KR20190019581A - 웨이퍼 세정 장치 및 그를 이용한 웨이퍼 세정 장치의 클리닝 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 세정조; 및 상기 세정조 내부로 승하강 가능하게 설치되며, 상기 세정조의 내벽에 클리닝액을 분사하는 클리닝 유닛을 포함하는 웨이퍼 세정 장치를 제공한다.

Description

웨이퍼 세정 장치 및 그를 이용한 웨이퍼 세정 장치의 클리닝 방법{Wafer Cleaning Apparatus And Cleaning Method Using Thereof}
본 발명은 세정 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼의 세정 또는 린스 공정에 이용되는 웨이퍼 세정 장치에 관한 것이다.
일반적으로 웨이퍼는 슬라이싱(Slicing) 공정, 그라인딩(Grinding) 공정, 래핑(Lapping) 공정, 폴리싱(Polishing) 공정 등의 일련의 공정을 거쳐 반도체 소자 제조용 웨이퍼로 생산된다. 공정이 진행되는 과정에서 웨이퍼 또는 외부 환경 등에 의하여 파티클과 불순물 등 각종 이물질이 발생하여 웨이퍼의 표면을 오염시킬 수 있다. 이러한 이물질은 반도체 소자의 생산 수율을 저하시키는 원인이 되므로 이물질들을 제거하기 위해 웨이퍼 세정 장치를 이용하여 세정 공정, 린스(Rinse) 공정을 거치게 된다.
세정 공정은 주로 세정액에 의한 습식 세정 방법을 이용하는데, 세정조 내부에 웨이퍼을 투입하고, SC1(standard cleaning-1), SC2(standard cleaning-2), Piranha, 인산(phosphoric acid) 등의 세정액을 세정조 내부로 분사하여 웨이퍼를 세정한다.
린스 공정은 세정 공정 후의 웨이퍼 표면에 잔류한 세정액을 별도의 세정조에서 초순수 또는 오존수 등 린스액을 이용하여 헹구어내는 공정이다. 세정 공정과 린스 공정에서는 초음파를 함께 이용할 수도 있다.
도 1은 일반적인 실시예의 웨이퍼 세정 장치의 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이 세정 공정과 린스 공정이 끝나면 세정액(5) 또는 클리닝액(5)은 웨이퍼(W) 표면으로부터 분리된 이물질(P)을 포함하게 된다.
따라서 세정 공정과 린스 공정에서 일정한 횟수로 사용된 세정액(5) 또는 린스액(5)은 세정조(10) 아래의 배수관(20)을 통해 외부로 배수하고 세정조(10) 내부에는 오염되지 않은 새로운 세정액 또는 린스액이 채워져야 한다.
그런데 세정액(5) 또는 린스액(5)이 세정조(10) 하부로 배수되는 과정에서 이물질(P)이 세정조(10)의 내벽에 붙어 있게 되면 새로운 세정액(5) 또는 린스액(5)을 채우더라도 이물질(P)이 세정조(10) 내부에 잔존하여 웨이퍼(W)를 오염시키는 문제가 있을 수 있다.
본 발명은 세정 공정과 린스 공정에서 발생하여 세정조 내벽에 잔류하는 이물질을 제거할 수 있는 웨이퍼 세정 장치 및 그를 이용한 웨이퍼 세정 장치의 클리닝 방법을 제공할 수 있다.
본 발명은 세정조; 및 상기 세정조 내부로 승하강 가능하게 설치되며, 상기 세정조의 내벽에 클리닝액을 분사하는 클리닝 유닛을 포함하는 웨이퍼 세정 장치를 제공한다.
상기 클리닝 유닛은 상기 세정조의 내벽에 인접 배치되는 분사관; 상기 분사관으로 상기 클리닝액을 공급하는 공급관; 및 상기 분사관을 승하강시키는 승하강부를 포함할 수 있다.
상기 분사관은 수평 방향을 따라 배치되는 다수의 분사공을 가질 수 있다.
상기 다수의 분사공은 상기 세정조의 내벽과 마주보도록 상기 분사관의 외측에 배치될 수 있다.
상기 다수의 분사공은 상기 분사관의 수평선을 기준으로 일정 각도 경사지게 배치될 수 있다.
상기 승하강부는 상기 분사관과 연결되는 와이어; 및 상기 와이어의 길이를 조절하는 인상 수단을 포함할 수 있다.
상기 세정조는 상부가 개방된 직육면체 형상을 가지며, 상기 분사관은 직사각형상을 가질 수 있다.
상기 웨이퍼 세정 장치는 상기 세정조의 바닥면과 연결되는 배수관; 및 상기 배수관의 개폐를 조절하는 배수밸브를 더 포함할 수 있다.
상기 클리닝 유닛은 상기 공급관과 연결되며 클리닝액의 공급을 조절하는 공급밸브를 더 포함할 수 있다.
상기 웨이퍼 세정 장치는 상기 클리닝 유닛의 동작을 제어하는 제어부를 더 포함할 수 있다.
상기 제어부는 상기 클리닝시, 배수밸브를 개방시키고 상기 클리닝 유닛을 하강시키며, 상기 공급밸브를 개방시켜 상기 세정조 내벽에 클리닝액을 분사할 수 있다.
한편, 본 발명은 세정조; 상기 세정조 내부로 승하강 가능하게 설치되며, 상기 세정조의 내벽에 클리닝액을 분사하는 클리닝 유닛; 및 상기 세정조 내부의 세정액이 배출중이거나 배출이 완료되면, 상기 클리닝 유닛을 하강시켜 상기 클리닝액이 분사되도록 제어하는 제어부를 포함할 수 있다.
한편, 본 발명은 세정조 내부의 수용된 세정액이 배출되는 단계; 클리닝 유닛을 하강시키는 단계; 상기 세정조 내벽으로 클리닝액을 분사하는 단계; 및 상기 세정조 내벽 하부에 위치한 상기 클리닝 유닛을 상기 세정조 상부로 상승시키는 단계;를 포함하는 웨이퍼 세정 장치의 클리닝 방법을 제공한다.
상기 세정액이 배출되는 단계는 배수밸브를 개방시키는 단계를 포함하며, 상기 클리닝 유닛을 하강시키는 단계는 상기 배수밸브의 개방 동작과 연계될 수 있다.
상기 클리닝액을 분사하는 단계는 공급밸브를 개방시키는 단계를 포함하며, 상기 클리닝 유닛이 상기 세정조 내벽 하부에 위치할 때까지 상기 클리닝액의 분사가 이루어질 수 있다.
상기 클리닝 유닛이 상기 세정조 내벽 하부에 위치하면 상기 클리닝 유닛을 상승시키는 단계를 수행하기 전에 상기 공급밸브를 폐쇄하는 단계를 수행할 수 있다.
이와 같이 본 발명의 웨이퍼 세정 장치 및 그를 이용한 웨이퍼 세정 장치의 클리닝 방법에 따르면, 세정 공정과 린스 공정에 사용된 세정액 또는 린스액이 배수중이거나 배수가 완료될 때 클리닝 유닛을 이용하여 세정조 내벽에 잔류하는 이물질을 제거하여 세정조를 청결하게 할 수 있으므로 웨이퍼 세정 효율을 높일 수 있다.
도 1은 일반적인 실시예의 웨이퍼 세정 장치의 요부 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치의 요부 단면도이다.
도 3은 도 2의 클리닝 유닛에 대한 사시도이다.
도 4는 도 2의 평면도로서 클리닝 유닛에 의해 세정조 내벽이 클리닝되는 동작을 보여준다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치의 요부 단면도이다.
도 6은 클리닝 유닛의 분사공(분사노즐)의 배치 형태를 보여주는 단면도이다.
이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예를 설명한다.
본 발명의 웨이퍼 세정 장치는 웨이퍼에 대한 세정 공정 또는 린스 공정을 수행할 수 있는 장치를 총칭하는 용어로 사용된다. 따라서 본 발명의 웨이퍼 세정 장치는 웨이퍼의 세정 공정과 린스 공정을 개별적으로 수행하는 각각의 개별 장치를 의미하거나, 세정 공정과 린스 공정을 모두 수행하는 통합적인 장치를 의미할 수도 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치의 요부 단면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이 본 실시예의 웨이퍼 세정 장치(1)는 세정조(100), 배수관(200), 배수밸브(300), 클리닝 유닛(400), 제어부(500)를 포함하여 구성될 수 있다.
세정조(100)는 세정액 또는 린스액(이하, 세정액)을 수용하며, 웨이퍼에 대한 세정 또는 린스(이하, 세정)를 수행할 수 있다. 세정액(5)은 산이나 알칼리 등의 에칭액 또는 각종 불순물들이 제거된 초순수(DIW, DeIonized Water)일 수 있으며, RCA 세정 방법에 사용되는 SC1(DIW + H2O2 + NH4OH)일 수 있다.
세정조(100)는 욕조 형상을 가지므로 배스(Bath)로도 불리울 수 있다. 예를 들어 세정조(100)는 내부에 빈 공간이 형성되고 상부가 개방된 육면체 형상일 수 있다. 세정조(100)는 내식성과 초음파 전달 성능이 우수한 석영, 사파이어 등의 재질로 이루어질 수 있다. 세정조(100)의 바닥면의 두께는 초음파 발생부(미도시)에 발생된 초음파의 투과율이 높도록 초음파 진동수의 3의 배수에 비례하는 3mm, 6mm, 9mm 등으로 이루어질 수 있다.
배수관(200)은 세정 공정이 완료된 후 세정액을 외부로 배수하기 위해 세정조(100)의 바닥면과 연결되도록 설치될 수 있다. 예를 들어 배수관(200)은 세정조(100)의 중심 영역 하부에 배치될 수 있으며, 필요에 따라 다수개가 배치될 수 있다.
배수관(200)의 하부에는 배수관(200)의 개폐를 조절하는 배수밸브(300)가 설치될 수 있다. 배수밸브(300)는 세정 공정 동안에는 폐쇄되고, 세정액을 배수할 때 개방되도록 동작할 수 있다.
자세히 도시하지는 않았지만, 세정조(100) 내부에는 지지부, 세정액 분사부, 초음파 발생부가 더 설치될 수 있다.
지지부는 세정을 수행하는 동안 세정조(100) 내부에서 다수개의 웨이퍼(W)를 지지할 수 있다. 예를 들어 지지부는 다수의 웨이퍼(W, 도 1 참조)의 하부 영역을 지지하는 슬롯(미도시)이 형성된 봉(bar) 형상 부재를 다수개 포함할 수 있으며 콤(comb)으로 불리울 수도 있다.
지지부는 다수의 봉 형상 부재가 길이방향으로 나란하게 배치되면서 수직으로 세워진 다수개의 웨이퍼(W)를 세정조(100) 내부에서 지지할 수 있다. 또한, 지지부는 구동수단(미도시)을 포함하여 웨이퍼(W)를 회전가능하게 지지할 수 있다. 따라서 지지부는 세정 공정 동안 웨이퍼(W)를 원주 방향으로 회전시켜 분사되는 세정액과 초음파 발생부에서 전달된 초음파가 웨이퍼(W)의 표면에 고르게 접촉되도록 할 수 있다.
세정액 분사부는 세정조(100)의 내측 상부 또는 하부에서 웨이퍼(W)를 향해 세정액(5)을 분사한다. 세정액 분사부는 분사장치, 인젝터로 불리울 수 있다. 세정액 분사부는 순환배관과 연결되면서 세정액(5)을 공급받아 세정조(100) 내부로 분사할 수 있다.
초음파 발생부는 세정조(100) 하부에 위치하며 지지부에 지지된 웨이퍼(W)를 향해 초음파를 발생시켜 웨이퍼(W)로 전달할 수 있다. 초음파 발생부에서는 서로 다른 진동수를 갖는 적어도 두 개의 초음파를 발생시켜 세정 능력을 향상시킬 수 있다. 예를 들어 초음파 발생부는 950 KHz의 주파수를 갖는 진동자(Mega-sonic)를 적어도 하나 포함할 수 있다.
초음파 발생부에서 발생된 초음파는 세정액(5)을 통해 상방향으로 전파되어 웨이퍼(W) 표면으로 전달되면서 웨이퍼(W) 표면의 오염 물질이 세정액(5)과 함께 작용하면서 될 수 있다.
이와 같은 구성을 통해 웨이퍼 세정 장치(1)는 세정액(5)을 분사함과 동시에 초음파를 발생시켜 웨이퍼(W) 표면의 이물질에 대한 세정을 수행할 수 있다.
도 3은 도 2의 클리닝 유닛에 대한 사시도이며, 도 4는 도 2의 평면도로서 클리닝 유닛(400)에 의해 세정조(100) 내벽이 클리닝되는 동작을 보여준다.
도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이 클리닝 유닛(400)은 세정조(100) 내부로 승하강 가능하게 설치되며, 세정조(100)의 내벽에 클리닝액을 분사하여 세정조(100) 내벽에 붙어있는 이물질의 제거를 수행할 수 있다.
여기서 클리닝액은 이물질을 제거할 수 있는 다양한 약액이 사용될 수 있다. 예를 들어 클리닝액은 초순수(DIW)일 수 있으나 이에 한정되지 않고 변형 실시 가능하다.
클리닝 유닛(400)은 보다 상세하게는 분사관(410), 공급관(420), 승하강부를 포함하여 구성될 수 있다.
분사관(410)은 세정조(100)의 내벽에 인접 배치되어 세정조(100)의 내벽을 향해 클리닝액의 분사를 수행할 수 있다. 분사관(410)은 세정조(100)의 형상에 대응하는 형상을 가질 수 있다. 예를 들어 상술한 세정조(100)가 직육면체 형상을 가질 경우, 분사관(410)은 내부가 빈 직사각형상을 갖도록 배관들이 상호 연결되어 직사각형 형태로 배치된 구성을 가질 수 있다.
분사관(410)은 세정조(100)와 일정한 거리 만큼 이격된 상태에서 세정조(100)와 동심원을 이루는 형태로 배치되면서 세정조(100)의 내벽을 고르게 세정할 수 있도록 배치될 수 있다.
분사관(410)은 수평 방향을 따라 배치되는 다수의 분사공(411)을 가질 수 있다. 다수의 분사공(411)은 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 세정조(100)의 내벽과 마주보도록 분사관(410)의 외측에 배치될 수 있다. 따라서 분사공(411)을 통과한 클리닝액은 세정조(100)의 내벽에 분사되면서 세정조(100) 내벽의 오염물질을 제거할 수 있다.
공급관(420)은 상술한 분사관(410)으로 클리닝액을 공급할 수 있다. 공급관(420)은 분사관(410)과 연통되어 일정한 길이를 가지며 클리닝액을 외부로부터 공급받아서 분사관(410)으로 전달할 수 있다. 예를 들어 공급관(420)은 분사관(410)의 상부에 연결된 적어도 하나의 배관을 포함할 수 있다. 공급관(420)은 다수개 일 수 있으며 직선 또는 곡선 형태의 배관을 포함할 수 있다.
공급관(420)에는 클리닝액의 공급을 조절하는 공급밸브(450)가 설치될 수 있다. 즉, 공급밸브(450)가 개방되면 공급관(420)에는 클리닝액이 자동으로 공급될 수 있으며, 공급밸브(450)가 폐쇄되면 클리닝액의 공급이 중단될 수 있다.
승하강부는 상술한 분사관(410)을 세정조(100)의 내부에서 승하강시킬 수 있다.
예를 들어 승하강부는 분사관(410)을 연결하는 와이어(430)와, 와이어(430)를 감거나 펼치면서 길이를 조절하는 모터를 포함하는 인상 수단(440)으로 구성될 수 있다. 승하강부는 분사관(410)의 수직 위치를 변화시킬 수 있는 기초적인 예시일 뿐 다양한 형태로 변형실시 가능하다.
승하강부는 세정 공정을 수행할 경우에는 세정 공정에 방해가 되지 않도록 클리닝 유닛(400), 예컨대 분사관(410)을 세정조(100) 상부에 위치하도록 상승시킬 수 있다.
그리고 세정 공정 후에 배수관(200)으로 세정액이 배수되는 중이거나 완전한 배수가 이루어진 이후에는 클리닝 유닛(400)을 세정조(100) 내부로 하강시켜 세정조(100) 내벽에 대한 이물질의 제거를 수행할 수 있다.
여기서 승하강부는 분사관(410)을 점차적으로 수직 방향으로 하강시켜서 세정조(100) 내벽의 윗부분 부터 아래부분까지 골고루 클리닝액을 분사시켜 클리닝이 이루어지게 할 수 있다.
제어부(500)는 상술한 클리닝 유닛(400)의 동작을 자동으로 제어할 수 있다.
예를 들어 제어부(500)는 클리닝시, 배수관(200)의 배수밸브(300)를 개방시키고 클리닝 유닛(400)을 하강시키며, 공급밸브(450)를 개방시켜 세정조(100) 내벽에 클리닝액을 분사하도록 하는 일련의 동작을 제어할 수 있다.
제어부(500)는 클리닝 유닛(400)을 하강시키는 동작은 배수밸브(300)의 개방 동작과 연계시킬 수 있고, 클리닝액을 분사하는 동작은 공급밸브(450)를 개방시키는 동작과 연계시키도록 할 수 있다.
그리고 제어부(500)는 클리닝 유닛(400)이 세정조(100) 내벽 하부에 위치할 때까지 클리닝액의 분사가 이루어지도록 제어할 수 있다.
이와 같이 본 발명의 실시예의 웨이퍼 세정 장치에 따르면, 세정 공정과 린스 공정에 사용된 세정액 또는 린스액이 배수중이거나 배수가 완료될 때 클리닝 유닛을 이용하여 세정조 내벽에 잔류하는 이물질을 제거하여 세정조를 청결하게 할 수 있으므로 웨이퍼 세정 효율을 높일 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치의 요부 단면도이고, 도 6은 클리닝 유닛의 분사공(분사노즐)의 배치 형태를 보여주는 단면도이다.
이하에서는 전술한 실시예와 다른 변형 가능한 실시예를 위주로 설명하기로 한다. 상술한 실시예의 웨이퍼 세정 장치(도 2 참조)는 세정조(100) 하부에 위치한 배수관(200)으로 세정액(5)이 빠르게 배수되므로 퀵 드레인 타입(Quick Drain Type)으로 불리울 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이 다른 실시예의 웨이퍼 세정 장치(1a)는 세정조(10) 내부에서 넘치는 세정액(5, 예컨대 SC1)을 외부로 배출하거나 순환시키는 형태로서 오버플로우 타입(Overflow Type)으로 불리울 수 있다.
본 실시예의 웨이퍼 세정 장치(1a)는 세정조(10)의 상부 외측에 세정조(10)로부터 넘치는(Overflow) 세정액(5)을 수용하여 순환시키도록 외부 세정조(12)가 더 설치될 수 있다. 외부 세정조(12)의 아래에는 세정조(10)로부터 넘치는 세정액(5)을 배출시키는 배출관(25)이 형성될 수 있다. 배출관(25)은 순환배관(50)과 연결되어 외부 세정조(12)로 이동한 세정액(5)은 순환배관(50)을 따라 다시 세정조(10)의 상부 영역으로 재공급될 수 있다.
이와 같이 세정액(5)은 세정조(100) 내부에서 세정 공정을 수행하는 동안 외부 세정조(12)로 넘치게 되면, 순환배관(500)을 따라 세정조(10)로 다시 유입되어 재사용되는 리사이클을 가질 수 있다.
본 실시예의 웨이퍼 세정 장치(1a)에도 전술한 클리닝 유닛(400)을 적용하여 세정조(10) 내벽에 대한 세정을 수행할 수 있다. 즉, 클리닝 유닛(400)은 세정 공정을 수행하는 동안에는 세정조(10) 상부에 위치할 수 있으며, 클리닝 공정을 수행할 경우 세정조(10) 내부로 하강하면서 세정조(10) 내벽에 클리닝액을 분사하여 이물질의 제거를 수행할 수 있다.
여기서 클리닝 유닛(400)의 분사관(410)은 세정조(10) 내부에 위치한 세정액 분사관(410)을 간섭하지 않는 위치까지 하강하거나 세정조(10) 내부에 위치한 구성들과 간섭되지 않도록 형상을 적절하게 변형시켜 제작할 수 있을 것이다.
도 6에 도시된 바와 같이 상술한 클리닝 유닛(400)에서 클리닝액을 분사하는 다수의 분사공(411a)은 분사관(410a)의 수평선을 기준으로 일정 각도(θ1,θ2) 경사지게 배치될 수 있을 것이다. 즉, 분사공은 수평선을 기준으로 상부(θ1) 또는 하부(θ2)를 향해 클리닝액을 분사하도록 각도가 조절되어 분사관(410a)에 배치될 수 있을 것이다. 분사공(411a)들은 분사관(410a)에 일렬로 배치될 수 있으나 대각선, 곡선, 파형 등으로 위치를 다르게 할 수도 있을 것이며 다수의 열을 이루도록 변형실시 가능할 것이다.
또한, 분사관(410a)에 형성되는 다수의 분사공(411a)들은 클리닝액의 분사 압력과 직선도를 높일 수 있도록 분사관에 돌출 결합되는 분사노즐(410b)에 포함되도록 변형 실시될 수도 있다. 분사노즐(410b)은 분사관(410a)의 내측에서 외측으로 갈수록 분사공(411a)의 직경이 점점 작아지도록 하여(t1>t2) 분사 압력과 직선도를 더욱 높일 수도 있다. 본 실시 형태처럼 분사공(411a)의 위치, 형태 등을 적절하게 변형 실시하면 클리닝 성능을 더욱 향상시킬 수 있다.
이하, 상술한 도면들을 참조하면서 본 발명의 웨이퍼 세정 장치를 이용한 클리닝 방법에 대해 설명하기로 한다.
웨이퍼에 대한 세정 공정이 끝나면, 세정조(100, 10) 내부에 수용된 세정액(5)이 배출되는 단계가 수행된다. 여기서 세정액(5)이 배출되는 단계는 세정액(5)이 배수관(200)을 통해 외부로 배출되면서 세정조(100, 10)로부터 일정 높이 벽면이 노출되기 시작하는 단계이거나 배출이 완전히 완료되어 세정조(100, 10) 내벽이 전부 드러난 상태일 수 있다.
세정액(5)이 배출되는 단계는 배수밸브(300)를 개방시켜 배수관(200)을 개방하는 단계를 포함할 수 있으며, 상술한 동작은 제어부(500)에 의해 제어될 수 있다.
세정액(5)이 배출되는 단계 이후에는 클리닝 유닛(400)을 하강시키는 단계가 수행된다. 클리닝 유닛(400)을 하강시키는 단계는 상술한 배수밸브(300)의 개방 동작과 연계되어 적절한 타이밍을 제어부(500)가 계산하여 하강 시점을 결정할 수 있을 것이다.
이어서 세정조(100, 10) 내벽으로 세정조(100, 10)를 클리닝하기 위한 클리닝액(5)을 분사하는 단계가 수행된다. 클리닝액(5)은 세정시 사용한 세정액(5)과 동일할 수 있으며, 다른 물질일 수도 있다.
클리닝액(5)을 분사하는 단계는 공급밸브(300)를 개방시키는 단계를 포함하며, 공급밸브(300)가 개방되면 클리닝액(5)이 공급배관으로 유입되어 분사관(410, 410a)의 분사공(411, 411a)으로 클리닝액(5)을 분사할 수 있게 된다.
클리닝액(5)을 분사하는 단계는 클리닝 유닛(400)이 세정조(100, 10) 내벽 하부에 위치할 때까지 클리닝액(5)의 분사가 이루어질 수 있다. 클리닝 유닛(400)은 승하강부에 의해서 세정조(100, 10) 내벽의 수직 아래로 이동하면서 세정조(100, 10) 내벽을 고르게 클리닝할 수 있다.
클리닝 유닛(400)이 세정조(100, 10) 내벽 하부에 위치하면 공급밸브(300)를 폐쇄하여 클리닝액(5)의 분사를 중단할 수 있다.
클리닝액(5)의 분사가 중단되면 클리닝 유닛(400)을 상승시키는 단계가 수행된다. 본 단계에서는 세정조(100, 10) 내벽 하부에 위치한 클리닝 유닛(400)을 세정조(100, 10) 상부로 상승시키게 된다.
그리고 클리닝 유닛(400)은 세정조(100, 10) 내벽을 클리닝할 경우 위에서 아래로 한 차례만 수행할 수 있지만, 필요에 따라 수직으로 여러차례 왕복하거나 이물질이 많이 붙어있는 세정조(100, 10) 내벽 위치에서는 더 오랜 시간동안 클리닝액(5)을 분사하도록 제어될 수도 있을 것이다.
이와 같이 본 발명의 웨이퍼 세정 장치의 클리닝 방법에 따르면, 세정 공정과 린스 공정에 사용된 세정액 또는 린스액이 배수중이거나 배수가 완료될 때 클리닝 유닛을 이용하여 세정조 내벽에 잔류하는 이물질을 제거하여 세정조를 청결하게 할 수 있으므로 웨이퍼 세정 효율을 높일 수 있다.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
1 : 웨이퍼 세정 장치 100 : 세정조
200 : 배수관 300 : 배수밸브
400 : 클리닝 유닛 410, 410a : 분사관
411, 411a : 분사공 410b : 분사노즐
420 : 공급관 430 : 와이어
440 : 인상 수단 450 : 공급밸브
500 : 제어부

Claims (16)

  1. 세정조; 및
    상기 세정조 내부로 승하강 가능하게 설치되며, 상기 세정조의 내벽에 클리닝액을 분사하는 클리닝 유닛을 포함하는 웨이퍼 세정 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 클리닝 유닛은
    상기 세정조의 내벽에 인접 배치되는 분사관;
    상기 분사관으로 상기 클리닝액을 공급하는 공급관; 및
    상기 분사관을 승하강시키는 승하강부를 포함하는 웨이퍼 세정 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 분사관은 수평 방향을 따라 배치되는 다수의 분사공을 갖는 웨이퍼 세정 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 다수의 분사공은 상기 세정조의 내벽과 마주보도록 상기 분사관의 외측에 배치되는 웨이퍼 세정 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 다수의 분사공은 상기 분사관의 수평선을 기준으로 일정 각도 경사지게 배치되는 웨이퍼 세정 장치.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 승하강부는
    상기 분사관과 연결되는 와이어; 및
    상기 와이어의 길이를 조절하는 인상 수단을 포함하는 웨이퍼 세정 장치.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 세정조는 상부가 개방된 직육면체 형상을 가지며,
    상기 분사관은 직사각형상을 갖는 웨이퍼 세정 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 웨이퍼 세정 장치는
    상기 세정조의 바닥면과 연결되는 배수관; 및
    상기 배수관의 개폐를 조절하는 배수밸브를 더 포함하는 웨이퍼 세정 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 클리닝 유닛은
    상기 공급관과 연결되며 클리닝액의 공급을 조절하는 공급밸브를 더 포함하는 웨이퍼 세정 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 웨이퍼 세정 장치는
    상기 클리닝 유닛의 동작을 제어하는 제어부를 더 포함하는 웨이퍼 세정 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제어부는
    상기 클리닝시, 배수밸브를 개방시키고 상기 클리닝 유닛을 하강시키며, 상기 공급밸브를 개방시켜 상기 세정조 내벽에 클리닝액을 분사하는 웨이퍼 세정 장치.
  12. 세정조;
    상기 세정조 내부로 승하강 가능하게 설치되며, 상기 세정조의 내벽에 클리닝액을 분사하는 클리닝 유닛; 및
    상기 세정조 내부의 세정액이 배출중이거나 배출이 완료되면, 상기 클리닝 유닛을 하강시켜 상기 클리닝액이 분사되도록 제어하는 제어부를 포함하는 웨이퍼 세정 장치.
  13. 세정조 내부의 수용된 세정액이 배출되는 단계;
    클리닝 유닛을 하강시키는 단계;
    상기 세정조 내벽으로 클리닝액을 분사하는 단계; 및
    상기 세정조 내벽 하부에 위치한 상기 클리닝 유닛을 상기 세정조 상부로 상승시키는 단계;를 포함하는 웨이퍼 세정 장치의 클리닝 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 세정액이 배출되는 단계는 배수밸브를 개방시키는 단계를 포함하며,
    상기 클리닝 유닛을 하강시키는 단계는 상기 배수밸브의 개방 동작과 연계되는 웨이퍼 세정 장치의 클리닝 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 클리닝액을 분사하는 단계는 공급밸브를 개방시키는 단계를 포함하며,
    상기 클리닝 유닛이 상기 세정조 내벽 하부에 위치할 때까지 상기 클리닝액의 분사가 이루어지는 웨이퍼 세정 장치의 클리닝 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 클리닝 유닛이 상기 세정조 내벽 하부에 위치하면 상기 클리닝 유닛을 상승시키는 단계를 수행하기 전에 상기 공급밸브를 폐쇄하는 단계를 수행하는 웨이퍼 세정 장치의 클리닝 방법.
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