JPH05315312A - ウェットエッチング装置 - Google Patents

ウェットエッチング装置

Info

Publication number
JPH05315312A
JPH05315312A JP11560892A JP11560892A JPH05315312A JP H05315312 A JPH05315312 A JP H05315312A JP 11560892 A JP11560892 A JP 11560892A JP 11560892 A JP11560892 A JP 11560892A JP H05315312 A JPH05315312 A JP H05315312A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
pure water
wet etching
tank
wafer carrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP11560892A
Other languages
English (en)
Inventor
Takao Tanaka
隆夫 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP11560892A priority Critical patent/JPH05315312A/ja
Publication of JPH05315312A publication Critical patent/JPH05315312A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】搬送中におけるウェーハのエッチング反応の過
度の進行及びエッチング膜厚の均一性低下を防止する。 【構成】薬液槽4の上方に純水を噴射するためのマトリ
クス状に配置される純水用の噴射ノズル9を設け、薬液
処理を終了して薬液槽4より引き上げられるウェーハキ
ャリア2及びウェーハ1に純水を噴射し、残留する薬液
を洗い流し、残留薬液によるエッチング反応を直ちに停
止される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハ表面を
エッチングあるいは洗浄を行うウェットエッチング装置
に関する。
【0002】
【従来の技術】図3は従来のウェットエッチング装置の
一例における概略を示す図である。従来、この種のウェ
ットエッチング装置は、図3に示すように、薬液5を貯
える薬液槽4と、純水噴射ノズル9を備える純水シャワ
ー槽11と、純水7を貯える水洗槽6と、各槽にウェー
ハ1を収納するウェーハキャリア2を搬送し、ウェーハ
キャリア2を浸漬するキャリアハンガー3とを有してい
た。
【0003】また、このウェットエッチング装置の動作
は、テフロン製のウェットエッチング専用のウェーハキ
ャリア2に複数のウェーハ1を収納し、このウェーハキ
ャリア2をテフロン製のキャリアハンガー3で保持し
て、薬液槽4、純水シャワー槽11、水洗槽6の順に自
動的にウェーハキャリア2を搬送してウェーハ1のエッ
チングを行っていた。
【0004】すなわち、まず、ウェーハキャリア2は、
最初に薬液槽4に所定の時間浸漬され、ウェーハキャリ
ア2に収納したウェーハ1の表面が薬液により処理され
る。そしてウェーハキャリア2は、薬液槽4から引き上
げられ、純水シャワー槽11に搬送の後、純水シャワー
ノズル9より噴射される純水によりウェーハ1は所定の
時間予備水洗される。続いてウェーハキャリア2は水洗
槽6まで搬送され、ウェーハ1は水洗槽6に所定の時間
浸漬される。水洗槽6では純水を常にオーバーフローさ
せており、ウェーハ1は本水洗される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来のウェットエッチ
ング装置では、ウェーハ1を収納したウェーハキャリア
2を薬液槽4から純水シャワー槽11に自動搬送する際
に、ウェーハ1に与える衝撃を軽減してウェーハ1の破
損を防止するため、ウェーハキャリア2は低速で搬送さ
れる。従って薬液槽4から純水シャワー槽11へ搬送す
る間の時間に、ウェーハキャリア2に収納したウェーハ
1の表面に残留する薬液によりエッチング反応が進行す
ることとなる。例えば、6インチウェーハ上の熱酸化膜
を0にフッ酸溶液にてエッチングを行なう場合について
説明する。
【0006】6インチウェーハ用の薬液槽4,純水シャ
ナー槽11の寸法を巾,奥行,高さの全てが240m
m,ウェーハキャリア2の上下動距離を480mmとす
ると、薬液槽4から純水シャワー槽11までのウェーハ
キャリア2の搬送距離は1200mm(=480mm+
240mm+480mm)で、緩衝フッ酸溶液の熱酸化
膜に対するエッチングレートを20nm/min,ウェ
ーハキャリア2の搬送速度を3000mm/分とする
と、薬液槽4から純水シャワー槽11までウェーハキャ
リア2を搬送中に熱酸化膜は8nm(=1200mm/
3000mm/min×20nm/min)程度エッチ
ングされることになる。この値は24秒のエッチングオ
ーバーに相当する。さらにもう1つの問題点としてウェ
ーハ1の表面に残留する薬液が筋状に垂れてエッチング
後の残膜の膜内均一性を低下させるという問題がある。
【0007】このように従来のウェットエッチング装置
では薬液処理を終了したウェーハキャリアの搬送中にウ
ェーハキャリアに収納したウェーハの表面に残留する薬
液によりエッチング反応が進行するため、搬送時間を考
慮したエッチング時間を設定する必要があり、また、ウ
ェーハ表面に残留する薬液が筋状に垂れてエッチング後
の残膜の面内均一性を低下させるという問題点があっ
た。
【0008】以上述べたように、従来のウェットエッチ
ング装置では薬液処理を終了したウェーハキャリアの搬
送中にウェーハキャリアに収納したウェーハの表面に残
留する薬液によりエッチング反応が進行するため、搬送
時間を考慮したエッチング時間を設定する必要があり、
また、ウェーハ表面に残留する薬液が筋状に垂れてエッ
チング後の残膜の面内均一性を低下させるという問題点
があった。
【0009】本発明の目的は、薬液処理後に搬送される
ウェーハを残留薬液によるオーバエッチングやエッチン
グ膜厚の面内不均一を起すことなくエッチング出来るウ
ェットエッチング装置を提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明のウェットエッチ
ング装置は、半導体ウェーハを収納した容器を搬送する
機構と、この機構により前記半導体ウェーハを浸漬させ
エッチング処理する薬液槽と、この薬液槽の上にあって
前記容器及び前記半導体ウェーハに洗浄媒体を吸付ける
複数の噴出ノズルとを備え、前記薬液槽から引き上げら
れる前記半導体ウェーハに前記洗浄媒体を噴射させ、前
記半導体ウェーハに残留薬液を洗流することを特徴とし
ている。また、前記洗浄媒体が不活性ガスであることを
特徴としている。あるいは、前記洗浄媒体が純水である
ことを特徴としている。
【0011】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
【0012】図1は本発明のウェットエッチング装置の
第1の実施例における概略図を示す図である。このウェ
ットエッチング装置は、図1に示すように、薬液5を貯
える薬液槽4の上方におけるキャリアハンガー3の引き
上げ経路途中に薬液浸漬後のウェーハ1に窒素ガスを吹
付ける噴射ノズル8を設けたことである。それ以外は従
来例と同じである。
【0013】この噴射ノズル8を設けることにより、薬
液に浸漬されたウェーハ1及びウェーハキャリア2は、
キャリアハンガー3で引き上げられる途中で、ウェーハ
1及びウェーハキャリア2に残留している薬液が窒素ガ
スにより吹き飛ばされてエッチング反応が抑制されると
ともに薬液の垂れによるエッチング後の残膜分布の均一
性低下を防止できる。ここで、この噴射ノズル8は内径
2mm,厚さ0.5mmのテフロン製ホースで制作さ
れ、薬液槽4の鉛直方向に10mmピッチで10本,水
平方向に4.75mmピッチで25本の噴射ノズル8を
設け、この噴射ノズル8の先端をウェーハ1と平行でか
つ水平面より−45°の角度を持つマトリクス状の配置
で、ウェーハキャリア2の両側面に配置される。
【0014】また、窒素ガスの圧力は、1平方センィメ
ートル当り5kgで、噴射瞬間厚を高めるため1秒間噴
射、0.5秒間休止を1サイクルとして断続的噴射され
る。続いて、ウェーハキャリア2は水洗槽6に搬送さ
れ、毎分10lの純水がオーボーフローする槽内で水洗
される。
【0015】ここで、この実施例における薬液槽4から
純水噴射ノズル9までウェーハキャリア2を搬送する間
のエッチング膜厚について具体例で説明する。6インチ
ウェーハ上の熱酸化膜を緩衝フッ酸溶液にて行なう場合
について述べる。例えば、薬液槽4,水洗槽6の寸法を
巾,奥行,高さの全てが240mm,ウェーハキャリア
2の高さが170mm,ウェーハキャリア2の上下動距
離を480mm,薬液槽4に浸漬した状態でのウェーハ
キャリア2の最上部からN2 噴射ノズル8の最下部まで
の距離を200mmとし、緩衝フッ酸溶液の熱酸化膜に
対するエッチングレートを20nm/min,ウェーハ
キャリア2の搬送速度を3000mm/minと仮定す
ると、ウェーハキャリア2の最上部が薬液槽4に浸漬さ
れた状態から噴射ノズル8の最下部まで搬送に要する時
間は約0.123分(=170mm+200mm/30
00mm/min)となる。そして、その後ウェーハキ
ャリア2が10mmピッチ10本のN2 噴射ノズルを通
過するまでの時間は約0.087分(=90mm+17
0min/3000mm/min)であるから、薬液距
離を終了後ウェーハ1の表面の薬液が窒素ガスにより吹
き飛ばされるまでのエッチング膜厚は4.2nm(=
(0.123分+0.087分)×20nm/min)
となる。
【0016】以上述べたようにこの実施例におけるウェ
ットエッチング装置では、本発明の発明が解決しようと
する課題の項で述べたように、同じ条件の従来のウェッ
トエッチング装置の場合と比べ搬送中のエッチング膜厚
は約4nm少なく、ウェーハ1表面の残留薬液の残留時
間が約1/2となるため残留薬液の垂れによるエッチン
グ膜厚の面内欣一性低下を軽減できるという利点があ
る。
【0017】図2は本発明のウェットエッチング装置の
第2の実施例における概略を示す図である。このウェッ
トエッチング装置は、図2に示すように、薬液槽4より
引き上げられたウェーハ1及びウェーハキャリア2に純
水を浴びせる噴射ノズル9と、純水が噴射するときに薬
液槽4の開口を閉じるカバー10と、薬液槽4の周囲及
び噴射ノズル9を包む純水シャワー槽11とを設けたこ
とである。
【0018】このウェットエッチング装置の動作は、ま
ず、自動で閉じ、ウェーハキャリア2は上昇を続けなが
ら噴射ノズル9より排出される純水によりシャワー水洗
される。このときウェーハ1キャリア2を洗い流した純
水は、純水シャワー槽11により水洗槽6に飛散するこ
となく排水される。
【0019】ここで、純水用の噴射ノズル9の寸法及び
配置は、前述の実施例と同じであり、マトリクス状の前
ノズルより吐出する純水は、毎分5リットルの流量であ
る。そして、この純水シャワー水洗の後、ウェーハ1及
びウェーハキャリア2は、毎分10リットルの流量の純
水をオーバーフローさせる水洗槽6で水洗される。
【0020】次に、第2の実施例における薬液処理後の
搬送中のエッチング膜厚について説明する。いま、ウェ
ーハキャリア2が薬液槽4に浸漬された状態から薬液槽
カバー10の上まで搬送される距離を300mm,薬液
槽カバー10が閉じる時間を0.05分,純水噴射ノズ
ル9が薬液槽カバー10の上に搬送されたウェーハキャ
リア2に直ちに純水を噴射できる位置に配置されるもの
とし、さらにその他の条件は前述の実施例と同じである
とすると、ウェーハキャリア2が搬送中にエッチングさ
れる酸化膜厚は3nm(=(300mm/3000mm
+0.05min)20nm/min)となる。これ
は、前述の実施例と比べ1nm改善できる。
【0021】このことは、前述の実施例1では窒素ガス
用噴射ノズルの噴射された窒化ガスにより薬液槽4内の
薬液が飛散しない距離に噴射ノズルを配置する必要があ
るが、この実施例では、薬液槽カバー10を設けること
により純水噴射ノズル9を薬液槽直上に配置できるこ
と、また前述の実施例ではウェーハ1に噴射する窒素ガ
スの圧力の変動によりウェーハ表面の凹状の微小領域に
微量の薬液が残留することがあるが、この実施例では前
述の実施例に比べN2 ガスでなく純水を用いるためエッ
チング反応の停止を急速に行なう作用をもっているから
である。
【0022】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、薬液槽よ
り引き上げられたウェーハに不活性ガス又は純水を噴射
する手段を備えることにより、薬液槽での処理後におけ
るウェーハ面での薬液の残留及び垂れによるエッチング
反応の進行、エッチング膜厚の面内均一低下を防止する
効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のウェットエッチング装置の第1の実施
例における概略を示す図である。
【図2】本発明のウェットエッチング装置の第2の実施
例における概略を示す図である。
【図3】従来のウェットエッチング装置の一例における
概略を示す図である。
【符号の説明】
1 ウェーハ 2 ウェーハキャリア 3 キャリアハンガー 4 薬液槽 5 薬液 6 水洗槽 7 純水 8,9 噴射ノズル 10 カバー 11 純水シャワー槽

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体ウェーハを収納した容器を搬送す
    る機構と、この機構により前記半導体ウェーハを浸漬さ
    せエッチング処理する薬液槽と、この薬液槽の上にあっ
    て前記容器及び前記半導体ウェーハに洗浄媒体を吸付け
    る複数の噴出ノズルとを備え、前記薬液槽から引き上げ
    られる前記半導体ウェーハに前記洗浄媒体を噴射させ、
    前記半導体ウェーハに残留薬液を洗流することを特徴と
    するウェットエッチング装置。
  2. 【請求項2】 前記洗浄媒体が不活性ガスであることを
    特徴とする請求項1記載のウェットエッチング装置。
  3. 【請求項3】 前記洗浄媒体が純水であることを特徴と
    する請求項1記載のウェットエッチング装置。
JP11560892A 1992-05-08 1992-05-08 ウェットエッチング装置 Withdrawn JPH05315312A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11560892A JPH05315312A (ja) 1992-05-08 1992-05-08 ウェットエッチング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11560892A JPH05315312A (ja) 1992-05-08 1992-05-08 ウェットエッチング装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05315312A true JPH05315312A (ja) 1993-11-26

Family

ID=14666855

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11560892A Withdrawn JPH05315312A (ja) 1992-05-08 1992-05-08 ウェットエッチング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05315312A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09115869A (ja) * 1995-08-10 1997-05-02 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法及び半導体装置
KR100379328B1 (ko) * 1995-10-24 2003-06-02 주식회사 하이닉스반도체 웨이퍼에칭방법
KR20150059609A (ko) * 2013-11-22 2015-06-01 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 웨이퍼 세정을 위한 메커니즘들

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09115869A (ja) * 1995-08-10 1997-05-02 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法及び半導体装置
KR100379328B1 (ko) * 1995-10-24 2003-06-02 주식회사 하이닉스반도체 웨이퍼에칭방법
KR20150059609A (ko) * 2013-11-22 2015-06-01 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 웨이퍼 세정을 위한 메커니즘들
US9349617B2 (en) 2013-11-22 2016-05-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Mechanisms for wafer cleaning

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20120041810A (ko) 반도체 기판 표면의 화학적 처리 방법 및 이를 위한 장치
JP3341727B2 (ja) ウエット装置
JPH01120828A (ja) 半導体ウエハの自動洗浄装置
JP2005101524A (ja) 基板保持用チャックの洗浄・乾燥装置及び基板保持用チャックの洗浄・乾燥方法
JPH05315312A (ja) ウェットエッチング装置
JPH0714811A (ja) 洗浄乾燥方法及び洗浄乾燥装置
JPH10172945A (ja) ウエハー洗浄装置
JP2005244130A (ja) 基板処理法及び基板処理装置
KR101100961B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101052821B1 (ko) 기판 처리 장치 및 그 방법
JP2009054717A (ja) 基板処理装置
KR100434020B1 (ko) 확산로의 반응튜브의 세정장치
KR100753057B1 (ko) 약액 세정 영역의 세척 장치 및 방법
JP2016187049A (ja) ウェハの洗浄装置および洗浄方法
JP3450200B2 (ja) 基板処理装置
JP2000005710A (ja) 基板洗浄装置
JP6751421B2 (ja) ウェーハ洗浄装置及びそれを用いたウェーハ洗浄装置のクリーニング方法
KR960000312Y1 (ko) 반도체 웨이퍼 세정장치
KR100321546B1 (ko) 이송 로봇의 척 세정 방법 및 장치
JP3215366B2 (ja) 電子部品洗浄装置
JP2000133629A (ja) 基板処理装置および方法
JPS5855661B2 (ja) 洗浄装置
KR100695232B1 (ko) 기판을 세정하는 장치 및 방법
JP6049257B2 (ja) ウェハの洗浄装置および洗浄方法
JPH0610160A (ja) 枚葉式エッチング装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 19990803