KR20200113366A - 웨이퍼 세정 장치 - Google Patents

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KR20200113366A
KR20200113366A KR1020190033410A KR20190033410A KR20200113366A KR 20200113366 A KR20200113366 A KR 20200113366A KR 1020190033410 A KR1020190033410 A KR 1020190033410A KR 20190033410 A KR20190033410 A KR 20190033410A KR 20200113366 A KR20200113366 A KR 20200113366A
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탁성희
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에스케이실트론 주식회사
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Abstract

본 발명은 세정액을 수용하는 세정조; 상기 세정조 내부에서 다수의 웨이퍼를 지지하는 지지부; 상기 세정조 하부에 위치하며 상기 다수의 웨이퍼를 향해 초음파를 발생시키는 초음파 발생부; 및 상기 세정조와 상기 지지부에 설치되어, 상기 세정조 내부에서 상기 다수의 웨이퍼를 회전시키는 웨이퍼 회전부;를 포함하는 웨이퍼 세정 장치를 제공한다.

Description

웨이퍼 세정 장치{Apparatus For Wafer Cleaning}
본 발명은 세정 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 웨이퍼를 세정하는 습식 웨이퍼 세정 장치에 관한 것이다.
일반적으로 웨이퍼는 슬라이싱(Slicing) 공정, 그라인딩(Grinding) 공정, 래핑(Lapping) 공정, 에칭(Etching) 공정, 폴리싱(Polishing) 공정 등의 일련의 공정을 거쳐 반도체 소자 제조용 웨이퍼로 생산된다.
웨이퍼는 제조 공정이 진행되는 과정에서 각종 오염물에 의해 표면이 오염될 수 있다. 대표적인 오염물로는 미세 파티클, 금속 오염물, 유기 오염물 등을 들 수 있다. 이러한 오염물은 웨이퍼의 품질을 저하시켜 반도체 소자의 물리적 결함 및 특성 저하를 발생시키므로 궁극적으로는 반도체 소자의 생산 수율이 낮아지는 원인이 된다. 따라서 이러한 오염물들을 제거하기 위해서는 일반적으로 산 또는 알칼리 등의 에칭액이나 순수(DIW, Deionized water)를 이용하는 습식 세정 공정을 거치게 된다.
일반적으로 세정조 내부에서 웨이퍼를 세정하는 배스 타입(bath type)의 습식 세정 장치는 웨이퍼 표면에 존재하는 파티클(particle), 유기물, 메탈 오염물 등과 같은 오염 물질을 SC1(standard cleaning-1), SC2(standard cleaning-2), Piranha, 인산(phosphoric acid) 등과 같은 적절한 케미컬(세정액)을 사용하여 화학 반응으로 제거하게 된다. 동시에 초음파를 발생시켜 초음파 진동에 의해 오염물을 더 효율적으로 제거할 수 있고, 웨이퍼 표면에 형성된 산화막이나 질화막 등을 제거하는 습식 식각(wet etching)의 용도로서 사용할 수 있다.
세정조 내부에는 다수의 웨이퍼를 직립한 상태로 지지하는 지지부(comb)가 배치되고, 세정조 아래에는 초음파를 발생시켜 세정조 내부로 제공하는 초음파 발생부가 설치된다.
그런데 웨이퍼 세정 장치는 지지부에 의해 초음파와 세정액의 유속 편차, 사각지대가 발생하면서 특히 외각에 위치한 웨이퍼들의 세정이 불균일하게 이루어지는 문제가 생길 수 있다.
본 발명은 세정액과 초음파가 웨이퍼의 전표면에 대해 균일하게 전달되도록 함으로써 웨이퍼의 세정 효율을 높일 수 있는 웨이퍼 세정 장치를 제공하고자 한다.
본 발명은 세정액을 수용하는 세정조; 상기 세정조 내부에서 다수의 웨이퍼를 지지하는 지지부; 상기 세정조 하부에 위치하며 상기 다수의 웨이퍼를 향해 초음파를 발생시키는 초음파 발생부; 및 상기 세정조와 상기 지지부에 설치되어, 상기 세정조 내부에서 상기 다수의 웨이퍼를 회전시키는 웨이퍼 회전부;를 포함하는 웨이퍼 세정 장치를 제공한다.
상기 지지부는 수직으로 세워진 상기 다수의 웨이퍼의 하부를 지지하는 다수의 콤; 및 상기 다수의 콤을 연결하는 콤 가이드;를 포함할 수 있다.
상기 웨이퍼 회전부는 상기 콤 가이드의 하부에 장착되어, 상기 웨이퍼의 세워진 축을 중심으로 상기 콤 가이드를 정/역 방향으로 회전시킬 수 있다.
상기 웨이퍼 회전부는 상기 콤 가이드를 지지하는 회전판; 상기 회전판 아래에 나란히 배치되고, 상기 회전판에 고정되는 제1 및 제2 실린더; 및 상기 제1 및 제2 실린더를 각각 구동시키는 제1 및 제2 모터;를 포함할 수 있다.
상기 회전판은 상기 제1 및 제2 실린더를 연결하는 연결바를 포함할 수 있다.
상기 회전판은 상기 연결판의 상부에 결합되고 상기 콤 가이드를 지지하는 지지판을 더 포함할 수 있다.
상기 지지판은 원형으로 이루어질 수 있다.
상기 제1 모터와 상기 제2 모터는 상기 회전판을 사이에 두고 마주보도록 배치될 수 있다.
상기 회전판, 상기 제1 및 제2 실린더 중 적어도 어느 하나는 쿼츠(Quartz) 재질을 포함할 수 있다.
한편, 본 발명은 세정액을 수용하는 세정조; 상기 세정조 내부에서 상기 다수의 웨이퍼의 하부를 지지하는 다수의 콤; 상기 다수의 콤을 연결하는 콤 가이드;
상기 콤 가이드를 지지하는 회전판; 상기 회전판 아래에 나란히 배치되고, 상기 회전판에 고정되는 제1 및 제2 실린더; 및 상기 제1 및 제2 실린더를 각각 구동시켜 상기 콤 가이드를 정/역 방향으로 회전시키는 제1 및 제2 모터;를 포함하는 웨이퍼 세정 장치를 제공한다.
실시예에 따르면, 웨이퍼를 지지하는 지지부를 회전시킴으로써 세정조 내부에서 순환하는 세정액과 초음파가 지지부와 간섭되지 않으므로 유속 편차를 개선하여 웨이퍼(W)의 표면에 고르게 접촉되도록 함으로써, 웨이퍼의 중심부와 가장자리 영역에 대한 세정이 균일하게 이루어질 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치의 단면도이다.
도 2는 세정후의 웨이퍼의 불균일한 표면 상태를 보여준다.
도 3은 도 1의 지지부와 웨이퍼 회전부에 대한 평면도이다.
도 4는 도 3의 웨이퍼 회전부의 평면도이다.
도 5 및 도 6은 웨이퍼 회전부의 좌회전 구동 및 웨이퍼의 좌회전 동작을 보여주는 도면들이다.
도 7 및 도 8은 웨이퍼 회전부의 좌회전 구동 및 웨이퍼의 좌회전 동작을 보여주는 도면들이다.
이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예를 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치의 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 세정 장치(1)는 세정조(100), 지지부(200), 세정액 분사부(300), 웨이퍼 회전부(400) 및 초음파 발생부(500)를 포함하여 구성될 수 있다.
세정조(100)는 세정액(10)이 채워지며 일정 양의 세정액(10)을 수용할 수 있다. 세정액(10)은 산이나 알칼리 등의 에칭액 또는 각종 불순물들이 제거된 초순수(DIW, DeIonized Water)일 수 있으며, RCA 세정 방법에 사용되는 SC1(DIW + H2O2 + NH4OH)일 수 있다.
세정조(100)는 욕조 형상을 가지므로 배스(Bath)로도 불리울 수 있다. 예를 들어 세정조(100)는 내부에 빈 공간이 형성되고 상부가 개방된 육면체 형상일 수 있다. 세정조(100)는 내식성과 초음파 전달 성능이 우수한 석영, 사파이어 등의 재질로 이루어질 수 있다. 세정조(100)의 바닥면의 두께는 후술할 초음파 발생부(500)에 발생된 초음파의 투과율이 높도록 초음파 진동수의 3의 배수에 비례하는 3mm, 6mm, 9mm 등으로 이루어질 수 있다.
세정조(100)의 상부 외측에는 세정조(100)로부터 넘치는(Overflow) 세정액(10)을 수용하여 순환시키도록 외부 세정조(120)가 더 설치될 수 있다. 외부 세정조(120)의 아래에는 세정조(100)로부터 넘치는 세정액(10)을 배출시키는 배출관(125)이 형성될 수 있다. 배출관(125)은 순환배관(150)과 연결되어, 외부 세정조(120)로 이동한 세정액(10)은 순환배관(150)을 따라 다시 세정조(100)의 상부 영역으로 재공급될 수 있다. 여기서 순환배관(150)에는 배출관(125)으로 배출된 세정액(10)을 펌핑하는 펌프(700)와 세정액(10)의 오염물질을 필터링하는 필터(600)가 더 설치될 수 있다.
이와 같이 세정액(10)은 세정조(100) 내부에서 세정 공정을 수행하는 동안 외부 세정조(120)로 넘치게 되면, 순환배관(150)을 따라 세정조(100)로 다시 유입되어 재사용되는 리사이클을 가질 수 있다. 전술한 세정조(100)의 형상, 두께 및 재료는 상술한 형태에 제한되지 않고 변형 실시 가능하다.
지지부(200)는 세정을 수행하는 동안 세정조(100) 내부에서 다수개의 웨이퍼(W)를 지지한다. 예를 들어 지지부(200)는 다수의 웨이퍼(W)의 하부 영역을 지지하는 다수의 콤(210, comb)과, 다수의 콤(210)을 연결하는 콤 가이드(250, comb guide)를 포함할 수 있다.
다수의 콤(210)은 각각 슬롯(미도시)이 형성된 봉(bar) 형상으로 이루어지며, 서로 나란하게 배치되면서 수직으로 세워진 다수개의 웨이퍼(W)를 세정조(100) 내부에서 지지할 수 있다. 예를 들어 다수개의 웨이퍼(W)는 25개 내지 50개일 수 있으나 숫자에 제한되지 않는다.
세정액 분사부(300)는 세정조(100) 내부에서 웨이퍼(W)를 향해 세정액(10)을 분사한다. 세정액 분사부(300)는 분사장치, 인젝터로 불리울 수 있다. 세정액 분사부(300)는 순환배관(150)과 연결되면서 세정액(10)을 공급받아 세정조(100) 내부로 분사할 수 있다.
세정액 분사부(300)는 자세하게 도시하지는 않았지만, 순환배관(150)과 연결되어 세정액(10)이 유동하는 유동관과, 유동관에 배치되어 세정액(10)을 세정조(100) 내부로 분사하는 다수의 분사공을 포함할 수 있다. 여기서 유동관은 지지부(200)의 외측을 감싸는 형태로 세정조(100)의 하부, 즉 지지부(200)의 하부에 인접 배치될 수 있다. 다수의 분사공은 웨이퍼(W)를 향하는 유동관의 내측 방향에 배치될 수 있으나 상술한 형태에 제한되지 않고 다양하게 변형 실시가능하다.
초음파 발생부(500)는 세정조(100) 하부에 위치하며 지지부(200)에 지지된 웨이퍼(W)를 향해 초음파를 발생시켜 웨이퍼(W)로 전달할 수 있다. 초음파 발생부(500)에서는 서로 다른 진동수를 갖는 적어도 두 개의 초음파를 발생시켜 세정 능력을 향상시킬 수 있다. 예를 들어 초음파 발생부(500)는 950 KHz의 주파수를 갖는 진동자(Mega-sonic)를 적어도 하나 포함할 수 있다.
초음파 발생부(500)에서 발생된 초음파는 세정액(10)을 통해 상방향으로 전파되어 웨이퍼(W) 표면으로 전달되면서 웨이퍼(W) 표면의 오염 물질이 세정액(10)과 함께 작용하면서 될 수 있다.
여기서 초음파 발생부(500)는 세정조(100) 아래에서 직접 초음파를 전달할 수도 있지만 유체를 통해 초음파를 전달할 수 있다. 이를 위해 초음파 발생부(500)는 초음파 전달수조(140) 내부에 설치될 수 있다. 초음파 전달수조(140)에는 초음파의 전달을 위해 물과 같은 유체가 채워지고 세정조(100)의 하단부는 초음파 전달수조(140)에 채워진 유체에 잠길 수 있다.
이와 같은 구성을 통해 초음파 세정장치(1)는 세정액(10)을 분사함과 동시에 초음파를 발생시켜 웨이퍼(W) 표면의 이물질에 대한 세정을 수행할 수 있다.
도 2는 세정후의 웨이퍼의 불균일한 표면 상태를 보여준다.
한편, 지지부(200)에 배치되는 다수의 웨이퍼(W)들은 웨이퍼 세정 장치(1)는 지지부(200)와의 간섭 및 초음파와 세정액(10)의 유속 편차에 의해 사각 지대(Dead Zone)가 발생하면서 특히 외각에 위치한 웨이퍼(W)들의 세정이 불균일하게 이루어지는 문제가 생길 수 있다.
이러한 원인은 웨이퍼 세정 장치(1)의 오염물질 제거 성능을 약화시키고 웨이퍼(W)에 대한 품질 열위를 가져오므로 개선될 필요가 있다. 따라서 후술하는 실시예들은 세정액(10)과 초음파가 웨이퍼(W)의 전표면에 대해 균일하게 전달되게 함으로써 웨이퍼(W)의 세정 효율을 높여 품질 열위를 방지할 수 있다.
상술한 지지부(200)는 웨이퍼 회전부(400)와 결합되면서 웨이퍼(W)를 회전가능하게 지지할 수 있다. 따라서 지지부(200)는 세정 공정 동안 웨이퍼(W)를 세워진 상태의 축방향으로 회전할 수 있다. 따라서 세정액(10)과 초음파 발생부(500)에서 전달된 초음파는 지지부(200)와 간섭되지 않으므로 유속 편차를 개선하여 웨이퍼(W)의 표면에 고르게 접촉되도록 할 수 있다.
도 3은 도 1의 지지부와 웨이퍼 회전부에 대한 평면도이고, 도 4는 도 3의 웨이퍼 회전부(400)의 평면도이다.
도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 웨이퍼 회전부(400)는 지지부(200), 보다 상세하게는 콤 가이드(250)의 하부에 장착되어 웨이퍼(W)의 세워진 축을 중심으로 콤 가이드(250)를 정/역 방향으로 회전시킬 수 있다.
따라서 지지부(200)는 세정조(100) 내부에서 회전하면서 다수의 웨이퍼(W)를 회전시켜 세정액(10)과 초음파 발생부(500)에서 전달된 초음파는 지지부(200)와 간섭되지 않으므로 유속 편차를 개선하여 웨이퍼(W)의 표면에 고르게 접촉되도록 할 수 있다.
도 4를 참조하면, 웨이퍼 회전부(400)는 회전판(410), 제1 실린더(450), 제2 실린더(460), 제1 모터(430), 제2 모터(440)를 포함하여 구성될 수 있다.
회전판(410)은 콤 가이드(250)를 지지하면서 중심축{웨이퍼(W)가 세워진 축 방향}을 중심으로 정방향 또는 역방향으로 회전할 수 있다.
회전판(410)은 콤 가이드(250)를 지지하는 지지판(411)과, 지지판(411)의 아래에 결합되는 연결바(420)를 포함하여 구성될 수 있다.
예를 들어 지지판(411)은 원형의 플레이트로 이루어질 수 있다. 지지판(411)의 상부에는 지지부(200)가 지지될 수 있다. 지지판(411)은 초음파와의 간섭 및 유속 편차를 개선할 수 있도록 중심 영역이 관통된 형상을 가질 수도 있다.
연결바(420)는 지지판(411)의 중심 영역을 가로지는 형태로 지지판(411)의 하부로 돌출된 형상을 가질 수 있다. 연결바(420)의 양 단부는 제1 실린더(450)와 제2 실린더(460)의 상부면에 각각 고정될 수 있다. 따라서 회전판(410)은 제1 실린더(450) 및 제2 실린더(460)를 연결한다.
제1 실린더(450)와 제2 실린더(460)는 회전판(410) 아래에 나란히 배치되고, 회전판(410)에 고정되면서 회전판(410)을 정/역으로 회전시킬 수 있다.
제1 실린더(450) 및 제2 실린더(460)는 지지부(200)의 콤(210)의 길이 방향과 나란하게 서로 배치될 수 있다. 제1 실린더(450) 및 제2 실린더(460)는 제1 모터(430) 및 제2 모터(440)에 의해 각각 구동되면서 선형으로 위치가 변화될 수 있다. 이때, 제1 실린더(450) 및 제2 실린더(460)는 회전판(410)에 고정되므로 회전판(410)에 의해 서로 연동되는 동작을 하므로 위치 관계는 일정한 패턴으로 제한된다.
제1 모터(430)와 제2 모터(440)는 회전판(410)을 사이에 두고 마주보도록 배치될 수 있다.
도 5 및 도 6은 웨이퍼 회전부의 좌회전 구동 및 웨이퍼의 좌회전 동작을 보여주는 도면들이고, 도 7 및 도 8은 웨이퍼 회전부의 좌회전 구동 및 웨이퍼의 좌회전 동작을 보여주는 도면들이다.
도 5 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 회전부(400)는 지지부(200)를 웨이퍼(W)가 세워진 방향을 중심으로 정방향 또는 역방향으로 회전시킬 수 있다.
도 5 에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 회전부(400)는 제1 모터(430)에 연결된 제1 실린더(450)를 제2 모터(440) 방향으로 이동시키게 되면, 제1 실린더(450)에 고정된 회전판(410)은 위치가 변화하면서 제2 모터(440)를 향해 이동하게 된다. 이때, 회전판(410)은 제2 실린더(460)와도 고정되므로 회전하면서 제2 실린더(460)를 제1 모터(430) 방향으로 이동시키게 된다. 이러한 연동 동작을 보다 자연스럽고 원활하게 하기 위해서 제1 모터(430)의 동작과 함께 제2 모터(440)는 제2 실린더(460)를 제1 모터(430) 방향으로 이동시킬 수 있다.
이러한 동작에 따라 도 6에 도시된 바와 같이 회전판(410)은 회전하면서 상부에 고정된 지지부(200)를 반시계 방향으로 회전시킬 수 있다.
반대로 도 7에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 회전부(400)는 제1 모터(430)에 연결된 제1 실린더(450)를 제1 모터(430) 방향으로 이동시키게 되면, 제1 실린더(450)에 고정된 회전판(410)은 위치가 변화하면서 시계방향으로 회전하면서 제1 모터(430)를 향해 이동하게 된다. 제2 모터(440)는 제2 실린더(460)를 제2 모터(440)를 향해 이동시키면서 회전판(410)은 시계방향으로 이동하게 된다.
이러한 동작에 따라 도 8에 도시된 바와 같이 회전판(410)은 회전하면서 상부에 고정된 지지부(200)를 시계 방향으로 회전시킬 수 있다.
이와 같이 실시예의 웨이퍼 세정 장치에 따르면, 웨이퍼를 지지하는 지지부를 회전시킴으로써 세정조(100) 내부에서 순환하는 세정액과 초음파가 지지부와 간섭되지 않으므로 유속 편차를 개선하여 웨이퍼(W)의 표면에 고르게 접촉되도록 함으로써, 웨이퍼의 중심부와 가장자리 영역에 대한 세정이 균일하게 이루어질 수 있다.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
1 : 웨이퍼 세정 장치 10 : 세정액
100 : 세정조 120 : 외부 세정조
140 : 초음파 전달수조 150 : 순환배관
200 : 지지부 210 : 콤(comb)
250 : 콤 가이드(comb guide) W : 웨이퍼
300 : 세정액 분사부 400 : 웨이퍼 회전부
410 : 회전판 420 : 연결바
430 : 제1 모터 440 : 제2 모터
450 : 제1 실린더 460 : 제2 실린더
500 : 초음파 발생부 500 : 순환배관
600 : 필터 700 : 펌프

Claims (10)

  1. 세정액을 수용하는 세정조;
    상기 세정조 내부에서 다수의 웨이퍼를 지지하는 지지부;
    상기 세정조 하부에 위치하며 상기 다수의 웨이퍼를 향해 초음파를 발생시키는 초음파 발생부; 및
    상기 세정조와 상기 지지부에 설치되어, 상기 세정조 내부에서 상기 다수의 웨이퍼를 회전시키는 웨이퍼 회전부;를 포함하는 웨이퍼 세정 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 지지부는
    수직으로 세워진 상기 다수의 웨이퍼의 하부를 지지하는 다수의 콤; 및
    상기 다수의 콤을 연결하는 콤 가이드;를 포함하는 웨이퍼 세정 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 웨이퍼 회전부는 상기 콤 가이드의 하부에 장착되어, 상기 웨이퍼의 세워진 축을 중심으로 상기 콤 가이드를 정/역 방향으로 회전시키는 웨이퍼 세정 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 웨이퍼 회전부는
    상기 콤 가이드를 지지하는 회전판;
    상기 회전판 아래에 나란히 배치되고, 상기 회전판에 고정되는 제1 및 제2 실린더; 및
    상기 제1 및 제2 실린더를 각각 구동시키는 제1 및 제2 모터;를 포함하는 웨이퍼 세정 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 회전판은 상기 제1 및 제2 실린더를 연결하는 연결바를 포함하는 웨이퍼 세정 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 회전판은 상기 연결판의 상부에 결합되고 상기 콤 가이드를 지지하는 지지판을 더 포함하는 웨이퍼 세정 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 지지판은 원형으로 이루어진 웨이퍼 세정 장치.
  8. 제4항에 있어서,
    상기 제1 모터와 상기 제2 모터는 상기 회전판을 사이에 두고 마주보도록 배치되는 웨이퍼 세정 장치.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 회전판, 상기 제1 및 제2 실린더 중 적어도 어느 하나는 쿼츠(Quartz) 재질을 포함하는 웨이퍼 세정 장치.
  10. 세정액을 수용하는 세정조;
    상기 세정조 내부에서 상기 다수의 웨이퍼의 하부를 지지하는 다수의 콤;
    상기 다수의 콤을 연결하는 콤 가이드;
    상기 콤 가이드를 지지하는 회전판;
    상기 회전판 아래에 나란히 배치되고, 상기 회전판에 고정되는 제1 및 제2 실린더; 및
    상기 제1 및 제2 실린더를 각각 구동시켜 상기 콤 가이드를 정/역 방향으로 회전시키는 제1 및 제2 모터;를 포함하는 웨이퍼 세정 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN113097121A (zh) * 2021-03-30 2021-07-09 上海华力微电子有限公司 一种晶圆清洗装置及清洗方法
CN116092978A (zh) * 2023-01-31 2023-05-09 深圳市鑫承诺环保产业股份有限公司 一种半导体硅片微沟槽颗粒杂质清洗设备

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