WO2006030953A1 - 基板洗浄処理装置及び基板処理ユニット - Google Patents

基板洗浄処理装置及び基板処理ユニット Download PDF

Info

Publication number
WO2006030953A1
WO2006030953A1 PCT/JP2005/017318 JP2005017318W WO2006030953A1 WO 2006030953 A1 WO2006030953 A1 WO 2006030953A1 JP 2005017318 W JP2005017318 W JP 2005017318W WO 2006030953 A1 WO2006030953 A1 WO 2006030953A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
processing
processing unit
cleaning
liquid
Prior art date
Application number
PCT/JP2005/017318
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Toshio Yokoyama
Seiji Katsuoka
Takahiro Ogawa
Kaoru Yamada
Kazuaki Maeda
Original Assignee
Ebara Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Corporation filed Critical Ebara Corporation
Priority to US11/663,071 priority Critical patent/US20070277930A1/en
Publication of WO2006030953A1 publication Critical patent/WO2006030953A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process

Definitions

  • the present invention relates to a substrate cleaning apparatus and a substrate processing unit for performing a cleaning process on a substrate (semiconductor wafer or the like) used for manufacturing a semiconductor device.
  • the present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a substrate cleaning processing apparatus that does not require positioning of a transfer system when starting up the apparatus and can reduce the installation area of the apparatus. .
  • Another object of the present invention is to effectively prevent secondary contamination of the substrate due to deposits in the substrate processing unit, particularly in a downsized apparatus.
  • a substrate cleaning apparatus of the present invention includes a substrate transfer apparatus that transfers a substrate to a single base-integrated frame, and at least performs substrate processing. Equipped with one substrate processing unit, a substrate load port for mounting the substrate storage cassette, and a processing liquid supply device that supplies processing liquid to the substrate processing unit, and maintenance of the substrate processing unit is performed from the back of the device It is configured to be able to. According to the present invention, since the substrate transfer device, the substrate processing unit, the substrate load port, and the processing liquid supply device are mounted on one base-integrated frame, the substrate processing unit can be freely combined to form a base.
  • a multi-process type substrate cleaning system that can handle at least one process.
  • it can be transferred without being divided because of the integrated structure, and the positional relationship of the substrate transport system is supported, so that work such as positioning setting at the time of equipment installation is not required, and the start-up time of the equipment can be greatly shortened.
  • the installation area of the equipment can be minimized.
  • the maintenance of the substrate processing unit can be performed from the back of the apparatus, making maintenance easier.
  • At least one substrate processing unit may be a substrate processing unit that can be dried and finally processed by itself.
  • At least one or more substrate processing units are finally subjected to a drying process, and a substrate processing unit that can complete the process processing as a single unit can complete the substrate processing by the substrate processing unit. Is possible.
  • At least one or more substrates may be a substrate processing unit that can perform at least one of a double-sided substrate cleaning process, a substrate bevel etching process, and a single-side scrubbing process, and a drying process.
  • the substrate processing unit can perform at least one of a double-sided cleaning process, a bevel etching process, and a scrub process, and a drying process, and can reduce the size of the apparatus.
  • Another substrate cleaning apparatus of the present invention is disposed between a substrate load port on which a substrate storage cassette is placed, a substrate processing unit for processing a substrate, a substrate load port and a substrate processing unit, and the load port And a substrate processing unit for transporting a substrate only between the substrate processing unit and the substrate processing unit.
  • the substrate transfer device is disposed between the substrate load port and the substrate processing unit and transfers the substrate only between the load port and the substrate processing unit, the transfer distance of the substrate can be reduced. It is possible to minimize the cause of the occurrence.
  • the substrate processing unit is preferably arranged in parallel with the substrate load port.
  • the substrate transfer distance between the substrate load board and the substrate processing unit is shortened, and unnecessary substrate delivery is not required at all. In operation, the substrate can be transported and the generation factor of particles can be minimized.
  • the processing liquid supply apparatus preferably has a configuration capable of supplying two or more types of processing liquids to the substrate processing unit.
  • the processing liquid supply device can supply two or more types of processing liquids to a plurality of substrate processing units, even if a substrate processing unit that uses a plurality of processing liquids is mounted, the processing liquid This can be handled without changing the feeder.
  • the processing liquid supply apparatus may include a plurality of supply tanks for each processing liquid. By providing a plurality of supply tanks for each treatment liquid, the treatment liquid supply device can supply the treatment liquid by switching to another supply tank even if there is no treatment liquid in the supply tank supplying the treatment liquid. Because it can, you can continue processing.
  • the treatment liquid it is preferable to supply the treatment liquid alternately from a plurality of supply tanks. By supplying the treatment liquid alternately from multiple supply tanks, the treatment can be continued.
  • the dried substrate can always be taken out from the substrate processing unit, and the transfer device and the inside of the device are not contaminated with the processing liquid or the like.
  • the substrate drying means preferably includes gas injection means for injecting an inert gas onto the back surface of the substrate.
  • the substrate drying means with gas injection means for injecting an inert gas onto the back surface of the substrate, the back surface of the substrate can be simultaneously dried.
  • a purge plate for injecting an inert gas toward the outer periphery of the substrate for drying the substrate surface after the bevel etching process in the substrate processing unit.
  • a purge plate for injecting an inert gas toward the outer periphery of the substrate is provided, so that the bevel portion of the substrate after the bevel etching process is provided. The remaining liquid can be removed and dried quickly.
  • the purge plate is not used at least from the outer periphery of the substrate and from two or more locations inside it. It is preferable that the active gas is injected.
  • the purge plate sprays inert gas from at least two locations inside and outside the substrate, so that when the substrate is dried, the inert gas is first sprayed from the inside and then sprayed to the outer periphery.
  • the etching processing section of the bevel can be dried while the liquid at the outer peripheral portion is expelled to the outside.
  • the substrate transfer device is preferably a fixed transfer robot that does not have a travel axis.
  • the substrate processing apparatus of the present invention includes a substrate transfer device for transferring a substrate, a substrate processing unit for processing a substrate, a substrate load port for mounting a substrate storage capacity set, and a processing liquid to the substrate processing unit.
  • a substrate processing apparatus equipped with a processing liquid supply apparatus to supply the pressure outside the substrate processing apparatus is P 0, the pressure PA in the substrate transport chamber where the substrate transport apparatus is located, and the pressure inside the substrate processing unit is PB. The following relationship is maintained.
  • the pressure PA in the substrate transfer chamber PA> the pressure P 0 outside the substrate processing apparatus P 0> the pressure PB in the substrate processing unit does not flow into the substrate transfer chamber.
  • the processed substrate cleaned in the substrate processing unit is not contaminated by particles in the airflow flowing from the outside.
  • a substrate processing unit of the present invention is a substrate processing unit used in a processing region to which a clean gas is supplied, and a chamber disposed in the processing region and a substrate can be rotated in a horizontal plane in the chamber.
  • a substrate holding unit that holds the substrate and a processing fluid supply unit that supplies a processing fluid toward the substrate held by the substrate holding unit, and the chamber includes a gas collecting unit formed above the substrate holding unit.
  • Air flow forming means is provided for forming an air flow that uniformly envelops the substrate held by the substrate holding portion by taking in the clean air from the inlet and exhausting it from the bottom side.
  • the substrate held by the substrate holding part is shielded by the downdraft (air curtain) formed by the clean gas, contaminants from the chamber inner wall and the mechanism in the chamber to the substrate can be prevented. Movement is hindered.
  • the processing liquid even during processing of the substrate, it is possible to prevent the processing liquid from splashing on the inner wall of the chamber and the mechanism in the chamber. Therefore, in a double sense, secondary contamination of the substrate is reduced or prevented. Is done.
  • the gas intake port is formed along a peripheral edge of the substrate held by the substrate holding unit. It is preferable that it is formed.
  • Another substrate processing unit of the present invention is a substrate processing unit used in a processing region to which a clean gas is supplied, and a chamber disposed in the processing region, and a substrate is rotated in a horizontal plane in the chamber.
  • a substrate holding unit that can be held, a processing fluid supply unit that supplies a processing fluid toward the substrate held by the substrate holding unit, and covers the surface of the substrate with a predetermined gap, and a gas is provided in the gap.
  • a purge member that prevents the processing fluid from entering the gap, wherein the purge member includes a first covering member that covers a first region of the substrate surface, and a second member of the substrate surface. At least one of the second covering member and the force covering the area is provided so as to be movable with respect to the other.
  • the first covering member and the second covering member can be selectively brought close to the substrate, so that part of the surface of the substrate is exposed and part of the surface is covered so that the efficiency is improved. Can be made to achieve both basic processing and protection.
  • the substrate holding portion has a plurality of rollers having axes in the vertical direction, and these roller rollers are provided with a roller cover in which an opening is formed for the rollers to hold the substrate. It is preferable.
  • the roller cover leaves the opening necessary to hold the substrate and covers the roller, thereby reducing the adhesion of processing liquid to the roller and reducing secondary contamination of the substrate via the roller. Or it is prevented. ⁇
  • a gas nozzle for injecting gas toward the substrate is provided, and a nozzle cover for covering the gas nozzle when not in use is provided.
  • cleaning liquid supply means for cleaning the inner wall of the chamber at a predetermined timing is provided.
  • the inner wall of the chamber is cleaned at a predetermined timing, so that secondary contamination of the substrate through the inner wall is reduced or prevented.
  • Still another substrate cleaning apparatus of the present invention includes the substrate processing unit, a frame that forms a space for accommodating the substrate processing unit, and an air supply unit that supplies a clean gas to the space. This reduces or prevents secondary contamination and processes high-quality substrates.
  • a holding part suction part for sucking the processing fluid is provided in the substrate holding part.
  • the substrate holding unit includes a plurality of rollers that contact the end portion of the substrate and rotate the substrate, and the plurality of rollers move along a radial direction of the substrate.
  • the direction of the roller force acting on the substrate is directed to the center of the substrate, so that the stability of the rotation center position of the substrate can be improved and the rotation accuracy of the substrate can be improved.
  • the processing unit includes a substrate holding unit that rotates and holds the substrate, and rotates the substrate to supply a fluid to the substrate for processing.
  • the substrate holding part is provided with a holding part suction part for sucking the fluid.
  • the processing unit is disposed above and below the substrate holding unit that horizontally holds and rotates the substrate, and the substrate held by the substrate holding unit, A gas supply nozzle that supplies a gas to the substrate; a liquid supply nozzle that is disposed above and below the substrate held by the substrate holder; and that supplies a liquid to the substrate; the gas supply nozzle and the liquid supply And a moving mechanism for moving the nozzle from the central portion of the substrate to the peripheral portion, and the liquid supply nozzle is disposed outside the gas supply nozzle in the radial direction of the substrate.
  • the processing unit is provided with at least one fluid supply port and one fluid suction port in the vicinity of the rotating substrate, and at least one fluid supply port.
  • a processing fluid is supplied from the mouth to the substrate, and the processing fluid attached to the substrate is sucked from the fluid suction port.
  • the processing unit is provided with a substrate holding portion that holds and rotates the substrate, and the substrate holding portion abuts against an end portion of the substrate to remove the substrate.
  • a plurality of rollers to be rotated are provided, and the plurality of rollers move along the radial direction of the substrate.
  • FIG. 1 is an external view showing an embodiment of a substrate cleaning apparatus according to the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view of the substrate cleaning apparatus of FIG.
  • FIG. 3 is a plan view of the frame of the substrate cleaning apparatus of FIG.
