JP2016032107A - 半導体素子の製造方法及び基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
Description
前記第2領域を処理するために、前記第2ノズルを垂直に移動させた後に、前記基板の表面に相対的に小さい厚さを有するようにウェッティング液を提供し、前記相対的に小さい厚さを有するウェッティング液に前記洗浄液を提供することをさらに含むことができる。
図1Dは本発明の一実施形態による基板処理装置において噴射口の配列を示した平面図である。図1Eは図1Dの変形形態を示した平面図である。
10 基板
20 回転ユニット
28 ボール
30 駆動装置
42 洗浄液液滴
40 液滴ノズル
50 サイドノズル
55 リンス液ノズル
60 ノズルアーム
Claims (23)
- 半導体基板の表面上にパターンを形成し、
前記基板を基板処理装置のプラットホーム上に提供し、
前記基板を回転させながら、前記基板に第1ノズルからは洗浄液を提供し、第2ノズルからはウェッティング液を提供して前記基板の表面上の第1領域を処理し、
前記第1ノズルと共に前記第2ノズルの前記プラットホームとの垂直距離を変更し、
前記垂直変更の後に、前記基板を回転させながら、前記基板に前記第1ノズルからは前記洗浄液を提供し、前記第2ノズルからは前記ウェッティング液を提供して前記基板の表面上の第2領域を処理し、
前記処理された基板から半導体素子を形成することを、
含む半導体素子の製造方法。 - 前記垂直距離を変更することは、
前記第1及び第2ノズルと連結されたノズルアームを垂直に移動させて進行することを含む請求項1に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記第1領域を処理するために、前記基板の表面に相対的に大きい厚さを有するようにウェッティング液を提供し、前記相対的に大きい厚さを有するウェッティング液に前記洗浄液を提供することをさらに含み、
前記第2領域を処理するために、前記基板の表面に相対的に小さい厚さを有するようにウェッティング液を提供し、前記相対的に小さい厚さを有するウェッティング液に前記洗浄液を提供することをさらに含む請求項1に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記第1ノズルから前記洗浄液を提供することは、前記基板の表面に向かって前記洗浄液を前記基板に対して90°角度にスプレーし、
前記第2ノズルから前記ウェッティング液を提供することは、前記基板の表面に向かって前記ウェッティング液を前記基板に対して90°より小さい角度にスプレーすることを含む請求項1に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記ウェッティング液は、前記洗浄液に比べて前記回転する基板の上流側に提供される請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第2領域を処理することは、
前記ノズルアームを前記基板に対して水平に移動させて、少なくとも前記第1ノズルを前記基板の半直径方向に移動させることを含む請求項1に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記洗浄液を前記ウェッティング液の流量の1/10以下の流量で提供することをさらに含む請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記ウェッティング液を0.5l/min乃至2l/minの流量で提供し、
前記洗浄液を20cc/min乃至50cc/minの流量で提供することを、
さらに含む請求項1に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記基板は、ウエハーを含み、
前記半導体素子を形成することは、前記ウエハーを個別に分離して半導体チップを形成することをさらに含む請求項1に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記半導体素子を形成することは、前記半導体チップをパッケージ基板上に実装し、前記半導体チップを保護モールドに覆って半導体パッケージを形成することをさらに含む請求項9に記載の半導体素子の製造方法。
- 半導体基板の表面上にパターンを形成し、
前記基板を基板処理装置のプラットホーム上に提供し、
前記基板を回転させながら、前記基板に第1ノズルからは洗浄液を提供し、第2ノズルからはウェッティング液を提供して前記基板の表面上の第1領域を処理し、
前記第2ノズルを前記プラットホームに対して垂直に移動させ、
前記垂直移動の後に、前記基板を回転させながら、前記基板に前記第1ノズルからは前記洗浄液を提供し、前記第2ノズルからは前記ウェッティング液を提供して前記基板の表面上の第2領域を処理し、
前記処理された基板から半導体素子を形成することを、
含む半導体素子の製造方法。 - 前記第1領域を処理するために、前記基板の表面に相対的に大きい厚さを有するようにウェッティング液を提供し、前記相対的に大きい厚さを有するウェッティング液に前記洗浄液を提供することをさらに含み、
前記第2領域を処理するために、前記第2ノズルを垂直に移動させた後に、前記基板の表面に相対的に小さい厚さを有するようにウェッティング液を提供し、前記相対的に小さい厚さを有するウェッティング液に前記洗浄液を提供することをさらに含む請求項11に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記相対的に小さい厚さを有するウェッティング液に前記洗浄液が提供される時の前記洗浄液が提供される圧力は前記相対的に大きい厚さを有するウェッティング液に前記洗浄液が提供される時の前記洗浄液が提供される圧力に比べて大きい請求項12に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第2ノズルを垂直に移動させることは、
前記第1ノズルと共に前記第2ノズルを前記プラットホームに対して垂直に移動させることを含む請求項11に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記第1ノズルから前記洗浄液を提供することは、前記基板の表面に向かって前記洗浄液を前記基板に対して90°角度にスプレーすることを含み、
前記第2ノズルから前記ウェッティング液を提供することは、前記基板の表面に向かって前記ウェッティング液を前記基板に対して90°より小さい角度にスプレーすることを含む請求項11に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記ウェッティング液は、前記洗浄液に比べて前記回転する基板の上流側に提供される請求項11に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第2領域を処理することは、
前記ノズルアームを前記基板に対して水平に移動させて少なくとも前記第1ノズルを前記基板の半直径方向に移動させることを含む請求項11に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記洗浄液を前記ウェッティング液の流量の1/10以下の流量で提供することをさらに含む請求項11に記載の半導体素子の製造方法。
- パターンが形成された基板を基板処理装置のプラットホーム上に提供し、
サイドノズルとして前記基板上にウェッティング液を提供して前記基板上にウェッティング膜を形成し、
液滴ノズルを使用して前記基板上へ処理液液滴を提供することによって、前記基板を処理して、前記液滴と前記ウェッティング膜との間の衝突によって発生される圧力を前記ウェッティング膜に提供することを含み、
前記ウェッティング膜を形成することは、
前記基板上で前記サイドノズルを前記液滴ノズルと共に垂直に移動させ、
前記サイドノズルを利用して前記基板上に前記ウェッティング液を提供することを含み、
前記ウェッティング膜は、前記サイドノズルの垂直移動にしたがって異なる厚さを有し、
前記圧力は、前記ウェッティング膜の厚さの変動によって異なる、基板処理方法。 - 前記ウェッティング膜を形成することは、
前記基板の表面に向かって前記液滴ノズルと共に前記サイドノズルを移動させて前記基板の表面上に第1厚さを有する第1ウェッティング膜を形成することと、
前記基板の表面から遠くなるように前記液滴ノズルと共に前記サイドノズルを移動させて前記基板の表面上に前記第1厚さより小さい第2厚さを有する第2ウェッティング膜を形成することと、
の中で少なくともいずれか1つを含む請求項19に記載の基板処理方法。 - 前記液滴を提供することは、
前記第1ウェッティング膜の表面に前記液滴を衝突させて前記第1ウェッティング膜に第1圧力を提供することと、
前記第2ウェッティング膜の表面に前記液滴を衝突させて前記第2ウェッティング膜に第2圧力を提供することと、
の中で少なくともいずれか1つを含む請求項20に記載の基板処理方法。 - 前記ウェッティング膜を形成することは、
前記基板を前記基板の中心軸に対して回転させ、
前記基板の表面上で前記液滴ノズルを少なくとも前記基板のエッジとセンターとの間で延長される軌跡に沿って水平に移動させ、
前記基板の表面上で前記サイドノズルを前記液滴ノズルと共に前記軌跡に沿って水平に移動させることを、
さらに含む請求項19に記載の基板処理方法。 - 前記ウェッティング膜を形成することは、前記基板を前記基板の中心軸に対して回転させることをさらに含み、
前記サイドノズルは前記基板の表面上に前記ウェッティング液を提供し、そして前記液滴ノズルは前記ウェッティング液上に前記液滴を提供し、
前記ウェッティング液は、前記基板が回転する方向の上流側に提供され、そして前記液滴は、前記基板が回転する方向の下流側に提供される請求項19に記載の基板処理方法。
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