JPH05184977A - シャワーノズル - Google Patents
シャワーノズルInfo
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- JPH05184977A JPH05184977A JP189292A JP189292A JPH05184977A JP H05184977 A JPH05184977 A JP H05184977A JP 189292 A JP189292 A JP 189292A JP 189292 A JP189292 A JP 189292A JP H05184977 A JPH05184977 A JP H05184977A
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J4/00—Feed or outlet devices; Feed or outlet control devices
- B01J4/001—Feed or outlet devices as such, e.g. feeding tubes
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- Organic Chemistry (AREA)
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- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】本発明のシャワーノズルは、中空円錐体をなす
ガス案内部と、このガス案内部の径小側端部に同軸に連
結された中空円筒状のガス導入部と、ガス案内部の径大
側端部に同軸に連結されたガス噴射部と、このガス噴射
部の裏面側中央に同軸に固定された紡錘状のガス分散部
とからなり、かつ、ガス案内部内周面のテーパ角を、ガ
ス導入部から導入されてきたガスを、ガス分散部とガス
案内部により絞り込むような角度に設定したものであ
る。 【効果】このような本発明のシャワーノズルは、シャワ
ーノズル内部におけるガスのうず発生を防止することが
できる。その結果、うず発生に基因するガスの不活性化
がなくなり、かつ、ガス噴射部におけるガスの垂直方向
の速度分布が均一化する。したがって、この実施例のシ
ャワーノズルをプラズマエッチング装置に組み込んだ場
合、基板上でのエッチング反応速度が均一化し、歩留向
上に寄与することができる。
ガス案内部と、このガス案内部の径小側端部に同軸に連
結された中空円筒状のガス導入部と、ガス案内部の径大
側端部に同軸に連結されたガス噴射部と、このガス噴射
部の裏面側中央に同軸に固定された紡錘状のガス分散部
とからなり、かつ、ガス案内部内周面のテーパ角を、ガ
ス導入部から導入されてきたガスを、ガス分散部とガス
案内部により絞り込むような角度に設定したものであ
る。 【効果】このような本発明のシャワーノズルは、シャワ
ーノズル内部におけるガスのうず発生を防止することが
できる。その結果、うず発生に基因するガスの不活性化
がなくなり、かつ、ガス噴射部におけるガスの垂直方向
の速度分布が均一化する。したがって、この実施例のシ
ャワーノズルをプラズマエッチング装置に組み込んだ場
合、基板上でのエッチング反応速度が均一化し、歩留向
上に寄与することができる。
Description
［発明の目的］
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体エッチン
グ装置などに用いられるシャワーノズルに関する。
グ装置などに用いられるシャワーノズルに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の製造において、エッ
チングプロセスは、バッチ式による方法が主流をなして
いる。しかし、近時、半導体基板の大口径化に伴い、枚
葉方式への切り替えが進められつつある。この枚葉方式
のエッチング装置は、ガス導入管から供給されたガスを
マイクロ波導波管によりラジカル状態に活性化し、この
ガスを低圧チャンバの天井部に垂設されたシャワーノズ
ルから、同じく低圧チャンバ内に格納された基板チャッ
クに吸着された基板に噴射して、基板を１枚ずつエッチ
ングするものである。なお、基板に噴射されたガスは、
低圧チャンバの下部に設けられたガス排気管より排出さ
れる。
チングプロセスは、バッチ式による方法が主流をなして
いる。しかし、近時、半導体基板の大口径化に伴い、枚
葉方式への切り替えが進められつつある。この枚葉方式
のエッチング装置は、ガス導入管から供給されたガスを
マイクロ波導波管によりラジカル状態に活性化し、この
ガスを低圧チャンバの天井部に垂設されたシャワーノズ
ルから、同じく低圧チャンバ内に格納された基板チャッ
クに吸着された基板に噴射して、基板を１枚ずつエッチ
ングするものである。なお、基板に噴射されたガスは、
低圧チャンバの下部に設けられたガス排気管より排出さ
れる。
【０００３】ところで、低圧チャンバの圧力は、非常に
低圧（数１０〜数１００Ｐａ程度）のため、ガスの慣性
力が後方まで保存される。このため、図９に示す従来構
造ののシャワーノズルＡを用いた場合、うずＢが生じ
る。このうずＢは、基板上での反応に大きな影響を与え
る。すなわち、ガスＣの活性化された状態は非常に繊細
であり、うずＢが生じることにより、ガスＣが停滞し、
時間が経過するとともに不活性化される問題をもってい
る。また、シャワーノズルの出口における速度すなわち
ガス流量が均一でないために、基板上での反応速度にバ
ラツキが生じるという問題ももっている。
低圧（数１０〜数１００Ｐａ程度）のため、ガスの慣性
力が後方まで保存される。このため、図９に示す従来構
造ののシャワーノズルＡを用いた場合、うずＢが生じ
る。このうずＢは、基板上での反応に大きな影響を与え
る。すなわち、ガスＣの活性化された状態は非常に繊細
であり、うずＢが生じることにより、ガスＣが停滞し、
時間が経過するとともに不活性化される問題をもってい
る。また、シャワーノズルの出口における速度すなわち
ガス流量が均一でないために、基板上での反応速度にバ
ラツキが生じるという問題ももっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
シャワーノズルは、ノズル内部でうずが生じることによ
り、活性化されたガスが停滞し、時間が経過するととも
に不活性化される問題をもっているととてもに、シャワ
ーノズルの出口における速度すなわちガス流量が均一で
ないために、基板上での反応速度にバラツキが生じ、歩
留低下の一因となっているという問題ももっている。
シャワーノズルは、ノズル内部でうずが生じることによ
り、活性化されたガスが停滞し、時間が経過するととも
に不活性化される問題をもっているととてもに、シャワ
ーノズルの出口における速度すなわちガス流量が均一で
ないために、基板上での反応速度にバラツキが生じ、歩
留低下の一因となっているという問題ももっている。
【０００５】本発明のシャワーノズルは、上記事情を顧
慮してなされたもので、ラジカル状態に活性化された供
給ガスの活性を損なわずに、且つ、基板上に均一な活性
ガスを供給することのできるシャワーノズルを提供する
ことを目的とする。 ［発明の構成］
慮してなされたもので、ラジカル状態に活性化された供
給ガスの活性を損なわずに、且つ、基板上に均一な活性
ガスを供給することのできるシャワーノズルを提供する
ことを目的とする。 ［発明の構成］
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のシャワーノズル
は、中空円錐体をなすガス案内部と、このガス案内部の
径小側端部に同軸に連結された中空円筒状のガス導入部
と、ガス案内部の径大側端部に同軸に連結されたガス噴
射部と、このガス噴射部の裏面側中央に同軸に固定され
た紡錘状のガス分散部とからなり、かつ、ガス案内部内
周面のテーパ角を、ガス導入部から導入されてきたガス
を、ガス分散部とガス案内部により絞り込むような角度
に設定したものである。
は、中空円錐体をなすガス案内部と、このガス案内部の
径小側端部に同軸に連結された中空円筒状のガス導入部
と、ガス案内部の径大側端部に同軸に連結されたガス噴
射部と、このガス噴射部の裏面側中央に同軸に固定され
た紡錘状のガス分散部とからなり、かつ、ガス案内部内
周面のテーパ角を、ガス導入部から導入されてきたガス
を、ガス分散部とガス案内部により絞り込むような角度
に設定したものである。
【０００７】
【作用】上記構成を有するシャワーノズルは、シャワー
ノズル内部におけるガスのうず発生を防止することがで
きる。その結果、うず発生に基因するガスの不活性化が
なくなり、かつ、ガス噴射部におけるガスの垂直方向の
速度分布が均一化する。したがって、この実施例のシャ
ワーノズルをプラズマエッチング装置に組み込んだ場
合、基板上でのエッチング反応速度が均一化し、歩留向
上に寄与することができる。
ノズル内部におけるガスのうず発生を防止することがで
きる。その結果、うず発生に基因するガスの不活性化が
なくなり、かつ、ガス噴射部におけるガスの垂直方向の
速度分布が均一化する。したがって、この実施例のシャ
ワーノズルをプラズマエッチング装置に組み込んだ場
合、基板上でのエッチング反応速度が均一化し、歩留向
上に寄与することができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳
述する。
述する。
【０００９】図１は、この実施例のシャワーノズル１を
示している。このシャワーノズル１は、全体として回転
対称体をなしている。そして、このシャワーノズル１
は、中空円錐体をなすガス案内部２と、このガス案内部
２の径小側端部に同軸に連結された中空円筒状のガス導
入部３と、ガス案内部２の径大側端部に同軸に連結され
たガス噴射部４と、このガス噴射部４の裏面側中央に同
軸に固定された紡錘状のガス分散部５とからなっいる。
しかして、ガス案内部２は、テーパ角の異なる二つの部
分６，７からなっている。これら部分６，７のテーパ角
θ１，θ２は、それぞれ３５°と５０°である。つま
り、このガス案内部２の内周面は、径小側よりも径大側
の方が拡径率が大きく設けられている。さらに、ガス噴
射部４は、ガス案内部２の径大側端部に同軸に連結され
た円板８と、この円板８にランダムに穿設された多数の
噴気孔９…とからなっている。一方、ガス分散部５は、
円板８の裏面側に同軸に立設・固定された支持棒１０
と、この支持棒１０の先端に同軸に連結された紡錘体１
１とからなっている。つぎに、上記構成のシャワーノズ
ル１の作動について述べる。
示している。このシャワーノズル１は、全体として回転
対称体をなしている。そして、このシャワーノズル１
は、中空円錐体をなすガス案内部２と、このガス案内部
２の径小側端部に同軸に連結された中空円筒状のガス導
入部３と、ガス案内部２の径大側端部に同軸に連結され
たガス噴射部４と、このガス噴射部４の裏面側中央に同
軸に固定された紡錘状のガス分散部５とからなっいる。
しかして、ガス案内部２は、テーパ角の異なる二つの部
分６，７からなっている。これら部分６，７のテーパ角
θ１，θ２は、それぞれ３５°と５０°である。つま
り、このガス案内部２の内周面は、径小側よりも径大側
の方が拡径率が大きく設けられている。さらに、ガス噴
射部４は、ガス案内部２の径大側端部に同軸に連結され
た円板８と、この円板８にランダムに穿設された多数の
噴気孔９…とからなっている。一方、ガス分散部５は、
円板８の裏面側に同軸に立設・固定された支持棒１０
と、この支持棒１０の先端に同軸に連結された紡錘体１
１とからなっている。つぎに、上記構成のシャワーノズ
ル１の作動について述べる。
【００１０】図２は、このシャワーノズル１が組み込ま
れたエッチング装置１２を示している。このエッチング
装置１２は、ガス１３を励起してプラズマ状態にするプ
ラズマ発生部１４と、このプラズマ発生部１４により励
起されたガス１３により基板のエッチングを行うプラズ
マ処理部１５とからなっている。そして、プラズマ発生
部１４は、図示せぬガス供給源からのガス１３をプラズ
マ処理部１５まで案内するガス案内管１６と、ガス案内
管１６の中途部に設けられガス１３にマイクロ波を照射
することによりガス１３をプラズマ状態にしこれにより
化学反応性の強い中性ラジカルを生成するマイクロ波導
波管１７とからなっている。一方、プラズマ処理部１５
は、非常に低圧（数１０〜数１００Ｐａ程度）の格納空
間を形成する格納部１２ａと、この格納部１２ａの天井
部に取り付けられたシャワーノズル１と、格納部１２ａ
の底部に設けられ例えば半導体装置用の基板１７を着脱
自在に保持して昇降する基板チャック部１８と、格納部
１２ａの中途部に設けられ中央部に基板チャック部１８
が出入する円形孔１９が穿設され且つこの円形孔１９の
周りに等配してガス１３が通過する複数の逃げ穴２０…
が穿設された隔壁板２１と、格納部１２ａの下側部に取
り付けられ逃げ穴２０…を通過してきた排気管２２とか
らなっている。しかして、基板チャック部１８は、円形
孔１９をわずかに越えた位置と格納部１２ａの底部位置
との間を昇降するように設けられ、再下部にて、図示せ
ぬ移載機構（ウエハ・ローダ・アンローダ）により基板
１７の着脱を行うように設けられている。また、排気管
２２は、図示せぬ真空源に接続されている。さらに、シ
ャワーノズル１のガス導入部３には、ガス案内管１６が
接続されている。
れたエッチング装置１２を示している。このエッチング
装置１２は、ガス１３を励起してプラズマ状態にするプ
ラズマ発生部１４と、このプラズマ発生部１４により励
起されたガス１３により基板のエッチングを行うプラズ
マ処理部１５とからなっている。そして、プラズマ発生
部１４は、図示せぬガス供給源からのガス１３をプラズ
マ処理部１５まで案内するガス案内管１６と、ガス案内
管１６の中途部に設けられガス１３にマイクロ波を照射
することによりガス１３をプラズマ状態にしこれにより
化学反応性の強い中性ラジカルを生成するマイクロ波導
波管１７とからなっている。一方、プラズマ処理部１５
は、非常に低圧（数１０〜数１００Ｐａ程度）の格納空
間を形成する格納部１２ａと、この格納部１２ａの天井
部に取り付けられたシャワーノズル１と、格納部１２ａ
の底部に設けられ例えば半導体装置用の基板１７を着脱
自在に保持して昇降する基板チャック部１８と、格納部
１２ａの中途部に設けられ中央部に基板チャック部１８
が出入する円形孔１９が穿設され且つこの円形孔１９の
周りに等配してガス１３が通過する複数の逃げ穴２０…
が穿設された隔壁板２１と、格納部１２ａの下側部に取
り付けられ逃げ穴２０…を通過してきた排気管２２とか
らなっている。しかして、基板チャック部１８は、円形
孔１９をわずかに越えた位置と格納部１２ａの底部位置
との間を昇降するように設けられ、再下部にて、図示せ
ぬ移載機構（ウエハ・ローダ・アンローダ）により基板
１７の着脱を行うように設けられている。また、排気管
２２は、図示せぬ真空源に接続されている。さらに、シ
ャワーノズル１のガス導入部３には、ガス案内管１６が
接続されている。
【００１１】しかして、上記構成のエッチング装置１２
において、プラズマ発生部１４により励起されたガス１
３は、ガス案内管１６を経由してガス導入部３に輸送さ
れる。さらに、このガス１３は、シャワーノズル１から
基板チャック部１８に保持されている基板１７に向って
噴射される。そして、このガス１３の中性ラジカルによ
り基板１７のエッチング反応が進行する。そして、基板
１７にあたったガス１３は、隔壁板２１の逃げ穴２０…
を経由して、排気管２２により排出される。ところで、
図３に示すように、ガス１３は、シャワーノズル１中に
て、ガス分散部５の紡錘体１１により矢印２３方向（遠
心方向）に分散し、ガス案内部２の部分６，７により下
方に案内されて、ガス噴射部４の噴気孔９…から下方に
噴射される。ところで、図４は、図５に示すシャワーノ
ズル２４によるガス１３の流れを示している。なお、こ
のシャワーノズル２４は、単一のテーパ角θ３（＝４５
°）からなるガス案内部２を有していることを除いて、
異なるテーパ角からなる複数の部分６，７からなってい
るシャワーノズル１と全く同一である。それゆえ、基板
上でのエッチング反応速度が低下し、かつ、均一化され
ない。このシャワーノズル２４のガス噴射部４の噴気孔
９…を通過するガス１３の垂直方向の速度分布は、図６
に示すように、従来のノズルに比べ速度分布の均一性が
向上している。このシャワーノズル２４におけるガス１
３の流れの特徴は、図４に出ているように、うず２５が
発生していることである。その結果、ガス１３がこのう
ず２５を中心とする近傍にて一時的に停滞する。そし
て、停滞したガス１３の一部は、時間が経過するととも
に不活性化されてしまう。一方、図７は、シャワーノズ
ル１におけるガス１３の垂直方向の速度分布を示してい
る。また、図３から明らかなように、シャワーノズル１
を用いる場合、うずの発生は認められない。それゆえ、
このシャワーノズル１では、基板１７上でのエッチング
反応速度が均一化し、歩留向上に寄与することができ
る。このように、この実施例のシャワーノズル１にてう
ずの発生を防止することができるのは、ガス案内部２を
部分６，７からなる二段構造としたからである。すなわ
ち、ガス導入部３から導入されたガス１３は、一部はガ
ス案内部２の部分６に案内され、且つ、他方はガス分散
部５の紡錘体１１により矢印２３方向に分散する。した
がって、ガス１３は、テーパ角θ１（＝３５°）の比較
的急峻な部分６と紡錘体１１により絞り込まれることに
より、紡錘体１１外周面側と部分６内周面側におけるガ
ス１３の密度差は、図５に示すシャワーノズル２４に比
べてはるかに小さくなる。それゆえ、このガス１３の密
度差が小さいということが、シャワーノズル２４にて発
生したうず２５の発生の抑止に大いに寄与している。し
たがって、ガス案内部２にとって、うずの発生抑止に必
要な条件は、ガス導入部３からガス噴射部４にいくに従
ってテーパ角を大きく、換言すれば、ガス導入部３から
ガス噴射部４にいくに従って勾配を緩やかにすることで
ある。
において、プラズマ発生部１４により励起されたガス１
３は、ガス案内管１６を経由してガス導入部３に輸送さ
れる。さらに、このガス１３は、シャワーノズル１から
基板チャック部１８に保持されている基板１７に向って
噴射される。そして、このガス１３の中性ラジカルによ
り基板１７のエッチング反応が進行する。そして、基板
１７にあたったガス１３は、隔壁板２１の逃げ穴２０…
を経由して、排気管２２により排出される。ところで、
図３に示すように、ガス１３は、シャワーノズル１中に
て、ガス分散部５の紡錘体１１により矢印２３方向（遠
心方向）に分散し、ガス案内部２の部分６，７により下
方に案内されて、ガス噴射部４の噴気孔９…から下方に
噴射される。ところで、図４は、図５に示すシャワーノ
ズル２４によるガス１３の流れを示している。なお、こ
のシャワーノズル２４は、単一のテーパ角θ３（＝４５
°）からなるガス案内部２を有していることを除いて、
異なるテーパ角からなる複数の部分６，７からなってい
るシャワーノズル１と全く同一である。それゆえ、基板
上でのエッチング反応速度が低下し、かつ、均一化され
ない。このシャワーノズル２４のガス噴射部４の噴気孔
９…を通過するガス１３の垂直方向の速度分布は、図６
に示すように、従来のノズルに比べ速度分布の均一性が
向上している。このシャワーノズル２４におけるガス１
３の流れの特徴は、図４に出ているように、うず２５が
発生していることである。その結果、ガス１３がこのう
ず２５を中心とする近傍にて一時的に停滞する。そし
て、停滞したガス１３の一部は、時間が経過するととも
に不活性化されてしまう。一方、図７は、シャワーノズ
ル１におけるガス１３の垂直方向の速度分布を示してい
る。また、図３から明らかなように、シャワーノズル１
を用いる場合、うずの発生は認められない。それゆえ、
このシャワーノズル１では、基板１７上でのエッチング
反応速度が均一化し、歩留向上に寄与することができ
る。このように、この実施例のシャワーノズル１にてう
ずの発生を防止することができるのは、ガス案内部２を
部分６，７からなる二段構造としたからである。すなわ
ち、ガス導入部３から導入されたガス１３は、一部はガ
ス案内部２の部分６に案内され、且つ、他方はガス分散
部５の紡錘体１１により矢印２３方向に分散する。した
がって、ガス１３は、テーパ角θ１（＝３５°）の比較
的急峻な部分６と紡錘体１１により絞り込まれることに
より、紡錘体１１外周面側と部分６内周面側におけるガ
ス１３の密度差は、図５に示すシャワーノズル２４に比
べてはるかに小さくなる。それゆえ、このガス１３の密
度差が小さいということが、シャワーノズル２４にて発
生したうず２５の発生の抑止に大いに寄与している。し
たがって、ガス案内部２にとって、うずの発生抑止に必
要な条件は、ガス導入部３からガス噴射部４にいくに従
ってテーパ角を大きく、換言すれば、ガス導入部３から
ガス噴射部４にいくに従って勾配を緩やかにすることで
ある。
【００１２】以上のように、この実施例のシャワーノズ
ル１は、中空円錐体をなすガス案内部２と、このガス案
内部２の径小側端部に同軸に連結された中空円筒状のガ
ス導入部３と、ガス案内部２の径大側端部に同軸に連結
されたガス噴射部４と、このガス噴射部４の裏面側中央
に同軸に固定された紡錘状のガス分散部５とからなり、
かつ、ガス案内部２をテーパ角の異なる二つの部分６，
７から構成したので、シャワーノズル１内部におけるガ
ス１３のうず発生を防止することができる。その結果、
うず発生に基因するガス１３の不活性化がなくなり、か
つ、ガス噴射部４におけるガス１３の垂直方向の速度分
布が均一化する。したがって、この実施例のシャワーノ
ズル１をプラズマエッチング装置に組み込んだ場合、基
板１７上でのエッチング反応速度が均一化し、歩留向上
に寄与することができる。
ル１は、中空円錐体をなすガス案内部２と、このガス案
内部２の径小側端部に同軸に連結された中空円筒状のガ
ス導入部３と、ガス案内部２の径大側端部に同軸に連結
されたガス噴射部４と、このガス噴射部４の裏面側中央
に同軸に固定された紡錘状のガス分散部５とからなり、
かつ、ガス案内部２をテーパ角の異なる二つの部分６，
７から構成したので、シャワーノズル１内部におけるガ
ス１３のうず発生を防止することができる。その結果、
うず発生に基因するガス１３の不活性化がなくなり、か
つ、ガス噴射部４におけるガス１３の垂直方向の速度分
布が均一化する。したがって、この実施例のシャワーノ
ズル１をプラズマエッチング装置に組み込んだ場合、基
板１７上でのエッチング反応速度が均一化し、歩留向上
に寄与することができる。
【００１３】なお、上記実施例においては、ガス案内部
２は、部分６，７からなる二段構造としたが、テーパ角
がガス導入部３からガス噴射部４にいくに従って大きく
なり、ガス１３の絞り込みによるうず発生抑止効果を発
揮する限り、三段以上としてもよいし、段差構造でな
く、図８に示すように、連続的にテーパ角を変化させる
よう喇叭状に形成してもよい。また、この発明のシャワ
ーノズルは、プラズマエッチングのみならず、プラズマ
アッシングにも適用することができる。
２は、部分６，７からなる二段構造としたが、テーパ角
がガス導入部３からガス噴射部４にいくに従って大きく
なり、ガス１３の絞り込みによるうず発生抑止効果を発
揮する限り、三段以上としてもよいし、段差構造でな
く、図８に示すように、連続的にテーパ角を変化させる
よう喇叭状に形成してもよい。また、この発明のシャワ
ーノズルは、プラズマエッチングのみならず、プラズマ
アッシングにも適用することができる。
【００１４】
【発明の効果】本発明のシャワーノズルは、中空円錐体
をなすガス案内部と、このガス案内部の径小側端部に同
軸に連結された中空円筒状のガス導入部と、ガス案内部
の径大側端部に同軸に連結されたガス噴射部と、このガ
ス噴射部の裏面側中央に同軸に固定された紡錘状のガス
分散部とからなり、かつ、ガス案内部内周面のテーパ角
を、ガス導入部から導入されてきたガスを、ガス分散部
とガス案内部により絞り込むような角度に設定したの
で、シャワーノズル内部におけるガスのうず発生を防止
することができる。その結果、うず発生に基因するガス
の不活性化がなくなり、かつ、ガス噴射部におけるガス
の垂直方向の速度分布が均一化する。したがって、この
実施例のシャワーノズルをプラズマエッチング装置に組
み込んだ場合、基板上でのエッチング反応速度が均一化
し、歩留向上に寄与することができる。
をなすガス案内部と、このガス案内部の径小側端部に同
軸に連結された中空円筒状のガス導入部と、ガス案内部
の径大側端部に同軸に連結されたガス噴射部と、このガ
ス噴射部の裏面側中央に同軸に固定された紡錘状のガス
分散部とからなり、かつ、ガス案内部内周面のテーパ角
を、ガス導入部から導入されてきたガスを、ガス分散部
とガス案内部により絞り込むような角度に設定したの
で、シャワーノズル内部におけるガスのうず発生を防止
することができる。その結果、うず発生に基因するガス
の不活性化がなくなり、かつ、ガス噴射部におけるガス
の垂直方向の速度分布が均一化する。したがって、この
実施例のシャワーノズルをプラズマエッチング装置に組
み込んだ場合、基板上でのエッチング反応速度が均一化
し、歩留向上に寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例のシャワーノズルの全体構成
図である。
図である。
【図２】本発明の一実施例のシャワーノズルが組み込ま
れたエッチング装置の説明図である。
れたエッチング装置の説明図である。
【図３】本発明の一実施例のシャワーノズル中における
ガスの流れを示す流線図である。
ガスの流れを示す流線図である。
【図４】従来のシャワーノズル中におけるガスの流れを
示す流線図である。
示す流線図である。
【図５】従来のシャワーノズルの全体構成図である。
【図６】従来のシャワーノズルにおけるガスの垂直方向
の速度分布を示すグラフである。
の速度分布を示すグラフである。
【図７】本発明の一実施例のシャワーノズルにおけるガ
スの垂直方向の速度分布を示すグラフである。
スの垂直方向の速度分布を示すグラフである。
【図８】本発明の他の実施例のシャワーノズルの全体構
成図である。
成図である。
【図９】従来のシャワーノズルの全体構成図である。
１：シャワーノズル，２：ガス案内部，３：ガス導入
部，４：ガス噴射部，５：ガス分散部。
部，４：ガス噴射部，５：ガス分散部。
Claims (1)
- 【請求項１】中空円錐体をなし径小側端部から径大側端
部にガスを案内するガス案内部と、このガス案内部の径
小側端部に連結され上記ガスを上記ガス案内部に導入す
る中空円筒状のガス導入部と、ガス案内部の径大側端部
に同軸に連結され上記ガスを噴出する複数の噴気孔が穿
設されたガス噴射部と、上記ガス案内部により形成され
た空間中央部に同軸に配設され上記ガス導入部により導
入されたガスを遠心方向に分散させる紡錘状のガス分散
部とを具備し、上記ガス案内部の内周面は、径小側より
も径大側の方が拡径率が大きく設けられていることを特
徴とするシャワーノズル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP189292A JPH05184977A (ja) | 1992-01-09 | 1992-01-09 | シャワーノズル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP189292A JPH05184977A (ja) | 1992-01-09 | 1992-01-09 | シャワーノズル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05184977A true JPH05184977A (ja) | 1993-07-27 |
Family
ID=11514237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP189292A Pending JPH05184977A (ja) | 1992-01-09 | 1992-01-09 | シャワーノズル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05184977A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH098000A (ja) * | 1995-06-20 | 1997-01-10 | Shibaura Eng Works Co Ltd | ドライエッチング装置 |
| JP2002057146A (ja) * | 2000-04-26 | 2002-02-22 | Axcelis Technologies Inc | プラズマ処理室及びバッフル板アセンブリ |
| JP2007520880A (ja) * | 2004-01-12 | 2007-07-26 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | プラズマリアクター用のガス分配プレートアセンブリ |
| JP2007266610A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Tokyo Electron Ltd | エッチング後の処理システムのためのガス分配システム |
| JP2008066662A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Ulvac Japan Ltd | ガスヘッドおよび半導体製造装置 |
| JP2009074180A (ja) * | 2008-11-17 | 2009-04-09 | Tokyo Electron Ltd | Ｃｖｄ処理装置及びｃｖｄ処理方法 |
| JP2009531858A (ja) * | 2006-03-28 | 2009-09-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板上の残留物を除去するための後エッチング処理システム |
| JP2010518602A (ja) * | 2007-02-06 | 2010-05-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム用の多領域気体供給システム |
-
1992
- 1992-01-09 JP JP189292A patent/JPH05184977A/ja active Pending
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