JP3111264B2 - 半導体デバイス製造用の処理液供給ノズル及び処理液供給方法 - Google Patents
半導体デバイス製造用の処理液供給ノズル及び処理液供給方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイス製造に
おいて被処理体の表面に処理液を供給するためのノズル
に関する。
おいて被処理体の表面に処理液を供給するためのノズル
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイス製造において、たとえば
半導体ウエハの表面上に形成されたレジスト膜の現像を
行う工程では、一般に、スピンチャック上にウエハを載
置固定して回しながら、上方の現像液供給ノズルより所
定の現像液を吐出させてウエハ表面上に供給し、ウエハ
表面上で現像液を表面張力によって膜状に液盛りした状
態で、現像液をウエハ表面に所定時間接触させること
で、現像を実施する。そして、現像が終了したならば、
スピンチャックを高速回転させてウエハから現像液を振
り切り、今度はリンス液供給ノズルより所定のリンス液
を吐出させてウエハ表面上に供給することで、リンスを
行い、最後にウエハからリンス液を振り切って、工程処
理を終了する。
半導体ウエハの表面上に形成されたレジスト膜の現像を
行う工程では、一般に、スピンチャック上にウエハを載
置固定して回しながら、上方の現像液供給ノズルより所
定の現像液を吐出させてウエハ表面上に供給し、ウエハ
表面上で現像液を表面張力によって膜状に液盛りした状
態で、現像液をウエハ表面に所定時間接触させること
で、現像を実施する。そして、現像が終了したならば、
スピンチャックを高速回転させてウエハから現像液を振
り切り、今度はリンス液供給ノズルより所定のリンス液
を吐出させてウエハ表面上に供給することで、リンスを
行い、最後にウエハからリンス液を振り切って、工程処
理を終了する。
【０００３】このような現像工程で使用される現像液供
給ノズル、あるいはリンス液供給ノズルとして、特開昭
57-192955 号公報、特開昭59-50440号公報、特開昭59-7
8342号公報、特開昭59-119450 号公報、特開昭60-29749
号公報、特開昭60-45943号公報、特開昭60-198818 号公
報、特開昭61-65435号公報、特開昭62-12128号公報、特
開昭63-20836号公報、実開昭61-106027 号公報、特公昭
62-31340号公報、実公平3-9328号公報等でスプレー式ノ
ズル、カーテン型ノズル、双頭型ノズル、多孔型ノズル
等の各種の処理液供給ノズルが提案されている。
給ノズル、あるいはリンス液供給ノズルとして、特開昭
57-192955 号公報、特開昭59-50440号公報、特開昭59-7
8342号公報、特開昭59-119450 号公報、特開昭60-29749
号公報、特開昭60-45943号公報、特開昭60-198818 号公
報、特開昭61-65435号公報、特開昭62-12128号公報、特
開昭63-20836号公報、実開昭61-106027 号公報、特公昭
62-31340号公報、実公平3-9328号公報等でスプレー式ノ
ズル、カーテン型ノズル、双頭型ノズル、多孔型ノズル
等の各種の処理液供給ノズルが提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のようにレジスト
膜を形成された半導体ウエハのような微細加工を受ける
被処理体に対しては、処理液供給ノズルから吐出された
処理液ができるだけ小さな衝撃でかつ均一に被処理体表
面に供給されることが肝要である。
膜を形成された半導体ウエハのような微細加工を受ける
被処理体に対しては、処理液供給ノズルから吐出された
処理液ができるだけ小さな衝撃でかつ均一に被処理体表
面に供給されることが肝要である。
【０００５】ところが、上記従来の処理液供給ノズルの
いずれにおいても、処理液供給源より圧送されてきた処
理液をノズル基端部の導入口よりノズル先端部まで導い
てそのまま真っすぐ垂直方向つまりノズル軸方向にノズ
ル先端部の吐出口より処理液を吐出する機構であって、
垂直に吐出された処理液は被処理体表面に強い衝撃で当
たっていた。このために、従来の現像液供給ノズルにあ
ってはウエハ表面上に現像液を均一に液盛りするのが難
しく、従来のリンス液供給ノズルにあってはリンス液の
強い衝撃によってウエハ表面上のレジストパターンが壊
れるおそれがあった。
いずれにおいても、処理液供給源より圧送されてきた処
理液をノズル基端部の導入口よりノズル先端部まで導い
てそのまま真っすぐ垂直方向つまりノズル軸方向にノズ
ル先端部の吐出口より処理液を吐出する機構であって、
垂直に吐出された処理液は被処理体表面に強い衝撃で当
たっていた。このために、従来の現像液供給ノズルにあ
ってはウエハ表面上に現像液を均一に液盛りするのが難
しく、従来のリンス液供給ノズルにあってはリンス液の
強い衝撃によってウエハ表面上のレジストパターンが壊
れるおそれがあった。
【０００６】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
もので、被処理体に対する処理液の衝撃を低減して被処
理体面への処理液の均一な供給を容易にし、さらには処
理液の吐出を止めた後の液だれを効果的に防止するよう
にした半導体デバイス製造用の処理液供給ノズルおよび
処理液供給方法を提供することを目的とする。
もので、被処理体に対する処理液の衝撃を低減して被処
理体面への処理液の均一な供給を容易にし、さらには処
理液の吐出を止めた後の液だれを効果的に防止するよう
にした半導体デバイス製造用の処理液供給ノズルおよび
処理液供給方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の処理液供給ノズルは、ほぼ水平な被処理
体の表面にノズル先端部を向けて配置され、前記被処理
体表面に対して所定の処理液を吐出して供給する半導体
デバイス製造用の処理液供給ノズルにおいて、処理液供
給源からの前記処理液を処理液導入口より導入して受け
止めるノズル中央室と、前記ノズル中央室と連通し、前
記ノズル中央室からの前記処理液の流れを緩和するバッ
ファ室と、前記バッファ室と連通し、前記バッファ室か
らの前記処理液を前記ノズル先端部にてほぼ水平方向に
吐出する１つまたは複数の吐出口と、ノズル内の残留処
理液を負圧で吸引除去するための前記ノズル中央室と連
通するバキューム吸引口とを具備する構成とした。
めに、本発明の処理液供給ノズルは、ほぼ水平な被処理
体の表面にノズル先端部を向けて配置され、前記被処理
体表面に対して所定の処理液を吐出して供給する半導体
デバイス製造用の処理液供給ノズルにおいて、処理液供
給源からの前記処理液を処理液導入口より導入して受け
止めるノズル中央室と、前記ノズル中央室と連通し、前
記ノズル中央室からの前記処理液の流れを緩和するバッ
ファ室と、前記バッファ室と連通し、前記バッファ室か
らの前記処理液を前記ノズル先端部にてほぼ水平方向に
吐出する１つまたは複数の吐出口と、ノズル内の残留処
理液を負圧で吸引除去するための前記ノズル中央室と連
通するバキューム吸引口とを具備する構成とした。
【０００９】本発明の処理液供給ノズルにおいて、前記
バッファ室は、好ましくは、前記ノズル中央室の半径方
向外側に環状に延在する構成であってよく、さらに好ま
しくは垂直面内で段状に形成された処理液通路を有する
構成であってよい。
バッファ室は、好ましくは、前記ノズル中央室の半径方
向外側に環状に延在する構成であってよく、さらに好ま
しくは垂直面内で段状に形成された処理液通路を有する
構成であってよい。
【００１０】
【００１１】
【００１２】
【００１３】上記の目的を達成するため、本発明の処理
液供給方法は、ほぼ水平な被処理体の表面に所定の処理
液を供給する半導体デバイス製造用の処理液供給方法に
おいて、前記被処理体を回転させながら、処理液供給ノ
ズルより前記処理液をほぼ水平方向に吐出させ、吐出さ
れた前記処理液がほぼ放物線を描くように落下して前記
被処理体表面に供給される工程と、前記処理液の吐出を
休止している期間中に前記処理液供給ノズル内に残留し
ている前記処理液を除去する工程とを有する方法とし
た。
液供給方法は、ほぼ水平な被処理体の表面に所定の処理
液を供給する半導体デバイス製造用の処理液供給方法に
おいて、前記被処理体を回転させながら、処理液供給ノ
ズルより前記処理液をほぼ水平方向に吐出させ、吐出さ
れた前記処理液がほぼ放物線を描くように落下して前記
被処理体表面に供給される工程と、前記処理液の吐出を
休止している期間中に前記処理液供給ノズル内に残留し
ている前記処理液を除去する工程とを有する方法とし
た。
【００１４】本発明の処理液供給方法において、好まし
くは、前記処理液供給ノズル内に導入された前記処理液
の流れをいったん緩和して安定にする工程を有してよ
い。また、好ましくは、前記処理液供給ノズルにおける
前記処理液の吐出方向の少なくとも１つを前記被処理体
表面の中心部に向けるようにするとよい。
くは、前記処理液供給ノズル内に導入された前記処理液
の流れをいったん緩和して安定にする工程を有してよ
い。また、好ましくは、前記処理液供給ノズルにおける
前記処理液の吐出方向の少なくとも１つを前記被処理体
表面の中心部に向けるようにするとよい。
【００１５】
【作用】処理液供給源より配管等を介して圧送されてき
た処理液は、処理液導入口よりノズル中央室内を通って
ノズル中央室の底面で受け止められてから、隣接したバ
ッファ室に入り、ここで流れを緩和し安定させてからノ
ズル先端部の各吐出口よりほぼ水平方向に吐出される。
各吐出口よりほぼ水平方向に出た処理液は、放物線を描
くようにして自重で落下し、被処理体表面に小さな衝撃
で落下する。吐出口を複数個設けた場合は、１本のノズ
ルによって被処理体の複数箇所に同時に処理液が供給さ
れる。処理液の吐出を止めた時はノズル内の残留処理液
が強制的に除去される。これにより、吐出口から処理液
が液だれすることはない。
た処理液は、処理液導入口よりノズル中央室内を通って
ノズル中央室の底面で受け止められてから、隣接したバ
ッファ室に入り、ここで流れを緩和し安定させてからノ
ズル先端部の各吐出口よりほぼ水平方向に吐出される。
各吐出口よりほぼ水平方向に出た処理液は、放物線を描
くようにして自重で落下し、被処理体表面に小さな衝撃
で落下する。吐出口を複数個設けた場合は、１本のノズ
ルによって被処理体の複数箇所に同時に処理液が供給さ
れる。処理液の吐出を止めた時はノズル内の残留処理液
が強制的に除去される。これにより、吐出口から処理液
が液だれすることはない。
【００１６】
【実施例】以下、添付図を参照して本発明の実施例を説
明する。図１〜図６は本発明の一実施例による処理液供
給ノズルの構成を示し、図１はこの処理液供給ノズルの
斜視図、図２はこの処理液供給ノズルの縦断面図、図３
は図２のＡ−Ａ線についての断面図、図４はこの処理液
供給ノズルにおける本体の構成を示す図、図５はこの処
理液供給ノズルにおけるナット（ｎｕｔ）部の構成を示
す図、および図６はこの処理液供給ノズルにおけるコア
（ｃｏｒｅ）材の構成を示す図である。
明する。図１〜図６は本発明の一実施例による処理液供
給ノズルの構成を示し、図１はこの処理液供給ノズルの
斜視図、図２はこの処理液供給ノズルの縦断面図、図３
は図２のＡ−Ａ線についての断面図、図４はこの処理液
供給ノズルにおける本体の構成を示す図、図５はこの処
理液供給ノズルにおけるナット（ｎｕｔ）部の構成を示
す図、および図６はこの処理液供給ノズルにおけるコア
（ｃｏｒｅ）材の構成を示す図である。
【００１７】図１および図２に示すように、この実施例
の処理液供給ノズルにおいて、上面１０の中心部に処理
液導入口１２が形成され、この処理液導入口１２と連通
してノズル内には縦穴状のノズル中央室１４が形成され
ている。ノズル中央室１４の底面１４ａの外周側には複
数個の連通孔１６を介して環状のバッファ（ｂｕｆｆｅ
ｒ）室１８が形成され、このバッファ室１８の下端部か
ら外周側に向けて放射状に複数個の通路２０が設けら
れ、各通路２０の外端に吐出口２２が形成されている。
図３に示すように、連通孔１６および通路２０は、それ
ぞれ９０゜の間隔をおいて４個ずつ互いに対応した位置
に設けられる。
の処理液供給ノズルにおいて、上面１０の中心部に処理
液導入口１２が形成され、この処理液導入口１２と連通
してノズル内には縦穴状のノズル中央室１４が形成され
ている。ノズル中央室１４の底面１４ａの外周側には複
数個の連通孔１６を介して環状のバッファ（ｂｕｆｆｅ
ｒ）室１８が形成され、このバッファ室１８の下端部か
ら外周側に向けて放射状に複数個の通路２０が設けら
れ、各通路２０の外端に吐出口２２が形成されている。
図３に示すように、連通孔１６および通路２０は、それ
ぞれ９０゜の間隔をおいて４個ずつ互いに対応した位置
に設けられる。
【００１８】かかる構成において、処理液供給源より配
管（図示せず）を介して圧送されてきた処理液ＬＱは、
処理液導入口１２よりノズル中央室１４内に入って底面
１４ａで一旦受け止められてから、各連通孔１６を通っ
てバッファ室１８に入り、バッファ室１８から一定の圧
力で各通路２０を通って各吐出口２２より側方へ均一な
流量で放射状に吐出される。この時、処理液ＬＱは、底
面１４ａで一旦受け止められ、かつバッファ室１８を通
されることにより、圧送による流れの勢いが緩和される
ので、安定した流量で各吐出口２２から吐出される。
管（図示せず）を介して圧送されてきた処理液ＬＱは、
処理液導入口１２よりノズル中央室１４内に入って底面
１４ａで一旦受け止められてから、各連通孔１６を通っ
てバッファ室１８に入り、バッファ室１８から一定の圧
力で各通路２０を通って各吐出口２２より側方へ均一な
流量で放射状に吐出される。この時、処理液ＬＱは、底
面１４ａで一旦受け止められ、かつバッファ室１８を通
されることにより、圧送による流れの勢いが緩和される
ので、安定した流量で各吐出口２２から吐出される。
【００１９】また、上記各連通孔１６を通った処理液Ｌ
Ｑは、その断面積が各連通孔１６の断面積より広いバッ
ファ室１８に入り、そして、断面積がバッファ室１８の
断面積より小さい各吐出口２２より吐き出されるため、
この各吐出口２２からの各吐出流量を均一になるように
することができる。
Ｑは、その断面積が各連通孔１６の断面積より広いバッ
ファ室１８に入り、そして、断面積がバッファ室１８の
断面積より小さい各吐出口２２より吐き出されるため、
この各吐出口２２からの各吐出流量を均一になるように
することができる。
【００２０】通常、本処理液供給ノズルは、ノズル先端
部２４を被処理体（図示せず）に向けて垂直に配置さ
れ、上記のように処理液を各吐出口２２より側方つまり
水平方向に放射状に吐出して被処理体へ供給するので、
各吐出口２２より水平方向に出た現像液は放物線を描く
ようにしてウエハ表面に小さな衝撃で落下（滴下）する
ことになる。すなわち、各吐出口２２より水平方向に出
た現像液は、自重による落下のソフトな状態でウエハ表
面に落下するようになり、上記衝撃を非常に小さくする
ことが可能となる。
部２４を被処理体（図示せず）に向けて垂直に配置さ
れ、上記のように処理液を各吐出口２２より側方つまり
水平方向に放射状に吐出して被処理体へ供給するので、
各吐出口２２より水平方向に出た現像液は放物線を描く
ようにしてウエハ表面に小さな衝撃で落下（滴下）する
ことになる。すなわち、各吐出口２２より水平方向に出
た現像液は、自重による落下のソフトな状態でウエハ表
面に落下するようになり、上記衝撃を非常に小さくする
ことが可能となる。
【００２１】したがって、本処理液供給ノズルを、たと
えば半導体製造プロセスの現像工程において現像液供給
ノズルとして用いた場合には、被処理体である半導体ウ
エハの表面上に現像液を飛散させずに均一に供給するこ
とが可能である。また、本処理液供給ノズルを、該現像
工程においてリンス液供給ノズルとして用いた場合に
は、被処理体である半導体ウエハの表面上のレジストパ
ターンにダメージを与えることなくリンス液を供給する
ことが可能である。
えば半導体製造プロセスの現像工程において現像液供給
ノズルとして用いた場合には、被処理体である半導体ウ
エハの表面上に現像液を飛散させずに均一に供給するこ
とが可能である。また、本処理液供給ノズルを、該現像
工程においてリンス液供給ノズルとして用いた場合に
は、被処理体である半導体ウエハの表面上のレジストパ
ターンにダメージを与えることなくリンス液を供給する
ことが可能である。
【００２２】また、本処理液供給ノズルによれば、ノズ
ル先端部２４より処理液が四方へ放射状に散水するよう
に吐出されるので、１本のノズルによって被処理体の４
箇所に同時に処理液を供給することが可能であり、処理
液供給効率を向上させることができる。
ル先端部２４より処理液が四方へ放射状に散水するよう
に吐出されるので、１本のノズルによって被処理体の４
箇所に同時に処理液を供給することが可能であり、処理
液供給効率を向上させることができる。
【００２３】ところで、図２に示すように、本処理液供
給ノズルは、３つの部品、つまり本体３０、ナット部５
０およびコア材７０からなる組立体として構成されてい
る。以下に、図４〜図６につき各部品の構成および機能
を説明する。
給ノズルは、３つの部品、つまり本体３０、ナット部５
０およびコア材７０からなる組立体として構成されてい
る。以下に、図４〜図６につき各部品の構成および機能
を説明する。
【００２４】図４において、本体３０は、円盤形の取付
用フランジ３２とほぼ直方体状のコネクタ部３４とを一
体形成してなるものである。フランジ３２には、本処理
液供給ノズルをノズル支持部（図示せず）に取付するた
めのボルト（図示せず）を通す一対の孔３２ａ，３２ａ
が設けられている。フランジ３２の中心部には、処理液
導入口１２が段状に形成され、その段部にＯリング３６
が配設されている。
用フランジ３２とほぼ直方体状のコネクタ部３４とを一
体形成してなるものである。フランジ３２には、本処理
液供給ノズルをノズル支持部（図示せず）に取付するた
めのボルト（図示せず）を通す一対の孔３２ａ，３２ａ
が設けられている。フランジ３２の中心部には、処理液
導入口１２が段状に形成され、その段部にＯリング３６
が配設されている。
【００２５】コネクタ部３４の一側面にはバキューム吸
引口３８が設けられ、このバキューム吸引口３８のネジ
穴３８ａにエジェクタ管（図示せず）側のコネクタが螺
合されるようになっている。現像工程等の場合には、処
理液の吐出を止めた後、ノズル内に残った処理液が吐出
口から液だれしないように、エジェクタ装置（空気圧式
真空装置）（図示せず）がエジェクタ管およびバキュー
ム吸引口３８を介してノズル内の残留処理液を負圧で吸
引除去するようになっている。
引口３８が設けられ、このバキューム吸引口３８のネジ
穴３８ａにエジェクタ管（図示せず）側のコネクタが螺
合されるようになっている。現像工程等の場合には、処
理液の吐出を止めた後、ノズル内に残った処理液が吐出
口から液だれしないように、エジェクタ装置（空気圧式
真空装置）（図示せず）がエジェクタ管およびバキュー
ム吸引口３８を介してノズル内の残留処理液を負圧で吸
引除去するようになっている。
【００２６】コネクタ部３４の中心部には、ノズル中央
室１４の上部を構成する孔４０がノズル軸方向に形成さ
れ、処理液導入口１２と連通している。そして、コネク
タ部３４の下面中心部より孔４０の下端部にかけて孔４
０よりも径の大きなネジ穴４２が設けられている。この
ネジ穴４２に、後述するコア材７０の円筒部７２のネジ
７６が螺合するようになっている。
室１４の上部を構成する孔４０がノズル軸方向に形成さ
れ、処理液導入口１２と連通している。そして、コネク
タ部３４の下面中心部より孔４０の下端部にかけて孔４
０よりも径の大きなネジ穴４２が設けられている。この
ネジ穴４２に、後述するコア材７０の円筒部７２のネジ
７６が螺合するようになっている。
【００２７】図５において、ナット部５０はほぼ円筒状
に形成されているが、上部５２は本体３０のコネクタ部
３４に整合するように２側面５２ａ，５２ｂが一部切り
欠かれて直方体状になっている。ナット部５０の中心に
は、後述するコア材７０の円筒部７２を通すための貫通
孔５４が形成されている。この貫通孔５４の上部にはコ
ア材７０の円筒部７２のネジ７６と螺合するためのネジ
穴５６が設けられている。貫通孔５４の下部は、バッフ
ァ室１８の外周面を形成するもので、貫通孔５４よりも
比較的径の大きな穴５８となっている。ナット部５０の
下面６０には貫通孔５４の下端から放射状に９０゜間隔
で４つの溝６２が設けられている。このナット部５０の
下面６０に、後述するコア材７０の皿部７４の環状水平
面７５が密着することで、各溝６２と皿部７４との間に
各通路２０と各吐出口２２が形成されるようになってい
る。
に形成されているが、上部５２は本体３０のコネクタ部
３４に整合するように２側面５２ａ，５２ｂが一部切り
欠かれて直方体状になっている。ナット部５０の中心に
は、後述するコア材７０の円筒部７２を通すための貫通
孔５４が形成されている。この貫通孔５４の上部にはコ
ア材７０の円筒部７２のネジ７６と螺合するためのネジ
穴５６が設けられている。貫通孔５４の下部は、バッフ
ァ室１８の外周面を形成するもので、貫通孔５４よりも
比較的径の大きな穴５８となっている。ナット部５０の
下面６０には貫通孔５４の下端から放射状に９０゜間隔
で４つの溝６２が設けられている。このナット部５０の
下面６０に、後述するコア材７０の皿部７４の環状水平
面７５が密着することで、各溝６２と皿部７４との間に
各通路２０と各吐出口２２が形成されるようになってい
る。
【００２８】図６において、コア材７０は、円筒部７２
と皿部７４とを一体成形してなるものである。円筒部７
２の外周面の上部から中間部にかけてネジ７６が切られ
ている。円筒部７２内の孔７８はノズル中央室１４の中
間部ないし下部を構成するもので、この孔７８の上端は
本体３０の孔４０に連通させるために開放され、孔７８
の下端は皿部７２の円形凸面部８０によって閉塞され、
底面１４ａを形成している。この底面１４ａの側方に開
口８２が連通孔１６として設けられている。
と皿部７４とを一体成形してなるものである。円筒部７
２の外周面の上部から中間部にかけてネジ７６が切られ
ている。円筒部７２内の孔７８はノズル中央室１４の中
間部ないし下部を構成するもので、この孔７８の上端は
本体３０の孔４０に連通させるために開放され、孔７８
の下端は皿部７２の円形凸面部８０によって閉塞され、
底面１４ａを形成している。この底面１４ａの側方に開
口８２が連通孔１６として設けられている。
【００２９】かかるコア材７０の円筒部７２を上記ナッ
ト部５０の貫通孔５４を通して上記本体３０の孔４０内
に入れ、円筒部７２のネジ７６を該貫通孔５４のネジ穴
５６および該孔４０のネジ穴４２に螺合させ、ナット部
５０の下面６０に皿部７４の環状水平面７５を密着させ
ることで、上記のように各溝６２と皿部７４との間で各
通路２０と各吐出口２２が形成されると同時に、図２に
示すように、ナット部５０の穴５８と皿部７４の円形凸
面部８０の外周面との間で水平方向では環状で垂直方向
では段状のバッファ室１８が画成され、本体３０、ナッ
ト部５０およびコア材７０の三者が一体に結合して本処
理液供給ノズルが組み立てられるようになっている。
ト部５０の貫通孔５４を通して上記本体３０の孔４０内
に入れ、円筒部７２のネジ７６を該貫通孔５４のネジ穴
５６および該孔４０のネジ穴４２に螺合させ、ナット部
５０の下面６０に皿部７４の環状水平面７５を密着させ
ることで、上記のように各溝６２と皿部７４との間で各
通路２０と各吐出口２２が形成されると同時に、図２に
示すように、ナット部５０の穴５８と皿部７４の円形凸
面部８０の外周面との間で水平方向では環状で垂直方向
では段状のバッファ室１８が画成され、本体３０、ナッ
ト部５０およびコア材７０の三者が一体に結合して本処
理液供給ノズルが組み立てられるようになっている。
【００３０】本実施例の処理液供給ノズルにおいては、
本体３０、ナット部５０およびコア材７０の３つの部品
を着脱可能に結合してなる構成であるから、必要に応じ
て各部品を新しいものや別タイプのものと交換すること
ができる。特に、ナット部５０の下面６０に形成される
溝６２は通路２０および吐出口２２の個数、向き、サイ
ズ等を規定するものであるから、溝６２の形態として種
々のものを選択することによって、処理液吐出パターン
を任意に変更することができる。
本体３０、ナット部５０およびコア材７０の３つの部品
を着脱可能に結合してなる構成であるから、必要に応じ
て各部品を新しいものや別タイプのものと交換すること
ができる。特に、ナット部５０の下面６０に形成される
溝６２は通路２０および吐出口２２の個数、向き、サイ
ズ等を規定するものであるから、溝６２の形態として種
々のものを選択することによって、処理液吐出パターン
を任意に変更することができる。
【００３１】たとえば、ナット部５０の下面６０に３つ
の溝６２を、図７に示すような所定の間隔および所定の
向きに設けることで、図８に示すような配置で１本の処
理液供給ノズル９０により３方向に処理液を吐出して、
半導体ウエハ９２上に万遍無く処理液を供給することが
できる。なお、図７(C) において３個の溝６２のうち図
の下側の溝６２の形状を変えているのは、図８に示すよ
うにその吐出方向をたとえば半導体ウエハ９２の中心方
向にしたいためであり、吐出させたい方向に応じて種々
変更してもよいことは、言うまでもない。また、図９に
示すように、ナット部５０の下面６０に１つの溝６２を
広角たとえば約１２０゜に設け、処理液を１つの吐出口
２２から広角に側方へ吐出するようにしてもよい。
の溝６２を、図７に示すような所定の間隔および所定の
向きに設けることで、図８に示すような配置で１本の処
理液供給ノズル９０により３方向に処理液を吐出して、
半導体ウエハ９２上に万遍無く処理液を供給することが
できる。なお、図７(C) において３個の溝６２のうち図
の下側の溝６２の形状を変えているのは、図８に示すよ
うにその吐出方向をたとえば半導体ウエハ９２の中心方
向にしたいためであり、吐出させたい方向に応じて種々
変更してもよいことは、言うまでもない。また、図９に
示すように、ナット部５０の下面６０に１つの溝６２を
広角たとえば約１２０゜に設け、処理液を１つの吐出口
２２から広角に側方へ吐出するようにしてもよい。
【００３２】また、本体３０において、処理液導入口１
２を側面に設けたり、あるいは複数の処理液導入口１２
を設けることも可能である。また、図１０に示すよう
に、バッファ室１８からの通路２０および吐出口２２を
ノズル軸方向に複数段設けることも可能である。また、
通路２０および吐出口２２の向きは、ノズル軸方向（垂
直方向）に対して垂直な方向（水平方向）でなくともよ
く、斜め方向とすることも可能である。また、本発明
は、現像工程における現像液供給ノズルやリンス液供給
ノズルに限定されるものではなく、半導体デバイス製造
用の各種の処理液供給ノズルに適用可能である。
２を側面に設けたり、あるいは複数の処理液導入口１２
を設けることも可能である。また、図１０に示すよう
に、バッファ室１８からの通路２０および吐出口２２を
ノズル軸方向に複数段設けることも可能である。また、
通路２０および吐出口２２の向きは、ノズル軸方向（垂
直方向）に対して垂直な方向（水平方向）でなくともよ
く、斜め方向とすることも可能である。また、本発明
は、現像工程における現像液供給ノズルやリンス液供給
ノズルに限定されるものではなく、半導体デバイス製造
用の各種の処理液供給ノズルに適用可能である。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ほぼ水平な被処理体の表面に対して、処理液供給ノズル
より処理液をほぼ水平方向に吐出し、吐出された処理液
が放物線を描くように落下して供給されるようにしたの
で、被処理体表面に処理液を小さな衝撃でかつ均一に供
給することができる。さらに、処理液の吐出を休止して
いる期間中はノズル内の残留処理液を強制的に除去する
ようにしたので、吐出口から処理液が液だれするのを効
果的に防止することができる。
ほぼ水平な被処理体の表面に対して、処理液供給ノズル
より処理液をほぼ水平方向に吐出し、吐出された処理液
が放物線を描くように落下して供給されるようにしたの
で、被処理体表面に処理液を小さな衝撃でかつ均一に供
給することができる。さらに、処理液の吐出を休止して
いる期間中はノズル内の残留処理液を強制的に除去する
ようにしたので、吐出口から処理液が液だれするのを効
果的に防止することができる。
【図１】本発明の一実施例による処理液供給ノズルの斜
視図である。
視図である。
【図２】実施例の処理液供給ノズルの縦断面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線についての断面図である。
【図４】実施例の処理液供給ノズルにおける本体の構成
を示す図である。
を示す図である。
【図５】実施例の処理液供給ノズルにおけるナット部の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図６】実施例の処理液供給ノズルにおけるコア材の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図７】実施例の処理液供給ノズルにおける吐出口の一
変形例を示す図である。
変形例を示す図である。
【図８】実施例の処理液供給ノズルにおける吐出口の別
の変形例を示す図である。
の変形例を示す図である。
【図９】図８の変形例による処理液供給ノズルの使用態
様例を示す略平面図である。
様例を示す略平面図である。
【図１０】実施例の処理液供給ノズルにおける吐出口の
他の変形例を示す図である。
他の変形例を示す図である。
１２ 処理液導入口 １４ ノズル中央室 １６ 連通孔 １８ バッファ ２０ 通路 ２２ 吐出口 ３０ 本体 ５０ ナット部 ７０ コア材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−180255（ＪＰ，Ａ) 実開 平４−110152（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B05B 1/04 B05B 1/14
Claims (6)
- 【請求項１】 ほぼ水平な被処理体の表面にノズル先端
部を向けて配置され、前記被処理体表面に対して所定の
処理液を吐出して供給する半導体デバイス製造用の処理
液供給ノズルにおいて、 処理液供給源からの前記処理液を処理液導入口より導入
して受け止めるノズル中央室と、 前記ノズル中央室と連通し、前記ノズル中央室からの前
記処理液の流れを緩和するバッファ室と、 前記バッファ室と連通し、前記バッファ室からの前記処
理液を前記ノズル先端部にてほぼ水平方向に吐出する１
つまたは複数の吐出口と、ノズル内の残留処理液を負圧で吸引除去するための前記
ノズル中央室と連通するバキューム吸引口とを具備する
ことを特徴とする処理液供給ノズル。 - 【請求項２】 前記バッファ室は、前記ノズル中央室の
半径方向外側に環状に延在することを特徴とする請求項
１に記載の処理液供給ノズル。 - 【請求項３】 前記バッファ室は、垂直面内で段状に形
成された処理液通路を有することを特徴とする請求項２
に記載の処理液供給ノズル。 - 【請求項４】 ほぼ水平な被処理体の表面に所定の処理
液を供給する半導体デバイス製造用の処理液供給方法に
おいて、 前記被処理体を回転させながら、処理液供給ノズルより
前記処理液をほぼ水平方向に吐出させ、吐出された前記
処理液がほぼ放物線を描くように落下して前記被処理体
表面に供給される工程と、 前記処理液の吐出を休止している期間中に前記処理液供
給ノズル内に残留している前記処理液を除去する工程と
を有することを特徴とする処理液供給方法。 - 【請求項５】 前記処理液供給ノズル内に導入された前
記処理液の流れをいったん緩和して安定にする工程を有
する請求項４に記載の処理液供給方法。 - 【請求項６】 前記処理液供給ノズルにおける前記処理
液の吐出方向の少なくとも１つを前記被処理体表面の中
心部に向けることを特徴とする請求項４または ５に記載
の処理液供給方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03353248A JP3111264B2 (ja) | 1991-12-17 | 1991-12-17 | 半導体デバイス製造用の処理液供給ノズル及び処理液供給方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03353248A JP3111264B2 (ja) | 1991-12-17 | 1991-12-17 | 半導体デバイス製造用の処理液供給ノズル及び処理液供給方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05168982A JPH05168982A (ja) | 1993-07-02 |
| JP3111264B2 true JP3111264B2 (ja) | 2000-11-20 |
Family
ID=18429555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03353248A Expired - Fee Related JP3111264B2 (ja) | 1991-12-17 | 1991-12-17 | 半導体デバイス製造用の処理液供給ノズル及び処理液供給方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3111264B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6390732B2 (ja) * | 2013-08-05 | 2018-09-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置 |
| CN105855104B (zh) * | 2016-06-12 | 2019-04-19 | 北京航天发射技术研究所 | 蘑菇头喷嘴及使用该喷嘴的发射平台均匀水幕防护系统 |
| KR20230157853A (ko) * | 2021-03-19 | 2023-11-17 | 램 리써치 코포레이션 | 프로세스 챔버들의 리모트 플라즈마 세정을 위한 노즐 |
-
1991
- 1991-12-17 JP JP03353248A patent/JP3111264B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05168982A (ja) | 1993-07-02 |
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