JPS63136528A - 処理液塗布装置 - Google Patents

処理液塗布装置

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JPS63136528A
JPS63136528A JP61283402A JP28340286A JPS63136528A JP S63136528 A JPS63136528 A JP S63136528A JP 61283402 A JP61283402 A JP 61283402A JP 28340286 A JP28340286 A JP 28340286A JP S63136528 A JPS63136528 A JP S63136528A
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JP
Japan
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semiconductor wafer
high speed
onto
fluid
nozzle
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Application number
JP61283402A
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English (en)
Inventor
Akira Kawai
河合　晃
Shigeo Uotani
魚谷　重雄
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
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    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
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    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/017—Clean surfaces

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造工程で使用する処理液塗布
装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の処理液塗布装置は第４図に示すように構
成されている。これを同図に基づいて概略説明すると、
同図において、符号１で示すものは気密容器２内で高速
回転するウェハチャック、３はこのウェハチャック１に
吸着されかつ前記気密容器２内に収容された半導体ウェ
ハ、４はこの半導体ウェハ３の表面３ａに処理液として
の薬液５を噴射する液塗布用のノズルである。また、６
は前記気密容器２に接続された排気管である。
このように構成された処理液塗布装置においては、ノズ
ル４から高速回転中の半導体ウェハ３の表面３ａに薬液
５を噴射することにより均一に塗布することができる。
このとき、薬液５の一部は遠心力によって半導体ウェハ
３の周囲に飛散し、気密容器２の内面２ａを流下して排
気管６から外部に流出する。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところで、従来の処理液塗布装置においては、処理数が
多くなると気密容器２の内面２ａが薬液５によって汚染
され、薬液ミストが多量に発生して半導体ウェハ３の表
面３ａに付着していた。この結果、半導体ウェハ３上の
パターンに欠陥が生じ、ウェハの生産性が低下するとい
う問題があった。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、半導体
ウェハ上に形成するパターンの欠陥発生を防止すること
ができ、もって半導体ウェハの生産性を向上させること
ができる処理液塗布装置を提供するものである。
ｃ問題点を解決するための手段〕 本発明に係る処理液塗布装置は、容器内で高速回転する
半導体ウェハの表面に処理液を噴射する複数のノズルを
備え、これらノズルのうち少なくとも一つのノズルに洗
浄液供給装置を接続したものである。
〔作　用〕
本発明においては、高速回転中の半導体ウェハの表面に
洗浄液を噴射することにより、容器の内面を自動的に洗
浄することができる。
〔実施例〕
第１図は本発明に係る処理液塗布装置を示す断面図で、
同図において第４図と同一の部材については同一の符号
を付し、詳細な説明は省略する。
同図において、符号１１で示すものは前記気密容器２の
内部に臨む洗浄用のノズルで、前記ノズル４の側方に配
設され、かつ洗浄液加圧装置１２および洗浄液ビン１３
からなる洗浄液供給装置１４に接続されている。このノ
ズル１１は全体がチューブタイプのノズルが使用されて
おり、その噴射口１５が洗浄液１６を半導体ウェハ３の
表面３ａに噴射する位置に位置付けられている。
このように構成された処理液塗布装置においては、ノズ
ル■１から高速回転中の半導体ウェハ３の表面３ａに洗
浄液１６を噴射すると、この洗浄液１６が遠心力によっ
て半導体ウェハ３の周囲に飛散する。このとき、洗浄液
１６は残留する薬液５と共に気密容器２の内面２ａを流
下する。
すなわち、高速回転中の半導体ウェハ３の表面３ａに対
し洗浄液１６を噴射することにより、気密容器２の内面
２ａを自動的に洗浄することができるのである。
したがって、処理数が多くなっても気密容器２の内面２
ａが薬液５によって汚染されることがなくなるから、薬
液ミストが発生することがない。
また、気密容器２の自動洗浄によって薬液塗布の作業能
率を高めることができる。
なお、本実施例においては、処理液として薬液５を使用
する例を示したが、本発明はこれに限定されるものでは
なく、例えば感光性樹脂液あるいはシリカ塗布液を使用
することもできる。
また、本実施例においては、チューブタイプのノズル１
１を使用する場合を示したが、本発明は第２図に示すよ
うにスプレータイプのノズル１７であっても実施例と同
様の効果を奏する。
さらに、本発明におけるノズル１１の個数は前述した実
施例に限定されず、例えば第３図に示すように複数のノ
ズル１８を使用しても差し支えなく、その個数は適宜変
更することが自由である。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、容器内で高速回転
する半導体ウェハの表面に処理液を噴射する複数のノズ
ルを備え、これらノズルのうち少なくとも一つのノズル
に洗浄液供給装置を接続したので、高速回転中の半導体
ウェハの表面に対し洗浄液を噴射することにより、容器
の内面を自動的に洗浄することができる。したがって、
半導体ウェハ上に形成するパターンの薬液汚染による欠
陥発生を防止することができるから、半導体ウェハの生
産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係る処理液塗布装置を示す断面図、第
２図および第３図は他の実施例を示す斜視図、第４図は
従来の処理液塗布装置を示す断面図である。 ２・・・・気密容器、３・・・・半導体ウェハ、３ａ・
・・・表面、４・・・・液塗布用のノズル、５・・・・
薬液、１１・・・・洗浄用のノズル、１４・・・・洗浄
液供給装置、１５・・・・噴射口、１６・・・・洗浄液
。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 容器内で高速回転する半導体ウェハの表面に処理液を噴
    射する複数のノズルを備え、これらノズルのうち少なく
    とも一つのノズルに洗浄液供給装置を接続したことを特
    徴とする処理液塗布装置。
JP61283402A 1986-11-27 1986-11-27 処理液塗布装置 Pending JPS63136528A (ja)

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JP61283402A JPS63136528A (ja) 1986-11-27 1986-11-27 処理液塗布装置
US07/357,286 US5001084A (en) 1986-11-27 1989-05-26 Method for applying a treatment liquid on a semiconductor wafer

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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5185056A (en) * 1991-09-13 1993-02-09 International Business Machines Corporation Method and apparatus for etching semiconductor wafers and developing resists
JPH05226241A (ja) * 1992-02-18 1993-09-03 Nec Corp 半導体装置の製造方法
US5279926A (en) * 1992-05-06 1994-01-18 International Business Machines Corporation Method and apparatus for removing vapor from a pressurized sprayed liquid in the manufacture of semiconductor integrated circuits
JP3277404B2 (ja) * 1993-03-31 2002-04-22 ソニー株式会社 基板洗浄方法及び基板洗浄装置
US5364474A (en) * 1993-07-23 1994-11-15 Williford Jr John F Method for removing particulate matter
US5669316A (en) * 1993-12-10 1997-09-23 Sony Corporation Turntable for rotating a wafer carrier
US5646071A (en) * 1995-01-19 1997-07-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Equipment and method for applying a liquid layer
US5681398A (en) * 1995-03-17 1997-10-28 Purex Co., Ltd. Silicone wafer cleaning method
US6239038B1 (en) 1995-10-13 2001-05-29 Ziying Wen Method for chemical processing semiconductor wafers
US5688555A (en) * 1996-06-03 1997-11-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd Gas barrier during edge rinse of SOG coating process to prevent SOG hump formation
US6039059A (en) * 1996-09-30 2000-03-21 Verteq, Inc. Wafer cleaning system
US5966635A (en) * 1997-01-31 1999-10-12 Motorola, Inc. Method for reducing particles on a substrate using chuck cleaning
AT407586B (de) 1997-05-23 2001-04-25 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Anordnung zum behandeln scheibenförmiger gegenstände, insbesondere von siliziumwafern
US6036786A (en) * 1997-06-11 2000-03-14 Fsi International Inc. Eliminating stiction with the use of cryogenic aerosol
US5961732A (en) * 1997-06-11 1999-10-05 Fsi International, Inc Treating substrates by producing and controlling a cryogenic aerosol
TW442336B (en) * 1997-08-19 2001-06-23 Tokyo Electron Ltd Film forming method
US6153532A (en) * 1998-02-27 2000-11-28 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses for removing material from discrete areas on a semiconductor wafer
JP3161521B2 (ja) * 1998-03-13 2001-04-25 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法および洗浄装置
US6642155B1 (en) * 1998-06-05 2003-11-04 Micron Technology, Inc. Method for applying a fluid to a rotating silicon wafer surface
US6037275A (en) * 1998-08-27 2000-03-14 Alliedsignal Inc. Nanoporous silica via combined stream deposition
US6796517B1 (en) 2000-03-09 2004-09-28 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus for the application of developing solution to a semiconductor wafer
US6725868B2 (en) * 2000-11-14 2004-04-27 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus
KR100383264B1 (ko) * 2001-03-21 2003-05-09 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼의 오염물질 포집장치 및 포집방법
US6517641B2 (en) * 2001-05-16 2003-02-11 Infineon Technologies Richmond, Lp Apparatus and process for collecting trace metals from wafers
TWI254358B (en) * 2005-01-21 2006-05-01 Promos Technologies Inc Method of coating photoresist and photoresist layer formed by the same
WO2008041741A1 (fr) * 2006-10-05 2008-04-10 Tokyo Electron Limited appareil et procédé de traitement de substrat, et procédé de rinçage pour coupe de drainage
US8282999B2 (en) * 2008-04-04 2012-10-09 Micron Technology, Inc. Spin-on film processing using acoustic radiation pressure

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5599725A (en) * 1979-01-26 1980-07-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method and device for manufacturing semiconductor device

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5687471A (en) * 1979-12-17 1981-07-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Coating process
JPS58168238A (ja) * 1982-03-30 1983-10-04 Toshiba Corp 半導体基板用洗浄装置
JPS6085524A (ja) * 1983-10-17 1985-05-15 Fujitsu Ltd レジスト塗布方法
US4544446A (en) * 1984-07-24 1985-10-01 J. T. Baker Chemical Co. VLSI chemical reactor
JPS61150332A (ja) * 1984-12-25 1986-07-09 Toshiba Corp 半導体レジスト塗布方法
JPS61184824A (ja) * 1985-02-13 1986-08-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置
JPS6314434A (ja) * 1986-07-04 1988-01-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板表面処理方法および装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5599725A (en) * 1979-01-26 1980-07-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method and device for manufacturing semiconductor device

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