JP2004349501A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
基板処理方法および基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004349501A JP2004349501A JP2003145267A JP2003145267A JP2004349501A JP 2004349501 A JP2004349501 A JP 2004349501A JP 2003145267 A JP2003145267 A JP 2003145267A JP 2003145267 A JP2003145267 A JP 2003145267A JP 2004349501 A JP2004349501 A JP 2004349501A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flow rate
- fluid nozzle
- gas
- pure water
- processing liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Nozzles (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】この基板処理装置1は、純水(DIW)および窒素ガスを導入して純水の液滴を噴射する二流体ノズル2およびコントローラ20を備えている。純水は、純水供給源から純水配管24を介して二流体ノズル2に導入されるようになっている。窒素ガスは、窒素ガス供給源から窒素ガス配管25を介して二流体ノズル2に導入されるようになっている。純水配管24および窒素ガス配管25には、バルブ24V,25Vがそれぞれ介装されている。コントローラ20は、二流体ノズル2から噴射される液滴のボリュームミーディアン径が5μmないし40μmになるようにバルブ24V,25Vを調整できる。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板などの被処理基板の表面を洗浄するための基板処理方法および基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程において、半導体ウエハ(以下、「ウエハ」という。)の表面にはパーティクルが付着する。このため、製造工程の適当な段階でウエハの表面を洗浄する必要がある。
ウエハ表面の洗浄方法としては、処理液と気体とを混合することにより処理液の液滴を生成し、この液滴を処理対象のウエハ表面に衝突させる方法がある。この方法によれば、処理液の液滴がウエハに衝突する際の運動エネルギーにより、ウエハ表面に付着したパーティクルを物理的に除去することができる。
【0003】
下記特許文献1によれば、液滴の粒径が1μmないし100μmであるとき、ウエハ上の汚染物を良好に除去でき、また、液滴の粒径がこの範囲にあるとき汚染物の除去効率はほぼ同じであるとされている。
【0004】
【特許文献1】
特開平8−318181号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、ウエハの表面には、微細な配線パターンが形成されており、ウエハを良好に洗浄できる粒径を有する液滴を用いた場合であっても、配線パターンが損傷を受けることがあった。
そこで、この発明の目的は、基板の表面に与えられる損傷を少なくして洗浄できる基板処理方法を提供することである。
【0006】
この発明の他の目的は、基板の表面に与えられる損傷を少なくして洗浄できる基板処理装置を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の課題を解決するための請求項1記載の発明は、処理液と気体とを混合して処理液の液滴を生成する液滴生成工程と、この液滴生成工程で生成された処理液の液滴を、処理対象の基板(W)の表面に衝突させる工程とを含む基板処理方法であって、当該処理液の液滴のボリュームミーディアン径が5μmないし40μmであることを特徴とする基板処理方法。
【0008】
なお、括弧内の英字は後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、括弧内の数字を含め、この項において同じ。
この発明によれば、処理液の液滴のボリュームミーディアン径は5μmないし40μmの範囲内にされる。ここで、ボリュームミーディアン径とは、液滴の粒径であって、観測されたすべての液滴の体積に対するその粒径より大きな(または、小さな)液滴の体積の合計が占める割合が50%であるような粒径をいう。
【0009】
処理液の液滴のボリュームミーディアン径がこのような範囲より大きい場合、二流体ノズルに導入される気体の流量を少なくして、処理液の液滴の運動エネルギーを小さくしなければ、処理液の液滴が基板に衝突することによる基板の損傷を少なくすることができなかった。ところが、これにより、基板の処理効率(たとえば、基板の処理が基板表面に付着したパーティクルの除去である場合、パーティクルの除去率)が低下してしまう。
【0010】
これに対して、本発明のように処理液の液滴のボリュームミーディアン径が5μmないし40μmの範囲内になるように制御することにより、二流体ノズルに導入される気体の流量を少なくしなくても、基板の表面(たとえば、基板の表面に形成された配線パターン)に与えられる損傷を少なくすることができる。これにより、基板の処理を良好に行うことができる。
処理液は、たとえば、純水(脱イオン水;DIW)であってもよく、アンモニア、過酸化水素水、および水の混合溶液のような薬液であってもよい。
【0011】
処理液の液滴のボリュームミーディアン径は、請求項2記載のように、10μmないし16μmであることが好ましい。
これにより、基板に与えられる損傷をより少なくすることができるとともに、基板の処理をより良好に行うことができる。たとえば、この基板処理方法によりウエハの洗浄を行う場合、ウエハに形成された配線パターンに損傷が与えられて生ずる欠陥の数を0にしつつ、ウエハ表面に付着したパーティクルの除去率を95%以上にすることができる。
【0012】
このようなボリュームミーディアン径を有する処理液の液滴は、請求項3記載のように、上記液滴生成工程において、当該処理液と衝突させるために供給される当該気体の流量を、58リットル/minないし78リットル/minとすることにより得ることができる。このときの当該気体と衝突させるために供給される当該処理液の流量は、請求項4記載のようにほぼ100ml/minとすることができる。
【0013】
請求項5記載の発明は、ケーシング(34)と処理液を吐出する液体吐出口(39a)と気体を吐出する気体吐出口(34a)とを有し、上記ケーシング内に処理液および気体を導入し、上記ケーシング外で上記液体吐出口から吐出される処理液に上記気体吐出口から吐出される気体を吹きつけて処理液の液滴を生成し、この液滴を基板の表面に噴射する二流体ノズル(2)と、上記二流体ノズルに導入される処理液の流量を調整する液体流量調整機構(24V)と、上記二流体ノズルに導入される気体の流量を調整する気体流量調整機構と、上記二流体ノズルから噴射される液滴のボリュームミーディアン径が5μmないし40μmになるように、上記液体流量調整機構および上記気体流量調整機構を制御するコントローラ(20)とを備えたことを特徴とする基板処理装置(1)である。
【0014】
この発明に係る基板処理装置により、請求項1記載の基板処理方法を実施することができ、請求項1記載の基板処理方法と同様の効果を奏することができる。
二流体ノズルが、ほぼ閉じられたケーシング内で処理液および気体が衝突されて混合されるもの(いわゆる内部混合型の二流体ノズル)である場合は、二流体ノズルに導入される処理液の圧力と気体の圧力とは、互いに影響され独立に調整することができない。
【0015】
これに対して、本発明のようにケーシング外で処理液に気体を吹きつけて液滴を生成する外部混合型の二流体ノズルを用いた場合、二流体ノズルに導入される処理液の圧力と気体の圧力とは独立に調整できる。したがって、二流体ノズルに導入される処理液の流量および気体の流量を、それぞれ処理液の圧力および気体の圧力により調整する場合、処理液の流量と気体の流量とを独立に調整することができる。
【0016】
また、ケーシング内で処理液と気体とを混合したときのように、基板の処理を終了した後などにそのケーシングから基板の上に処理液が落ちることはない。
上記コントローラは、請求項6記載のように、上記二流体ノズルから噴射される液滴のボリュームミーディアン径が10μmないし16μmになるように、上記液体流量調整機構および上記気体流量調整機構を制御するものであることが好ましい。これにより、請求項2記載の基板処理方法を実施することができ、請求項2記載の基板処理方法と同様の効果を奏することができる。
【0017】
この場合、上記コントローラは、二流体ノズルに導入される気体の流量が58リットル/minないし78リットル/minになるように上記気体流量調整機構を制御するものとすることができる。また、この場合、上記コントローラは、二流体ノズルに導入される処理液の流量がほぼ100ml/minになるように上記液体流量調整機構を制御するものとすることができる。
これにより、二流体ノズルにより生成される処理液の液滴のボリュームミーディアン径が10μmないし16μmになるようにすることができる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下では、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構造を示す図解的な側面図である。
この基板処理装置1は、半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」という。)Wの表面を洗浄するためのものであり、ウエハWを保持して回転するスピンチャック10と、スピンチャック10に保持されたウエハWに純水の液滴を供給する二流体ノズル2とを含んでいる。
【0019】
スピンチャック10は、鉛直方向に沿って配置された回転軸11およびその上端に垂直に取り付けられた円板状のスピンベース12を備えている。スピンベース12の上面周縁部には、スピンベース12の周方向に適当な間隔をあけて、複数本のチャックピン13が立設されている。チャックピン13は、ウエハWの下面周縁部を支持しつつ、ウエハWの端面(周面)に当接し、他のチャックピン13と協働してウエハWを挟持できるようになっている。ウエハWは、スピンチャック10により、その中心が回転軸11の中心軸上にのるように、ほぼ水平に保持されるようになっている。
【0020】
回転軸11には回転駆動機構14が結合されており、回転軸11をその中心軸のまわりに回転させることができるようになっている。これによりスピンチャック10に保持されたウエハWを回転させることができるようになっている。
二流体ノズル2には、純水配管24を介して、純水供給源から純水(脱イオン水;DIW)を供給可能である。純水配管24には、バルブ24Vが介装されており、二流体ノズル2に供給される純水の流路の開閉、および純水の流量の調節を行うことができるようになっている。また、純水配管24において、バルブ24Vより下流側(バルブ24Vと二流体ノズル2との間)には、流量計24Fが介装されている。流量計24Fにより、二流体ノズル2二導入される純水の流量を測定できる。
【0021】
また、二流体ノズル2には、窒素ガス配管25を介して、窒素ガス供給源から高圧の窒素ガスを供給可能である。窒素ガス配管25にはバルブ25Vが介装されており、二流体ノズル2に供給される窒素ガスの流路の開閉、および窒素ガスの流量の調節を行うことができるようになっている。窒素ガス配管25において、バルブ25Vより下流側(バルブ25Vと二流体ノズル2との間)には、圧力計25Pおよび流量計25Fが介装されており、それぞれ、二流体ノズル2に導入される窒素ガスの圧力および流量を測定できるようになっている。
【0022】
二流体ノズル2は、アーム21を介してノズル移動機構23に結合されている。ノズル移動機構23は、鉛直方向に沿った揺動軸のまわりにアーム21を揺動させることによって、アーム21に接続された二流体ノズル2をウエハW上で移動させることができる。これにより、二流体ノズル2による処理位置を、スピンチャック10に保持されたウエハWの中心部から周縁部に至る各部に移動することができる。
【0023】
バルブ24V,25Vの開閉、ならびに回転駆動機構14およびノズル移動機構23の動作はコントローラ20により制御できるようになっている。
図2は、二流体ノズル2の構造を示す図解的な断面図である。
二流体ノズル2は、いわゆる、外部混合型のものであり、開放された空間で処理液に気体を衝突させて処理液の液滴を生成することができる。二流体ノズル2は、内管39とそのまわりに配置されケーシングを構成する外管34とを含んでおり、ほぼ円柱状の外形を有している。内管39と外管34とは、共通の中心軸Qを有して同軸状に配置されている。内管39の内部は、液体供給孔39bとなっている。内管39と外管34との間には、中心軸Qを有する環状間隙である気体供給孔34bが形成されている。
【0024】
気体供給孔34bは、二流体ノズル2の一方の端部では、環状の気体吐出口34aとして開口しており、二流体ノズル2の他方の端部では、内管39と外管34とが接しており開口は形成されていない。気体供給孔34bは、二流体ノズル2の軸方向中央部では径がほぼ一定であるが、気体吐出口34a近傍では、気体吐出口34aから一定距離離れた点に収束するように、端部に向かって径が小さくなっている。
【0025】
液体供給孔39bは、気体吐出口34aの中心部近傍に液体吐出口39aとして開口している。基板処理装置1において、二流体ノズル2は、液体吐出口39aおよび気体吐出口34aが下方に向くように取り付けられている。
二流体ノズル2の液体吐出口39a側とは反対側の端部には、純水配管24が接続されている。純水配管24の内部空間と液体供給孔39bとは連通しており、液体供給孔39bに純水を導入できるようになっている。また、二流体ノズル2の側面で中心軸Q方向のほぼ中間部には、窒素ガス配管25が接続されている。窒素ガス配管25の内部空間と気体供給孔34bとは連通しており、気体供給孔34bに窒素ガスを導入できるようになっている。
【0026】
純水配管24から二流体ノズル2に純水を供給すると、純水は液体吐出口39aから吐出される。窒素ガス配管25から二流体ノズル2に窒素ガスを供給すると、窒素ガスは気体吐出口34aから吐出される。吐出された純水はほぼ直進するが、環状に吐出された窒素ガスはケーシング(外管34)外の収束点に向かって収束するように進む。このため、純水と窒素ガスとが同時に供給されると、窒素ガスと純水とは収束点で衝突して混合され、純水は液滴にされて進む。すなわち、純水の液滴の噴流が形成される。
【0027】
図1を参照して、ウエハWの表面を洗浄するときは、回転駆動機構14によりスピンチャック10に保持されたウエハWを回転させ、ノズル移動機構23により二流体ノズル2をウエハWの上で移動させながら、二流体ノズル2からウエハWの上面に向かって純水の液滴を噴射させる。二流体ノズル2は、ウエハWの中心に対向する位置とウエハWの周縁部に対向する位置との間で移動される。これにより、ウエハWの上面全域が均一に処理される。
【0028】
二流体ノズル2に高圧の窒素ガスを導入することにより、ウエハWの表面に大きな運動エネルギーを持つ純水の液滴を衝突させることができる。このとき、純水の液滴の運動エネルギーにより、ウエハWの表面に付着したパーティクルが物理的に除去される。
一方、ウエハWには、表面に微細な配線パターンが形成されたものがある。ウエハWの表面に、大きな粒径を有する純水の液滴が衝突すると、このような微細な配線パターが破壊されることがある。
【0029】
この基板処理装置1に備えられた二流体ノズル2は、ボリュームミーディアン径が5ないし40μmの純水の液滴を生成することができる。ここで、ボリュームミーディアン径とは、液滴の粒径であって、観測されたすべての液滴の体積に対するその粒径より大きな(または、小さな)液滴の体積の合計が占める割合が50%であるような粒径をいう。このようなボリュームミーディアン径を有する純水の液滴をウエハWに衝突させることにより、ウエハW表面に形成された微細な配線パターンをほとんど破壊することなく、ウエハWに付着したパーティクルを除去できる。
【0030】
二流体ノズル2により生成される液滴のボリュームミーディアン径は、二流体ノズル2に導入される窒素ガスの流量(バルブ25V)や純水の流量(バルブ24V)により制御できる。コントローラ20は、二流体ノズル2から噴射される液滴のボリュームミーディアン径が5μmないし40μmになるように、バルブ24Vおよびバルブ25Vを制御できる。
また、コントローラ20は、二流体ノズル2に導入される純水の流量がほぼ100ml/minになるようにバルブ24Vを制御できるとともに、二流体ノズル2に導入される窒素ガスの流量が58リットル/minないし78リットル/minになるようにバルブ25Vを制御できる。これにより、二流体ノズル2から噴射される純水の液滴のボリュームミーディアン径を、10μmないし16μmに制御できる。
【0031】
二流体ノズル2は、開放された空間で内管39から吐出される液体(純水)に外管34から吐出される気体(窒素ガス)を吹き付けて液滴を生成するもの(いわゆる、外部混合型の二流体ノズル)である。この場合、二流体ノズル2に導入される気体の圧力と液体の圧力とは互いに影響を及ぼさない。したがって、二流体ノズル2に導入される気体の流量と液体の流量とを独立に調整できる。
本発明に係る一実施形態の説明は以上の通りであるが、本発明は他の形態でも実施できる。たとえば、二流体ノズル2に導入される液体は、純水に限らず、たとえば、アンモニア、過酸化水素水、および水の混合溶液などの薬液であってもよい。また、二流体ノズル2に導入される気体は、窒素ガス以外の不活性ガスであってもよく、圧縮空気であってもよい。
【0032】
二流体ノズルは、内部混合型のものであってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の変更を施すことが可能である。
【0033】
【実施例1】
図1に示す基板処理装置1を用いて、二流体ノズル2に導入する窒素ガスの圧力(以下、「噴射圧力」という。)と窒素ガスの流量との関係、および窒素ガスの流量と二流体ノズル2から噴射される純水の液滴のボリュームミーディアン径との関係を調べた。
二流体ノズル2に導入する純水の流量は200ml/min(実施例1)、100ml/min(実施例2)、および50ml/min(実施例3)の3通りとした。噴射圧力、窒素ガスの流量、および純水の流量は、それぞれ、圧力計25P、流量計25F、および流量計24Fで測定した。
【0034】
また、比較例として、従来の基板処理装置に備えられた二流体ノズル(以下、「比較ノズル」という。)を用いて同様の試験を行った。この場合、比較ノズル2に導入する純水の流量は100ml/minとした。
純水の液滴のボリュームミーディアン径は、東日コンピュータ社製のレーザ散乱光方式による粒度分布測定装置LDSA−1300Aを用いて測定した。この粒度分布測定装置によれば、二流体ノズル2から噴射される液滴に対して、噴射方向に直交する方向にレーザ光をあて、液滴による散乱光の散乱角度ごとの強度分布に基づいて、液滴の粒度分布が算出される。レーザ光は、二流体ノズル2の液体吐出口39aから30mmないし50mm離れた位置で液滴にあたるようにして測定した。
【0035】
図3は、二流体ノズル2に導入される噴射圧力と窒素ガスの流量との関係を示す図である。
噴射圧力が大きくなるに従い、窒素ガスの流量はほぼ直線的に大きくなる。また、窒素ガスの流量は、二流体ノズル2に導入する窒素ガスの圧力が同じとき、純水の流量によらずほぼ同じ値になる。すなわち、噴射圧力を調整することにより、窒素ガスの流量を純水の流量とは独立に調整できることがわかる。
【0036】
図4は、窒素ガスの流量と純水の液滴のボリュームミーディアン径との関係を示す図である。
窒素ガスの流量がいずれの場合でも、二流体ノズル2を用いた場合の方が、比較ノズルを用いた場合より、純水の液滴のボリュームミーディアン径が小さくなる。二流体ノズル2を用いた場合、純水の液滴のボリュームミーディアン径は、5μm(純水の流量が50ml/minで窒素ガスの流量が140リットル/minのとき)ないし40μm(純水の流量が100ml/minで窒素ガスの流量が30リットル/minのとき)である。
【0037】
これに対して、比較ノズルを用いた場合、純水の液滴のボリュームミーディアン径は、41.5μm(窒素ガスの流量が140リットル/minのとき)ないし324.2μm(窒素ガスの流量が40リットル/minのとき)である。このように、比較ノズルを用いた場合は、二流体ノズル2と同じ条件では、ボリュームミーディアン径が5μmないし40μmである純水の液滴を生成できないことがわかる。
【0038】
【実施例2】
図1に示す基板処理装置1を用いて、ウエハWの洗浄試験を行った。
純水の流量は、100ml/minとした。二流体ノズル2とウエハWとの距離は10mmとした。スピンチャック10によるウエハWの回転数は500rpmとした。ノズル移動機構23により、二流体ノズル2を移動させてウエハW全面を処理するための時間は8secとした。
【0039】
ウエハWは、その表面に0.25μm幅の配線パターンが形成されており、径が0.1μm以上のシリコン(Si)粒子がおよそ10000個付着されたものを用いた。
また、比較ノズルを用いて同様の試験を行った(比較例)。
純水の液滴の粒度分布、およびボリュームミーディアン径は、東日コンピュータ社製のレーザ散乱光方式による粒度分布測定装置LDSA−1300Aを用いて測定した。
【0040】
図5は、純水の液滴の粒度分布の一例を示す図である。
純水の液滴の粒度分布を測定する際、窒素ガスの流量は、80リットル/minとした。
二流体ノズル2を用いた場合、ボリュームミーディアン径はおよそ9.3μmであり、100μm以上の径を有する液滴は存在していない。一方、比較ノズルを用いた場合は、純水の液滴のボリュームミーディアン径は60.3μmであった。
【0041】
図6は、窒素ガスの流量とパーティクル除去率との関係を示す図である。パーティクル除去率は、洗浄試験前後のウエハWに付着しているシリコンの粒子の数をそれぞれ測定することにより求めた。
二流体ノズル2および比較ノズルのいずれを用いた場合でも、窒素ガスの流量が増大するとともにパーティクル除去率は大きくなる。パーティクルの除去を95%以上にするために必要な窒素ガスの流量は、二流体ノズル2を用いた場合が58リットル/min以上であり、比較ノズルを用いた場合が59リットル/min以上である。
【0042】
図7は、窒素ガスの流量とウエハWに形成された配線パターンの欠陥数との関係を示す図である。欠陥数は、上述のウエハW表面に形成された配線パターンについて、ウエハWの洗浄試験により受けた損傷の数とした。
二流体ノズル2を用いた場合も比較ノズルを用いた場合も、窒素ガスの流量が増大するとともに、欠陥数は多くなっているが、同じ窒素ガスの流量で比較すると、比較ノズルを用いた場合よりも二流体ノズル2を用いた場合の方が、欠陥数は少なくなっている。
【0043】
また、欠陥数を0にできる流量は、二流体ノズル2を用いた場合は78リットル/min以下であるのに対して、比較ノズルを用いた場合は60リットル/min以下である。
図6および図7より、欠陥数を0にしつつパーティクル除去率を95%以上にするための窒素ガスの流量は、二流体ノズル2を用いた場合が58リットル/minないし78リットル/minである。窒素ガスの流量と純水の液滴のボリュームミーディアン径との関係(図4)より、このときの純水の液滴のボリュームミーディアン径は、10μmないし16μmである。すなわち、二流体ノズル2から噴射される純水の液滴のボリュームミーディアン径を10μmないし16μmとすることにより、欠陥数を0にしつつパーティクル除去率を95%以上にすることができる。
【0044】
これに対して、比較ノズルを用いた場合、欠陥数を0にしつつパーティクル除去率を95%以上にするための窒素ガスの流量は、59リットル/minないし60リットル/minである。すなわち、比較ノズルを用いた場合は、窒素ガスの流量の許容幅がほとんどなく、欠陥数を0にしつつパーティクルの除去率を96%以上にすることは不可能である。
一方、二流体ノズル2を用いた場合は、窒素ガスの流量について広い範囲に渡って、欠陥数を0にしつつパーティクル除去率を高くすることができ、欠陥数を0にしつつパーティクルの除去率を96%以上にすることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構造を示す図解的な側面図である。
【図2】二流体ノズルの構造を示す図解的な断面図である。
【図3】噴射圧力と窒素ガスの流量との関係を示す図である。
【図4】噴射圧力と窒素ガスの流量および純水の液滴のボリュームミーディアン径との関係を示す図である。
【図5】純水の液滴の粒度分布の一例を示す図である。
【図6】窒素ガスの流量とパーティクル除去率との関係を示す図である。
【図7】窒素ガスの流量とウエハに形成された配線パターンの欠陥数との関係を示す図である。
【符号の説明】
1 基板処理装置
2 二流体ノズル
20 コントローラ
24V,25V バルブ
34 外管
34a 気体吐出口
39a 液体吐出口
W 半導体ウエハ
Claims (6)
- 処理液と気体とを混合して処理液の液滴を生成する液滴生成工程と、
この液滴生成工程で生成された処理液の液滴を、処理対象の基板の表面に衝突させる工程とを含む基板処理方法であって、
当該処理液の液滴のボリュームミーディアン径が5μmないし40μmであることを特徴とする基板処理方法。 - 当該処理液の液滴のボリュームミーディアン径が10μmないし16μmであることを特徴とする請求項1記載の基板処理方法。
- 上記液滴生成工程において、当該処理液と衝突させるために供給される当該気体の流量が、58リットル/minないし78リットル/minであることを特徴とする請求項2記載の基板処理方法。
- 上記液滴生成工程において、当該気体と衝突させるために供給される当該処理液の流量が、ほぼ100ml/minであることを特徴とする請求項3記載の基板処理装置。
- ケーシングと処理液を吐出する液体吐出口と気体を吐出する気体吐出口とを有し、上記ケーシング内に処理液および気体を導入し、上記ケーシング外で上記液体吐出口から吐出される処理液に上記気体吐出口から吐出される気体を吹きつけて処理液の液滴を生成し、この液滴を基板の表面に噴射する二流体ノズルと、
上記二流体ノズルに導入される処理液の流量を調整する液体流量調整機構と、
上記二流体ノズルに導入される気体の流量を調整する気体流量調整機構と、
上記二流体ノズルから噴射される液滴のボリュームミーディアン径が5μmないし40μmになるように、上記液体流量調整機構および上記気体流量調整機構を制御するコントローラとを備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 上記コントローラが、上記二流体ノズルから噴射される液滴のボリュームミーディアン径が10μmないし16μmになるように、上記液体流量調整機構および上記気体流量調整機構を制御することを特徴とする請求項5記載の基板処理装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003145267A JP2004349501A (ja) | 2003-05-22 | 2003-05-22 | 基板処理方法および基板処理装置 |
US10/767,756 US20040235308A1 (en) | 2003-05-22 | 2004-01-28 | Substrate treatment method and sustrate treatment apparatus |
KR1020040011748A KR100602894B1 (ko) | 2003-05-22 | 2004-02-23 | 기판처리장치 |
KR1020060004124A KR100663133B1 (ko) | 2003-05-22 | 2006-01-13 | 기판처리방법 및 기판처리장치 |
US12/397,632 US7600522B2 (en) | 2003-05-22 | 2009-03-04 | Substrate treatment method and substrate treatment apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003145267A JP2004349501A (ja) | 2003-05-22 | 2003-05-22 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004349501A true JP2004349501A (ja) | 2004-12-09 |
Family
ID=33532496
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003145267A Pending JP2004349501A (ja) | 2003-05-22 | 2003-05-22 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004349501A (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006159145A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Renesas Technology Corp | 流体吐出ノズルおよびこれを用いた基板処理装置 |
JP2006286948A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Toshiba Corp | 電子デバイス洗浄方法及び電子デバイス洗浄装置 |
JP2007134689A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-05-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2007180497A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-07-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2007317791A (ja) * | 2006-05-24 | 2007-12-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2010182715A (ja) * | 2009-02-03 | 2010-08-19 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法及び現像処理装置 |
JP2013207303A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Semes Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2015065371A (ja) * | 2013-09-26 | 2015-04-09 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP2015133399A (ja) * | 2014-01-14 | 2015-07-23 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
JP2016006850A (ja) * | 2014-05-30 | 2016-01-14 | 東京化工機株式会社 | 基板材の現像装置 |
JP2016072557A (ja) * | 2014-10-01 | 2016-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法、記憶媒体及び液処理装置 |
KR20170022616A (ko) * | 2015-08-21 | 2017-03-02 | 조정호 | 기체 혼합 액체를 이용한 세정 장치 |
WO2020235438A1 (ja) * | 2019-05-23 | 2020-11-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
US11351795B2 (en) | 2020-01-30 | 2022-06-07 | Seiko Epson Corporation | Liquid ejection device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003007663A (ja) * | 2001-06-21 | 2003-01-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置 |
JP2003022994A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-24 | Sony Corp | 基板洗浄方法 |
JP2003059887A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
-
2003
- 2003-05-22 JP JP2003145267A patent/JP2004349501A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003007663A (ja) * | 2001-06-21 | 2003-01-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置 |
JP2003022994A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-24 | Sony Corp | 基板洗浄方法 |
JP2003059887A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006159145A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Renesas Technology Corp | 流体吐出ノズルおよびこれを用いた基板処理装置 |
JP4652040B2 (ja) * | 2004-12-10 | 2011-03-16 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 流体吐出ノズルおよびこれを用いた基板処理装置 |
JP2006286948A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Toshiba Corp | 電子デバイス洗浄方法及び電子デバイス洗浄装置 |
JP2007134689A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-05-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2007180497A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-07-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2007317791A (ja) * | 2006-05-24 | 2007-12-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP4592643B2 (ja) * | 2006-05-24 | 2010-12-01 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP2010182715A (ja) * | 2009-02-03 | 2010-08-19 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法及び現像処理装置 |
JP2013207303A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Semes Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
CN103357607A (zh) * | 2012-03-28 | 2013-10-23 | 细美事有限公司 | 处理基板的设备和方法 |
JP2015065371A (ja) * | 2013-09-26 | 2015-04-09 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP2015133399A (ja) * | 2014-01-14 | 2015-07-23 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
JP2016006850A (ja) * | 2014-05-30 | 2016-01-14 | 東京化工機株式会社 | 基板材の現像装置 |
JP2016072557A (ja) * | 2014-10-01 | 2016-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法、記憶媒体及び液処理装置 |
US9786488B2 (en) | 2014-10-01 | 2017-10-10 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing method, memory medium and liquid processing apparatus |
US9972512B2 (en) | 2014-10-01 | 2018-05-15 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing method, memory medium and liquid processing apparatus |
KR20170022616A (ko) * | 2015-08-21 | 2017-03-02 | 조정호 | 기체 혼합 액체를 이용한 세정 장치 |
KR102002823B1 (ko) * | 2015-08-21 | 2019-07-23 | 주식회사 캠프런 | 기체 혼합 액체를 이용한 세정 장치 |
WO2020235438A1 (ja) * | 2019-05-23 | 2020-11-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
US11351795B2 (en) | 2020-01-30 | 2022-06-07 | Seiko Epson Corporation | Liquid ejection device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100663133B1 (ko) | 기판처리방법 및 기판처리장치 | |
KR100852025B1 (ko) | 기판처리장치 | |
TWI632001B (zh) | 二相流霧化噴射清洗裝置 | |
US9355872B2 (en) | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method | |
US6901938B2 (en) | Substrate cleaning apparatus | |
US6942737B2 (en) | Substrate cleaning apparatus and method | |
US6729561B2 (en) | Cleaning nozzle and substrate cleaning apparatus | |
TWI443722B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
US9539589B2 (en) | Substrate processing apparatus, and nozzle | |
TWI698922B (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
KR20030038377A (ko) | 기판세정장치 및 방법 | |
JP2004349501A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2008108830A (ja) | 二流体ノズルユニットおよびそれを用いた基板処理装置 | |
KR20080098428A (ko) | 기판 세정 방법 및 장치 | |
JP2006093497A (ja) | 基板洗浄装置 | |
JP2005353739A (ja) | 基板洗浄装置 | |
JP2008108829A (ja) | 二流体ノズルおよびそれを用いた基板処理装置 | |
JP4222876B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4357225B2 (ja) | 基板処理装置 | |
WO2016190029A1 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4259939B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2005166792A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2002270564A (ja) | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 | |
JP2009238939A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2006128332A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051129 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080624 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080626 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080815 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090122 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090218 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20090330 |
|
A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20090424 |