JPH05315312A - ウェットエッチング装置 - Google Patents
ウェットエッチング装置Info
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- JPH05315312A JPH05315312A JP11560892A JP11560892A JPH05315312A JP H05315312 A JPH05315312 A JP H05315312A JP 11560892 A JP11560892 A JP 11560892A JP 11560892 A JP11560892 A JP 11560892A JP H05315312 A JPH05315312 A JP H05315312A
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- Japan
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- wafer
- pure water
- wet etching
- tank
- wafer carrier
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Abstract
(57)【要約】
【目的】搬送中におけるウェーハのエッチング反応の過
度の進行及びエッチング膜厚の均一性低下を防止する。 【構成】薬液槽４の上方に純水を噴射するためのマトリ
クス状に配置される純水用の噴射ノズル９を設け、薬液
処理を終了して薬液槽４より引き上げられるウェーハキ
ャリア２及びウェーハ１に純水を噴射し、残留する薬液
を洗い流し、残留薬液によるエッチング反応を直ちに停
止される。
度の進行及びエッチング膜厚の均一性低下を防止する。 【構成】薬液槽４の上方に純水を噴射するためのマトリ
クス状に配置される純水用の噴射ノズル９を設け、薬液
処理を終了して薬液槽４より引き上げられるウェーハキ
ャリア２及びウェーハ１に純水を噴射し、残留する薬液
を洗い流し、残留薬液によるエッチング反応を直ちに停
止される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハ表面を
エッチングあるいは洗浄を行うウェットエッチング装置
に関する。
エッチングあるいは洗浄を行うウェットエッチング装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来のウェットエッチング装置の
一例における概略を示す図である。従来、この種のウェ
ットエッチング装置は、図３に示すように、薬液５を貯
える薬液槽４と、純水噴射ノズル９を備える純水シャワ
ー槽１１と、純水７を貯える水洗槽６と、各槽にウェー
ハ１を収納するウェーハキャリア２を搬送し、ウェーハ
キャリア２を浸漬するキャリアハンガー３とを有してい
た。
一例における概略を示す図である。従来、この種のウェ
ットエッチング装置は、図３に示すように、薬液５を貯
える薬液槽４と、純水噴射ノズル９を備える純水シャワ
ー槽１１と、純水７を貯える水洗槽６と、各槽にウェー
ハ１を収納するウェーハキャリア２を搬送し、ウェーハ
キャリア２を浸漬するキャリアハンガー３とを有してい
た。
【０００３】また、このウェットエッチング装置の動作
は、テフロン製のウェットエッチング専用のウェーハキ
ャリア２に複数のウェーハ１を収納し、このウェーハキ
ャリア２をテフロン製のキャリアハンガー３で保持し
て、薬液槽４、純水シャワー槽１１、水洗槽６の順に自
動的にウェーハキャリア２を搬送してウェーハ１のエッ
チングを行っていた。
は、テフロン製のウェットエッチング専用のウェーハキ
ャリア２に複数のウェーハ１を収納し、このウェーハキ
ャリア２をテフロン製のキャリアハンガー３で保持し
て、薬液槽４、純水シャワー槽１１、水洗槽６の順に自
動的にウェーハキャリア２を搬送してウェーハ１のエッ
チングを行っていた。
【０００４】すなわち、まず、ウェーハキャリア２は、
最初に薬液槽４に所定の時間浸漬され、ウェーハキャリ
ア２に収納したウェーハ１の表面が薬液により処理され
る。そしてウェーハキャリア２は、薬液槽４から引き上
げられ、純水シャワー槽１１に搬送の後、純水シャワー
ノズル９より噴射される純水によりウェーハ１は所定の
時間予備水洗される。続いてウェーハキャリア２は水洗
槽６まで搬送され、ウェーハ１は水洗槽６に所定の時間
浸漬される。水洗槽６では純水を常にオーバーフローさ
せており、ウェーハ１は本水洗される。
最初に薬液槽４に所定の時間浸漬され、ウェーハキャリ
ア２に収納したウェーハ１の表面が薬液により処理され
る。そしてウェーハキャリア２は、薬液槽４から引き上
げられ、純水シャワー槽１１に搬送の後、純水シャワー
ノズル９より噴射される純水によりウェーハ１は所定の
時間予備水洗される。続いてウェーハキャリア２は水洗
槽６まで搬送され、ウェーハ１は水洗槽６に所定の時間
浸漬される。水洗槽６では純水を常にオーバーフローさ
せており、ウェーハ１は本水洗される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のウェットエッチ
ング装置では、ウェーハ１を収納したウェーハキャリア
２を薬液槽４から純水シャワー槽１１に自動搬送する際
に、ウェーハ１に与える衝撃を軽減してウェーハ１の破
損を防止するため、ウェーハキャリア２は低速で搬送さ
れる。従って薬液槽４から純水シャワー槽１１へ搬送す
る間の時間に、ウェーハキャリア２に収納したウェーハ
１の表面に残留する薬液によりエッチング反応が進行す
ることとなる。例えば、６インチウェーハ上の熱酸化膜
を０にフッ酸溶液にてエッチングを行なう場合について
説明する。
ング装置では、ウェーハ１を収納したウェーハキャリア
２を薬液槽４から純水シャワー槽１１に自動搬送する際
に、ウェーハ１に与える衝撃を軽減してウェーハ１の破
損を防止するため、ウェーハキャリア２は低速で搬送さ
れる。従って薬液槽４から純水シャワー槽１１へ搬送す
る間の時間に、ウェーハキャリア２に収納したウェーハ
１の表面に残留する薬液によりエッチング反応が進行す
ることとなる。例えば、６インチウェーハ上の熱酸化膜
を０にフッ酸溶液にてエッチングを行なう場合について
説明する。
【０００６】６インチウェーハ用の薬液槽４，純水シャ
ナー槽１１の寸法を巾，奥行，高さの全てが２４０ｍ
ｍ，ウェーハキャリア２の上下動距離を４８０ｍｍとす
ると、薬液槽４から純水シャワー槽１１までのウェーハ
キャリア２の搬送距離は１２００ｍｍ（＝４８０ｍｍ＋
２４０ｍｍ＋４８０ｍｍ）で、緩衝フッ酸溶液の熱酸化
膜に対するエッチングレートを２０ｎｍ／ｍｉｎ，ウェ
ーハキャリア２の搬送速度を３０００ｍｍ／分とする
と、薬液槽４から純水シャワー槽１１までウェーハキャ
リア２を搬送中に熱酸化膜は８ｎｍ（＝１２００ｍｍ／
３０００ｍｍ／ｍｉｎ×２０ｎｍ／ｍｉｎ）程度エッチ
ングされることになる。この値は２４秒のエッチングオ
ーバーに相当する。さらにもう１つの問題点としてウェ
ーハ１の表面に残留する薬液が筋状に垂れてエッチング
後の残膜の膜内均一性を低下させるという問題がある。
ナー槽１１の寸法を巾，奥行，高さの全てが２４０ｍ
ｍ，ウェーハキャリア２の上下動距離を４８０ｍｍとす
ると、薬液槽４から純水シャワー槽１１までのウェーハ
キャリア２の搬送距離は１２００ｍｍ（＝４８０ｍｍ＋
２４０ｍｍ＋４８０ｍｍ）で、緩衝フッ酸溶液の熱酸化
膜に対するエッチングレートを２０ｎｍ／ｍｉｎ，ウェ
ーハキャリア２の搬送速度を３０００ｍｍ／分とする
と、薬液槽４から純水シャワー槽１１までウェーハキャ
リア２を搬送中に熱酸化膜は８ｎｍ（＝１２００ｍｍ／
３０００ｍｍ／ｍｉｎ×２０ｎｍ／ｍｉｎ）程度エッチ
ングされることになる。この値は２４秒のエッチングオ
ーバーに相当する。さらにもう１つの問題点としてウェ
ーハ１の表面に残留する薬液が筋状に垂れてエッチング
後の残膜の膜内均一性を低下させるという問題がある。
【０００７】このように従来のウェットエッチング装置
では薬液処理を終了したウェーハキャリアの搬送中にウ
ェーハキャリアに収納したウェーハの表面に残留する薬
液によりエッチング反応が進行するため、搬送時間を考
慮したエッチング時間を設定する必要があり、また、ウ
ェーハ表面に残留する薬液が筋状に垂れてエッチング後
の残膜の面内均一性を低下させるという問題点があっ
た。
では薬液処理を終了したウェーハキャリアの搬送中にウ
ェーハキャリアに収納したウェーハの表面に残留する薬
液によりエッチング反応が進行するため、搬送時間を考
慮したエッチング時間を設定する必要があり、また、ウ
ェーハ表面に残留する薬液が筋状に垂れてエッチング後
の残膜の面内均一性を低下させるという問題点があっ
た。
【０００８】以上述べたように、従来のウェットエッチ
ング装置では薬液処理を終了したウェーハキャリアの搬
送中にウェーハキャリアに収納したウェーハの表面に残
留する薬液によりエッチング反応が進行するため、搬送
時間を考慮したエッチング時間を設定する必要があり、
また、ウェーハ表面に残留する薬液が筋状に垂れてエッ
チング後の残膜の面内均一性を低下させるという問題点
があった。
ング装置では薬液処理を終了したウェーハキャリアの搬
送中にウェーハキャリアに収納したウェーハの表面に残
留する薬液によりエッチング反応が進行するため、搬送
時間を考慮したエッチング時間を設定する必要があり、
また、ウェーハ表面に残留する薬液が筋状に垂れてエッ
チング後の残膜の面内均一性を低下させるという問題点
があった。
【０００９】本発明の目的は、薬液処理後に搬送される
ウェーハを残留薬液によるオーバエッチングやエッチン
グ膜厚の面内不均一を起すことなくエッチング出来るウ
ェットエッチング装置を提供することである。
ウェーハを残留薬液によるオーバエッチングやエッチン
グ膜厚の面内不均一を起すことなくエッチング出来るウ
ェットエッチング装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のウェットエッチ
ング装置は、半導体ウェーハを収納した容器を搬送する
機構と、この機構により前記半導体ウェーハを浸漬させ
エッチング処理する薬液槽と、この薬液槽の上にあって
前記容器及び前記半導体ウェーハに洗浄媒体を吸付ける
複数の噴出ノズルとを備え、前記薬液槽から引き上げら
れる前記半導体ウェーハに前記洗浄媒体を噴射させ、前
記半導体ウェーハに残留薬液を洗流することを特徴とし
ている。また、前記洗浄媒体が不活性ガスであることを
特徴としている。あるいは、前記洗浄媒体が純水である
ことを特徴としている。
ング装置は、半導体ウェーハを収納した容器を搬送する
機構と、この機構により前記半導体ウェーハを浸漬させ
エッチング処理する薬液槽と、この薬液槽の上にあって
前記容器及び前記半導体ウェーハに洗浄媒体を吸付ける
複数の噴出ノズルとを備え、前記薬液槽から引き上げら
れる前記半導体ウェーハに前記洗浄媒体を噴射させ、前
記半導体ウェーハに残留薬液を洗流することを特徴とし
ている。また、前記洗浄媒体が不活性ガスであることを
特徴としている。あるいは、前記洗浄媒体が純水である
ことを特徴としている。
【００１１】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１２】図１は本発明のウェットエッチング装置の
第１の実施例における概略図を示す図である。このウェ
ットエッチング装置は、図１に示すように、薬液５を貯
える薬液槽４の上方におけるキャリアハンガー３の引き
上げ経路途中に薬液浸漬後のウェーハ１に窒素ガスを吹
付ける噴射ノズル８を設けたことである。それ以外は従
来例と同じである。
第１の実施例における概略図を示す図である。このウェ
ットエッチング装置は、図１に示すように、薬液５を貯
える薬液槽４の上方におけるキャリアハンガー３の引き
上げ経路途中に薬液浸漬後のウェーハ１に窒素ガスを吹
付ける噴射ノズル８を設けたことである。それ以外は従
来例と同じである。
【００１３】この噴射ノズル８を設けることにより、薬
液に浸漬されたウェーハ１及びウェーハキャリア２は、
キャリアハンガー３で引き上げられる途中で、ウェーハ
１及びウェーハキャリア２に残留している薬液が窒素ガ
スにより吹き飛ばされてエッチング反応が抑制されると
ともに薬液の垂れによるエッチング後の残膜分布の均一
性低下を防止できる。ここで、この噴射ノズル８は内径
２ｍｍ，厚さ０．５ｍｍのテフロン製ホースで制作さ
れ、薬液槽４の鉛直方向に１０ｍｍピッチで１０本，水
平方向に４．７５ｍｍピッチで２５本の噴射ノズル８を
設け、この噴射ノズル８の先端をウェーハ１と平行でか
つ水平面より−４５°の角度を持つマトリクス状の配置
で、ウェーハキャリア２の両側面に配置される。
液に浸漬されたウェーハ１及びウェーハキャリア２は、
キャリアハンガー３で引き上げられる途中で、ウェーハ
１及びウェーハキャリア２に残留している薬液が窒素ガ
スにより吹き飛ばされてエッチング反応が抑制されると
ともに薬液の垂れによるエッチング後の残膜分布の均一
性低下を防止できる。ここで、この噴射ノズル８は内径
２ｍｍ，厚さ０．５ｍｍのテフロン製ホースで制作さ
れ、薬液槽４の鉛直方向に１０ｍｍピッチで１０本，水
平方向に４．７５ｍｍピッチで２５本の噴射ノズル８を
設け、この噴射ノズル８の先端をウェーハ１と平行でか
つ水平面より−４５°の角度を持つマトリクス状の配置
で、ウェーハキャリア２の両側面に配置される。
【００１４】また、窒素ガスの圧力は、１平方センィメ
ートル当り５ｋｇで、噴射瞬間厚を高めるため１秒間噴
射、０．５秒間休止を１サイクルとして断続的噴射され
る。続いて、ウェーハキャリア２は水洗槽６に搬送さ
れ、毎分１０ｌの純水がオーボーフローする槽内で水洗
される。
ートル当り５ｋｇで、噴射瞬間厚を高めるため１秒間噴
射、０．５秒間休止を１サイクルとして断続的噴射され
る。続いて、ウェーハキャリア２は水洗槽６に搬送さ
れ、毎分１０ｌの純水がオーボーフローする槽内で水洗
される。
【００１５】ここで、この実施例における薬液槽４から
純水噴射ノズル９までウェーハキャリア２を搬送する間
のエッチング膜厚について具体例で説明する。６インチ
ウェーハ上の熱酸化膜を緩衝フッ酸溶液にて行なう場合
について述べる。例えば、薬液槽４，水洗槽６の寸法を
巾，奥行，高さの全てが２４０ｍｍ，ウェーハキャリア
２の高さが１７０ｍｍ，ウェーハキャリア２の上下動距
離を４８０ｍｍ，薬液槽４に浸漬した状態でのウェーハ
キャリア２の最上部からＮ2 噴射ノズル８の最下部まで
の距離を２００ｍｍとし、緩衝フッ酸溶液の熱酸化膜に
対するエッチングレートを２０ｎｍ／ｍｉｎ，ウェーハ
キャリア２の搬送速度を３０００ｍｍ／ｍｉｎと仮定す
ると、ウェーハキャリア２の最上部が薬液槽４に浸漬さ
れた状態から噴射ノズル８の最下部まで搬送に要する時
間は約０．１２３分（＝１７０ｍｍ＋２００ｍｍ／３０
００ｍｍ／ｍｉｎ）となる。そして、その後ウェーハキ
ャリア２が１０ｍｍピッチ１０本のＮ2 噴射ノズルを通
過するまでの時間は約０．０８７分（＝９０ｍｍ＋１７
０ｍｉｎ／３０００ｍｍ／ｍｉｎ）であるから、薬液距
離を終了後ウェーハ１の表面の薬液が窒素ガスにより吹
き飛ばされるまでのエッチング膜厚は４．２ｎｍ（＝
（０．１２３分＋０．０８７分）×２０ｎｍ／ｍｉｎ）
となる。
純水噴射ノズル９までウェーハキャリア２を搬送する間
のエッチング膜厚について具体例で説明する。６インチ
ウェーハ上の熱酸化膜を緩衝フッ酸溶液にて行なう場合
について述べる。例えば、薬液槽４，水洗槽６の寸法を
巾，奥行，高さの全てが２４０ｍｍ，ウェーハキャリア
２の高さが１７０ｍｍ，ウェーハキャリア２の上下動距
離を４８０ｍｍ，薬液槽４に浸漬した状態でのウェーハ
キャリア２の最上部からＮ2 噴射ノズル８の最下部まで
の距離を２００ｍｍとし、緩衝フッ酸溶液の熱酸化膜に
対するエッチングレートを２０ｎｍ／ｍｉｎ，ウェーハ
キャリア２の搬送速度を３０００ｍｍ／ｍｉｎと仮定す
ると、ウェーハキャリア２の最上部が薬液槽４に浸漬さ
れた状態から噴射ノズル８の最下部まで搬送に要する時
間は約０．１２３分（＝１７０ｍｍ＋２００ｍｍ／３０
００ｍｍ／ｍｉｎ）となる。そして、その後ウェーハキ
ャリア２が１０ｍｍピッチ１０本のＮ2 噴射ノズルを通
過するまでの時間は約０．０８７分（＝９０ｍｍ＋１７
０ｍｉｎ／３０００ｍｍ／ｍｉｎ）であるから、薬液距
離を終了後ウェーハ１の表面の薬液が窒素ガスにより吹
き飛ばされるまでのエッチング膜厚は４．２ｎｍ（＝
（０．１２３分＋０．０８７分）×２０ｎｍ／ｍｉｎ）
となる。
【００１６】以上述べたようにこの実施例におけるウェ
ットエッチング装置では、本発明の発明が解決しようと
する課題の項で述べたように、同じ条件の従来のウェッ
トエッチング装置の場合と比べ搬送中のエッチング膜厚
は約４ｎｍ少なく、ウェーハ１表面の残留薬液の残留時
間が約１／２となるため残留薬液の垂れによるエッチン
グ膜厚の面内欣一性低下を軽減できるという利点があ
る。
ットエッチング装置では、本発明の発明が解決しようと
する課題の項で述べたように、同じ条件の従来のウェッ
トエッチング装置の場合と比べ搬送中のエッチング膜厚
は約４ｎｍ少なく、ウェーハ１表面の残留薬液の残留時
間が約１／２となるため残留薬液の垂れによるエッチン
グ膜厚の面内欣一性低下を軽減できるという利点があ
る。
【００１７】図２は本発明のウェットエッチング装置の
第２の実施例における概略を示す図である。このウェッ
トエッチング装置は、図２に示すように、薬液槽４より
引き上げられたウェーハ１及びウェーハキャリア２に純
水を浴びせる噴射ノズル９と、純水が噴射するときに薬
液槽４の開口を閉じるカバー１０と、薬液槽４の周囲及
び噴射ノズル９を包む純水シャワー槽１１とを設けたこ
とである。
第２の実施例における概略を示す図である。このウェッ
トエッチング装置は、図２に示すように、薬液槽４より
引き上げられたウェーハ１及びウェーハキャリア２に純
水を浴びせる噴射ノズル９と、純水が噴射するときに薬
液槽４の開口を閉じるカバー１０と、薬液槽４の周囲及
び噴射ノズル９を包む純水シャワー槽１１とを設けたこ
とである。
【００１８】このウェットエッチング装置の動作は、ま
ず、自動で閉じ、ウェーハキャリア２は上昇を続けなが
ら噴射ノズル９より排出される純水によりシャワー水洗
される。このときウェーハ１キャリア２を洗い流した純
水は、純水シャワー槽１１により水洗槽６に飛散するこ
となく排水される。
ず、自動で閉じ、ウェーハキャリア２は上昇を続けなが
ら噴射ノズル９より排出される純水によりシャワー水洗
される。このときウェーハ１キャリア２を洗い流した純
水は、純水シャワー槽１１により水洗槽６に飛散するこ
となく排水される。
【００１９】ここで、純水用の噴射ノズル９の寸法及び
配置は、前述の実施例と同じであり、マトリクス状の前
ノズルより吐出する純水は、毎分５リットルの流量であ
る。そして、この純水シャワー水洗の後、ウェーハ１及
びウェーハキャリア２は、毎分１０リットルの流量の純
水をオーバーフローさせる水洗槽６で水洗される。
配置は、前述の実施例と同じであり、マトリクス状の前
ノズルより吐出する純水は、毎分５リットルの流量であ
る。そして、この純水シャワー水洗の後、ウェーハ１及
びウェーハキャリア２は、毎分１０リットルの流量の純
水をオーバーフローさせる水洗槽６で水洗される。
【００２０】次に、第２の実施例における薬液処理後の
搬送中のエッチング膜厚について説明する。いま、ウェ
ーハキャリア２が薬液槽４に浸漬された状態から薬液槽
カバー１０の上まで搬送される距離を３００ｍｍ，薬液
槽カバー１０が閉じる時間を０．０５分，純水噴射ノズ
ル９が薬液槽カバー１０の上に搬送されたウェーハキャ
リア２に直ちに純水を噴射できる位置に配置されるもの
とし、さらにその他の条件は前述の実施例と同じである
とすると、ウェーハキャリア２が搬送中にエッチングさ
れる酸化膜厚は３ｎｍ（＝（３００ｍｍ／３０００ｍｍ
＋０．０５ｍｉｎ）２０ｎｍ／ｍｉｎ）となる。これ
は、前述の実施例と比べ１ｎｍ改善できる。
搬送中のエッチング膜厚について説明する。いま、ウェ
ーハキャリア２が薬液槽４に浸漬された状態から薬液槽
カバー１０の上まで搬送される距離を３００ｍｍ，薬液
槽カバー１０が閉じる時間を０．０５分，純水噴射ノズ
ル９が薬液槽カバー１０の上に搬送されたウェーハキャ
リア２に直ちに純水を噴射できる位置に配置されるもの
とし、さらにその他の条件は前述の実施例と同じである
とすると、ウェーハキャリア２が搬送中にエッチングさ
れる酸化膜厚は３ｎｍ（＝（３００ｍｍ／３０００ｍｍ
＋０．０５ｍｉｎ）２０ｎｍ／ｍｉｎ）となる。これ
は、前述の実施例と比べ１ｎｍ改善できる。
【００２１】このことは、前述の実施例１では窒素ガス
用噴射ノズルの噴射された窒化ガスにより薬液槽４内の
薬液が飛散しない距離に噴射ノズルを配置する必要があ
るが、この実施例では、薬液槽カバー１０を設けること
により純水噴射ノズル９を薬液槽直上に配置できるこ
と、また前述の実施例ではウェーハ１に噴射する窒素ガ
スの圧力の変動によりウェーハ表面の凹状の微小領域に
微量の薬液が残留することがあるが、この実施例では前
述の実施例に比べＮ2 ガスでなく純水を用いるためエッ
チング反応の停止を急速に行なう作用をもっているから
である。
用噴射ノズルの噴射された窒化ガスにより薬液槽４内の
薬液が飛散しない距離に噴射ノズルを配置する必要があ
るが、この実施例では、薬液槽カバー１０を設けること
により純水噴射ノズル９を薬液槽直上に配置できるこ
と、また前述の実施例ではウェーハ１に噴射する窒素ガ
スの圧力の変動によりウェーハ表面の凹状の微小領域に
微量の薬液が残留することがあるが、この実施例では前
述の実施例に比べＮ2 ガスでなく純水を用いるためエッ
チング反応の停止を急速に行なう作用をもっているから
である。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、薬液槽よ
り引き上げられたウェーハに不活性ガス又は純水を噴射
する手段を備えることにより、薬液槽での処理後におけ
るウェーハ面での薬液の残留及び垂れによるエッチング
反応の進行、エッチング膜厚の面内均一低下を防止する
効果を有する。
り引き上げられたウェーハに不活性ガス又は純水を噴射
する手段を備えることにより、薬液槽での処理後におけ
るウェーハ面での薬液の残留及び垂れによるエッチング
反応の進行、エッチング膜厚の面内均一低下を防止する
効果を有する。
【図１】本発明のウェットエッチング装置の第１の実施
例における概略を示す図である。
例における概略を示す図である。
【図２】本発明のウェットエッチング装置の第２の実施
例における概略を示す図である。
例における概略を示す図である。
【図３】従来のウェットエッチング装置の一例における
概略を示す図である。
概略を示す図である。
１ ウェーハ ２ ウェーハキャリア ３ キャリアハンガー ４ 薬液槽 ５ 薬液 ６ 水洗槽 ７ 純水 ８，９ 噴射ノズル １０ カバー １１ 純水シャワー槽
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体ウェーハを収納した容器を搬送す
る機構と、この機構により前記半導体ウェーハを浸漬さ
せエッチング処理する薬液槽と、この薬液槽の上にあっ
て前記容器及び前記半導体ウェーハに洗浄媒体を吸付け
る複数の噴出ノズルとを備え、前記薬液槽から引き上げ
られる前記半導体ウェーハに前記洗浄媒体を噴射させ、
前記半導体ウェーハに残留薬液を洗流することを特徴と
するウェットエッチング装置。 - 【請求項２】 前記洗浄媒体が不活性ガスであることを
特徴とする請求項１記載のウェットエッチング装置。 - 【請求項３】 前記洗浄媒体が純水であることを特徴と
する請求項１記載のウェットエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11560892A JPH05315312A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | ウェットエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11560892A JPH05315312A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | ウェットエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315312A true JPH05315312A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14666855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11560892A Withdrawn JPH05315312A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | ウェットエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05315312A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09115869A (ja) * | 1995-08-10 | 1997-05-02 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| KR100379328B1 (ko) * | 1995-10-24 | 2003-06-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 웨이퍼에칭방법 |
| KR20150059609A (ko) * | 2013-11-22 | 2015-06-01 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 웨이퍼 세정을 위한 메커니즘들 |
-
1992
- 1992-05-08 JP JP11560892A patent/JPH05315312A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09115869A (ja) * | 1995-08-10 | 1997-05-02 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| KR100379328B1 (ko) * | 1995-10-24 | 2003-06-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 웨이퍼에칭방법 |
| KR20150059609A (ko) * | 2013-11-22 | 2015-06-01 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 웨이퍼 세정을 위한 메커니즘들 |
| US9349617B2 (en) | 2013-11-22 | 2016-05-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Mechanisms for wafer cleaning |
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