CN116884888A - 一种干燥装置及半导体设备 - Google Patents

一种干燥装置及半导体设备 Download PDF

Info

Publication number
CN116884888A
CN116884888A CN202311147164.2A CN202311147164A CN116884888A CN 116884888 A CN116884888 A CN 116884888A CN 202311147164 A CN202311147164 A CN 202311147164A CN 116884888 A CN116884888 A CN 116884888A
Authority
CN
China
Prior art keywords
gas
nozzle
wafer
drying
air
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202311147164.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN116884888B (zh
Inventor
赵天翔
杨仕品
孙先淼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Zhicheng Semiconductor Technology Co ltd
Original Assignee
Suzhou Zhicheng Semiconductor Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suzhou Zhicheng Semiconductor Technology Co ltd filed Critical Suzhou Zhicheng Semiconductor Technology Co ltd
Priority to CN202311147164.2A priority Critical patent/CN116884888B/zh
Publication of CN116884888A publication Critical patent/CN116884888A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN116884888B publication Critical patent/CN116884888B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26DRYING
    • F26BDRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B21/00Arrangements or duct systems, e.g. in combination with pallet boxes, for supplying and controlling air or gases for drying solid materials or objects
    • F26B21/001Drying-air generating units, e.g. movable, independent of drying enclosure
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26DRYING
    • F26BDRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B21/00Arrangements or duct systems, e.g. in combination with pallet boxes, for supplying and controlling air or gases for drying solid materials or objects
    • F26B21/004Nozzle assemblies; Air knives; Air distributors; Blow boxes
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26DRYING
    • F26BDRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B21/00Arrangements or duct systems, e.g. in combination with pallet boxes, for supplying and controlling air or gases for drying solid materials or objects
    • F26B21/06Controlling, e.g. regulating, parameters of gas supply
    • F26B21/10Temperature; Pressure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明提供了一种干燥装置及半导体设备,该干燥装置包括:用于输送流体的供给壳体,以及配置于供给壳体以将流体喷射至晶圆表面的流体喷射部;流体喷射部包括:导风盖,导风盖沿晶圆所在方向凸设形成导风部,以及并排间隔设置并贯穿导风盖的第一喷嘴与第二喷嘴;导风部被构造出狭长形的出气口,导风部通过出气口向晶圆表面喷射干燥气体,第一喷嘴用于向晶圆表面喷射清洗液体,第二喷嘴用于向晶圆表面喷射含表面活性物质的处理气体;第一喷嘴与出气口纵长侧壁相对设置。通过本申请,实现了在干燥气体对晶圆表面的液流膜进行剥离的过程中快速地对晶圆表面残留的待蒸发的IPA进行干燥处理,以提高晶圆表面的干燥效率。

Description

一种干燥装置及半导体设备
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种干燥装置及半导体设备。
背景技术
在晶圆制造过程中,为达到晶圆表面无污染物的目的,需要对晶圆表面进行多次清洗,以去除晶圆表面附着的金属离子、原子、有机物及微粒等污染物,确保晶圆表面的清洁度。晶圆经过清洗后,晶圆表面会残留清洗液,由于清洗液中溶有杂质,因此,还需要对晶圆表面进行干燥处理,以清除残留于晶圆表面的清洗液。
公开号为CN111536783B的中国发明专利公开了一种喷射角度可调的马兰戈尼干燥装置,包括:用于竖直旋转晶圆的驱动机构、用于输送流体的供给臂以及箱体;所述供给臂可竖直地摆动并经由设置于其自由端处的喷嘴组件将流体供应至晶圆上;所述喷嘴组件包括具有喷嘴的第一喷嘴臂和第二喷嘴臂,所述第一喷嘴臂和第二喷嘴臂沿所述供给臂延长,可旋转地固定配置于所述供给臂的自由端;所述第一喷嘴臂位于第二喷嘴臂下方,所述第一喷嘴臂具有一个喷嘴并且第二喷嘴臂具有两个喷嘴;并且所述第一喷嘴臂的喷嘴垂直于第一喷嘴臂的轴线,所述第二喷嘴臂的喷嘴回勾或前探倾斜地设置于所述第二喷嘴臂上。
上述现有技术利用马兰戈尼(亦称为“马兰格尼”或“马拉戈尼”Marangoni)效应对晶片实现干燥,与传统的旋转漂洗干燥(SRD,Spin Rinse Dry)相比,由于消除液痕缺陷的出色性能,马兰戈尼效应是由表面张力梯度引起的界面对流现象。现有的基于马兰戈尼效应的干燥技术是,当从去离子水的水浴中取出晶圆时,在晶圆-空气-液体所形成的“弯液面”上吹射诸如含有异丙醇(IPA,iso-Propyl alcohol)的有机蒸气,诱导产生的马兰戈尼效应实现了附着液体的回流,从而获得了全面干燥的晶圆,一般称为马兰戈尼干燥。具体地,上述现有技术通过两个喷嘴朝晶圆表面喷射含有表面活性成分的干燥气体(例如含有异丙醇和氮气的混合气体),利用马兰戈尼效应将喷嘴喷射至晶圆表面的液体所形成的液流膜剥离晶圆表面从而完成对其表面的干燥。
然而,上述现有技术中的马兰戈尼干燥装置在干燥气体对晶圆表面的液流膜进行剥离的过程中存在难以快速地对晶圆表面残留的待蒸发的IPA进行干燥处理的技术缺陷,从而降低了晶圆表面的干燥效率。
有鉴于此,有必要对现有技术中的马兰戈尼干燥装置予以改进,以解决上述问题。
发明内容
本发明的目的在于揭示一种干燥装置及半导体设备,用于解决现有技术中的马兰戈尼干燥装置所存在的诸多缺陷,尤其是为了实现在干燥气体对晶圆表面的液流膜进行剥离的过程中快速地对晶圆表面残留的待蒸发的IPA进行干燥处理,以提高晶圆表面的干燥效率。
为实现上述目的,第一方面,本发明提供了一种干燥装置,包括:用于输送流体的供给壳体,以及配置于所述供给壳体以将流体喷射至晶圆表面的流体喷射部;
所述流体喷射部包括:导风盖,所述导风盖沿晶圆所在方向凸设形成导风部,以及并排间隔设置并贯穿所述导风盖的第一喷嘴与第二喷嘴;
所述导风部被构造出狭长形的出气口,所述导风部通过所述出气口向晶圆表面喷射干燥气体,所述第一喷嘴用于向晶圆表面喷射清洗液体,所述第二喷嘴用于向晶圆表面喷射含表面活性物质的处理气体;
所述第一喷嘴与所述出气口纵长侧壁相对设置,所述第二喷嘴形成于所述第一喷嘴与所述出气口之间。
作为本发明的进一步改进,所述供给壳体沿晶圆所在方向凸设形成集成部,所述导风盖嵌套于所述集成部并与所述集成部围合形成集气腔,所述出气口与所述集气腔相连通。
作为本发明的进一步改进,所述第一喷嘴沿所述导风盖横长方向与所述出气口纵长侧壁相对设置。
作为本发明的进一步改进,所述第一喷嘴中心点与所述第二喷嘴中心点以及所述出气口中心点共线。
作为本发明的进一步改进,所述第一喷嘴喷射液体所形成的喷射方向与所述第二喷嘴喷射处理气体所形成的喷射方向以及所述出气口喷射干燥气体所形成的喷射方向之间相互平行并与晶圆所在水平面形成90°±2°的夹角β。
作为本发明的进一步改进,所述出气口纵长侧壁的延伸方向与晶圆边缘切线形成夹角α,所述夹角α大于等于10°且小于等于15°。
作为本发明的进一步改进,所述流体喷射部还包括:配置于所述集气腔内并被抵持于所述导风盖与所述集成部之间的分流板,所述分流板将所述集气腔分隔形成进气腔与出气腔;
所述分流板被构造出多个分流孔,所述分流孔分散所述进气腔内气体并引导气体进入所述出气腔,所述出气口与所述出气腔相连通。
作为本发明的进一步改进,所述供给壳体内部配置用于向所述流体喷射部供应流体的流体供应组件;
所述流体供应组件包括:连通所述第一喷嘴并向第一喷嘴供应清洗液体的供液管,连通所述第二喷嘴并向第二喷嘴供应处理气体的热气循环机构,以及连通所述进气腔并向进气腔供应干燥气体的输气管。
作为本发明的进一步改进,所述热气循环机构包括:气体传输单元,连通所述气体传输单元的进气管与回气管以及供气管,用于检测所述进气管内气体温度的温度传感器,以及用于控制所述气体传输单元内气体流通的气体控制器,所述供气管连通所述第二喷嘴;
通过所述温度传感器检测所述进气管内的处理气体温度,若所述进气管内的处理气体温度达到设定要求,则所述进气管向所述气体传输单元内输送的气体将传输至所述供气管;若所述进气管内的处理气体温度未达到设定要求,则所述进气管向所述气体传输单元内输送的气体将传输至回气管予以排出。
第二方面,本发明还提供了一种半导体设备,包括:处理腔室,内设于所述处理腔室并以水平姿态保持晶圆并带动晶圆水平旋转的保持机构,以及驱动如第一方面中任一项所述的干燥装置在平行于晶圆所在平面的水平平面内摆动的驱动机构;
所述干燥装置所含流体喷射部从晶圆中心朝向晶圆外周的范围内摆动。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:在第一喷嘴与第二喷嘴同时对晶圆表面分别喷射去离子水与IPA蒸汽并根据马兰戈尼效应对晶圆表面进行干燥的过程中,通过出气口能够向第二喷嘴对晶圆表面喷射IPA蒸汽以剥离晶圆表面的去离子水的区域同步喷射热氮气风刀,通过热氮气风刀吹扫残留在晶圆表面的IPA,以此快速地对残留在晶圆表面的IPA实现蒸发,从而解决了现有技术在对晶圆表面的液流膜进行剥离的过程中难以快速地对晶圆表面残留的IPA进行干燥处理的技术缺陷,提高了晶圆表面的干燥效率。
附图说明
图1为本发明所揭示的干燥装置的立体图;
图2为剖切供给壳体与供液管的剖视图;
图3为剖切供给壳体的另一视角的剖视图;
图4为第一喷嘴中心点与第二喷嘴中心点以及出气口中心点共线的示意图;
图5为以图3所示视角剖切集成部、导风盖与分流板连接的局部放大剖视图;
图6为另一视角剖切集成部、导风盖与分流板连接的局部放大剖视图;
图7为本发明所揭示的包含干燥装置的半导体设备的俯视视角的示意图。
实施方式
下面结合附图所示的各实施方式对本发明进行详细说明,但应当说明的是,这些实施方式并非对本发明的限制,本领域普通技术人员根据这些实施方式所作的功能、方法、或者结构上的等效变换或替代,均属于本发明的保护范围之内。
尤其需要说明的是,在下述的实施例中,术语“沿晶圆所在方向”是指图1中箭头Z1所示方向。术语“导风盖21横长方向”是指图1中Y轴所示方向。
示例性地,在现有技术中,对于利用马兰戈尼效应对晶圆实现干燥的马兰戈尼干燥装置,在通过喷嘴对晶圆表面喷射含有表面活性成分的干燥气体(例如含有异丙醇和氮气的混合气体)的过程中,未设置单独对晶圆表面喷射氮气的喷嘴,无法在干燥气体对晶圆表面的液流膜进行剥离的过程中快速地对晶圆表面残留的待蒸发的IPA进行干燥处理,导致降低了晶圆表面的干燥效率。基于此,为了解决以上问题,本申请揭示了一种干燥装置100。采用该干燥装置100,在具体的半导体设备200中,被处理的晶圆W以水平姿态被保持并在旋转状态下进行干燥处理,该干燥装置100能够在IPA蒸汽对晶圆表面残留的清洗液体进行剥离的过程中,通过出气口231向晶圆表面W1喷射干燥气体(热氮气),以此快速地对晶圆表面W1残留的待蒸发的IPA实现吹干处理,从而提高晶圆表面W1的干燥效率。
需要说明的是,在下述的实施例中,清洗液体可以为纯水,也可以为除去了溶解盐类和溶解有机物的去离子水、二氧化碳溶解水、或者臭氧水、氢水或电解离子水等功能水等,优选为去离子水。含表面活性物质的处理气体优选为异丙醇(以下简称为IPA),并且IPA以蒸汽的状态通过第二喷嘴25向晶圆表面W1喷射以剥离晶圆表面W1残留的清洗液体。干燥气体优选为氮气(N2),并具体优选为热氮气,以便于快速地对晶圆表面W1残留的IPA实现蒸发。
参图1至图4所揭示的一种干燥装置100的具体实施方式。干燥装置100包括:用于输送流体的供给壳体10,以及配置于供给壳体10以将流体喷射至晶圆表面W1的流体喷射部20;流体喷射部20包括:导风盖21,导风盖21沿晶圆所在方向凸设形成导风部23,以及并排间隔设置并贯穿导风盖21的第一喷嘴24与第二喷嘴25;第一喷嘴24用于向晶圆表面喷射清洗液体,第二喷嘴25用于向晶圆表面喷射含表面活性物质的处理气体;流体喷射部20对晶圆表面W1喷射的流体由供给壳体10输送,流体喷射部20对晶圆表面W1实行干燥处理是由流体喷射部20向晶圆表面W1喷射流体所实现的。
具体地,首先通过第一喷嘴24向晶圆表面W1喷射去离子水,在此过程中,晶圆W以水平姿态保持并处于旋转状态,以便于第一喷嘴24对晶圆W整个表面进行预湿润,之后再通过第一喷嘴24与第二喷嘴25同时对晶圆表面W1分别喷射去离子水与IPA蒸汽,通过第一喷嘴24所喷射的去离子水对晶圆表面W1进行冲洗,晶圆W在旋转过程中将其表面的去离子水从晶圆W中心区域甩向外周区域,同时通过第二喷嘴25向第一喷嘴24对晶圆表面W1喷射去离子水的区域同步喷射IPA蒸汽,由于IPA表面张力低于去离子水,根据马兰戈尼效应,表面张力大的去离子水对其周围表面张力小的IPA的拉力强,从而形成表面张力梯度,以形成表面张力低的IPA向张力高的去离子水的方向流动的马兰戈尼力,利用马兰戈尼力进一步地使去离子水向晶圆W外周侧移动,以剥离晶圆表面W1的去离子水,使晶圆表面W1无去离子水残留,从而使晶圆表面W1从中心区域向外周区域逐渐干燥。
导风部23被构造出狭长形的出气口231,导风部23通过出气口231向晶圆表面W1喷射干燥气体。通过该出气口231能够喷射出狭长形的热氮气风刀,以增加热氮气与晶圆表面W1的接触面积,通过热氮气风刀吹扫晶圆表面W1残留的IPA,以提高晶圆表面W1干燥效率。第一喷嘴24与出气口231纵长侧壁相对设置,第二喷嘴25形成于第一喷嘴24与出气口231之间。在第一喷嘴24与第二喷嘴25同时对晶圆表面W1分别喷射去离子水与IPA蒸汽并根据马兰戈尼效应对晶圆表面W1进行干燥的过程中,通过出气口231能够向第二喷嘴25对晶圆表面W1喷射IPA蒸汽以剥离晶圆表面W1的去离子水的区域同步喷射热氮气风刀,通过热氮气风刀吹扫残留在晶圆表面W1的IPA,以此快速地对残留在晶圆表面W1的IPA实现蒸发,从而解决了现有技术在对晶圆表面W1的液流膜进行剥离的过程中难以快速地对晶圆表面W1残留的IPA进行干燥处理的技术缺陷,提高了晶圆表面W1的干燥效率。
如图3、图5与图6所示,供给壳体10沿晶圆所在方向凸设形成集成部11,导风盖21嵌套于集成部11并与集成部11围合形成集气腔22,出气口231与集气腔22相连通。第一喷嘴24与第二喷嘴25以及出气口231均形成于集成部11,缩小了第一喷嘴24与第二喷嘴25以及出气口231三者之间的距离,且减少了空间占用,能够集中对晶圆表面W1进行干燥处理,首先在第一喷嘴24对晶圆表面W1喷射去离子水的同时,第二喷嘴25向第一喷嘴24对晶圆表面W1喷射去离子水的区域同步喷射IPA蒸汽以剥离晶圆表面W1的去离子水,从而快速地通过IPA蒸汽剥离晶圆表面W1的去离子水,并同时通过出气口231向第二喷嘴25对晶圆表面W1喷射IPA蒸汽以剥离晶圆表面W1的去离子水的区域同步喷射热氮气风刀,以此快速地通过热氮气风刀吹扫残留在晶圆表面W1的IPA使其蒸发,进而提高了第一喷嘴24与第二喷嘴25以及出气口231三者对晶圆表面W1执行干燥的过程中配合的连贯性和流畅性,提高晶圆表面W1的干燥效率。
如图4所示,进一步地,第一喷嘴24沿导风盖21横长方向与出气口231纵长侧壁相对设置。在晶圆W旋转状态下,出气口231喷射出的狭长形的热氮气风刀能够与第二喷嘴25对晶圆表面W1喷射IPA蒸汽以剥离晶圆表面W1的去离子水的区域进行较大范围地吹扫,从而增加热氮气风刀向第二喷嘴25对晶圆表面W1喷射IPA蒸汽以剥离晶圆表面W1的去离子水的区域的吹扫面积,以提高对残留在晶圆表面W1的IPA蒸发效率,提高晶圆表面W1的干燥效果。
如图4所示,优选地,第一喷嘴24中心点与第二喷嘴25中心点以及出气口231中心点共线。如图4中所示第一喷嘴24的中心点D1、第二喷嘴25的中心点D2与出气口231的中心点D3处于同一虚线D,从而使出气口231喷射出的狭长形的热氮气风刀能够与第二喷嘴25对晶圆表面W1喷射IPA蒸汽以剥离晶圆表面W1的去离子水的区域进行最大范围地吹扫,进一步地增加热氮气风刀向第二喷嘴25对晶圆表面W1喷射IPA蒸汽以剥离晶圆表面W1的去离子水的区域的吹扫面积,以提高对残留在晶圆表面W1的IPA蒸发效率,提高晶圆表面W1的干燥效果。
第一喷嘴24喷射液体所形成的喷射方向与第二喷嘴25喷射处理气体所形成的喷射方向以及出气口231喷射干燥气所形成体的喷射方向之间相互平行并与晶圆所在水平面形成形成90°±2°的夹角β(未示出)。第一喷嘴24、第二喷嘴25与出气口231的喷射方向与晶圆所在水平面形成大于等于88°且小于等于92°的夹角β,夹角β优选为90°。第一喷嘴24喷射去离子水所形成的喷射方向与第二喷嘴25喷射IPA蒸汽所形成的喷射方向以及出气口231喷射热氮气风刀所形成的喷射方向之间相互平行,以使第一喷嘴24、第二喷嘴25与出气口231能够以相同方向对晶圆表面W1喷射流体,从而在晶圆W旋转的过程中,在第一喷嘴24对晶圆表面W1喷射去离子水的同时,第二喷嘴25能够准确地向第一喷嘴24对晶圆表面W1喷射去离子水的区域同步喷射IPA蒸汽以剥离晶圆表面W1的去离子水,以及出气口231能够准确地向第二喷嘴25对晶圆表面W1喷射IPA蒸汽以剥离晶圆表面W1的去离子水的区域同步喷射热氮气风刀,从而快速地通过IPA蒸汽剥离晶圆表面W1的去离子水以及通过热氮气风刀快速地对残留在晶圆表面W1的IPA进行蒸发,以提高晶圆表面W1的干燥效果。
如图7所示,出气口231纵长侧壁的延伸方向与晶圆边缘切线形成夹角α,夹角α大于等于10°且小于等于15°。在该干燥装置100a对晶圆外周边缘执行干燥的过程中,出气口231纵长侧壁的延伸方向与晶圆边缘切线P形成大于等于10°且小于等于15°的夹角α,以在晶圆W旋转过程中,增加出气口231喷射出的热氮气风刀对晶圆外周边缘的吹扫面积,以提高晶圆表面W1的干燥效果。
如图5与图6所示,流体喷射部20还包括:配置于集气腔22内并被抵持于导风盖21与集成部11之间的分流板26,分流板26将集气腔22分隔形成进气腔221与出气腔222;分流板26被构造出多个分流孔261,分流孔261分散进气腔221内气体并引导气体进入出气腔222,出气口231与出气腔222相连通。通过输气管33向进气腔221供应干燥气体(即,热氮气),热氮气沿图5中箭头Q1所示方向进入进气腔221,并于进气腔221内再沿图5中箭头Q2所示方向穿过分流孔261以进入出气腔222,同时热氮气在进入出气腔222的过程中被多个分流孔261均匀分散,以使出气腔222内被均匀分散的热氮气再沿图5中箭头Q3所示方向通过出气口231排出,以通过狭长形的出气口231形成均匀的热氮气风刀,提高对晶圆表面W1残留的IPA的蒸发效果。
如图5与图6所示,进一步地,导风盖21与集成部11分别与分流板26抵持处设置有密封圈12,通过密封圈12提高导风盖21与集成部11分别与分流板26抵持处的气密性,防止热氮气泄漏,避免影响热氮气对晶圆表面W1残留的IPA的蒸发效果。
如图2与图3所示,供给壳体10内部配置用于向流体喷射部20供应流体的流体供应组件;流体供应组件包括:连通第一喷嘴24并向第一喷嘴24供应清洗液体的供液管31,连通第二喷嘴25并向第二喷嘴25供应处理气体的热气循环机构32,以及连通进气腔221并向进气腔221供应干燥气体的输气管33。供给壳体10设置供输气管33与供液管31以及热气循环机构32所含的进气管322与回气管323延伸入供给壳体10内部的连接部13,供液管31穿过连接部13延伸入供给壳体10内部并连通第一喷嘴24,以对第一喷嘴24供应清洗液体。输气管33穿过连接部13延伸入供给壳体10内部并连通进气腔221,以对进气腔221供应干燥气体。
示例性地,现有技术中的马兰戈尼干燥装置难以对供给臂所输送的IPA气体的温度进行检测,若IPA气体温度不足则影响对晶圆表面的干燥效果。该干燥装置100通过热气循环机构32对第二喷嘴25供应处理气体,并且能够对供应于第二喷嘴25的IPA蒸汽温度进行检测,若IPA蒸汽温度符合工艺要求则控制IPA蒸汽供应于第二喷嘴25,若IPA蒸汽温度不符合工艺要求则控制IPA蒸汽返回外部供给设备(未示出)重新加热,以保证第二喷嘴25对晶圆表面W1的去离子水的剥离效果,从而确保晶圆表面W1的干燥效果。
具体地,热气循环机构32包括:气体传输单元321,连通气体传输单元321的进气管322与回气管323以及供气管324,用于检测进气管322内处理气体温度的温度传感器325,以及用于控制气体传输单元321内处理气体流通的气体控制器326,供气管324连通第二喷嘴25;通过温度传感器325检测进气管322内的处理气体温度,若进气管322内的处理气体温度达到设定要求,则进气管322向气体传输单元321内输送的处理气体将传输至供气管324;若进气管322内的处理气体温度未达到设定要求,则进气管322向气体传输单元321内输送的处理气体将传输至回气管323予以排出。在进气管322向气体传输单元321输送IPA蒸汽的过程中,通过温度传感器325检测进气管322内的IPA蒸汽温度,若进气管322内的IPA蒸汽温度未达到晶圆干燥工艺要求,则通过气体控制器326控制进气管322向气体传输单元321内输送的IPA蒸汽传输至回气管323并予以排出至外部供给设备(未示出)重新加热,若进气管322内的IPA蒸汽温度达到晶圆干燥工艺要求,则通过气体控制器326控制进气管322向气体传输单元321内输送的IPA蒸汽传输至供气管324,以通过供气管324将IPA蒸汽供应至第二喷嘴25,从而确保IPA蒸汽温度能够满足对晶圆干燥工艺要求,保证第二喷嘴25对晶圆表面W1的去离子水的剥离效果,从而确保晶圆表面W1的干燥效果。
供给壳体10内部配置用于检测干燥装置100在工作过程中是否发生漏液的漏液检测装置40,以避免漏液污染晶圆表面W1。
需要说明的是,本公开的热气循环机构32可包含例如来自旭化成(Asahi-Kasei)的控制气阀,或采用现有技术中任意可循环控制IPA蒸汽的控制气阀,本公开对此不作限制。
基于前述实施例所揭示的一种干燥装置100的技术方案,本实施例还揭示了一种半导体设备200。
参图7所示,该半导体设备200包括:处理腔室50,内设于处理腔室50并以水平姿态保持晶圆并带动晶圆水平旋转的保持机构60,以及驱动如上述实施例所揭示的干燥装置100在平行于晶圆所在平面的水平平面内摆动的驱动机构70;干燥装置100所含流体喷射部20从晶圆中心朝向晶圆外周的范围内摆动。通过保持机构60使被处理的晶圆W在处理腔室50内以水平姿态保持并带动晶圆W水平旋转,通过驱动机构70驱动干燥装置100在平行于晶圆W所在平面的水平平面内摆动,以使流体喷射部20从晶圆中心朝向晶圆外周的范围内摆动,流体喷射部20能够将流体供应至旋转的晶圆W的全局表面,以对晶圆W全局表面实现干燥。具体可参前所述,在此不再赘述。鉴于处理腔室50、保持机构60与驱动机构70并非本申请之核心发明点,故在本实施例中予以省略展开阐述。
上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本发明的可行性实施方式的具体说明,它们并非用以限制本发明的保护范围,凡未脱离本发明技艺精神所作的等效实施方式或变更均应包含在本发明的保护范围之内。
对于本领域技术人员而言,显然本发明不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本发明。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (10)

1.一种干燥装置,用于干燥晶圆表面,其特征在于,包括:
用于输送流体的供给壳体,以及配置于所述供给壳体以将流体喷射至晶圆表面的流体喷射部;
所述流体喷射部包括:导风盖,所述导风盖沿晶圆所在方向凸设形成导风部,以及并排间隔设置并贯穿所述导风盖的第一喷嘴与第二喷嘴;
所述导风部被构造出狭长形的出气口,所述导风部通过所述出气口向晶圆表面喷射干燥气体,所述第一喷嘴用于向晶圆表面喷射清洗液体,所述第二喷嘴用于向晶圆表面喷射含表面活性物质的处理气体;
所述第一喷嘴与所述出气口纵长侧壁相对设置,所述第二喷嘴形成于所述第一喷嘴与所述出气口之间。
2.根据权利要求1所述的干燥装置,其特征在于,所述供给壳体沿晶圆所在方向凸设形成集成部,所述导风盖嵌套于所述集成部并与所述集成部围合形成集气腔,所述出气口与所述集气腔相连通。
3.根据权利要求1所述的干燥装置,其特征在于,所述第一喷嘴沿所述导风盖横长方向与所述出气口纵长侧壁相对设置。
4.根据权利要求3所述的干燥装置,其特征在于,所述第一喷嘴中心点与所述第二喷嘴中心点以及所述出气口中心点共线。
5.根据权利要求1所述的干燥装置,其特征在于,所述第一喷嘴喷射液体所形成的喷射方向与所述第二喷嘴喷射处理气体所形成的喷射方向以及所述出气口喷射干燥气体所形成的喷射方向之间相互平行并与晶圆所在水平面形成90°±2°的夹角β。
6.根据权利要求1所述的干燥装置,其特征在于,所述出气口纵长侧壁的延伸方向与晶圆边缘切线形成夹角α,所述夹角α大于等于10°且小于等于15°。
7.根据权利要求2所述的干燥装置,其特征在于,所述流体喷射部还包括:配置于所述集气腔内并被抵持于所述导风盖与所述集成部之间的分流板,所述分流板将所述集气腔分隔形成进气腔与出气腔;
所述分流板被构造出多个分流孔,所述分流孔分散所述进气腔内气体并引导气体进入所述出气腔,所述出气口与所述出气腔相连通。
8.根据权利要求7所述的干燥装置,其特征在于,所述供给壳体内部配置用于向所述流体喷射部供应流体的流体供应组件;
所述流体供应组件包括:连通所述第一喷嘴并向第一喷嘴供应清洗液体的供液管,连通所述第二喷嘴并向第二喷嘴供应处理气体的热气循环机构,以及连通所述进气腔并向进气腔供应干燥气体的输气管。
9.根据权利要求8所述的干燥装置,其特征在于,所述热气循环机构包括:气体传输单元,连通所述气体传输单元的进气管与回气管以及供气管,用于检测所述进气管内气体温度的温度传感器,以及用于控制所述气体传输单元内气体流通的气体控制器,所述供气管连通所述第二喷嘴;
通过所述温度传感器检测所述进气管内的处理气体温度,若所述进气管内的处理气体温度达到设定要求,则所述进气管向所述气体传输单元内输送的气体将传输至所述供气管;若所述进气管内的处理气体温度未达到设定要求,则所述进气管向所述气体传输单元内输送的气体将传输至回气管予以排出。
10.一种半导体设备,其特征在于,包括:处理腔室,内设于所述处理腔室并以水平姿态保持晶圆并带动晶圆水平旋转的保持机构,以及驱动如上述权利要求1至9中任一项所述的干燥装置在平行于晶圆所在平面的水平平面内摆动的驱动机构;
所述干燥装置所含流体喷射部从晶圆中心朝向晶圆外周的范围内摆动。
CN202311147164.2A 2023-09-07 2023-09-07 一种干燥装置及半导体设备 Active CN116884888B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311147164.2A CN116884888B (zh) 2023-09-07 2023-09-07 一种干燥装置及半导体设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311147164.2A CN116884888B (zh) 2023-09-07 2023-09-07 一种干燥装置及半导体设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN116884888A true CN116884888A (zh) 2023-10-13
CN116884888B CN116884888B (zh) 2023-11-28

Family

ID=88262640

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311147164.2A Active CN116884888B (zh) 2023-09-07 2023-09-07 一种干燥装置及半导体设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN116884888B (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107424908A (zh) * 2016-05-24 2017-12-01 江苏鲁汶仪器有限公司 一种晶圆处理装置和方法
CN212093429U (zh) * 2020-03-23 2020-12-08 北京新毅东科技有限公司 一种ipa干燥设备
CN113097121A (zh) * 2021-03-30 2021-07-09 上海华力微电子有限公司 一种晶圆清洗装置及清洗方法
CN113851398A (zh) * 2021-09-17 2021-12-28 北京北方华创微电子装备有限公司 晶圆干燥装置、半导体清洗设备及晶圆干燥方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107424908A (zh) * 2016-05-24 2017-12-01 江苏鲁汶仪器有限公司 一种晶圆处理装置和方法
CN212093429U (zh) * 2020-03-23 2020-12-08 北京新毅东科技有限公司 一种ipa干燥设备
CN113097121A (zh) * 2021-03-30 2021-07-09 上海华力微电子有限公司 一种晶圆清洗装置及清洗方法
CN113851398A (zh) * 2021-09-17 2021-12-28 北京北方华创微电子装备有限公司 晶圆干燥装置、半导体清洗设备及晶圆干燥方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN116884888B (zh) 2023-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3597639B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR101828103B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 비일시적인 컴퓨터 판독가능한 기억 매체
US20030178047A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate cleaning method
US8607807B2 (en) Liquid treatment apparatus and method
JP6480009B2 (ja) 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体
WO2006030953A1 (ja) 基板洗浄処理装置及び基板処理ユニット
JP4938892B2 (ja) 一種類以上の処理流体により超小型電子半製品をプロセス処理すべく使用されるツールにおける隔壁板およびベンチュリ状封じ込めシステムのための洗浄方法および関連装置
KR20050068063A (ko) 회전가능한 건조가스 노즐들을 갖는 린스/건조 장비 및이를 사용하여 반도체 웨이퍼들을 린스/건조시키는 방법
IL192071A (en) Device and method for the surface treatment of substrates
JP4928234B2 (ja) 基板処理装置
KR20150009450A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20070028950A1 (en) Liquid processing apparatus and method
TW201246344A (en) Liquid Processing Apparatus and Liquid Processing Method
KR20100045802A (ko) 매엽식 기판 처리 장치 및 방법
TW200916210A (en) Two-fluid jet nozzle for cleaning substrate
TWI764683B (zh) 基板處理裝置
CN104854681B (zh) 基板液体处理装置和基板液体处理方法
US20070125400A1 (en) In-line wafer cleaning system and method
JP4931605B2 (ja) 半導体基板上へ金属を無電解堆積するための装置
CN116884888B (zh) 一种干燥装置及半导体设备
US11823915B2 (en) Method of cleaning an apparatus that processes a substrate
JPH1057877A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP3881169B2 (ja) 基板処理装置
JP4064729B2 (ja) 基板処理装置
CN113203256A (zh) 干燥装置、基板处理装置和基板保持架的干燥方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant