JPH098000A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
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- JPH098000A JPH098000A JP15346295A JP15346295A JPH098000A JP H098000 A JPH098000 A JP H098000A JP 15346295 A JP15346295 A JP 15346295A JP 15346295 A JP15346295 A JP 15346295A JP H098000 A JPH098000 A JP H098000A
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Abstract
図ることができるドライエッチング装置を提供する。 【構成】 エッチングガスを励起させて活性種を生成す
るプラズマ発生室(14)と、被処理物(S)をエッチ
ング処理するエッチング室(2)と、前記プラズマ発生
室(14)と前記エッチング室(2)とを連通するガス
輸送経路(9、10、20)とを備えている。そして、
前記ガス輸送経路(9、10、20)のガス放出口(2
1)と前記被処理物(S)との間にエッチングガスを分
散させる分散板(22)を少なくともその外周縁が前記
エッチング室(2)の空間内に露呈するようにして設け
る。
Description
係わり、特に、高い面内均一性を確保しつつ高速で被処
理物をエッチングすることができるドライエッチング装
置に関する。
ング室と放電室とが分離されたケミカルドライエッチン
グ装置(以下、「CDE装置」と呼ぶ。)がある。この
CDE装置は、エッチングガスをマイクロ波で励起する
ことによって生成された長寿命の活性種(ラジカル)を
真空状態のエッチング室内に導入し、液晶ディスプレイ
(LCD)用ガラス基板(以下、「LCD基板」と呼
ぶ。)や半導体製造用シリコンウエハといった被処理物
を等方的にエッチングする装置である。そして、このC
DE装置によれば、プラズマ発生室とエッチング室とが
分離されているので、被処理物がプラズマにさらされる
ことがなく、プラズマによる被処理物の直接ダメージを
防止することができる。
装置の概要を示す。図6において符号1は真空容器を示
し、この真空容器1の内部にエッチング室2が形成され
ている。また、真空容器1の内部にはエッチングテーブ
ル3が設けられており、このエッチングテーブル3の上
には被処理物であるLCD基板Sが載置されている。真
空容器1の底板4には排気口5が穿設されており、この
排気口5には、一端が真空ポンプ(図示を省略)に接続
された排気管6が取り付けられている。真空容器1の天
板7にはガス導入口8が穿設されており、このガス導入
口8にはテフロン材料で形成された連絡配管9が取り付
けられている。この連絡配管9には石英管10の一端が
接続されており、この石英管10の他端にはガス流路を
備えた封止部材11が取り付けられている。石英管10
の途中には導波管12を備えたプラズマ発生装置13が
石英管10を取り囲むようにして設けられており、この
プラズマ発生装置13によって取り囲まれた石英管10
の内部にプラズマ発生室14が形成されている。
ガス導入口8を介してエッチング室2の内部に導入され
た活性種を、LCD基板Sの表面全体にわたって均一に
供給するために、エッチング室2の上部にガス貯留室1
5を形成するようにしてシャワーノズル16が設けられ
ている。そして、シャワーノズル16には多数のガス噴
出口17が穿設されており、このガス噴出口17の口径
は、ガス貯留室15に蓄えられた活性種がLCD基板S
に対して勢い良く均一に噴射される程度に小さく設定さ
れている。
て、まず、排気管6及び排気口5を介して真空容器1の
内部を真空ポンプによって真空状態にする。次に、ガス
流路を備えた封止部材11を介してエッチングガスを石
英管10の一端から導入し、プラズマ発生装置13の導
波管12を介してプラズマ発生室14にマイクロ波を照
射する。すると、プラズマ発生室14の内部にグロー放
電が生じてプラズマPが発生し、エッチングガスが励起
されて活性種が生成される。この活性種を石英管10及
び連絡配管9を介してガス導入口8からガス貯留室15
の内部に供給する。ガス貯留室15の内部に供給された
活性種は、ガス貯留室15とエッチング室2との圧力差
によって、ガス噴出口17からエッチング室2の内部に
勢い良く均一に噴射される。そして、エッチング室2の
内部に供給された活性種は、エッチングテーブル3の上
に載置されたLCD基板Sの表面に到達してLCD基板
Sの表面をエッチングする。
ッチングするために広く用いられてきたが、近年、LC
D基板やシリコンウエハの大型化がさらに進み、このよ
うな大型の被処理物に対してもエッチングの面内均一性
を確保できると共にエッチング速度の向上を図りうる装
置が求められている。ここで、大型の被処理物を高速か
つ均一にエッチングするためには、マイクロ波電力の増
大、エッチングガス流量の増大、低圧力化といった方法
によってエッチャントを増加させる必要がある。
イエッチング装置においては、シャワーノズル16のガ
ス噴出口17の口径が小さいため、ガス噴出口17を介
してガス貯留室15からエッチング室2に活性種が噴出
される際の抵抗(圧力差)が大きく、この抵抗によって
活性種の活性が失われる(失活する)という問題があ
り、この問題はエッチングガス流量の増加等に伴ってま
すます深刻化している。また、ガス噴出口17における
抵抗が大きいと圧力変動も大きくなり、この圧力変動に
よっても活性種の失活が引き起こされる。さらに、複数
種の活性種を含む混合ガスをエッチングガスとして使用
した場合、活性種の種類、特に質量の違いによって個々
の活性種の平均自由行程が異なるため、小口径のガス噴
出口17を通過する確率が活性種毎に異なり、この結
果、ガス噴出口17から噴出されるガスの成分比が変化
してしまう。
ッチングガス中の活性種の成分比が変化した場合には、
エッチング速度の低下や面内均一性の低下を招くばかり
でなく、エッチング速度の制御が極めて難しくなるとい
う問題がある。例えば、図7は従来のCDE装置を用い
てLCD基板の表面に形成されたMoTa薄膜をエッチ
ングした結果を示しているが、この図から分かるよう
に、LCD基板の中心部のエッチング速度が大きく、周
辺部のエッチング速度が小さく、エッチングの面内均一
性が極めて悪い。そして、この現象は、LCD基板が大
型化するに従って顕著に現れる。
を解消し、エッチング速度の増加と面内均一性の向上を
図ることができるドライエッチング装置を提供すること
にある。
エッチングガスを励起させて活性種を生成するプラズマ
発生室と、被処理物をエッチング処理するエッチング室
と、前記プラズマ発生室と前記エッチング室とを連通す
るガス輸送経路とを備えたドライエッチング装置におい
て、前記ガス輸送経路のガス放出口と前記被処理物との
間にエッチングガスを分散させる分散板を少なくともそ
の外周縁が前記エッチング室の空間内に露呈するように
して設けたことを特徴とする。
は前記ガス放出口を有する複数の分岐経路を備え、前記
各ガス放出口と前記被処理物との間にエッチングガスを
分散させる前記各分散板を少なくともその外周縁が前記
エッチング室の空間内に露呈するようにして設けたこと
を特徴とする。
は前記エッチング室の内部に形成されたガス貯留室を備
え、このガス貯留室は複数の前記ガス放出口を有し、前
記各ガス放出口と前記被処理物との間にエッチングガス
を分散させる前記各分散板を少なくともその外周縁が前
記エッチング室の空間内に露呈するようにして設けたこ
とを特徴とする。
前記エッチング室の内部に設けられた仕切り板によって
形成され、前記複数のガス放出口は前記仕切り板に穿設
された複数の孔によって形成されていることを特徴とす
る。
のガス放出口からエッチング室の内部に放出された活性
種を含むエッチングガスは、ガス放出口と被処理物との
間に設けられた分散板に衝突する。分散板に衝突したエ
ッチングガスはその流れが偏向され、分散板の表面に沿
って分散板の外周縁方向の全方位に向かって流れる。そ
して、分散板の外周縁に達したエッチングガスの流れ
は、一部は分散板の裏面に回り込んだ後に被処理物の方
向へ向かい、一部は分散板の裏面に回り込むことなく被
処理物の方向へ向かい、全体として被処理物の表面に対
してほぼ均一にエッチングガスの流れが分散される。そ
して、被処理物の表面の全体にわたって均一に活性種が
供給されて均一にエッチングされる。
含むエッチングガスは、複数の分岐経路によってその流
れが分岐された後に複数のガス放出口からエッチング室
の内部に放出される。各ガス放出口から放出されたエッ
チングガスは、各ガス放出口と被処理物との間に設けら
れた各分散板に衝突する。分散板に衝突したエッチング
ガスはその流れが偏向され、分散板の表面に沿って分散
板の外周縁方向の全方位に向かって流れる。そして、分
散板の外周縁に達したエッチングガスの流れは、一部は
分散板の裏面に回り込んだ後に被処理物の方向へ向か
い、一部は分散板の裏面に回り込むことなく被処理物の
方向へ向かい、全体として被処理物の表面に対してほぼ
均一にエッチングガスの流れが分散される。そして、被
処理物の表面の全体にわたって均一に活性種が供給され
て均一にエッチングされる。
含むエッチングガスは、エッチング室の内部に形成され
たガス貯留室に流れ込み、このガス貯留室から複数のガ
ス放出口を介してエッチング室の内部に放出される。各
ガス放出口から放出されたエッチングガスは、各ガス放
出口と被処理物との間に設けられた各分散板に衝突す
る。分散板に衝突したエッチングガスはその流れが偏向
され、分散板の表面に沿って分散板の外周縁方向の全方
位に向かって流れる。そして、分散板の外周縁に達した
エッチングガスの流れは、一部は分散板の裏面に回り込
んだ後に被処理物の方向へ向かい、一部は分散板の裏面
に回り込むことなく被処理物の方向へ向かい、全体とし
て被処理物の表面に対してほぼ均一にエッチングガスの
流れが分散される。そして、被処理物の表面の全体にわ
たって均一に活性種が供給されて均一にエッチングされ
る。
含むエッチングガスは、エッチング室の内部に設けられ
た仕切り板によって形成されたガス貯留室の内部に流れ
込み、仕切り板に穿設された複数の孔によって形成され
たガス放出口を介してエッチング室の内部に放出され
る。各ガス放出口から放出されたエッチングガスは、各
ガス放出口と被処理物との間に設けられた各分散板に衝
突する。分散板に衝突したエッチングガスはその流れが
偏向され、分散板の表面に沿って分散板の外周縁方向の
全方位に向かって流れる。そして、分散板の外周縁に達
したエッチングガスの流れは、一部は分散板の裏面に回
り込んだ後に被処理物の方向へ向かい、一部は分散板の
裏面に回り込むことなく被処理物の方向へ向かい、全体
として被処理物の表面に対してほぼ均一にエッチングガ
スの流れが分散される。そして、被処理物の表面の全体
にわたって均一に活性種が供給されて均一にエッチング
される。
第1の実施例について図面を参照して説明する。なお、
図6に示した従来例と同一部材には同一符号を付して詳
細な説明は省略する。
し、このガス分岐管20はガス導入口8に連通するよう
にして設けられている。ここで、ガス分岐管20の内径
は石英管10や連絡配管9の内径と共通である。ガス分
岐管20の出口端部にはガス放出口21が形成されてお
り、また、ガス分岐管20の出口端部にはガス分散板2
2が支持棒23を介して取り付けられている。ガス分散
板22は図2に示したように円盤状を成しており、支持
棒23によってガス分岐管20のガス放出口21から所
定距離だけ離間して配置されている。そして、ガス分散
板22は、その外周縁を含めて全体がエッチング室2の
空間内に露呈している。
2までの距離、ガス分散板22からLCD基板Sまでの
距離、ガス分散板22の直径、ガス放出口21の口径
は、LCD基板Sの大きさ、真空容器1の内部の排気能
力、エッチングガスの総流量等に応じて適宜最適化して
設定する。
プラズマ発生室14において生成された活性種を含むエ
ッチングガスは、石英管10及び連絡配管9の内部を経
由してガス導入口8に達する。そして、エッチングガス
はガス導入口8を介してガス分岐管20の内部に流入
し、このガス分岐管20によってエッチングガスの流れ
が分岐される。ここで、ガス分岐管20の内径は石英管
10や連絡配管9の内径と共通するので、ガス分岐管2
0の内部で活性種が圧力差によって失活することがな
い。
された活性種を含むエッチングガスは、ガス分散板22
の表面に衝突して流れが偏向され、ガス分散板22の表
面に沿ってガス分散板22の外周縁方向の全方位に向か
って流れる。そして、ガス分散板22の外周縁に達した
活性種を含むエッチングガスの流れは、図3に示したよ
うに一部はガス分散板22の裏面に回り込んだ後にLC
D基板Sの方向へ向かい、一部はガス分散板22の裏面
に回り込むことなくLCD基板Sの方向へ向かい、全体
としてLCD基板Sの表面に対してほぼ均一に活性種を
含むエッチングガスの流れが分散される。そして、LC
D基板Sの表面の全体にわたって均一に活性種が供給さ
れて均一にエッチングされる。
分岐管20の内径は石英管10や連絡配管9の内径と共
通するのでガス分岐管20の内部で活性種が失活するこ
とがなく、このため、LCD基板Sのエッチング速度が
低下することがなく、また、ガス分散板22によって活
性種を含むエッチングガスの流れがLCD基板Sの表面
に対してほぼ均一に分散されるので、LCD基板Sの表
面の全体にわたって均一に活性種が供給され、高い面内
均一性でエッチングを行うことができる。図4は、本実
施例によってLCD基板Sをエッチングした場合のエッ
チング特性を示したものであり、この図から分かるよう
にLCD基板Sの全体にわたってほぼ均一なエッチング
速度が達成されている。
失活しない程度の大きさを備えていればよく、本実施例
のような石英管10や連絡配管9の内径と共通するもの
には限定されない。また、ガス分散板22の形状も、本
実施例のような円盤形状のものには限定されず、エッチ
ングガスを全方位に分散できる形状のものであればよ
い。
の第2の実施例について図面を参照して説明する。図5
に示したように、真空容器1の内部には、エッチング室
2の上部にガス貯留室15を形成するようにして仕切り
板30が設けられている。仕切り板30にはガス放出口
31が穿設されており、このガス放出口31の口径は活
性種が失活しないように十分に大きく設定されている。
ガス放出口31の直下にはガス分散板22が支持棒23
を介して設けられている。そして、ガス分散板22は、
その外周縁を含めて全体がエッチング室2の空間内に露
呈している。
活性種を含むエッチングガスはガス導入口8を介してガ
ス貯留室15に流入し、ガス放出口31を介してエッチ
ング室2へ放出される。ここで、ガス放出口31は十分
に大きな口径を備えているので、このガス放出口31を
通過する際に活性種が失活することがなく、また、放出
されるエッチングガス内の活性種の成分比が変化するこ
ともない。ガス放出口31から放出されたエッチングガ
スは、ガス分散板22の表面に衝突して流れが偏向さ
れ、ガス分散板22の表面に沿ってガス分散板22の外
周縁方向の全方位に向かって流れる。そして、ガス分散
板22の外周縁に達したエッチングガスの流れは、図3
に示したように一部はガス分散板22の裏面に回り込ん
だ後にLCD基板Sの方向へ向かい、一部はガス分散板
22の裏面に回り込むことなくLCD基板Sの方向へ向
かい、全体としてLCD基板Sの表面に対してほぼ均一
に活性種を含むエッチングガスの流れが分散される。
放出口31の口径が十分に大きいので活性種が失活する
ことがなく、このため、LCD基板Sのエッチング速度
が低下することがなく、また、ガス分散板22によって
活性種を含むエッチングガスの流れがLCD基板Sの表
面に対してほぼ均一に分散されるので、LCD基板Sの
表面の全体にわたって均一に活性種が供給され、高い面
内均一性でエッチングを行うことができる。
経路のガス放出口と被処理物との間にエッチングガスを
分散させる分散板を少なくともその外周縁がエッチング
室の空間内に露呈するようにして設け、活性種の輸送経
路の途中に大きな圧力差が生じることがないので、プラ
ズマ発生室で生成された活性種が被処理物に到達する前
に失活することがなく、このため、被処理物のエッチン
グ速度が低下することがなく、また、分散板によって活
性種を含むエッチングガスの流れが被処理物の表面に対
して均一に分散されるので、被処理物の表面の全体にわ
たって均一に活性種が供給され、高い面内均一性でエッ
チングを行うことができる。
路はガス放出口を有する複数の分岐経路を備え、各ガス
放出口と被処理物との間にエッチングガスを分散させる
各分散板を少なくともその外周縁が前記エッチング室の
空間内に露呈するようにして設け、活性種の輸送経路の
途中に大きな圧力差が生じることがないので、プラズマ
発生室で生成された活性種が被処理物に到達する前に失
活することがなく、このため、被処理物のエッチング速
度が低下することがなく、また、複数のガス放出口から
放出されたエッチングガスが複数の分散板によってその
流れが被処理物の表面に対して均一に分散されるので、
被処理物の表面の全体にわたって均一に活性種が供給さ
れ、極めて高い面内均一性でエッチングを行うことがで
きる。
路はエッチング室の内部に形成されたガス貯留室を備
え、このガス貯留室は複数のガス放出口を有し、各ガス
放出口と被処理物との間にエッチングガスを分散させる
各分散板を少なくともその外周縁がエッチング室の空間
内に露呈するようにして設け、活性種の輸送経路の途中
に大きな圧力差が生じることがないので、プラズマ発生
室で生成された活性種が被処理物に到達する前に失活す
ることがなく、このため、被処理物のエッチング速度が
低下することがなく、また、複数のガス放出口から放出
されたエッチングガスが複数の分散板によってその流れ
が被処理物の表面に対して均一に分散されるので、被処
理物の表面の全体にわたって均一に活性種が供給され、
極めて高い面内均一性でエッチングを行うことができ
る。
はエッチング室の内部に設けられた仕切り板によって形
成され、複数のガス放出口は仕切り板に穿設された複数
の孔によって形成されており、活性種の輸送経路の途中
に大きな圧力差が生じることがないので、プラズマ発生
室で生成された活性種が被処理物に到達する前に失活す
ることがなく、このため、被処理物のエッチング速度が
低下することがなく、また、複数のガス放出口から放出
されたエッチングガスが複数の分散板によってその流れ
が被処理物の表面に対して均一に分散されるので、被処
理物の表面の全体にわたって均一に活性種が供給され、
極めて高い面内均一性でエッチングを行うことができ
る。
例を示した縦断面図。
例を示した縦断面図。
図。
Claims (4)
- 【請求項1】エッチングガスを励起させて活性種を生成
するプラズマ発生室と、被処理物をエッチング処理する
エッチング室と、前記プラズマ発生室と前記エッチング
室とを連通するガス輸送経路とを備えたドライエッチン
グ装置において、前記ガス輸送経路のガス放出口と前記
被処理物との間にエッチングガスを分散させる分散板を
少なくともその外周縁が前記エッチング室の空間内に露
呈するようにして設けたことを特徴とするドライエッチ
ング装置。 - 【請求項2】前記ガス輸送経路は前記ガス放出口を有す
る複数の分岐経路を備え、前記各ガス放出口と前記被処
理物との間にエッチングガスを分散させる前記各分散板
を少なくともその外周縁が前記エッチング室の空間内に
露呈するようにして設けたことを特徴とする請求項1に
記載のドライエッチング装置。 - 【請求項3】前記ガス輸送経路は前記エッチング室の内
部に形成されたガス貯留室を備え、このガス貯留室は複
数の前記ガス放出口を有し、前記各ガス放出口と前記被
処理物との間にエッチングガスを分散させる前記各分散
板を少なくともその外周縁が前記エッチング室の空間内
に露呈するようにして設けたことを特徴とする請求項1
に記載のドライエッチング装置。 - 【請求項4】前記ガス貯留室は前記エッチング室の内部
に設けられた仕切り板によって形成され、前記複数のガ
ス放出口は前記仕切り板に穿設された複数の孔によって
形成されていることを特徴とする請求項3に記載のドラ
イエッチング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7153462A JP2846274B2 (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7153462A JP2846274B2 (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | ドライエッチング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH098000A true JPH098000A (ja) | 1997-01-10 |
JP2846274B2 JP2846274B2 (ja) | 1999-01-13 |
Family
ID=15563096
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7153462A Expired - Fee Related JP2846274B2 (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2846274B2 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1995
- 1995-06-20 JP JP7153462A patent/JP2846274B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
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JP2846274B2 (ja) | 1999-01-13 |
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