JP2001028358A - 洗浄・乾燥処理装置及びその方法 - Google Patents

洗浄・乾燥処理装置及びその方法

Info

Publication number
JP2001028358A
JP2001028358A JP11201414A JP20141499A JP2001028358A JP 2001028358 A JP2001028358 A JP 2001028358A JP 11201414 A JP11201414 A JP 11201414A JP 20141499 A JP20141499 A JP 20141499A JP 2001028358 A JP2001028358 A JP 2001028358A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
drying
cleaning
rinsing liquid
ozone water
supply pipe
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP11201414A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3557601B2 (ja
Inventor
Yuji Kamikawa
裕二 上川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP20141499A priority Critical patent/JP3557601B2/ja
Priority to US09/615,620 priority patent/US6510859B1/en
Publication of JP2001028358A publication Critical patent/JP2001028358A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3557601B2 publication Critical patent/JP3557601B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/048—Overflow-type cleaning, e.g. tanks in which the liquid flows over the tank in which the articles are placed
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/102—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration with means for agitating the liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B2203/00—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B2203/005—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam the liquid being ozonated
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902—Semiconductor wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 パーティクルの発生や水素ガス等の発生がな
く、小型にして容易にオゾン水を生成して、被処理体の
酸化膜形成に供せるようにした洗浄・乾燥処理を行える
ようにすること。 【解決手段】 半導体ウエハＷを洗浄する洗浄部１と、
半導体ウエハＷを乾燥する乾燥部２とを具備する洗浄・
乾燥処理装置において、洗浄部１を、薬液又はリンス液
を貯留する処理槽１０にて形成すると共に、この処理槽
１０と薬液供給源１７及びリンス液供給源（純水供給源
１５）とを供給管路（リンス液供給管路１４）を介して
接続し、リンス液供給管路１４に、オゾン水生成手段２
１を介設する。これにより、薬液処理及びリンス処理さ
れた半導体ウエハＷの表面に酸化膜を形成し、その後乾
燥することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、洗浄・乾燥処理
装置及びその方法に関するもので、更に詳細には、例え
ば半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板等の被処理体を洗
浄し、乾燥する洗浄・乾燥処理装置及びその方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体製造装置の製造工程にお
いては、半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板等の被処理
体を薬液やリンス液等の洗浄液が貯留された処理槽に順
次搬送して薬液処理、リンス処理等の洗浄処理を行い、
その後、被処理体に付着する水分を除去するために被処
理体に乾燥ガスを接触させて乾燥する乾燥処理が行われ
ている。
【０００３】上記製造工程において、薬液としてフッ化
水素（ＨＦ）を用いて被処理体表面の自然酸化膜を除去
しているが、このＨＦを用いた洗浄処理後においては、
被処理体表面が活性の高い表面となるため、空気と接触
して自然酸化膜が生成され易く、かつパーティクルが付
着し易い状態となっている。したがって、従来では、洗
浄処理後に被処理体を不活性ガス例えば窒素（Ｎ2）ガ
ス雰囲気下で乾燥して、自然酸化膜が生成し難いように
している。しかし、乾燥処理後、被処理体を長時間空気
中に放置すると、被処理体の表面に自然酸化膜が生成さ
れると共に、パーティクルが付着するという問題があっ
た。
【０００４】そこで、上記自然酸化膜が生成され難い状
態にするために、被処理体表面に保護膜としての酸化膜
を積極的に形成する方法が採用されている。この酸化膜
を形成する方法の１つとして、被処理体をオゾン水に浸
漬して被処理体表面に酸化膜を形成する方法が知られて
いる。また、オゾン水を生成する方法として、酸素ガ
スを放電電極間に通過させ、そのエネルギーでオゾンガ
スを生成し、これを純水に浸透膜等を用いて溶解させ
て、オゾン水を生成する方法、純水を電気分解して、
直接、オゾンガスと水素ガスを生成し、このオゾンガス
を純水に溶解する方法、が知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者す
なわち酸素ガスを放電電極間に通過させ、そのエネル
ギーでオゾンガスを生成する方法においては、オゾン水
生成装置自体が大型となり、かつ原料として、酸素ガス
を用いるため、コストが嵩むという問題があった。ま
た、ガスが直接、放電電極内を通過する構造をしている
ため、電極の放電によって発生したパーティクルがガス
中に含まれ、しかもこれを純水に溶解することから、生
成されたオゾン水にもパーティクルが存在するという問
題があった。これに対し、後者すなわち純水を電気分
解する方法においては、装置の小型化は図れるが、この
電気分解による方法においては、オゾン水の生成に時間
がかかり、しかも、副生成物として水素ガスを発生する
ため、その排気処理に手間を要するばかりか、安全面に
おいても問題があった。
【０００６】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、パーティクルの発生や水素ガス等の発生がなく、し
かも小型にして容易にオゾン水を生成して、洗浄処理後
の被処理体に酸化膜を形成し、その後、乾燥するように
した洗浄・乾燥処理装置及び洗浄・乾燥処理方法を提供
することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は以下のように構成する。
【０００８】請求項１記載の発明は、被処理体を洗浄す
る洗浄部と、上記被処理体を乾燥する乾燥部とを具備す
る洗浄・乾燥処理装置において、 上記洗浄部を、薬液
又はリンス液を貯留する処理槽にて形成すると共に、こ
の処理槽と薬液供給源及びリンス液供給源とを供給管路
を介して接続し、 上記リンス液の供給管路に、オゾン
水生成手段を介設してなる、ことを特徴とする。
【０００９】このように構成することにより、オゾン水
生成手段によってリンス液供給管路を流れるリンス液を
オゾン水に生成して処理槽に供給し、被処理体をオゾン
水に浸漬して被処理体表面に酸化膜を形成することがで
きる。したがって、薬液処理後に被処理体表面に酸化膜
を形成することができ、その後、乾燥することにより、
被処理体に自然酸化膜が生成されるのを防止することが
できると共に、パーティクルの付着を防止することがで
きる。この場合、上記オゾン水生成手段を選択的に稼働
可能に形成することにより、リンス液供給管路を介して
処理槽に供給されるリンス液を必要に応じてオゾン水と
することができるので、リンス液をリンス処理と酸化膜
形成処理に使用することができる（請求項２）。
【００１０】請求項３記載の発明は、請求項１又は２記
載の洗浄・乾燥処理装置において、上記リンス液の供給
管路に、温度調整手段を更に介設してなる、ことを特徴
とする。
【００１１】このように構成することにより、処理槽に
供給されるリンス液又はオゾン水を所定の温度に調整し
てリンス処理及び酸化膜形成に供することができる。こ
の場合、上記温度調整手段を選択的に稼働可能に形成す
ることにより、リンス液供給管路を流れるリンス液又は
オゾン水を必要に応じて所定温度に設定してリンス処理
や酸化膜形成に供することができる（請求項４）。
【００１２】請求項５記載の発明は、請求項１ないし４
のいずれかに記載の洗浄・乾燥処理装置において、上記
リンス液供給管路におけるオゾン水生成手段の上流側に
磁界発生手段を介設してなる、ことを特徴とする。
【００１３】このように構成することにより、リンス液
供給管路を流れるリンス液を磁界発生手段により発生さ
れた磁界を通過させてリンス液に磁気を帯びさせること
で、リンス液の分子の分子結合子の角度を揃えることが
でき、オゾン水の生成効率を向上させることができる。
【００１４】請求項６記載の発明は、請求項１ないし５
のいずれかに記載の洗浄・乾燥処理装置において、上記
リンス液に純水を用い、上記オゾン水生成手段は、上記
純水に紫外線を照射する紫外線ランプを具備する、こと
を特徴とする。
【００１５】このように構成することにより、リンス液
供給管路を流れるリンス液としての純水中に直接紫外線
を照射して、オゾン水を生成することができる。
【００１６】請求項７記載の発明は、請求項１ないし６
のいずれかに記載の洗浄・乾燥処理装置において、上記
薬液供給管路とリンス液供給管路とを合流させて、薬液
とリンス液の混合液、リンス液を選択的に処理槽に供給
可能に形成してなる、ことを特徴とする。
【００１７】このように構成することにより、薬液供給
ラインとリンス液供給ライン及びオゾン水供給ラインを
統合して配管することができ、装置の小型化を図ること
ができる。
【００１８】請求項８記載の発明は、請求項１ないし７
のいずれかに記載の洗浄・乾燥処理装置において、上記
乾燥部に乾燥ガス供給管路を介して乾燥ガス供給源を接
続してなる、ことを特徴とする。
【００１９】このように構成することにより、薬液処
理、リンス処理、酸化膜形成処理された被処理体に乾燥
ガスを供給して乾燥することができる。この場合、上記
乾燥ガス供給管路に、加熱手段を介設することにより、
高温の乾燥ガスを被処理体に供給することができるの
で、乾燥効率の向上を図ることができる（請求項９）。
【００２０】請求項１０記載の発明は、被処理体を薬液
に浸漬して洗浄する工程と、 上記被処理体をリンス液
に浸漬してリンス処理する工程と、 上記被処理体をオ
ゾン水に浸漬して被処理体表面に酸化膜を形成する工程
と、 酸化膜が形成された上記被処理体に乾燥ガスを接
触させて乾燥する工程と、を有することを特徴とする。
【００２１】この場合、上記被処理体をリンス処理する
工程又は被処理体に酸化膜を形成する工程において、所
定温度に温度調整されたリンス液又はオゾン水を供給す
る方が好ましい（請求項１１）。また、上記被処理体表
面に酸化膜を形成する工程において、リンス液に純水を
用いると共に、この純水に紫外線を照射して生成された
オゾン水を用いる方が好ましい（請求項１２）。また、
上記オゾン水が生成される前の純水に磁界を与えるよう
にする方が好ましい（請求項１３）。加えて、上記被処
理体に乾燥ガスを接触させて乾燥する工程において、加
熱された乾燥ガスを供給して乾燥を行う方が好ましい
（請求項１４）。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施の形態を
図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態では半導
体ウエハの洗浄・乾燥処理に適用した場合について説明
する。
【００２３】図１はこの発明に係る洗浄・乾燥処理装置
の一実施形態を示す概略断面図である。
【００２４】上記洗浄・乾燥処理装置は、被処理体であ
る半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）を、薬液例
えばフッ化水素（ＨＦ）によって薬液処理した後、リン
ス液例えば純水によってリンス処理すると共にオゾン水
によって酸化膜を形成する洗浄部１と、洗浄処理後にウ
エハＷ表面に付着した水分を乾燥する乾燥部２とで主要
部が構成されている。
【００２５】上記洗浄部１は、薬液（ＨＦ）、純水及び
オゾン水等の洗浄液を貯留する処理槽１０にて形成され
ている。この処理槽１０は、上記洗浄液を貯留する内槽
１１と、この内槽１１の上端開口部から溢流された洗浄
液を受け止める外槽１２とで構成されている。また、内
槽１１の下部には洗浄液を供給する一対の供給ノズル１
３が配設されており、この供給ノズル１３にリンス液供
給管路１４を介してリンス液すなわち純水の供給源１５
が接続され、かつリンス液供給管路１４の途中に接続さ
れる薬液供給管路１６を介して薬液供給源例えばＨＦ供
給タンク１７が接続されている。
【００２６】この場合、リンス液供給管路１４には、純
水供給源１５側から順に、流量（圧力）コントローラ１
８，流量切換弁１９，温度調整手段２０，オゾン水生成
手段２１及び逆止弁２２が介設されている。なおこの場
合、温度調整手段２０は、選択的に稼働（ＯＮ，ＯＦ
Ｆ）可能な例えばハロゲンランプ式の温水生成器にて形
成されており、リンス液供給管路１４を流れる純水を必
要に応じて所定温度例えば６０℃に加熱し得るように構
成されている。
【００２７】また、オゾン水生成手段２１は、図２に示
すように、コントローラ２３によって選択的に稼働（Ｏ
Ｎ，ＯＦＦ）可能な例えば紫外線照射ランプ２４を具備
する紫外線照射式オゾン水生成器にて形成されている。
この場合、図２に示すように、リンス液供給管路１４の
一部に例えば石英製の透明性の円筒管２５を接続し、こ
の円筒管２５の中心部に紫外線照射ランプ２４を配設し
て、円筒管２５内を流れる純水に必要に応じて紫外線を
照射して純水を直接オゾン水に生成することができるよ
うに構成されている。
【００２８】なお、図３に示すように、リンス液供給管
路１４におけるオゾン水生成手段２１の上流側に、例え
ば超強力磁石あるいは電磁石等にて形成される磁界発生
手段２６を介設する方が好ましい。この場合、この磁界
発生手段２６は、選択的に稼働（ＯＮ，ＯＦＦ）可能に
形成されている。このように、オゾン水生成手段２１の
上流側に磁界発生手段２６を設けることにより、純水供
給源１５からリンス液供給管路１４を流れる純水が磁界
を通過して磁気を帯びることで、オゾン水生成手段２１
の紫外線照射ランプ２４からの紫外線のエネルギーを受
け取り易くなり、その結果、オゾン水の発生効率を約１
５％程度上昇することができる。これは、純水が磁気を
帯びることによって水分子の分子結合の角度が揃えられ
て、紫外線の波長との関係が整えられるためである。
【００２９】一方、薬液供給管路１６は切換弁２７を介
してリンス液供給管路１４に接続されており、この切換
弁２７とＨＦ供給タンク１７との間にはＨＦ供給タンク
１７側からポンプ２８と所定圧力以上の場合に開放する
背圧弁２９が介設されている。また、ＨＦ供給タンク１
７の外側近傍には、上限、下限及び許容液面を検出する
液面センサ３０ａ〜３０ｃが配設されて、ＨＦ供給タン
ク１７内のＨＦ量が監視されている。また、ＨＦ供給タ
ンク１７は、開閉弁３１を介設する供給管路を介してＨ
Ｆ供給源３２に接続されて、ＨＦ供給タンク１７内に所
定量のＨＦが補給されるようになっている。なお、符号
６０は、ＨＦ供給タンク１７内の圧力を常圧にするため
の呼吸口６１に接続する配管である。
【００３０】上記のように、処理槽１０の下部に配設さ
れた供給ノズル１３に接続するリンス液供給管路１４
と、薬液供給管路１６とを接続（合流）させることによ
り、リンス液供給管路１４を流れる純水に所定量のＨＦ
を注入して所定濃度の薬液（ＤＨＦ）を処理槽１０に供
給して、ウエハＷを薬液処理すなわちウエハＷ表面の自
然酸化膜を除去した後、切換弁２７を排液側に切り換え
ると共に、ポンプ２８の駆動を停止して、純水のみを処
理槽１０に供給することで、ウエハＷ表面に付着する薬
液すなわちＨＦを除去するリンス処理を行うことができ
る。なお、この際、温水生成器２０をＯＮ動作させるこ
とにより、純水を所定温度に加熱した温純水を供給する
ことでリンス処理を行うことができる。また、リンス処
理後、オゾン水生成器２１をＯＮ動作させることで、純
水に紫外線を照射してオゾン水を生成することができ、
このオゾン水を処理槽１０に供給してウエハＷ表面に酸
化膜を形成することができる。
【００３１】なお、図示しない昇降機構によって昇降す
るウエハボート３３によって複数枚例えば５０枚のウエ
ハＷが処理槽１０内に搬入・搬出されるように構成され
ている。また、処理槽１０における内槽１１の底部に設
けられた排液口（図示せず）に第１のドレン弁３４を介
して第１のドレン管３５が接続されており、外槽１２の
底部に設けられた排液口（図示せず）には、第２のドレ
ン弁３６を介設した第２のドレン管３７が接続されてい
る。そして、これら第１及び第２のドレン管３５，３７
により排出される排液がドレンパン３８に受け止められ
た後、ドレンパン３８に接続される３種類の排液管路、
すなわち濃度の濃いＨＦ排出管路３８ａ，濃度の薄いＨ
Ｆ排出管路３８ｂ，純水・オゾン水用排出管路３８ｃが
接続されている。なお、各排出管路３８ａ〜３８ｃに
は、それぞれ切換弁３９ｄ〜３９ｆが介設されて、処理
槽１０から排出される処理後のＨＦ，純水及びオゾン水
を分離して外部の所定場所に排液できるようになってい
る。また、排出管路３８ａは、ドレン弁３９ｇを介設し
たドレン管３９ｈを介して上記薬液供給管路１６の切換
弁２７の排出ポート（図示せず）に接続されている。
【００３２】一方、上記乾燥部２は、上記処理槽１０の
上方に図示しないシールパッキンを介して密閉される断
面略逆Ｕ字状の容器４０にて形成されている。なお、こ
の容器４０は図示しない昇降機構によって処理槽１０に
対して接離可能に形成されている。また、容器４０の内
方上部には、一対のガス供給ノズル４１が噴孔を上向き
にして配設されており、このガス供給ノズル４１に、ガ
ス供給管路４２を介して乾燥ガス例えばＮ2ガスの供給
源４３が接続されている。ガス供給管路４２には、Ｎ2
ガス供給源４３側から順に、流量制御弁４４，開閉弁４
５，流量計４６，フィルタ４７及び加熱手段であるヒー
タ４８が介設されている。
【００３３】このように構成することにより、Ｎ2ガス
供給源４３からガス供給管路４２を流れるN2ガスがヒー
タ４８によって所定温度例えば１７０℃に加熱されてガ
ス供給ノズル４１から容器４０内に噴射されて、容器４
０内のウエハＷに接触して乾燥することができる。
【００３４】なお、容器の下方側部には周方向に適宜間
隔をおいて複数（図面では１つの場合を示す）の排気口
４９が設けられており、この排気口４９に開閉弁５０を
介設する排気管路５１が接続されている。
【００３５】上記のように、容器４０の内方上部に配設
される一対のガス供給ノズル４１の噴孔を上向きにし、
容器４０の下方側部の周方向に適宜間隔をおいて複数の
排気口４９を設けることにより、ガス供給ノズル４１か
ら噴射（供給）された乾燥ガス（Ｎ2ガス）は、容器４
０の湾曲状面に沿って天井面に流れた後、図１に破線で
示す矢印で示すように頂部から下方の排気口４９に向か
って流れる。したがって、ウエハＷ表面にＮ2ガスが均
一に接触されるので、乾燥の促進が図れる。
【００３６】次に、上記洗浄・乾燥処理装置を用いてウ
エハＷの洗浄処理、酸化膜形成処理及び乾燥処理の手順
について、図１及び図４を参照して説明する。
【００３７】まず、図示しない搬送手段例えばウエハチ
ャックによって搬送された複数枚例えば５０枚のウエハ
Ｗをウエハボート３３が受け取り、処理槽１０の上方に
待機する。このとき、容器４０が下降して処理槽１０の
上方を外気と遮断する。次に、図示しない昇降機構の駆
動によってウエハボート３３が下降してウエハＷを処理
槽１０内に収容（搬入）する。そして、流量切換弁１９
を処理槽１０への供給側に切り換える一方、切換弁２７
をリンス液供給管路１４側に切り換えると共に、ポンプ
２８を駆動し、純水供給源１５からリンス液供給管路１
４を流れる純水に所定量のＨＦを注入して所定濃度の薬
液（ＤＨＦ）を処理槽１０の内槽１１内に供給しつつ外
槽１２に溢流し、ウエハＷをＤＨＦに浸漬することで、
ウエハＷ表面の自然酸化膜を除去する（薬液処理工
程）。この薬液処理工程において、第２のドレン弁３６
は開放しており、内槽１１から溢流した薬液は第２のド
レン管３７を介してドレンパン３８に排出される。
【００３８】所定時間薬液処理を行った後、第１のドレ
ン弁３４を開放して内槽１１内の薬液（DHF）をドレン
パン３８に排出する。薬液を排出した後、あるいは、薬
液をある程度排出した後、第１のドレン弁３４を閉じる
一方、切換弁２７を第１の排液管路３９ａ側に切り換え
ると共に、ポンプ２８を停止して、処理槽１０内に純水
のみを供給して、ウエハＷを純水に浸漬することで、ウ
エハＷ表面に付着する薬液を除去する（リンス処理工
程）。このリンス処理工程においても、純水は内槽１１
から溢流して外槽１２に流れ、第２のドレン管３７を介
してドレンパン３８に流れる。
【００３９】所定時間リンス処理を行った後、リンス液
供給管路１４に純水を流した状態で、オゾン水生成手段
２１をＯＮ動作して紫外線照射ランプ２４から紫外線を
純水に照射して、例えば０．５ｐｐｍ〜２．０ｐｐｍの
オゾン水を生成すると共に、生成されたオゾン水を処理
槽１０内に供給して、ウエハＷをオゾン水に浸漬（接
触）することで、ウエハＷ表面に酸化膜を形成する（酸
化膜形成工程）。この場合、例えば１ｐｐｍのオゾンを
５〜６分ウエハＷに接触させることで、約２〜３Åの酸
化膜を形成することができる。このとき、温水生成器２
０をＯＮ動作させて、オゾン化される前の純水を所定温
度例えば３０℃に加温して、温オゾン水を処理槽１０に
供給することにより、酸化膜の形成を効率よく行うこと
ができる。また、磁界発生手段２６をＯＮ動作させてオ
ゾン化される前の純水に磁気を帯びさせることで、純水
がオゾン水生成手段２１の紫外線照射ランプ２４からの
紫外線のエネルギーを受け取り易くなり、その結果、オ
ゾン水の発生効率を約１５％程度上昇することができ
る。なお、この酸化膜形成工程においても、オゾン水は
内槽１１から溢流して外槽１２に流れ、第２のドレン管
３７を介してドレンパン３８に流れる。
【００４０】上記のようにしてウエハＷ表面に酸化膜を
形成した後、ウエハボート３３を上昇させて、ウエハＷ
をリンス液（オゾン水）から引き上げる一方、乾燥ガス
供給管路４２の開閉弁４５を開放して、乾燥ガスである
Ｎ2ガスをガス供給ノズル４１から乾燥部２すなわち容
器４０内に噴射（供給）する。すると、ガス供給ノズル
４１から噴射（供給）されたＮ2ガスは、容器４０の湾
曲状面に沿って天井面に流れた後、図１に破線で示す矢
印で示すように頂部から下方の排気口４９に向かって流
れるので、ウエハＷ表面にＮ2ガスが均一に接触され
て、乾燥される（乾燥処理工程）。このとき、ヒータ４
８によってＮ2ガスが加熱されるので、乾燥を効率よく
行うことができる。
【００４１】上記のようにして、乾燥処理が終了した
後、ガス供給管路４２の開閉弁４５を閉じてＮ2ガスの
供給を停止する。乾燥されたウエハＷは、容器４０が上
昇された後に、ウエハボート３３側に移動するウエハチ
ャックによってウエハボート３３から受け取られて、次
の処理工程へ搬送（搬出）される。
【００４２】以上のようにして、ウエハＷの薬液処理、
リンス処理、酸化膜形成、及び乾燥処理が連続的に行わ
れる。
【００４３】なお、上記実施形態では、この発明に係る
洗浄・乾燥処理装置を半導体ウエハの処理システムに適
用した場合について説明したが、半導体ウエハ以外のＬ
ＣＤ用ガラス基板等にも適用できることは勿論である。
【００４４】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、上記のように構成されているので、以下のような効
果が得られる。
【００４５】１）請求項１，１０記載の発明によれば、
オゾン水生成手段によってリンス液供給管路を流れるリ
ンス液をオゾン水に生成して処理槽に供給し、被処理体
をオゾン水に浸漬して被処理体表面に酸化膜を形成する
ことができるので、薬液処理後に被処理体表面に酸化膜
を形成することができ、その後、乾燥することにより、
被処理体に自然酸化膜が生成されるのを防止することが
できると共に、パーティクルの付着を防止することがで
きる。この場合、上記オゾン水生成手段を選択的に稼働
可能に形成することにより、リンス液供給管路を介して
処理槽に供給されるリンス液を必要に応じてオゾン水と
することができるので、リンス液をリンス処理と酸化膜
形成処理に使用することができる（請求項２）。
【００４６】２）請求項３，１１記載の発明によれば、
処理槽に供給されるリンス液を所定の温度に調整してリ
ンス処理及び酸化膜形成に供することができる。この場
合、上記温度調整手段を選択的に稼働可能に形成するこ
とにより、リンス液供給管路を流れるリンス液又はオゾ
ン水を必要に応じて所定温度に設定してリンス処理や酸
化膜形成に供することができる（請求項４）。
【００４７】３）請求項５，１３記載の発明によれば、
リンス液供給管路を流れるリンス液を磁界発生手段によ
り発生された磁界を通過させてリンス液に磁気を帯びさ
せることにより、オゾン水の生成効率を向上させること
ができるので、酸化膜の形成効率の向上を図ることがで
きる。
【００４８】４）請求項６，１２記載の発明によれば、
リンス液供給管路を流れるリンス液としての純水中に直
接紫外線を照射して、オゾン水を生成することができる
ので、パーティクルの発生を抑制することができる。ま
た、装置の小型化と信頼性の向上を図ることができる。
【００４９】５）請求項７記載の発明によれば、薬液供
給ラインとリンス液供給ライン及びオゾン水供給ライン
を統合して配管することができるので、装置の小型化を
図ることができる。
【００５０】６）請求項８，１０記載の発明によれば、
薬液処理、リンス処理、酸化膜形成処理された被処理体
に乾燥ガスを供給して乾燥することができるので、被処
理体の洗浄処理（薬液処理、リンス処理）と乾燥処理に
併せて酸化膜形成処理を効率よく行うことができる。こ
の場合、上記乾燥ガス供給管路に、加熱手段を介設する
ことにより、高温の乾燥ガスを被処理体に供給すること
ができるので、乾燥効率の向上を図ることができる（請
求項９，１４）。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に係る洗浄・乾燥処理装置の一実施形
態を示す概略断面図である。
【図２】この発明におけるオゾン水生成手段を示す概略
斜視図である。
【図３】この発明に係る洗浄・乾燥処理装置の別の実施
形態の要部を示す概略断面図である。
【図４】この発明の洗浄・乾燥処理の手順の一例を示す
フローチャートである。
【符号の説明】
Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） １ 洗浄部 ２ 乾燥部 １０ 処理槽 １４ リンス液供給管路 １５ 純水供給源（リンス液供給源） １６ 薬液供給管路 １７ ＨＦ供給タンク（薬液供給源） ２０ 温水生成器（温度調整手段） ２１ オゾン水生成器（オゾン水生成手段） ２４ 紫外線照射ランプ ２６ 磁界発生手段 ４０ 容器 ４１ ガス供給ノズル ４２ 乾燥ガス供給管路 ４８ ヒータ（加熱手段）

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被処理体を洗浄する洗浄部と、上記被処
    理体を乾燥する乾燥部とを具備する洗浄・乾燥処理装置
    において、 上記洗浄部を、薬液又はリンス液を貯留する処理槽にて
    形成すると共に、この処理槽と薬液供給源及びリンス液
    供給源とを供給管路を介して接続し、 上記リンス液の供給管路に、オゾン水生成手段を介設し
    てなる、ことを特徴とする洗浄・乾燥処理装置。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の洗浄・乾燥処理装置にお
    いて、 上記オゾン水生成手段を選択的に稼働可能に形成してな
    る、ことを特徴とする洗浄・乾燥処理装置。
  3. 【請求項３】 請求項１又は２記載の洗浄・乾燥処理装
    置において、 上記リンス液の供給管路に、温度調整手段を更に介設し
    てなる、ことを特徴とする洗浄・乾燥処理装置。
  4. 【請求項４】請求項３記載の洗浄・乾燥処理装置におい
    て、 上記温度調整手段を選択的に稼働可能に形成してなる、
    ことを特徴とする洗浄・乾燥処理装置。
  5. 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかに記載の洗
    浄・乾燥処理装置において、 上記リンス液供給管路におけるオゾン水生成手段の上流
    側に磁界発生手段を介設してなる、ことを特徴とする洗
    浄・乾燥処理装置。
  6. 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれかに記載の洗
    浄・乾燥処理装置において、 上記リンス液に純水を用い、上記オゾン水生成手段は、
    上記純水に紫外線を照射する紫外線ランプを具備する、
    ことを特徴とする洗浄・乾燥処理装置。
  7. 【請求項７】 請求項１ないし６のいずれかに記載の洗
    浄・乾燥処理装置において、 上記薬液供給管路とリンス液供給管路とを合流させて、
    薬液とリンス液の混合液、リンス液を選択的に処理槽に
    供給可能に形成してなる、ことを特徴とする洗浄・乾燥
    処理装置。
  8. 【請求項８】 請求項１ないし７のいずれかに記載の洗
    浄・乾燥処理装置において、 上記乾燥部に乾燥ガス供給管路を介して乾燥ガス供給源
    を接続してなる、ことを特徴とする洗浄・乾燥処理装
    置。
  9. 【請求項９】 請求項８記載の洗浄・乾燥処理装置にお
    いて、 上記乾燥ガス供給管路に、加熱手段を介設してなる、こ
    とを特徴とする洗浄・乾燥処理装置。
  10. 【請求項１０】 被処理体を薬液に浸漬して洗浄する工
    程と、 上記被処理体をリンス液に浸漬してリンス処理する工程
    と、 上記被処理体をオゾン水に浸漬して被処理体表面に酸化
    膜を形成する工程と、 酸化膜が形成された上記被処理体に乾燥ガスを接触させ
    て乾燥する工程と、を有することを特徴とする洗浄・乾
    燥処理方法。
  11. 【請求項１１】 請求項１０記載の洗浄・乾燥処理方法
    において、 上記被処理体をリンス処理する工程又は被処理体に酸化
    膜を形成する工程において、所定温度に温度調整された
    リンス液又はオゾン水を供給する、ことを特徴とする洗
    浄・乾燥処理方法。
  12. 【請求項１２】 請求項１０又は１１記載の洗浄・乾燥
    処理方法において、 上記被処理体表面に酸化膜を形成する工程において、リ
    ンス液に純水を用いると共に、この純水に紫外線を照射
    して生成されたオゾン水を用いる、ことを特徴とする洗
    浄・乾燥処理方法。
  13. 【請求項１３】 請求項１２記載の洗浄・乾燥処理方法
    において、 上記オゾン水が生成される前の純水に磁界を与えるよう
    にした、ことを特徴とする洗浄・乾燥処理方法。
  14. 【請求項１４】 請求項１０ないし１３のいずれかに記
    載の洗浄・乾燥処理方法において、 上記被処理体に乾燥ガスを接触させて乾燥する工程にお
    いて、加熱された乾燥ガスを供給して乾燥を行う、こと
    を特徴とする洗浄・乾燥処理方法。
JP20141499A 1999-07-15 1999-07-15 洗浄・乾燥処理装置及びその方法 Expired - Fee Related JP3557601B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20141499A JP3557601B2 (ja) 1999-07-15 1999-07-15 洗浄・乾燥処理装置及びその方法
US09/615,620 US6510859B1 (en) 1999-07-15 2000-07-13 Apparatus and method for cleaning and drying object

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20141499A JP3557601B2 (ja) 1999-07-15 1999-07-15 洗浄・乾燥処理装置及びその方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001028358A true JP2001028358A (ja) 2001-01-30
JP3557601B2 JP3557601B2 (ja) 2004-08-25

Family

ID=16440700

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20141499A Expired - Fee Related JP3557601B2 (ja) 1999-07-15 1999-07-15 洗浄・乾燥処理装置及びその方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6510859B1 (ja)
JP (1) JP3557601B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002353196A (ja) * 2001-05-24 2002-12-06 Shibaura Mechatronics Corp レジスト剥離方法及び剥離装置
EP1288717A2 (en) * 2001-08-06 2003-03-05 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Phase shift mask blank, phase shift mask, and method of manufacture
KR100524399B1 (ko) * 2002-07-25 2005-10-28 에이펫(주) 혼합 세정액 제조 장치 및 이를 이용한 혼합 세정액 제조방법
JP2011228406A (ja) * 2010-04-16 2011-11-10 Kurita Water Ind Ltd オゾン水供給システム及びシリコンウエハの湿式酸化処理システム

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100418324B1 (ko) * 2001-12-01 2004-02-14 한국디엔에스 주식회사 반도체 세정 장비의 웨이퍼 건조기
JP4319445B2 (ja) * 2002-06-20 2009-08-26 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP3560962B1 (ja) * 2003-07-02 2004-09-02 エス・イー・エス株式会社 基板処理法及び基板処理装置
WO2005098918A1 (ja) * 2004-04-02 2005-10-20 Tokyo Electron Limited 基板処理装置、基板処理方法、記録媒体およびソフトウエア
CN100349266C (zh) * 2004-07-23 2007-11-14 王文 高效能臭氧水清洗半导体晶圆的系统及其方法
US8925550B2 (en) 2004-09-20 2015-01-06 Sydney A Warren Single sided modular oxygen cannula and gas/air delivery system
US20090000618A1 (en) * 2004-09-20 2009-01-01 Sydney Warren Single sided housing for medical canula tubing combining wireless cellular phone and audio technology with oxygen delivery systems
JP4542869B2 (ja) * 2004-10-19 2010-09-15 東京エレクトロン株式会社 処理方法およびその処理方法を実施するコンピュータプログラム
US7775219B2 (en) * 2006-12-29 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Process chamber lid and controlled exhaust
JP4982320B2 (ja) * 2007-09-27 2012-07-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US20100269365A1 (en) * 2008-05-16 2010-10-28 Miller Kenneth C System and Method for Alternating Fluid Flow
JP5923300B2 (ja) * 2011-12-28 2016-05-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
DE102012108342A1 (de) * 2012-09-07 2014-03-13 JP-Features GmbH Vorrichtung zum Frisieren
TWI630652B (zh) 2014-03-17 2018-07-21 斯克林集團公司 基板處理裝置及使用基板處理裝置之基板處理方法
JP6499414B2 (ja) 2014-09-30 2019-04-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6289341B2 (ja) * 2014-10-31 2018-03-07 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、排気切替ユニットおよび基板液処理方法
US9278153B1 (en) * 2015-03-30 2016-03-08 Chun Hung Tsang Pesticide-free agricultural air sterilization and farming equipment

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03228328A (ja) * 1990-02-02 1991-10-09 Nec Corp 半導体基板の水洗方法
JP3590470B2 (ja) * 1996-03-27 2004-11-17 アルプス電気株式会社 洗浄水生成方法および洗浄方法ならびに洗浄水生成装置および洗浄装置
JP3171807B2 (ja) * 1997-01-24 2001-06-04 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置及び洗浄方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002353196A (ja) * 2001-05-24 2002-12-06 Shibaura Mechatronics Corp レジスト剥離方法及び剥離装置
JP4700224B2 (ja) * 2001-05-24 2011-06-15 芝浦メカトロニクス株式会社 レジスト剥離装置
EP1288717A2 (en) * 2001-08-06 2003-03-05 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Phase shift mask blank, phase shift mask, and method of manufacture
EP1288717A3 (en) * 2001-08-06 2003-07-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Phase shift mask blank, phase shift mask, and method of manufacture
US7179567B2 (en) 2001-08-06 2007-02-20 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Phase shift mask blank, phase shift mask, and method of manufacture
KR100524399B1 (ko) * 2002-07-25 2005-10-28 에이펫(주) 혼합 세정액 제조 장치 및 이를 이용한 혼합 세정액 제조방법
JP2011228406A (ja) * 2010-04-16 2011-11-10 Kurita Water Ind Ltd オゾン水供給システム及びシリコンウエハの湿式酸化処理システム

Also Published As

Publication number Publication date
US6510859B1 (en) 2003-01-28
JP3557601B2 (ja) 2004-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3557601B2 (ja) 洗浄・乾燥処理装置及びその方法
JP3142195B2 (ja) 薬液供給装置
US8652268B2 (en) Substrate treating method for treating substrates with treating liquids
US20010004898A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR19980018559A (ko) 액처리 방법 및 장치
US20030111092A1 (en) Method of processing substrates using pressurized mist generation
US20020066717A1 (en) Apparatus for providing ozonated process fluid and methods for using same
JP4076365B2 (ja) 半導体洗浄装置
JP4608748B2 (ja) 洗浄装置、洗浄システム及び洗浄方法
JP4903992B2 (ja) 半導体基板の洗浄及び乾燥システム及びそれを利用した洗浄及び乾燥方法
JP2002210422A (ja) 被処理基板の洗浄処理装置と洗浄方法
JP4236073B2 (ja) 基板処理装置
JP4553781B2 (ja) 基板処理方法、基板処理装置および基板処理システム
JP2005081302A (ja) 超臨界流体による電子部品部材類の洗浄方法及び洗浄装置
JPH05283386A (ja) 基板表面処理装置
JPS62173720A (ja) ウエハ洗浄装置
JPH09162156A (ja) 処理方法及び処理装置
JPH10289895A (ja) 基板処理方法及び同装置
JPH04336430A (ja) 洗浄方法及び洗浄装置
JP2002018379A (ja) 薄膜剥離方法、薄膜剥離装置及び電子デバイスの製造方法
JP2000124179A (ja) 基板処理方法
JPH02152233A (ja) 洗浄装置
JP4380942B2 (ja) 基板処理装置
JPH04354128A (ja) 基板の薬液処理方法及びその装置並びに基板の薬液処理、洗浄及び乾燥方法及びその装置
JP4011176B2 (ja) 完全密閉型気液洗浄装置及び洗浄方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040203

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040329

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040507

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040507

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees