JP2982664B2 - 洗浄装置 - Google Patents
洗浄装置Info
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- JP2982664B2 JP2982664B2 JP7252602A JP25260295A JP2982664B2 JP 2982664 B2 JP2982664 B2 JP 2982664B2 JP 7252602 A JP7252602 A JP 7252602A JP 25260295 A JP25260295 A JP 25260295A JP 2982664 B2 JP2982664 B2 JP 2982664B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハの
薬品処理等の後の洗浄に用いる洗浄装置に関する。
薬品処理等の後の洗浄に用いる洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程において、薬品洗
浄、エッチング等の液体薬品での処理工程がある。従
来、これらの工程での薬品処理後の半導体ウェーハを洗
浄する洗浄装置を図２から説明する。図において、１１
は従来の洗浄装置、１２は二重洗浄槽の外槽で、外槽の
底部１２ａに第一の排水口１２ｂを有し、１３は外槽１
２の内部に配設した内槽で、内槽の底部１３ａに外槽の
底部１２ａに気密を保ち、かつ貫通した第二の排水口１
３ｂと給水口１３ｃを有する。１４は複数枚の半導体ウ
ェーハ１５を一定間隔で一枚づつ分離した状態で立てて
保持するウェーハ立て、１６は噴射範囲１６ａ内にある
ウェーハ立て１４の全半導体ウェーハ１５表面に噴射す
るシャワーである。
浄、エッチング等の液体薬品での処理工程がある。従
来、これらの工程での薬品処理後の半導体ウェーハを洗
浄する洗浄装置を図２から説明する。図において、１１
は従来の洗浄装置、１２は二重洗浄槽の外槽で、外槽の
底部１２ａに第一の排水口１２ｂを有し、１３は外槽１
２の内部に配設した内槽で、内槽の底部１３ａに外槽の
底部１２ａに気密を保ち、かつ貫通した第二の排水口１
３ｂと給水口１３ｃを有する。１４は複数枚の半導体ウ
ェーハ１５を一定間隔で一枚づつ分離した状態で立てて
保持するウェーハ立て、１６は噴射範囲１６ａ内にある
ウェーハ立て１４の全半導体ウェーハ１５表面に噴射す
るシャワーである。
【０００３】この洗浄装置の使用方法を以下に説明す
る。第二の排水口１３ｂの電磁弁（図示せず）を閉じ、
給水口１３ｃの電磁弁（図示せず）を開いて純水を給水
し、内槽１３の上部からオーバーフローさせる。このと
き、オーバーフローして外槽１２に入った純水は外槽の
底部１２ａの第一の排水口１２ｂから排水する。つづい
て、半導体ウェーハ１５が立てられたウェーハ立て１４
を内槽１３に浸漬する。この状態で所定時間放置する。
このとき、図示しないが超音波振動を付与したり、窒素
をバブリングしたり、手でウェーハ立てを揺動したりし
て洗浄効果を上げてもよい。つづいて、給水口１３ｃの
電磁弁を閉じ給水を中断した後、第二の排水口１３ｂの
電磁弁を開いて、短時間に全ての純水を完全に排水す
る。このように、排水が自然排水であるので、第二の排
水口１３ｂは極力太くしておく。また、内槽１３の水が
完全に排水されたら、直ちに短時間で繰り返し洗浄のた
めの純水を、半導体ウェーハ１５が完全に浸漬し、オー
バーフローさせて一定時間経過するまで、純水を供給す
る。この操作を数回繰り返して洗浄をする。この純水の
供給、排水を繰り返すのは洗浄効果を早めるためと、同
じ洗浄効果に至る迄の純水の使用量の低減のためであ
る。
る。第二の排水口１３ｂの電磁弁（図示せず）を閉じ、
給水口１３ｃの電磁弁（図示せず）を開いて純水を給水
し、内槽１３の上部からオーバーフローさせる。このと
き、オーバーフローして外槽１２に入った純水は外槽の
底部１２ａの第一の排水口１２ｂから排水する。つづい
て、半導体ウェーハ１５が立てられたウェーハ立て１４
を内槽１３に浸漬する。この状態で所定時間放置する。
このとき、図示しないが超音波振動を付与したり、窒素
をバブリングしたり、手でウェーハ立てを揺動したりし
て洗浄効果を上げてもよい。つづいて、給水口１３ｃの
電磁弁を閉じ給水を中断した後、第二の排水口１３ｂの
電磁弁を開いて、短時間に全ての純水を完全に排水す
る。このように、排水が自然排水であるので、第二の排
水口１３ｂは極力太くしておく。また、内槽１３の水が
完全に排水されたら、直ちに短時間で繰り返し洗浄のた
めの純水を、半導体ウェーハ１５が完全に浸漬し、オー
バーフローさせて一定時間経過するまで、純水を供給す
る。この操作を数回繰り返して洗浄をする。この純水の
供給、排水を繰り返すのは洗浄効果を早めるためと、同
じ洗浄効果に至る迄の純水の使用量の低減のためであ
る。
【０００４】この洗浄中に、半導体ウェーハ１５に付着
した水滴に塵埃が付着し乾燥すると、半導体ウェーハ１
５表面にしみが残る。このしみの除去は薬品を用いても
困難である。したがって、内槽１３の排水時に半導体ウ
ェーハ１５の表面が乾くのを防止するために、内槽３内
の純水の排水により半導体ウェーハ１５が露出する間は
シャワー１６から純水を噴射する。これは、半導体ウェ
ーハ１５の表面の水滴が空気中の塵埃を吸収した後に乾
燥するのを防止するためである。
した水滴に塵埃が付着し乾燥すると、半導体ウェーハ１
５表面にしみが残る。このしみの除去は薬品を用いても
困難である。したがって、内槽１３の排水時に半導体ウ
ェーハ１５の表面が乾くのを防止するために、内槽３内
の純水の排水により半導体ウェーハ１５が露出する間は
シャワー１６から純水を噴射する。これは、半導体ウェ
ーハ１５の表面の水滴が空気中の塵埃を吸収した後に乾
燥するのを防止するためである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記洗浄装置では、狭
い間隔で立てられた半導体ウェーハの全表面をシャワー
で濡らすことはできない。したがって、内槽内への給
水、排水を短時間で行なっても、排水時に洗浄装置の槽
上部の空気を引き込み、この空気中の塵埃と接触した水
滴の一部は乾燥して、しみが発生していた。
い間隔で立てられた半導体ウェーハの全表面をシャワー
で濡らすことはできない。したがって、内槽内への給
水、排水を短時間で行なっても、排水時に洗浄装置の槽
上部の空気を引き込み、この空気中の塵埃と接触した水
滴の一部は乾燥して、しみが発生していた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために提案されたもので、被洗浄物を浸漬するため
の給水を行う給水管と排水する排水管とを有する槽と、
槽の開口部近傍に被洗浄物に噴射する第一のシャワーと
を有する洗浄装置において、開口部近傍へ噴射し槽内へ
の外気の流入を防ぐウォーターカーテンを形成する第二
のシャワーを配設した洗浄装置を提供する。また、槽の
内壁に第二のシャワーの噴射水を噴射したり、槽の排水
時により被洗浄物が露出する間に第二のシャワーから噴
射したりする洗浄装置を提供する。また、第二のシャワ
ーが５０〜４００μｍの水滴を噴射したり、第二のシャ
ワーの噴射口がスリット状である洗浄装置を提供する。
さらに、第ーのシャワーから霧状に噴射する洗浄装置を
提供する。
するために提案されたもので、被洗浄物を浸漬するため
の給水を行う給水管と排水する排水管とを有する槽と、
槽の開口部近傍に被洗浄物に噴射する第一のシャワーと
を有する洗浄装置において、開口部近傍へ噴射し槽内へ
の外気の流入を防ぐウォーターカーテンを形成する第二
のシャワーを配設した洗浄装置を提供する。また、槽の
内壁に第二のシャワーの噴射水を噴射したり、槽の排水
時により被洗浄物が露出する間に第二のシャワーから噴
射したりする洗浄装置を提供する。また、第二のシャワ
ーが５０〜４００μｍの水滴を噴射したり、第二のシャ
ワーの噴射口がスリット状である洗浄装置を提供する。
さらに、第ーのシャワーから霧状に噴射する洗浄装置を
提供する。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の洗浄装置を図１から説明
する。図において、１は本発明の洗浄装置、２は二重洗
浄槽の外槽で、外槽の底部２ａに第一の排水口２ｂを有
し、３は外槽２の内部に配設した本発明の請求項におけ
る槽に対応する内槽で、内槽の底部３ａに外槽の底部２
ａに気密を保ち、かつ貫通した第二の排水口３ｂと給水
口３ｃを有する。４は複数枚の半導体ウェーハ５を一定
間隔で一枚づつ分離した状態で立てて保持するウェーハ
立て、６は噴射範囲６ａ内にあるウェーハ立て４の全半
導体ウェーハ５表面に開口部３ｄから内槽の内面３ｅに
向けて噴射する第一のシャワーである。７は本発明の特
徴である内槽３の中央上部に配設した第二のシャワー
で、ウォータカーテン７ａを形成し、外槽の上端部２ｃ
より下の外槽の内面２ｄに純水は噴射される。
する。図において、１は本発明の洗浄装置、２は二重洗
浄槽の外槽で、外槽の底部２ａに第一の排水口２ｂを有
し、３は外槽２の内部に配設した本発明の請求項におけ
る槽に対応する内槽で、内槽の底部３ａに外槽の底部２
ａに気密を保ち、かつ貫通した第二の排水口３ｂと給水
口３ｃを有する。４は複数枚の半導体ウェーハ５を一定
間隔で一枚づつ分離した状態で立てて保持するウェーハ
立て、６は噴射範囲６ａ内にあるウェーハ立て４の全半
導体ウェーハ５表面に開口部３ｄから内槽の内面３ｅに
向けて噴射する第一のシャワーである。７は本発明の特
徴である内槽３の中央上部に配設した第二のシャワー
で、ウォータカーテン７ａを形成し、外槽の上端部２ｃ
より下の外槽の内面２ｄに純水は噴射される。
【０００８】この洗浄装置の使用方法を以下に説明す
る。第二の排水口３ｂの電磁弁（図示せず）を閉じ、給
水口３ｃの電磁弁（図示せず）を開いて純水を給水し、
内槽３の上部からオーバーフローさせる。このとき、オ
ーバーフローして外槽２に入った純水は外槽の底部２ａ
の第一の排水口２ｂから排水する。つづいて、半導体ウ
ェーハ５が立てられたウェーハ立て４を内槽３に浸漬す
る。この純水を流した状態で所定時間放置する。このと
き、図示しないが超音波振動を付与したり、窒素をバブ
リングしたり、手または機械でウェーハ立て４を揺動し
たりして洗浄効果を上げてもよい。つづいて、給水口３
ｃの電磁弁を閉じ給水を中断した後、第二の排水口３ｂ
の電磁弁を開いて、短時間に全ての純水を完全に排水す
る。このように、排水が自然排水であるので、第二の排
水口３ｂは極力太くしておく。また、内槽３の水が完全
に排水されたら、直ちに短時間で繰り返し洗浄のための
純水を、半導体ウェーハ５が完全に浸漬するまで供給す
る。これも半導体ウェーハ５が乾燥するのを防止するた
めに短時間に供給する。この操作を数回繰り返して洗浄
をする。つづいて、半導体ウェーハ５をウェーハ立て４
ごとアルコールに浸漬して、半導体ウェーハ５表面の水
分を除去する。これは、半導体ウェーハ５に付着してい
る水滴に空気中の塵埃が付着し乾燥させないためであ
る。水滴に塵埃が付着し乾燥すると、半導体ウェーハ５
表面にしみが残る。このしみの除去は薬品を用いても困
難である。
る。第二の排水口３ｂの電磁弁（図示せず）を閉じ、給
水口３ｃの電磁弁（図示せず）を開いて純水を給水し、
内槽３の上部からオーバーフローさせる。このとき、オ
ーバーフローして外槽２に入った純水は外槽の底部２ａ
の第一の排水口２ｂから排水する。つづいて、半導体ウ
ェーハ５が立てられたウェーハ立て４を内槽３に浸漬す
る。この純水を流した状態で所定時間放置する。このと
き、図示しないが超音波振動を付与したり、窒素をバブ
リングしたり、手または機械でウェーハ立て４を揺動し
たりして洗浄効果を上げてもよい。つづいて、給水口３
ｃの電磁弁を閉じ給水を中断した後、第二の排水口３ｂ
の電磁弁を開いて、短時間に全ての純水を完全に排水す
る。このように、排水が自然排水であるので、第二の排
水口３ｂは極力太くしておく。また、内槽３の水が完全
に排水されたら、直ちに短時間で繰り返し洗浄のための
純水を、半導体ウェーハ５が完全に浸漬するまで供給す
る。これも半導体ウェーハ５が乾燥するのを防止するた
めに短時間に供給する。この操作を数回繰り返して洗浄
をする。つづいて、半導体ウェーハ５をウェーハ立て４
ごとアルコールに浸漬して、半導体ウェーハ５表面の水
分を除去する。これは、半導体ウェーハ５に付着してい
る水滴に空気中の塵埃が付着し乾燥させないためであ
る。水滴に塵埃が付着し乾燥すると、半導体ウェーハ５
表面にしみが残る。このしみの除去は薬品を用いても困
難である。
【０００９】また、排水時に半導体ウェーハ５の表面が
乾くのを防止するために、排水により第一のシャワー６
から純水を開口部３ｄに向けて噴射する。これは、半導
体ウェーハ５周辺の湿度を高くして、半導体ウェーハ５
表面の水滴が乾燥するのを防止するためである。したが
って、霧状に噴射することが好ましい。
乾くのを防止するために、排水により第一のシャワー６
から純水を開口部３ｄに向けて噴射する。これは、半導
体ウェーハ５周辺の湿度を高くして、半導体ウェーハ５
表面の水滴が乾燥するのを防止するためである。したが
って、霧状に噴射することが好ましい。
【００１０】本発明の特徴である、第二のシャワー７は
ウォータカーテン７ａを純水を外槽２の内面２ｄに向け
て噴射して形成し、噴射された純水は略全ては外槽２内
に入るようにして、外部の空気が内槽３内に入らないよ
うにする。また、内槽３の内壁３ｅに向けて噴射しても
よい。ウォータカーテン７ａは純水の膜を形成してもよ
いし、膜は形成しなくても空気の通過を防止すればよ
い。この第二のシャワー７は半導体ウェーハ５表面が純
水から露出する時即ち排水時に噴射すればよい。
ウォータカーテン７ａを純水を外槽２の内面２ｄに向け
て噴射して形成し、噴射された純水は略全ては外槽２内
に入るようにして、外部の空気が内槽３内に入らないよ
うにする。また、内槽３の内壁３ｅに向けて噴射しても
よい。ウォータカーテン７ａは純水の膜を形成してもよ
いし、膜は形成しなくても空気の通過を防止すればよ
い。この第二のシャワー７は半導体ウェーハ５表面が純
水から露出する時即ち排水時に噴射すればよい。
【００１１】この時の第二のシャワー７は５０〜４００
μｍの直径の水滴を形成したり、スリット部から噴射す
るものでもよい。第二のシャワーの水を外槽の内壁に全
周に亘ってあてるので、外気が内槽内に入らないので、
高湿度な雰囲気を保ちしみが発生することはない。上記
のようにすることにより、外気の塵埃が内槽３内の半導
体ウェーハ５接触するのを防ぐことができる。このこと
により、半導体ウエーハ５表面に塵埃が付着することが
ない。したがって、しみの発生もない。
μｍの直径の水滴を形成したり、スリット部から噴射す
るものでもよい。第二のシャワーの水を外槽の内壁に全
周に亘ってあてるので、外気が内槽内に入らないので、
高湿度な雰囲気を保ちしみが発生することはない。上記
のようにすることにより、外気の塵埃が内槽３内の半導
体ウェーハ５接触するのを防ぐことができる。このこと
により、半導体ウエーハ５表面に塵埃が付着することが
ない。したがって、しみの発生もない。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、被洗浄物が外部の空気
と接触するのを防止する第二のシャワーでウォータカー
テンを形成し、外気が槽内に入るのを防止するので、槽
内が高湿となり水滴が乾燥せず、また外気中の塵埃が半
導体ウェーハに接触することがないので、しみが発生す
ることはない。また、第一のシャワーで霧状に純水を噴
射することにより第一のシャワーの下の半導体ウェーハ
を常に高湿度の中に保ち、水滴の乾燥を防止することに
より効果は一層上がる。
と接触するのを防止する第二のシャワーでウォータカー
テンを形成し、外気が槽内に入るのを防止するので、槽
内が高湿となり水滴が乾燥せず、また外気中の塵埃が半
導体ウェーハに接触することがないので、しみが発生す
ることはない。また、第一のシャワーで霧状に純水を噴
射することにより第一のシャワーの下の半導体ウェーハ
を常に高湿度の中に保ち、水滴の乾燥を防止することに
より効果は一層上がる。
【図１】 本発明の洗浄装置の側断面図
【図２】 従来の洗浄装置の側断面図
３ 槽（内槽） ３ｂ 排水管（第二の排水口） ３ｃ 給水管（給水口） ３ｄ 開口部 ５ 被洗浄物（半導体ウェーハ） ６ 第一のシャワー ７ 第二のシャワー ７ａ ウォータカーテン
Claims (6)
- 【請求項１】内に置いた被洗浄物を浸漬するための給水
管と排水する排水管とを備える槽と、この槽の開口部近
傍に前記被洗浄物に噴射する第一のシャワーとを有する
洗浄装置において、 前記開口部近傍へ噴射し前記槽内への外気の流入を防ぐ
ウォーターカーテンを形成する第二のシャワーを配設し
たことを特徴とする洗浄装置。 - 【請求項２】前記槽の内壁に前記第二のシャワーの噴射
水を噴射することを特徴とする請求項１記載の洗浄装
置。 - 【請求項３】前記槽が排水されて被洗浄物が露出する間
に、前記第二のシャワーから噴射することを特徴とする
請求１または請求項２記載の洗浄装置。 - 【請求項４】前記第二のシャワーが５０〜４００μｍの
水滴を噴射することを特徴とする請求項１〜請求項４記
載の洗浄装置。 - 【請求項５】前記第二のシャワーの噴射口がスリット状
であることを特徴とする請求項１〜請求項３に記載の洗
浄装置。 - 【請求項６】前記第ーのシャワーから霧状に噴射するこ
とを特徴とする請求項１〜請求項５記載の洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7252602A JP2982664B2 (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7252602A JP2982664B2 (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0997778A JPH0997778A (ja) | 1997-04-08 |
| JP2982664B2 true JP2982664B2 (ja) | 1999-11-29 |
Family
ID=17239654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7252602A Expired - Fee Related JP2982664B2 (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2982664B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6100486B2 (ja) * | 2012-08-17 | 2017-03-22 | 株式会社プレテック | 浸漬式の洗浄装置 |
| CN113410165A (zh) * | 2021-06-21 | 2021-09-17 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种硅片的清洗装置以及清洗方法 |
-
1995
- 1995-09-29 JP JP7252602A patent/JP2982664B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0997778A (ja) | 1997-04-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |