの状態を示す模式的な図である。 図１１Ａ，１１Ｂは、第１の挟持ユニットおよび第２の挟持ユニットの状態を示す模式的な図である。 図１２Ａ，１２Ｂは、第１の挟持ユニットおよび第２の挟持ユニットの状態を示す模式的な図である。 図１３は、前記基板処理装置の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。 図１４は、前記処理ユニットによる基板処理例を説明するための流れ図である。 図１５は、第２のリンス工程およびスピンドライ工程を説明するためのタイミングチャートである。 図１６Ａ，１６Ｂは、ＳＰＭ工程および第１のリンス工程を説明するための図解的な図である。 図１６Ｃ，１６Ｄは、ＳＣ１工程および前記第２のリンス工程を説明するための図解的な図である。 図１６Ｅ～１６Ｇは、前記スピンドライ工程を説明するための図解的な図である。 図１７は、前記処理ユニットによる第１の変形処理例の一部を説明するためのタイミングチャートである。 図１８は、前記処理ユニットによる第２の変形処理例の一部を説明するためのタイミングチャートである。 図１９は、前記処理ユニットによる第３の変形処理例の一部を説明するためのタイミングチャートである。 図２０は、前記処理ユニットによる第４の変形処理例の一部を説明するためのタイミングチャートである。
　図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置を上から見た模式図である。基板処理装置１は、シリコンウエハなどの基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この実施形態では、基板Ｗは、円板状の基板である。基板処理装置１は、処理液およびリンス液で基板Ｗを処理する複数の処理ユニット２と、処理ユニット２で処理される複数枚の基板Ｗを収容する基板収容器Ｃが載置されるロードポートＬＰと、ロードポートＬＰと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送するインデクサロボットＩＲおよび基板搬送ロボットＣＲと、基板処理装置１を制御する制御装置３とを含む。インデクサロボットＩＲは、基板収容器Ｃと基板搬送ロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。基板搬送ロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する。複数の処理ユニット２は、たとえば、同様の構成を有している。
　図２は、処理ユニット２の構成例を説明するための図解的な断面図である。
　処理ユニット２は、内部空間を有する箱形のチャンバ４と、チャンバ４内で一枚の基板Ｗを水平な姿勢で保持して、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック（基板保持回転装置）５と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの表面（主面。たとえばパターン形成面）に、薬液の一例としての硫酸含有液を供給するための硫酸含有液供給ユニット６と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの表面に、ＳＣ１（ＮＨ４ＯＨとＨ２Ｏ２とを含む混合液）を供給するためのＳＣ１供給ユニット７と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面に対向する遮断部材８と、遮断部材８の内部を上下に挿通し、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面の中央部に向けて、リンス液を含む処理流体を吐出するための中心軸ノズル９と、中心軸ノズル９にリンス液を供給するためのリンス液供給ユニット１０と、スピンチャック５を取り囲む筒状の処理カップ１１とを含む。
　チャンバ４は、スピンチャック５を収容する箱状の隔壁１４と、隔壁１４の上部から隔壁１４内に清浄空気（フィルタによってろ過された空気）を送る送風ユニットとしてのＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）１５と、隔壁１４の下部からチャンバ４内の気体を排出する排気ダクト１６とを含む。ＦＦＵ１５は、隔壁１４の上方に配置されており、隔壁１４の天井に取り付けられている。ＦＦＵ１５は、隔壁１４の天井からチャンバ４内に下向きに低湿度の清浄空気を送る。排気ダクト１６は、処理カップ１１の底部に接続されており、基板処理装置１が設置される工場に設けられた排気処理設備に向けてチャンバ４内の気体を導出する。したがって、チャンバ４内を下方に流れるダウンフロー（下降流）が、ＦＦＵ１５および排気ダクト１６によって形成される。基板Ｗの処理は、チャンバ４内にダウンフローが形成されている状態で行われる。
　スピンチャック５として、基板Ｗを水平方向に挟んで基板Ｗを水平に保持する挟持式のチャックが採用されている。スピンチャック５の具体的な構成は後述する。
　硫酸含有液供給ユニット６は、硫酸含有液ノズル１８と、硫酸含有液ノズル１８が先端部に取り付けられたノズルアーム１９と、ノズルアーム１９を移動させることにより、硫酸含有液ノズル１８を移動させるノズル移動ユニット２０（図１３参照）とを含む。硫酸含有液供給ユニット６から供給される硫酸含有液は、たとえば、ＳＰＭ（Ｈ２ＳＯ４（硫酸）およびＨ２Ｏ２（過酸化水素水）を含む硫酸過酸化水素水混合液（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture））である。
　硫酸含有液ノズル１８は、たとえば、連続流の状態で、硫酸含有液の一例としてのＳＰＭを吐出するストレートノズルである。硫酸含有液ノズル１８は、たとえば、基板Ｗの上面に向けて、垂直方向、傾斜方向または水平な方向に、ＳＰＭを吐出する垂直姿勢でノズルアーム１９に取り付けられている。ノズルアーム１９は水平方向に延びている。
　ノズル移動ユニット２０は、揺動軸線まわりにノズルアーム１９を水平移動させることにより、硫酸含有液ノズル１８を水平に移動させる。ノズル移動ユニット２０は、モータ等を含む構成である。ノズル移動ユニット２０は、硫酸含有液ノズル１８から吐出されたＳＰＭが基板Ｗの上面に着液する処理位置と、硫酸含有液ノズル１８が平面視でスピンチャック５の周囲に設定された退避位置との間で、硫酸含有液ノズル１８を水平に移動させる。この実施形態では、処理位置は、たとえば、硫酸含有液ノズル１８から吐出されたＳＰＭが基板Ｗの上面中央部に着液する中央位置である。
　硫酸含有液供給ユニット６は、硫酸含有液ノズル１８にＨ２ＳＯ４を供給する硫酸供給ユニット２１と、硫酸含有液ノズル１８にＨ２Ｏ２を供給する過酸化水素水供給ユニット２２とをさらに含む。
　硫酸供給ユニット２１は、硫酸含有液ノズル１８に一端が接続された硫酸配管２３と、硫酸配管２３を開閉するための硫酸バルブ２４とを含む。硫酸配管２３には、硫酸供給源から所定の高温に保たれたＨ２ＳＯ４が供給される。硫酸供給ユニット２１は、硫酸配管２３の開度を調整して、硫酸配管２３を流通するＨ２ＳＯ４の流量を調整する硫酸流量調整バルブをさらに備えていてもよい。この硫酸流量調整バルブは、弁座が内部に設けられたバルブボディと、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータとを含む。他の流量調整バルブについても同様である。
　過酸化水素水供給ユニット２２は、硫酸含有液ノズル１８に一端が接続された過酸化水素水配管２５と、過酸化水素水配管２５を開閉するための過酸化水素水バルブ２６とを含む。過酸化水素水配管２５には、過酸化水素水供給源から温度調整されていない常温（約２３℃）程度のＨ２Ｏ２が供給される。過酸化水素水供給ユニット２２は、過酸化水素水配管２５の開度を調整して、過酸化水素水配管２５を流通するＨ２Ｏ２の流量を調整する過酸化水素水量調整バルブをさらに備えていてもよい。
　硫酸バルブ２４および過酸化水素水バルブ２６が開かれると、硫酸配管２３からのＨ２ＳＯ４および過酸化水素水配管２５からのＨ２Ｏ２が、硫酸含有液ノズル１８のケーシング内へと供給され、ケーシング内において十分に混合（攪拌）される。この混合によって、Ｈ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２とが均一に混ざり合い、Ｈ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２との反応によってＨ２ＳＯ４およびＨ２Ｏ２の混合液（ＳＰＭ）が生成される。ＳＰＭは、酸化力が強いペルオキソ一硫酸（Peroxomonosulfuric acid；Ｈ２ＳＯ５）を含み、混合前のＨ２ＳＯ４の温度よりも高い温度（１００℃以上。たとえば１６０～２２０℃）まで昇温させられる。生成された高温のＳＰＭは、硫酸含有液ノズル１８のケーシングに開口した吐出口から吐出される。
　ＳＣ１供給ユニット７は、ＳＣ１ノズル２８と、ＳＣ１ノズル２８が先端部に取り付けられたノズルアーム２９と、ノズルアーム２９を移動させることにより、ＳＣ１ノズル２８を移動させるノズル移動ユニット３０（図１３参照）とを含む。ノズル移動ユニット３０は、揺動軸線まわりにノズルアーム２９を水平移動させることにより、ＳＣ１ノズル２８を水平に移動させる。ノズル移動ユニット３０は、モータ等を含む構成である。ノズル移動ユニット３０は、ＳＣ１ノズル２８から吐出されたＳＣ１が基板Ｗの表面に着液する（ＳＣ１ノズル２８から吐出されたＳＣ１の液滴の噴流が基板Ｗの表面に吹き付けられる）処理位置と、ＳＣ１ノズル２８が平面視でスピンチャック５の周囲に設定された退避位置との間で、ＳＣ１ノズル２８を水平に移動させる。また、ノズル移動ユニット３０は、ＳＣ１ノズル２８から吐出されたＳＣ１の着液位置（ＳＣ１ノズル２８から吐出されたＳＣ１の液滴の噴流の吹き付け位置）が基板Ｗの表面の中央部と基板Ｗの表面の周縁部との間で移動するように、硫酸含有液ノズル１８を水平に移動させる。
　ＳＣ１ノズル２８は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの表面に、ＳＣ１の液滴の噴流を吐出する（ＳＣ１を噴霧状に吐出する）。ＳＣ１ノズル２８は、ＳＣ１の微小の液滴を噴出する、公知の二流体ノズル（たとえば特開２０１７－００５２３０号公報等参照）の形態を有している。ＳＣ１供給ユニット７は、ＳＣ１供給源からの常温の液体のＳＣ１をＳＣ１ノズル２８に供給するＳＣ１配管３２と、ＳＣ１配管３２からＳＣ１ノズル２８へのＳＣ１の供給および供給停止を切り換えるべく、ＳＣ１配管３２を開閉するＳＣ１バルブ３３と、気体供給源からの気体をＳＣ１ノズル２８に供給する気体配管３４と、気体配管３４からＳＣ１ノズル２８への気体の供給および供給停止を切り換えるべく、気体配管３４を開閉する気体バルブ３５とをさらに含む。ＳＣ１ノズル２８に供給される気体としては、一例として窒素ガス（Ｎ２）等の不活性ガスを例示できるが、それ以外に、たとえば乾燥空気や清浄空気などを採用できる。ＳＣ１ノズル２８は、二流体ノズルの形態ではなく、ＳＣ１を連続流の態様で吐出するストレートノズルの形態を有していてもよい。
　気体バルブ３５を開いてＳＣ１ノズル２８の気体吐出口から気体を吐出させながら、ＳＣ１バルブ３３を開いて液体吐出口からＳＣ１を吐出させることにより、第１の有機溶剤ノズル３１の下方近傍でＳＣ１に気体を衝突（混合）させることによりＳＣ１の微小の液滴を生成することができ、ＳＣ１を噴霧状に吐出できる。
　遮断部材８は、遮断板４１と、遮断板４１に一体回転可能に設けられた回転軸４２とを含む。遮断板４１は、基板Ｗとほぼ同じ径またはそれ以上の径を有する円板状である。遮断板４１は、その下面に基板Ｗの表面の全域に対向する円形の水平平坦面からなる基板対向面４１ａを有している。
　回転軸４２は、遮断板４１の中心を通り鉛直に延びる回転軸線Ａ２（基板Ｗの回転軸線Ａ１と一致する軸線）まわりに回転可能に設けられている。回転軸４２は、円筒状である。回転軸４２は、遮断板４１の上方で水平に延びる支持アーム４３に相対回転可能に支持されている。
　遮断板４１の中央部には、遮断板４１および回転軸４２を上下に貫通する円筒状の貫通穴４０が形成されている。貫通穴４０には、中心軸ノズル９が上下に挿通している。すなわち、中心軸ノズル９は、遮断板４１および回転軸４２を上下に貫通している。
　中心軸ノズル９は、貫通穴４０の内部を上下に延びる円柱状のケーシングを備えている。中心軸ノズル９の下端は、基板対向面４１ａに開口して、吐出口９ａを形成している。　　　
　中心軸ノズル９は、支持アーム４３によって、当該支持アーム４３に対し回転不能に支持されている。中心軸ノズル９は、遮断板４１、回転軸４２、および支持アーム４３と共に昇降する。中心軸ノズル９の上流端には、リンス液供給ユニット１０が接続されている。
　リンス液供給ユニット１０は、中心軸ノズル９にリンス液を案内するリンス液配管４４と、リンス液配管４４を開閉するリンス液バルブ４５とを含む。リンス液は、たとえば水である。この実施形態において、水は、純水（脱イオン水）、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、および希釈濃度（たとえば、１０～１００ｐｐｍ程度）のアンモニア水のいずれかである。リンス液バルブ４５が開かれると、リンス液供給源からのリンス液が、リンス液配管４４から中心軸ノズル９に供給される。これにより、中心軸ノズル９の吐出口９ａから下方に向けてリンス液が吐出される。
　中心軸ノズル９には、不活性ガス供給ユニット４６が接続されている。不活性ガス供給ユニット４６は、中心軸ノズル９の上流端に接続された不活性ガス配管４７と、不活性ガス配管４７の途中部に介装された不活性ガスバルブ４８とを含む。不活性ガスは、たとえば窒素ガス（Ｎ２）である。不活性ガスバルブ４８が開かれると、中心軸ノズル９の吐出口９ａから下方に向けて不活性ガスが吐出される。不活性ガスバルブ４８が閉じられると、吐出口９ａからの不活性ガスの吐出が停止される。
　遮断板４１には、電動モータ等を含む構成の遮断板回転ユニット４９が結合されている。遮断板回転ユニット４９は、遮断板４１および回転軸４２を、支持アーム４３に対して回転軸線Ａ２まわりに回転させる。
　支持アーム４３には、電動モータ、ボールねじ等を含む構成の遮断部材昇降ユニット５０が結合されている。遮断部材昇降ユニット５０は、遮断部材８（遮断板４１および回転軸４２）ならびに中心軸ノズル９を、支持アーム４３と共に鉛直方向に昇降する。
　遮断部材昇降ユニット５０は、遮断板４１を、基板対向面４１ａがスピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面に近接する遮断位置（図２に破線で図示。図１６Ｅ～図１６Ｇ等に示す位置）と、遮断位置よりも大きく上方に退避した退避位置（図２に実線で図示）の間で昇降させる。遮断部材昇降ユニット５０は、遮断位置、中間位置（図１６Ｂおよび図１６Ｄに示す位置）および退避位置で遮断板４１を保持可能である。遮断板４１が遮断位置にある状態の、基板対向面４１ａが基板Ｗの上面との間の空間は、その周囲の空間から完全に隔離されているわけではないが、当該空間に対する、周囲の空間からの気体の流入はない。すなわち、当該空間は、実質的にその周囲の空間と遮断されている。
　図２に示すように、処理カップ１１は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗよりも外方（回転軸線Ａ１から離れる方向）に配置されている。処理カップ１１は、次に述べるスピンベース５１を取り囲んでいる。スピンチャック５が基板Ｗを回転させている状態で、薬液やリンス液、保護液等の液体が基板Ｗに供給されると、基板Ｗに供給された液体が基板Ｗの周囲に振り切られる。これらの液体が基板Ｗに供給されるとき、処理カップ１１の上端部１１ａは、次に述べるスピンベース５１よりも上方に配置される。したがって、基板Ｗの周囲に排出された液体は、処理カップ１１によって受け止められる。そして、処理カップ１１に受け止められた液体は、図示しない回収装置または廃液装置に送られる。
　図３は、スピンチャック５の、より具体的な構成を説明するための側面図である。図４は、スピンチャック５の、より具体的な構成を説明するための平面図である。図５Ａ，５Ｂは、第１の挟持ピン５２Ａの近傍の構成を拡大して示す断面図である。図６Ａ，６Ｂは、第２の挟持ピン５２Ｂの近傍の構成を拡大して示す断面図である。図３は、図４を切断面線III-IIIから見た図である。
　図２および図３に示すように、スピンチャック５は、鉛直方向に沿う回転軸線Ａ１のまわりに回転可能なスピンベース５１と、スピンベース５１の上面の周縁部に、スピンベース５１の周方向Ｙに沿ってほぼ等間隔を開けて植設された複数（この実施形態では６つ）の挟持ピンと、スピンベース５１の回転中心の下面に固定された回転軸５３と、回転軸５３を回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンモータ５４とを含む。スピンチャック５に備えられる挟持ピンは全て、基板Ｗの周縁部に接触する支持部（第１の挟持ユニット５５や、第２の挟持ユニット５６）が可動するピンである。６つの挟持ピンおよびスピンベース５１は、回転軸５３の回転に同伴して回転する。
　図４に示すように、６つの挟持ピンは、互いに隣り合わない３つの挟持ピン５２Ａおよび互いに隣り合わない３つの挟持ピン５２Ｂが、同時に開閉される一つの群（第１の挟持ユニット５５または第２の挟持ユニット５６）を構成している。換言すると、６つの挟持ピンは、第１の挟持ユニット５５に含まれる３つの挟持ピン５２Ａ（以下、「第１の挟持ピン５２Ａ」という。）と、第２の挟持ユニット５６に含まれる３つの挟持ピン５２Ｂ（以下、「第２の挟持ピン５２Ｂ」という。）とを含む。第１の挟持ピン５２Ａと、第２の挟持ピン５２Ｂとは、周方向Ｙに関し交互に配置されている。第１の挟持ユニット５５に着目すれば、３つの第１の挟持ピン５２Ａが等間隔（１２０°間隔）に配置されている。また、第２の挟持ユニット５６に着目すれば、３つの第２の挟持ピン５２Ｂが等間隔（１２０°間隔）に配置されている。
　図５Ａ，５Ｂに示すように、各第１の挟持ピン５２Ａは、第１の軸部６１と、第１の軸部６１の上端に一体的に形成された第１の挟持部６２とを含み、第１の軸部６１および第１の挟持部６２がそれぞれ円柱形状に形成されている。第１の挟持部６２は、第１の軸部６１の中心軸線から偏心して設けられている。第１の軸部６１の上端と第１の挟持部６２の下端との間をつなぐ表面は、第１の挟持部６２から第１の軸部６１の周面に向かって下降する第１のテーパ面６３を形成している。
　図５Ａ，５Ｂに示すように、各第１の挟持ピン５２Ａは、第１の軸部６１がその中心軸線と同軸の回動軸線Ａ３まわりに回転可能であるようにスピンベース５１に取り付けられている。より詳細には、第１の軸部６１の下端部には、スピンベース５１に対して第１の軸受け６４を介して支持された第１の支持軸６５が設けられている。
　図５Ａ，５Ｂに示すように、第１の挟持ピン５２Ａは、導電性部材７０を含む。導電性部材７０は、第１の軸部６１と第１の挟持部６２とを含む。導電性部材７０は、第１の支持軸６５を介して接地されている。導電性部材７０は、耐薬品性および導電性を有する複合材料で形成されている。複合材料の具体例は、樹脂と炭素とを含む材料である。導電性部材７０は、樹脂で形成された樹脂部材に炭素材料が分散された態様を有している。導電性部材７０に含まれる炭素は、たとえば炭素繊維（カーボンファイバー）である。導電性部材７０に含まれる炭素は、炭素の粉末または粒子であってもよい。導電性部材７０に含まれる樹脂の具体例は、ＰＦＡ（perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene- copolymer）、ＰＣＴＦＥ（Poly Chloro Tri Furuoro Ethylene)、ＰＴＦＥ（polytetrafluoroethylene)、およびＰＥＥＫ（polyether-ether ketone）である。
　図５Ａ，５Ｂに示すように、第１の挟持部６２の中心軸線は回動軸線Ａ３からずれている。したがって、第１の軸部６１の回転により、第１の挟持部６２は、（中心軸線が）回転軸線Ａ１から離れた遠い離間位置（図５Ｂに示す位置）と、中心軸線が回転軸線Ａ１に近づいた接触位置（図５Ａに示す位置）との間で変位することになる。第１の挟持ピン５２Ａが離間位置に位置する状態では、基板Ｗの周端面（周端部）と第１の挟持部６２との間に所定のギャップが形成される。
　図３および図４に示すように、スピンチャック５は、３つの第１の挟持ピン５２Ａを一括して開閉するための第１の開閉ユニット５７をさらに含む。第１の開閉ユニット５７は、各第１の挟持ピン５２Ａに一対一対応で設けられた第１の駆動用磁石６６と、各第１の挟持ピン５２Ａに一対一対応で設けられた第１の付勢用磁石６７と、各第１の挟持ピン５２Ａに一対一対応で設けられた第１の開閉用磁石６８と、複数の第１の開閉用磁石６８を一括して昇降させる第１の磁石昇降ユニット６９とを含む。
　第１の駆動用磁石６６は、各第１の挟持ピン５２Ａの第１の支持軸６５の下端に固定されている。第１の駆動用磁石６６の回動軸線Ａ３回りの回動に伴って、第１の挟持ピン５２Ａが回動軸線Ａ３回りに回動する。第１の駆動用磁石６６は永久磁石であり、水平に沿って長手状に延びている。３つの複数（たとえば）の第１の挟持ピン５２Ａに対応する３つの第１の駆動用磁石６６の磁極方向は、第１の挟持ピン５２Ａに外力が付与されていない状態で、基板Ｗの回転半径方向に関して共通している。
　第１の付勢用磁石６７は、対応する第１の挟持ピン５２Ａに隣接して、かつ第１の挟持ピン５２Ａの中心位置よりも回転軸線Ａ１から離間する方向に寄るように配置されている。第１の付勢用磁石６７は、対応する第１の駆動用磁石６６に対して磁力を及ぼす。
　第１の開閉用磁石６８は、回転軸線Ａ１を中心とする円弧状をなしている。３つの第１の開閉用磁石６８は、互いに共通の高さ位置である。３つの第１の開閉用磁石６８は、回転軸線Ａ１と同軸の円周上において周方向Ｙに等間隔を空けて配置されている。
　第１の磁石昇降ユニット６９は、たとえば、上下方向に伸縮可能に設けられたシリンダを含む構成であり、当該シリンダによって支持されている。また、第１の磁石昇降ユニット６９が、電動モータを用いて構成されていてもよい。また、第１の磁石昇降ユニット６９は、第１の開閉用磁石６８を個別に昇降させる個別昇降ユニットを複数（たとえば３つ）含む構成であってもよい。
　図６Ａ，６Ｂに示すように、各第２の挟持ピン５２Ｂは、第２の軸部７１と、第２の軸部７１の上端に一体的に形成された第２の挟持部７２とを含み、第２の軸部７１および第２の挟持部７２がそれぞれ円柱形状に形成されている。第２の挟持部７２は、第２の軸部７１の中心軸線から偏心して設けられている。第２の軸部７１の上端と第２の挟持部７２の下端との間をつなぐ表面は、第２の挟持部７２から第２の軸部７１の周面に向かって下降する第２のテーパ面７３を形成している。
　図６Ａ，６Ｂに示すように、各第２の挟持ピン５２Ｂは、第２の軸部７１がその中心軸線と同軸の回動軸線Ａ４まわりに回転可能であるようにスピンベース５１に取り付けられている。より詳細には、第２の軸部７１の下端部には、スピンベース５１に対して第２の軸受け７４を介して支持された第２の支持軸７５が設けられている。
　図６Ａ，６Ｂに示すように、第２の挟持ピン５２Ｂは、導電性部材８０を含む。導電性部材８０は、第２の軸部７１と第２の挟持部７２とを含む。導電性部材８０は、第２の支持軸７５を介して接地されている。導電性部材８０は、耐薬品性および導電性を有する複合材料で形成されている。複合材料の具体例は、樹脂と炭素とを含む材料である。導電性部材８０は、樹脂で形成された樹脂部材に炭素材料が分散された態様を有している。導電性部材８０に含まれる炭素は、たとえば炭素繊維（カーボンファイバー）である。導電性部材８０に含まれる炭素は、炭素の粉末または粒子であってもよい。導電性部材８０に含まれる樹脂の具体例は、ＰＦＡ（perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene- copolymer）、ＰＣＴＦＥ（Poly Chloro Tri Furuoro Ethylene)、ＰＴＦＥ（polytetrafluoroethylene)、およびＰＥＥＫ（polyether-ether ketone）である。
　図６Ａ，６Ｂに示すように、第２の挟持部７２の中心軸線は回動軸線Ａ４からずれている。したがって、第２の軸部７１の回転により、第２の挟持部７２は、（中心軸線が）回転軸線Ａ１から離れた遠い離間位置（図６Ｂに示す位置）と、中心軸線が回転軸線Ａ１に近づいた接触位置（図６Ａに示す位置）との間で変位することになる。第２の挟持ピン５２Ｂが離間位置に位置する状態では、基板Ｗの周端面（周端部）と所定のギャップが形成される。
　図３および図４に示すように、スピンチャック５は、３つの第２の挟持ピン５２Ｂを一括して開閉するための第２の開閉ユニット５８をさらに含む。第２の開閉ユニット５８は、各第２の挟持ピン５２Ｂに一対一対応で設けられた第２の駆動用磁石７６と、各第２の挟持ピン５２Ｂに一対一対応で設けられた第２の付勢用磁石７７と、各第２の挟持ピン５２Ｂに一対一対応で設けられた第２の開閉用磁石７８と、複数の第２の開閉用磁石７８を一括して昇降させる第２の磁石昇降ユニット７９とを含む。
　第２の駆動用磁石７６は、各第２の挟持ピン５２Ｂの第２の支持軸７５の下端に固定されている。第２の駆動用磁石７６の回動軸線Ａ４回りの回動に伴って、第２の挟持ピン５２Ｂが回動軸線Ａ４回りに回動する。第２の駆動用磁石７６は永久磁石であり、水平に沿って長手状に延びている。３つの複数（たとえば）の第２の挟持ピン５２Ｂに対応する３つの第２の駆動用磁石７６の磁極方向は、第２の挟持ピン５２Ｂに外力が付与されていない状態で、基板Ｗの回転半径方向に関して共通している。
　第２の付勢用磁石７７は、対応する第２の挟持ピン５２Ｂに隣接して、かつ第２の挟持ピン５２Ｂの中心位置よりも回転軸線Ａ１から離間する方向に寄るように配置されている。第２の付勢用磁石７７は、対応する第２の駆動用磁石７６に対して磁力を及ぼす。各第２の付勢用磁石７７の磁極方向は、基板Ｗの回転半径方向に関して、各第１の付勢用磁石６７の磁極方向と逆向きである。第１の付勢用磁石６７と第２の付勢用磁石７７とは、周方向Ｙに関し交互に配置されている。
　第２の開閉用磁石７８は、回転軸線Ａ１を中心とする円弧状をなしている。３つの第２の開閉用磁石７８は、互いに共通の高さ位置である。３つの第２の開閉用磁石７８は、回転軸線Ａ１と同軸の円周上において周方向Ｙに等間隔を空けて配置されている。３つの第１の開閉用磁石６８と３つの第２の開閉用磁石７８とは、周方向Ｙに関し交互に配置されている。
　３つの第１の開閉用磁石６８の磁極方向および３つの第２の開閉用磁石７８の磁極方向は、ともに、スピンベース５１の回転半径方向に沿う方向である。各第１の開閉用磁石６８の磁極方向と、各第２の開閉用磁石７８の磁極方向とは、互いに逆向きである。第１の開閉用磁石６８の外周面がたとえばＮ極である場合には、第２の開閉用磁石７８の外周面は逆極性のＳ極を有している
　第２の磁石昇降ユニット７９は、たとえば、上下方向に伸縮可能に設けられたシリンダを含む構成であり、当該シリンダによって支持されている。また、第２の磁石昇降ユニット７９が、電動モータを用いて構成されていてもよい。また、第２の磁石昇降ユニット７９は、第２の開閉用磁石７８を個別に昇降させる個別昇降ユニットを複数（たとえば３つ）含む構成であってもよい。
　第１の開閉用磁石６８および第２の開閉用磁石７８は、周方向Ｙに６０°の間隔で交互に配置されている。また、第１の挟持ピン５２Ａおよび第２の挟持ピン５２Ｂも、周方向Ｙに６０°間隔で配置されている。
　図５Ａ，図５Ｂでは、第１の開閉用磁石６８と第１の挟持ピン５２Ａとが、周方向Ｙに揃っている（互いに対向している）。この状態で、図５Ａでは、第１の開閉用磁石６８が下位置にある状態を示し、図５Ｂでは、第１の開閉用磁石６８が上位置にある状態を示す。図５Ａに示すように、第１の開閉用磁石６８が下位置にある状態では、第１の開閉用磁石６８からの磁力が第１の駆動用磁石６６に作用しない。そのため、第１の駆動用磁石６６は、たとえばＮ極が回転半径方向の内方に向きかつＳ極が回転半径方向の外方に向くように配置されている。この状態で、第１の挟持ピン５２Ａは接触位置に位置している。すなわち、第１の開閉用磁石６８が下位置にある状態では、第１の挟持ピン５２Ａの第１の挟持部６２が接触位置に配置されている。
　図５Ａに示す状態から、第１の開閉用磁石６８を上昇させ、上位置に配置する。第１の開閉用磁石６８の上面が第１の駆動用磁石６６に接近することにより、第１の開閉用磁石６８と第１の駆動用磁石６６との間に離間力が発生する。そのため、第１の挟持ピン５２Ａが、第１の付勢用磁石６７の反発磁力に抗って回動軸線Ａ３回りに回動する。これにより、第１の挟持部６２が接触位置から離間位置へと移動する。すなわち、第１の開閉用磁石６８が上位置にある状態では、第１の挟持ピン５２Ａの第１の挟持部６２が離間位置に配置される。
　図６Ａ，図６Ｂでは、第２の開閉用磁石７８と第２の挟持ピン５２Ｂとが、周方向Ｙに揃っている（互いに対向している）。この状態で、図６Ａでは、第２の開閉用磁石７８が下位置にある状態を示し、図６Ｂでは、第２の開閉用磁石７８が上位置にある状態を示す。図５Ａに示すように、第２の開閉用磁石７８が下位置にある状態では、第２の開閉用磁石７８からの磁力が第２の駆動用磁石７６に作用しない。そのため、第２の駆動用磁石７６は、たとえばＳ極が回転半径方向の内方に向きかつＮ極が回転半径方向の外方に向くように配置されている。この状態で、第２の挟持ピン５２Ｂは接触位置に位置している。すなわち、第２の開閉用磁石７８が下位置にある状態では、第２の挟持ピン５２Ｂの第２の挟持部７２が接触位置に配置されている。
　図６Ａに示す状態から、第２の開閉用磁石７８を上昇させ、上位置に配置する。第２の開閉用磁石７８の上面が第２の駆動用磁石７６に接近することにより、第２の開閉用磁石７８と第２の駆動用磁石７６との間に離間力が発生する。そのため、第２の挟持ピン５２Ｂが、第２の付勢用磁石７７の反発磁力に抗って回動軸線Ａ４回りに回動する。これにより、第２の挟持部７２が接触位置から離間位置へと移動する。すなわち、第２の開閉用磁石７８が上位置にある状態では、第２の挟持ピン７２Ａの第２の挟持部７２が離間位置に配置される。
　図７Ａ～図１２Ｂは、第１の挟持ユニット５５および第２の挟持ユニット５６の状態を示す模式的な図である。図７Ａ，８Ａ，９Ａ，１０Ａ，１１Ａ，１２Ａには、第１の駆動用磁石６６、第２の駆動用磁石７６、第１の付勢用磁石６７、第２の付勢用磁石７７、第１の開閉用磁石６８および第２の開閉用磁石７８の状態を示し、図１０Ｂ，１１Ｂ，１２Ｂ，１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂに、各挟持ピン５２Ａ，５２Ｂの開閉状況を示す。ここで、平面図において第１の開閉用磁石６８および／または第２の開閉用磁石７８が図示されていないのは、下方に退避しているからである。
　図７Ａ，７Ｂには、第１の開閉用磁石６８および第２の開閉用磁石７８、ならびに第１の挟持ピン５２Ａおよび第２の挟持ピン５２Ｂが、それぞれ周方向Ｙに揃っており（互いに対向しており）、かつ第１の開閉用磁石６８および第２の開閉用磁石７８が共に上位置にある状態を示す。この状態において、図７Ｂに示すように、３つの第１の挟持ピン５２Ａおよび３つの第２の挟持ピン５２Ｂのいずれも、挟持部（第１の挟持部６２および第２の挟持部７２）が離間位置に位置する開放状態（ｏｐｅｎ）を呈する。
　図８Ａ，８Ｂには、第１の開閉用磁石６８および第２の開閉用磁石７８、ならびに第１の挟持ピン５２Ａおよび第２の挟持ピン５２Ｂが、それぞれ周方向Ｙに揃っており（互いに対向しており）、かつ第１の開閉用磁石６８および第２の開閉用磁石７８が共に下位置にある状態を示す。この状態において、図７Ｂに示すように、３つの第１の挟持ピン５２Ａおよび３つの第２の挟持ピン５２Ｂのいずれも、挟持部（第１の挟持部６２および第２の挟持部７２）が挟持位置に位置する閉塞状態（ｃｌｏｓｅ）を呈する。
　図９Ａ，９Ｂおよび図１０Ａ，１０Ｂには、第１の開閉用磁石６８および第２の開閉用磁石７８、ならびに第１の挟持ピン５２Ａおよび第２の挟持ピン５２Ｂが、それぞれ周方向Ｙに揃っており（互いに対向しており）、第１の開閉用磁石６８が上位置にあり、かつ第２の開閉用磁石７８が下位置にある状態を示す。図９Ａ，９Ｂはスピンベース５１の非回転状態であり、図１０Ａ，１０Ｂは、スピンベース５１の回転状態である。スピンベース５１の回転／非回転によらずに、３つの第１の挟持ピン５２Ａが、第１の挟持部６２が離間位置に位置する開放状態（ｏｐｅｎ）を呈し、かつ、３つの第２の挟持ピン５２Ｂが、第２の挟持部７２が接触位置に位置する閉塞状態（ｃｌｏｓｅ）を呈する。
　図１１Ａ，１１Ｂおよび図１２Ａ，１２Ｂには、第１の開閉用磁石６８および第２の開閉用磁石７８、ならびに第１の挟持ピン５２Ａおよび第２の挟持ピン５２Ｂが、それぞれ周方向Ｙに揃っており（互いに対向しており）、第１の開閉用磁石６８が下位置にあり、かつ第２の開閉用磁石７８が上位置にある状態を示す。図１１Ａ，１１Ｂはスピンベース５１の非回転状態であり、図１２Ａ，１２Ｂは、スピンベース５１の回転状態である。スピンベース５１の回転／非回転によらずに、３つの第１の挟持ピン５２Ａが、第１の挟持部６２が接触位置に位置する閉塞状態（ｃｌｏｓｅ）を呈し、第２の挟持部７２が離間位置に位置する開放状態（ｏｐｅｎ）を呈する。
　図１３は、基板処理装置１の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。
　制御装置３は、たとえばマイクロコンピュータを用いて構成されている。制御装置３はＣＰＵ等の演算ユニット、固定メモリデバイス、ハードディスクドライブ等の記憶ユニット、および入出力ユニットを有している。記憶ユニットには、演算ユニットが実行するプログラムが記憶されている。
　また、制御装置３は、予め定められたプログラムに従って、スピンモータ５４、第１の磁石昇降ユニット６９、第２の磁石昇降ユニット７９、遮断板回転ユニット４９、遮断部材昇降ユニット５０、ノズル移動ユニット２０，３０等の動作を制御する。さらに、制御装置３は、予め定められたプログラムに従って、硫酸バルブ２４、過酸化水素水バルブ２６、ＳＣ１バルブ３３、気体バルブ３５、リンス液バルブ４５、不活性ガスバルブ４８等を開閉する。
　図１４は、処理ユニット２による基板処理例を説明するための流れ図である。図１５は、第２のリンス工程Ｓ６およびスピンドライ工程Ｓ７を説明するためのタイミングチャートである。図１６Ａ～１６Ｇは、この基板処理例の各工程を説明するための図解的な図である。図１～図１４を参照しながら基板処理例について説明する。図１５および図１６Ａ～１６Ｇについては適宜参照する。
　この基板処理例は、基板Ｗの上面からレジストを除去するレジスト除去処理である。レジストは、樹脂（ポリマー）、感光剤、添加剤、溶剤を主成分としている。処理ユニット２によって基板Ｗに基板処理例が施されるときには、チャンバ４の内部に、高ドーズでのイオン注入処理後の基板Ｗが搬入される（図１４のＳ１）。基板Ｗは、レジストをアッシングするための処理を受けていないものとする。
　制御装置３は、ノズル等が全てスピンチャック５の上方から退避している状態で、基板Ｗを保持している基板搬送ロボットＣＲ（図１参照）のハンドＨ（図１参照）をチャンバ４の内部に進入させることにより、基板Ｗがその表面を上方に向けた状態でスピンチャック５に受け渡される。
　制御装置３は、第１の磁石昇降ユニット６９および第２の磁石昇降ユニット７９を制御して、第１の開閉用磁石６８および第２の開閉用磁石７８を、上位置から下位置に向けて下降し、下位置のまま保持する。それによって、第１の挟持部６２および第２の挟持部７２の全てが離間位置から接触位置へと駆動されて、その接触位置に保持される。これにより、３つの第１の挟持ピン５２Ａおよび３つの第２の挟持ピン５２Ｂによって基板Ｗが挟持される（両挟持状態）。
　制御装置３は、スピンモータ５４によって基板Ｗの回転を開始させる（図１４のＳ２）。基板Ｗは予め定める液処理速度（３００～１５００ｒｐｍの範囲内で、たとえば５００ｒｐｍ）まで上昇させられ、その液処理速度に維持される。
　基板Ｗの回転速度が液処理速度に達すると、制御装置３は、図１６Ａに示すように、硫酸含有液工程（薬液工程）Ｓ３を実行する。
　具体的には、制御装置３は、ノズル移動ユニット２０を制御して、硫酸含有液ノズル１８を、退避位置から処理位置に移動させる。また、制御装置３は、硫酸バルブ２４および過酸化水素水バルブ２６を同時に開く。これにより、硫酸配管２３を通ってＨ２ＳＯ４が硫酸含有液ノズル１８に供給されると共に、過酸化水素水配管２５を通ってＨ２Ｏ２が硫酸含有液ノズル１８に供給される。硫酸含有液ノズル１８の内部においてＨ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２とが混合され、高温（たとえば、１６０～２２０℃）のＳＰＭが生成される。そのＳＰＭが、硫酸含有液ノズル１８の吐出口から吐出され、基板Ｗの表面の中央部に着液する。
　硫酸含有液ノズル１８から吐出されたＳＰＭは、基板Ｗの表面に着液した後、遠心力によって基板Ｗの表面に沿って外方に流れる。そのため、ＳＰＭが基板Ｗの表面の全域に供給され、基板Ｗの表面の全域を覆うＳＰＭの液膜が基板Ｗ上に形成される。これにより、レジストとＳＰＭとが化学反応し、基板Ｗ上のレジストがＳＰＭによって基板Ｗから除去される。基板Ｗの周縁部に移動したＳＰＭは、基板Ｗの周縁部から基板Ｗの側方に向けて飛散し、処理カップ１１に受け止められた後、処理される。
　また、硫酸含有液工程Ｓ３において、制御装置３が、ノズル移動ユニット２０を制御して、硫酸含有液ノズル１８を、基板Ｗの表面の周縁部に対向する周縁位置と、基板Ｗの上面の中央部に対向する中央位置との間で移動するようにしてもよい。この場合、基板Ｗの上面におけるＳＰＭの着液位置が、基板Ｗの上面の全域を走査させられる。これにより、基板Ｗの上面全域を均一に処理できる。
　ＳＰＭの吐出開始から予め定める期間が経過すると、制御装置３は、硫酸バルブ２４および過酸化水素水バルブ２６を閉じて、硫酸含有液ノズル１８からのＳＰＭの吐出を停止する。これにより、硫酸含有液工程Ｓ３が終了する。その後、制御装置３がノズル移動ユニット２０を制御して、硫酸含有液ノズル１８を退避位置に戻させる。
　硫酸含有液工程Ｓ３においては、高温のＳＰＭが、基板Ｗを挟持している第１の挟持ピン５２Ａおよび第２の挟持ピン５２Ｂに降り掛かる。このＳＰＭは、硫酸を含有し、かつ高温（たとえば、１６０～２２０℃）であるので、樹脂材料を含む、第１の挟持ピン５２Ａおよび第２の挟持ピン５２Ｂに染み込むおそれがある。とくに、第１の挟持ピン５２Ａおよび第２の挟持ピン５２Ｂの基材である樹脂部材には炭素繊維が含まれているので、経時によって樹脂部材から炭素繊維が離脱し、樹脂部材に空隙が形成されるおそれがある。この空隙にＳＰＭが入り込むことにより、第１の挟持部および第２の挟持部に薬液が染み込む。
　次いで、図１６Ｂに示すように、基板Ｗの表面に付着しているＳＰＭを、リンス液を用いて洗い流す第１のリンス工程（図１４のＳ４）が行われる。具体的には、制御装置３は遮断部材昇降ユニット５０を制御して、退避位置に配置されている遮断部材８を、退避位置と遮断位置との間に設定されたリンス処理位置（図１６Ｂに示す位置）まで降下させ、そのリンス処理位置に保持させる。また、制御装置３は、リンス液バルブ４５を開く。これにより、液処理速度で回転している基板Ｗの表面中央部に向けて、中心軸ノズル９の吐出口９ａからリンス液が吐出される。中心軸ノズル９から吐出されたリンス液は、ＳＰＭによって覆われている基板Ｗの表面中央部に着液する。基板Ｗの表面中央部に着液したリンス液は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの表面を基板Ｗの周縁部に向けて流れる。これにより、基板Ｗ上のＳＰＭが、リンス液によって外方に押し流され、基板Ｗの周囲に排出される。これにより、基板Ｗの表面の全域においてＳＰＭおよびレジスト（およびレジスト残渣）が洗い流される。基板Ｗの周縁部に移動したリンス液は、基板Ｗの周縁部から基板Ｗの側方に向けて飛散し、処理カップ１１に受け止められた後、処理される。
　第１のリンス工程Ｓ４の開始から予め定める期間が経過すると、制御装置３は、リンス液バルブ４５を閉じて、中心軸ノズル９の吐出口９ａからのリンス液の吐出を停止させる。また、制御装置３は、遮断部材昇降ユニット５０を制御して、遮断部材８を退避位置まで上昇させる。
　次いで、図１６Ｃに示すように、ＳＣ１を用いて基板Ｗの表面を洗浄するＳＣ１工程（図１４のＳ５）が行われる。具体的には、ＳＣ１工程Ｓ５において、制御装置３は、ノズル移動ユニット３０を制御することにより、ＳＣ１ノズル２８を退避位置から処理位置に移動させる。その後、制御装置３は、ＳＣ１バルブ３３および気体バルブ３５を開く。これにより、図１６Ｃに示すように、ＳＣ１ノズル２８から、ＳＣ１の液滴の噴流が吐出される。また、制御装置３は、ＳＣ１ノズル２８からのＳＣ１の液滴の噴流の吐出に並行して、ノズル移動ユニット３０を制御して、ＳＣ１ノズル２８を基板Ｗの中央位置と周縁位置との間で往復移動させる（ハーフスキャン）。これにより、ＳＣ１ノズル２８からのＳＣ１の着液位置を、基板Ｗの表面中央部と基板Ｗの表面周縁部との間で往復移動させることができる。これにより、ＳＣ１の着液位置を、基板Ｗの表面の全域を走査させることができる。基板Ｗの表面へのＳＣ１の供給により、レジスト残渣を、基板Ｗの表面から除去できる。また、基板Ｗの表面へのＳＣ１の供給により、基板Ｗの表面から硫黄成分を除去できる。
　ＳＣ１の吐出開始から予め定める期間が経過すると、制御装置３は、ＳＣ１バルブ３３および気体バルブ３５を閉じて、ＳＣ１ノズル２８からのＳＣ１の液滴の噴流の吐出を停止する。これにより、ＳＣ１工程Ｓ５が終了する。その後、制御装置３がノズル移動ユニット３０を制御して、ＳＣ１ノズル２８を退避位置に戻させる。
　次いで、図１６Ｄに示すように、基板Ｗの表面に付着しているＳＣ１を、リンス液を用いて洗い流す第２のリンス工程（図１４のＳ６）が行われる。具体的には、制御装置３は遮断部材昇降ユニット５０を制御して、退避位置に配置されている遮断部材８を、リンス処理位置まで降下させ、そのリンス処理位置に保持させる。また、制御装置３は、リンス液バルブ４５を開く。これにより、液処理速度で回転している基板Ｗの表面中央部に向けて、中心軸ノズル９の吐出口９ａからリンス液が吐出される。中心軸ノズル９から吐出されたリンス液は、ＳＣ１によって覆われている基板Ｗの表面中央部に着液する。基板Ｗの表面中央部に着液したリンス液は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの表面を基板Ｗの周縁部に向けて流れる。これにより、基板Ｗ上のＳＣ１が、リンス液によって外方に押し流され、基板Ｗの周囲に排出される。これにより、基板Ｗの表面の全域においてＳＣ１およびレジスト残渣が洗い流される。基板Ｗの周縁部に移動したリンス液は、基板Ｗの周縁部から基板Ｗの側方に向けて飛散し、処理カップ１１に受け止められた後、処理される。
　第２のリンス工程Ｓ６の開始から予め定める期間が経過すると、制御装置３は、リンス液バルブ４５を閉じて、中心軸ノズル９の吐出口９ａからのリンス液の吐出を停止させる。また、制御装置３は、遮断部材昇降ユニット５０を制御して、遮断部材８を遮断位置まで下降させる。
　第２のリンス工程Ｓ６において、第１の挟持部６２および第２の挟持部７２が挟持位置にある状態では、基板Ｗの周縁部と、第１の挟持部６２および第２の挟持部７２とは強い押圧力を介して接触している。しかしながら、このような状態であっても、リンス液の毛細管力の働きにより、基板Ｗの周縁部と、第１の挟持部６２および第２の挟持部７２との間にリンス液が進入する。こうして進入したリンス液は、排出することが困難である。そのため、第２のリンス工程Ｓ６の終盤や第２のリンス工程Ｓ６の終了時には、基板Ｗの周縁部と第１の挟持部６２および第２の挟持部７２との間にリンス液が残存する。
　次いで、図１６Ｅ～１６Ｇに示すように、基板Ｗを乾燥させるスピンドライ工程（図１４のＳ７）が行われる。スピンドライ工程Ｓ７は、基板Ｗを所定の乾燥速度（たとえば千～数千ｒｐｍ）で回転させることにより、基板Ｗに付着している液に加わる大きな遠心力により、当該液を基板Ｗの周囲に振り切る工程である。
　具体的には、制御装置３は、遮断部材昇降ユニット５０を制御して、遮断部材８を遮断位置に向けて下降させ、遮断位置に保持する。また、この状態で、制御装置３は遮断板回転ユニット４９を制御することにより、遮断板４１を回転軸線Ａ２回りに基板Ｗに同期して回転させる。また、制御装置３は、不活性ガスバルブ４８を開いて、吐出口９ａから不活性ガスを吐出する。この状態で、制御装置３はスピンモータ５４を制御することにより、基板Ｗの回転を乾燥速度まで加速させ、乾燥速度に維持する。これにより、大きな遠心力が基板Ｗ上の液体に加わり、基板Ｗに付着している液体が基板Ｗの周囲に振り切られる。
　ところで、第２のリンス工程Ｓ６の終盤や第２のリンス工程Ｓ６の終了時において、基板Ｗの周縁部と第１の挟持部６２および第２の挟持部７２との間に残存するリンス液がＳＰＭを含有することがある。これは、第１の挟持ピン５２Ａおよび第２の挟持ピン５２Ｂの樹脂部材に染み込んだＳＰＭが、リンス液に染み出すことが原因であると考えられる。この状態で、次に述べるスピンドライ工程（図１４のＳ７）が実行されると、基板Ｗの表面にパーティクル汚染が発生するおそれがある。このようなパーティクル汚染の発生を防止するために、スピンドライ工程Ｓ７を以下のように実行している。
　具体的には、制御装置３はスピンモータ５４を制御することにより、基板Ｗの回転を第１の乾燥速度Ｖ１（たとえば８００～２５００ｒｐｍの範囲で、たとえば１５００ｒｐｍ）まで加速させ、第１の乾燥速度Ｖ１に維持する（第１のスピンドライ工程）。この第１の乾燥速度Ｖ１は、基板Ｗ上の液体を基板Ｗの周囲に振り切ることが可能な速度であるが、比較的低速である。そのため、スピンドライ工程Ｓ７の全期間に亘って、第１の乾燥速度Ｖ１で基板Ｗを回転させると長時間を要してしまう、という問題がある。
　図１５に示すように、制御装置３は、スピンドライ工程Ｓ７の初期（基板Ｗの表面ならびに第１の挟持部６２および第２の挟持部７２にリンス液が付着している状態）に並行して、第１の挟持ユニット５５（３つの第１の挟持ピン５２Ａ）によって基板Ｗを挟持し第２の挟持ユニット５６によって基板Ｗを挟持しない第１の挟持状態（図１６Ｅ参照）と、第２の挟持ユニット５６（３つの第２の挟持ピン５２Ｂ）によって基板Ｗを挟持し第１の挟持ユニット５５によって基板Ｗを挟持しない第２の挟持状態（図１６Ｆ参照）とを順次実行する。
　具体的には、第１の乾燥速度Ｖ１での基板Ｗの回転開始時と同時、または、第１の乾燥速度Ｖ１での基板Ｗの回転開始から所定の期間が経過すると、制御装置３は、第２の磁石昇降ユニット７９を制御して、それまで下位置にあった第２の開閉用磁石７８を上位置に向けて上昇させ、当該上位置に保持する。これにより、第２の挟持ピン５２Ｂの第２の挟持部７２が接触位置から離間位置に移動する。これにより、前述のような第１の挟持状態が実現される。そして、この状態のまま、所定の第１の期間Ｔｅ１だけ維持される（第１の挟持工程Ｔ１）。第１の期間Ｔｅ１は、第１の乾燥速度Ｖ１でスピンベース５１ならびに第１の挟持ピン５２Ａおよび第２の挟持ピン５２Ｂを回転させたときに、第１の挟持ピン５２Ａおよび第２の挟持ピン５２Ｂに付着している液体が振り切るのに十分な期間（たとえば約３秒間）に設定されている。
　第１の挟持工程Ｔ１において、各第２の挟持部７２が基板Ｗの周縁部から離間させられながら当該第２の挟持部７２が回転軸線Ａ１回りに回転する。そのため、第１の挟持工程Ｔ１の開始前に第２の挟持部７２に付着しているリンス液に、基板Ｗの回転に伴う大きな遠心力が作用する。これにより、当該リンス液が、第２の挟持部７２から振り切られる。そのため、第１の挟持工程Ｔ１の終了時においては、第２の挟持部７２が乾燥している。
　第１の挟持状態の実現から第１の期間Ｔｅ１（たとえば約３秒間）が経過すると、制御装置３は、第２の磁石昇降ユニット７９を制御して、第２の開閉用磁石７８を下位置に向けて下降させ、当該下位置に保持する。これにより、第２の挟持ピン５２Ｂの第２の挟持部７２が離間位置から接触位置に移動する。これにより、６つの挟持ピン５２Ａ，５２Ｂで基板Ｗを挟持する両挟持状態が実現される（第１の遷移工程）。
　その後、制御装置３は、第１の磁石昇降ユニット６９を制御して、それまで下位置にあった第１の開閉用磁石６８を上位置に向けて上昇させ、当該上位置に保持する。これにより、第１の挟持ピン５２Ａの第１の挟持部６２が接触位置から離間位置に移動する。これにより、前述のような第２の挟持状態が実現される（第２の遷移工程）。そして、この状態のまま、所定の第２の期間Ｔｅ２だけ維持される（第２の挟持工程Ｔ２）。第２の期間Ｔｅ２は、第１の乾燥速度Ｖ１でスピンベース５１ならびに第１の挟持ピン５２Ａおよび第２の挟持ピン５２Ｂを回転させたときに、第１の挟持ピン５２Ａおよび第２の挟持ピン５２Ｂに付着している液体が振り切るのに十分な期間（たとえば約３秒間）に設定されている。
　第２の挟持工程Ｔ２において、各第１の挟持部６２が基板Ｗの周縁部から離間させられながら当該第１の挟持部６２が回転軸線Ａ１回りに回転する。そのため、第２の挟持工程Ｔ２の開始前に第１の挟持部６２に付着しているリンス液に、基板Ｗの回転に伴う大きな遠心力が作用する。これにより、当該リンス液が、第１の挟持部６２から振り切られる。そのため、第２の挟持工程Ｔ２の終了時においては、第１の挟持部６２が乾燥している。
　第２の挟持状態の実現から第２の期間Ｔｅ２（たとえば約３秒間）が経過すると、制御装置３は、第１の磁石昇降ユニット６９を制御して、第１の開閉用磁石６８を下位置に向けて下降させ、当該下位置に保持する。これにより、第１の挟持ピン５２Ａの第１の挟持部６２が離間位置から接触位置に移動する。これにより、図１６Ｇに示すように、６つの挟持ピン５２Ａ，５２Ｂで基板Ｗを挟持する両挟持状態が実現される（両挟持工程Ｔ３）。
　このとき、既に乾燥している状態の第１の挟持部６２が基板Ｗの周縁部に接触する。このとき、両挟持工程Ｔ３において、第１の挟持部６２と基板Ｗの周縁部との間にリンス液が存在しない。すなわち、両挟持工程Ｔ３では、第１の挟持部６２と基板Ｗの周縁部との間にリンス液を存在させることなく、第１の挟持ユニット５５によって基板Ｗを挟持できる。
　その後、制御装置３は、スピンモータ５４を制御することにより、基板Ｗの回転を、第１の乾燥速度Ｖ１よりも速い第２の乾燥速度Ｖ２（たとえば約１２００～約２０００ｒｐｍの範囲で、たとえば約１５００ｒｐｍ）まで加速させ、第２の乾燥速度Ｖ２に維持する（第２のスピンドライ工程）。これにより、より一層大きな遠心力が基板Ｗ上の液体に加わり、基板Ｗに付着している液体が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、基板Ｗから液が除去され、基板Ｗが乾燥させられる。
　そして、スピンドライ工程Ｓ７の開始から予め定める期間が経過すると、制御装置３は、スピンモータ５４を制御して、スピンチャック５による基板Ｗの回転を停止させる（図１４のＳ８）。また、制御装置３は、遮断板回転ユニット４９を制御して遮断板４１の回転を停止させる。さらに、制御装置３は、遮断部材昇降ユニット５０を制御して、遮断部材８を上昇させ、退避位置へと退避させる。
　次いで、チャンバ４内から基板Ｗが搬出される（図１４のＳ９）。まず、制御装置３は、第１の挟持ピン５２Ａおよび第２の挟持ピン５２Ｂによる挟持を解除する。具体的には、制御装置３は、第１の磁石昇降ユニット６９および第２の磁石昇降ユニット７９を制御して、第１の開閉用磁石６８および第２の開閉用磁石７８を、下位置から上位置に向けて上昇し、上位置のまま保持する。それによって、第１の挟持部６２および第２の挟持部７２の全てが接触位置から離間位置へと駆動されて、その離間位置に保持される。これにより、３つの第１の挟持ピン５２Ａおよび３つの第２の挟持ピン５２Ｂによる基板Ｗの挟持が解除される。
　また、制御装置３は、基板搬送ロボットＣＲのハンドＨをチャンバ４の内部に進入させる。そして、制御装置３は、挟持ピン５２Ａ，５２Ｂによる挟持が解除された基板Ｗを、基板搬送ロボットＣＲのハンドＨに保持させる。その後、制御装置３は、基板搬送ロボットＣＲのハンドＨをチャンバ４内から退避させる。これにより、表面（パターン形成面）からレジストが除去された基板Ｗがチャンバ４から搬出される。
　以上により、この発明の一実施形態によれば、スピンドライ工程Ｓ７の初期段階に並行して、第１の挟持ユニット５５によって基板Ｗを挟持し第２の挟持ユニット５６によって基板Ｗを挟持しない第１の挟持状態が維持される（第１の挟持工程Ｔ１）。第１の挟持状態においては、各第２の挟持部７２が基板Ｗの周縁部から離間させられている。
　第１の挟持工程Ｔ１において、各第２の挟持部７２が基板Ｗの周縁部から離間させられながら当該第２の挟持部７２が回転軸線Ａ１回りに回転する。そのため、第１の挟持工程Ｔ１の開始前に第２の挟持部７２にリンス液が付着していても、基板Ｗの回転に伴って第２の挟持部７２に付着しているリンス液に大きな遠心力が作用し、これにより、当該リンス液が、第２の挟持部７２から振り切られる。そのため、第１の挟持工程Ｔ１の終了時においては、第２の挟持部７２が乾燥している。
　第１の挟持工程Ｔ１の終了後、スピンドライ工程Ｓ７に並行して、第２の挟持ユニット５６によって基板Ｗを挟持し第１の挟持ユニット５５によって基板Ｗを挟持しない第２の挟持状態が維持される（第２の挟持工程Ｔ２）。第２の挟持状態においては、各第１の挟持部６２が基板Ｗの周縁部から離間させられ、かつ各第２の挟持部７２が基板Ｗの周縁部に接触している。
　既に乾燥している状態の第２の挟持部７２が基板Ｗの周縁部に接触するので、第２の挟持工程Ｔ２において、第２の挟持部７２と基板Ｗの周縁部との間にリンス液が存在しない。すなわち、第２の挟持工程Ｔ２では、第２の挟持部７２と基板Ｗの周縁部との間にリンス液を存在させることなく、第２の挟持ユニット５６によって基板Ｗを挟持できる。
　また、第２の挟持工程Ｔ２において、各第１の挟持部６２が基板Ｗの周縁部から離間させられながら当該第１の挟持部６２が回転軸線Ａ１回りに回転する。そのため、第２の挟持工程Ｔ２の開始前に第１の挟持部６２にリンス液が付着していても、基板Ｗの回転に伴って第１の挟持部６２に付着しているリンス液に大きな遠心力が作用し、これにより、当該リンス液が、第１の挟持部６２から振り切られる。そのため、第２の挟持工程Ｔ２の終了時においては、第１の挟持部６２が乾燥している。
　その後、両挟持工程Ｔ３において、第２の挟持ユニット５６によって基板Ｗを挟持する場合に、既に乾燥している状態の第１の挟持部６２が基板Ｗの周縁部に接触する。このとき、両挟持工程Ｔ３において、第１の挟持部６２と基板Ｗの周縁部との間にリンス液が存在しない。すなわち、両挟持工程Ｔ３では、第１の挟持部６２と基板Ｗの周縁部との間にリンス液を存在させることなく、第１の挟持ユニット５５によって基板Ｗを挟持できる。
　したがって、第１の挟持部６２と基板Ｗの周縁部との間および第２の挟持部７２と基板Ｗの周縁部との間にリンス液が残存することを抑制または防止しながらスピンドライ工程Ｓ７を実行できる。そのため、パーティクル汚染の発生を、抑制または防止できる。
　また、第１の挟持工程Ｔ１が、スピンドライ工程Ｓ７の開始後に開始される（すなわち、スピンドライ工程Ｓ７に並行して実行される）ので、基板Ｗの周縁部から離間している第２の挟持部７２に基板Ｗからのリンス液が降り掛かるおそれがない。また、この場合、リンス液を振り切るほどの基板Ｗの回転速度になるために、第１の挟持工程Ｔ１において基板Ｗの周縁部から離間しながら回転している各第２の挟持部７２に作用する遠心力が大きい。これにより、第１の挟持工程Ｔ１において、第２の挟持部７２をより良好に乾燥させることができる。
　以上、この発明の一実施形態について説明したが、本発明はさらに他の形態で実施することもできる。
　たとえば、図１７に示す第１の変形処理例のように、第２の挟持工程Ｔ２の後、スピンドライ工程Ｓ７に並行して第１の挟持工程Ｔ１および第２の挟持工程Ｔ２を再度実行するようにしてもよい。図１７では、第１の挟持工程Ｔ１および第２の挟持工程Ｔ２の対を合計２対行う場合を記しているが、合計３対以上で行うようにしてもよい。第１の挟持工程Ｔ１および第２の挟持工程Ｔ２を複数回実行することにより、第１の挟持部６２と基板Ｗの周縁部との間および第２の挟持部７２と基板Ｗの周縁部との間のリンス液の残存をより一層効果的に抑制しながらスピンドライ工程Ｓ７を実行できる。そのため、パーティクル汚染の発生を、より効果的に抑制できる。
　また、図１８に示す第２の変形処理例のように、第１の挟持工程Ｔ１を、スピンドライ工程Ｓ７の開始後ではなく、第２のリンス工程Ｓ６の終了前から開始するようにしてもよい。
　また、図１９に示す第３の変形処理例のように、第１の挟持工程Ｔ１から第２の挟持工程Ｔ２への切り換え時に、基板Ｗの回転速度を、第１の乾燥速度Ｖ１よりも低い切り換え速度（たとえば約２００ｒｐｍ）程度に一旦落とすようにしてもよい。この場合、第１の挟持ユニット５５や第２の挟持ユニット５６に大きな負荷を与えることなく、第１の挟持工程Ｔ１から第２の挟持工程Ｔ２への切り換えを行うことができる。
　また、図２０に示す第４の変形処理例のように、両挟持工程Ｔ３に並行して基板Ｗの回転を第２の乾燥速度Ｖ２まで上昇させずに、第１の乾燥速度Ｖ１のまま基板Ｗを回転させ続けるようにしてもよい。
　また、第１～第４の変形処理例を適宜組み合わせることもできる。
　また、図１４および図１５に示す基板処理例ならびに第１～第４の変形処理例において、最後の第２の挟持工程Ｔ２の後、スピンドライ工程Ｓ７に並行して、当該第２の挟持工程Ｔ２が維持され続けてもよい。
　また、図１４および図１５に示す基板処理例ならびに第１～第４の変形処理例において、第１の挟持工程Ｔ１を実行するための第１の期間Ｔｅ１、および第２の挟持工程Ｔ２を実行するための第２の期間Ｔｅ２は、それぞれ、第１の挟持ピン５２Ａおよび第２の挟持ピン５２Ｂに付着している液体が振り切るのに十分な期間であるとしたが、完全に乾かなくても、挟持ピン５２Ａ，５２Ｂに付着しているリンス液に含まれる薬液成分が転写しない程度に液体が除去されるような期間であればよい。
　また、図１４および図１５に示す基板処理例ならびに第１～第４の変形処理例において、硫酸含有液工程Ｓ３に先立って、基板Ｗの表面に除電液を供給する第１の除電液供給工程が実行されてもよい。除電液は、たとえば炭酸水である。この場合、基板Ｗの持ち込み帯電に起因する静電気放電の発生を効果的に抑制できる。リンス液として炭酸水を用いる場合には、第１の除電液供給工程として共通の炭酸水供給ユニットからの炭酸水を用いるようにしてもよい。
　また、前述の基板処理例において、硫酸含有液工程Ｓ３に先立って、基板Ｗの表面を、第１の洗浄薬液を用いて洗浄する第１の洗浄工程が実行されてもよい。このような第１の洗浄薬液として、たとえばフッ酸（ＨＦ）を例示できる。
　また、前述の基板処理例において、硫酸含有液工程Ｓ３の後第１のリンス工程Ｓ４に先立って、Ｈ２Ｏ２を基板Ｗの上面（表面）に供給する過酸化水素水供給工程が実行されてもよい。この場合、制御装置３は、過酸化水素水バルブ２６を開いた状態に維持しつつ硫酸バルブ２４だけを閉じる。これにより、硫酸含有液ノズル１８にＨ２Ｏ２だけが供給され、硫酸含有液ノズル１８の吐出口からＨ２Ｏ２が吐出される。この過酸化水素水供給工ンに対する熱影響を緩和することが出来ると共に、基板Ｗの表面への硫黄成分の残留（Ｓ残り）を防止または抑制できる。また、この過酸化水素水供給工程を設ける場合には、ＳＣ１工程を廃止することも可能である。
　また、スピンドライ工程Ｓ７に先立って、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）などの低表面張力を有する有機溶剤（乾燥液）を供給して、基板Ｗの上面上のリンス液を有機溶剤によって置換する有機溶剤置換工程が実行されてもよい。さらに、供給した有機溶剤を撥水剤に置換し、撥水剤の膜を基板Ｗの上面に形成する工程が、有機溶剤置換工程の後に実行されていてもよい。
　また、第１の挟持工程Ｔ１および第２の挟持工程Ｔ２を、第２のリンス工程Ｓ６の終盤からスピンドライ工程Ｓ７の期間だけでなく、第２のリンス工程Ｓ６の序盤および中盤においても実行するようにしてもよい。
　また、図１４の基板処理例ではレジスト除去処理を例に挙げたが、レジストに限られず、ＳＰＭを用いて他の有機物の除去をする処理であってもよい。
　また、リンス液を吐出するためのノズルを、遮断部材８に一体化された中心軸ノズル９ではなく、遮断部材８と別部材に設ける構成であってもよい。
　また、第１の挟持ユニット５５および第２の挟持ユニット５６が、それぞれ３つの挟持ピン５２Ａ，５２Ｂを備えているとして説明したが、それぞれ４つ以上の挟持ピン５２Ａ，５２Ｂを備えていてもよい。
　また、基板Ｗの挟持状態を第１の挟持状態と第２の挟持状態との間で切り換え可能なスピンチャック５として、特開２００４－１１１９０２号公報に示すように、リンク構造等機械的な構造を用いて第１の挟持状態と第２の挟持状態とを切り換える方式を採用することもできる。
　また、前述の実施形態では、硫酸含有液供給ユニット６として、Ｈ２ＳＯ４およびＨ２Ｏ２の混合を硫酸含有液ノズル１８の内部で行うノズル混合タイプのものを例に挙げて説明したが、硫酸含有液ノズル１８の上流側に配管を介して接続された混合部を設け、この混合部において、Ｈ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２との混合が行われる配管混合タイプのものを採用することもできる。
　また、硫酸含有液工程Ｓ３において基板Ｗの表面に供給される硫酸含有液は、ＳＰＭの他、硫酸（濃硫酸）やＳＯＭ（硫酸オゾン（硫酸にオゾンを分散させた液体））であってもよい。また、薬液工程において基板Ｗの表面に供給される硫酸含有液は、硫酸含有液に限られず、それ以外の薬液であってもよい。
　また、基板処理例が硫酸含有液工程Ｓ３を含んでいなくてもよい。たとえば、硫酸含有液工程Ｓ３を含まない場合であっても、その処理ユニット２において、過去に、硫酸含有液を用いて処理を行った場合には、リンス工程の終盤またはリンス工程の終了時に、第１の挟持ピン５２Ａおよび第２の挟持ピン５２Ｂと基板Ｗの周縁部との間に残存するリンス液が硫酸含有液等を含有している。この場合に、本願発明を好適に適用できる。
　また、前述の実施形態において、基板処理装置１が半導体ウエハからなる基板Ｗの表面を処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置が、液晶表示装置用基板、有機ＥＬ（electroluminescence）表示装置などのＦＰＤ（Flat Panel display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの基板を処理する装置であってもよい。
　その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
　この出願は、２０１８年５月２９日に日本国特許庁に提出された特願２０１８－１０２５５８号に対応しており、この出願の全開示はここに引用により組み込まれるものとする。
１　　　：基板処理装置
２　　　：処理ユニット
３　　　：制御装置
５　　　：スピンチャック（基板保持回転装置）
１０　　：リンス液供給ユニット
５４　　：スピンモータ（回転ユニット）
５５　　：第１の挟持ユニット
５６　　：第２の挟持ユニット
５７　　：第１の開閉ユニット（挟持駆動ユニット）
５８　　：第２の開閉ユニット（挟持駆動ユニット）
６２　　：第１の挟持部
７２　　：第２の挟持部
Ａ１　　：回転軸線
Ｔｅ１　：第１の期間
Ｔｅ２　：第２の期間
Ｖ１　　：第２の乾燥速度
Ｖ２　　：第２の乾燥速度
Ｗ　　　：基板
Ｙ　　　：周方向

Claims (20)

  1. 　基板の周縁部に接触可能な少なくとも３つの第１の挟持部を有し、前記少なくとも３つの第１の挟持部が前記基板の周縁部に接触することによって前記基板を挟持する第１の挟持ユニットと、前記第１の挟持ユニットとは別に設けられ、前記基板の周縁部に接触可能な少なくとも３つの第２の挟持部を有し、前記少なくとも３つの第２の挟持部が前記基板の周縁部に接触することによって前記基板を挟持する第２の挟持ユニットとを含む基板保持回転装置を含む基板処理装置において実行され、前記基板に対して薬液を用いた処理を施すための基板処理方法であって、
    　前記基板保持回転装置によって保持されている前記基板を、当該基板の中央部を通る回転軸線回りに回転させながら、前記基板の主面にリンス液を供給するリンス工程と、
    　前記基板の主面に対してリンス液を供給せずに、当該基板を、当該基板の主面からリンス液を振り切ることができる振り切り速度で前記回転軸線回りに回転させるスピンドライ工程と、
    　前記リンス工程および前記スピンドライ工程の少なくとも一方に並行して、前記少なくとも３つの第２の挟持部を前記基板の周縁部から離間させながら前記少なくとも３つの第１の挟持部を前記基板の周縁部に接触させることにより、前記第１の挟持ユニットによって前記基板を挟持し前記第２の挟持ユニットによって前記基板を挟持しない第１の挟持状態を実現し、その第１の挟持状態を所定の第１の期間維持する第１の挟持工程と、
    　前記第１の挟持工程の後、前記スピンドライ工程に並行して、前記少なくとも３つの第１の挟持部を前記基板の周縁部から離間させながら前記少なくとも３つの第２の挟持部を前記基板の周縁部に接触させることにより、前記第２の挟持ユニットによって前記基板を挟持し前記第１の挟持ユニットによって前記基板を挟持しない第２の挟持状態を実現し、その第２の挟持状態を所定の第２の期間維持する第２の挟持工程とを含む、基板処理方法。
  2. 　前記リンス工程の前に、前記基板保持回転装置によって保持されている前記基板を、前記回転軸線回りに回転させながら、前記基板の主面に薬液を供給する薬液工程をさらに含む、請求項１に記載の基板処理方法。
  3. 　前記薬液が、硫酸含有液を含む、請求項２に記載の基板処理方法。
  4. 　前記第１の期間が、前記少なくとも３つの第１の挟持部からリンス液を振り切ることが可能な期間であり、
    　前記第２の期間が、前記少なくとも３つの第２の挟持部からリンス液を振り切ることが可能な期間である、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  5. 　前記第１の挟持状態において、前記基板の周縁部から離間している前記少なくとも３つの第２の挟持部を前記基板の周縁部に接触させることにより、前記第１の挟持状態から、前記第１の挟持ユニットおよび前記第２の挟持ユニットによって前記基板を挟持する両挟持状態に遷移する第１の遷移工程と、
    　前記両挟持状態において、前記基板の周縁部に接触している前記少なくとも３つの第１の挟持部を前記基板の周縁部から離間させることにより、前記両挟持状態から前記第２の挟持状態に遷移する第２の遷移工程とをさらに含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  6. 　前記第２の挟持工程の後、前記スピンドライ工程に並行して、前記第１の挟持ユニットおよび前記第２の挟持ユニットによって前記基板を挟持する両挟持状態を実現する両挟持工程をさらに含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  7. 　前記スピンドライ工程が、
    　前記第１の挟持工程および前記第２の挟持工程に並行して、前記基板を、当該基板の主面からリンス液を振り切ることができる第１の乾燥速度で前記回転軸線回りに回転させる第１のスピンドライ工程と、
    　前記両挟持工程に並行して、前記基板を、当該基板の主面からリンス液を振り切ることができ、前記第１の乾燥速度よりも速い第２の乾燥速度で前記回転軸線回りに回転させる第２のスピンドライ工程とを含む、請求項６に記載の基板処理方法。
  8. 　前記第１の挟持工程が、前記スピンドライ工程に並行して実行される、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  9. 　前記第２の挟持工程の後、前記スピンドライ工程に並行して、前記第１の挟持工程および前記第２の挟持工程が再度実行される、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  10. 　基板に対して薬液を用いた処理を施すための基板処理装置であって、
    　前記基板の周縁部に接触可能な少なくとも３つの第１の挟持部を有し、前記少なくとも３つの第１の挟持部によって前記基板を挟持することが可能な第１の挟持ユニットと、前記第１の挟持ユニットとは別に設けられ、前記基板の周縁部に接触可能な少なくとも３つの第２の挟持部を有し、前記少なくとも３つの第２の挟持部によって前記基板を挟持することが可能な第２の挟持ユニットと、前記第１の挟持ユニットおよび前記第２の挟持ユニットを、前記基板の中央部を通る回転軸線まわりに回転させる回転ユニットと、前記第１の挟持ユニットおよび前記第２の挟持ユニットを駆動する挟持駆動ユニットとを含む基板保持回転装置と、
    　前記基板保持回転装置によって保持されている前記基板の主面に対してリンス液を供給するためのリンス液供給ユニットと、
    　前記回転ユニット、前記挟持駆動ユニットおよび前記リンス液供給ユニットを制御する制御装置とを含み、
    　前記制御装置が、前記基板保持回転装置によって保持されている前記基板を、前記回転ユニットによって当該基板の中央部を通る回転軸線回りに回転させながら、前記リンス液供給ユニットによって前記基板の主面にリンス液を供給するリンス工程と、前記基板の主面に対してリンス液を供給せずに、当該基板を、前記回転ユニットによって、当該基板の主面からリンス液を振り切ることができる振り切り速度で前記回転軸線回りに回転させるスピンドライ工程と、前記リンス工程および前記スピンドライ工程の少なくとも一方に並行して、前記少なくとも３つの第２の挟持部からリンス液を振り切るために、前記挟持駆動ユニットによって、前記少なくとも３つの第２の挟持部を前記基板の周縁部から離間させながら前記少なくとも３つの第１の挟持部を前記基板の周縁部に接触させることにより、前記第１の挟持ユニットによって前記基板を挟持し前記第２の挟持ユニットによって前記基板を挟持しない第１の挟持状態を実現し、その第１の挟持状態を所定の第１の期間維持する第１の挟持工程と、前記第１の挟持工程の後、前記スピンドライ工程に並行して、前記少なくとも３つの第１の挟持部からリンス液を振り切るために、前記挟持駆動ユニットによって、前記少なくとも３つの第１の挟持部を前記基板の周縁部から離間させながら前記少なくとも３つの第２の挟持部を前記基板の周縁部に接触させることにより、前記第２の挟持ユニットによって前記基板を挟持し前記第１の挟持ユニットによって前記基板を挟持しない第２の挟持状態を実現し、その第２の挟持状態を所定の第２の期間維持する第２の挟持工程とを実行する、基板処理装置。
  11. 　前記制御装置が、前記リンス工程の前に、前記基板保持回転装置によって保持されている前記基板を、前記回転軸線回りに回転させながら、前記基板の主面に薬液を供給する薬液工程をさらに実行する、請求項１０に記載の基板処理装置。
  12. 　前記薬液が、硫酸含有液を含む、請求項１１に記載の基板処理装置。
  13. 　前記第１の期間が、前記少なくとも３つの第１の挟持部からリンス液を振り切ることが可能な期間であり、
    　前記第２の期間が、前記少なくとも３つの第２の挟持部からリンス液を振り切ることが可能な期間である、請求項１０～１２のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  14. 　前記制御装置が、前記第１の挟持状態において、前記基板の周縁部から離間している前記少なくとも３つの第２の挟持部を前記基板の周縁部に接触させることにより、前記第１の挟持状態から、前記第１の挟持ユニットおよび前記第２の挟持ユニットによって前記基板を挟持する両挟持状態に遷移する第１の遷移工程と、前記両挟持状態において、前記基板の周縁部に接触している前記少なくとも３つの第１の挟持部を前記基板の周縁部から離間させることにより、前記両挟持状態から前記第２の挟持状態に遷移する第２の遷移工程とをさらに実行する、請求項１０～１２のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  15. 　前記制御装置が、前記第２の挟持工程の後、前記スピンドライ工程に並行して、前記第１の挟持ユニットおよび前記第２の挟持ユニットによって前記基板を挟持する両挟持状態を実現する両挟持工程をさらに実行する、請求項１０～１２のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  16. 　前記制御装置が、前記スピンドライ工程において、前記第１の挟持工程および前記第２の挟持工程に並行して、前記基板を、当該基板の主面からリンス液を振り切ることができる第１の乾燥速度で前記回転軸線回りに回転させる第１のスピンドライ工程と、前記両挟持工程に並行して、前記基板を、当該基板の主面からリンス液を振り切ることができ、前記第１の乾燥速度よりも速い第２の乾燥速度で前記回転軸線回りに回転させる第２のスピンドライ工程とを実行する、請求項１５に記載の基板処理装置。
  17. 　前記制御装置が、前記第１の挟持工程を、前記スピンドライ工程に並行して実行する、請求項１０～１２のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  18. 　前記制御装置が、前記第２の挟持工程の後、前記スピンドライ工程に並行して前記第１の挟持工程および前記第２の挟持工程を再度実行する、請求項１０～１２のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  19. 　前記第１の挟持部および前記第２の挟持部が、樹脂部材を含む、請求項１０～１２のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  20. 　前記樹脂部材には炭素が含まれている、請求項１９に記載の基板処理装置。
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