JP2954059B2 - エッジリンス機構 - Google Patents
エッジリンス機構Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はエッジリンス機構に
関し、特に半導体装置のウェハー全面に形成されたレジ
スト膜の周縁部のみを除去する事を特徴とするエッジリ
ンス機構に関する。
関し、特に半導体装置のウェハー全面に形成されたレジ
スト膜の周縁部のみを除去する事を特徴とするエッジリ
ンス機構に関する。
【0002】
【従来の技術】図4は従来のレジスト塗布機に設置され
たエッジリンス機構の断面図である。ウェハー1の上面
に塗布されたレジスト膜2のうちパターンが形成される
中央部2aを残しその周縁部2bのみを除去する。この
レジスト塗布機は、ウェハー1を吸着固定するチャック
3と、その周囲を囲むカップ4、それにウェハー1の周
縁部に向け配設された剥離剤6を吐出する薬液ノズル5
によって構成される。この構成が従来のエッジリンス機
構である。このエッジリンス機構によるレジスト膜周縁
部2bの除去は、レジスト膜2が形成されたウェハー1
が真空チェック3により、吸着・回転されると同時に薬
液ノズル5からレジスト剥離剤6を吐出してレジスト膜
2の周縁部2bのみを溶解すると共に、その溶解された
レジスト材料やレジスト剥離剤6をウェハー1の回転に
よる遠心力でウェハー1外周から飛散させ除去する。こ
の際、飛散したレジスト材料及びレジスト剥離剤6がカ
ップ4の内壁に当たりそのはね返りによって、ウェハー
1上のレジストパターン形成部2aに付着し、パターン
欠陥を発生させる問題がある。
たエッジリンス機構の断面図である。ウェハー1の上面
に塗布されたレジスト膜2のうちパターンが形成される
中央部2aを残しその周縁部2bのみを除去する。この
レジスト塗布機は、ウェハー1を吸着固定するチャック
3と、その周囲を囲むカップ4、それにウェハー1の周
縁部に向け配設された剥離剤6を吐出する薬液ノズル5
によって構成される。この構成が従来のエッジリンス機
構である。このエッジリンス機構によるレジスト膜周縁
部2bの除去は、レジスト膜2が形成されたウェハー1
が真空チェック3により、吸着・回転されると同時に薬
液ノズル5からレジスト剥離剤6を吐出してレジスト膜
2の周縁部2bのみを溶解すると共に、その溶解された
レジスト材料やレジスト剥離剤6をウェハー1の回転に
よる遠心力でウェハー1外周から飛散させ除去する。こ
の際、飛散したレジスト材料及びレジスト剥離剤6がカ
ップ4の内壁に当たりそのはね返りによって、ウェハー
1上のレジストパターン形成部2aに付着し、パターン
欠陥を発生させる問題がある。
【0003】そこで、図4におけるウェハー1の上方に
レジストパターン形成部2aを覆う円形カバーを配し、
飛散したレジスト材料や剥離剤6の付着を防ぐ例もある
がこの円形カバーには、レジスト材料や剥離剤6が付着
・堆積するという問題と、円形カバーを動作させる駆動
部がパターン形成部の真上に配されている事から、それ
ら堆積物や駆動部から発生する塵埃がパターン形成部に
落下・付着するという問題がある。
レジストパターン形成部2aを覆う円形カバーを配し、
飛散したレジスト材料や剥離剤6の付着を防ぐ例もある
がこの円形カバーには、レジスト材料や剥離剤6が付着
・堆積するという問題と、円形カバーを動作させる駆動
部がパターン形成部の真上に配されている事から、それ
ら堆積物や駆動部から発生する塵埃がパターン形成部に
落下・付着するという問題がある。
【0004】その他の例としては、図4におけるカップ
4内側に多数の穴あけ加工を施したカップを配設し、そ
れを高速回転させる事により発生する遠心力を利用し、
その回転する内側カップに付着したレジスト材料などを
付着とほぼ同時に外周へ飛散させ、パターン形成部2a
へのはね返えりを防ぐ例もあるが、これも回転する内側
カップにレジスト材料などが付着すると多数の小さい穴
に目詰まりが発生し、カップ排気圧や風速に変化が生じ
るので常に均一な膜厚を形成する事が困難となる問題が
ある。
4内側に多数の穴あけ加工を施したカップを配設し、そ
れを高速回転させる事により発生する遠心力を利用し、
その回転する内側カップに付着したレジスト材料などを
付着とほぼ同時に外周へ飛散させ、パターン形成部2a
へのはね返えりを防ぐ例もあるが、これも回転する内側
カップにレジスト材料などが付着すると多数の小さい穴
に目詰まりが発生し、カップ排気圧や風速に変化が生じ
るので常に均一な膜厚を形成する事が困難となる問題が
ある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】第1の問題点は、従来
の技術において、エッジリンス処理時にレジストパター
ン形成部にパターン欠陥が発生することである。その理
由は、エッジリンス処理時に飛散したレジスト材料及び
レジスト剥離剤がカップ4の内壁によってはね返えさ
れ、ウェハー1上のレジストパターン形成部となるレジ
スト膜2の中央部2aに付着してしまいこれによって、
レジストパターン形成部2aの上面に図5に示すような
凹凸が生じるからである。
の技術において、エッジリンス処理時にレジストパター
ン形成部にパターン欠陥が発生することである。その理
