JP2002093769A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理液の使用量を低減できる基板処理装置を
提供する。 【解決手段】 基板Ｗを処理液に浸漬してこの基板Ｗを
表面処理するための処理槽１を備えた基板処理装置にお
いて、処理槽１から排出された処理液から純水を生成す
る純水生成部２と、処理槽１から排出された処理液を純
水生成部２に供給しこの純水生成部２で生成された純水
を処理槽１に供給するように循環させるための第１の循
環路３とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、液
晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、
光ディスク用の基板等（以下、単に基板と称する）を処
理液により表面処理する基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のこの種の基板処理装置として、例
えば、図９に示すようなものがある。この装置は、純水
と所望の薬液とを混合することで生成される複数種類の
処理液、または、純水のみからなる処理液を、順次に切
り換えて処理槽１００に供給し、この処理槽１００の処
理液内に基板Ｗを浸漬してこの基板Ｗに表面処理を施す
ものである。具体的には、処理槽１００に連通接続され
た処理液供給ライン１１０にインラインミキシングバル
ブ１２０が設けられており、このインラインミキシング
バルブ１２０に所望の薬液を注入し、所定濃度に調整し
た処理液を処理槽１００に供給し、この処理槽１００の
処理液内に基板Ｗを浸漬してこの基板Ｗを表面処理する
ようにしている。

【０００３】また、この装置は、処理槽１００の処理液
内に基板Ｗを浸漬して表面処理した後に、基板Ｗを処理
液から引き上げるように構成されている。処理槽１００
の処理液液面に粉塵（パーティクル）が浮遊している
と、基板Ｗの引き上げ時にこのパーティクルが基板に対
して付着するので好ましくない。従って、従来装置で
は、処理液液面に浮遊するパーティクル及び表面処理に
よって発生する汚染物質を排出するために、オーバーフ
ロー方式で基板処理を施している。すなわち、基板Ｗの
表面処理中には、処理槽１００の底部から処理液が供給
され、処理槽１００の上部から溢れ出る処理液をオーバ
ーフロー槽１３０を介して排出するようにして、基板Ｗ
を処理液内に浸漬して表面処理を施している。このオー
バーフロー槽１３０から排出される処理液とともに処理
槽１００内の処理液液面に浮遊するパーティクル及び汚
染物質が効率よく排出される。

【０００４】ところで、この種の基板処理装置では、複
数種類の薬液（処理液）で順次に基板を処理する場合が
ある。このような場合、例えば、薬液Ａ、純水（処理液
の１つ）、薬液Ｂ（薬液Ａと異なる薬液）、純水、薬液
Ｃ（薬液Ａ，Ｂと異なる薬液）、純水、…の順で処理さ
れる。各処理液による基板処理はオーバーフロー方式で
行われる。

【０００５】このような各処理液を個別の処理槽で行う
場合には、各処理液での基板処理後に次の処理液で基板
処理を行うために異なる処理槽の間で基板を搬送しなけ
ればならず、この搬送の際に、基板と大気とが接触して
大気内に浮遊するパーティクルが基板に付着するという
不都合があった。

【０００６】そこで、この装置は、このような各処理液
による基板処理を単一の処理槽１００で行い、基板Ｗと
大気とが接触しないように処理槽１００内の処理液を、
ある処理液（第１処理液とする）から次の処理液（第２
処理液とする）に置換するように構成されている。

【０００７】なお、処理槽１００からオーバーフロー槽
１３０を介して排出された処理液は、工場レベルの大掛
かりな廃液処理設備２００に送出される。廃液処理設備
２００は、この処理槽１００から排出された処理液を廃
液処理して原料水（１次純水）を得ている。そして、工
場レベルの大掛かりな純水処理設備２１０によって、廃
液処理設備２００からの１次純水を処理して超純水を得
ている。このようにして得られた超純水は、インライン
ミキシングバルブ１２０へ供給されるようになってい
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、処理槽１００の処理液内に基板Ｗを浸
漬して表面処理する際には、基板Ｗを表面処理するため
に使用される処理液が、処理槽１００の底部から供給さ
れ、処理槽１００の上部から溢れ出すように排出されて
廃液されるようになっているので、処理液の使用量が非
常に多いという問題がある。

【０００９】また、処理槽１００内の第１処理液を第２
処理液に置換する際には、第２処理液を処理槽１００の
底部から供給し、処理槽１００内の第１処理液を処理槽
１００の上部から溢れ出すように排出させて廃液するよ
うにして置換しているので、処理槽１００内の処理液が
第１処理液から第２処理液に完全に置換されるまでの第
２処理液の使用量（供給量）は、例えば、処理槽１００
の容量の３〜１０倍程度が必要であり、処理槽１００内
の処理液の置換にも処理液の使用量が非常に多くなって
しまうという問題もある。

【００１０】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、処理液の使用量を低減できる基板処理
装置を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の基板処理装置は、処理液により基
板を表面処理するための処理部を備えた基板処理装置に
おいて、前記処理部から排出された処理液から純水を生
成する純水生成手段と、前記処理部から排出された処理
液を前記純水生成手段に供給し、この純水生成手段で生
成された純水を前記処理部に供給するように、処理液を
循環させるための循環路とを備えたことを特徴とするも
のである。

【００１２】また、請求項２に記載の基板処理装置は、
請求項１に記載の基板処理装置において、前記循環路を
第１の循環路とし、前記第１の循環路とは別に、前記処
理部から排出される処理液を再び処理部に供給するよう
に循環させるための第２の循環路を備えたことを特徴と
するものである。

【００１３】また、請求項３に記載の基板処理装置は、
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置におい
て、前記処理部に供給される処理液にガスを溶解するガ
ス溶解手段を備えたことを特徴とするものである。

【００１４】また、請求項４に記載の基板処理装置は、
請求項３に記載の基板処理装置において、前記純水生成
手段で生成された純水から電解イオン水を生成する電解
イオン水生成手段を備え、前記電解イオン水生成手段で
生成された電解イオン水は、前記ガス溶解手段に供給さ
れることを特徴とするものである。

【００１５】また、請求項５に記載の基板処理装置は、
請求項４に記載の基板処理装置において、前記電解イオ
ン水生成手段は、純水から電解イオン水としての酸化還
元電位の異なる水素水と酸素水とを生成する生成部と、
前記生成部で生成された水素水と酸素水のいずれか一方
を前記ガス溶解手段に供給するよう切り換える切り替え
部とを備えたことを特徴とするものである。

【００１６】

【作用】請求項１に記載の発明の作用は次のとおりであ
る。処理部は、処理液により基板を表面処理する。純水
生成手段は、処理部から排出された処理液から純水を生
成する。循環路は、処理部から排出された処理液を純水
生成手段に供給しこの純水生成手段からの純水を処理部
に供給するように循環させる。したがって、処理部から
排出される処理液は、廃液処分されるのではなく再利用
されることになるので、処理液の使用量が低減される。

【００１７】また、請求項２に記載の発明によれば、第
２の循環路は、前述の純水生成手段を介装した第１の循
環路とは別の経路であって、処理部から排出される処理
液を再び処理部に供給するように循環させる。したがっ
て、処理部から排出される処理液を再び処理部に供給す
るように第２の循環路によって循環させているので、処
理液の利用回数（有効活用率）が増加されることにな
り、処理液の使用量がさらに低減される。

【００１８】また、請求項３に記載の発明によれば、ガ
ス溶解手段は、処理部に供給される処理液にガスを溶解
する。したがって、処理部に供給される処理液にガスが
溶解されることで所望の処理液が生成され、この生成さ
れた所望の処理液でもって基板が表面処理される。

【００１９】また、請求項４に記載の発明によれば、電
解イオン水生成手段は、純水生成手段で生成された純水
から電解イオン水を生成してガス溶解手段に供給する。
ガス溶解手段は、電解イオン水にガスを溶解する。した
がって、電解イオン水にガスを溶解させることによっ
て、処理液の酸化還元電位とｐＨ（水素イオン指数）と
を調整でき、処理に適した処理液が得られる。

【００２０】また、請求項５に記載の発明によれば、生
成部は、純水から電解イオン水としての酸化還元電位の
異なる水素水と酸素水とを生成する。切り替え部は、生
成部で生成された水素水と酸素水のいずれか一方をガス
溶解手段に供給するよう切り換える。ガス溶解手段は、
供給される水素水または酸素水のいずれか一方にガスを
溶解して処理部に供給する。したがって、水素水または
酸素水にガスを溶解させることによって、酸化還元電位
とｐＨとが酸あるいはアルカリ処理に適するように調整
された処理液が得られる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施例を説明する。本実施例に係る基板処理装置の概略
構成について、図１を参照して説明する。図１は、本発
明の実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロッ
ク図である。

【００２２】この基板処理装置は、大きく分けて、基板
Ｗを処理液に浸漬してこの基板Ｗを表面処理するための
処理槽１と、この処理槽１から排出された処理液から純
水を生成する純水生成部２と、処理槽１から排出された
処理液を純水生成部２に供給しこの純水生成部２で生成
された純水を処理槽１に供給するように循環させるため
の第１の循環路３と、処理槽１に処理液を供給するため
の処理液供給系４となどから構成されている。なお、上
述した処理槽１が本発明における処理部に相当する。以
下、各部の構成を詳細に説明する。

【００２３】処理槽１の底部には、処理液注入管１１が
取り付けられている。処理液注入管１１は、先端部が閉
塞され、側面に多数の処理液噴出孔１２が並設されてい
て、基端部から導入される処理液（後述する所望のガス
を純水に溶解させた溶液、あるいは純水のみ）が各処理
液噴出孔１２から噴出される。各処理液噴出孔１２が処
理槽１内に臨むように処理液注入管１１は処理槽１に取
り付けられ、処理液注入管１１の各処理液噴出孔１２か
ら処理槽１内に処理液が供給される。これにより、処理
槽１の底部から処理液を供給することに伴い、処理槽１
内の余分な処理液を槽上部から溢れ出させて排出させ
る。処理槽１の外周上部には、処理槽１の上部から溢れ
出て排出される処理液を回収するためのオーバーフロー
槽１３が設けられている。

【００２４】オーバーフロー槽１３の底部には、処理液
を排出するための処理液排出管１４が接続されている。
この処理液排出管１４の下流側には、第１の分岐管１５
が接続されている。第１の分岐管１５は、オーバーフロ
ー槽１３からの処理液を２つの経路に分岐して出力する
ものである。第１の分岐管１５の一方の出力側には第１
の排出管１６が接続され、第１の分岐管１５の他方の出
力側には第２の排出管１７が接続されている。また、第
１の排出管１６には、この第１の排出管１６を開閉する
第１のバルブ１８が設けられている。第２の排出管１７
には、この第２の排出管１７を開閉する第２のバルブ１
９が設けられている。

【００２５】純水生成部２は、第１の排出管１６の下流
側に接続されており、この第１の排出管１６からの処理
液あるいは供給される原料水（１次純水）から超純水を
生成する。ここで、この純水生成部２の構成について、
図２を用いてもう少し具体的に説明する。図２は、本発
明の実施例に係る純水生成部の概略構成を示すブロック
図である。

【００２６】処理槽１からオーバーフローされて排出さ
れた処理液、すなわち、第１の排出管１６からの処理液
には、Ｏ₃ 水（オゾン水）や、僅かの酸あるいはアルカ
リなどが含まれている。純水生成部２は、このような処
理液から超純水を生成するように構成されており、具体
的には、貯留槽２１と、ＵＶ（紫外線）光オゾン処理部
２２と、脱酸脱アルカリモジュール２３と、脱イオンモ
ジュール２４とを備えている。また、貯留槽２１の処理
液を圧送するポンプ２６及びフィルタ２７を備えてい
る。なお、貯留槽２１は大気圧の窒素パージ槽である。

【００２７】貯留槽２１は、処理槽１からの処理液、す
なわち、第１の排出管１６からの処理液を所定量貯留す
る。ＵＶ光オゾン処理部２２は、貯留槽２１からの処理
液にＵＶ光を照射することで、この処理液中に含まれる
オゾンを分解させてこの処理液からＯ₃ ガス（オゾンガ
ス）を排出除去する。なお、この処理液のうちでゴミな
どを含む不要な溶液は、廃液バルブ２２ａから必要に応
じて排出される。

【００２８】脱酸脱アルカリモジュール２３は、例え
ば、イオン交換樹脂などで構成されており、入力される
処理液に存在するカチオン（陽イオン）を吸収除去する
カチオン用交換樹脂２３ａと、入力される処理液に存在
するアニオン（陰イオン）を吸収除去するアニオン用交
換樹脂２３ｂとを備えている。脱酸脱アルカリモジュー
ル２３は、ＵＶ光オゾン処理部２２でオゾン除去などの
処理が施された処理液を脱酸脱アルカリ処理して出力す
る。なお、脱酸脱アルカリ処理された酸あるいはアルカ
リを含む不要な溶液は、廃液バルブ２３ｃ，２３ｄから
必要に応じて排出される。

【００２９】脱イオンモジュール２４は、例えば、イオ
ン交換樹脂などで構成されており、入力される処理液に
存在するカチオンを吸収除去するカチオン用交換樹脂２
４ａと、入力される処理液に存在するアニオンを吸収除
去するアニオン用交換樹脂２４ｂとを備えている。脱イ
オンモジュール２４は、脱酸脱アルカリモジュール２３
からの処理液に含まれる微量のイオンを除去して出力す
る。なお、脱イオン処理された微量のイオンを含む不要
な溶液は、廃液バルブ２４ｃ，２４ｄから必要に応じて
排出される。

【００３０】なお、脱イオンモジュール２４の入力側に
は、外部から原料水（一次純水）の供給を受けれるよう
に原料水供給バルブ２５も備えられている。この原料水
供給バルブ２５からは、本実施例装置で使用するための
初期使用分の純水が供給されたり、ＵＶ光オゾン処理部
２２や脱酸脱アルカリモジュール２３や脱イオンモジュ
ール２４で排液された排液分や蒸発分などの不足分を補
充するように一次純水の供給が受けれるようになってい
る。なお、上述した純水生成部２が本発明における純水
生成手段に相当する。

【００３１】図１に戻って、純水生成部２の出力側に
は、第２の分岐管３１が接続されており、上述したよう
に純水生成部２で生成された純水は第２の分岐管３１に
よって２つの経路に分岐されて出力される。第２の分岐
管３１の一方の出力側には第１の純水出力管３２が接続
され、第２の分岐管３１の他方の出力側には第２の純水
出力管３３が接続されている。また、第１の純水出力管
３２には、この第１の純水出力管３２を開閉する第３の
バルブ３４が設けられている。第２の純水出力管３３に
は、この第２の純水出力管３３を開閉する第４のバルブ
３５が設けられている。第２の純水出力管３３には、電
解イオン水生成部５が接続されている。

【００３２】第１の純水出力管３２の出力側は、四方コ
ック３６の第１入力口３６ａに接続されている。四方コ
ック３６の第２入力口３６ｂは、電解イオン水生成部５
からの酸素水出力管３７に接続されており、四方コック
３６の第３入力口３６ｃは、電解イオン水生成部５から
の水素水出力管３８に接続されている。四方コック３６
の出力口３６ｄは出力管３９に接続されている。このよ
うに、四方コック３６は、第１〜第３入力口３６ａ〜３
６ｃから供給される溶液のうちで選択指示に応じた入力
口の溶液を出力口３６ｄから選択出力するものである。

【００３３】出力管３９には、この出力管３９を開閉す
る第５のバルブ４０が設けられている。第５のバルブ４
０は、第３の分岐管４２の一方の入力側に接続されてい
る。第３の分岐管４２の出力側には、処理槽１に供給さ
れる処理液に所望のガスを溶解する溶解モジュール６が
接続されている。

【００３４】溶解モジュール６には、複数種類のガスの
中から所望のガスが供給されるように、第１〜第ｎのガ
ス供給系６１ａ〜６１ｎが接続されている。各第１〜第
ｎのガス供給系６１ａ〜６１ｎは、それぞれのガス供給
源からのガスが供給されるガス供給管６２と、ガス供給
管６２中のガスの通過流量を調整するガス流量調節部６
３と、ガス供給管６２を開閉するためのガス供給バルブ
６４とを備えている。

【００３５】これらの第１〜第ｎのガス供給系６１ａ〜
６１ｎは、連結管６５によって溶解モジュール６に接続
されており、複数種類のガスの中から所望のガスが供給
されるようになっている。なお、この第１〜第ｎのガス
供給系６１ａ〜６１ｎとしては、例えば、オゾンガス
（Ｏ₃ ガス）、フッ素ガス（Ｆ₂ ガス）、塩素ガス（Ｃ
ｌ₂ ガス）、アンモニアガス（ＮＨ₃ ガス）、炭酸ガス
（ＣＯ₂ ガス）、酸素ガス（Ｏ₂ ガス）、水素ガス（Ｈ
₂ ガス）などを供給するものがある。このように処理液
供給系４は、処理槽１に処理液を供給するためのもので
あり、各第１〜第ｎのガス供給系６１ａ〜６１ｎと、連
結管６５と、溶解モジュール６とから構成されている。

【００３６】ここで、溶解モジュール６の構成の構成に
ついて、図３を用いてもう少し具体的に説明する。図３
（ａ）は本発明の実施例に係る溶解モジュールの概略構
成を示す断面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）に示し
た箇所Ａを拡大した拡大断面図である。溶解モジュール
６は、例えば、ガス供給口７１とガス排出口７２と処理
液供給口７３と処理液排出口７４とを有するとともに内
部が空洞である容器７５と、この容器７５内に設けられ
る複数本の中空糸７６とを備えている。なお、溶解モジ
ュール６の処理液供給口７３は第３の分岐管４２の出力
側に接続され、溶解モジュール６の処理液排出口７４は
処理液供給管４３に接続され、溶解モジュール６のガス
供給口７１は連結管６５の出力側に接続され、溶解モジ
ュール６のガス排出口７２は排気バルブ７７に接続され
ている。

【００３７】処理液供給口７３から容器７５内に供給さ
れた処理液は、各中空糸７６の空洞部７６ａを介して進
行していき処理液排出口７４から排出されることにな
る。なお、各中空糸７６の外周部には、オングストロー
ムオーダーの透過孔が複数個形成されているが、各中空
糸７６の空洞部７６ａを進行する処理液がこれらの透過
孔から外部の方へ漏れ出ることはないようになってい
る。また、ガス供給口７１から容器７５内に供給された
ガスは、各中空糸７６の外周を沿うようにして進行して
いきガス排出口７２から排出されるものと、各中空糸７
６の外周を沿う際に各中空糸７６の外周部の複数個の透
過孔を介して中空糸７６の空洞部７６ａに混入し処理液
に溶解されるものがある。

【００３８】このようにして、ガス供給口７１に供給さ
れるガスは、処理液供給口７３から供給される処理液に
溶解されることになり、このガスの溶解した処理液は、
処理液排出口７４から排出されて、処理液供給管４３に
出力されることになる。なお、ガス供給口７１を処理液
供給口７３とし、ガス排出口７２を処理液排出口７４と
し、処理液供給口７３をガス供給口７１とし、処理液排
出口７４をガス排出口７２として、ガスと処理液のライ
ンを入れ換えるようにしても、ガスの溶解した処理液を
得ることができる。

【００３９】処理液供給管４３には、フィルタ４４が備
えられている。このフィルタ４４は、供給される処理液
に含まれるゴミなどを処理槽１に供給しないように濾過
するためのものである。このフィルタ４４は、図４に示
すように、処理液が供給される入力部４４ａと、処理液
に含まれるゴミなどを濾過するフィルタメディア４４ｂ
と、濾過された処理液を排出する出力部４４ｃと、入力
部４４ａにおけるガスを排出するためのガス抜き部４４
ｄとを備えている。入力部４４ａに供給される処理液
は、必ずフィルタメディア４４ｂで濾過されるようにな
っており、フィルタメディア４４ｂを介した処理液が出
力部４４ｃから排出されるようになっている。このよう
にフィルタ４４で濾過された処理液が、処理槽１の処理
液注入管１１に供給され処理槽１内に供給される。

【００４０】また、処理液供給管４３の管内には、この
管内を流れる処理液に含まれるガスの濃度を測定するセ
ンサ（図示省略）が備えられている。処理液供給管４３
の管内を流れる処理液のガス濃度値がこのセンサによっ
て測定され、処理液のガス濃度が所定値になるように対
応するガス流量調節部６３での通過ガス量を調節して、
処理液に溶解するガス量を調節するように制御されてい
る。

【００４１】なお、第１の循環路３は、上述したよう
に、処理槽１から排出された処理液を純水生成部２に供
給しこの純水生成部２で生成された純水を処理槽１に供
給するように循環させるためのものであり、具体的に
は、処理液排出管１４と、第１の分岐管１５と、第１の
バルブ１８と、第１の排出管１６と、第２の分岐管３１
と、第１の純水出力管３２と、第３のバルブ３４と、四
方コック３６と、出力管３９と、第５のバルブ４０と、
第３の分岐管４２と、処理液供給管４３となどから構成
されている。

【００４２】続いて、電解イオン水生成部５の構成につ
いて、図５を用いて説明する。図５は、本発明の実施例
に係る電解イオン水生成部の概略構成を示すブロック図
である。電解イオン水生成部５は、例えば、超純水から
電解イオン水（酸化還元電位の異なる水素水と酸素水）
を生成する電解セル５１と、電解セル５１で生成された
電解イオン水から分離された不要なガスを排気するため
の気液分離塔５２ａ，５２ｂと、電解セル５１で生成さ
れた電解イオン水から不要な溶液を排出するためのフィ
ルタ部５３ａ，５３ｂとを備えている。

【００４３】電解セル５１は、隔膜としてのイオン交換
膜によって容器５７をアノード室５４，カソード室５５
及び中間室５６に仕切るようにして構成されており、各
室にはそれぞれ純水の導入口が備えられており、各室に
はそれぞれ溶液の排出口が備えられている。また、アノ
ード室５４には陽極５４ａが設けられ、カソード室５５
には陰極５５ａが設けられ、中間室５６の中には水の解
離を促進させるイオン交換樹脂が充填されている。この
イオン交換樹脂の表面で生じたＨ⁺ やＯＨ^- は、アノー
ド室５４内の陽極５４ａとカソード室５５の陰極５５ａ
まで拡散し、これらの電極表面で電子の授受を行うた
め、効率よく水の電気分解を行うことができる。

【００４４】各室の導入口にそれぞれ純水を供給し、ア
ノード室５４の陽極５４ａとカソード室５５の陰極５５
ａの間に直流電圧を印加すると、アノード室５４からは
図６に示すような酸化還元電位の高い酸素水が得られ、
カソード室５５からは図６に示すような酸化還元電位の
低い水素水が得られる。

【００４５】アノード室５４からの酸素水は、気液分離
塔５２ａに供給される。気液分離塔５２ａは、酸素水か
ら分離された不要なガスを排気し、酸素水をフィルタ部
５３ａに出力する。フィルタ部５３ａは、気液分離塔５
２ａからの酸素水から不要な溶液を排出して酸素水出力
管３７に出力される。なお、酸素水出力管３７は、四方
コック３６の第２入力口３６ｂに接続されている。酸素
水出力管３７には、この酸素水出力管３７を開閉するた
めの第７のバルブ４５が設けられている。

【００４６】カソード室５５からの水素水は、気液分離
塔５２ｂに供給される。気液分離塔５２ｂは、水素水か
ら分離された不要なガスを排気し、水素水をフィルタ部
５３ｂに出力する。フィルタ部５３ｂは、気液分離塔５
２ｂからの水素水から不要な溶液を排出して水素水出力
管３８に出力される。なお、水素水出力管３８は、四方
コック３６の第３入力口３６ｃに接続されている。水素
水出力管３８には、この水素水出力管３８を開閉するた
めの第８のバルブ４６が設けられている。

【００４７】なお、上述した電解イオン水生成部５が本
発明における電解イオン水生成手段に相当し、上述した
電解セル５１が本発明における生成部に相当し、上述し
た第７，第８のバルブ４５，４６と四方コック３６が本
発明における切り替え部に相当する。

【００４８】図１に示すように、本実施例装置には、前
述の第１の循環路３とは別に、処理槽１から排出される
処理液を再び処理槽１に供給するように循環させるため
の第２の循環路７が備えられている。第２の循環路７
は、処理液排出管１４と、第１の分岐管１５と、第２の
排出管１７と、第２のバルブ１９と、ポンプ２０と、第
６のバルブ４１と、第３の分岐管４２と、溶解モジュー
ル６と、処理液供給管４３となどを備えている。なお、
処理液排出管１４と溶解モジュール６と処理液供給管４
３とは、第１の循環路３と第２の循環路７との共通経路
となっている。ポンプ２０は、処理槽１から溢れ出され
たオーバーフロー槽１３の処理液を、再び処理槽１に供
給するように第２の循環路７を循環させるものである。

【００４９】次に上記のように構成された基板処理装置
の基板処理動作について、図７のフローチャートを参照
しながら説明する。

【００５０】まず、基板処理を開始する前に初期処理を
実行する（ステップＳ１）。この初期処理は、初期使用
分の原料水（１次純水）を純水生成部２に供給して、第
１の循環路３に純水を満たすようにするものである。

【００５１】すなわち、原料水供給バルブ２５を開いて
純水生成部２の脱イオンモジュール２４に１次純水が供
給される。脱イオンモジュール２４は、原料水供給バル
ブ２５から供給される１次純水に含まれる微量のイオン
を除去して超純水を生成して第２の分岐管３１に出力す
る。第１の純水出力管３２の第３のバルブ３４を開き、
第２の純水出力管３３の第４のバルブ３５を閉じた状態
にし、この超純水を第１の純水出力管３２に供給して四
方コック３６を介して出力管３９に供給する。

【００５２】第５のバルブ４０を開き、第６のバルブ４
１を閉じた状態にし、第５のバルブ４０，第３の分岐管
４２，溶解モジュール６，処理液供給管４３，処理液注
入管１１を介して、超純水が処理槽１の底部の方から供
給される。処理槽１の上部から溢れ出た超純水はオーバ
ーフロー槽１３に供給され、処理液排出管１４を介し
て、第１の分岐管１５に供給される。第１のバルブ１８
を開き、第２のバルブ１９を閉じた状態にし、第１の排
出管１６に超純水が供給され、純水生成部２の貯留槽２
１に所定量の純水が貯留されると、原料水供給バルブ２
５からの１次純水の供給が停止される。

【００５３】次に、第１の循環路３から第２の循環路７
に切り換えて、超純水の第２の循環路７への循環を開始
させる（ステップＳ２）。すなわち、第２の排出管１７
に超純水が供給されるように第２のバルブ１９を開き、
第１のバルブ１８を閉じた状態にする。第６のバルブ４
１を開き、第５のバルブ４０を閉じた状態にしてポンプ
２０を駆動させて、第２の循環路７（第２の排出管１
７，溶解モジュール６，処理液供給管４３，処理液注入
管１１，処理槽１，オーバーフロー槽１３，処理液排出
管１４の順路）に超純水を循環させる。

【００５４】次に、処理しようとする基板Ｗの処理槽１
内への投入を行う（ステップＳ３）。すなわち、処理し
ようとする基板Ｗを処理槽１内の超純水中に浸漬する。

【００５５】次に、ポンプ２０の駆動を停止させて、第
２の循環路７の超純水の循環を停止する（ステップＳ
４）。

【００５６】次に、いわゆるＲＣＡ洗浄における強アル
カリ性のＳＣ−１液（ＮＨ₄ ＯＨ／Ｈ₂ Ｏ₂ ／Ｈ₂ Ｏ；
アンモニア：過酸化水素水：水を所定の配合比で配合さ
れた洗浄液）による洗浄処理に相当する基板処理（以
下、ＳＣ−１処理と呼ぶ。）を行う（ステップＳ５，Ｓ
６）。

【００５７】すなわち、第４のバルブ３５を開き、第３
のバルブ３４を閉じた状態にし、純水生成部２で生成さ
れた超純水を、第２の純水出力管３３を介して電解イオ
ン水生成部５に供給する。電解イオン水生成部５の電解
セル５１は、次のようにして電解イオン水（酸素水，水
素水）を生成する（図５参照）。電解セル５１の各室の
導入口にそれぞれ超純水が供給され、アノード室５４の
陽極５４ａとカソード室５５の陰極５５ａの間に直流電
圧が印加されると、アノード室５４からは図６に示すよ
うな酸化還元電位の高い酸素水が得られ、カソード室５
５からは図６に示すような酸化還元電位の低い水素水が
得られ、この酸素水や水素水はそれぞれの気液分離塔５
２ａ，５２ｂにおいて不要なガスが分離される。第８の
バルブ４６を開き、第７のバルブ４５を閉じた状態にし
て、気液分離塔５２ｂを介して水素水を水素水出力管３
８，四方コック３６を介して出力管３９に供給する。第
５のバルブ４０を開き、第６のバルブ４１を閉じた状態
にして、水素水を溶解モジュール６，処理液供給管４
３，処理液注入管１１を介して処理槽１の底部から処理
槽１内に供給する。

【００５８】処理槽１の上部から溢れ出た水素水はオー
バーフロー槽１３に供給され、処理液排出管１４を介し
て、第１の分岐管１５に供給される。第１のバルブ１８
を開き第２のバルブ１９を閉じた状態にし、水素水が第
１の排出管１６を介して純水生成部２の貯留槽２１に供
給される。純水生成部２は、前述したように、処理液か
ら超純水を生成して電解イオン水生成部５に供給する。
このようにして処理槽１の処理液を水素水に置換する
（ステップＳ５）。

【００５９】次に、第１の循環路３から第２の循環路７
に切り換えて、水素水を第２の循環路７に循環させるよ
うにするとともに、溶解モジュール６にアンモニアガス
（ＮＨ₃ ガス）を供給し、水素水にアンモニアガスを溶
解させる。このように、アンモニアガスを溶解させた水
素水は、図６に示すように、酸化還元電位がさらに低下
するとともに強アルカリ性を示す処理液となる。このア
ンモニアガスを溶解させた水素水は、ＳＣ−１液の酸化
還元電位とｐＨと同じになっている。この強アルカリ性
の処理液は、処理液供給管４３，処理液注入管１１を介
して処理槽１の底部から処理槽１内に供給される。

【００６０】処理槽１の上部から溢れ出た強アルカリ性
の処理液はオーバーフロー槽１３に供給され、処理液排
出管１４を介して、第１の分岐管１５に供給される。第
２，第６のバルブ１９，４１が開かれ、第１，第５のバ
ルブ１８，４０が閉じられており、ポンプ２０の駆動に
よって強アルカリ性の処理液が第２の循環路７を循環
し、ＳＣ−１処理が所定時間施される（ステップＳ
６）。

【００６１】なお、水素水中のアンモニアガスの濃度
は、処理液供給管４３内のセンサで測定されており、所
定値となるようにアンモニアガスの溶解モジュール６へ
の供給量が調整されている。このＳＣ−１処理によっ
て、基板Ｗの有機性の汚れ及び基板Ｗに付着しているパ
ーティクルなどが除去される。なお、このステップＳ５
及びステップＳ６は、同時に行ってもよい。

【００６２】次に、前述のステップＳ６におけるＳＣ−
１処理が所定時間施されると、このＳＣ−１処理を終了
する（ステップＳ７）。すなわち、ポンプ２０の駆動を
停止させて第２の循環路７の超純水の循環を停止し、溶
解モジュール６へのアンモニアガスの供給を停止し、第
４のバルブ３５を閉じて電解イオン水生成部５への超純
水の供給を停止し、第８のバルブ４６を閉じて電解イオ
ン水生成部５からの水素水の四方コック３６への供給を
停止する。

【００６３】次に、超純水を生成して処理槽１に供給し
この超純水で基板Ｗをリンス処理する（ステップＳ
８）。すなわち、第１，第３，第５のバルブ１８，３
４，４０を開き、第２，第４，第６のバルブ１９，３
５，４１を閉じた状態にし、純水生成部２で生成される
超純水を、第１の純水出力管３２，四方コック３６，出
力管３９，溶解モジュール６，処理液供給管４３，処理
液注入管１１を介して処理槽１に供給し、処理槽１の処
理液を処理槽１の上部から溢れ出させるようにして、処
理槽１の処理液を超純水に置換していく。溢れ出た処理
液はオーバーフロー槽１３で回収され、処理液排出管１
４，第１の排出管１６を介して純水生成部２に供給され
る。この処理液排出管１４には、例えば、処理槽１から
排出された処理液の比抵抗値を測定するための比抵抗計
が備えられており、処理槽１からの処理液の比抵抗値が
規定値に到達したことを比抵抗計によって検出される
と、リンス処理を終了する。

【００６４】次に、いわゆるＲＣＡ洗浄における強酸性
のＳＣ−２液（ＨＣｌ／Ｈ₂ Ｏ₂ ／Ｈ₂ Ｏ；塩酸：過酸
化水素水：水を所定の配合比で配合された洗浄液）によ
る洗浄処理に相当する基板処理（以下、ＳＣ−２処理と
呼ぶ。）を行う（ステップＳ９，Ｓ１０）。

【００６５】すなわち、第４のバルブ３５を開き、第３
のバルブ３４を閉じた状態にし、純水生成部２で生成さ
れた超純水を、第２の純水出力管３３を介して電解イオ
ン水生成部５に供給する。電解イオン水生成部５の電解
セル５１は、次のようにして電解イオン水（酸素水，水
素水）を生成する。電解セル５１の各室の導入口にそれ
ぞれ超純水が供給され、アノード室５４の陽極５４ａと
カソード室５５の陰極５５ａの間に直流電圧が印加され
ると、アノード室５４からは図６に示すような酸化還元
電位の高い酸素水が得られ、カソード室５５からは図６
に示すような酸化還元電位の低い水素水が得られ、この
酸素水や水素水はそれぞれの気液分離塔５２ａ，５２ｂ
において不要なガスが分離される。第７のバルブ４５を
開き、第８のバルブ４６を閉じた状態にして、気液分離
塔５２ａを介して酸素水を酸素水出力管３７，四方コッ
ク３６を介して出力管３９に供給する。第５のバルブ４
０を開き、第６のバルブ４１を閉じた状態にして、酸素
水を溶解モジュール６，処理液供給管４３，処理液注入
管１１を介して処理槽１の底部から処理槽１内に供給す
る。

【００６６】処理槽１の上部から溢れ出た酸素水はオー
バーフロー槽１３に供給され、処理液排出管１４を介し
て、第１の分岐管１５に供給される。第１のバルブ１８
を開き、第２のバルブ１９を閉じた状態にし、酸素水が
第１の排出管１６を介して純水生成部２の貯留槽２１に
供給される。純水生成部２は、前述したように、処理液
から超純水を生成して電解イオン水生成部５に供給す
る。このようにして処理槽１の処理液を酸素水に置換す
る（ステップＳ９）。

【００６７】次に、第１の循環路３から第２の循環路７
に切り換えて、酸素水を第２の循環路７に循環させるよ
うにするとともに、溶解モジュール６に塩素ガス（ＨＣ
ｌガス）を供給し、酸素水に塩素ガスを溶解させる。こ
のように、塩素ガスを溶解させた酸素水は、図６に示す
ように、酸化還元電位がさらに上昇するとともに強酸性
を示す処理液となる。この塩素ガスを溶解させた酸素水
は、ＳＣ−２液の酸化還元電位とｐＨと同じになってい
る。この強酸性の処理液は、処理液供給管４３，処理液
注入管１１を介して処理槽１の底部から処理槽１内に供
給される。

【００６８】処理槽１の上部から溢れ出た強酸性の処理
液はオーバーフロー槽１３に供給され、処理液排出管１
４を介して、第１の分岐管１５に供給される。第２，第
６のバルブ１９，４１が開かれ、第１，第５のバルブ１
８，４０が閉じられており、ポンプ２０の駆動によって
強酸性の処理液が第２の循環路７を循環し、ＳＣ−２処
理が所定時間施される（ステップＳ１０）。

【００６９】なお、酸素水中の塩素ガスの濃度は、処理
液供給管４３内のセンサで測定されており、所定値とな
るように塩素ガスの溶解モジュール６への供給量が調整
されている。このＳＣ−２処理によって、基板Ｗの表面
金属不純物などが除去される。なお、このステップＳ８
及びステップＳ９は、同時に行ってもよい。

【００７０】次に、前述のステップＳ１０におけるＳＣ
−２処理が所定時間施されると、このＳＣ−２処理を終
了する（ステップＳ１１）。すなわち、ポンプ２０の駆
動を停止させて第２の循環路７の超純水の循環を停止
し、溶解モジュール６への塩素ガスの供給を停止し、第
４のバルブ３５を閉じて電解イオン水生成部５への超純
水の供給を停止し、第８のバルブ４６を閉じて電解イオ
ン水生成部５からの水素水の四方コック３６への供給を
停止する。

【００７１】次に、基板Ｗを超純水でリンス処理する
（ステップＳ１２）。すなわち、第１，第３，第５のバ
ルブ１８，３４，４０を開き、第２，第４，第６のバル
ブ１９，３５，４１を閉じた状態にし、純水生成部２で
生成される超純水を、第１の純水出力管３２，四方コッ
ク３６，出力管３９，溶解モジュール６，処理液供給管
４３，処理液注入管１１を介して処理槽１に供給し、処
理槽１の処理液を処理槽１の上部から溢れ出させるよう
にして、処理槽１の処理液を超純水に置換していく。溢
れ出た処理液はオーバーフロー槽１３で回収され処理液
排出管１４，第１の排出管１６を介して純水生成部２に
供給される。処理槽１からの処理液の比抵抗値が規定値
に到達したことを比抵抗計によって検出されると、リン
ス処理を終了する。

【００７２】このように、基板Ｗのリンス処理が終了す
ると、処理槽１の超純水中に浸漬されている基板Ｗを処
理槽１から取り出す（ステップＳ１３）。処理待ちの基
板がある場合には、ステップＳ２に戻り前述と同様にし
て処理を行い、処理待ちの基板がない場合には、基板処
理を終了する。

【００７３】したがって、処理槽１から排出された処理
液から純水を生成する純水生成部２と、処理槽１から排
出された処理液を純水生成部２に供給しこの純水生成部
２で生成された純水を処理槽１に供給するように循環さ
せるための第１の循環路３とを備えているので、処理槽
１から排出される処理液を、廃液処分するのではなくこ
の処理液から純水を生成して処理槽１に供給して再利用
することができ、処理液の使用量を低減できる。

【００７４】また、第１の循環路３とは別に、処理槽１
から排出される処理液を再び処理槽１に供給するように
循環させるための第２の循環路７を備えているので、処
理槽１から排出される処理液を再び処理槽１に供給する
ように循環させることで処理液の利用回数（有効活用
率）を増加させることができ、処理液の使用量をさらに
低減できる。具体的には、処理液の使用量を、第２の循
環路７を循環させる程度（例えば、処理槽１の充填容
積）の量にまで低減することができる。

【００７５】また、処理槽１に供給される処理液に所望
のガスを溶解する溶解モジュール６を備えているので、
処理槽１に供給される処理液に所望のガスを溶解するこ
とで所望の処理液を生成することができ、この生成され
た所望の処理液でもって基板Ｗを表面処理することがで
きる。具体的には、純水あるいは電解イオン水にガスを
溶解して低濃度の処理液を生成しているので、この処理
液を純水生成の原料水として利用でき、工場レベルの大
掛かりな廃液処理設備などを介することなく純水生成部
２に直接に処理液を供給できる。したがって、純水の製
造コスト、純水使用量を大幅に低減できる。

【００７６】また、純水生成部２で生成された純水から
電解イオン水を生成して溶解モジュール６に供給する電
解イオン水生成部５を備えているので、電解イオン水に
所望のガスを溶解させることによって、処理液の酸化還
元電位とｐＨとを調整でき、処理に適した処理液を得る
ことができる。

【００７７】また、電解イオン水生成部５は、純水から
電解イオン水としての酸化還元電位の異なる水素水と酸
素水とを生成する電解セル５１と、電解セル５１で生成
された水素水と酸素水のいずれか一方を溶解モジュール
６に供給するよう切り換えるための第７，第８のバルブ
４５，４６と四方コック３６とを備えているので、水素
水または酸素水に所望のガスを溶解させることによっ
て、酸化還元電位とｐＨとを酸あるいはアルカリ処理に
適するように調整した処理液を得ることができる。具体
的には、水素水あるいは酸素水に所望のガスを少量溶解
させるだけで、酸化還元電位とｐＨとを酸あるいはアル
カリ処理に適する所望の値に調整することがきるので、
ガス使用量を低減でき処理液の使用量を低減でき、従来
のような高濃度の薬液を不要にできる。また、この処理
液は低濃度であるので、この処理液の純水への置換を迅
速に行うことができ、リンス時に使用する純水の使用量
を大幅に低減できる。

【００７８】なお、本発明は以下のように変形実施する
ことも可能である。 ＜変形例＞ （１）上述した実施例では、ガス溶解手段として溶解モ
ジュール６を採用しているが、図８（ａ）に示すような
バブリングタンクや図８（ｂ）に示すようなエジェクタ
などを採用しても良い。

【００７９】図８（ａ）に示すように、バブリングタン
クは、例えば、内部が空洞である容器８１と、この容器
８１の上部に設けられ容器８１内に純水を供給するため
の純水供給管８２と、容器８１の下側に複数個形成され
所望のガスの供給を受けるガス供給孔８３と、ガスの溶
解した純水を出力する出力口８４とを備えている。な
お、容器８１の上部には、不要なガスを排気するための
排気系８５が設けられている。このバブリングタンク
は、容器８１内の純水に所望のガスを送り込むことによ
って、純水中にガスを溶解させており、純水に所望のガ
スを溶解させた処理液が出力口８４から出力されるよう
になっている。このようにバブリングタンクによって
も、純水に所望のガスを溶解させた処理液を生成するこ
とができる。

【００８０】また、図８（ｂ）に示すように、エジェク
タは、例えば、所望のガスが供給されるガス供給口９１
と流体を排出する排出口９２とが設けられ内部が空洞で
ある容器９３を備えている。この容器９３は、一部の内
径が他の内径より狭くなっている絞り部９４を有してい
る。この容器９３内に純水を供給する純水供給管９５
が、容器９３内の絞り部９４の付近まで差し込まれてい
る。このエジェクタは、供給される純水の高速の流れに
よってガスが引き込まれて純水中に溶解し排出口９２か
ら排出されるようになっている。

【００８１】（２）上述した実施例では、処理槽１をオ
ーバーフロー方式のものとしているが、基板Ｗに処理液
をシャワー状に供給しながら、処理槽に元々あった溶液
を急速排出したり、急速排水を止めて処理液を貯留する
ことを１度ないし複数回行うことで処理槽内を処理液に
置換するクイックダンプ方式のものとした場合であって
も良い。

【００８２】（３）上述した実施例では、リンス処理時
の処理槽１からの処理液の比抵抗値を比抵抗計で測定し
その処理液の比抵抗値が規定値に到達したことを検出す
るとリンス処理を終了するようにしているが、経験的に
求めた所定時間だけ一律にリンス処理を行うようにして
処理槽１からの処理液の比抵抗値を測定しないようにし
ても良い。

【００８３】（４）上述した実施例では、ＳＣ−１処理
あるいはＳＣ−２処理による基板洗浄処理についてのみ
説明しているが、次に説明する第１〜第３の基板処理を
ＳＣ−１処理あるいはＳＣ−２処理による洗浄処理の前
後に適宜実施しても良い。

【００８４】第１の基板処理としては、例えば、ＤＨＦ
液（フッ酸水溶液）による洗浄処理に相当する基板処理
がある。この第１の基板処理は、フッ素ガス（Ｆ₂ ガ
ス）を溶解モジュール６に供給して超純水に溶解させて
ＤＨＦ液（フッ酸水溶液）に相当する処理液を生成し、
この処理液でもって処理槽１内の基板Ｗの自然酸化膜を
除去するものである。

【００８５】第２の基板処理としては、例えば、超純水
あるいは電解イオン水にオゾンガスを溶解させて処理液
を生成し、この処理液でもって処理槽１内の基板Ｗ上の
有機物やポリマー（重合体）を除去するものがある。ま
た、この基板処理によって、基板Ｗの表面を親水化する
こともできる。

【００８６】第３の基板処理としては、例えば、超純水
あるいは電解イオン水に炭酸ガス（ＣＯ₂ ガス）を溶解
させて処理液を生成し、この処理液でもって処理槽１内
の基板Ｗ表面をわずかに親水化したり基板Ｗの帯電防止
を図ったりするものがある。

【００８７】（５）上述した実施例では、電解イオン水
生成部５で超純水を電気分解して電解イオン水としての
水素水，酸素水を生成しているが、この電解イオン水生
成部５に替えて溶解モジュールやバブリングタンクやエ
ジェクタのいずれかを設けこれに水素ガスあるいは酸素
ガスを供給することによっても、純水に水素ガスあるい
は酸素ガスを溶解させた水素水，酸素水を生成すること
もできる。

【００８８】（６）上述した実施例装置において、所望
のガスが溶解された処理液に超音波を照射する超音波照
射手段を設けた場合では、新たな成分を含む処理液を生
成することができる。例えば、酸素ガスが溶解された処
理液に超音波を照射すると過酸化水素水を生成でき、窒
素ガスが溶解された処理液に超音波を照射すると硝酸な
どを生成できる。

【００８９】（７）上述した実施例では、処理部を複数
枚の基板を一括して処理するバッチ処理のものとしてい
るが、処理部を基板を１枚ずつ処理する枚葉処理のもの
とする場合にも適用できる。

【００９０】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１に記載の発明によれば、基板を処理液により表面処理
する処理部から排出された処理液から純水を生成する純
水生成手段と、処理部から排出された処理液を純水生成
手段に供給しこの純水生成手段で生成された純水を処理
部に供給するように循環させるための循環路とを備えて
いるので、処理部から排出される処理液を、廃液処分す
るのではなく再利用することができ、処理液の使用量を
低減できる。

【００９１】また、請求項２に記載の発明によれば、循
環路としての第１の循環路とは別に、処理部から排出さ
れる処理液を再び処理部に供給するように循環させるた
めの第２の循環路を備えているので、処理部から排出さ
れる処理液を再び処理部に供給するように循環させるこ
とで処理液の利用回数（有効活用率）を増加させること
ができ、処理液の使用量をさらに低減できる。

【００９２】また、請求項３に記載の発明によれば、処
理部に供給される処理液にガスを溶解するガス溶解手段
を備えているので、処理部に供給される処理液にガスを
溶解することで所望の処理液を生成することができ、こ
の生成された所望の処理液でもって基板を表面処理する
ことができる。

【００９３】また、請求項４に記載の発明によれば、純
水生成手段で生成された純水から電解イオン水を生成し
てガス溶解手段に供給する電解イオン水生成手段を備え
ているので、電解イオン水にガスを溶解させることによ
って、処理液の酸化還元電位とｐＨとを調整でき、処理
に適した処理液を得ることができる。

【００９４】また、請求項５に記載の発明によれば、電
解イオン水生成手段は、純水から電解イオン水としての
酸化還元電位の異なる水素水と酸素水とを生成する生成
部と、生成部で生成された水素水と酸素水のいずれか一
方をガス溶解手段に供給するよう切り換える切り替え部
とを備えているので、水素水または酸素水に所望のガス
を溶解させることによって、酸化還元電位とｐＨとを酸
あるいはアルカリ処理に適するように調整した処理液を
得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例に係る基板処理装置の概略構成
を示すブロック図である。

【図２】本発明の実施例に係る純水生成部の概略構成を
示すブロック図である。

【図３】（ａ）は本発明の実施例に係る溶解モジュール
の概略構成を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）に示し
た箇所Ａを拡大した拡大断面図である。

【図４】本発明の実施例に係るフィルタの構成を示す断
面図である。

【図５】本発明の実施例に係る電解イオン水生成部の概
略構成を示すブロック図である。

【図６】本発明の実施例装置で生成される処理液の酸化
還元電位とｐＨとを示す特性図である。

【図７】本発明の実施例に係る基板処理装置の基板処理
動作を示すフローチャート図である。

【図８】（ａ）はバブリングタンクの構成を示す断面図
であり、（ｂ）はエジェクタの構成を示す断面図であ
る。

【図９】従来例に係る基板処理装置の概略構成を示すブ
ロック図である。

【符号の説明】

１ … 処理槽（処理部） ２ … 純水生成部（純水生成手段） ３ … 第１の循環路（循環路） ５ … 電解イオン水生成部（電解イオン水生成手段） ６ … 溶解モジュール（ガス溶解手段） ７ … 第２の循環路 ３６ … 四方コック（切り替え部） ４５ … 第７のバルブ（切り替え部） ４６ … 第８のバルブ（切り替え部） ５１ … 電解セル（生成部） Ｗ … 基板

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理液により基板を表面処理するための
   処理部を備えた基板処理装置において、 前記処理部から排出された処理液から純水を生成する純
   水生成手段と、 前記処理部から排出された処理液を前記純水生成手段に
   供給し、この純水生成手段で生成された純水を前記処理
   部に供給するように、処理液を循環させるための循環路
   とを備えたことを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理装置におい
   て、 前記循環路を第１の循環路とし、前記第１の循環路とは
   別に、前記処理部から排出される処理液を再び処理部に
   供給するように循環させるための第２の循環路を備えた
   ことを特徴とする基板処理装置。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の基板処
   理装置において、 前記処理部に供給される処理液にガスを溶解するガス溶
   解手段を備えたことを特徴とする基板処理装置。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の基板処理装置におい
   て、 前記純水生成手段で生成された純水から電解イオン水を
   生成する電解イオン水生成手段を備え、前記電解イオン
   水生成手段で生成された電解イオン水は、前記ガス溶解
   手段に供給されることを特徴とする基板処理装置。
5. 【請求項５】 請求項４に記載の基板処理装置におい
   て、 前記電解イオン水生成手段は、 純水から電解イオン水としての酸化還元電位の異なる水
   素水と酸素水とを生成する生成部と、 前記生成部で生成された水素水と酸素水のいずれか一方
   を前記ガス溶解手段に供給するよう切り換える切り替え
   部とを備えたことを特徴とする基板処理装置。