JPS58182830A - ジエツトスクラバ洗浄装置 - Google Patents

ジエツトスクラバ洗浄装置

Info

Publication number
JPS58182830A
JPS58182830A JP6581582A JP6581582A JPS58182830A JP S58182830 A JPS58182830 A JP S58182830A JP 6581582 A JP6581582 A JP 6581582A JP 6581582 A JP6581582 A JP 6581582A JP S58182830 A JPS58182830 A JP S58182830A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
nozzle
cleaning fluid
cleaning
jet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6581582A
Other languages
English (en)
Inventor
Noriaki Mori
森 憲明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP6581582A priority Critical patent/JPS58182830A/ja
Publication of JPS58182830A publication Critical patent/JPS58182830A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は半導体製造工程においてウェハー洗浄を行な
うノエットスクラパ洗浄装置に関する。
〔発明の技術的背景および問題点〕
半導体製造工程のウエノ・−洗浄過程においてはジェッ
トスクラ・9が使用される。このノエ。
トスクラパは、水平状に支持されたウエノ・−の表面部
に、ノエットノズルから洗浄液(純水)を噴射させるよ
うに構成している。この場合、上記ジェットノズルの径
は100〜200μφ、であり、200〜250PS■
の圧力で10〜60mmの距離に設置されるウエノh−
に噴射するようにしている。
しかしこのようにウエノ・−表面に強い圧力で洗浄液を
噴射すると、洗浄液があらゆる方向に飛散し、周囲に水
煙がたちこめる状態となってしまう。すなわち、周辺に
その木遣が飛び散るため、ノエットスクラパでのウエノ
1−乾燥過程や乾燥済みのウエノ・−にまで水煙や飛水
がかかり悪影響をおよぼすものである。
〔発明の目的〕
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、ウエノ・−洗浄時に発生する水煙や飛水でウ
ニ・・−乾燥過程に悪影I#をおよぼすことなくウニ・
・−洗浄が可能となるノエットスクラパ洗浄装置を提供
することを目的とする。
〔発明の概要〕
すなわち、この発明に係るジェットスクラバ洗浄装置は
、ノズルから被洗浄体までの洗浄液経路の8囲にノズル
側からのカバーを取り付けるものである。
〔発明の実施例〕
以下図面によりこの発明の一実施例を説明するに、下方
から支持された洗浄台11を備えるもので、この洗浄台
1ノの上部には図示せぬ真空ポンプにより吸引される吸
着盤12が設けられている。この洗浄台11Vi洗浄動
作時に回転するもので、その吸着盤12には水平にして
円板状のウェハー13が吸着保時される。このウェハー
13の上面中心には10〜601mのf15隔で対向す
るようにして上方から支持された円筒状のノズル本体1
4が設けられ、このノズル本体140ソエツトノズルJ
5から洗浄液16がウェハー13表向に向けて噴射され
るようにする。そして、このジェットノズル15の外周
部には、上記噴射された洗浄液16の飛散を防止するだ
めのカバー17が上記ウェハー13に近接する位#まで
延長されている。壕だウェハ−13外周線の下側には上
面に開口する環状のダクト18が設置さ九、ウェハ−1
3上面から流出する洗浄後の洗浄液16を処理するよう
に構成している。
すなわち、このようV′C構成さノするノズル装置によ
れば、洗浄液16がウェハー13に衝突する際に発生す
る多酸の水煙および飛水19f:、ノズル本体14の外
周に装着された円筒状の力・々−17の働きで、ジェッ
トスクラバ装置周辺に飛散することを防止することがで
きる。
したがって、洗浄時に発生する水煙および飛水19の飛
散が防止されることによって、ノエ、トスクラ・9装置
でのウェハー乾燥過程に悪影響をおよぼすことがなくな
る。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、クエットスクラパのノ
ズル本体に装着された円筒状力・々−で、ウェハーに近
接するまでにおよぶ周囲を囲p11とにより、多縦の水
煙や飛水によるウニ・・−乾燥過程への悪影響をなくす
ことができ、また洗浄後の洗浄液が一定してウエノ・−
の外8線から流ね、落ちるようになり、その取水を容易
にすることかで裏るもので、特にダクトの開口面積を小
さくすることも可能である。
【図面の簡単な説明】
図はこの発明の一実施例に係るゾエットスクラ・々洗浄
装置の断面構成を示す説明図である。 11・・洗浄台、12・・・吸着盤、13・・・ウエノ
1−214・・・ノズル本体、15・・・ジェットノズ
ル、16・・洗浄液、17・・洗浄液飛散防止力・々−
118・・洗浄液収集用ダクト、19・・水煙および飛
水。 出願人代理人  弁理士 鈴 江 武 彦5−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 被洗浄体を保持して水平に回転される洗浄台と、この洗
    浄台の上面に対向して設定され高圧で洗浄液を噴射する
    ジェットノズルと、このクエットノズルの外周に洗浄台
    に近接するまで延長形成したカバーと、上記洗浄台外周
    部下(llIIに開口した洗浄液収集用ダクトとを具備
    したこと全特徴とするノエ、トスクラバ洗浄装置。
JP6581582A 1982-04-20 1982-04-20 ジエツトスクラバ洗浄装置 Pending JPS58182830A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6581582A JPS58182830A (ja) 1982-04-20 1982-04-20 ジエツトスクラバ洗浄装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6581582A JPS58182830A (ja) 1982-04-20 1982-04-20 ジエツトスクラバ洗浄装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58182830A true JPS58182830A (ja) 1983-10-25

Family

ID=13297892

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6581582A Pending JPS58182830A (ja) 1982-04-20 1982-04-20 ジエツトスクラバ洗浄装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58182830A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0843341A2 (en) * 1996-11-19 1998-05-20 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for washing substrate
US5993547A (en) * 1997-01-09 1999-11-30 Nec Corporation Edge rinse mechanism for removing a peripheral portion of a resist film formed on a wafer

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0843341A2 (en) * 1996-11-19 1998-05-20 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for washing substrate
EP0843341A3 (en) * 1996-11-19 1999-12-29 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for washing substrate
US6158075A (en) * 1996-11-19 2000-12-12 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for washing substrate
US6379469B1 (en) 1996-11-19 2002-04-30 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for washing substrate
US5993547A (en) * 1997-01-09 1999-11-30 Nec Corporation Edge rinse mechanism for removing a peripheral portion of a resist film formed on a wafer

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS63136528A (ja) 処理液塗布装置
JP2020136300A (ja) スピンナ洗浄装置
JPS61283126A (ja) 処理ステ−シヨン内壁の洗浄方法と装置
TW202100226A (zh) 廢氣有害物質去除單元
JPS58182830A (ja) ジエツトスクラバ洗浄装置
CN104867849B (zh) 一种防止晶片背面污染的装置
JP6482402B2 (ja) 枚葉式ウェーハ洗浄処理装置及びウェーハ洗浄方法
JPH03131026A (ja) 洗浄装置
TWI595584B (zh) A device to prevent contamination of the wafer by the back-splashing liquid
JPS6018233B2 (ja) 塵埃除去装置
JPH10172945A (ja) ウエハー洗浄装置
KR200382729Y1 (ko) 수포식 분진 세척 시스템
CN103846243B (zh) 清洗装置
JPS6226175B2 (ja)
JP3111264B2 (ja) 半導体デバイス製造用の処理液供給ノズル及び処理液供給方法
JPS62180944A (ja) イオン打込装置用イオン源
US2293250A (en) Dust collector
CN108043823A (zh) 一种金属加工用清洁装置
JPH0852443A (ja) 超純水による洗浄方法
JPS61206221A (ja) スピン塗布装置
JPH0441976Y2 (ja)
JP2862918B2 (ja) 薬液処理装置
JPH02134820A (ja) 洗浄乾燥装置
JPS60234323A (ja) 半導体集積回路装置の製造装置
JPH08162435A (ja) スピン洗浄乾燥装置