JP2011187806A - 基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体 - Google Patents
基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011187806A JP2011187806A JP2010053048A JP2010053048A JP2011187806A JP 2011187806 A JP2011187806 A JP 2011187806A JP 2010053048 A JP2010053048 A JP 2010053048A JP 2010053048 A JP2010053048 A JP 2010053048A JP 2011187806 A JP2011187806 A JP 2011187806A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chemical
- storage container
- chemical solution
- inert gas
- mixture
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 93
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 238000004590 computer program Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 367
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 172
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 130
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 109
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 83
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 198
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 105
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 26
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 28
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 28
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 28
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 65
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 50
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 37
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明による基板処理装置1は、基板Wを処理する処理部10と、薬液を貯留する薬液貯留容器20と、薬液貯留容器20から処理部10に薬液を供給する薬液供給駆動部23と、薬液貯留容器20に貯留され薬液を循環する循環ライン30と、循環ライン30に設けられた混合体生成部31とを備えている。混合体生成部31には、不活性ガス供給源40により不活性ガスが供給されるようになっている。混合体生成部31は、薬液貯留容器20から供給される薬液と、不活性ガス供給源40から供給される不活性ガスとを混合して気液混合体を生成するようになっている。
【選択図】図1
Description
まず、図1および図2を用いて、本発明の第1の実施の形態について説明する。ここで、図1および図2は、第1の実施の形態における基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体を説明するための図である。
次に、図3を用いて、本発明の第2の実施の形態について説明する。ここで図3は、第2の実施の形態における基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体を説明するための図である。
10 洗浄槽
11 ノズル
12 乾燥室
13 シャッター
20 薬液貯留容器
21 薬液供給ライン
22 薬液供給開閉弁
23 薬液供給駆動部
30 循環ライン
31 エジェクタ
32 第1循環ライン
33 第2循環ライン
34 第1循環開閉弁
35 第2循環開閉弁
36 導入管
40 不活性ガス供給源
41 第1ガス供給ライン
42 第2ガス供給ライン
43 第1ガス供給開閉弁
44 第2ガス供給開閉弁
45 ガス供給先切替部
50 ガス排出ライン
51 ガス排出開閉弁
60 レベルセンサ
61 薬液供給源
62 純水供給源
63 純水供給ライン
64 純水供給開閉弁
70 制御装置
71 記録媒体
80 薬液供給ポンプ
Claims (14)
- 薬液を用いて基板を処理する処理部と、
薬液を貯留する薬液貯留容器と、
前記薬液貯留容器から前記処理部に薬液を供給する薬液供給駆動部と、
前記薬液貯留容器に貯留された薬液を循環する循環ラインと、
前記循環ラインに設けられた混合体生成部と、
前記混合体生成部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給源と、を備え、
前記混合体生成部は、前記薬液貯留容器から供給される薬液と、前記不活性ガス供給源から供給される不活性ガスとを混合して気液混合体を生成して、当該薬液貯留容器に供給することを特徴とする基板処理装置。 - 前記混合体生成部は、供給される不活性ガスの通流により、前記薬液貯留容器から薬液を吸引して不活性ガスと混合し、気液混合体を生成するエジェクタからなることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記不活性ガス供給源は、前記薬液貯留容器に不活性ガスを供給するようになっており、
前記不活性ガス供給源と前記混合体生成部との間に、当該不活性ガス供給源からの不活性ガスの供給先を、当該混合体生成部と前記薬液貯留容器との間で切り替えるガス供給先切替部が設けられ、
前記循環ラインにおいて薬液を循環させる場合、不活性ガスが前記混合体生成部に供給され、
前記処理部に薬液を供給する場合、不活性ガスが前記薬液貯留容器に供給されることを特徴とする請求項1または2に記載の基板処理装置。 - 前記不活性ガス供給源と前記混合体生成部との間に、当該混合体生成部に不活性ガスを供給する第1ガス供給ラインが連結され、
前記第1ガス供給ラインに、第1ガス供給開閉弁が設けられており、
前記不活性ガス供給源と前記薬液供給容器との間に、当該薬液供給容器に不活性ガスを供給する第2ガス供給ラインが連結され、
前記第2ガス供給ラインに、第2ガス供給開閉弁が設けられており、
前記ガス供給先切替部は、前記第1ガス供給開閉弁と前記第2ガス供給開閉弁とからなっていることを特徴とする請求項3に記載の基板処理装置。 - 前記薬液貯留容器に、前記混合体生成部から供給される気液混合体を、貯留された薬液内に導入する導入部が設けられていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記処理部と前記薬液貯留容器との間に、当該処理部に薬液を供給する薬液供給ラインが連結され、
前記薬液供給ラインに、薬液供給開閉弁が設けられ、
前記循環ラインのうち前記薬液貯留容器から前記混合体生成部に薬液を供給する部分に、第1循環開閉弁が設けられており、
前記薬液供給開閉弁が閉じている場合に、前記第1循環開閉弁が開いて、前記混合体生成部に薬液を供給し、
前記薬液供給開閉弁が開いている場合に、前記第1循環開閉弁が閉じて、前記処理部に薬液を供給することを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記薬液貯留容器の上部に、その内部から気体を排出するガス排出ラインが連結されていることを特徴とする請求項6に記載の基板処理装置。
- 前記ガス排出ラインに、ガス排出開閉弁が設けられ、
前記ガス排出開閉弁は、前記薬液供給開閉弁が閉じている場合に開くことを特徴とする請求項7に記載の基板処理装置。 - 前記循環ラインのうち前記混合体生成部から前記薬液貯留容器に気液混合体を供給する部分に、第2循環開閉弁が設けられ、
前記第2循環開閉弁は、前記薬液供給開閉弁が閉じている場合に開くと共に、当該薬液供給開閉弁が開いている場合に閉じることを特徴とする請求項6乃至8のいずれかに記載の基板処理装置。 - 薬液を用いて基板を処理する処理部と、薬液を貯留する薬液貯留容器と、不活性ガス供給源とを有する基板処理装置を用いて基板を処理する基板処理方法において、
前記薬液貯留容器から混合体生成部に薬液を供給すると共に、前記不活性ガス供給源から当該混合体生成部に不活性ガスを供給して、当該混合体生成部において薬液と不活性ガスとを混合して気液混合体を生成し、生成された気液混合体を当該薬液貯留容器に供給して、薬液を循環する工程と、
前記薬液貯留容器から前記処理部に薬液を供給して、前記処理部において基板を処理する工程と、を備えたことを特徴とする基板処理方法。 - 前記混合体生成部は、エジェクタからなり、
薬液を循環する工程において、エジェクタは、供給された不活性ガスの通流により、前記薬液貯留容器から薬液を吸引して不活性ガスと混合し、気液混合体を生成することを特徴とする請求項10に記載の基板処理方法。 - 基板を処理する工程において、不活性ガスが前記薬液貯留容器に供給されることを特徴とする請求項10または11に記載の基板処理方法。
- 薬液を循環する工程において、前記薬液貯留容器の上部に連結されたガス排出ラインを介して、当該薬液貯留容器の内部から気体が排出されることを特徴とする請求項10乃至12のいずれかに記載の基板処理方法。
- 基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体であって、
この基板処理方法は、
薬液を用いて基板を処理する処理部と、薬液を貯留する薬液貯留容器と、不活性ガス供給源とを有する基板処理装置を用いて基板を処理する基板処理方法において、
前記薬液貯留容器から混合体生成部に薬液を供給すると共に、前記不活性ガス供給源から当該混合体生成部に不活性ガスを供給して、当該混合体生成部において薬液と不活性ガスとを混合して気液混合体を生成し、生成された気液混合体を当該薬液貯留容器に供給して、薬液を循環する工程と、
前記薬液貯留容器から前記処理部に薬液を供給して、前記処理部において基板を処理する工程と、を備えたことを特徴とする記録媒体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010053048A JP5189121B2 (ja) | 2010-03-10 | 2010-03-10 | 基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体 |
KR20110007422A KR101484078B1 (ko) | 2010-03-10 | 2011-01-25 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 이 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체 |
US13/039,536 US9117854B2 (en) | 2010-03-10 | 2011-03-03 | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium storing a computer program for performing substrate processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010053048A JP5189121B2 (ja) | 2010-03-10 | 2010-03-10 | 基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011187806A true JP2011187806A (ja) | 2011-09-22 |
JP5189121B2 JP5189121B2 (ja) | 2013-04-24 |
Family
ID=44558779
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010053048A Active JP5189121B2 (ja) | 2010-03-10 | 2010-03-10 | 基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9117854B2 (ja) |
JP (1) | JP5189121B2 (ja) |
KR (1) | KR101484078B1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018101677A (ja) * | 2016-12-20 | 2018-06-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP7486372B2 (ja) | 2020-07-29 | 2024-05-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5714449B2 (ja) * | 2011-08-25 | 2015-05-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法および記憶媒体 |
KR101327696B1 (ko) * | 2012-06-04 | 2013-11-11 | 플러스이엔지 주식회사 | 반도체 공정용 약액 정량 공급 장치 |
TWI630652B (zh) | 2014-03-17 | 2018-07-21 | 斯克林集團公司 | 基板處理裝置及使用基板處理裝置之基板處理方法 |
JP6499414B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2019-04-10 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP6993885B2 (ja) * | 2018-01-15 | 2022-01-14 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06190360A (ja) * | 1992-10-29 | 1994-07-12 | Nippon Sanso Kk | 溶存酸素低減装置 |
JP2001246362A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-09-11 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 脱気装置 |
JP2001347102A (ja) * | 2000-06-09 | 2001-12-18 | Takuma Co Ltd | 脱気方法及び脱気装置 |
JP2002301305A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-15 | Kurita Water Ind Ltd | 脱気ユニット及び脱気装置 |
JP2006269668A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69218152T2 (de) * | 1991-12-26 | 1997-08-28 | Canon Kk | Herstellungsverfahren einer niedergeschlagenen Schicht mittels CVD, unter Verwendung von flüssigem Rohstoff und dazu geeignete Vorrichtung |
DE69427728T2 (de) | 1993-04-14 | 2002-05-08 | Nippon Oxygen Co Ltd | Vorrichtung zur herabsetzung vom gelöstem sauerstoff |
KR100213243B1 (ko) * | 1996-08-19 | 1999-09-01 | 윤종용 | 웨이퍼 세정 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 세정 방법 |
JP3177736B2 (ja) | 1997-09-17 | 2001-06-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JP2004207515A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Sekisui Chem Co Ltd | レジスト除去装置及びレジスト除去方法 |
US20040194806A1 (en) * | 2003-04-02 | 2004-10-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | IPA concentration interlock detector for substrate dryer |
-
2010
- 2010-03-10 JP JP2010053048A patent/JP5189121B2/ja active Active
-
2011
- 2011-01-25 KR KR20110007422A patent/KR101484078B1/ko active IP Right Grant
- 2011-03-03 US US13/039,536 patent/US9117854B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06190360A (ja) * | 1992-10-29 | 1994-07-12 | Nippon Sanso Kk | 溶存酸素低減装置 |
JP2001246362A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-09-11 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 脱気装置 |
JP2001347102A (ja) * | 2000-06-09 | 2001-12-18 | Takuma Co Ltd | 脱気方法及び脱気装置 |
JP2002301305A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-15 | Kurita Water Ind Ltd | 脱気ユニット及び脱気装置 |
JP2006269668A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018101677A (ja) * | 2016-12-20 | 2018-06-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
US10933448B2 (en) | 2016-12-20 | 2021-03-02 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
JP7486372B2 (ja) | 2020-07-29 | 2024-05-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110102149A (ko) | 2011-09-16 |
US9117854B2 (en) | 2015-08-25 |
KR101484078B1 (ko) | 2015-01-19 |
US20110220157A1 (en) | 2011-09-15 |
JP5189121B2 (ja) | 2013-04-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5189121B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体 | |
US20040154641A1 (en) | Substrate processing apparatus and method | |
US8585030B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
KR20040075323A (ko) | 단일- 또는 두-기판 처리용 장치 및 방법 | |
JP2013258391A (ja) | 基板処理用の薬液生成方法、基板処理用の薬液生成ユニット、および基板処理システム | |
JP2008034779A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP4982320B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR101062255B1 (ko) | 기판 세정 방법, 기판 세정 장치 및 프로그램 기록 매체 | |
CN107256823B (zh) | 基板处理装置及基板处理方法 | |
JP2009231579A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP6435385B2 (ja) | 基板処理用の薬液生成方法、基板処理用の薬液生成ユニット、基板処理方法、および基板処理システム | |
JP2007134600A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP5330793B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP5076164B2 (ja) | 半導体製造装置の洗浄方法 | |
JPWO2008050832A1 (ja) | 基板洗浄装置、基板洗浄方法、プログラム、および記録媒体 | |
JP5147638B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2006173378A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2022131885A (ja) | 処理液循環方法、及び、基板処理方法 | |
JP2008251655A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005166848A (ja) | 基板処理法及び基板処理装置 | |
JP2005244130A (ja) | 基板処理法及び基板処理装置 | |
JP6020626B2 (ja) | デバイス用Ge基板の洗浄方法、洗浄水供給装置及び洗浄装置 | |
JP2009021539A (ja) | 基板洗浄方法、基板洗浄装置、プログラム、および、プログラム記録媒体 | |
JP2018049994A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR100695232B1 (ko) | 기판을 세정하는 장치 및 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120309 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120704 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120727 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120910 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121225 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130123 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160201 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5189121 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |