JP3609264B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
基板処理方法および基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3609264B2 JP3609264B2 JP24169598A JP24169598A JP3609264B2 JP 3609264 B2 JP3609264 B2 JP 3609264B2 JP 24169598 A JP24169598 A JP 24169598A JP 24169598 A JP24169598 A JP 24169598A JP 3609264 B2 JP3609264 B2 JP 3609264B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- substrate
- liquid
- processing tank
- cleaning liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、電子部品などの基板を処理液で表面処理（この明細書においては、表面洗浄処理を含む。）した後に純水等で洗浄する基板処理方法および基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体装置を製造する工程において、基板、例えばシリコンウエハは、フッ酸、燐酸水溶液などの薬液を使用したエッチング処理もしくは洗浄処理や、硝酸、硫酸、過酸化水素水などの薬液や水を使用した洗浄処理が繰り返し行われる。また、これらのエッチング処理や洗浄処理の後には、その都度、ウエハ上に残存している薬液や反応生成物等の異物をウエハ上から除去するために、洗浄液、通常は純水を使用してウエハの洗浄が行われる。そして、各種の処理液を用いたエッチング処理や洗浄処理などの表面処理と純水での洗浄処理とを１つの処理槽で行う場合には、処理液が収容された処理槽内へウエハを搬入し、処理槽内の処理液中にウエハを浸漬させて表面処理した後、処理槽内から処理液を排出させ、その後に処理槽内へ純水を供給して、純水中にウエハを浸漬させて洗浄する。また、必要により、これらの操作が何度も繰り返される。
【０００３】
この場合、処理槽内から処理液を排出させた後、処理槽内へ純水を供給してウエハが純水中に浸漬させられるまでの間、あるいは、処理槽内から純水を排出させた後、処理槽内へ次の処理液を供給してウエハが処理液中に浸漬させられるまでの間、ウエハは大気中に保持されたままとなり、ウエハの表面が乾燥することになる。そこで、従来は、例えば特開昭６１−６１４２５号公報等に開示されているように、排液や排水と同時に、シャワーノズルから純水をウエハに向けて噴射させ、ウエハの表面を乾燥させないようにしている。
【０００４】
図３は、従来の基板処理装置の概略構成の１例を示す模式図である。基板Ｗの表面処理および洗浄が行われる処理槽１には、その底部へ薬液を供給する薬液供給管２および洗浄用の純水を供給する純水供給管３がそれぞれ接続されており、それぞれの供給管２、３に開閉制御弁４、５が介在して設けられている。また、処理槽１には、その底部に排液管６が接続されており、排液管６に開閉制御弁７が介在して設けられている。さらに、処理槽１の上部には、吐出口が処理槽１内の基板Ｗの表面に対向するようにシャワーノズル８が配設されており、シャワーノズル８に純水供給管９が接続されていて、純水供給管９を通してシャワーノズル８へ高圧の純水が供給されるようになっている。
【０００５】
図３に示した基板処理装置による処理操作の１例を説明すると、薬液供給管２を通して処理槽１内へ薬液が供給された後、処理槽１内へ基板Ｗが搬入されて薬液中に基板Ｗが浸漬させられ、基板Ｗに対して所定の表面処理が施される。次に、処理槽１内から排液管６を通って薬液が排出される。これと同時に、純水供給管９を通して高圧の純水がシャワーノズル８へ供給され、シャワーノズル８から処理槽１内の基板Ｗの表面に向けて純水が噴射される。これにより、基板Ｗの表面が乾燥するのが防がれる。処理槽１内からの薬液の排出が終了すると、純水供給管３を通して処理槽１内へ純水が供給され、シャワーノズル８からの純水の噴射が停止する。そして、処理槽１内に保持された基板Ｗが純水中に浸漬させられて、基板Ｗが純水で洗浄される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図３に示したように、処理槽１内からの排液と同時にシャワーノズル８から純水を基板Ｗに向けて噴射させる方法では、基板、例えばシリコンウエハの表面が大気（酸素）に曝されるため、ウエハが酸化しやすい、といった問題点がある。また、シャワーノズル８から噴射される純水中に酸素が溶解し、酸素が溶解した純水が、疎水面であるシリコンウエハ表面に水滴となって付着し、その界面（気液固界面）においてシリコンの酸化が進行して二酸化ケイ素が生成する。生成した二酸化ケイ素は、ウエハ表面に付着した水滴中に溶解して蓄積され、水滴が蒸発した後に、ウォータマークと呼ばれるしみとなってウエハ表面に残留する。そして、例えばゲート酸化前の洗浄・乾燥処理工程においてウエハの表面に生じたしみは、次工程において酸化により成長する酸化膜の膜質を悪化させ、超ＬＳＩの歩留まりを低下させる原因となる。
【０００７】
また、従来の方法では、水圧式でシャワーノズル８から純水が噴射されるため、水滴の径が大きくなり、その水滴がウエハの表面に向けて吹き付けられるので、その水滴の勢いでウエハが倒れたりウエハホルダ内でウエハがばたついたりする、といった問題点がある。さらに、シャワーノズルから噴射される水滴の径が大きいので、ウエハの表面を均等に湿らせることが困難である、といった問題点がある。
【０００８】
この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、基板の表面処理と洗浄処理とを１つの処理槽で行う場合において、処理槽内から処理液や洗浄液を排出する際に、基板の表面を乾燥させることなく、基板の表面が酸化したり基板の表面にウォータマークと呼ばれるしみを生じたりすることを防止することができ、また、基板が倒れたり基板ホルダ内で基板がばたついたりすることがなくなり、さらに、確実に基板の表面を均等に湿らせることができる基板処理方法を提供すること、ならびに、そのような基板処理方法を好適に実施することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明は、処理槽内に収容された処理液中に基板を浸漬させて表面処理した後、処理槽内から処理液を排出させ、その後に処理槽内へ洗浄液を供給して、洗浄液中に基板を浸漬させて洗浄し、必要によりこれらの操作を繰り返す基板処理方法において、処理槽内から処理液または洗浄液を排出させると同時に、処理槽の内部空間へ洗浄液または処理液を不活性ガスと共に噴霧させ、処理槽の内部空間を不活性ガス雰囲気としかつ処理槽の内部空間を霧状態で浮遊する洗浄液または処理液で満たすことを特徴とする。ここで、前記処理液のうちには洗浄水等の洗浄液が含まれ、前記表面処理のうちには洗浄処理が含まれる。従って、処理槽内に収容された洗浄液中に基板を浸漬させて洗浄処理した後、処理槽内から洗浄液を排出させ、その後に処理槽内へ再び洗浄液を供給して、洗浄液中に基板を浸漬させて洗浄する場合にも、この発明は適用されることになる。
【００１０】
請求項２に係る発明は、請求項１記載の基板処理方法において、洗浄液または処理液を不活性ガスの噴射圧により霧状にして噴霧させることを特徴とする。
【００１１】
請求項３に係る発明は、処理液または洗浄液を収容してその処理液または洗浄液中に基板が浸漬させられ、基板の表面処理および洗浄が行われる処理槽と、この処理槽内から処理液または洗浄液を排出させる排液手段と、前記処理槽内へ洗浄液または処理液を供給する給液手段とを備えた基板処理装置において、前記排液手段による前記処理槽内からの処理液または洗浄液の排出と連動して、処理槽の内部空間へ洗浄液または処理液を不活性ガスと共に噴霧させ、処理槽の内部空間を不活性ガス雰囲気としかつ処理槽の内部空間を霧状態で浮遊する洗浄液または処理液で満たす噴霧手段を設けたことを特徴とする。
【００１２】
請求項４に係る発明は、請求項３記載の基板処理装置において、噴霧手段として、洗浄液または処理液を不活性ガスの噴射圧により霧状にして噴霧させるスプレイノズルを用いたことを特徴とする。
【００１３】
請求項１に係る発明の基板処理方法においては、処理槽内から処理液または洗浄液を排出させると同時に、処理槽の内部空間へ純水等の洗浄液または処理液が噴霧されるので、基板の表面が乾燥することが防がれる。そして、洗浄液または処理液は、不活性ガスと共に処理槽の内部空間へ噴霧されるので、処理槽の内部空間が不活性ガス雰囲気となり、このため、基板の表面が酸化することが防止される。また、処理槽の内部空間へ噴霧される純水等の洗浄液または処理液中に酸素が溶解することがなく、しかも、洗浄液または処理液は、霧状であるため、基板の表面に液滴となって付着することがないので、ウォータマークと呼ばれるしみが基板表面に生じる可能性も無い。また、洗浄液または処理液は、処理槽の内部空間へ噴霧されて霧状態で浮遊し、従来のように基板の表面に向けて液滴が噴射されたりしないので、基板が倒れたり基板ホルダ内で基板がばたついたりすることもない。さらに、洗浄液または処理液は、処理槽の内部空間に霧状態で浮遊して基板の表面を湿らせるので、確実に基板の表面が均等に湿ることとなる。
【００１４】
請求項２に係る発明の方法では、洗浄液または処理液が不活性ガスの噴射圧により霧状にされて噴霧されるので、洗浄液または処理液を高圧で供給する必要が無い。
【００１５】
請求項３に係る発明の基板処理装置においては、排液手段により処理槽内から処理液または洗浄液が排出されるのと連動して、噴霧手段により処理槽の内部空間へ純水等の洗浄液または処理液が不活性ガスと共に噴霧されるので、基板の表面が乾燥することが防がれる。そして、洗浄液または処理液は、不活性ガスと共に処理槽の内部空間へ噴霧されるので、処理槽の内部空間が不活性ガス雰囲気となり、このため、基板の表面が酸化することが防止される。また、処理槽の内部空間へ噴霧される純水等の洗浄液または処理液中に酸素が溶解することがなく、しかも、洗浄液または処理液は、霧状であるため、基板の表面に液滴となって付着することがないので、ウォータマークと呼ばれるしみが基板表面に生じる可能性も無い。また、洗浄液または処理液は、処理槽の内部空間へ噴霧されて霧状態で浮遊し、従来のように基板の表面に向けて液滴が噴射されたりしないので、基板が倒れたり基板ホルダ内で基板がばたついたりすることもない。さらに、洗浄液または処理液は、処理槽の内部空間に霧状態で浮遊して基板の表面を湿らせるので、確実に基板の表面が均等に湿ることとなる。
【００１６】
請求項４に係る発明の装置では、スプレイノズルを用いて洗浄液または処理液が不活性ガスの噴射圧により霧状にされて噴霧されるので、洗浄液または処理液を高圧で供給する必要が無い。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の好適な実施形態について図１および図２を参照しながら説明する。
【００１８】
図１は、この発明に係る基板処理方法を実施するのに使用される基板処理装置の概略構成の１例を示す模式図である。この基板処理装置は、図３に示した従来の装置と同様に、基板Ｗの表面処理および洗浄が行われる処理槽１０を有し、処理槽１０には、その底部へ薬液を供給する薬液供給管１２および洗浄用の純水を供給する純水供給管１４がそれぞれ接続され、それぞれの供給管１２、１４に開閉制御弁１６、１８が介在して設けられている。また、処理槽１０には、その底部に排液管２０が接続されており、排液管２０に開閉制御弁２２が介在して設けられている。
【００１９】
そして、この装置には、処理槽１０の上部に、噴霧口が処理槽１０の内部空間へ向くようにスプレイノズル２４が配設されている。スプレイノズル２４には、純水供給管２６が接続されているとともに、不活性ガス、例えば窒素ガスのガス供給管２８が接続されている。そして、スプレイノズル２４の噴霧口から、窒素ガスの噴射圧によって霧状にされた純水が窒素ガスと共に噴霧されるようになっている。
【００２０】
スプレイノズル２４の構造の１例を図２に断面図で示す。このスプレイノズル２４は、ガス供給管２８が連通されるガス導入口３０および純水供給管２６が連通される純水導入口３２がそれぞれ形設されたアダプタ部３４、窒素ガスに純水を混合させるコア部３６、先端にスリット状の噴霧口３８が形設されたチップ４０、および、チップ４０を固定するためのキャップ４２から構成されている。このような構造により、純水が窒素ガスの噴射圧で霧状にされてチップ４０の先端の噴霧口３８から窒素ガスと共に噴霧される。アダプタ部３４、コア部３６、チップ４０およびキャップ４２は、いずれもステンレス鋼により形成されている。この場合、スプレイノズル２４が金属材料で形成されていて、純水を噴霧させるものであっても、このスプレイノズル２４では、窒素ガスを用いて純水を噴霧させるので、スプレイノズル２４の構成部品が酸化する恐れが無い。なお、スプレイノズルから処理槽１０の内部空間へ薬液を霧状にして噴霧させる場合には、薬液の種類によってはスプレイノズルの構成部品をプラスチック製にする必要がある。
【００２１】
図１に示した基板処理装置による処理操作の１例を説明すると、図３に示した装置における場合と同様に、薬液供給管１２を通して処理槽１０内へ薬液が供給された後、処理槽１０内へ基板Ｗが搬入されて薬液中に基板Ｗが浸漬させられ、基板Ｗに対して所定の表面処理が施される。次に、処理槽１０内から排液管２０を通って薬液が排出される。
【００２２】
この処理槽１０内からの排液動作と連動して、具体的には排液動作開始と同時に、この装置では、純水供給管２６を通して純水がスプレイノズル２４へ供給されるとともに、ガス供給管２８を通して窒素ガスがスプレイノズル２４へ供給され、スプレイノズル２４の噴霧口から処理槽１０の内部空間へ純水が窒素ガスと共に噴霧される。そして、処理槽１０の内部空間から空気が追い出されて、基板Ｗの上端が薬液の液面から現れる時には処理槽１０の内部空間が窒素ガス雰囲気になるとともに、処理槽１０の内部空間に保持された基板Ｗの周囲が、霧状態で浮遊する純水で満たされる。これにより、基板Ｗの表面が均等に湿らされて、基板Ｗの表面の乾燥が防がれる。また、処理槽１０の内部空間が窒素ガス雰囲気となるため、基板Ｗの表面が酸化することが防止される。さらに、処理槽１０の内部空間へ噴霧される純水中に酸素が溶解することがなく、また、純水が基板Ｗの表面に水滴となって付着することもないので、ウォータマークと呼ばれるしみが基板Ｗの表面に生じる可能性も無い。また、純水はスプレイノズル２４から処理槽１０の内部空間へ噴霧されて霧状態で浮遊するだけであるため、基板Ｗが倒されたり基板ホルダ内で基板Ｗがばたついたりすることもない。
【００２３】
処理槽１０内から薬液が排出されてしまうと、純水供給管１４を通して処理槽１０内へ純水が供給され、スプレイノズル２４からの純水の噴霧が停止する。そして、処理槽１０内に保持された基板Ｗが純水中に浸漬させられて、基板Ｗが純水で洗浄される。
【００２４】
なお、以上のような処理において、処理槽１０内からの排液動作と連動してスプレイノズルから処理槽１０の内部空間へ純水を窒素ガスと共に噴霧させる工程以外のそれぞれの工程で、スプレイノズル２４への純水の供給を停止させた状態でガス供給管２８を通して窒素ガスだけをスプレイノズル２４へ供給して、スプレイノズル２４から処理槽１０の内部空間へ窒素ガスを噴射させるようにすることができる。すなわち、スプレイノズル２４から処理槽１０の内部空間へ窒素ガスを常時噴射させるようにすることができる。このようにすることにより、処理槽１０内に貯留された薬液や純水中に酸素が溶け込むことを防止することができ、薬液や純水中に溶解した酸素によって基板の表面に自然酸化膜が形成されることが抑えられる。
【００２５】
上記した実施形態では、薬液による基板の表面処理後に純水で基板の表面を洗浄する処理において、処理槽１０内からの排液動作と連動してスプレイノズル２４から処理槽１０の内部空間へ純水を窒素ガスと共に噴霧させるようにしたが、この発明に係る方法は、そのような実施形態以外にも、種々の形態で実施し得る。例えば、薬液による基板の表面処理後に薬液で基板の表面を洗浄する処理において、処理槽内からの排液動作と連動して処理槽の内部空間へ洗浄用の薬液を噴霧させるようにしたり、洗浄水による基板の水洗処理後に純水で基板の表面を洗浄する処理において、処理槽内からの排水動作と連動して処理槽の内部空間へ純水を噴霧させるようにしたり、洗浄水による基板の水洗処理後に薬液で基板の表面を洗浄する処理において、処理槽内からの排水動作と連動して処理槽の内部空間へ洗浄用の薬液を噴霧させるようにしたりする場合などにも、この発明に係る方法は適用し得る。例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を噴霧して基板上の純水をＩＰＡに置換することで、さらにウォーターマークの発生を防止し得る。
【００２６】
また、この発明は、図１に示す装置を、上部に開閉扉を有する処理室内に配置する構成にも適用し得る。
【００２７】
【発明の効果】
請求項１に係る発明の基板処理方法によると、基板の表面処理と洗浄処理とを１つの処理槽で行う場合において、処理槽内から処理液や洗浄液を排出する際に、基板の表面を乾燥させることなく、基板の表面が酸化したり基板の表面にウォータマークと呼ばれるしみを生じたりすることを防止することができ、基板の処理品質が低下したり歩留まりが低下したりすることを防止することができる。また、従来のように、基板が倒れたり基板ホルダ内で基板がばたついたりすることがなくなり、また、確実に基板の表面を均等に湿らせることができる。
【００２８】
請求項２に係る発明の方法では、洗浄液または処理液を高圧で供給する必要が無くなる。
【００２９】
請求項３に係る発明の基板処理装置を使用すると、請求項１に係る発明の方法を好適に実施することができるので、請求項１に係る発明の上記効果が確実に得られることとなる。
【００３０】
請求項４に係る発明の装置では、洗浄液または処理液を高圧で供給する必要が無くなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、この発明に係る基板処理方法を実施するのに使用される基板処理装置の概略構成の１例を示す模式図である。
【図２】図１に示した基板処理装置の構成要素の１つであるスプレイノズルの構造の１例を示す断面図である。
【図３】従来の基板処理装置の概略構成の１例を示す模式図である。
【符号の説明】
Ｗ 基板
１０ 処理槽
１２ 薬液供給管
１４ 純水供給管
１６、１８、２２ 開閉制御弁
２０ 排液管
２４ スプレイノズル
２６ 純水供給管
２８ 窒素ガスのガス供給管
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、電子部品などの基板を処理液で表面処理（この明細書においては、表面洗浄処理を含む。）した後に純水等で洗浄する基板処理方法および基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体装置を製造する工程において、基板、例えばシリコンウエハは、フッ酸、燐酸水溶液などの薬液を使用したエッチング処理もしくは洗浄処理や、硝酸、硫酸、過酸化水素水などの薬液や水を使用した洗浄処理が繰り返し行われる。また、これらのエッチング処理や洗浄処理の後には、その都度、ウエハ上に残存している薬液や反応生成物等の異物をウエハ上から除去するために、洗浄液、通常は純水を使用してウエハの洗浄が行われる。そして、各種の処理液を用いたエッチング処理や洗浄処理などの表面処理と純水での洗浄処理とを１つの処理槽で行う場合には、処理液が収容された処理槽内へウエハを搬入し、処理槽内の処理液中にウエハを浸漬させて表面処理した後、処理槽内から処理液を排出させ、その後に処理槽内へ純水を供給して、純水中にウエハを浸漬させて洗浄する。また、必要により、これらの操作が何度も繰り返される。
【０００３】
この場合、処理槽内から処理液を排出させた後、処理槽内へ純水を供給してウエハが純水中に浸漬させられるまでの間、あるいは、処理槽内から純水を排出させた後、処理槽内へ次の処理液を供給してウエハが処理液中に浸漬させられるまでの間、ウエハは大気中に保持されたままとなり、ウエハの表面が乾燥することになる。そこで、従来は、例えば特開昭６１−６１４２５号公報等に開示されているように、排液や排水と同時に、シャワーノズルから純水をウエハに向けて噴射させ、ウエハの表面を乾燥させないようにしている。
【０００４】
図３は、従来の基板処理装置の概略構成の１例を示す模式図である。基板Ｗの表面処理および洗浄が行われる処理槽１には、その底部へ薬液を供給する薬液供給管２および洗浄用の純水を供給する純水供給管３がそれぞれ接続されており、それぞれの供給管２、３に開閉制御弁４、５が介在して設けられている。また、処理槽１には、その底部に排液管６が接続されており、排液管６に開閉制御弁７が介在して設けられている。さらに、処理槽１の上部には、吐出口が処理槽１内の基板Ｗの表面に対向するようにシャワーノズル８が配設されており、シャワーノズル８に純水供給管９が接続されていて、純水供給管９を通してシャワーノズル８へ高圧の純水が供給されるようになっている。
【０００５】
図３に示した基板処理装置による処理操作の１例を説明すると、薬液供給管２を通して処理槽１内へ薬液が供給された後、処理槽１内へ基板Ｗが搬入されて薬液中に基板Ｗが浸漬させられ、基板Ｗに対して所定の表面処理が施される。次に、処理槽１内から排液管６を通って薬液が排出される。これと同時に、純水供給管９を通して高圧の純水がシャワーノズル８へ供給され、シャワーノズル８から処理槽１内の基板Ｗの表面に向けて純水が噴射される。これにより、基板Ｗの表面が乾燥するのが防がれる。処理槽１内からの薬液の排出が終了すると、純水供給管３を通して処理槽１内へ純水が供給され、シャワーノズル８からの純水の噴射が停止する。そして、処理槽１内に保持された基板Ｗが純水中に浸漬させられて、基板Ｗが純水で洗浄される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図３に示したように、処理槽１内からの排液と同時にシャワーノズル８から純水を基板Ｗに向けて噴射させる方法では、基板、例えばシリコンウエハの表面が大気（酸素）に曝されるため、ウエハが酸化しやすい、といった問題点がある。また、シャワーノズル８から噴射される純水中に酸素が溶解し、酸素が溶解した純水が、疎水面であるシリコンウエハ表面に水滴となって付着し、その界面（気液固界面）においてシリコンの酸化が進行して二酸化ケイ素が生成する。生成した二酸化ケイ素は、ウエハ表面に付着した水滴中に溶解して蓄積され、水滴が蒸発した後に、ウォータマークと呼ばれるしみとなってウエハ表面に残留する。そして、例えばゲート酸化前の洗浄・乾燥処理工程においてウエハの表面に生じたしみは、次工程において酸化により成長する酸化膜の膜質を悪化させ、超ＬＳＩの歩留まりを低下させる原因となる。
【０００７】
また、従来の方法では、水圧式でシャワーノズル８から純水が噴射されるため、水滴の径が大きくなり、その水滴がウエハの表面に向けて吹き付けられるので、その水滴の勢いでウエハが倒れたりウエハホルダ内でウエハがばたついたりする、といった問題点がある。さらに、シャワーノズルから噴射される水滴の径が大きいので、ウエハの表面を均等に湿らせることが困難である、といった問題点がある。
【０００８】
この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、基板の表面処理と洗浄処理とを１つの処理槽で行う場合において、処理槽内から処理液や洗浄液を排出する際に、基板の表面を乾燥させることなく、基板の表面が酸化したり基板の表面にウォータマークと呼ばれるしみを生じたりすることを防止することができ、また、基板が倒れたり基板ホルダ内で基板がばたついたりすることがなくなり、さらに、確実に基板の表面を均等に湿らせることができる基板処理方法を提供すること、ならびに、そのような基板処理方法を好適に実施することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明は、処理槽内に収容された処理液中に基板を浸漬させて表面処理した後、処理槽内から処理液を排出させ、その後に処理槽内へ洗浄液を供給して、洗浄液中に基板を浸漬させて洗浄し、必要によりこれらの操作を繰り返す基板処理方法において、処理槽内から処理液または洗浄液を排出させると同時に、処理槽の内部空間へ洗浄液または処理液を不活性ガスと共に噴霧させ、処理槽の内部空間を不活性ガス雰囲気としかつ処理槽の内部空間を霧状態で浮遊する洗浄液または処理液で満たすことを特徴とする。ここで、前記処理液のうちには洗浄水等の洗浄液が含まれ、前記表面処理のうちには洗浄処理が含まれる。従って、処理槽内に収容された洗浄液中に基板を浸漬させて洗浄処理した後、処理槽内から洗浄液を排出させ、その後に処理槽内へ再び洗浄液を供給して、洗浄液中に基板を浸漬させて洗浄する場合にも、この発明は適用されることになる。
【００１０】
請求項２に係る発明は、請求項１記載の基板処理方法において、洗浄液または処理液を不活性ガスの噴射圧により霧状にして噴霧させることを特徴とする。
【００１１】
請求項３に係る発明は、処理液または洗浄液を収容してその処理液または洗浄液中に基板が浸漬させられ、基板の表面処理および洗浄が行われる処理槽と、この処理槽内から処理液または洗浄液を排出させる排液手段と、前記処理槽内へ洗浄液または処理液を供給する給液手段とを備えた基板処理装置において、前記排液手段による前記処理槽内からの処理液または洗浄液の排出と連動して、処理槽の内部空間へ洗浄液または処理液を不活性ガスと共に噴霧させ、処理槽の内部空間を不活性ガス雰囲気としかつ処理槽の内部空間を霧状態で浮遊する洗浄液または処理液で満たす噴霧手段を設けたことを特徴とする。
【００１２】
請求項４に係る発明は、請求項３記載の基板処理装置において、噴霧手段として、洗浄液または処理液を不活性ガスの噴射圧により霧状にして噴霧させるスプレイノズルを用いたことを特徴とする。
【００１３】
請求項１に係る発明の基板処理方法においては、処理槽内から処理液または洗浄液を排出させると同時に、処理槽の内部空間へ純水等の洗浄液または処理液が噴霧されるので、基板の表面が乾燥することが防がれる。そして、洗浄液または処理液は、不活性ガスと共に処理槽の内部空間へ噴霧されるので、処理槽の内部空間が不活性ガス雰囲気となり、このため、基板の表面が酸化することが防止される。また、処理槽の内部空間へ噴霧される純水等の洗浄液または処理液中に酸素が溶解することがなく、しかも、洗浄液または処理液は、霧状であるため、基板の表面に液滴となって付着することがないので、ウォータマークと呼ばれるしみが基板表面に生じる可能性も無い。また、洗浄液または処理液は、処理槽の内部空間へ噴霧されて霧状態で浮遊し、従来のように基板の表面に向けて液滴が噴射されたりしないので、基板が倒れたり基板ホルダ内で基板がばたついたりすることもない。さらに、洗浄液または処理液は、処理槽の内部空間に霧状態で浮遊して基板の表面を湿らせるので、確実に基板の表面が均等に湿ることとなる。
【００１４】
請求項２に係る発明の方法では、洗浄液または処理液が不活性ガスの噴射圧により霧状にされて噴霧されるので、洗浄液または処理液を高圧で供給する必要が無い。
【００１５】
請求項３に係る発明の基板処理装置においては、排液手段により処理槽内から処理液または洗浄液が排出されるのと連動して、噴霧手段により処理槽の内部空間へ純水等の洗浄液または処理液が不活性ガスと共に噴霧されるので、基板の表面が乾燥することが防がれる。そして、洗浄液または処理液は、不活性ガスと共に処理槽の内部空間へ噴霧されるので、処理槽の内部空間が不活性ガス雰囲気となり、このため、基板の表面が酸化することが防止される。また、処理槽の内部空間へ噴霧される純水等の洗浄液または処理液中に酸素が溶解することがなく、しかも、洗浄液または処理液は、霧状であるため、基板の表面に液滴となって付着することがないので、ウォータマークと呼ばれるしみが基板表面に生じる可能性も無い。また、洗浄液または処理液は、処理槽の内部空間へ噴霧されて霧状態で浮遊し、従来のように基板の表面に向けて液滴が噴射されたりしないので、基板が倒れたり基板ホルダ内で基板がばたついたりすることもない。さらに、洗浄液または処理液は、処理槽の内部空間に霧状態で浮遊して基板の表面を湿らせるので、確実に基板の表面が均等に湿ることとなる。
【００１６】
請求項４に係る発明の装置では、スプレイノズルを用いて洗浄液または処理液が不活性ガスの噴射圧により霧状にされて噴霧されるので、洗浄液または処理液を高圧で供給する必要が無い。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の好適な実施形態について図１および図２を参照しながら説明する。
【００１８】
図１は、この発明に係る基板処理方法を実施するのに使用される基板処理装置の概略構成の１例を示す模式図である。この基板処理装置は、図３に示した従来の装置と同様に、基板Ｗの表面処理および洗浄が行われる処理槽１０を有し、処理槽１０には、その底部へ薬液を供給する薬液供給管１２および洗浄用の純水を供給する純水供給管１４がそれぞれ接続され、それぞれの供給管１２、１４に開閉制御弁１６、１８が介在して設けられている。また、処理槽１０には、その底部に排液管２０が接続されており、排液管２０に開閉制御弁２２が介在して設けられている。
【００１９】
そして、この装置には、処理槽１０の上部に、噴霧口が処理槽１０の内部空間へ向くようにスプレイノズル２４が配設されている。スプレイノズル２４には、純水供給管２６が接続されているとともに、不活性ガス、例えば窒素ガスのガス供給管２８が接続されている。そして、スプレイノズル２４の噴霧口から、窒素ガスの噴射圧によって霧状にされた純水が窒素ガスと共に噴霧されるようになっている。
【００２０】
スプレイノズル２４の構造の１例を図２に断面図で示す。このスプレイノズル２４は、ガス供給管２８が連通されるガス導入口３０および純水供給管２６が連通される純水導入口３２がそれぞれ形設されたアダプタ部３４、窒素ガスに純水を混合させるコア部３６、先端にスリット状の噴霧口３８が形設されたチップ４０、および、チップ４０を固定するためのキャップ４２から構成されている。このような構造により、純水が窒素ガスの噴射圧で霧状にされてチップ４０の先端の噴霧口３８から窒素ガスと共に噴霧される。アダプタ部３４、コア部３６、チップ４０およびキャップ４２は、いずれもステンレス鋼により形成されている。この場合、スプレイノズル２４が金属材料で形成されていて、純水を噴霧させるものであっても、このスプレイノズル２４では、窒素ガスを用いて純水を噴霧させるので、スプレイノズル２４の構成部品が酸化する恐れが無い。なお、スプレイノズルから処理槽１０の内部空間へ薬液を霧状にして噴霧させる場合には、薬液の種類によってはスプレイノズルの構成部品をプラスチック製にする必要がある。
【００２１】
図１に示した基板処理装置による処理操作の１例を説明すると、図３に示した装置における場合と同様に、薬液供給管１２を通して処理槽１０内へ薬液が供給された後、処理槽１０内へ基板Ｗが搬入されて薬液中に基板Ｗが浸漬させられ、基板Ｗに対して所定の表面処理が施される。次に、処理槽１０内から排液管２０を通って薬液が排出される。
【００２２】
この処理槽１０内からの排液動作と連動して、具体的には排液動作開始と同時に、この装置では、純水供給管２６を通して純水がスプレイノズル２４へ供給されるとともに、ガス供給管２８を通して窒素ガスがスプレイノズル２４へ供給され、スプレイノズル２４の噴霧口から処理槽１０の内部空間へ純水が窒素ガスと共に噴霧される。そして、処理槽１０の内部空間から空気が追い出されて、基板Ｗの上端が薬液の液面から現れる時には処理槽１０の内部空間が窒素ガス雰囲気になるとともに、処理槽１０の内部空間に保持された基板Ｗの周囲が、霧状態で浮遊する純水で満たされる。これにより、基板Ｗの表面が均等に湿らされて、基板Ｗの表面の乾燥が防がれる。また、処理槽１０の内部空間が窒素ガス雰囲気となるため、基板Ｗの表面が酸化することが防止される。さらに、処理槽１０の内部空間へ噴霧される純水中に酸素が溶解することがなく、また、純水が基板Ｗの表面に水滴となって付着することもないので、ウォータマークと呼ばれるしみが基板Ｗの表面に生じる可能性も無い。また、純水はスプレイノズル２４から処理槽１０の内部空間へ噴霧されて霧状態で浮遊するだけであるため、基板Ｗが倒されたり基板ホルダ内で基板Ｗがばたついたりすることもない。
【００２３】
処理槽１０内から薬液が排出されてしまうと、純水供給管１４を通して処理槽１０内へ純水が供給され、スプレイノズル２４からの純水の噴霧が停止する。そして、処理槽１０内に保持された基板Ｗが純水中に浸漬させられて、基板Ｗが純水で洗浄される。
【００２４】
なお、以上のような処理において、処理槽１０内からの排液動作と連動してスプレイノズルから処理槽１０の内部空間へ純水を窒素ガスと共に噴霧させる工程以外のそれぞれの工程で、スプレイノズル２４への純水の供給を停止させた状態でガス供給管２８を通して窒素ガスだけをスプレイノズル２４へ供給して、スプレイノズル２４から処理槽１０の内部空間へ窒素ガスを噴射させるようにすることができる。すなわち、スプレイノズル２４から処理槽１０の内部空間へ窒素ガスを常時噴射させるようにすることができる。このようにすることにより、処理槽１０内に貯留された薬液や純水中に酸素が溶け込むことを防止することができ、薬液や純水中に溶解した酸素によって基板の表面に自然酸化膜が形成されることが抑えられる。
【００２５】
上記した実施形態では、薬液による基板の表面処理後に純水で基板の表面を洗浄する処理において、処理槽１０内からの排液動作と連動してスプレイノズル２４から処理槽１０の内部空間へ純水を窒素ガスと共に噴霧させるようにしたが、この発明に係る方法は、そのような実施形態以外にも、種々の形態で実施し得る。例えば、薬液による基板の表面処理後に薬液で基板の表面を洗浄する処理において、処理槽内からの排液動作と連動して処理槽の内部空間へ洗浄用の薬液を噴霧させるようにしたり、洗浄水による基板の水洗処理後に純水で基板の表面を洗浄する処理において、処理槽内からの排水動作と連動して処理槽の内部空間へ純水を噴霧させるようにしたり、洗浄水による基板の水洗処理後に薬液で基板の表面を洗浄する処理において、処理槽内からの排水動作と連動して処理槽の内部空間へ洗浄用の薬液を噴霧させるようにしたりする場合などにも、この発明に係る方法は適用し得る。例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を噴霧して基板上の純水をＩＰＡに置換することで、さらにウォーターマークの発生を防止し得る。
【００２６】
また、この発明は、図１に示す装置を、上部に開閉扉を有する処理室内に配置する構成にも適用し得る。
【００２７】
【発明の効果】
請求項１に係る発明の基板処理方法によると、基板の表面処理と洗浄処理とを１つの処理槽で行う場合において、処理槽内から処理液や洗浄液を排出する際に、基板の表面を乾燥させることなく、基板の表面が酸化したり基板の表面にウォータマークと呼ばれるしみを生じたりすることを防止することができ、基板の処理品質が低下したり歩留まりが低下したりすることを防止することができる。また、従来のように、基板が倒れたり基板ホルダ内で基板がばたついたりすることがなくなり、また、確実に基板の表面を均等に湿らせることができる。
【００２８】
請求項２に係る発明の方法では、洗浄液または処理液を高圧で供給する必要が無くなる。
【００２９】
請求項３に係る発明の基板処理装置を使用すると、請求項１に係る発明の方法を好適に実施することができるので、請求項１に係る発明の上記効果が確実に得られることとなる。
【００３０】
請求項４に係る発明の装置では、洗浄液または処理液を高圧で供給する必要が無くなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、この発明に係る基板処理方法を実施するのに使用される基板処理装置の概略構成の１例を示す模式図である。
【図２】図１に示した基板処理装置の構成要素の１つであるスプレイノズルの構造の１例を示す断面図である。
【図３】従来の基板処理装置の概略構成の１例を示す模式図である。
【符号の説明】
Ｗ 基板
１０ 処理槽
１２ 薬液供給管
１４ 純水供給管
１６、１８、２２ 開閉制御弁
２０ 排液管
２４ スプレイノズル
２６ 純水供給管
２８ 窒素ガスのガス供給管
Claims (4)
- 処理槽内に収容された処理液中に基板を浸漬させて表面処理した後、処理槽内から処理液を排出させ、その後に処理槽内へ洗浄液を供給して、洗浄液中に基板を浸漬させて洗浄し、必要によりこれらの操作を繰り返す基板処理方法において、
処理槽内から処理液または洗浄液を排出させると同時に、処理槽の内部空間へ洗浄液または処理液を不活性ガスと共に噴霧させ、処理槽の内部空間を不活性ガス雰囲気としかつ処理槽の内部空間を霧状態で浮遊する洗浄液または処理液で満たすことを特徴とする基板処理方法。 - 洗浄液または処理液を不活性ガスの噴射圧により霧状にして噴霧させる請求項１記載の基板処理方法。
- 処理液または洗浄液を収容してその処理液または洗浄液中に基板が浸漬させられ、基板の表面処理および洗浄が行われる処理槽と、
この処理槽内から処理液または洗浄液を排出させる排液手段と、
前記処理槽内へ洗浄液または処理液を供給する給液手段と、
を備えた基板処理装置において、
前記排液手段による前記処理槽内からの処理液または洗浄液の排出と連動して、処理槽の内部空間へ洗浄液または処理液を不活性ガスと共に噴霧させ、処理槽の内部空間を不活性ガス雰囲気としかつ処理槽の内部空間を霧状態で浮遊する洗浄液または処理液で満たす噴霧手段を設けたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記噴霧手段が、洗浄液または処理液を不活性ガスの噴射圧により霧状にして噴霧させるスプレイノズルである請求項３記載の基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24169598A JP3609264B2 (ja) | 1998-08-27 | 1998-08-27 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24169598A JP3609264B2 (ja) | 1998-08-27 | 1998-08-27 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000077375A JP2000077375A (ja) | 2000-03-14 |
| JP3609264B2 true JP3609264B2 (ja) | 2005-01-12 |
Family
ID=17078157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24169598A Expired - Fee Related JP3609264B2 (ja) | 1998-08-27 | 1998-08-27 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3609264B2 (ja) |
-
1998
- 1998-08-27 JP JP24169598A patent/JP3609264B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000077375A (ja) | 2000-03-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100678467B1 (ko) | 기판 건조장치 및 이를 이용한 건조방법 | |
| JP2005183791A (ja) | 基板処理方法及びその装置 | |
| KR20070036865A (ko) | 노즐 세정 장치 | |
| JPH07273077A (ja) | ウエーハのリンス方法及びリンス装置 | |
| JP2011187806A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体 | |
| JP2006093334A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP3609264B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| KR100418324B1 (ko) | 반도체 세정 장비의 웨이퍼 건조기 | |
| JP2000124187A (ja) | 基板乾燥方法および基板乾燥装置 | |
| JP2982664B2 (ja) | 洗浄装置 | |
| JP3615951B2 (ja) | 基板洗浄方法 | |
| KR100478289B1 (ko) | 개선된 기체혼합수단을 갖는 습식처리장치 | |
| JPH10308377A (ja) | 基板表面の乾燥方法 | |
| JPH04336430A (ja) | 洗浄方法及び洗浄装置 | |
| JPH10308378A (ja) | 基板表面の乾燥方法 | |
| KR100280439B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 세정장비용 로봇암 | |
| KR20040032200A (ko) | 반도체 웨이퍼 세정 및 건조장치와 이를 이용한 세정 및건조방법 | |
| KR100321546B1 (ko) | 이송 로봇의 척 세정 방법 및 장치 | |
| JP2000005710A (ja) | 基板洗浄装置 | |
| JPH10335300A (ja) | 半導体ウエハの処理方法 | |
| KR100695232B1 (ko) | 기판을 세정하는 장치 및 방법 | |
| KR100252865B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 세정장치 | |
| JPH05315312A (ja) | ウェットエッチング装置 | |
| KR20070038232A (ko) | 웨이퍼의 뱃치식 습식 세정 장치 | |
| KR100481157B1 (ko) | 기판 건조 방법 및 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041005 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041013 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071022 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081022 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091022 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091022 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091022 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |