CN113097121A - 一种晶圆清洗装置及清洗方法 - Google Patents

一种晶圆清洗装置及清洗方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113097121A
CN113097121A CN202110340976.3A CN202110340976A CN113097121A CN 113097121 A CN113097121 A CN 113097121A CN 202110340976 A CN202110340976 A CN 202110340976A CN 113097121 A CN113097121 A CN 113097121A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
cleaning
nozzles
nozzle
drying
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110340976.3A
Other languages
English (en)
Inventor
叶敬超
黄景山
王春伟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Original Assignee
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Huali Microelectronics Corp filed Critical Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority to CN202110340976.3A priority Critical patent/CN113097121A/zh
Publication of CN113097121A publication Critical patent/CN113097121A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/022—Cleaning travelling work
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft

Abstract

本发明提供了晶圆清洗装置及清洗方法，包括：清洗干燥腔；晶圆夹持组件，用于竖直固定所述晶圆并驱动所述晶圆旋转；摆臂，具有一自由端，所述自由端可在所述清洗干燥腔内的竖直面内摆动；至少两个第一喷嘴及至少一个第二喷嘴，所述第一喷嘴及所述第二喷嘴均设置于所述自由端上可且喷射角度可调整，其中，所述第一喷嘴用于向所述晶圆喷射干燥气体，所述第二喷嘴用于向所述晶圆的中心垂直喷射清洗液。利用第二喷嘴向竖直设置的晶圆的中心垂直喷射清洗液，并通过晶圆的旋转对晶圆表面形成浸润及冲洗，再利用第一喷嘴向晶圆喷射干燥气体以清洗干燥晶圆，并同时通过晶圆的旋转以彻底干燥晶圆，以解决现有晶圆清洗装置清洗效果不佳的问题。

Description

一种晶圆清洗装置及清洗方法
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种晶圆清洗装置及清洗方法。
背景技术
在半导体工艺过程中，为了满足晶圆表面的洁净度要求，通常会对晶圆进行清洗干燥。因此，晶圆清洗干燥技术是影响半导体器件的良率、器件品质及可靠性的重要因素之一。晶圆清洗干燥的目的是去除附着在晶圆表面上的颗粒、有机物、金属和氧化物等污染物，以避免污染物对后续的工艺产生不良影响。
以铜互连中CMP(Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光)后的清洗干燥为例，若无法将CMP工艺后的晶圆清洗干燥完全，则会致使铜被残留物氧化形成Humpdefect(凸起缺陷)，从而严重影响晶圆产品质量。
因此，如何提高晶圆的清洗干燥效果，确保晶圆产品的质量，是目前亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶圆清洗装置及清洗方法，以解决现有晶圆清洗干燥装置清洗干燥效果不佳的问题。
为解决上述技术问题，基于本发明的一个方面，本发明提供一种晶圆清洗装置，用于对CMP工艺后的晶圆进行清洗及干燥，包括：清洗干燥腔；晶圆夹持组件，用于竖直固定所述晶圆并驱动所述晶圆旋转；摆臂，具有一自由端，所述自由端可在所述清洗干燥腔内的竖直面内摆动；至少两个第一喷嘴及至少一个第二喷嘴，所述第一喷嘴及所述第二喷嘴均设置于所述自由端上可且喷射角度可调整，其中，所述第一喷嘴用于向所述晶圆喷射干燥气体，所述第二喷嘴用于向所述晶圆的中心垂直喷射清洗液。
可选的，所述至少两个第一喷嘴沿所述摆臂的长度方向排布成一列，所述第二喷嘴沿所述摆臂的长度方向排成另一列，且所述第一喷嘴和第二喷嘴沿所述摆臂的长度方向相互错开排布。
可选的，所述第一喷嘴的数量为三个，所述第一喷嘴的数量为两个，所述第二喷嘴位于相邻两个第一喷嘴的中垂线上。
可选的，两个所述第一喷嘴的间隔为20～30mm。
可选的，对CMP工艺后的晶圆进行清洗及干燥，所述自由端正对所述晶圆的中心，所述第二喷嘴垂直朝向所述晶圆，所述至少两个第一喷嘴倾斜朝向所述晶圆且喷射角度相同。
可选的，所述干燥气体为IPA与氮气的混合气体，所述清洗液为去离子水。
可选的，所述第一喷嘴喷射的干燥气体的形状为扇形，所述第二喷嘴喷射的清洗液的形状为柱状。
可选的，所述晶圆夹持部件包括夹持部件及驱动部件，所述夹持部件用于竖直固定所述晶圆，所述驱动部件用于驱动所述晶圆旋转。
可选的，罩体，所述罩体环设于所述晶圆夹持组件的上半部，且与所述清洗干燥腔体固定连接；排气机构，所述排气机构设置于所述清洗干燥腔的侧壁或底部；以及，排液机构，所述排液机构设置于所述清洗干燥腔的底部。
基于本发明的另一个方面，本发明还提供一种晶圆清洗方法，包括如下步骤：
晶圆夹持组件驱动所述晶圆以第一旋转速度旋转，第二喷嘴向所述晶圆中心垂直喷射清洗液；以及，晶圆夹持组件驱动所述晶圆以第二旋转速度旋转，第一喷嘴向所述晶圆喷射干燥气体；其中，所述第二旋转速度大于所述第一旋转速度。
综上所述，本发明提供了一种晶圆清洗装置及清洗方法，利用第二喷嘴向竖直设置的晶圆的中心垂直喷射清洗液，并通过晶圆的旋转对晶圆表面形成浸润及冲洗，再利用第一喷嘴向晶圆喷射干燥气体以清洗干燥晶圆，并同时通过晶圆的旋转以彻底干燥晶圆，以解决现有晶圆清洗装置清洗效果不佳的问题。
附图说明
本领域的普通技术人员应当理解，提供的附图用于更好地理解本发明，而不对本发明的范围构成任何限定。其中：
图1是本申请实施例提供的晶圆清洗装置工作时的示意图；
图2是本申请实施例提供的一种摆臂的的示意图；
图3是本申请实施例提供的晶圆清洗装置工作时的A-A的示意图；
图4是本申请实施例提供的晶圆清洗装置未工作时的示意图；
图5是本申请实施例提供的晶圆清洗方法的流程图。
附图中：
100-晶圆；
10-清洗干燥腔；
21-夹持部件；30-摆臂；31-固定端；32-自由端；
41-第一喷嘴；42-第二喷嘴；
51-排气机构，52-排液机构；
60-罩体。
具体实施方式
为使本发明的目的、优点和特征更加清楚，以下结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且未按比例绘制，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。此外，附图所展示的结构往往是实际结构的一部分。特别的，各附图需要展示的侧重点不同，有时会采用不同的比例。
如在本发明中所使用的，单数形式“一”、“一个”以及“该”包括复数对象，术语“或”通常是以包括“和/或”的含义而进行使用的，术语“若干”通常是以包括“至少一个”的含义而进行使用的，术语“至少两个”通常是以包括“两个或两个以上”的含义而进行使用的，此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者至少两个该特征，除非内容另外明确指出外。
本发明提供一种晶圆清洗装置及清洗方法，以解决现有晶圆清洗装置清洗干燥效果不佳的问题。
图1是本申请实施例提供的晶圆清洗装置工作时的示意图。请参照图1，上述的晶圆清洗装置包括：清洗干燥腔10、晶圆夹持组件、摆臂30、至少两个第一喷嘴41及至少一个第二喷嘴42。其中，晶圆夹持组件，用于竖直固定晶圆100并驱动晶圆100旋转。摆臂30，具有一自由端32，自由端32可在清洗干燥腔10内的竖直面内摆动；至少两个第一喷嘴41及至少一个第二喷嘴42，第一喷嘴41及第二喷嘴42均设置于自由端32上且且喷射角度可调整，第一喷嘴41用于向晶圆100喷射干燥气体，第二喷嘴用于向晶圆100的中心垂直喷射清洗液。
需要说明的是，至少两个第一喷嘴41沿摆臂30的长度方向排布成一列，第二喷嘴42沿摆臂30的长度方向排成另一列，且第一喷嘴41和第二喷嘴42沿摆臂30的长度方向相互错开排布。图1中所示出的第一喷嘴41的数量为两个，第二喷嘴42的数量为一个，其为达到较佳清洗干燥效果的最低数量。
若布置更多的第一喷嘴41和第二喷嘴42，例如图2所示包括三个第一喷嘴41及两个第二喷嘴42，且第二喷嘴位42于相邻两个第一喷嘴41的中垂线上，其清洗干燥的效果更佳，但成本相对更高。
其中，第二喷嘴42用于向晶圆00喷射清洗液。该清洗液可以是去DIW(去离子水)，也可以是其他清洗溶剂。本申请实施例以铜互连工艺中CMP(Chemical MechanicalPolishing，化学机械抛光)后的清洗干燥为例加以说明。在本实施例中，清洗液为DIW。
在清洗时，首先利用第二喷嘴42喷射DIW，一方面可以对晶圆100形成一定的冲洗效果，更重要的一方面是对晶圆100待清洗表面形成浸润效果，也即是在其表面形成一层液膜。为提高液膜形成后的清洗的效果，晶圆100采用竖直固定，且处于旋转状态。
上述晶圆100的固定是利用晶圆夹持组件以实现的。具体的，本申请实施的晶圆夹持组件采用单片竖直夹持以清洗干燥，包括夹持部件21及驱动部件(图1中未示出)，夹持部件21用于竖直固定晶圆100，驱动部件用于驱动夹持部件21旋转。为更佳的清洗干燥效果，可减少或避免夹持部件21与晶圆100的正面接触，夹持部件21的固定方式以背面固定或侧面固定为最佳。背面固定可以例如为吸盘固定，侧面固定可以例如为侧面挤压夹持。驱动部件(例如电机)，优选设置于清洗干燥腔10的外部，并与持部件21传动连接。
值得一提的是，在第二喷嘴42喷射DIW于晶圆100表面形成液膜时，驱动部件驱动晶圆100处于第一旋转速度。为便于区别，第一旋转速度可称为低速旋转状态，其转速范围例如为100～500r/min。众所周知，晶圆100表面有许多芯片单元，相邻芯片单元之间有多个微小结构，微小结构包括但不限于梁、桥、间隙、沟槽等。多且复杂的微小结构，其实也是造成现有技术清洗干燥效果不佳的部分原因。
不难理解，第一旋转速度的具体转速需结合晶圆100的尺寸、清洗前状态及清洗液等相应调整，若转速过低，不仅耗费时间，也不利于清洗液对晶圆100表面微小结构的充分浸润，反之，则易导致液膜无法完整覆盖整个晶圆100表面。优选的，针对12寸晶圆100，铜互联CMP后的清洗干燥的第一旋转速度的转速可在250～350r/min之间。
进一步的，清洗时，第二喷嘴42面向晶圆100的中心，且垂直喷射清洗液于晶圆100的中心，通过晶圆00的旋转将清洗液形成液膜并覆盖整个晶圆100表面。由于晶圆100竖直设置且低速旋转，清洗液喷射到晶圆00中心时，可充分利用清洗液本身的重力及表面张力，使得液膜形成更均匀，浸润效果也更佳。应理解，若晶圆清洗装置设有不止一个第二喷嘴42时，则只须一个第二喷嘴42可面向晶圆100的中心。
更进一步的，第二喷嘴42喷射清洗液的形状为柱状，相比其他的雾状喷射，例如扇形或锥形，柱状喷射的流量更大更集中，有助于利用清洗液本身的重力及晶圆旋转的离心力，而达成更好的浸润效果。从另一方面而言，柱状喷射还可具有一定的冲洗效果，也能相应带走更多污染物。
第二喷嘴42喷射清洗液一定时间后停止，第一喷嘴41喷射干燥气体以清洗干燥晶圆。在本实施例中，请继续参照图1，第一喷嘴41的数量为两个，间隔为20～30mm，为便于设置，两个第一喷嘴41与第二喷嘴42并未在同一直线上。
图3是本申请实施例提供的晶圆清洗装置工作时的A-A的示意图，如图3所示，自由端32位于夹持部件21的中心，第一喷嘴41倾斜朝向晶圆100的表面且倾斜角度相同。如此设置两个或多个第一喷嘴41，一方面可以达到类似前一道干燥气体(前一个第一喷嘴41)初步去除液膜，去除液膜的同时即可带走大部分杂质，同时，后一道喷射气体(后一个第一喷嘴41)则可将干燥气体送入晶圆100表面的微小结构，特别是沟槽、间隙等，以实现清洗干燥。
为提高清洗干燥的效果，可提高第一喷嘴41喷射的干燥气体的覆盖面积，将液膜从晶圆100表面中心向外去除。优选地，第一喷嘴41喷射的干燥气体的形状为扇形或锥形，该喷射气体在晶圆100表面至少需要覆盖从中心到边缘的部分区域，并同时通过晶圆100的旋转，即可完整的覆盖整个晶圆00表面。实作中，可结合第一喷嘴41离晶圆100表面的距离、第一喷嘴41喷射气体的范围(角度)，相对应的调节第一喷嘴41倾斜的角度，以达到更佳的清洗干燥效果。
在本实施例中，第一喷嘴41喷射的干燥气体为IPA(异丙醇)蒸汽和氮气的混合气体。IPA易挥发，能和水自由混合，且对亲油性物质具有极强的溶解性，不仅具有吸水性能去除水渍，还具有溶解性以溶解并去除污染物。混合气体中，氮气作为载体气体，且氮气占比较高，例如氮气体积：IPA质量为10L：0.36g。优选的，因IPA易燃爆，IPA与氮气均为常温(例如22℃)。
进一步的，在第一喷嘴41喷射IPA蒸汽和氮气混合气体以清洗干燥过程中，晶圆100的转速为第二旋转速度，其大于第一旋转速度，例如大于700r/min，也可称为高速旋转。与常规的高压气体吹扫表面以去除水分及杂质不同，IPA蒸汽和氮气混合气体不仅有吹扫去除水分及杂质，更重要的是可利用IPA分子的分子作用力，将水分去除(吸水)，或利用溶解性溶解污染物。需要注意的是，为了达到上述效果，且有利于IPA分子进入晶圆100表面的微小结构，晶圆旋转的转速不可过快，第一喷嘴41喷射气体的压力不可过大(例如在0.3～0.5Mpa)。
在整个清洗干燥过程中，第二喷嘴42喷射清洗液及晶圆低速旋转的时间较短(例如为5秒)，而第一喷嘴41喷射干燥气体及晶圆高速旋转的时间相对较长(例如为40秒)，整个清洗干燥过程大约60秒左右。应理解，具体每个过程清洗时间的设定与具体晶圆100的情况有关，可据实际效果做灵活调整。
不仅如此，晶圆清洗装置还包括罩体60、排气机构52及排液机构51。罩体60环设于晶圆夹持组件的上半部，且与清洗干燥腔体10的侧壁固定连接，用于防止清洗液及干燥气体的飞溅。图4是本申请实施例提供的晶圆清洗装置未工作时的示意图，如图4所示，未清洗干燥时，为便于摆臂30的摆动，摆臂30位于夹持部件21之外。排气机构52设置于清洗干燥腔10的侧壁或底部，用于气体的排出。排液机构51设置于清洗干燥腔10的底部，用于清洗液的排出。
图5是本申请实施例提供的晶圆清洗方法的流程图，如图5所示，本发明还提供了一种利用上述的晶圆清洗装置的清洗方法，包括如下步骤：
步骤S01：晶圆夹持组件驱动晶圆100以第一旋转速度旋转，第二喷嘴向晶圆中心垂直喷射清洗液；
步骤S02：晶圆夹持组件驱动晶圆100以第二旋转速度旋转，第一喷嘴向晶圆喷射干燥气体；
其中，第二旋转速度大于第一旋转速度。
若步骤S02之后，发现晶圆清洗干燥的效果不佳，可适应性调整参数，例如延长清洗时间、增加或减少第一喷嘴41及第二喷嘴42的喷射压力、调整喷射流量及喷射角度，或者重复执行步骤S01及步骤S02采用多次清洗干燥以进一步提升清洗干燥效果。
综上所述，本发明提供了一种晶圆清洗装置及清洗方法，利用第二喷嘴向竖直设置的晶圆的中心垂直喷射清洗液，并通过晶圆的旋转对晶圆表面形成浸润及冲洗，再利用第一喷嘴向晶圆喷射干燥气体以清洗干燥晶圆，并同时通过晶圆的旋转以彻底干燥晶圆，以解决现有晶圆清洗装置清洗效果不佳的问题。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。

Claims (10)

1.一种晶圆清洗装置，用于对CMP工艺后的晶圆进行清洗及干燥，其特征在于，包括：
清洗干燥腔；
晶圆夹持组件，用于竖直固定所述晶圆并驱动所述晶圆旋转；
摆臂，具有一自由端，所述自由端可在所述清洗干燥腔内的竖直面内摆动；
至少两个第一喷嘴及至少一个第二喷嘴，所述第一喷嘴及所述第二喷嘴均设置于所述自由端上可且喷射角度可调整，其中，所述第一喷嘴用于向所述晶圆喷射干燥气体，所述第二喷嘴用于向所述晶圆的中心垂直喷射清洗液。
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述至少两个第一喷嘴沿所述摆臂的长度方向排布成一列，所述第二喷嘴沿所述摆臂的长度方向排成另一列，且所述第一喷嘴和第二喷嘴沿所述摆臂的长度方向相互错开排布。
3.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第一喷嘴的数量为三个，所述第一喷嘴的数量为两个，所述第二喷嘴位于相邻两个第一喷嘴的中垂线上。
4.根据权利要求3所述的晶圆清洗装置，其特征在于，两个所述第一喷嘴的间隔为20～30mm。
5.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，对CMP工艺后的晶圆进行清洗及干燥，所述自由端正对所述晶圆的中心，所述第二喷嘴垂直朝向所述晶圆，所述至少两个第一喷嘴倾斜朝向所述晶圆且喷射角度相同。
6.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述干燥气体为IPA与氮气的混合气体，所述清洗液为去离子水。
7.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第一喷嘴喷射的干燥气体的形状为扇形，所述第二喷嘴喷射的清洗液的形状为柱状。
8.根据权利要求1所述的晶圆清洗干燥装置，其特征在于，所述晶圆夹持部件包括夹持部件及驱动部件，所述夹持部件用于竖直固定所述晶圆，所述驱动部件用于驱动所述晶圆旋转。
9.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，还包括：
罩体，所述罩体环设于所述晶圆夹持组件的上半部，且与所述清洗干燥腔体的侧壁固定连接；
排气机构，所述排气机构设置于所述清洗干燥腔的侧壁或底部；以及，
排液机构，所述排液机构设置于所述清洗干燥腔的底部。
10.一种清洗方法，用于对CMP工艺后的晶圆进行清洗及干燥，其特征在于，利用如权利要求1至9中任一项所述的晶圆清洗装置执行如下步骤：
晶圆夹持组件驱动所述晶圆以第一旋转速度旋转，第二喷嘴向所述晶圆中心垂直喷射清洗液；以及，
晶圆夹持组件驱动所述晶圆以第二旋转速度旋转，第一喷嘴向所述晶圆喷射干燥气体；
其中，所述第二旋转速度大于所述第一旋转速度。
CN202110340976.3A 2021-03-30 2021-03-30 一种晶圆清洗装置及清洗方法 Pending CN113097121A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110340976.3A CN113097121A (zh) 2021-03-30 2021-03-30 一种晶圆清洗装置及清洗方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110340976.3A CN113097121A (zh) 2021-03-30 2021-03-30 一种晶圆清洗装置及清洗方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113097121A true CN113097121A (zh) 2021-07-09

Family

ID=76670925

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110340976.3A Pending CN113097121A (zh) 2021-03-30 2021-03-30 一种晶圆清洗装置及清洗方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113097121A (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113843235A (zh) * 2021-08-06 2021-12-28 徐州鑫晶半导体科技有限公司 晶圆盒清洗装置及其控制方法
CN114136068A (zh) * 2021-11-25 2022-03-04 北京烁科精微电子装备有限公司 一种晶圆干燥系统和晶圆干燥方法
CN114160500A (zh) * 2021-11-29 2022-03-11 长江存储科技有限责任公司 晶圆清洗装置
CN114999960A (zh) * 2022-06-02 2022-09-02 智程半导体设备科技(昆山)有限公司 一种单片晶圆清洗设备
CN115312436A (zh) * 2022-08-12 2022-11-08 智程半导体设备科技(昆山)有限公司 一种自动上料的晶圆清洗装置
CN116864377A (zh) * 2023-09-04 2023-10-10 江苏京创先进电子科技有限公司 太鼓晶圆处理方法
CN116884888A (zh) * 2023-09-07 2023-10-13 苏州智程半导体科技股份有限公司 一种干燥装置及半导体设备

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110308549A1 (en) * 2010-06-17 2011-12-22 Tokyo Electron Limited Substrate processing method, storage medium storing computer program for performing substrate processing method, and substrate processing apparatus
CN105983546A (zh) * 2015-02-13 2016-10-05 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆清洗方法
CN109227359A (zh) * 2018-10-19 2019-01-18 清华大学 化学机械抛光系统及方法、晶圆的后处理单元
CN111540702A (zh) * 2020-07-10 2020-08-14 清华大学 竖直马兰戈尼晶圆处理装置
CN111536783A (zh) * 2020-07-10 2020-08-14 清华大学 喷射角度可调的马兰戈尼干燥装置
KR20200113366A (ko) * 2019-03-25 2020-10-07 에스케이실트론 주식회사 웨이퍼 세정 장치
CN111785663A (zh) * 2020-07-10 2020-10-16 华海清科股份有限公司 一种晶圆后处理系统

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110308549A1 (en) * 2010-06-17 2011-12-22 Tokyo Electron Limited Substrate processing method, storage medium storing computer program for performing substrate processing method, and substrate processing apparatus
CN105983546A (zh) * 2015-02-13 2016-10-05 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆清洗方法
CN109227359A (zh) * 2018-10-19 2019-01-18 清华大学 化学机械抛光系统及方法、晶圆的后处理单元
KR20200113366A (ko) * 2019-03-25 2020-10-07 에스케이실트론 주식회사 웨이퍼 세정 장치
CN111540702A (zh) * 2020-07-10 2020-08-14 清华大学 竖直马兰戈尼晶圆处理装置
CN111536783A (zh) * 2020-07-10 2020-08-14 清华大学 喷射角度可调的马兰戈尼干燥装置
CN111785663A (zh) * 2020-07-10 2020-10-16 华海清科股份有限公司 一种晶圆后处理系统

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113843235A (zh) * 2021-08-06 2021-12-28 徐州鑫晶半导体科技有限公司 晶圆盒清洗装置及其控制方法
CN113843235B (zh) * 2021-08-06 2022-11-04 徐州鑫晶半导体科技有限公司 晶圆盒清洗装置及其控制方法
CN114136068A (zh) * 2021-11-25 2022-03-04 北京烁科精微电子装备有限公司 一种晶圆干燥系统和晶圆干燥方法
CN114160500A (zh) * 2021-11-29 2022-03-11 长江存储科技有限责任公司 晶圆清洗装置
CN114999960A (zh) * 2022-06-02 2022-09-02 智程半导体设备科技(昆山)有限公司 一种单片晶圆清洗设备
CN115312436A (zh) * 2022-08-12 2022-11-08 智程半导体设备科技(昆山)有限公司 一种自动上料的晶圆清洗装置
CN115312436B (zh) * 2022-08-12 2023-09-05 苏州智程半导体科技股份有限公司 一种自动上料的晶圆清洗装置
CN116864377A (zh) * 2023-09-04 2023-10-10 江苏京创先进电子科技有限公司 太鼓晶圆处理方法
CN116864377B (zh) * 2023-09-04 2023-11-10 江苏京创先进电子科技有限公司 太鼓晶圆处理方法
CN116884888A (zh) * 2023-09-07 2023-10-13 苏州智程半导体科技股份有限公司 一种干燥装置及半导体设备
CN116884888B (zh) * 2023-09-07 2023-11-28 苏州智程半导体科技股份有限公司 一种干燥装置及半导体设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113097121A (zh) 一种晶圆清洗装置及清洗方法
KR102450849B1 (ko) 기판 세정 장치 및 기판 처리 장치
JP3322853B2 (ja) 基板の乾燥装置および洗浄装置並びに乾燥方法および洗浄方法
US6770151B1 (en) Drying a substrate using a combination of substrate processing technologies
KR101160100B1 (ko) 동심 근접 처리 헤드
KR101136772B1 (ko) 근접 메니스커스 분기관
KR100530700B1 (ko) 기판의양면세정장치
US8122899B2 (en) Apparatus and method for treating substrate
US8261758B2 (en) Apparatus and method for cleaning and removing liquids from front and back sides of a rotating workpiece
US20060102198A1 (en) Rotational thermophoretic drying
US20050252526A1 (en) Single wafer cleaning apparatus and cleaning method thereof
KR100886593B1 (ko) 경사진 회전과 헹굼 및 건조모듈과 이의 이용방법
CN212257357U (zh) 竖直马兰戈尼晶圆处理装置
KR20100138760A (ko) 액처리 장치 및 액처리 방법
JP2001319908A (ja) 被処理物のウエット処理方法及びその装置
KR20110077705A (ko) 매엽식 웨이퍼 세정 장치 및 방법
JP2004335671A (ja) 枚葉式２流体洗浄装置及び半導体装置の洗浄方法
JP2000100768A (ja) 回転処理装置
KR101044409B1 (ko) 기판 세정 방법
JP2001316878A (ja) 液処理装置および液処理システムならびに液処理方法
JP4347765B2 (ja) 基板処理装置
KR20080010997A (ko) 웨이퍼 건조방법
CN219778838U (zh) 一种晶圆后处理装置
US20070051389A1 (en) Method and apparatus for substrate rinsing
KR20070034807A (ko) 반도체 웨이퍼 건조 장치 및 건조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination