KR101484078B1 - 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 이 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체 - Google Patents

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 이 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 약액의 용존산소를 저감하여 기판의 처리 효율을 향상시키고, 신뢰성을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는, 기판(W)을 처리하는 처리부(10)와, 약액을 저류하는 약액 저류 용기(20)와, 약액 저류 용기(20)로부터 처리부(10)로 약액을 공급하는 약액 공급 구동부(23)와, 약액 저류 용기(20)에 저류된 약액을 순환시키는 순환 라인(30)과, 순환 라인(30)에 마련된 혼합체 생성부(31)를 포함하고 있다. 혼합체 생성부(31)에는, 불활성 가스 공급원(40)에 의해 불활성 가스가 공급되도록 되어 있다. 혼합체 생성부(31)는, 약액 저류 용기(20)로부터 공급되는 약액과, 불활성 가스 공급원(40)으로부터 공급되는 불활성 가스를 혼합하여 기액 혼합체를 생성하도록 되어 있다.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 이 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND STORAGE MEDIUM STORING THEREIN A PROGRAM FOR EXECUTING SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 발명은, 기판을 처리하는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 이 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체에 관한 것으로서, 특히, 약액의 용존산소를 저감하여 기판의 처리 효율을 향상시키고, 신뢰성을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 이 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체에 관한 것이다.
종래부터, 반도체 웨이퍼 또는 LCD용 유리기판 등의 기판(여기서는, 간단히 웨이퍼라고 기재함)을, 세정조에 저류된 순수 또는 약액(예컨대, 불화수소산 HF) 등의 세정액에 침지하여 세정 처리하는 기판 처리 장치가 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조). 이러한 기판 처리 장치에 있어서, 약액은, 약액 저류 용기에 저류되어 있고, 웨이퍼의 약액 세정 시에, 약액 저류 용기로부터 세정조로 공급되어 웨이퍼 표면의 산화막을 에칭하도록 되어 있다. 또한, 순수는, 순수 저류 용기에 저류되어 있고, 웨이퍼의 약액 세정 시에, 순수 저류 용기로부터 세정조로 공급되며, 웨이퍼의 순수 세정 시에도 세정조로 공급되어 웨이퍼를 순수로 세정 처리(린스 처리)하도록 되어 있다.
여기서, 세정조에 공급되는 순수에 산소가 용존되어 있는 경우에는, 이 산소에 의해 웨이퍼 표면에 산화막이 형성된다고 하는 문제가 있다. 이 때문에, 미리 순수를 탈기시켜, 순수에 용존되어 있는 산소를 저감하는 것이 행해지고 있다.
일본 특허 공개 평성11-97403호 공보 일본 특허 공개 제2006-269668호 공보
한편, 약액에 산소가 용존되어 있는 경우에 있어서도, 이 산소에 의해, 세정된 웨이퍼 표면에 산화막이 형성될 가능성이 있다. 이것에 의해, 약액 세정 처리 시에, 웨이퍼 표면으로부터 산화막을 효율적으로 제거하는 것이 곤란해져서, 웨이퍼의 세정 효율이 저하된다고 하는 문제가 있다.
여기서, 전술한 특허문헌 2에는, 폴리머 제거액을 약액으로 하여, 기판에 잔류하고 있는 폴리머(레지스트 잔류물)를 제거하는 기판 처리 장치가 개시되어 있다. 이 특허문헌 2에 있어서는, 진공 펌프를 이용하여, 약액을 중공자 분리막을 통과시킴으로써 약액으로부터 산소 분자를 분리하고, 기판 상에서의 산화 반응이 일어나는 것을 억제 또는 방지하고 있다.
그러나, 웨이퍼(W)에 형성된 산화막을 에칭하기 위해서 이용되는 HF 등의 약액은, 강한 산성을 갖고 있다. 이것에 의해, 특허문헌 2에 나타내는 방법을 이용하여, HF 등의 약액에 용존되어 있는 산소를 제거하는 경우, 진공 펌프가 부식된다고 하는 문제가 있다.
본 발명은, 이러한 점을 고려하여 이루어진 것으로서, 약액의 용존산소를 저감하여 기판의 처리 효율을 향상시키고 신뢰성을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 이 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 약액을 이용하여 기판을 처리하는 처리부와, 약액을 저류하는 약액 저류 용기와, 상기 약액 저류 용기로부터 상기 처리부에 약액을 공급하는 약액 공급 구동부와, 상기 약액 저류 용기에 저류된 약액을 순환시키는 순환 라인과, 상기 순환 라인에 마련된 혼합체 생성부와, 상기 혼합체 생성부에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급원을 포함하고, 상기 혼합체 생성부는, 상기 약액 저류 용기로부터 공급되는 약액과, 상기 불활성 가스 공급원으로부터 공급되는 불활성 가스를 혼합해 기액 혼합체를 생성하여, 상기 약액 저류 용기에 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다.
본 발명은, 상기 혼합체 생성부는, 공급되는 불활성 가스의 통류(通流)에 의해, 상기 약액 저류 용기로부터 약액을 흡인하여 불활성 가스와 혼합하여, 기액 혼합체를 생성하는 이젝터로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다.
본 발명은, 상기 불활성 가스 공급원은, 상기 약액 저류 용기에 불활성 가스를 공급하도록 되어 있고, 상기 불활성 가스 공급원과 상기 혼합체 생성부 사이에, 상기 불활성 가스 공급원으로부터의 불활성 가스의 공급 목적지를, 상기 혼합체 생성부와 상기 약액 저류 용기 사이에서 전환하는 가스 공급 목적지 전환부가 마련되며, 상기 순환 라인에 있어서 약액을 순환시키는 경우, 불활성 가스가 상기 혼합체 생성부에 공급되고, 상기 처리부에 약액을 공급하는 경우, 불활성 가스가 상기 약액 저류 용기에 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다.
본 발명은, 상기 불활성 가스 공급원과 상기 혼합체 생성부 사이에, 이 혼합체 생성부에 불활성 가스를 공급하는 제1 가스 공급 라인이 연결되고, 상기 제1 가스 공급 라인에, 제1 가스 공급 개폐 밸브가 설치되어 있으며, 상기 불활성 가스 공급원과 상기 약액 저류 용기 사이에, 이 약액 저류 용기에 불활성 가스를 공급하는 제2 가스 공급 라인이 연결되고, 상기 제2 가스 공급 라인에, 제2 가스 공급 개폐 밸브가 설치되어 있으며, 상기 가스 공급 목적지 전환부는, 상기 제1 가스 공급 개폐 밸브와 상기 제2 가스 공급 개폐 밸브로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다.
본 발명은, 상기 약액 저류 용기에, 상기 혼합체 생성부로부터 공급되는 기액 혼합체를, 저류된 약액 내로 도입하는 도입부가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다.
본 발명은, 상기 처리부와 상기 약액 저류 용기 사이에, 상기 처리부에 약액을 공급하는 약액 공급 라인이 연결되고, 상기 약액 공급 라인에, 약액 공급 개폐 밸브가 설치되며, 상기 순환 라인 중 상기 약액 저류 용기로부터 상기 혼합체 생성부로 약액을 공급하는 부분에, 제1 순환 개폐 밸브가 설치되어 있고, 상기 약액 공급 개폐 밸브가 폐쇄되어 있는 경우에, 상기 제1 순환 개폐 밸브가 개방되어 상기 혼합체 생성부에 약액을 공급하며, 상기 약액 공급 개폐 밸브가 개방되어 있는 경우에, 상기 제1 순환 개폐 밸브가 폐쇄되어 상기 처리부에 약액을 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다.
본 발명은, 상기 약액 저류 용기의 상부에, 그 내부로부터 기체를 배출하는 가스 배출 라인이 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다.
본 발명은, 상기 가스 배출 라인에, 가스 배출 개폐 밸브가 설치되고, 상기 가스 배출 개폐 밸브는, 상기 약액 공급 개폐 밸브가 폐쇄되어 있는 경우에 개방되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다.
본 발명은, 상기 순환 라인 중 상기 혼합체 생성부로부터 상기 약액 저류 용기로 기액 혼합체를 공급하는 부분에, 제2 순환 개폐 밸브가 설치되고, 상기 제2 순환 개폐 밸브는, 상기 약액 공급 개폐 밸브가 폐쇄되어 있는 경우에 개방되며, 상기 약액 공급 개폐 밸브가 개방되어 있는 경우에 폐쇄되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다.
본 발명은, 약액을 이용하여 기판을 처리하는 처리부와, 약액을 저류하는 약액 저류 용기와, 불활성 가스 공급원을 갖는 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서, 상기 약액 저류 용기로부터 혼합체 생성부로 약액을 공급하고, 상기 불활성 가스 공급원으로부터 상기 혼합체 생성부로 불활성 가스를 공급하여, 상기 혼합체 생성부에서 약액과 불활성 가스를 혼합해 기액 혼합체를 생성하며, 생성된 기액 혼합체를 상기 약액 저류 용기에 공급하여, 약액을 순환시키는 공정과, 상기 약액 저류 용기로부터 상기 처리부로 약액을 공급하여, 상기 처리부에서 기판을 처리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법이다.
본 발명은, 상기 혼합체 생성부는, 이젝터로 이루어지고, 약액을 순환시키는 공정에 있어서, 이젝터는, 공급된 불활성 가스의 통류에, 의해 상기 약액 저류 용기로부터 약액을 흡인하여 불활성 가스와 혼합하며, 기액 혼합체를 생성하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법이다.
본 발명은, 기판을 처리하는 공정에 있어서, 불활성 가스가 상기 약액 저류 용기에 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법이다.
본 발명은, 약액을 순환시키는 공정에 있어서, 상기 약액 저류 용기의 상부에 연결된 가스 배출 라인을 통해, 상기 약액 저류 용기의 내부로부터 기체가 배출되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법이다.
본 발명은, 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체로서, 이 기판 처리 방법은, 약액을 이용하여 기판을 처리하는 처리부와, 약액을 저류하는 약액 저류 용기와, 불활성 가스 공급원을 갖는 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서, 상기 약액 저류 용기로부터 혼합체 생성부로 약액을 공급하고, 상기 불활성 가스 공급원으로부터 상기 혼합체 생성부로 불활성 가스를 공급하여, 상기 혼합체 생성부에서 약액과 불활성 가스를 혼합해 기액 혼합체를 생성하며, 생성된 기액 혼합체를 상기 약액 저류 용기에 공급하여, 약액을 순환시키는 공정과, 상기 약액 저류 용기로부터 상기 처리부로 약액을 공급하여, 상기 처리부에서 기판을 처리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기록 매체이다.
본 발명에 따르면, 약액의 용존산소를 저감하여 기판의 처리 효율을 향상시키고, 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 있어서의 기판 처리 장치를 나타낸 도면.
도 2는 본 발명의 제1 실시형태에 있어서의 기판 처리 방법을 나타낸 도면.
도 3은 본 발명의 제2 실시형태에 있어서의 기판 처리 장치를 나타낸 도면.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다.
제1 실시형태
우선, 도 1 및 도 2를 이용하여 본 발명의 제1 실시형태에 대해서 설명한다. 여기서, 도 1 및 도 2는, 제1 실시형태에 있어서의 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 이 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체를 설명하기 위한 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는, 약액(예컨대, 불화수소산 HF) 또는 순수를 이용하여 복수 장의 기판[예컨대, 반도체 웨이퍼, 이하, 간단히 웨이퍼(W)라고 기재함]을 세정 처리하는 세정조(처리부)(10)와, 약액을 저류하는 약액 저류 용기(20)와, 약액 저류 용기(20)로부터 세정조(10)로 약액을 공급하는 약액 공급 구동부(23)와, 이 약액 저류 용기(20)에, 불활성 가스(N2 가스)를 공급하는 불활성 가스 공급원(40)을 포함하고 있다. 본 실시형태에 있어서, 약액 공급 구동부(23)는, 불활성 가스 공급원(40)으로 이루어져 있고, 불활성 가스 공급원(40)이 불활성 가스를 가압하여 약액 저류 용기(20)에 공급함으로써, 약액 저류 용기(20) 내부를 가압하여 약액을 세정조(10)에 공급하도록 되어 있다. 또한, 불활성 가스 공급원(40)은, 후술하는 혼합체 생성부(31)에도 불활성 가스를 공급하도록 되어 있다. 또한, 세정조(10)에, 순수를 공급하는 순수 공급원(62)이 연결되어 있고, 이 순수 공급원(62)도 마찬가지로, 순수를 가압하여 세정조(10)에 공급하도록 되어 있다.
세정조(10)의 하부에, 약액 저류 용기(20)로부터 공급되는 약액, 또는 순수 공급원(62)으로부터 공급되는 순수를 웨이퍼(W)를 향해 분사하는 노즐(11)이 설치되어 있다. 이와 같이 하여, 세정조(10) 내의 웨이퍼(W)를 향해 약액 또는 순수가 분사되어 웨이퍼(W)가 세정 처리되도록 되어 있다.
또한, 세정조(10)의 상측에는, 세정된 웨이퍼(W)를 건조 처리하는 건조실(12)이 마련되어 있다. 세정조(10)와 건조실(12) 사이에는 셔터(13)가 설치되어, 이들 세정조(10)와 건조실(12) 사이를 차폐 가능하게 구성되어 있다.
세정조(10)와 약액 저류 용기(20) 사이에, 세정조(10)에 약액을 공급하는 약액 공급 라인(21)이 연결되어 있다. 이 약액 공급 라인(21)에, 약액 공급 라인(21)을 개폐하는 약액 공급 개폐 밸브(22)가 설치되어 있다. 이와 같이 하여, 약액 공급 개폐 밸브(22)가 개방된 경우에, 약액 저류 용기(20)로부터 세정조(10)로 약액이 공급되도록 되어 있다. 또한, 본 실시형태에 있어서, 이 약액 공급 라인(21)의 세정조(10)측 단부는, 후술하는 순수 공급 라인(63)에 연결되어, 순수 공급 라인(63)에 합류하도록 되어 있다.
약액 저류 용기(20)에는, 저류된 약액을 순환시키는 순환 라인(30)이 마련되어 있다. 이 순환 라인(30)은, 후술하는 이젝터(31)와 약액 저류 용기(20) 사이에 연결되어, 약액 저류 용기(20)로부터 이젝터(31)로 약액을 공급하는 제1 순환 라인(32)과, 이젝터(31)와 약액 저류 용기(20) 사이에 연결되어, 이젝터(31)에 의해 생성된 기액 혼합체(후술)를 약액 저류 용기(20)에 공급하는 제2 순환 라인(33)을 갖고 있다.
순환 라인(30)에는, 약액 저류 용기(20)로부터 공급되는 약액과, 불활성 가스 공급원(40)으로부터 공급되는 불활성 가스를 혼합하여 기액 혼합체를 생성하는 이젝터(혼합체 생성부)(31)가 마련되어 있다. 즉, 이젝터(31)는, 공급되는 불활성 가스의 통류에 의해, 제1 순환 라인(32) 내부를 부압으로 만들어, 이 제1 순환 라인(32)으로부터 약액을 흡인하고, 미스트형이 된 약액과 불활성 가스를 혼합하여 기액 혼합체를 생성하며, 이 기액 혼합체를, 제2 순환 라인(33)을 통해 약액 저류 용기(20)에 공급하도록 되어 있다. 또한, 본 실시형태에 있어서, 제1 순환 라인(32)의 약액 저류 용기(20)측 단부는, 약액 공급 라인(21)에 연결되어 있고, 약액 공급 라인(21)으로부터 분기되도록 제1 순환 라인(32)이 연결되어 있다.
약액 저류 용기(20)에, 제2 순환 라인(33)으로부터 공급된 기액 혼합체를, 저류된 약액 내로 도입하는 도입관(도입부)(36)이 마련되어 있다. 이 도입관(36)의 일단은 제2 순환 라인(33)에 연결되고, 타단은 약액 저류 용기(20)의 하측 부분으로 연장되며, 기액 혼합체는, 저류된 약액의 하측 부분으로부터 약액 내로 도입되도록 되어 있다. 이것에 의해, 기액 혼합체 중 불활성 가스는, 기포가 되어 약액 내에서 상승하고(버블링), 약액 저류 용기(20)의 상부에 형성된 기상 공간에 도달하며, 기액 혼합체 중 약액은, 약액 저류 용기(20) 내에서 저류된다. 이와 같이 하여 약액이 순환되도록 되어 있다. 또한, 도입관(36)이, 약액 저류 용기(20)의 하측 부분으로 연장되어 있음으로써, 약액의 액면이 흔들리는 것을 억제하여, 후술하는 레벨 센서(60)에 의한 약액의 액면의 검출 정밀도를 향상시킬 수 있다.
제1 순환 라인(32)[약액 저류 용기(20)로부터 이젝터(31)로 약액을 공급하는 부분]에, 이 제1 순환 라인(32)을 개폐하는 제1 순환 개폐 밸브(34)가 설치되어 있다. 또한, 제2 순환 라인(33)[이젝터(31)로부터 약액 저류 용기(20)로 기액 혼합체를 공급하는 부분]에, 이 제2 순환 라인(33)을 개폐하는 제2 순환 개폐 밸브(35)가 설치되어 있다. 이들 제1 순환 개폐 밸브(34) 및 제2 순환 개폐 밸브(35)는, 약액 공급 개폐 밸브(22)가 폐쇄되어 있는 경우에 개방되어, 약액 저류 용기(20)로부터 이젝터(31)로 약액을 공급하여, 약액을 순환시키도록 되어 있다. 또한, 제1 순환 개폐 밸브(34) 및 제2 순환 개폐 밸브(35)는, 약액 공급 개폐 밸브(22)가 개방되어 있는 경우에는 폐쇄되어, 이젝터(31)로부터 약액 저류 용기(20)로의 기액 혼합체의 공급을 정지하고, 약액 저류 용기(20)로부터 세정조(10)로 약액이 공급되도록 되어 있다.
불활성 가스 공급원(40)과 이젝터(31) 사이에, 이젝터(31)로 불활성 가스를 공급하는 제1 가스 공급 라인(41)이 연결되어 있다. 또한, 불활성 가스 공급원(40)과 약액 저류 용기(20) 사이에, 불활성 가스를 이젝터(31)에 공급하지 않고, 약액 저류 용기(20)에 공급하는 제2 가스 공급 라인(42)이 설치되어 있다. 또한, 제2 가스 공급 라인(42)의 불활성 가스 공급원(40)측 단부는, 제1 가스 공급 라인(41)에 연결되어 있고, 제1 가스 공급 라인(41)으로부터 분기되도록 제2 가스 공급 라인(42)이 연결되어 있다.
제1 가스 공급 라인(41)에, 이 제1 가스 공급 라인(41)을 개폐하는 제1 가스 공급 개폐 밸브(43)가 설치되어 있다. 이 제1 가스 공급 개폐 밸브(43)는, 약액 공급 개폐 밸브(22)가 폐쇄되어 있는 경우에 개방되어, 이젝터(31)에 불활성 가스를 공급하도록 되어 있다. 또한, 제1 가스 공급 개폐 밸브(43)는, 약액 공급 개폐 밸브(22)가 개방되어 있는 경우에 폐쇄되어, 불활성 가스 공급원(40)으로부터 이젝터(31)로의 불활성 가스의 공급을 정지하도록 되어 있다.
제2 가스 공급 라인(42)에, 이 제2 가스 공급 라인(42)을 개폐하는 제2 가스 공급 개폐 밸브(44)가 설치되어 있다. 이 제2 가스 공급 개폐 밸브(44)는, 약액 공급 개폐 밸브(22)가 개방되어 있는 경우에 개방되어, 불활성 가스를 약액 저류 용기(20)로 직접 공급하도록 되어 있다. 이 경우, 약액 저류 용기(20) 내부가 가압되어 약액이 세정조(10)에 공급된다. 또한, 제2 가스 공급 개폐 밸브(44)는, 약액 공급 개폐 밸브(22)가 폐쇄되어 있는 경우에 폐쇄되어, 불활성 가스 공급원(40)으로부터 제2 가스 공급 라인(42)을 통한 약액 저류 용기(20)로의 불활성 가스의 공급을 정지하도록 되어 있다.
전술한 제1 가스 공급 개폐 밸브(43) 및 제2 가스 공급 개폐 밸브(44)에 의해, 불활성 가스 공급원(40)으로부터의 불활성 가스의 공급 목적지를 전환하는 가스 공급 목적지 전환부(45)가 구성되어, 불활성 가스의 공급 목적지를 약액 저류 용기(20)와 이젝터(31) 사이에서 전환하도록 되어 있다.
약액 저류 용기(20)의 상부에, 그 내부로부터 기체를 배출하는 가스 배출 라인(50)이 연결되어 있다. 이 가스 배출 라인(50)에, 가스 배출 라인(50)을 개폐하는 가스 배출 개폐 밸브(51)가 설치되어 있다. 이 가스 배출 개폐 밸브(51)는, 약액 공급 개폐 밸브(22)가 폐쇄되어 있는 경우에 개방되어, 약액 저류 용기(20)의 상부로부터 불활성 가스와 함께, 약액에서 제거된 산소를 함유하는 기체를 배출하도록 되어 있다. 또한, 이 가스 배출 개폐 밸브(51)는, 약액 공급 개폐 밸브(22)가 개방되어 있는 경우에는 폐쇄되도록 되어 있다.
약액 저류 용기(20)에는, 저류된 약액의 액면을 검출하는 복수의 레벨 센서(60)가 설치되고, 각 레벨 센서(60)에, 후술하는 제어 장치(70)가 접속되어 있다. 또한, 약액 저류 용기(20)에는, 이 약액 저류 용기(20)로 약액을 공급하는 약액 공급원(61)이 연결되어 있다. 제어 장치(70)는, 레벨 센서(60)로부터의 검출 신호에 기초하여, 약액 공급원(61)으로부터 약액 저류 용기(20)로 약액을 공급(보충)하도록 약액 공급원(61)을 제어하도록 되어 있다.
세정조(10)와 순수 공급원(62) 사이에 순수 공급 라인(63)이 연결되고, 이 순수 공급 라인(63)에, 순수 공급 라인(63)을 개폐하는 순수 공급 개폐 밸브(64)가 설치되어 있다. 이 순수 공급 개폐 밸브(64)가 개방됨으로써, 순수 공급원(62)으로부터 세정조(10)로 순수가 공급되도록 되어 있다.
전술한 각 개폐 밸브(22, 34, 35, 43, 44, 51, 64)는, 제어 장치(70)에 접속되고, 제어 장치(70)는, 약액을 순환시키는 경우에, 약액 공급 개폐 밸브(22) 및 제2 가스 공급 개폐 밸브(44)를 폐쇄하며, 제1 순환 개폐 밸브(34), 제2 순환 개폐 밸브(35), 제1 가스 공급 개폐 밸브(43) 및 가스 배출 개폐 밸브(51)를 개방하도록 각 개폐 밸브(22, 34, 35, 43, 44, 51, 64)를 제어한다.
세정조(10)에서 약액에 의한 세정 처리를 행하는 경우, 제어 장치(70)는, 약액 공급 개폐 밸브(22) 및 제2 가스 공급 개폐 밸브(44)를 개방하고, 제1 순환 개폐 밸브(34), 제2 순환 개폐 밸브(35), 제1 가스 공급 개폐 밸브(43) 및 가스 배출 개폐 밸브(51)를 폐쇄하도록 각 개폐 밸브(22, 34, 35, 43, 44, 51, 64)를 제어한다. 또한, 이때, 제어 장치(70)는, 순수 공급 개폐 밸브(64)를 개방한다. 이와 같이 하여, 세정조(10)에 약액 및 순수를 공급하도록 되어 있다. 또한, 세정조(10)에서 순수에 의한 세정 처리(린스 처리)를 행하는 경우에는, 제어 장치(70)는, 약액 공급 개폐 밸브(22)를 폐쇄하고, 순수 공급 개폐 밸브(64)를 개방하도록 이들 개폐 밸브(22, 64)를 제어한다. 이와 같이 하여, 세정조(10)에 순수가 공급되도록 되어 있다.
또한, 본 실시형태에 있어서는, 제어 장치(70)는 컴퓨터를 포함하고, 이 컴퓨터가 기록 매체(71)에 미리 기억해 놓은 프로그램을 실행함으로써, 기판 처리 장치(1)를 이용한 웨이퍼(W)의 세정 처리가 실시되도록 되어 있다.
다음에, 이러한 구성으로 이루어진 본 실시형태의 작용, 즉 본 실시형태에 의한 기판 처리 방법에 대해서 설명한다.
우선, 도 2에 도시된 바와 같이, 약액 공급원(61)으로부터 약액 저류 용기(20)로 약액이 공급되고, 약액 저류 용기(20)에 약액이 저류된다(단계 S1).
다음에, 도 1에서 실선 화살표로 나타낸 바와 같이, 약액을 순환시켜, 저류되어 있는 약액을 버블링한다(단계 S2).
이 경우, 제어 장치(70)는, 약액 공급 개폐 밸브(22) 및 제2 가스 공급 개폐 밸브(44)를 폐쇄하고, 제1 순환 개폐 밸브(34), 제2 순환 개폐 밸브(35), 제1 가스 공급 개폐 밸브(43) 및 가스 배출 개폐 밸브(51)를 개방한다. 이것에 의해, 이젝터(31)에, 약액 저류 용기(20)로부터 제1 순환 라인(32)을 통해 약액이 공급되고, 불활성 가스 공급원(40)으로부터 제1 가스 공급 라인(41)을 통해 불활성 가스가 공급되며, 약액과 불활성 가스가 혼합되어 기액 혼합체가 생성된다. 즉, 이젝터(31)는, 공급된 불활성 가스의 통류에 의해, 제1 순환 라인(32) 내부를 부압으로 만들어, 제1 순환 라인(32)으로부터 약액을 흡인해 기액 혼합체를 생성한다. 이렇게 생성된 기액 혼합체는, 제2 순환 라인(33)을 통해, 약액 저류 용기(20)에 마련된 도입관(36)으로 공급되고, 이 도입관(36)으로부터, 저류된 약액의 하측 부분에 도입된다. 이것에 의해, 도입관(36)으로부터 도입된 기액 혼합체 중 불활성 가스는 기포가 되어 약액 내에서 상승하여(버블링하여), 기상 공간에 도달하고, 기액 혼합체 중 약액은 약액 저류 용기(20) 내에 저류된다. 이와 같이 하여 약액이 순환된다.
여기서, 약액 내에서 기포가 된 불활성 가스는, 약액 중에 용존하고 있는 산소를 수반하여 기상 공간에 도달한다. 기상 공간에 도달한 불활성 가스는, 산소와 함께 가스 배출 라인(50)을 통해 약액 저류 용기(20)로부터 배출된다.
다음에, 도 1에서 파선 화살표로 나타낸 바와 같이, 용존산소가 저감된 약액을 세정조(10)에 공급하여, 웨이퍼(W)를 세정 처리한다(단계 S3).
이 경우, 제어 장치(70)는, 약액 공급 개폐 밸브(22) 및 제2 가스 공급 개폐 밸브(44)를 개방하고, 제1 순환 개폐 밸브(34), 제2 순환 개폐 밸브(35), 제1 가스 공급 개폐 밸브(43) 및 가스 배출 개폐 밸브(51)를 폐쇄한다. 이 경우, 가압된 불활성 가스가, 불활성 가스 공급원(40)으로부터 제2 가스 공급 라인(42)을 통해 약액 저류 용기(20)로 공급된다. 이것에 의해, 약액 저류 용기(20) 내부가 가압되어, 용존산소가 저감된 약액이, 약액 저류 용기(20)로부터 약액 공급 라인(21)을 통해 세정조(10)로 공급된다. 또한, 이때, 제어 장치(70)에 의해 순수 공급 개폐 밸브(64)가 개방된다. 이것에 의해, 순수 공급원(62)으로부터 가압된 순수가 공급되고, 순수 공급 라인(63)의 중간에서 합류하는 약액과 혼합되어 세정조(10)에 공급된다.
세정조(10)에 공급된 약액은, 노즐(11)로부터 웨이퍼(W)를 향해 분사된다. 이것에 의해, 웨이퍼(W) 표면의 산화막이 에칭되며, 웨이퍼(W)가 약액에 의해 세정 처리된다.
다음에, 세정조(10)에 순수를 공급하여 웨이퍼(W)를 세정 처리(린스 처리)한다(단계 S4). 이 경우, 제어 장치(70)는, 약액 공급 개폐 밸브(22)를 폐쇄하고, 순수 공급 개폐 밸브(64)를 개방한다. 이것에 의해, 순수 공급원(62)으로부터 세정조(10)로 순수가 공급되며, 웨이퍼(W)에 순수가 분사되어, 웨이퍼(W)가 순수에 의해 세정 처리된다.
그 후, 웨이퍼(W)를 건조실(12)로 반송(搬送)하여 셔터(13)를 폐쇄하고, 건조실(12)에서 웨이퍼(W)를 건조 처리한다(단계 S5).
또한, 전술한 단계 S3에 있어서, 약액이 약액 저류 용기(20)로부터 세정조(10)로 공급되기 때문에, 약액 저류 용기(20) 내에서의 약액의 저류량이 감소되어 약액의 액면이 강하한다. 이 때문에, 제어 장치(70)가, 약액의 액면을 검출하는 레벨 센서(60)로부터의 검출 신호에 기초하여 약액의 액면이 소정 위치로 강하했다고 판단했을 경우, 약액 공급원(61)으로부터 약액 저류 용기(20)에 약액이 보충된다. 이 경우, 전술한 단계 S2와 같이, 약액을 순환시켜, 저류되어 있는 약액을 버블링하고, 약액의 용존산소를 저감시킨다.
이와 같이 본 실시형태에 따르면, 이젝터(31)에 의해, 약액 저류 용기(20)로부터 제1 순환 라인(32)을 통해 공급되는 약액과, 불활성 가스 공급원(40)으로부터 불활성 가스 공급 라인(41)을 통해 공급되는 불활성 가스가 혼합되어 기액 혼합체가 생성되고, 이 기액 혼합체가 제2 순환 라인(33)을 통해 약액 저류 용기(20)에 마련된 도입관(36)에 공급되며, 이 도입관(36)으로부터 저류되어 있는 약액 내로 도입된다. 이 도입된 기액 혼합체 중 불활성 가스가, 저류되어 있는 약액 내에서 기포가 되어, 용존하고 있는 산소를 수반하여 상승하고, 약액 저류 용기(20)의 상부의 기상 공간에 도달한다. 이 때문에, 저류되어 있는 약액의 용존산소를 저감할 수 있다. 그 후, 이 용존산소가 저감된 약액을 이용하여 웨이퍼(W)가 세정되고, 웨이퍼(W)의 표면에서 산화막을 효율적으로 에칭할 수 있다. 그 결과, 웨이퍼(W)의 세정 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 실시형태에 따르면, 약액을, 제1 순환 라인(32), 이젝터(31), 제2 순환 라인(33) 및 도입관(36)을 순차적으로 통과하여 약액 저류 용기(20)로 되돌려 보내어 순환시킬 수 있다. 이것에 의해, 저류되어 있는 약액을 교반할 수 있고, 저류되어 있는 약액의 용존산소를 효율적으로 저감할 수 있다. 또한, 이러한 약액의 순환은, 불활성 가스의 통류에 의해 약액 저류 용기(20)로부터 약액을 흡인하는 이젝터(31)에 의해 행해지고 있다. 이것에 의해, 순환 라인(30)에 펌프 등과 같은 구동부를 마련하여 약액을 순환시키는 경우에 비하여, 공간 절약화, 저비용화를 도모하고, 장치 수명을 길게 하여, 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 실시형태에 따르면, 불활성 가스 공급원(40)으로부터 공급되는 불활성 가스에 의해 약액 저류 용기(20) 내부를 가압하여 약액을 세정조(10)로 공급하기 때문에, 펌프 등과 같은 구동부를 마련하여 약액을 공급하는 경우에 비하여, 공간 절약화, 저비용화를 도모하고, 장치 수명을 길게 하여, 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 실시형태에 따르면, 약액 저류 용기(20)에 저류된 약액을 제1 순환 라인(32), 이젝터(31), 제2 순환 라인(33) 및 도입관(36)을 통해 순환시켜 용존산소를 저감시킨 후, 제어 장치(70)에 의해 각 개폐 밸브(22, 34, 35, 43, 44, 51, 64)를 전환하여 세정조(10)에 공급한다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)의 세정 처리에 사용되는 약액의 용존산소를 확실하게 저감시킬 수 있다. 또한, 세정조(10)에 약액을 공급하고 있는 동안, 약액 저류 용기(20)에 저류되어 있는 약액이 이젝터(31) 등에 의해 순환되지 않기 때문에, 세정조(10)에 공급되는 약액의 양을 안정시킬 수 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 세정 효율을 향상시킬 수 있다.
제2 실시형태
다음에, 도 3을 이용하여 본 발명의 제2 실시형태에 대해서 설명한다. 여기서 도 3은, 제2 실시형태에 있어서의 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 이 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체를 설명하기 위한 도면이다.
도 3에 도시된 제2 실시형태에 있어서는, 약액 공급 구동부가 펌프로 이루어진 점이 주로 상이하고, 다른 구성은, 도 1 및 도 2에 도시된 제1 실시형태와 거의 동일하다. 또한, 도 3에 있어서, 도 1 및 도 2에 도시된 제1 실시형태와 동일 부분에는 동일 부호를 붙여서 상세한 설명은 생략한다.
도 3에 도시된 바와 같이, 약액 공급 라인(21)에 있어서, 약액 공급 개폐 밸브(22)와 약액 저류 용기(20) 사이에, 세정조(10)로 약액을 보내주는 약액 공급 펌프(80)가 설치되어 있고, 이 약액 공급 펌프(80)가 약액 공급 구동부(23)를 구성하고 있다. 또한, 약액 공급 펌프(80)는, 제어 장치(70)에 접속되며, 제어 장치(70)로부터의 제어 신호에 기초하여 구동하도록 되어 있다.
약액을 이용하여 웨이퍼(W)를 세정 처리할 때, 제어 장치(70)는, 약액 공급 개폐 밸브(22) 및 제2 가스 공급 개폐 밸브(44)를 개방하고, 제1 순환 개폐 밸브(34), 제2 순환 개폐 밸브(35), 제1 가스 공급 개폐 밸브(43) 및 가스 배출 개폐 밸브(51)를 폐쇄한다. 또한, 약액 공급 펌프(80)가 구동된다. 이것에 의해, 약액 저류 용기(20)로부터 세정조(10)로 약액이 공급된다. 또한, 이때, 제어 장치(70)에 의해 순수 공급 개폐 밸브(64)가 개방된다. 이것에 의해, 순수 공급원(62)으로부터 가압된 순수가 공급되고, 순수 공급 라인(63)의 도중에서 합류하는 약액과 혼합되어 세정조(10)로 공급된다. 그 동안에, 약액 저류 용기(20)의 기상 공간에, 불활성 가스 공급원(40)으로부터 제2 가스 공급 라인(42)을 통해 불활성 가스가 공급되어, 저류되어 있는 약액에 산소가 녹아 들어가는 것을 방지하고 있다.
본 실시형태에 따르면, 도 1 및 도 2에 도시된 제1 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있는 것은 당연하다. 특히, 본 실시형태에 있어서는, 약액 저류 용기(20)로부터 세정조(10)로 약액을 공급하기 위해서 약액 공급 펌프(80)를 이용하고 있기 때문에, 세정조(10)에 약액을 한층 더 순조롭게 공급할 수 있다. 이것은, 예컨대, 도포 처리 장치, 현상 처리 장치 등에서 이용되는 점성이 높은 약액을 세정조(10)에 공급하는 경우에 효과적이다.
또한, 본 실시형태에 있어서는, 세정조(10)에 약액을 공급하고 있는 동안에도, 각 개폐 밸브(34, 35, 43, 51)를 조작하여, 약액 저류 용기(20)에 저류되어 있는 약액을 버블링하도록 할 수도 있다. 이것에 의해, 약액의 용존산소 농도를 한층 더 저감할 수 있다. 이 경우, 세정조(10)에 공급되는 약액의 유량의 정밀도를 향상시키기 위해서, 약액 공급 라인(21)에 매스 플로우 컨트롤러 등의 센서를 설치하여 유량 제어를 행하도록 하여도 좋다.
또한, 본 실시형태에 있어서는, 불활성 가스 공급원(40)으로부터 제2 가스 공급 라인(42)을 통한 약액 저류 용기(20)로의 불활성 가스의 공급은, 약액을 세정조(10)에 공급하는 동안으로 한정되는 일은 없다. 예컨대, 약액 순환 시에, 소정의 타이밍에, 제2 가스 공급 라인(42)을 통해 약액 저류 용기(20)에 불활성 가스를 공급하도록 하고, 약액 저류 용기(20)의 상부의 기상 공간에 존재하는 산소를 가스 배출 라인(50)으로 배출시켜도 좋다. 이 경우, 약액의 용존산소 농도를 한층 더 저감할 수 있다.
이상, 본 발명에 따른 실시형태에 대해서 설명하였지만, 당연히, 본 발명의 요지의 범위 내에서 여러 가지 변형도 가능하다. 이하, 대표적인 변형례에 대해서 설명한다.
본 실시형태에 있어서는, 제1 순환 라인(32)의 약액 저류 용기(20)측 단부가 약액 공급 라인(21)에 연결되어 있는 예에 대해서 설명하였다. 그러나, 이것에 한정되지 않고, 제1 순환 라인(32)은, 약액 저류 용기(20)에 직접 연결되어도 좋다.
또한, 본 실시형태에 있어서는, 웨이퍼(W) 표면의 산화막을 에칭하기 위한 불화수소(HF)를 약액으로 한 예에 대해서 설명하였다. 그러나, 이것에 한정되지 않고, 웨이퍼(W)에 포토레지스트막을 형성하기 위한 레지스트액, 혹은 웨이퍼(W)에 형성된 폴리머(레지스트 잔사)를 제거하기 위한 폴리머 제거액을 약액으로 하여, 본 발명을 적용시키는 것도 가능하다. 이 경우에 있어서도, 레지스트액 혹은 폴리머액의 용존산소를 효율적으로 저감할 수 있고, 순환 라인(30)에 펌프 등과 같은 구동부를 마련하여 순환시키는 경우에 비하여, 공간 절약화, 저비용화를 도모하며, 장치 수명을 길게 하여, 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 실시형태에 있어서는, 가스 공급 목적지 전환부(45)가, 제1 가스 공급 개폐 밸브(43) 및 제2 가스 공급 개폐 밸브(44)로 이루어져 있는 예에 대해서 설명하였다. 그러나, 이것에 한정되지 않고, 3방향 밸브에 의해 가스 공급 목적지 전환부(45)를 구성하여도 좋다.
또한, 본 실시형태에 있어서는, 처리액으로서 웨이퍼를 에칭하는 에칭액을 예로 들어 설명하였지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 예컨대 웨이퍼에 도금 처리하는 도금액을 저류하는 탱크에 적용되어도 관계없다.
또한, 본 실시형태에 있어서는, 복수 장의 웨이퍼(W)를 약액 또는 순수에 침지하여 세정 처리하는 세정 장치를 예로서 설명하였다. 그러나, 이것에 한정되지 않고, 1장씩 세정 처리하는 매엽식 세정 장치(도시하지 않음)에도 적용 가능하다.
1 : 기판 처리 장치 10 : 세정조
11 : 노즐 12 : 건조실
13 : 셔터 20 : 약액 저류 용기
21 : 약액 공급 라인 22 : 약액 공급 개폐 밸브
23 : 약액 공급 구동부 30 : 순환 라인
31 : 이젝터 32 : 제1 순환 라인
33 : 제2 순환 라인 34 : 제1 순환 개폐 밸브
35 : 제2 순환 개폐 밸브 36 : 도입관
40 : 불활성 가스 공급원 41 : 제1 가스 공급 라인
42 : 제2 가스 공급 라인 43 : 제1 가스 공급 개폐 밸브
44 : 제2 가스 공급 개폐 밸브 45 : 가스 공급 목적지 전환부
50 : 가스 배출 라인 51 : 가스 배출 개폐 밸브
60 : 레벨 센서 61 : 약액 공급원
62 : 순수 공급원 63 : 순수 공급 라인
64 : 순수 공급 개폐 밸브 70 : 제어 장치
71 : 기록 매체 80 : 약액 공급 펌프

Claims (14)

  1. 약액을 이용하여 기판을 처리하는 처리부와,
    약액을 저류하는 약액 저류 용기와,
    상기 약액 저류 용기로부터 상기 처리부로 약액을 공급하는 약액 공급 구동부와,
    상기 약액 저류 용기에 저류된 약액을 순환시키는 순환 라인과,
    상기 순환 라인에 마련된 혼합체 생성부와,
    상기 혼합체 생성부에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급원
    을 포함하고,
    상기 혼합체 생성부는, 상기 약액 저류 용기로부터 공급되는 약액과, 상기 불활성 가스 공급원으로부터 공급되는 불활성 가스를 혼합해 기액 혼합체를 생성하여, 상기 약액 저류 용기에 공급하며,
    상기 혼합체 생성부는, 공급되는 불활성 가스의 통류(通流)에 의해, 상기 약액 저류 용기로부터 약액을 흡인하여 불활성 가스와 혼합하여, 기액 혼합체를 생성하는 이젝터로 이루어지고,
    상기 약액 저류 용기에, 상기 혼합체 생성부로부터 공급되는 기액 혼합체를, 저류된 약액 내로 도입하는 도입부가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 불활성 가스 공급원은, 상기 약액 저류 용기에 불활성 가스를 공급하도록 되어 있고,
    상기 불활성 가스 공급원과 상기 혼합체 생성부 사이에, 상기 불활성 가스 공급원으로부터의 불활성 가스의 공급 목적지를, 상기 혼합체 생성부와 상기 약액 저류 용기 사이에서 전환하는 가스 공급 목적지 전환부가 마련되며,
    상기 순환 라인에 있어서 약액을 순환시키는 경우, 불활성 가스가 상기 혼합체 생성부에 공급되고,
    상기 처리부에 약액을 공급하는 경우, 불활성 가스가 상기 약액 저류 용기에 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 불활성 가스 공급원과 상기 혼합체 생성부 사이에, 이 혼합체 생성부에 불활성 가스를 공급하는 제1 가스 공급 라인이 연결되고,
    상기 제1 가스 공급 라인에, 제1 가스 공급 개폐 밸브가 설치되어 있으며,
    상기 불활성 가스 공급원과 상기 약액 저류 용기 사이에, 이 약액 저류 용기로 불활성 가스를 공급하는 제2 가스 공급 라인이 연결되고,
    상기 제2 가스 공급 라인에, 제2 가스 공급 개폐 밸브가 설치되어 있으며,
    상기 가스 공급 목적지 전환부는, 상기 제1 가스 공급 개폐 밸브와 상기 제2 가스 공급 개폐 밸브로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 삭제
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리부와 상기 약액 저류 용기 사이에, 상기 처리부에 약액을 공급하는 약액 공급 라인이 연결되고,
    상기 약액 공급 라인에, 약액 공급 개폐 밸브가 설치되어 있으며,
    상기 순환 라인 중 상기 약액 저류 용기로부터 상기 혼합체 생성부로 약액을 공급하는 부분에, 제1 순환 개폐 밸브가 설치되어 있고,
    상기 약액 공급 개폐 밸브가 폐쇄되어 있는 경우에, 상기 제1 순환 개폐 밸브가 개방되어, 상기 혼합체 생성부에 약액을 공급하며,
    상기 약액 공급 개폐 밸브가 개방되어 있는 경우에, 상기 제1 순환 개폐 밸브가 폐쇄되어, 상기 처리부에 약액을 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 약액 저류 용기의 상부에, 그 내부로부터 기체를 배출하는 가스 배출 라인이 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 가스 배출 라인에, 가스 배출 개폐 밸브가 설치되고,
    상기 가스 배출 개폐 밸브는, 상기 약액 공급 개폐 밸브가 폐쇄되어 있는 경우에 개방되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제5항에 있어서, 상기 순환 라인 중 상기 혼합체 생성부로부터 상기 약액 저류 용기로 기액 혼합체를 공급하는 부분에, 제2 순환 개폐 밸브가 설치되고,
    상기 제2 순환 개폐 밸브는, 상기 약액 공급 개폐 밸브가 폐쇄되어 있는 경우에 개방되며, 상기 약액 공급 개폐 밸브가 개방되어 있는 경우에 폐쇄되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 약액을 이용하여 기판을 처리하는 처리부와, 약액을 저류하는 약액 저류 용기와, 불활성 가스 공급원을 갖는 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서,
    상기 약액 저류 용기로부터 혼합체 생성부로 약액을 공급하고, 상기 불활성 가스 공급원으로부터 상기 혼합체 생성부로 불활성 가스를 공급하여, 상기 혼합체 생성부에서 약액과 불활성 가스를 혼합해 기액 혼합체를 생성하며, 생성된 기액 혼합체를 상기 약액 저류 용기에 공급하여, 약액을 순환시키는 공정과,
    상기 약액 저류 용기로부터 상기 처리부로 약액을 공급하여, 상기 처리부에서 기판을 처리하는 공정
    을 포함하고,
    상기 혼합체 생성부는, 이젝터로 이루어지며,
    상기 약액을 순환시키는 공정에 있어서, 이젝터는, 공급된 불활성 가스의 통류에 의해, 상기 약액 저류 용기로부터 약액을 흡인하여 불활성 가스와 혼합하여, 기액 혼합체를 생성하고,
    상기 기판을 처리하는 공정에 있어서, 불활성 가스가 상기 약액 저류 용기에 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  10. 삭제
  11. 제9항에 있어서, 약액을 순환시키는 공정에 있어서, 상기 약액 저류 용기의 상부에 연결된 가스 배출 라인을 통해, 상기 약액 저류 용기의 내부로부터 기체가 배출되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  12. 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서,
    이 기판 처리 방법은,
    약액을 이용하여 기판을 처리하는 처리부와, 약액을 저류하는 약액 저류 용기와, 불활성 가스 공급원을 갖는 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서,
    상기 약액 저류 용기로부터 혼합체 생성부로 약액을 공급하고, 상기 불활성 가스 공급원으로부터 상기 혼합체 생성부로 불활성 가스를 공급하여, 상기 혼합체 생성부에서 약액과 불활성 가스를 혼합해 기액 혼합체를 생성하며, 생성된 기액 혼합체를 상기 약액 저류 용기에 공급하여, 약액을 순환시키는 공정과,
    상기 약액 저류 용기로부터 상기 처리부로 약액을 공급하여, 상기 처리부에서 기판을 처리하는 공정
    을 포함하고, 상기 혼합체 생성부는, 이젝터로 이루어지며,
    상기 약액을 순환시키는 공정에 있어서, 이젝터는, 공급된 불활성 가스의 통류에 의해, 상기 약액 저류 용기로부터 약액을 흡인하여 불활성 가스와 혼합하여, 기액 혼합체를 생성하고,
    상기 기판을 처리하는 공정에 있어서, 불활성 가스가 상기 약액 저류 용기에 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.
  13. 삭제
  14. 삭제
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5714449B2 (ja) * 2011-08-25 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
KR101327696B1 (ko) * 2012-06-04 2013-11-11 플러스이엔지 주식회사 반도체 공정용 약액 정량 공급 장치
TWI630652B (zh) 2014-03-17 2018-07-21 斯克林集團公司 基板處理裝置及使用基板處理裝置之基板處理方法
JP6499414B2 (ja) * 2014-09-30 2019-04-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6866148B2 (ja) * 2016-12-20 2021-04-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6993885B2 (ja) * 2018-01-15 2022-01-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06190360A (ja) * 1992-10-29 1994-07-12 Nippon Sanso Kk 溶存酸素低減装置
KR19980015080A (ko) * 1996-08-19 1998-05-25 김광호 웨이퍼 세정 장치 및 세정액 공급 방법과 이를 이용한 웨이퍼 세정 방법
JP2001347102A (ja) 2000-06-09 2001-12-18 Takuma Co Ltd 脱気方法及び脱気装置
JP2006269668A (ja) * 2005-03-23 2006-10-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69218152T2 (de) * 1991-12-26 1997-08-28 Canon Kk Herstellungsverfahren einer niedergeschlagenen Schicht mittels CVD, unter Verwendung von flüssigem Rohstoff und dazu geeignete Vorrichtung
US5766321A (en) 1993-04-14 1998-06-16 Nippon Sanso Corporation Apparatus for reducing dissolved oxygen
JP3177736B2 (ja) 1997-09-17 2001-06-18 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP3453339B2 (ja) * 2000-03-08 2003-10-06 三菱重工業株式会社 脱気装置
JP2002301305A (ja) * 2001-04-03 2002-10-15 Kurita Water Ind Ltd 脱気ユニット及び脱気装置
JP2004207515A (ja) * 2002-12-25 2004-07-22 Sekisui Chem Co Ltd レジスト除去装置及びレジスト除去方法
US20040194806A1 (en) * 2003-04-02 2004-10-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. IPA concentration interlock detector for substrate dryer

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06190360A (ja) * 1992-10-29 1994-07-12 Nippon Sanso Kk 溶存酸素低減装置
KR19980015080A (ko) * 1996-08-19 1998-05-25 김광호 웨이퍼 세정 장치 및 세정액 공급 방법과 이를 이용한 웨이퍼 세정 방법
JP2001347102A (ja) 2000-06-09 2001-12-18 Takuma Co Ltd 脱気方法及び脱気装置
JP2006269668A (ja) * 2005-03-23 2006-10-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

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