JP6751421B2 - ウェーハ洗浄装置及びそれを用いたウェーハ洗浄装置のクリーニング方法 - Google Patents

ウェーハ洗浄装置及びそれを用いたウェーハ洗浄装置のクリーニング方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6751421B2
JP6751421B2 JP2018090420A JP2018090420A JP6751421B2 JP 6751421 B2 JP6751421 B2 JP 6751421B2 JP 2018090420 A JP2018090420 A JP 2018090420A JP 2018090420 A JP2018090420 A JP 2018090420A JP 6751421 B2 JP6751421 B2 JP 6751421B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
wafer
pipe
unit
tank
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018090420A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019036709A (ja
Inventor
イ，ジェ・フワン
Original Assignee
エスケイ・シルトロン・カンパニー・リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エスケイ・シルトロン・カンパニー・リミテッド filed Critical エスケイ・シルトロン・カンパニー・リミテッド
Publication of JP2019036709A publication Critical patent/JP2019036709A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6751421B2 publication Critical patent/JP6751421B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B9/00—Cleaning hollow articles by methods or apparatus specially adapted thereto 
    • B08B9/08—Cleaning containers, e.g. tanks
    • B08B9/093—Cleaning containers, e.g. tanks by the force of jets or sprays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67751—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

本発明は、洗浄装置に関するものであって、より詳細にはウェーハの洗浄またはリンス工程に用いられるウェーハ洗浄装置に関するものである。
一般に、ウェーハは、スライシング（Ｓｌｉｃｉｎｇ）工程、グラインディング（Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）工程、ラッピング（Ｌａｐｐｉｎｇ）工程、ポリッシング（Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）工程などの一連の工程を経て半導体素子製造用ウェーハとして生産される。工程が進行される過程において、ウェーハまたは外部環境などによってパーティクルと不純物など各種異物が発生してウェーハの表面を汚染させることがある。このような異物は、半導体素子の生産収率を低下させる原因になるので異物を除去するためにウェーハ洗浄装置を用いて洗浄工程、リンス（Ｒｉｎｓｅ）工程を経ることになる。
洗浄工程は、主に洗浄液による湿式洗浄方法を用いるが、洗浄槽内部にウェーハを投入し、ＳＣ１（ｓｔａｎｄａｒｄ ｃｌｅａｎｉｎｇ−１）、ＳＣ２（ｓｔａｎｄａｒｄ ｃｌｅａｎｉｎｇ−２）、Ｐｉｒａｎｈａ、燐酸（ｐｈｏｓｐｈｏｒｉｃ ａｃｉｄ）等の洗浄液を洗浄槽内部に噴射してウェーハを洗浄する。
リンス工程は、洗浄工程後のウェーハ表面に残留した洗浄液を別途の洗浄槽で超純水または、オゾン水などのリンス液を用いてすすぐ工程である。洗浄工程とリンス工程においては超音波を共に用いることもできる。
図１は、一般的な実施例のウェーハ洗浄装置の断面図である。
図１に示すように洗浄工程とリンス工程が終わると、洗浄液５またはクリーニング液５は、ウェーハＷ表面から分離した異物Ｐを含むようになる。
したがって、洗浄工程とリンス工程で一定の回数で使用された洗浄液５またはリンス液５は、洗浄槽１０の下の排水管２０を通じて外部に排水されて洗浄槽１０内部には汚染されていない新しい洗浄液またはリンス液が満たされなければならない。
しかし、洗浄液５またはリンス液５が洗浄槽１０下部に排水される過程で異物Pが洗浄槽１０の内壁に付着していると、新しい洗浄液５またはリンス液５を満たしても異物Ｐが洗浄槽１０内部に残存してウェーハＷを汚染させる問題があり得る。
本発明は、洗浄工程とリンス工程で発生して洗浄槽の内壁に残留する異物を除去し得るウェーハ洗浄装置及びそれを用いたウェーハ洗浄装置のクリーニング方法を提供することができる。
本発明は、洗浄槽；及び前記洗浄槽内部に昇下降可能に設置され、前記洗浄槽の内壁にクリーニング液を噴射するクリーニングユニットを含むウェーハ洗浄装置を提供する。
前記クリーニングユニットは、前記洗浄槽の内壁に隣接して配置される噴射管；前記噴射管に前記クリーニング液を供給する供給管；及び前記噴射管を昇下降させる昇下降部を含むことができる。
前記噴射管は、水平方向に沿って配置される複数の噴射穴を有することができる。
前記複数の噴射穴は、前記洗浄槽の内壁と向き合うように前記噴射管の外側に配置され得る。
前記複数の噴射穴は、前記噴射管の水平線を基準として一定の角度傾斜するように配置され得る。
前記昇下降部は、前記噴射管と連結されるワイヤー；及び前記ワイヤーの長さを調節する引き上げ手段を含むことができる。
前記洗浄槽は、上部が開放された直六面体形状を有し、前記噴射管は長方形状を有することができる。
前記ウェーハ洗浄装置は、前記洗浄槽の底面と連結される排水管；及び前記排水管の開閉を調節する排水バルブをさらに含むことができる。
前記クリーニングユニットは、前記供給管と連結されてクリーニング液の供給を調節する供給バルブをさらに含むことができる。
前記ウェーハ洗浄装置は、前記クリーニングユニットの動作を制御する制御部をさらに含むことができる。
前記制御部は、前記クリーニング時に、排水バルブを開放させて前記クリーニングユニットを下降させ、前記供給バルブを開放させて前記洗浄槽の内壁にクリーニング液を噴射することができる。
一方、本発明は洗浄槽；前記洗浄槽内部に昇下降可能に設置され、前記洗浄槽の内壁にクリーニング液を噴射するクリーニングユニット；及び前記洗浄槽内部の洗浄液が排出中であるか排出が完了すると、前記クリーニングユニットを下降させて前記クリーニング液が噴射されるように制御する制御部を含むことができる。
一方、本発明は洗浄槽内部の収容された洗浄液が排出される段階；クリーニングユニットを下降させる段階；前記洗浄槽の内壁にクリーニング液を噴射する段階；及び前記洗浄槽の内壁下部に位置した前記クリーニングユニットを前記洗浄槽上部に上昇させる段階；を含むウェーハ洗浄装置のクリーニング方法を提供する。
前記洗浄液が排出される段階は、排水バルブを開放させる段階を含み、前記クリーニングユニットを下降させる段階は前記排水バルブの開放動作と関連し得る。
前記クリーニング液を噴射する段階は、供給バルブを開放させる段階を含み、前記クリーニングユニットが前記洗浄槽の内壁下部に位置する時まで前記クリーニング液の噴射が行われ得る。
前記クリーニングユニットが前記洗浄槽の内壁下部に位置すると、前記クリーニングユニットを上昇させる段階を遂行する前に前記供給バルブを閉鎖する段階を遂行することができる。
このように本発明のウェーハ洗浄装置及びそれを用いたウェーハ洗浄装置のクリーニング方法によると、洗浄工程とリンス工程に使用された洗浄液またはリンス液が排出中であるか排出が完了するとき、クリーニングユニットを用いて洗浄槽の内壁に残留する異物を除去して洗浄槽を清潔にすることができるので、ウェーハ洗浄効率を高めることができる。
一般的な実施例のウェーハ洗浄装置の要部断面図である。 本発明の一実施例によるウェーハ洗浄装置の要部断面図である。 図２のクリーニングユニットに対する斜視図である。 図２の平面図であってクリーニングユニットによって洗浄槽の内壁がクリーニングされる動作を示す。 本発明の他の実施例によるウェーハ洗浄装置の要部断面図である。 クリーニングユニットの噴射穴噴射ノズルの配置形態を示す断面図である。
以下、実施例は添付された図面及び実施例に対する説明を通じて明白に示されることになるはずである。実施例の説明において、各層（膜）、領域、パターンまたは構造物が基板、各層（膜）、領域、パッドまたは、パターンの"上／うえ（ｏｎ）"に、または"下／した（ｕｎｄｅｒ）"に形成されるものと記載される場合において、"上／うえ（ｏｎ）"と"下／した（ｕｎｄｅｒ）"は"直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）"または"他の層を介在して（ｉｎｄｉｒｅｃｔｌｙ）"形成されるものを全部含む。また、各階の上／うえまたは、下／したに対する基準は、図面を基準として説明する。
図面において、厚さは説明の便宜及び明確性のために誇張されたり省略されたりまたは概略的に示された。また各構成要素の大きさは、実際の大きさを全面的に反映したものではない。また、同じ参照番号は図面の説明を通じて同じ要素を示す。以下、添付された図面を参照して実施例を説明する。
本発明のウェーハ洗浄装置は、ウェーハに対する洗浄工程または、リンス工程を遂行することができる装置を総称する用語として使用される。したがって本発明のウェーハ洗浄装置は、ウェーハの洗浄工程とリンス工程を個別に遂行するそれぞれの個別装置を意味したり、洗浄工程とリンス工程を全部遂行する統合的な装置を意味することもある。
図２は、本発明の一実施例によるウェーハ洗浄装置の要部断面図である。
図２に示すように本実施例のウェーハ洗浄装置１は、洗浄槽１００、排水管２００、排水バルブ３００、クリーニングユニット４００、制御部５００を含んで構成され得る。
洗浄槽１００は、洗浄液またはリンス液以下、洗浄液を収容し、ウェーハに対する洗浄または、リンス以下、洗浄を遂行することができる。洗浄液５は酸やアルカリなどのエッチング液または、各種不純物が除去された超純水（ＤＩＷ、ＤｅＩｏｎｉｚｅｄ Ｗａｔｅｒ）であり得、ＲＣＡ洗浄方法に使用されるＳＣ１（ＤＩＷ ＋ Ｈ2Ｏ2 ＋ ＮＨ4ＯＨ）であり得る。
洗浄槽１００は、浴槽形状を有するのでバス（Ｂａｔｈ）とも呼ばれ得る。例えば、洗浄槽１００は内部に空いた空間が形成されて上部が開放された六面体形状であり得る。洗浄槽１００は耐食性と超音波伝達性能が優れる石英、サファイアなどの材質から成り得る。洗浄槽１００の底面の厚さは超音波発生部図示せずに発生した超音波の透過率が高くなるように超音波振動数の３の倍数に比例する３ｍｍ、６ｍｍ、９ｍｍ等で成り得る。
排水管２００は、洗浄工程が完了した後、洗浄液を外部に排水するために洗浄槽１００の底面と連結されるように設置され得る。例えば、排水管２００は洗浄槽１００の中心領域の下部に配置され得、必要に応じて複数個が配置され得る。
排水管２００の下部には、排水管２００の開閉を調節する排水バルブ３００が設置され得る。排水バルブ３００は洗浄工程の間には閉鎖され、洗浄液を排水するとき開放されるように動作することができる。
詳しく図示しなかったが、洗浄槽１００内部には支持部、洗浄液噴射部、超音波発生部がさらに設置され得る。
支持部は、洗浄を遂行する間に洗浄槽１００内部で複数個のウェーハＷを支持することができる。例えば、支持部は複数のウェーハＷ、図１参照の下部領域を支持するスロット図示せずが形成された棒（ｂａｒ）状部材を複数個含むことが出来、コーム（ｃｏｍｂ）と呼ばれ得る。
支持部は、複数の棒状部材が長さ方向に並んで配置されて垂直で立てられた複数個のウェーハＷを洗浄槽１００内部で支持することができる。また、支持部は駆動手段図示せずを含んでウェーハＷを回転可能に支持することができる。したがって、支持部は洗浄工程の間にウェーハＷを円周方向に回転させて噴射される洗浄液と超音波発生部から伝達された超音波がウェーハＷの表面に均一に接触するようにし得る。
洗浄液噴射部は、洗浄槽１００の内側上部または、下部からウェーハＷに向かって洗浄液５を噴射する。洗浄液噴射部は、噴射装置、インジェクターと呼ばれ得る。洗浄液噴射部は、循環配管と連結されて洗浄液５の供給を受けて洗浄槽１００内部に噴射することができる。
超音波発生部は、洗浄槽１００下部に位置して支持部に支持されたウェーハＷに向かって超音波を発生させてウェーハＷに伝達することができる。超音波発生部においては、それぞれ異なる振動数を有する少なくとも二つの超音波を発生させて洗浄能力を向上させることができる。例えば、超音波発生部は９５０ ＫＨｚの周波数を有する振動子（Ｍｅｇａ−ｓｏｎｉｃ）を少なくとも一つを含むことができる。
超音波発生部から発生した超音波は、洗浄液５を介して上方向に伝播されてウェーハＷ表面に伝達されるに伴い、ウェーハＷ表面の汚染物質が洗浄液５と共に作用しながら除去され得る。
このような構成を通じてウェーハ洗浄装置１は、洗浄液５を噴射すると同時に超音波を発生させてウェーハＷ表面の異物に対する洗浄を遂行することができる。
図３は、図２のクリーニングユニットに対する斜視図であり、図４は、図２の平面図であってクリーニングユニット４００により洗浄槽１００の内壁がクリーニングされる動作を示す。
図２ないし図４に示すようにクリーニングユニット４００は洗浄槽１００内部に昇下降可能に設置され、洗浄槽１００の内壁にクリーニング液を噴射して洗浄槽１００の内壁に付いている異物を除去することができる。
ここでクリーニング液は、異物が除去できる多様な薬液が使用され得る。例えば、クリーニング液は超純水ＤＩＷであり得るが、これに限定されずに変形して実施可能である。
クリーニングユニット４００は、より詳細には噴射管４１０、供給管４２０、昇下降部を含んで構成され得る。
噴射管４１０は、洗浄槽１００の内壁に隣接して配置されて洗浄槽１００の内壁に向かってクリーニング液の噴射を遂行することができる。噴射管４１０は洗浄槽１００の形状に対応する形状を有することができる。例えば、前述した洗浄槽１００が直六面体形状を有する場合、噴射管４１０は内部が空の長方形状を有するように配管が相互に連結されて長方形状に配置された構成を有することができる。
噴射管４１０は、洗浄槽１００と一定の距離だけ離隔した状態で洗浄槽１００と同心円を成す形態に配置されて洗浄槽１００の内壁を均一に洗浄することができるように配置され得る。
噴射管４１０は、水平方向に沿って配置される複数の噴射穴４１１を有することができる。複数の噴射穴４１１は、図３及び図４に示すように洗浄槽１００の内壁と向き合うように噴射管４１０の外側に配置され得る。したがって、噴射穴４１１を通過したクリーニング液は、洗浄槽１００の内壁に噴射されて洗浄槽１００の内壁の汚染物質を除去することができる。
供給管４２０は、前述した噴射管４１０にクリーニング液を供給することができる。供給管４２０は噴射管４１０と連通して一定の長さを有し、クリーニング液を外部から供給を受けて噴射管４１０に伝達することができる。例えば、供給管４２０は、噴射管４１０の上部に連結された少なくとも一つの配管を含むことができる。供給管４２０は複数個であり得、直線または、曲線形状の配管を含むことができる。
供給管４２０には、クリーニング液の供給を調節する供給バルブ４５０が設置され得る。すなわち、供給バルブ４５０が開放されると、供給管４２０にはクリーニング液が自動で供給され得、供給バルブ４５０が閉鎖されるとクリーニング液の供給が中断され得る。
昇下降部は、前述した噴射管４１０を洗浄槽１００の内部で昇下降させることができる。
例えば、昇下降部は、噴射管４１０を連結するワイヤー４３０と、ワイヤー４３０を巻いたり広げながら長さを調節するモーターを含む引き上げ手段４４０で構成され得る。昇下降部は、噴射管４１０の垂直位置を変化させることができる基礎的な例示であるだけで、多様な形態に変形して実施可能である。
昇下降部は、洗浄工程を遂行する場合には洗浄工程に邪魔にならないようにクリーニングユニット４００、例えば噴射管４１０を洗浄槽１００上部に位置するように上昇させることができる。
そして、洗浄工程後に排水管２００に洗浄液が排水される間、又は完全な排水が行われた以後にはクリーニングユニット４００を洗浄槽１００内部に下降させて洗浄槽１００の内壁に対する異物の除去を遂行することができる。
ここで、昇下降部は、噴射管４１０を徐々に垂直方向に下降させて洗浄槽１００の内壁の上部から下の部分まで均一にクリーニング液を噴射させてクリーニングが行われるようにし得る。
制御部５００は、前述したクリーニングユニット４００の動作を自動的に制御することができる。
例えば、制御部５００はクリーニング時に、排水管２００の排水バルブ３００を開放させてクリーニングユニット４００を下降させ、供給バルブ４５０を開放させて洗浄槽１００の内壁にクリーニング液を噴射するようにする一連の動作を制御することができる。
制御部５００は、クリーニングユニット４００を下降させる動作は排水バルブ３００の開放動作と連係させることができ、クリーニング液を噴射する動作は供給バルブ４５０を開放させる動作と連係させるようにし得る。
そして、制御部５００は、クリーニングユニット４００が洗浄槽１００の内壁下部に位置するときまでクリーニング液の噴射が行われるように制御することができる。
このように本発明の実施例のウェーハ洗浄装置によると、洗浄工程とリンス工程に使用された洗浄液またはリンス液が排水中であるか排水が完了したとき、クリーニングユニットを用いて洗浄槽の内壁に残留する異物を除去して洗浄槽を清潔にすることができるのでウェーハ洗浄効率を高めることができる。
図５は、本発明の他の実施例によるウェーハ洗浄装置の要部断面図であり、図６はクリーニングユニットの噴射穴噴射ノズルの配置形態を示す断面図である。
以下においては、前述した実施例と異なる変形可能な実施例を中心に説明することにする。前述した実施例のウェーハ洗浄装置図２参照は洗浄槽１００下部に位置した排水管２００に洗浄液５が素早く排水されるので、クイックドレーンタイプ（Ｑｕｉｃｋ Ｄｒａｉｎ Ｔｙｐｅ）と呼ばれ得る。
図５に示すように他の実施例のウェーハ洗浄装置１ａは、洗浄槽１０内部で溢れる洗浄液５、例えばＳＣ１を外部に排出したり循環させる形態であってオーバーフロータイプ（Ｏｖｅｒｆｌｏｗ Ｔｙｐｅ）と呼ばれ得る。
本実施例のウェーハ洗浄装置１ａは、洗浄槽１０の上部外側に洗浄槽１０から溢れる（Ｏｖｅｒｆｌｏｗ）洗浄液５を収容して循環させるように外部洗浄槽１２がさらに設置され得る。外部洗浄槽１２の下には洗浄槽１０から溢れる洗浄液５を排出させる排出管２５が形成され得る。排出管２５は、循環配管５０と連結されて外部洗浄槽１２に移動した洗浄液５は循環配管５０に沿って再び洗浄槽１０の上部領域に再供給され得る。
このように洗浄液５は、洗浄槽１００内部で洗浄工程を遂行する間に外部洗浄槽１２に溢れるようになると、循環配管５０に沿って洗浄槽１０に再び流入して再使用されるリサイクルを有することができる。
本実施例のウェーハ洗浄装置１ａにも前述したクリーニングユニット４００を適用して洗浄槽１０の内壁に対する洗浄を遂行することができる。すなわち、クリーニングユニット４００は洗浄工程を遂行する間には洗浄槽１０上部に位置することができ、クリーニング工程を遂行する場合、洗浄槽１０内部に下降して洗浄槽１０の内壁にクリーニング液を噴射して異物の除去を遂行することができる。
ここで、クリーニングユニット４００の噴射管４１０は、洗浄槽１０内部に位置した洗浄液噴射管４１０を干渉しない位置まで下降したり洗浄槽１０内部に位置した構成と干渉しないように形状を適切に変形させて製作することができる。
図６に示すように前述したクリーニングユニット４００でクリーニング液を噴射する複数の噴射穴４１１ａは、噴射管４１０aの水平線を基準として一定の角度θ１、θ２傾斜するように配置され得る。すなわち、噴射穴は水平線を基準として上部θ１または、下部θ２に向かってクリーニング液を噴射するように角度が調節されて噴射管４１０aに配置され得る。噴射穴４１１ａは噴射管４１０aに一列に配置され得るが、対角線、曲線、波形などで位置が異なるようにすることもでき、複数の列を成すように変形して実施可能であろう。
また、噴射管４１０aに形成される複数の噴射穴４１１ａは、クリーニング液の噴射圧力と直線度を高めることができるように噴射管に突出して結合される噴射ノズル４１０ｂに含まれるように変形して実施することもできる。噴射ノズル４１０bは、噴射管４１０ａの内側から外側に行くほど噴射穴４１１ａの直径が徐々に小さくなるようにしてｔ１＞ｔ２噴射圧力と直線度をさらに高めることもできる。本実施形態のように噴射穴４１１ａの位置、形態などを適切に変形して実施すれば、クリーニング性能をさらに向上させることができる。
以下、前述した図面を参照して、本発明のウェーハ洗浄装置を用いたクリーニング方法について説明することにする。
ウェーハに対する洗浄工程が終わると、洗浄槽１００、１０内部に収容された洗浄液５が排出される段階が実行される。ここで、洗浄液５が排出される段階は、洗浄液５が排水管２００を通じて外部に排出されて洗浄槽１００、１０から一定の高さの壁面が露出し始める段階であるか、排出が完全に完了して洗浄槽１００、１０の内壁がすべて現れた状態であり得る。
洗浄液５が排出される段階は、排水バルブ３００を開放させて排水管２００を開放する段階を含むことができ、前述した動作は制御部５００により制御され得る。
洗浄液５が排出される段階以後には、クリーニングユニット４００を下降させる段階が実行される。クリーニングユニット４００を下降させる段階は前述した排水バルブ３００の開放動作と連携して適切なタイミングを制御部５００が計算して下降時点を決定することができる。
続いて、洗浄槽１００、１０の内壁に洗浄槽１００、１０をクリーニングするためのクリーニング液５を噴射する段階が実行される。クリーニング液５は洗浄時に使用した洗浄液５と同一であり得、他の物質であることもある。
クリーニング液５を噴射する段階は供給バルブ４５０を開放させる段階を含み、供給バルブ４５０が開放されると、クリーニング液５が供給配管に流入して噴射管４１０、４１０aの噴射穴４１１、４１１ａにクリーニング液５を噴射できるようになる。
クリーニング液５を噴射する段階は、クリーニングユニット４００が洗浄槽１００、１０内壁の下部に位置するときまでクリーニング液５の噴射が行われ得る。クリーニングユニット４００は、昇下降部によって洗浄槽１００、１０内壁の垂直下に移動しながら洗浄槽１００、１０の内壁を均一にクリーニングすることができる。
クリーニングユニット４００が洗浄槽１００、１０内壁の下部に位置すると、供給バルブ４５０を閉鎖してクリーニング液５の噴射を中断することができる。
クリーニング液５の噴射が中断されると、クリーニングユニット４００を上昇させる段階が実行される。本段階では洗浄槽１００、１０内壁の下部に位置したクリーニングユニット４００を洗浄槽１００、１０上部に上昇させるようになる。
そして、クリーニングユニット４００は、洗浄槽１００、１０内壁をクリーニングする場合、上から下に一度だけ遂行できるが、必要に応じて垂直に何回も往復したり異物が多く付いている洗浄槽１００、１０内壁の位置においてはさらに長い間クリーニング液５を噴射するように制御され得るであろう。
このように本発明のウェーハ洗浄装置のクリーニング方法によると、洗浄工程とリンス工程に使用された洗浄液またはリンス液が排水中であるか排水が完了するとき、クリーニングユニットを用いて洗浄槽の内壁に残留する異物を除去して洗浄槽を清潔にすることができるので、ウェーハ洗浄効率を高めることができる。
以上、実施例に説明された特徴、構造、効果などは本発明の少なくとも一つの実施例に含まれ、必ずしも一つの実施例にだけ限定される訳ではない。さらに、各実施例において例示された特徴、構造、効果などは実施例が属する分野の通常の知識を有する者によって他の実施例に対しても組合せまたは、変形して実施可能である。したがって、このような組合せと変形に関係した内容は、本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。
１：ウェーハ洗浄装置 １００：洗浄槽
２００：排水管 ３００：排水バルブ
４００：クリーニングユニット ４１０、４１０a：噴射管
４１１、４１１ａ：噴射穴 ４１０b：噴射ノズル
４２０：供給管 ４３０：ワイヤー
４４０：引き上げ手段 ４５０：供給バルブ
５００：制御部

Claims (8)

  1. 洗浄槽；
    前記洗浄槽内部に昇下降可能に設置され、前記洗浄槽の内壁にクリーニング液を噴射す
    るクリーニングユニット；及び
    前記洗浄槽内部の洗浄液が排出中であるか排出が完了すると、前記クリーニングユニッ
    トを下降させて前記クリーニング液が噴射されるように制御する制御部を含み、
    前記クリーニングユニットは
    前記洗浄槽の内壁に隣接して配置される噴射管；
    前記噴射管に前記クリーニング液を供給する供給管；及び
    前記噴射管を昇下降させる昇下降部を含むウェーハ洗浄装置。
  2. 前記噴射管は、水平方向に沿って配置される複数の噴射穴を有する、請求項１に記載の
    ウェーハ洗浄装置。
  3. 前記複数の噴射穴は、前記洗浄槽の内壁と向き合うように前記噴射管の外側に配置され
    る、請求項２に記載のウェーハ洗浄装置。
  4. 前記複数の噴射穴は、前記噴射管の水平線を基準として一定の角度傾斜するように配置
    される、請求項３に記載のウェーハ洗浄装置。
  5. 前記昇下降部は
    前記噴射管と連結されるワイヤー；及び
    前記ワイヤーの長さを調節する引き上げ手段を含む、請求項１に記載のウェーハ洗浄装
    置 。
  6. 前記洗浄槽は、上部が開放された直六面体形状を有し、
    前記噴射管は長方形状を有する、請求項３に記載のウェーハ洗浄装置。
  7. 前記ウェーハ洗浄装置は
    前記洗浄槽の底面と連結される排水管；及び
    前記排水管の開閉を調節する排水バルブをさらに含む、請求項６に記載のウェーハ洗浄
    装置。
  8. 前記クリーニングユニットは
    前記供給管と連結されてクリーニング液の供給を調節する供給バルブをさらに含む、請
    求項７に記載のウェーハ洗浄装置。
JP2018090420A 2017-08-18 2018-05-09 ウェーハ洗浄装置及びそれを用いたウェーハ洗浄装置のクリーニング方法 Active JP6751421B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2017-0104711 2017-08-18
KR1020170104711A KR101971152B1 (ko) 2017-08-18 2017-08-18 웨이퍼 세정 장치 및 그를 이용한 웨이퍼 세정 장치의 클리닝 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019036709A JP2019036709A (ja) 2019-03-07
JP6751421B2 true JP6751421B2 (ja) 2020-09-02

Family

ID=65361292

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018090420A Active JP6751421B2 (ja) 2017-08-18 2018-05-09 ウェーハ洗浄装置及びそれを用いたウェーハ洗浄装置のクリーニング方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11152228B2 (ja)
JP (1) JP6751421B2 (ja)
KR (1) KR101971152B1 (ja)
CN (1) CN109396102B (ja)

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US511569A (en) * 1893-12-26 Boiler for heating apparatus
JPS61179742A (ja) 1984-12-27 1986-08-12 Koichiro Matsuo シ−ト印刷機
JPS61179742U (ja) * 1985-04-30 1986-11-10
JPS62281431A (ja) 1986-05-30 1987-12-07 Hitachi Electronics Eng Co Ltd 超音波洗浄方法および装置
US5512106A (en) * 1993-01-27 1996-04-30 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Surface cleaning with argon
JPH0737850A (ja) 1993-07-20 1995-02-07 Mitsubishi Electric Corp 洗浄装置
JP3386892B2 (ja) 1994-08-08 2003-03-17 株式会社ダン科学 洗浄槽
JPH08195371A (ja) 1995-01-12 1996-07-30 Tokyo Electron Ltd 洗浄装置及びその方法
JPH09290199A (ja) * 1996-04-25 1997-11-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd カップ洗浄装置および回転式基板処理装置
US6199568B1 (en) * 1997-10-20 2001-03-13 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Treating tank, and substrate treating apparatus having the treating tank
TW434668B (en) * 2000-01-27 2001-05-16 Ind Tech Res Inst Wafer rinse apparatus and rinse method of the same
US6418945B1 (en) * 2000-07-07 2002-07-16 Semitool, Inc. Dual cassette centrifugal processor
JP2002075951A (ja) 2000-08-31 2002-03-15 Super Silicon Kenkyusho:Kk 半導体ウエハ用洗浄装置
US6752897B2 (en) * 2002-10-22 2004-06-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wet etch system with overflow particle removing feature
KR100636035B1 (ko) * 2003-11-08 2006-10-18 삼성전자주식회사 웨이퍼를 건조하기 위한 방법 및 장치, 그리고 웨이퍼 건조 장치를 포함하는 웨이퍼 처리 장치
JP2006351574A (ja) 2005-06-13 2006-12-28 Toppan Printing Co Ltd 洗浄用治具及びその治具を用いた装置
TWI406330B (zh) * 2007-09-26 2013-08-21 Dainippon Screen Mfg 基板處理裝置及基板處理方法
JP5116628B2 (ja) 2008-10-20 2013-01-09 ヴァリアス株式会社 被洗浄物の洗浄方法
JP6295023B2 (ja) 2012-10-03 2018-03-14 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置、基板洗浄方法、および研磨装置
KR20140084511A (ko) * 2012-12-27 2014-07-07 조창현 캐리어 세정의 위한 노즐부
JP6308910B2 (ja) * 2013-11-13 2018-04-11 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄システムおよび記憶媒体
TWM487519U (zh) 2014-06-17 2014-10-01 Full Power Idea Tech Ltd 箱體清洗治具
US9601358B2 (en) * 2014-08-15 2017-03-21 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treatment apparatus, and substrate treatment method
JP6605394B2 (ja) * 2016-05-17 2019-11-13 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、タンク洗浄方法及び記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
CN109396102A (zh) 2019-03-01
KR101971152B1 (ko) 2019-04-22
US20190057883A1 (en) 2019-02-21
JP2019036709A (ja) 2019-03-07
CN109396102B (zh) 2022-02-18
KR20190019581A (ko) 2019-02-27
US11152228B2 (en) 2021-10-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100226548B1 (ko) 웨이퍼 습식 처리 장치
JP6331961B2 (ja) 基板液処理装置
JP2016082177A5 (ja)
JPH07273077A (ja) ウエーハのリンス方法及びリンス装置
KR101971151B1 (ko) 웨이퍼 세정 장치
KR100710803B1 (ko) 기판 세정 장치
JP6751421B2 (ja) ウェーハ洗浄装置及びそれを用いたウェーハ洗浄装置のクリーニング方法
KR102098992B1 (ko) 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치
JP2006013015A (ja) 洗浄装置及び洗浄方法
US20080302395A1 (en) Wet processing apparatus and method for discharging particles along horizontal liquid flow
JP7249373B2 (ja) 研磨パッド洗浄装置
JP2002009033A (ja) 半導体ウエハ用洗浄装置
KR102379163B1 (ko) 제1 세정 장치, 이를 포함하는 세정 장비 및 방법
KR100626869B1 (ko) 반도체 웨이퍼 세정 시스템
JP2016187049A (ja) ウェハの洗浄装置および洗浄方法
JP2009054717A (ja) 基板処理装置
JP6568398B2 (ja) 洗浄装置及び洗浄方法
KR101367582B1 (ko) 박스 클리너
JP6049257B2 (ja) ウェハの洗浄装置および洗浄方法
JP5832826B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR102415323B1 (ko) 노즐 유닛 및 기판 처리 장치
KR20200046562A (ko) 웨이퍼 카세트 언로더 배스 세정 장치
JPH05315312A (ja) ウェットエッチング装置
KR100675560B1 (ko) 기판 세정 장치 및 처리조 내로 세정액을 공급하는 방법
JP3450200B2 (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180509

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190416

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190716

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20191203

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200303

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200811

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200814

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6751421

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250