由は、エッジリンス処理時に飛散したレジスト材料及び
レジスト剥離剤がカップ4の内壁によってはね返えさ
れ、ウェハー1上のレジストパターン形成部となるレジ
スト膜2の中央部2aに付着してしまいこれによって、
レジストパターン形成部2aの上面に図5に示すような
凹凸が生じるからである。
【0006】本発明は、エッジリンス処理において、飛
散したレジスト材料及びレジスト剥離剤がはね返されて
レジストパターン形成部上面に付着することを防止し、
ウェハー上のパターン欠陥の発生を未然に防ぐ事が可能
であるエッジリンス機構の提供を目的としている。
散したレジスト材料及びレジスト剥離剤がはね返されて
レジストパターン形成部上面に付着することを防止し、
ウェハー上のパターン欠陥の発生を未然に防ぐ事が可能
であるエッジリンス機構の提供を目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明のエッジリンス機
構は、薬液ノズル5の周囲にウェハー周縁部に近接する
部分が開口するカバーを設ける手段(図1の7)と、こ
のカバー底部にレジスト剥離剤収集用排気部を設ける手
段(図1の8)とを有する事が特徴である。前記薬液ノ
ズル5がレジスト剥離剤6を吐出しながらウェハー1の
周縁部に任意に移動し、レジスト膜2bの周縁部を溶解
し飛散させ、前記レジスト剥離剤収集排気部8が排気の
ON・OFF及び排気圧の制御が可能である。
構は、薬液ノズル5の周囲にウェハー周縁部に近接する
部分が開口するカバーを設ける手段(図1の7)と、こ
のカバー底部にレジスト剥離剤収集用排気部を設ける手
段(図1の8)とを有する事が特徴である。前記薬液ノ
ズル5がレジスト剥離剤6を吐出しながらウェハー1の
周縁部に任意に移動し、レジスト膜2bの周縁部を溶解
し飛散させ、前記レジスト剥離剤収集排気部8が排気の
ON・OFF及び排気圧の制御が可能である。
【0008】本発明によれば、エッジリンス処理時に飛
散するレジスト材料やレジスト剥離剤がカバー内ではね
返りが発生してもカバー内壁に付着する。また、レジス
ト剥離剤収集用排気部によりカバー内壁への付着を最小
限にし飛散するレジスト材料やレジスト剥離剤のほとん
どは、この排気部から排気される。したがってこれらの
付着物がレジストパターン形成部に付着することを防止
できる。又このカバーをウェハー周縁部に配した事によ
り、カバーからレジストパターン形成部への塵埃付着を
最小限にする事ができる。
散するレジスト材料やレジスト剥離剤がカバー内ではね
返りが発生してもカバー内壁に付着する。また、レジス
ト剥離剤収集用排気部によりカバー内壁への付着を最小
限にし飛散するレジスト材料やレジスト剥離剤のほとん
どは、この排気部から排気される。したがってこれらの
付着物がレジストパターン形成部に付着することを防止
できる。又このカバーをウェハー周縁部に配した事によ
り、カバーからレジストパターン形成部への塵埃付着を
最小限にする事ができる。
【0009】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【0010】図1は本発明の一実施の形態のエッジリン
ス機構の構成を示す断面図である。本発明の一実施の形
態のエッジリンス機構の構成は、図1に示すように、薬
液ノズル5の周囲を覆うカバー7は、ウェハー1に近接
する部分が開口している。又その底部には、排気能力を
0〜30mmH2 O迄可変出来るレジスト剥離剤収集排
気部8が設けられている。
ス機構の構成を示す断面図である。本発明の一実施の形
態のエッジリンス機構の構成は、図1に示すように、薬
液ノズル5の周囲を覆うカバー7は、ウェハー1に近接
する部分が開口している。又その底部には、排気能力を
0〜30mmH2 O迄可変出来るレジスト剥離剤収集排
気部8が設けられている。
【0011】図2は本発明の一実施の形態のエッジリン
ス機構の動作を説明する断面図である。本発明の一実施
の形態のエッジリンス機構の動作は、図2に示すよう
に、真空チャック3上に吸着保持されたレジスト膜2を
形成するウェハー1が真空チャック3により吸着・回転
される。この段階では、薬液ノズル5は、ウェハー1の
周縁部外側にあり、レジスト剥離剤6の吐出のみの動作
を行う。そして、カバー7を含む薬液ノズル5はレジス
ト剥離剤6を吐出しながらウェハー1の周縁部に0〜2
0mm任意に移動し、レジスト膜2の周縁部2bを溶解
し飛散させる。この時、飛散した周縁部を構成していた
レジスト材料やレジスト剥離剤6は、カバー7内ではね
返りはするがこのカバー7により外部、すなわち、レジ
スト膜2のパターン形成部2aとは遮へいされており、
付着物がパターン形成部2aに付着することを低減出来
る。次にこの付着物は、レジスト剥離剤収集用排気部8
を通り排出される。レジスト剥離剤収集排気部8は、排
気のON・OFF及び排気圧の強弱の制御が可能なの
で、レジストパターン形成部2aの膜厚を適切に維持し
ながら、且つ、除去されたレジスト材料やレジスト剥離
剤6をパターン形成部のレジスト膜2aへはね返えさな
い最適な排気シーケンスと排気圧にする事が出来る。
ス機構の動作を説明する断面図である。本発明の一実施
の形態のエッジリンス機構の動作は、図2に示すよう
に、真空チャック3上に吸着保持されたレジスト膜2を
形成するウェハー1が真空チャック3により吸着・回転
される。この段階では、薬液ノズル5は、ウェハー1の
周縁部外側にあり、レジスト剥離剤6の吐出のみの動作
を行う。そして、カバー7を含む薬液ノズル5はレジス
ト剥離剤6を吐出しながらウェハー1の周縁部に0〜2
0mm任意に移動し、レジスト膜2の周縁部2bを溶解
し飛散させる。この時、飛散した周縁部を構成していた
レジスト材料やレジスト剥離剤6は、カバー7内ではね
返りはするがこのカバー7により外部、すなわち、レジ
スト膜2のパターン形成部2aとは遮へいされており、
付着物がパターン形成部2aに付着することを低減出来
る。次にこの付着物は、レジスト剥離剤収集用排気部8
を通り排出される。レジスト剥離剤収集排気部8は、排
気のON・OFF及び排気圧の強弱の制御が可能なの
で、レジストパターン形成部2aの膜厚を適切に維持し
ながら、且つ、除去されたレジスト材料やレジスト剥離
剤6をパターン形成部のレジスト膜2aへはね返えさな
い最適な排気シーケンスと排気圧にする事が出来る。
【0012】図3は本発明の一実施の形態のエッジリン
ス機構の最終工程の断面図である。図3に示す様に、エ
ッジリンス処理を終了したカバー7を含む薬液ノズル5
は、ウェハー1の周縁部外側に移動する。
ス機構の最終工程の断面図である。図3に示す様に、エ
ッジリンス処理を終了したカバー7を含む薬液ノズル5
は、ウェハー1の周縁部外側に移動する。
【0013】
【発明の効果】第1の効果は、エッジリンス処理に於い
て、レジスト材料やレジスト剥離剤のはね返りがレジス
トパターン形成部に付着することを防止し、これによる
パターン欠陥を従来比の20%以下に低減出来る様にな
る。又、排気部の排気圧制御が可能になる為、排気圧を
最適化することで、膜厚、膜質の変化を防止出来る。そ
の理由は、薬液ノズル周囲に排気管を有するカバーを設
けた事により、はね返されたレジスト材料やレジスト剥
離剤がカバー内に付着し、排気部より排出されるからで
ある。
て、レジスト材料やレジスト剥離剤のはね返りがレジス
トパターン形成部に付着することを防止し、これによる
パターン欠陥を従来比の20%以下に低減出来る様にな
る。又、排気部の排気圧制御が可能になる為、排気圧を
最適化することで、膜厚、膜質の変化を防止出来る。そ
の理由は、薬液ノズル周囲に排気管を有するカバーを設
けた事により、はね返されたレジスト材料やレジスト剥
離剤がカバー内に付着し、排気部より排出されるからで
ある。
【図1】本発明の一実施の形態のエッジリンス機構の構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
【図2】本発明の一実施の形態のエッジリンス機構の構
成を説明する断面図である。
成を説明する断面図である。
【図3】本発明の一実施の形態のエッジリンス機構の最
終工程の断面図である。
終工程の断面図である。
【図4】従来のエッジリンス機構の断面図である。
【図5】従来のエッジリンス機構の問題点を説明する断
面図である。
面図である。
1 ウェハー 2,2a,2b レジスト膜 3 真空チャック 4 カップ 5 薬液ノズル 6 レジスト剥離剤 7 カバー 8 レジスト剥離剤収集排気部
Claims (3)
- 【請求項1】 レジスト膜が形成されたウェハーを吸着
固定する真チャックと、レジスト剥離剤を吐出する薬液
ノズルとを有し、前記ウェハーの周縁部の前記レジスト
膜を前記レジスト剥離剤によって除去するエッジリンス
機構において、前記薬液ノズルの周囲に前記ウェハー周
縁部に近接する部分が開口しているカバーと、このカバ
ー底部に前記レジスト剥離剤収集用排気部を設けた事を
特徴とするエッジリンス機構。 - 【請求項2】 前記薬液ノズルがレジスト剥離剤を吐出
しながらウェハーの周縁部に任意に移動し、レジスト膜
の周縁部を溶解し飛散させる事を特徴とする請求項1記
載のエッジリンス機構。 - 【請求項3】 前記レジスト剥離剤収集用排気部が排気
のON・OFF及び排気圧の強弱の制御が可能である事
を特徴とする請求項1記載のエッジリンス機構。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9002113A JP2954059B2 (ja) | 1997-01-09 | 1997-01-09 | エッジリンス機構 |
US09/005,131 US5993547A (en) | 1997-01-09 | 1998-01-09 | Edge rinse mechanism for removing a peripheral portion of a resist film formed on a wafer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9002113A JP2954059B2 (ja) | 1997-01-09 | 1997-01-09 | エッジリンス機構 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10199778A JPH10199778A (ja) | 1998-07-31 |
JP2954059B2 true JP2954059B2 (ja) | 1999-09-27 |
Family
ID=11520305
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9002113A Expired - Fee Related JP2954059B2 (ja) | 1997-01-09 | 1997-01-09 | エッジリンス機構 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5993547A (ja) |
JP (1) | JP2954059B2 (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP4245743B2 (ja) | 1999-08-24 | 2009-04-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | エッジリンス装置およびエッジリンス方法 |
US6695922B2 (en) * | 1999-12-15 | 2004-02-24 | Tokyo Electron Limited | Film forming unit |
US6676757B2 (en) * | 1999-12-17 | 2004-01-13 | Tokyo Electron Limited | Coating film forming apparatus and coating unit |
JP3689301B2 (ja) * | 2000-03-15 | 2005-08-31 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランクの製造方法及び不要膜除去装置 |
US6453916B1 (en) * | 2000-06-09 | 2002-09-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Low angle solvent dispense nozzle design for front-side edge bead removal in photolithography resist process |
KR100436361B1 (ko) * | 2000-12-15 | 2004-06-18 | (주)케이.씨.텍 | 기판 가장자리를 세정하기 위한 장치 |
US6691719B2 (en) * | 2001-01-12 | 2004-02-17 | Applied Materials Inc. | Adjustable nozzle for wafer bevel cleaning |
US6873408B2 (en) * | 2002-01-08 | 2005-03-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Photoresist mist auto detection system |
AU2003246171A1 (en) * | 2002-07-08 | 2004-01-23 | Tokyo Electron Limited | Processing device and processing method |
KR100466297B1 (ko) * | 2002-10-17 | 2005-01-13 | 한국디엔에스 주식회사 | 반도체 제조 장치 |
DE10302611B4 (de) * | 2003-01-23 | 2011-07-07 | Siltronic AG, 81737 | Polierte Halbleiterscheibe und Verfahren zu deren Herstellung und Anordnung bestehend aus einer Halbleiterscheibe und einem Schild |
KR100518788B1 (ko) * | 2003-03-11 | 2005-10-05 | 삼성전자주식회사 | 감광액 도포 스핀 코팅 장치 |
US7415985B2 (en) * | 2003-09-24 | 2008-08-26 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate cleaning and drying apparatus |
JP3920831B2 (ja) * | 2003-09-29 | 2007-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜除去装置及び塗布膜除去方法 |
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KR100568873B1 (ko) * | 2004-11-30 | 2006-04-10 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼의 에지 비드 스트립용 노즐장치 |
WO2008005517A1 (en) * | 2006-07-07 | 2008-01-10 | Accretech Usa, Inc. | Processing chamber having labyrinth seal |
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