  • Figure 4 shows the side view of the frame of the substrate cleaning equipment shown in Figure 1 (the side of the arrow A in Figure 3).
  • Fig. 5 is a rear view of the frame of the substrate cleaning apparatus of Fig. 1 (side view of arrow B in Fig. 3).
  • FIG. 6 is a plan view showing the air flow in the substrate cleaning apparatus according to the present invention.
  • FIG. 7 is a side view showing the flow of air in the substrate cleaning apparatus according to the present invention.
  • FIG. 8 is a plan view showing air flow and atmospheric pressure in the substrate cleaning apparatus according to the present invention.
  • FIG. 9 is a diagram showing an embodiment of the system of the processing liquid supply apparatus of the substrate cleaning processing apparatus according to the present invention.
  • FIG. 10 is a view showing a processing liquid supply flow of the substrate cleaning processing apparatus according to the present invention.
  • FIG. 11 is a diagram showing a processing liquid supply flow of the substrate cleaning processing apparatus according to the present invention.
  • FIG. 12 is a diagram showing an embodiment of a substrate processing unit of a substrate cleaning processing apparatus according to the present invention.
  • FIG. 13A to FIG. 13C are diagrams showing the configuration of the etching part of the substrate processing unit.
  • FIGS. 14A and 14B are views showing an embodiment of the drying mechanism of the substrate processing unit of the substrate cleaning processing apparatus according to the present invention.
  • FIG. 15 is a view showing another embodiment of the drying mechanism of the substrate processing unit of the substrate cleaning processing apparatus according to the present invention.
  • FIG. 16 is a view showing another embodiment of the substrate cleaning apparatus according to the present invention.
  • FIG. 17 is a view showing the top plate of the chamber of the substrate processing unit in the embodiment of FIG.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view showing the configuration of the substrate processing unit in the embodiment of FIG.
  • FIG. 19 is a diagram showing the configuration of the substrate holding part of the substrate processing unit of FIG.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view showing the configuration of the substrate holding portion of the substrate processing unit of FIG. 18.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view showing details of the clamp portion of the substrate holding portion of FIG.
  • FIGS. 22A to 22C are views showing details of the roller cover of the substrate holding portion of FIG.
  • FIG. 23 is a diagram showing a state when the substrate processing unit of FIG. 18 is performing a bevel etching process.
  • FIGS. 24A to 24C are views showing the operation of the gas spray nozzle of the substrate processing unit of FIG.
  • FIGS. 25A and 25B are views showing the operation of the inner wall cleaning nozzle in the substrate processing unit of FIG.
  • FIG. 26 is a diagram showing an air flow formed in the chamber in the substrate processing unit of FIG.
  • FIG. 27 is a view showing a modification of the air intake port of the substrate processing unit of FIG.
  • FIG. 28A and FIG. 28B are modified examples of the substrate processing unit of FIG. 18 and are diagrams illustrating the operation of the roller cover single cleaning nozzle.
  • FIG. 29 is a perspective view schematically showing a substrate processing unit according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 30A to FIG. 30D are enlarged views showing a substrate holding part of the substrate processing unit of FIG. 29.
  • FIG. 30A is a plan view
  • FIG. 30B is a sectional view
  • FIG. FIG. 30B is a sectional view showing a modification of FIG. 30B
  • FIG. 30D is a plan view showing a modification of FIG. 3 OA.
  • 3A to 3D are diagrams for explaining the positional relationship between the gas supply nozzle and the liquid supply nozzle shown in FIG. 29.
  • FIG. 32 is a plan view of a substrate processing unit according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 33 is a side view showing the main part of the substrate processing unit of FIG.
  • FIG. 3 4 A is an enlarged view of the cleaning nozzle shown in Fig. 3 3, and Fig. 3 4 B shows the suction port. A cross-sectional view is shown, and FIG. 34C shows a cross-sectional view of the supply port.
  • FIG. 35 is a schematic diagram showing the reciprocating motion of the cleaning nozzle.
  • Fig. 36 A is a diagram showing the supply and suction of fluid (liquid) onto the substrate
  • Fig. 36 B is a diagram showing an example in which the fluid (liquid) is supplied in a vortex shape.
  • 36 C is a diagram showing an example in which fluid (liquid) is supplied in an unstable manner
  • FIG. 36 D is a diagram showing a trajectory due to the reciprocating motion of the supply port and the suction port.
  • FIG. 37 is a plan view showing the configuration of the main part of the substrate processing unit according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 38 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus shown in FIG.
  • FIG. 39 is a block diagram showing the system configuration of the substrate processing apparatus shown in FIG. 38.
  • FIG. 1 and 2 are views showing an embodiment of a substrate cleaning apparatus according to the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic perspective view
  • FIG. 2 is a schematic plan view.
  • This substrate cleaning processing apparatus has a base-integrated frame 1, a fixed transfer robot 2 as a substrate transfer device for transferring a substrate, substrate processing units 3 and 3 for processing a substrate, and a substrate. It is equipped with substrate load ports 5 and 5 on which the storage cassettes 4 and 4 are placed, and a processing liquid supply device 6 for supplying a processing liquid to the substrate processing units 3 and 3.
  • a fan filter unit 7 is attached to the ceiling of the frame 1, and a control panel 8 is mounted on the top of the frame 1. Further, instrumentation sections 9 and 9 and exhaust ducts 10 and 10 are arranged on the outer side portions of the substrate processing units 3 and 3. Dampers 1 2 and 1 2 are provided between the substrate transfer chamber 11 in which the fixed transfer robot 2 is arranged and the substrate processing units 3 and 3. The outside of the substrate transfer chamber 1 1 has a space 13 for people to enter for maintenance, and the outside of the substrate processing units 3 and 3 has a space 14 for people to enter for maintenance. . 3 to 5 are diagrams showing the structure of the frame 1, FIG. 3 is a plan sectional view, FIG. 4 is a side sectional view seen from the direction of arrow A in FIG. 3, and FIG.
  • the frame 1 is a base-integrated frame in which the base 1a and the frame 1b are integrated, and has a cubic shape with a rectangular plane and side surface, and a frame for placing the substrate processing units 3 and 3 inside.
  • 1 c is erected on the base 1 a.
  • the transport robot 2 is mounted on the base 1a surface of the base-integrated frame 1 having such a configuration, the substrate processing units 3 and 3 are mounted on the frame 1c, and the outside of the frame 1b.
  • Board load ports 5 and 5 are installed.
  • Substrate load ports 5 and 5 and substrate processing • Units 3 and 3 are arranged parallel to each other with the substrate transfer chamber 11 therebetween.
  • a substrate cleaning processing apparatus a plurality of (two in the figure) substrate processing units 3 and 3 necessary for substrate processing can be mounted on the frame 1 with an integrated base.
  • the external dimensions and mounting dimensions of the substrate processing units 3 and 3 are all the same. Therefore, a substrate cleaning apparatus that can handle a plurality of processes is configured by freely combining a plurality of substrate processing units 3 together.
  • instrumentation sections 9 and 9 are arranged on the sides of the substrate processing units 3 and 3.
  • the substrate cleaning processing apparatus since the substrate cleaning processing apparatus has an integral structure, the substrate cleaning processing apparatus can be integrally transferred without being divided. In addition, since it is an integrated structure, it is a substrate transfer system. • The positional relationship of the transfer robot 2 is supported, and there is no need for positioning setting when installing the device, and the device startup time can be greatly shortened. . Furthermore, since the processing liquid supply device 6 and the control panel (power supply) 8 are also installed, the installation area of the system can be minimized. In addition, since spaces 1 3 and 1 4 that can enter the outside of the substrate transfer chamber 1 1 and the outside of the substrate processing units 3 and 3 are provided, the inside of the substrate transfer chamber 1 1 and the substrate processing units 3 and 3 There is no problem in maintenance.
  • the maintenance of the substrate processing units 3 and 3 can be performed in the space 14, that is, the back of the apparatus. That is, the shape, size, and arrangement of each substrate processing unit 3 are set so that the inside of the substrate processing units 3 and 3 can be accessed from the back of the apparatus.
  • a fixed transfer robot 2 that does not have a travel axis is used as the substrate transfer device.
  • the transport port pot 2 has a plurality of hands 2a that operate independently of each other in the dry specification, and these hands 2a can be rotated back and forth, left and right, up and down, and swiveled.
  • the frame portion 1 b facing the substrate storage cassettes 4 and 4 and the partition walls of the substrate processing units 3 and 3 are provided.
  • the board can be transferred and delivered via four openable and closable shutters (4 locations, not shown).
  • all of the substrate processing units 3 and 3 are placed opposite to the substrate storage cassettes 4 and 4, there is no need for wasteful substrate delivery, and the minimum required operation by the fixed transfer robot 2 The substrate can be transferred.
  • FIG. 6 and 7 are diagrams showing the air flow (airflow) in the substrate cleaning apparatus according to the present invention.
  • This substrate cleaning processing apparatus is usually installed in a clean room, and the air taken in from the inside of the tower room passes through the fan filter unit 7 to remove particles and the like, and is introduced into the apparatus.
  • a part of the air passing through the fan filter unit 7 descends in the substrate transfer chamber 11 as a descending airflow AO 1, and the other air A 0 2 is above the substrate processing unit 3.
  • the air flows down into the substrate processing unit 3 from the ceiling of the substrate processing unit 3 as a dispersed downflow AO 3.
  • a chemical filter 17 may be installed in front of the fan filter unit 7.
  • the instrumentation unit 9 is disposed on the side of the substrate processing units 3 and 3 outside the apparatus.
  • a part of the air in the substrate transfer chamber 11 is converted into an air flow A 0 9 through a damper 12 that is provided between the substrate transfer chamber 11 and the substrate processing unit 3 and has an adjustable supply amount. Then, it is guided into the substrate processing unit 3. Also, under the substrate processing unit 3, a valve pox 16 containing various valves for supplying the processing liquid in the instrumentation section 9 to the substrate processing unit 3 is arranged. This valve pox 1 As shown in FIG. 7 in FIG. 6, a part of the air in the substrate transfer chamber 11 flows as an air flow A 0 4. Further, each part of the frame 1, the substrate processing unit 3, the instrumentation unit 9, and the processing liquid supply device 6 is partitioned by an outer wall, and each is adjusted to a predetermined pressure.
  • the air is contaminated by these mists, etc., and the air in the substrate processing unit 3 is exhausted from its bottom as AO 5 dedicated
  • the exhaust duct 10 is exhausted through 10.
  • the air in the valve box 16 may be contaminated with mist. It becomes exhaust AO 6 and is exhausted through the exhaust duct 10.
  • a part of the air in the substrate transfer chamber 11 is discharged as air A07 through the damper 15 as shown in FIG.
  • a part of the air in the substrate transfer chamber 11 flows as the airflow AO 8 through the bottom of the valve box 16 and is discharged from the exhaust duct.
  • the air may have its temperature and humidity adjusted to a predetermined value, or an inert gas (for example, N 2 gas) may be supplied instead of air. As a result, it is possible to prevent the processing substrate from being deteriorated during processing or transportation.
  • FIG. 8 is a diagram showing the pressure inside the substrate cleaning apparatus according to the present invention and the pressure outside the apparatus.
  • the atmospheric pressure (atmospheric pressure) outside the equipment is P 0
  • the atmospheric pressure inside the substrate transfer chamber 1 1 is PA
  • the atmospheric pressure inside the substrate processing unit 3 is PB
  • PA> P 0> PB is maintained. Adjust each atmospheric pressure. This keeps the atmosphere in the substrate transfer chamber 11 1 clean (prevents air from leaking out of the equipment) and transfers the substrate that has been processed in the substrate processing nut 3 with the hand 2a of the transfer robot 2. It can be stored in the substrate storage cassette 4 in a clean state.
  • a plurality of supply tanks are arranged for each substrate processing unit 3 in the processing liquid supply apparatus 6. All processing liquids are supplied from the supply tank by pressure feeding with inert gas (eg N 2 gas). For this reason, unlike supply by a pump or the like, there is no pulsation at the time of supply, and there is no problem such as generation of particles, so that a stable treatment liquid can be supplied. Two or more types of processing solutions can be supplied to multiple (two in the figure) substrate processing units 3 and 3, respectively.
  • a plurality of supply tanks are provided for each treatment liquid, and the treatment liquids are alternately supplied from the plurality of supply tanks.
  • FIG. 9 is a diagram showing an embodiment of a system of a processing liquid supply apparatus for supplying a single type of processing liquid to one substrate processing apparatus.
  • a plurality of (two in the figure) supply tanks 2 1 and 2 2 are provided for one type of processing liquid, and the processing liquid is supplied to each of the supply tanks 2 1 and 2 2. Therefore, treatment liquid supply valves V1, V4, inert gas supply pulp V2, V5, and pressure relief valves V3, V6 for supplying inert gas are connected.
  • valves V 7 and V 8 are connected to supply tanks 2 1 and 2 2, respectively. By switching these valves V 7 and V 8, the processing liquid is alternately supplied from supply tank 2 1 or supply tank 2 2 to the substrate. It is to be supplied to the processing unit 3.
  • the substrate processing unit 3 includes a valve V 9 and a processing liquid injection nozzle 23 for injecting a processing liquid, and injects the processing liquid supplied through the valve V 9 onto the processing substrate W. Valves V 1 to V 9 are located in the above valve box 16 (see Fig. 7) Yes.
  • the supply tank 21 is provided with an upper limit sensor S 1 and a lower limit sensor S 2, and the supply tank 22 is also provided with an upper limit sensor S 3 and a lower limit sensor S 4.
  • the processing liquid supply device 6 includes a pressure sensor P 1 for detecting the processing liquid pressure discharged from the supply tank 21 and a pressure sensor P 2 for detecting the processing liquid pressure discharged from the supply tank 22. .
  • the supply of the treatment liquid from the supply tanks 21 and 22 is performed using the inert gas pressure supplied via the inert gas supply valves V 2 and V 5 as power.
  • the pressure of the processing liquid from supply tanks 21 and 22 is monitored by pressure sensors P 1 and P 2, and if the pressure becomes higher than necessary, the pressure relief valves V 3 and V6 are opened, and the gas in the supply tanks 21 and 22 is released. I'm getting pulled out.
  • FIG. 10 and FIG. 11 are diagrams showing a process liquid supply flow of the process liquid supply apparatus.
  • step ST1 of FIG. 10 it is determined whether the lower limit sensor S2 of the supply tank 21 is ON. If NO (the processing liquid level is lower than the lower limit level), then the lower limit sensor S4 of the supply tank 22 is Determine whether or not it is ON (step ST2), and move to step 21 in Fig. 11 for both NO and Y ES. If YES in step ST1, it is determined whether the lower limit sensor S4 of the supply tank 22 is ON (step ST3) .If NO, the process proceeds to step ST24 in Fig. 11. If YES, Move to step ST27 in Fig. 11.
  • step ST21 of Fig. 11 the pressure relief valve V 3 is closed, and then the treatment liquid L is supplied to the supply tank 21 and the inert gas supply valve V 2 is opened to supply the inert gas.
  • V 7 and valve V 9 are opened to supply the processing liquid to the substrate processing unit 3 (step ST 22).
  • step ST 26 the inert gas supply valve V 2 and the valve V 7 are closed, and the supply of the processing liquid L from the supply tank 21 is stopped (step ST 26).
  • step ST 27 the pressure relief valve V 3 is opened to depressurize the supply tank 21 (step ST 27).
  • step ST 28 the processing liquid supply valve V 1 is opened to supply the processing tank L to the supply tank 21 (step ST 28).
  • step ST29 it is determined whether the upper limit sensor S1 of the supply tank 21 is ON (step ST29). If YES, the processing liquid supply valve V1 is closed to stop the supply of the processing liquid to the supply tank 21 (step ST 30). Subsequently, it is determined whether the lower limit sensor S 4 of the supply tank 22 is ON (step ST 3 1). If NO, the process waits until it is ON. If YES, the process proceeds to step ST 21.
  • step ST3 2 If the lower limit sensor S2 of the supply tank 21 is not ON in step ST23 above, then it is determined whether the lower limit sensor S4 of the supply tank 22 is ON (step ST3 2). Then, return to the above step ST 23, and if YES, open the pressure relief valve V 6 and depressurize the supply tank 22. Subsequently, the processing liquid supply valve V 4 is opened, and the processing liquid is supplied to the supply tank 22 (step ST 3 4). Next, it is determined whether the upper limit sensor S3 of the supply tank 22 is ON (step ST3 5). If NO, wait until it is ON. If YES, close the processing liquid supply valve V4 and close the supply tank. 2 Stop supplying processing solution to 2 and proceed to step ST 23 above.
  • a plurality of (two in the figure) tanks are provided for each of the processing liquids to be supplied as described above, and the processing liquid is supplied to the substrate processing unit 3 in one of the supply tanks 2 1 and 2 2, for example, the supply tank 2 1.
  • the processing liquid in supply tank 2 1 runs out, it switches to supply tank 2 2 by switching the valve.
  • the supply of the processing liquid to the supply tank 21 is performed.
  • the treatment liquid can be continuously supplied.
  • the two supply tanks 2 1 and 2 2 2 are used alternately, the process is not interrupted, and the capacity of the supply tanks 2 1 and 2 2 can be suppressed to the minimum necessary level. For this reason, the treatment liquid supply apparatus can be made very compact, and even if it is installed in the apparatus, it is possible to minimize the influence on the apparatus footprint.
  • the substrate processing units 3 mounted on the substrate cleaning processing apparatus at least one, preferably all of the substrate processing units are a single substrate processing unit that can complete the process, that is, after the liquid processing. It has a drying function.
  • a plurality of nozzles that spray an inert gas (eg N 2 gas) on the front and back surfaces of the substrate are installed independently above and below, and liquid processing such as double-sided cleaning, bevel etching, and backside scrubbing is complete.
  • the substrate is dried by spraying an inert gas on both sides of the substrate.
  • a low-cost substrate transfer device that can handle only dry specifications and does not require wet countermeasures. For example, it can be supported by a fixed mouth pot with multiple dry hands.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view showing an embodiment of the substrate processing unit 3-1.
  • Substrate processing Unit 3-1 comprises chamber 3 1.
  • the chamber 31 includes a cylindrical chamber body 3 2 and a chamber cover 33 that covers the upper end of the chamber body 3 2.
  • the cylindrical chamber body 3 2 is erected in the vertical direction, and the lower side is closed by the bottom 3 4.
  • the chamber cover 33 is formed in a bowl-like shape and covers the upper end of the cylindrical chamber body 32.
  • the upper end of the chamber body 32 and the outer periphery of the chamber cover 33 are in close contact so that the inside of the chamber 31 can be sealed from the outside air.
  • the bottom part 3 4 is slightly inclined with respect to the horizontal. At the connection part between the bottom part 3 4, which is the lowest part of the inclined surface, and the chamber body 3 2, the chamber body 3 2 is subjected to exhaust and drainage.
  • the exhaust / drain pipe 4 9 also serves as a connection.
  • An opening is formed at the center of the chamber cover 33, and an upper shaft 35 is provided through the opening in the vertical direction.
  • the upper shaft 35 has a disc-shaped flange 3 at its upper end. 5 has a.
  • the opening of the chamber cover 33 and the flange portion 35 a are connected by a bellows (bellows-shaped) flexible joint 36.
  • a conduit 37 is formed through the center of the upper shaft 35.
  • the conduit 37 supplies gas for purging oxygen such as nitrogen gas or rinsing ultrapure water to the substrate surface.
  • the tip of the conduit 37 is formed as a nozzle 37 a for the substrate W.
  • the chamber cover 33 and the upper shaft 35 are connected by a connecting member (not shown), and the relative position in the vertical direction of both can be adjusted.
  • This connecting member includes a driving device (not shown) that drives the upper shaft 35 relative to the chamber cover 33 to adjust the relative position. As described above, since the flexible joint 36 is provided, the relative positional relationship between the chamber cover 33 and the upper shaft 35 can be accommodated.
  • the upper disk 3 8 which is a circular flat plate is horizontally attached to the lower end of the chamber upper shaft 35.
  • the lower surface of the upper disk 38 is configured to face the surface of the circular substrate W to be processed in parallel.
  • the gap between the lower surface of the upper disk 3 8 and the surface of the substrate W is as narrow as possible. For example, it adjusts suitably in the range of 0.5-20 mm.
  • the gap is preferably about 0.8 to 10 mm, more preferably about 1 to 4 mm, and nitrogen gas and ultrapure water supplied through the conduit 37 are even on the surface of the substrate W. To flow into.
  • This gap adjustment is performed by adjusting the relative position between the upper shaft 35 and the chamber cover 33. It can be done by adjusting.
  • Each of the six rollers 3 9 a to 3 9 f rotates the substrate W by rotating. It is only necessary to obtain uniform rotation at low speed while supporting the horizontal, and the rotation speed is 30 O mir 1 at the maximum.
  • a chamber lower shaft 40 is erected on the bottom 34 so as to be positioned on the back side of the substrate W supported by the rollers 39a to 39f.
  • a nozzle 4 1 a formed by a conduit 41 passing therethrough is formed.
  • a lower disk 42 which is a circular flat plate, is arranged on the upper end of the lower shaft of the champ 40 so as to face the back side of the substrate W supported by the rollers 39a to 39f in parallel with the back side of the substrate W. Is attached.
  • the gap between the lower disk 42 and the back surface of the substrate W is preferably as narrow as possible, as in the relationship between the upper disk 38 and the substrate W. For example, the range is 0.5 to 20 mm. Adjust as appropriate.
  • This gap is preferably about 1 to 4 mm so that nitrogen gas or ultrapure water supplied via the conduit 41 flows uniformly through the gap between the back surface of the substrate W and the lower disk 42.
  • the substrate can be processed or protected with a relatively small amount of fluid.
  • FIG. 13A is a perspective view showing the relationship between the substrate W supported by the rollers 39a to 39f and the etching portion 45
  • FIG.13B is a side view of the etching portion 45
  • 1 3 C is a plan view of the etched portion.
  • the etching portion 45 is a U-shaped member formed so as to sandwich the peripheral portion of the substrate W from the front and back sides with a gap.
  • a gas introduction pipe 46a such as nitrogen gas for drying the substrate W in order from the downstream side along the rotation direction of the substrate W
  • An ultrapure water introduction pipe 46 b for rinsing for cleaning the substrate W is connected to a chemical introduction pipe 46 c such as hydrofluoric acid as a first liquid for etching the metal thin film formed on the bevel.
  • a chemical introduction pipe 46 c such as hydrofluoric acid as a first liquid for etching the metal thin film formed on the bevel.
  • the chemical solution supplied from the chemical solution introduction pipe 4 6 c is a mineral acid or organic acid and / or an oxidizing agent as an etching solution.
  • the organic acid is acetic acid, formic acid, oxalic acid, etc., and the chemical solution contains at least one of them.
  • the oxidizing agent is hydrogen peroxide (H 2 0 2 ) water, ozone (0 3 ) water, or the like, and includes at least one of them.
  • a solenoid valve S V 1 that is an on-off valve that supplies acid and a solenoid node S V 2 that is an on-off valve that supplies an oxidizing agent are arranged in parallel on the upstream side of the chemical solution introduction pipe 46c.
  • the acid conduit via the solenoid S V 1 and the oxidizer conduit via the solenoid valve S V 2 merge into the chemical introduction pipe 46c.
  • the solenoid valve S V I and the solenoid valve S V 2 are controlled to open and close by the controller 50.
  • the controller 50 controls the opening / closing time and the opening / closing sequence of the solenoid valve S V 1 and the solenoid valve S V 2.
  • the type and concentration of the acid are selected as appropriate, the order of the acid and oxidant supplied to the etching section 45 and the respective supply times are set by the controller 50, and the acid Oxidizing agent can be supplied alternately.
  • the controller 50 can also select to supply the acid and the oxidizing agent in a mixed state at the same time. If a control valve is used instead of a solenoid valve that can only be fully opened and fully closed, the flow rate of acid and oxidizer can be adjusted to set the mixing ratio to an arbitrary value.
  • the ultrapure water introduction pipe 4 6 b supplies ultrapure water for washing.
  • the inert gas (N 2 gas or Ar gas) for drying is supplied from the gas introduction pipe.
  • the lower cantilever part 45 c of the etching part 45 is passed through the lower cantilever part 45 c from the inside of the U-shape, and the waste liquid of chemicals and ultrapure water is discharged from the chamber 31. Drainage pipes 4 to 7 are connected.
  • an air cylinder 48 is installed on the outer side of the U-shaped portion of the etched portion 45, and the etched portion 45 is moved toward and away from the substrate W "via the shaft (the direction indicated by the arrow A in the figure). In this way, the etching unit 45 has a structure that can be retracted when the substrate W is carried in and out.
  • FIGS. 14A and 14B are diagrams showing an embodiment of another substrate processing unit 3-2 that performs a bevel etching process on the substrate W.
  • FIG. 1 4 A the substrate processing unit 3-1 roller 3 9 a to 3 9 during the etching process of the bevel part of the substrate W While rotating the substrate W by the same roller 63 as in f, the upper disk 60 descends to a position of several millimeters above the substrate W, and the inert gas (N 2 (Gas, etc.) 6 1 is sprayed and blown toward the outer periphery of the substrate W so that the processing liquid sprayed from the etching nozzle 58 or the vapor of the processing liquid does not enter the center of the substrate W.
  • N 2 (Gas, etc.) 6 1 the inert gas
  • pure water is supplied from the rinse nozzle 59 to the edge portion of the rotating substrate W (positioned so that pure water is supplied from the inside of the processing liquid supply position), and rinsing is performed.
  • the injection nozzles 64, 65 and / or the central part 60a of the upper disk 60 are not provided from the outer peripheral part of the upper disk 60.
  • the active gas 6 1, 6 1 is irradiated onto the rotating substrate W.
  • the injection nozzle 6 4 injects the inert gas 61 toward the surface of the substrate W located outside the upper disk 60, and the injection nozzle 65 has the inert gas 61 from the inside toward the outside. It comes to inject.
  • an inert gas 61 is injected from the injection nozzle 65 from the inside, and then an inert gas is injected from the injection nozzle 64 to the outside.
  • the etching part has a bevel suction nose 6 2 sucked from the upper surface of the peripheral part of the substrate W, and a suction nozzle 6 6 having a U-shaped cross section and sucking from the side of the peripheral part of the substrate W.
  • the nozzle 62 and the suction nozzle 66 suck the gas 69 containing inert gas and liquid mist flowing into the bevel portion during drying. Further, the inert gas 61 is sprayed from the spray nozzle 67 to the back surface of the substrate W.
  • the injection nozzle 67 moves from the center of the substrate W to the outer peripheral portion while injecting the inert gas 61 as indicated by an arrow A.
  • a suction nozzle 6 8 is provided in the vicinity of the outer side of the roller 6 3 so as to suck inactive gas 61 flowing into the surface of the roller 63 and gas 69 containing liquid mist. As a result, the surface of the roller 63 is also dried.
  • a plurality of pairs of jet nozzles 6 4 and 65 may be arranged around the upper disk 60 at equal intervals.
  • the injection nozzles 6 4 and 65 are arranged at different positions on the same radius, but may be arranged at different radial positions on different radii.
  • the etching nozzle 5 8 or the nozzle 5 9 is separated from the bevel arch I nozzle 6 2 in FIG. 14 A, but may be adjacent to the etching nozzle 5 8 from the processing nozzle or rinse nozzle 5 9 Further, pure water may be supplied from the liquid and each liquid may be sucked by the bevel suction nozzle 62.
  • the bevel suction nozzle 6 2 is positioned before the nozzles 5 8 and 5 9, suction is performed immediately after supplying the liquid, and the bevel suction nozzle 6 2 is nozzles 5 8 and 5.
  • Substrate W sucks after one round.
  • the reaction time with the liquid can be adjusted, and the amount of liquid used, etching, and uniformity of rinsing can be controlled.
  • the back surface processing cleaning may be performed at the same time.
  • FIG. 15 is a diagram showing an embodiment of the substrate processing unit 3-3 for drying the substrate W after performing the double-sided cleaning process on the substrate W.
  • gas injection nozzles 7 1 and 7 2 for injecting inert gas 6 1 and 6 1 on the front and back surfaces of the substrate W
  • Inert gas 61, 61 is sprayed onto the front and back surfaces of the rotating substrate W by four rollers 63, which are equally arranged around the substrate as in ⁇ 39 f.
  • the gas injection nozzles 7 1 and 7 2 are moved from the center portion of the substrate W toward the outer peripheral portion as indicated by arrows B and B. As a result, the drying region of the substrate W is dried while spreading from the central portion to the outer peripheral portion.
  • gas 69 including an inert gas or liquid mist flowing into the bevel during drying is sucked by suction nozzle 66.
  • Gas 6 9 containing inert 14 gas and liquid mist flowing into the surface of roller 63 is also sucked by suction nozzle 68.
  • the chamber 7 3 has a box shape with a substantially square cross section, and the top plate 7 3 a (lid) can be opened and closed. When the top plate 7 3 a is closed, liquid does not scatter from the side wall to the outside. It has become.
  • the top plate 7 3 a is provided with two concentric arcuate openings (air intakes) 7 4 as shown in Fig. 17, while the bottom 7 3 b has two exhaust ports 7 9 are provided opposite to each other across the center, which leads to the exhaust duct 10. As shown in FIG. 18, the bottom 7 3 b is inclined, and a drain port 75 is formed on the lower side.
  • a substrate holding part 76 for holding the substrate W in a rotatable manner is provided in the chamber 73.
  • the substrate holder 7 6 includes four rollers 7 7 that hold the substrate W horizontally and rotate it. As shown in Fig. 8, the lower end of roller 7 7 and the opening of bottom 7 3 b
  • An accordion-shaped covering member 78 is provided between the periphery of the mouth portion, and shuts off the inside of the chamber 73 and the space below the chamber 73.
  • each roller 77 is configured to move toward the center C of the substrate W along the radial direction of the substrate W.
  • Each roller 7 7 is connected to an air cylinder 8 1 as a driving mechanism, and the air cylinder 8 1 moves each roller 7 7 along the radial direction of the substrate W. It comes in contact with and separates from.
  • These rollers 77 are arranged at equal intervals in the circumferential direction of the substrate W.
  • the rollers 77 are connected to a motor (not shown) as a drive source, and by driving the motors, the rollers 77 are rotated in the same direction in synchronization.
  • a stopper 81a is provided to stop the movement of the roller 77 contacting the half area of the substrate W divided in half by the center line CL.
  • the roller 7 7 receives the first pressing force from the air cylinder 8 1 and moves toward the center C of the substrate W until it comes into contact with the stopper 8 1 a and moves to a predetermined position determined by the stopper 8 1 a. Fixed.
  • the roller 77 located on the other side of the substrate W receives a second pressing force smaller than the first pressing force from the air cylinder 81, and the movement of the substrate W is not restricted. Move once to center C.
  • FIG. 21 is an enlarged sectional view showing a main part of the roller 77 shown in FIG.
  • a groove-shaped clamp portion 82 extending along the outer peripheral surface of each roller 77 is formed.
  • the clamp portion 8 2 has a flat portion 8 2 a located at the center thereof and two curved portions 8 2 b adjacent to the upper and lower sides of the flat portion 8 2 a. It has an arcuate cross section. In such a configuration, when the roller 77 moves toward the substrate W, the clamp portion 82 is flat so as to accommodate a portion that is directed from the end of the substrate W to the inner peripheral side by about 0.1 mm to several mm.
  • the part 8 2 a contacts the end of the substrate W.
  • These rollers 77 have the same shape and the same size. Further, as the material of the roller 77, a fluorine-based resin having chemical resistance, such as PVDF, PEEEK, or polyurethane, is preferably used.
  • the width (length in the vertical direction) E of the clamp part 8 2 is less than twice the thickness T of the substrate W. Specifically, for substrate W with a diameter of 200 mm and a thickness of 0.75 mm Then, the width E of the clamp part 82 is set to 1.5 mm or less. The width (length in the vertical direction) F of the flat portion 8 2 a is less than half of the thickness T of the substrate W. With such a configuration, the substrate W held by the clamp portion 82 is restricted to the position of the flat portion 82a by the curved portion 82b. Therefore, the substrate W can be rotated while keeping the posture of the substrate W substantially constant.
  • the substrate holder 7 6 includes a height adjusting mechanism (not shown) for adjusting the height of each roller 7 7 and an inclination adjusting mechanism (not shown) for adjusting the inclination of each roller 7 7.
  • a height adjusting mechanism for adjusting the height of each roller 7 7
  • an inclination adjusting mechanism for adjusting the inclination of each roller 7 7.
  • the roller 77 is provided with a roller force par 8 3 that covers the roller 7 7 as a whole.
  • the roller cover 8 3 has a cylindrical shape that matches the shape of the roller 7 7, the top is covered with the top plate 8 3 a, and the lower end opens into the chamber 7 3, either directly or indirectly. It is attached to the base that holds the shaft.
  • b is formed.
  • the vertical and horizontal dimensions of the opening 8 3 b are formed to the minimum size so that the roller 7 7 does not interfere with holding the substrate W as shown in FIGS.
  • roller cover 8 3 Since the space in the roller cover 8 3 opens downward, the air flow is formed downward by the exhaust from the exhaust port 79, and the droplets and mist that enter from the opening 8 3 b To be discharged downward. Since this roller cover 8 3 has a top plate 8 3 a, it prevents the processing liquid and the like scattered from the substrate W from adhering to the roller 7 7, and prevents the roller 7 7 itself from becoming a contamination source. To prevent.
  • the space inside the roller cover 83 may be exhausted through a path different from the path of the exhaust port 79 in the chamber 73.
  • the chamber 73 is provided with a processing liquid supply nozzle 84 that ejects various processing liquids toward the substrate W held by the rollers 77. These are arranged so that an appropriate processing solution can be sprayed to an appropriate location on the substrate W according to the type of processing to be performed. It can be moved so that it can be saved at a position away from the station.
  • a processing solution supply nozzle 84 for supplying a etching solution and pure water for cleaning is provided in order to bet the substrate W (semiconductor wafer). This is composed of an L-shaped tube that hangs down from the top plate 8 3 a. As can be seen in 2 and 3, the orientation of the nozzle at the end of the horizontal pipe can be changed.
  • a treatment liquid supply nozzle 84 for supplying pure water for cleaning is also provided on the lower surface side of the substrate W (not shown).
  • an inert gas is used.
  • a gas injection nozzle 72 for injecting (N 2 ) or the like is arranged toward an appropriate portion of the substrate W. These can also be moved to inject gas to different locations on the substrate W surface and to evacuate when not in use.
  • These gas injection nozzles 72 are provided with a nozzle cover 85 that prevents contamination and clogging due to adhesion of the scattering treatment liquid when not in use.
  • the nozzle cover 85 is a cap-like one.
  • the nozzle cover 8 5 is always installed at the retracted position, and the gas injection nozzle 7 2 is raised using the lifting mechanism at the retracted position so that the nozzle tip is inserted into the cover. It has become.
  • the nozzle cover 85 may move or move up and down, or it may move together with the nozzle.
  • the nozzle cover 85 is installed according to the injection direction of each gas injection nozzle 72. Note that the gas injection nozzle 72 desirably sprays a small amount of gas during movement to prevent the treatment liquid from adhering. In this example, the lower gas spray nozzle
  • the chamber 73 is provided with a purge member 86 for controlling the flow of the processing solution and mist when the substrate W is processed, attached to the chamber 7 3 top plate 7 3 a.
  • the purge member 8 6 includes a head portion 8 6 a fixed to the top plate 7 3 a and a disk-shaped fixing fixed to the lower surface of the head portion 8 6 a.
  • a purge plate 8 6 b and a movable purge plate 8 6 c provided on the outside thereof so as to be movable up and down are provided. Movable purge plate
  • the lifting mechanism 8 7 includes a fluid pressure cylinder 8 7 a erected on the top surface of the top plate 7 3 a, a triangular holding plate 8 7 b attached to the upper end of the fluid pressure cylinder 8 7 a, and its holding It has a rod-shaped connecting member 8 7 c that connects the edge of the plate 8 7 b and the movable purge plate 8 6 c.
  • the movable purge plate 8 6 c is raised by the operation of the fluid pressure cylinder 8 7 a to expose the peripheral portion of the substrate W. In the lowered position, it is integrated with the fixed purge plate 8 6 b.
  • a seal member 8 8 is disposed between the surfaces where the movable purge plate 8 6 c and the fixed purge plate 8 6 b are in contact with each other, so that gas does not leak from this gap.
  • a protruding wall 89 that is slightly larger than the outer diameter of the substrate W is formed at the edge of the movable purge plate 8 6 c so that the upper surface and the side surface of the substrate W can be covered with a minute gap. It has become.
  • the fixed purge plate 8 6 b and the movable purge plate 8 6 c have measures such as forming a recess in the corresponding part so as not to interfere with other members such as the rollers 77 7.
  • the fixed purge plate 8 6 b is provided with two gas flow paths 90 a and 9 Ob for supplying gas toward the gap between the substrate W surface.
  • the first gas flow path 90 a extends vertically along the central axis, and opens as a space whose diameter increases toward the substrate W surface at the center of the upper surface of the substrate W. Gas is supplied to the part.
  • the second gas flow path 9 Ob opens at the peripheral edge of the substrate W, that is, from the outer end of the substrate W to an annular portion having a predetermined width. This mainly supplies gas to the peripheral edge of the substrate W. A fluid is supplied to these gas flow paths 90 a and 90 b through a joint protruding to the upper surface side of the chamber 73.
  • the chamber 73 is provided with an inner wall cleaning nozzle 91 that opens to face the inner wall portion 73c.
  • the inner wall cleaning nozzle 91 is provided at equal intervals in the pipe 92 provided along the inner wall portion 73c of the chamber 73 toward the diagonally lower side.
  • This pipe 92 is connected to a cleaning liquid supply system via an on-off valve 93 that is controlled to be opened and closed by the control system. By opening the on-off valve 93 at a predetermined timing, the inner wall 7 3 c Automatic cleaning (self-cleaning) is performed.
  • self-cleaning is performed every one or several sheets when the substrate W is not in the chamber 73, that is, when waiting for the transfer of the substrate W, etc. To do. Of course, it may be performed during the treatment by lowering the spraying pressure of the cleaning liquid.
  • the height position of the inner wall cleaning nozzle 91 is selected as appropriate, but it is preferable to target the place where the processing liquid is likely to adhere, that is, the vicinity of the processing height of the substrate W and the range below it.
  • the substrate processing unit 3-4 having the above configuration, a process of etching the bevel portion that is the peripheral portion of the substrate W will be described.
  • the substrate W is loaded by the transfer robot 2.
  • the roller 7 7 retracted, the substrate W is maintained at the height of the clamp portion 82 2, and the roller 7 7 is moved inward to hold the substrate W.
  • the purge member 86 covers the substrate W as shown in FIG.
  • the air inlet 74 is formed along the peripheral edge above the substrate W, the air flow in the chamber 73 is formed so as to wrap the substrate W from the top to the bottom. Accordingly, an air curtain A 10 that surrounds the substrate W is formed to prevent contamination by fine particles from the top plate 7 3 a of the chamber 7 3, the inner wall, or other parts.
  • clean gas is supplied from the gas flow paths 90a, 90b of the purge member 86, and this also protects the substrate W surface. In the absence of the purge member 8 6, the airflow directly protects the substrate W surface.
  • the movable purge plate 86c is raised, and the peripheral edge of the substrate W is exposed.
  • the processing liquid supply nozzle 84 is sprayed toward the corresponding portion while driving the roller 7 7 to rotate the substrate W at a low speed.
  • an inert gas N 2 gas or the like
  • N 2 gas or the like is supplied to the first gas flow path 90 a to form a flow from the center toward the outer periphery on the surface of the substrate W.
  • a cleaning liquid such as pure water is supplied from the processing liquid supply nozzle 84 to remove the etching liquid.
  • an inert gas (such as N 2 gas) is supplied to the first gas flow path 90 a to prevent liquid from entering the inner part.
  • the cleaning liquid is also supplied to the back side of the substrate W to clean the back side.
  • the cleaning liquid is removed from the substrate W surface, and further a drying process is performed.
  • supply of the cleaning liquid is stopped, and the rotation speed of the substrate W is maintained or increased, and the liquid is scattered by centrifugal force.
  • the inert gas is supplied not only to the first gas flow path 90a but also to the second gas flow path 90b.
  • the gas injection from the first gas flow path 90a is for preventing the liquid from entering the inner part, and the gas injection from the second gas flow path 90b is the liquid remaining in the peripheral part. It is for blowing away.
  • the movable purge plate 86c is lowered to cover the peripheral edge of the substrate W.
  • a high-speed flow of the inert gas can be formed along the peripheral surface of the substrate W, and the removal of the liquid, that is, the drying is performed quickly. In this drying process, the rotation speed of the substrate W is reduced or stopped.
  • gas is also supplied from the gas injection nozzle 72 on the back side of the substrate W, and the liquid is removed and dried.
  • the gas injection nozzle 72 moves to the retracted position while injecting a small amount of gas, as shown in Fig. 24 B, and ascends as shown in Fig. 24 C. Ahead in 5 Wait with the edges closed.
  • the processed substrate W is unloaded by the transfer robot with the top plate 7 3 a opened, and a new substrate W is loaded, and the next processing is performed.
  • the inner wall cleaning nozzle 91 shown in FIGS. 25A and 25B performs automatic cleaning (self-tapping) of the inner wall portion 73c at an appropriate timing.
  • etching, cleaning, and liquid removal / drying are performed in the same equipment, so each part of the equipment contaminated by the etching and cleaning process contaminates the substrate W during liquid removal / drying or later.
  • the prevention of so-called secondary contamination is an important issue.
  • a plurality of means as described above are provided in order to prevent secondary contamination.
  • the processing liquid is fed from the substrate W and the nozzle being processed by the processing liquid by the air curtain formed so as to wrap the substrate W evenly by the air intakes 74 provided symmetrically with respect to the substrate W.
  • the surrounding members are prevented or reduced from scattering on the inner wall, and contamination of these parts is prevented or reduced.
  • the air curtain prevents contamination between the inner wall of the peripheral member and the substrate W. Therefore, secondary pollution is prevented or reduced in a double sense.
  • FIG. 27 shows an embodiment in which the opening area and shape can be easily changed. That is, an adjustment member 94 having an edge that follows the shape of the air intake 7 4 is attached to the top surface of the top plate 7 3 a so as to partially cover each air intake 7 4 It is. Between the top plate 7 3 a and the adjusting member 9 4, a position adjusting mechanism 95 is provided by a combination of the convex portion 95 a and the long hole 95 b. Using this position adjusting mechanism 95, the position of the two adjusting members 94 can be adjusted while maintaining symmetry with respect to the substrate W.
  • the adjustment member 94 may be fixed by forming a screw on the convex portion 95a and screwing a nut into the protrusion 95a. Further, the shape of the air intake port 74 may be changed by exchanging it with an adjustment member 94 having an edge of another shape.
  • the roller 7 7 that directly contacts the substrate W is covered by the roller cover 8 3
  • the adhesion of the processing liquid to the roller 7 7 is reduced, and secondary contamination through the roller 7 7 is reduced.
  • the covering action of the top plate 7 3 a covering the top of the roller 77 is effective.
  • FIGS. 2A and 2B show a cover cleaning mechanism 9 6 for cleaning the roller cover 8 3 in the retracted position of the roller 7 7.
  • the pipe 9 2 through the pipe 9 6 a of the inner wall cleaning nozzle 9 1 shown in FIGS. 25 A and 25 B are introduced above the opening 8 3 b of the roller cover 8 3, A cover cleaning nozzle 9 6 b is formed on this.
  • the timing of use may be basically the same as the self-cleaning of the inner wall 7 3 c, but is not limited to this.
  • the cover cleaning mechanism 9 6 is not limited to this, for example, the roller cover 8 3 itself
  • a nozzle for injecting the cleaning liquid from the inside of the opening 83b may be provided.
  • the nozzle cover 85 prevents or reduces contamination when the gas injection nozzle 72 is in the retracted position. Therefore, the situation where the gas for injection is injected from the contaminated gas injection nozzle 72 is avoided, and secondary contamination is prevented or reduced.
  • the inner wall cleaning nozzle 91 performs self-cleaning of the inner wall portion 7 3 c, a path 2 in which fine particles caused by the processing liquid and the like adhering to the inner wall portion 7 3 c reattach to the substrate W is provided. Prevent or reduce secondary contamination.
  • a method of arranging a holding part suction part for sucking the processing fluid in the substrate holding part as described below may be used in combination. This is because the treatment liquid can be prevented from adhering to the substrate holding portion, and the reattachment of the fine particles to the substrate W due to the adhesion can be prevented or reduced.
  • FIG. 29 is a perspective view schematically showing a substrate processing tube 3-5 according to another embodiment of the present invention.
  • the substrate processing unit 3-5 includes a plurality (four in this embodiment) of substrate holding units 1 1 1 and each substrate holding unit 1 1 1 A roller 1 2 0 rotating around the axis is provided.
  • a bevel suction nozzle (peripheral suction portion) 1 1 6 is arranged above the substrate W.
  • the bevel suction nozzle 1 16 is close to the peripheral edge of the substrate W, and sucks liquid from the peripheral edge of the substrate W.
  • FIG. 30A and FIG. 30B are diagrams showing an embodiment of the substrate holder 1 1 1.
  • Substrate holding part (rotating holding part) 1 1 1 for holding the substrate is equipped with rollers 1 2 0 each having a clamping part 1 2 1, and the clamping part 1 2 1 is the end of the substrate W and the substrate W
  • the substrate holding part 1 1 1 is brought into contact with a predetermined pressing force toward substantially the center of the substrate, and all substrate holding parts 1 1 1 1 are rotated in the same direction and in the same direction by a rotation driving means (not shown).
  • the substrate W is held while applying a rotational force by friction between the edge of the substrate W and the edge of the substrate W. At least one of all the substrate holders 1 1 1 may be driven to rotate.
  • a holding part suction nozzle 1 2 4 with 2 3 is arranged.
  • the suction port 1 2 3 is disposed close to the clamp portion 1 2 1, for example, in the vicinity of 5 mm or less, and sucks the fluid adhering to the clamp portion 1 2 1.
  • a holding unit cleaning nozzle 1 26 having a supply port 1 25 for supplying a cleaning fluid to the clamp unit 1 2 1 is similarly disposed in the vicinity of the clamp unit 1 2 1 of the roller 1 2.
  • the material used for the roller 120 here is PVDF, which is a chemical-resistant fluororesin.
  • the spin chuck holds the substrate fixed, it is difficult for the fluid to change inside the spin chuck claw.
  • the substrate holding part 1 1 1 1 by rotating and holding the substrate W by the substrate holding part 1 1 1 and installing the holding part suction part 1 2 4 in the substrate holding part 1 1 1, the vicinity of the substrate holding part 1 1 1 It is possible to improve the replacement of the fluid and suppress the residual fluid.
  • the clamp portion 1 2 1 of the substrate holding portion 1 1 1 comes into contact with the end portion of the substrate W and presses and holds the predetermined pressure substrate W toward the inside of the substrate W.
  • the shape of the clamp portion 1 2 1 is preferably a concave shape so that there is no displacement of the substrate W during holding or rotation.
  • the clearance between the holding part suction nozzle 1 24 and the clamp part 1 2 1 is preferably 1 mm or less, and more preferably 0.5 mm or less.
  • the material for the roller 120 is preferably a fluorine resin having chemical resistance, such as PVDF, PEEK, or polyurethane.
  • the clearance (positional relationship) between the holding unit cleaning nozzle 1 2 6 and the clamp unit 1 2 1 is preferably less than l mm, more preferably the same as the clearance between the holding unit suction nozzle 1 2 4 and the clamp unit 1 2 1 Is 0.5 mm or less.
  • the fluid adhering to the clamp part 1 2 1 re-contacts with the substrate W by the rotation of the roller 1 2 0, and the fluid in the tangential direction X of the substrate W and the roller 1 2 0 (See Figure 3 OA).
  • the relationship between the suction port 1 2 3 and the supply port 1 2 5 is that if the rotation direction of the roller 1 2 0 is the direction of the arrow in the figure, the clamp part 1 2 1 and the substrate W A holding part cleaning nozzle / res 1 2 6 is arranged in front of the contact part Wc in the rotational direction, and a holding part suction nozzle 1 2 4 having a suction port 1 2 3 is arranged in front of it. Yes.
  • the fluid at the peripheral edge of the substrate W moves to the clamp part 1 2 1 of the roller 1 2 0 at the contact part W c, and the roller 1 2 0 rotates in the direction indicated by the arrow in the figure, and the holding part cleaning nozzle 1 26 6 Cleaning fluid supply port 1 2 1
  • the clamp part 1 2 1 to which the fluid adheres is cleaned by the cleaning fluid supplied from the 2 5.
  • the fluid processed by the cleaning fluid reaches the holding part suction nozzle 1 2 4 having the suction port 1 2 3 as the roller 1 2 0 rotates, the fluid is sucked by the suction nozzle 1 2 4. Sucked.
  • the scattering of fluid from the peripheral edge of the substrate W is suppressed, and the substrate is contaminated.
  • the suction pipe 1 2 7 is provided inside the roller 1 20, and flows from one or a plurality of locations of the clamp part 1 2 1 through the suction pipe 1 2 7. The body may be sucked.
  • the holding unit cleaning nozzle 1 26 is provided has been described. However, when the cleaning process is not necessary, the provision of the holding unit cleaning nozzle 1 26 can be omitted.
  • the suction port 1 2 3 of the holding part suction nozzle 1 2 4 and the suction pipe 1 2 7 communicate with a vacuum source via a gas-liquid separator, and suck fluid or the like by vacuum suction.
  • a vacuum source an ejector or a vacuum pump is used.
  • the holding unit cleaning nozzle 1 2 6 and the holding part suction nozzle 1 2 4 may be arranged at a position away from the substrate W. That is, the holding part cleaning nozzle 1 2 6 and the holding part suction nozzle 1 2 4 may be disposed on the opposite side of the contact part W c with respect to the center of the roller 1 2.
  • the roller 1 2 0 When the fluid on the substrate W is sucked with the bevel suction nozzle 1 1 6 or the suction nozzle (not shown), the roller 1 2 0 does not necessarily have to be cleaned, so the holding unit cleaning nozzle 1 2 6 may be omitted. it can.
  • the holding unit suction nozzle 1 2 4 is disposed on the contact point between the roller 1 20 and the substrate W, and is disposed in front of the contact unit Wc in the rotation direction. It is preferable. Furthermore, in this case, it is preferable that the suction port 1 2 3 of the holding unit suction nozzle 1 2 4 opens toward the contact part W c and is disposed close to the contact part W c.
  • the holding part suction nozzle 1 2 4 may be arranged so that the suction port 1 2 3 is always in contact with the fluid accumulated in the contact part Wc.
  • the bevel suction nozzle 116 has a conductive portion 151 formed from a conductive material.
  • This conductive part 15 1 is located at the tip of the bevel suction nozzle 1 1 6 and is grounded (grounded) via wiring 1 4 7.
  • a force in which only a part of the bevel suction nozzle 16 is formed from a conductive material may be formed from the conductive material.
  • a bevel suction nozzle may also be provided on the lower surface side of the substrate W.
  • the holding part suction nozzle 1 2 4 has a conductive part 1 5 2 formed of a conductive material. This conductive part 1 5 2 is located at the tip of the holding part suction nozzle 1 2 4 Grounded via 148.
  • a part of the holding unit suction nozzle 124 is formed from a conductive material, but the entire holding unit suction nozzle 124 may be formed from a conductive material.
  • At least one of 24 has the conductive portion 152.
  • a gas supply nozzle 113 that supplies a drying gas to the upper surface of the substrate W is disposed above the substrate W, and a gas supply nozzle 114 that supplies a drying gas to the lower surface of the substrate W is disposed below the substrate W. Is arranged.
  • the gas supply nozzles 113 and 114 extend substantially perpendicular to the substrate W, and a drying gas is blown from the respective gas supply nozzles 113 and 114 toward the upper and lower surfaces of the substrate W.
  • the gas supply nozzle 113 is attached to the tip of the swing arm 135, and the swing arm 1
  • the 35 oscillating shafts 135 a are connected to a drive source (moving mechanism) 137.
  • the drive source 1 37 When the drive source 1 37 is operated, the swing arm 135 force S swings, and the gas supply nozzle 113 moves along the radial direction of the substrate W. Similar to the gas supply nozzle 113, the gas supply nozzle 114 is also attached to the tip of the peristaltic arm 136, and is connected to the drive source 138 via the swing shaft 136a. Then, by operating the drive source 138, the gas supply nozzle 114 moves along the radial direction of the substrate W.
  • an inert gas such as N 2 gas is preferably used as the drying gas.
  • the pressure of the drying gas supplied from the gas supply nozzles 113 and 114 is preferably 50 kPa to 350 kPa. If the pressure of the gas is too low, poor drying will occur even if the moving speed of the gas supply nozzle 113, 114 is slowed down. Also, if the gas pressure is too high, when the gas is jetted toward the liquid film, the droplets splash and adhere to the substrate W, generating a watermark. For this reason, the pressure of the gas supplied from the gas supply nozzles 113 and 114 is optimally 50 kPa to 350 kPa.
  • Liquid supply nozzles 145 and 46 for supplying a predetermined liquid such as pure water to the substrate W are attached to the sliding arms 135 and 136, respectively. These liquid supply nozzles 145 and 46 extend substantially perpendicular to the substrate W in the same manner as the gas supply nozzles 113 and 114. Then, a predetermined liquid is supplied to the upper surface of the substrate W from the liquid supply nozzle 145 located above the substrate W, and a predetermined liquid is supplied to the lower surface of the substrate W from the liquid supply nozzle 146 located below the substrate W. Is to be supplied.
  • the liquid supply nozzles 145 and 46 are arranged adjacent to the gas supply nozzles 113 and 114, and both the liquid supply nozzles 145 and 46 and the gas supply nozzles 113 and 114 move along the radial direction of the substrate W.
  • FIGS. 3 1 A to 3 1 D Figures 3.1A through 31D are diagrams for explaining the positional relationship between the gas supply nozzle and the liquid supply nozzle shown in Figure 29.
  • the liquid supply nozzle 1 4 5 is arranged on the radially outer side of the gas supply nozzle 1 1 3. That is, the liquid supply nozzle 1 45 is located outside the gas supply nozzle 1 13 in the radial direction of the substrate W. Since the liquid supply nozzle 1 4 5 and the gas supply nozzle 1 1 3 are fixed to the swing arm 1 3 5 (see Fig. 29), the liquid supply nozzle 1 4 5 and the gas supply nozzle 1 1 3 are It moves along the radial direction of the substrate W while drawing the circular orbit indicated by the arrow S while keeping the relative position of each other.
  • the liquid supply nozzle 14 45 and the gas supply nozzle 11 13 move toward the peripheral edge of the substrate W, the liquid supply nozzle 14 45 is more than the gas supply nozzle 11 13 in the traveling direction. It will be located in the front.
  • the distance in the radial direction of the substrate W between the liquid supply nozzle 1 4 5 and the gas supply nozzle 1 1 3 is preferably 10 to 30 mm, and in this embodiment is 20 mm. If the distance between the liquid supply nozzle 1 4 5 and the gas supply nozzle 1 1 3 is too close, the liquid supply nozzle 1 4 5 force will cause the supplied liquid to be affected by the gas from the gas supply nozzle 1 1 3 May scatter.
  • the distance between the liquid supply nozzle 14 45 and the gas supply nozzle 1 13 is too far, a portion that is not protected by the liquid is generated on the surface of the substrate W. Therefore, the distance between the liquid supply nozzle 1 4 5 and the gas supply nozzle 1 1 3 is 1 0 mo! ⁇ 30 mm is optimal.
  • the positional relationship between the liquid supply nozzle 1 46 and the gas supply nozzle 1 1 4 is the same as the positional relationship between the liquid supply nozzle 1 4 5 and the gas supply nozzle 1 1 3 described above. That is, as shown in FIGS. 3 1 B and 3 1 D, the liquid supply nozzle 14 6 is located outside the gas supply nozzle 1 14 in the radial direction of the substrate W.
  • the distance between the liquid supply nozzle 14 6 and the gas supply nozzle 1 14 is preferably 10 to 30 mm, and is 20 mm in this embodiment.
  • Two or more gas supply nozzles may be arranged above and below the substrate W, respectively, and two or more liquid supply nozzles may be arranged above and below the substrate W, respectively.
  • each of the liquid supply nozzle and the gas supply nozzle is connected to the swing arm 1 3 5.
  • the substrate W can be uniformly dried by extending to the peripheral portion at a degree. The same may be applied to the back surface of the substrate W.
  • the liquid supply nozzle and the gas supply nozzle may be moved linearly from the central portion of the substrate W to the peripheral portion instead of being moved along the circular arc trajectory.
  • the substrate processing unit 3-5 configured as described above.
  • the substrate W a semiconductor wafer in which Cu and Low-k materials are formed on the upper surface and an oxide film is formed on the lower surface is used.
  • the following operation example shows a case where the liquid is supplied to the substrate W only from the liquid supply nozzle 14 45 disposed above the substrate W.
  • the substrate W is held by the roller 1 2 0 of the substrate holding unit 1 1 1 and the substrate W is rotated at a rotation speed of 35 min 1 .
  • a rinsing liquid (pure water) as a processing liquid is supplied from the rinsing liquid supply nozzle 14 0 to the upper surface of the substrate W, and the rinsing liquid supply nozzles 1 4 1 A, 1 4 1 B are applied to the lower surface of the substrate W.
  • a rinsing liquid (pure water) as a processing liquid is supplied, and a liquid film of pure water is formed on the upper and lower surfaces of the substrate W.
  • the gas supply nozzles 1 1 3 and 1 1 4 and the liquid supply nozzles 1 4 5 and 4 6 are moved to the center of the substrate W. Then, at the same time or immediately before the supply of pure water from the rinsing liquid supply nozzles 1 4 0, 1 4 1 A, 1 4 1 B is stopped, the gas supply nozzles 1 1 3, 1 1 4 to 3 0 0 k Pa N 2 gas is supplied to the upper and lower surfaces of the substrate W, and pure water with a flow rate of 400 cc / min is supplied to the upper surface of the substrate W from the liquid supply nozzle 14 45.
  • the rotation speed of the substrate W is increased to 80 min — 1 , and the gas supply nozzles 1 1 3 and 1 1 4 and the liquid supply nozzles 1 4 5 and 4 6 are moved toward the peripheral edge of the substrate W. Dry the upper and lower surfaces of the substrate W.
  • the substrate W By supplying pure water while moving the liquid supply nozzle 1 45, a liquid film is formed on the upper surface of the substrate W, thereby protecting the upper surface of the substrate W.
  • the N 2 gas supplied from the gas supply nozzle 1 1 3 moves the liquid film to the peripheral edge of the substrate W and dries the upper surface of the substrate W.
  • the liquid film (pure water) that has moved to the periphery of the substrate W is sucked by the bevel suction nozzle 1 1 6 force. Further, the pure water moves from the substrate W to the roller 120 and is sucked by the holding unit suction nozzle 1 24.
  • the substrate W can be dried without generating a watermark on the upper surface of the substrate W.
  • the pure water on the substrate W is sucked from the bevel suction nozzle 1 1 6 and the holding part suction nozzle 1 2 4, the pure water and air are mixed and friction is generated, and static electricity is generated by the friction.
  • the bevel suction nozzle 1 1 6 and the holding part suction nozzle 1 2 Since 4 is grounded via the conductive parts 151 and 152, respectively, 'it is possible to prevent the substrate W from being charged by static electricity. Therefore, adverse effects due to static electricity on the circuit formed on the upper surface of the substrate W can be eliminated, and the yield can be improved.
  • at least a part of the substrate holding part 111 (roller 120) may be formed of a conductive material and grounded. Even in this case, static electricity can be removed.
  • the liquid is supplied only from the liquid supply nozzle 145 on the upper surface side of the substrate W.
  • the liquid supply nozzle 146 on the lower surface side of the substrate W is also used.
  • the liquid may be supplied to the lower surface of the substrate W.
  • the gas supply nozzle 113 on the upper surface side and the gas supply nozzle 114 on the lower surface side move at different speeds so as to reach the peripheral portion of the substrate W at the same time. Let By doing so, drying of the upper surface and the lower surface with different wettability can be completed simultaneously, and the generation of watermarks can be effectively prevented.
  • FIG. 32 is a plan view showing a schematic embodiment of a substrate processing unit 3-6 according to another embodiment of the present invention.
  • a substrate W such as a semiconductor wafer to be processed is rotatably held in a chamber 110 by a substrate holder 111 (llla, 1 lib, 111 c, 111 d).
  • the substrate holder 111 (1 11 a, 111 b, 111 c, 111 d) has a holding part suction nozzle (holding part suction part) 124 (124 a, 124, 124 c, 124 d) and a holding part cleaning nozzle, respectively.
  • (Holding part cleaning part) 126 (126 a, 126 b, 126 c, 126 d) are installed in close proximity. Holding section suction nozzles 124a, 124b, 124c, 124d, and holding section cleaning nozzles 126a, 126b, 126c, 126d are supported by support sections 128a, 128b, 128c, 128d, respectively. ing. Each holding section suction nozzle 124 can be adjusted with the adjusting section 124 ′, and each holding section cleaning nozzle 126 with the adjusting section 126 can be adjusted with the substrate holding section 111.
  • a cleaning nozzle (substrate processing unit) 112, 115 having a fluid supply port and a fluid suction port is provided on the upper surface side and the lower surface side of the substrate W.
  • the cleaning nozzles 112, 115 are illustrated in FIG. As indicated by the middle two-dot chain line (the two-dot chain line indicating the cleaning nozzle 1 1 5 is not shown), it is movable in the radial direction of the substrate W.
  • gas supply nozzles 1 1 3, 1 1 4 for supplying an inert gas such as N 2 gas or a drying gas such as dry air with a humidity of 10% or less on the upper surface side and the lower surface side of the substrate W Force S is arranged.
  • the gas supply nozzles 1 1 3 and 1 1 4 have gas supply ports 1 1 7 and 1 1 8, respectively.
  • These gas supply nozzles 1 1 3 and 1 14 can swing around the fulcrum C along the substantially radial direction of the substrate W as indicated by a dashed line in the figure.
  • the substrate processing unit 3-6 includes a bevel suction nozzle (peripheral portion suction portion) 1 1 6 that sucks fluid from the peripheral portion of the substrate W.
  • the number of substrate holders 1 1 1 is four in the figure, but is not particularly limited as long as it is three or more.
  • the fluid from the cleaning nozzle here include cleaning fluid, etching solution, etching gas, etc.
  • corrosive gas such as hydrogen fluoride, acid such as hydrofluoric acid, hydrogen peroxide, nitric acid, etc.
  • Oxidants such as ozone, alkali agents such as ammonia, chelating agents, surfactants, and some of them.
  • FIG. 33 shows a state in which the substrate processing unit shown in FIG. As shown in Fig. 33, the cleaning nozzle on the upper surface side (substrate processing unit) 1 1 2 is placed close to the surface side of the substrate W at a predetermined height by lifting means (not shown), and the lower surface side is cleaned. Nozori (Substrate Processing Unit). 1 1 5 is also placed close to the back side of the substrate W. The lower surface side cleaning nozzle 115 is disposed close to a predetermined height by lifting means (not shown). In this apparatus as well, the substrate W is held horizontally while being given a rotational force by the substrate holding portion 11 1 1 constituted by the rollers 1 20.
  • the gas supply nozzles 1 1 3 on the upper surface side and the gas supply nozzles 1 1 4 on the lower surface side are in the retracted positions.
  • the upper surface cleaning nozzle 1 1 2 is retracted to the retracted position in the radial direction of the substrate W.
  • the upper surface gas supply nozzle 1 1 3 is moved to supply dry gas onto the substrate W.
  • a drying process is performed.
  • the lower cleaning nozzle 1 15 is also retracted to the retracted position in the radial direction and below the substrate W, and instead the lower surface gas supply nozzle 1 14 is moved to a predetermined position. Gas is supplied to the side and the drying process is performed.
  • These cleaning nozzles 1 1 2 and 1 1 5 are alternately arranged approximately 10 each when a substrate with a diameter of 200 mm is processed by separating the fluid supply port and the fluid suction port from the cleaning nozzle.
  • a fluid (liquid) such as a cleaning liquid is supplied to the substrate W from the fluid supply port, and a fluid (liquid) attached to the substrate W is sucked from the fluid suction port.
  • the fluid supply port and the fluid suction port reciprocate to supply and suck each fluid (liquid). This process has the advantage that the remaining fluid (liquid) on the substrate after processing is extremely reduced by preventing the fluid (liquid) from scattering from the substrate surface. I will.
  • FIG. 34A to FIG. 34C show specific embodiments of the cleaning unit.
  • the cleaning nozzles 1 1 2 and 1 1 5 each have working surfaces K 1 and K 2 on the nozzle body, and fluid (liquid) supply ports 2 2 7 and suction ports 2 2 8 are provided on the respective working surfaces. They are arranged alternately and in a straight line.
  • each supply port 2 2 7 is connected to a common supply tube 2 2 9 and each suction port 2 2 8 is similarly connected to a common drainage exhaust tube 2 3 Connected to 0.
  • the drainage exhaust pipe 2 30 communicates with a vacuum source and is sucked by vacuum, so the fluid (liquid) adhering to the substrate surface is sucked from each suction port 2 28.
  • each of the cleaning units 1 1 2 and 1 15 is provided with two drainage exhaust pipes 2 3 0 and 2 3 0 and two supply pipes 2 2 9 and 2 2 9.
  • a pair of supply pipes 2 29 and a drainage exhaust pipe 2 30 are connected to a supply port 2 2 7 and a suction port 2 2 8 that open to the working surface K 1.
  • the other pair of supply pipes 2 29 and the drainage exhaust pipe 2 30 are connected to the supply port 2 2 7 and the suction port 2 28 that open to the other working surface K 2, respectively.
  • supply port 2 2 7 and suction port 2 2 8 is supply port 2 2 7, supply port 2 2 7, suction port 2 2 8, supply port 2 2 7, supply port 2 2 7, suction port 2 2 8...
  • the number of the supply ports 2 27 and the suction ports 2 28 in the supply unit and the suction unit may be one or more, and the supply unit and the suction unit may be alternately arranged.
  • the working surface K 1, K 2 can be switched. As a result, it is possible to process with different fluids (liquids) in the same cleaning nozzle 1 1 2 and 1 15.
  • the chemical treatment or etching process is performed.
  • the process on the working surface K 1 is followed by rinsing with pure water, and the process on the working surface K 1.
  • the fluid (liquid) remaining on the substrate may be replaced with a rinsing liquid.
  • the processing liquid is supplied from the cleaning nozzles 1 1 2 and 1 15 by the working surface K 1, and the upper surface and the lower surface of the substrate W are processed.
  • each supply port and each suction port are preferably arranged at a certain distance from the substrate surface.
  • the flow from all supply ports to the substrate surface is the same.
  • Body (fluid) can be supplied and processed uniformly.
  • suction can be performed from the same distance to the substrate surface at all suction ports, and the suction force to the substrate can be kept constant at all suction ports without deviation.
  • the distance from the substrate surface at the front end of the supply port 2 27 is preferably 2 mm or less, more preferably close to 0.5 mm or less and the same distance.
  • the distance from the substrate surface at the tip of the suction port 2 28 is preferably 2 mm or less, more preferably close to 0.5 mm or less so as to be equidistant.
  • the distance between the supply port 2 2 7 and the suction port 2 2 8 may not be equal.
  • the flow rate of the fluid (liquid) supplied from each supply port is preferably 1 to 3 O m LZmin for each supply port.
  • l to 10 m L / min in order to react with the substrate surface by supplying a chemical solution, l to 10 m L / min, more preferably about 1 to 5 mL / min.
  • the flow rate of the fluid (liquid) used to clean one side is about 3 O m L / min.
  • the flow rate to be supplied is very small, there is very little scattering of fluid during processing.
  • the remaining amount of liquid on the substrate after processing is extremely small.
  • the supply port 2 2 7 and the suction port 2 2 8 are separated from each other so that the fluid (liquid) supplied onto the substrate from the supply port is not directly sucked from the suction port, and the step d and the interval s ( (See Fig. 36 A).
  • the step d and the interval s are preferably at least 1 mm.
  • the cleaning nozzles 1 1 2 and 1 15 can reciprocate as indicated by arrows in FIG. 35 along the radial direction of the substrate to be cleaned.
  • the arrangement direction of the cleaning nozzle and the reciprocating motion of the nozzle do not necessarily have to be in the same straight line. Therefore, as shown in Fig. 36 A, this cleaning nozzle supplies (stands) the fluid (liquid) to the substrate W from the fluid (liquid) supply port 2 2 7 force close to the substrate W, and at a certain time.
  • the surplus fluid (liquid) remaining on the substrate W later is removed by suction from the suction port 2 28 located away from the supply port 2 27.
  • the fluid (liquid) supplied to the substrate W is removed by centrifugal force generated by high-speed rotation.
  • the fluid (liquid) is supplied to the substrate W in a stationary state where the fluid (liquid) does not move relative to the substrate, and the supplied fluid (liquid) remains on the substrate for a certain time or more.
  • the separated suction port moves by the above-described radial reciprocation of the cleaning nozzle, and the fluid (liquid) after reacting with the substrate surface is sucked from the suction port. I have to.
  • the fluid (liquid) is transferred to the entire surface of the substrate by reciprocating the substrate in the radial direction of the substrate and rotating the substrate It is desirable to supply or print on the body in a thin film having a predetermined substantially uniform thickness, and it is preferable to lower the flow rate of the fluid (liquid).
  • the flow rate of fluid (liquid) is preferably 5 m / s or less, more preferably 1 mZ s or less.
  • the rotational speed of the substrate W, 5 0 O min- 1 or less, in particular 1 0 O min- 1 or less favored arbitrariness.
  • the amount of fluid (liquid) used can be greatly reduced compared to the general method of supplying to the center of the substrate and performing spin cleaning.
  • the fluid (liquid) can be prevented from being scattered by supplying the fluid (liquid) onto the substrate and sucking the fluid (liquid).
  • the amount of fluid (liquid) remaining on the substrate W by suction and the thickness thereof are always kept constant over the entire substrate surface, so that the stability and uniformity of processing are improved.
  • the fluid (liquid) is supplied (placed) at a position where the fluid (liquid) is to be supplied. Therefore, the fluid (liquid) is not spread over the entire substrate by the high-speed rotation of the substrate W. Treatment at a low speed of about 1 is preferred.
  • a semiconductor substrate of 200 mm has a rotation speed of 5 min min- 1 and at least 0. It is necessary to supply fluid (liquid) with a flow rate of 5 L / min to one side of the board.
  • the cleaning unit repeats the supply and suction of the fluid (liquid), so that the substrate can be sufficiently cleaned with the flow rate of the fluid (liquid) before and after 30 m LZmin.
  • the period of reciprocation along the radial direction of the substrate between the supply port and the suction port needs to be larger than the rotation period of the substrate. If the rotation cycle of the substrate W and the cycle of the reciprocating motion of the cleaning unit are the same, the fluid (liquid) is always supplied and sucked at a fixed position on the substrate, so the processing becomes non-uniform. In contrast, if the cycle of the reciprocating motion of the cleaning unit is increased with respect to the rotation cycle of the substrate, for example, the substrate rotates several times for one reciprocating cleaning unit, and the fluid (liquid) on the substrate Supply and suction are performed in a spiral (see Fig. 36B, Fig. 36D).
  • the stop time at the moving end is preferably within 0.5 seconds.
  • the time for stopping when reversing is to supply the liquid to the same position so it is preferable that the time is as short as possible. For example, if the reciprocation is 5 seconds, the stop time at the moving end is within 0.5 seconds, more preferably 0. Within 1 second.
  • the moving range of the supply port 2 27 of the cleaning nozzle 1 15 is preferably within the radial range of the substrate not including the center W o and the end of the substrate. If the fluid (liquid) supply port is moved to the center Wo of the substrate, the amount of fluid (liquid) supplied to the center Wo becomes larger than the other, which is not preferable. For this reason, it is preferable that the movement range of the supply port 2 2 7 does not include the center point Wo of the substrate but is positioned close to the center point Wo. In addition, if fluid (liquid) is supplied to the edge of the substrate, the fluid (liquid) may be scattered outside the substrate, so it is necessary to limit the movement range of the supply port.
  • the fluid (liquid) supply port and the suction port are arranged in a straight line at regular intervals.
  • the above-described cleaning function can be achieved without arranging them in a straight line.
  • the cleaning unit is provided with two working surfaces, and the fluid (liquid) supply port and the suction port are respectively disposed.
  • the fluid (liquid) supply port and the suction port are disposed on one surface. Only another fluid (liquid) supply port may be arranged on the other surface.
  • the fluid supply (liquid) supply and suction ports may be arranged not only on the two surfaces but also on the three surfaces and further on four or more surfaces.
  • the cleaning sections 1 1 2 and 1 15 may be polygonal, circular or have a structure having two or more working nozzle groups. Also, as shown in Fig. 34B and Fig. 34C, the cross section can be a combination of a polygon and a circle.
  • Fig. 3 4 A there are multiple fluid (liquid) supply ports 2 2 7 and each controls the flow rate of the fluid (liquid) supplied from each supply port. It is preferable to adjust the nozzle opening diameter so that the supply flow rate of the cleaning fluid (liquid) increases. Since this cleaning unit supplies fluid (liquid) close to the rotating substrate, the surface area to be supplied per unit time increases as it goes to the outer peripheral side of the substrate. For this reason, it is necessary to increase the flow rate of the fluid (liquid) supplied from each supply port corresponding to the target area as it goes to the outer peripheral side, and the fluid (liquid) is uniformly distributed over the entire surface of the substrate. Supply can be made.
  • the supply flow rate and flow velocity of the fluid (liquid) at each supply port can be calculated from the opening diameter or size of the supply port.
  • the supply pressure so as to achieve a predetermined supply flow rate and flow velocity, the flow rate accuracy of a fluid (liquid) such as a cleaning liquid can be increased, and precise cleaning becomes possible.
  • heat and / or cool the fluid (liquid) It is preferable to provide temperature control means.
  • the substrate processing performance of the fluid (liquid) may depend on the temperature, and in such a case, it is preferable that the fluid (liquid) can be adjusted to a suitable temperature.
  • the temperature control means can be realized by providing a heater or a cooling unit in the fluid (liquid) supply piping.
  • each of the suction ports 2 2 8 is also configured so that the conductance can be adjusted (suction port shape and size), and each suction port 2 2 8 is the same or adjusted to a predetermined suction pressure or for each suction port 2 2 8
  • the processing fluid (liquid) is sucked by a separate vacuum source, but the suction flow rate and flow rate of the processing fluid (liquid) from each suction port 2 28 can also be changed individually by setting the suction port opening diameter arbitrarily. it can. Once the opening diameter of the suction port 2 2 8 is set, the suction flow rate and flow rate can be changed by changing the suction strength of the vacuum source.
  • the processing liquid is always deposited to a uniform thickness over the entire surface of the substrate, and the processing liquid is supplied at a uniform speed everywhere on the surface of the substrate. ) It is preferable for uniformly treating the entire surface of the substrate.
  • the cleaning unit 1 1 2, 1 1 5 Reciprocating cycle average speed, maximum speed, supply fluid (liquid) supply pressure, temperature, vacuum source vacuum strength and fluid (liquid) type, etc.
  • the measured values corresponding to each processing condition are monitored during processing of the substrate to be processed, and the predetermined setting data of each processing condition is compared with the actual measured values so that the actual measurement values maintain the predetermined setting data.
  • Means for controlling the processing steps of the substrate may be provided.
  • a bevel cleaning means may be provided in the substrate processing unit in which the cleaning unit 115 for processing the lower surface of the substrate is arranged.
  • the back surface of the substrate can be cleaned or etched simultaneously with the processing of the substrate bevel.
  • the cleaning unit 1 1 2 may be disposed on the upper surface of the substrate, and bevel cleaning means for processing the peripheral portion of the lower surface may be provided.
  • the suction port it is preferable to further include means for collecting and reusing the fluid (liquid) sucked from the suction port.
  • the used fluid (liquid) is recovered in a recovery tank, filtered through a filter, and then returned to the fluid (liquid) supply tank of the substrate processing unit.
  • the fluid (liquid) can be reused, further saving resources. It is preferable to provide means for monitoring the concentration of the recovered fluid (liquid) or the concentration of impurities contained.
  • 37 and 38 show a schematic configuration of a substrate processing unit 3_7 according to another embodiment of the present invention, and FIG. 39 shows a system configuration thereof.
  • the substrate W to be processed is held while being rotated by the substrate holding portions 111a, 111b, 111c, 111d made of rollers, and the holding portion suction nozzle 124 (1 24 a, 124 b, 124 c, 124 d) Aspirate the processing liquid from the holder cleaning nozzle 126 (126 a, 126 b, 126 c, 126 d) while supplying the cleaning liquid to the clamp part 121.
  • the cleaning unit 115 is provided only on the lower surface side of the substrate W, and the purge plate 238 movable in the horizontal and vertical directions is provided on the upper surface side of the substrate W.
  • the purge plate 238 is provided with an opening (not shown) through which an inert gas such as N 2 gas is supplied to the substrate W such as a semiconductor wafer. Thereby, it is possible to prevent the substrate surface from being contaminated or denatured by the mist of the fluid (liquid) generated from the lower surface side of the substrate W. Only one opening may be provided at a position corresponding to the center of the substrate W of the purge plate 238, or a plurality of openings may be provided in a radial direction along a plurality of circles arranged concentrically with the substrate W. You can place them at regular intervals! /.
  • the substrate processing unit 3-7 includes a bevel cleaning nozzle 236 for cleaning the peripheral portion (bevel portion) of the substrate and a bevel arch I nozzle 237 for cleaning liquid. Accordingly, the cleaning liquid supplied from the bevel cleaning nozzle 236 is sucked and removed from the bevel suction nozzle 237 immediately before the substrate W makes a round in the direction of the arrow. Therefore, according to this apparatus, the back surface side of the substrate can be cleaned, and the bevel portion on the front side of the substrate can be cleaned. It is also possible to perform a process such as an etching process using the nozzle described above, followed by a cleaning process.
  • the bevel cleaning nozzle 236 and the bevel suction nozzle 237 can be moved by the motor M in the radial direction of the substrate W so that the processing position of the peripheral edge of the substrate can be adjusted. Further, the entire surface of the substrate may be processed by reciprocating the bevel cleaning nozzle 236 and the bevel suction nozzle 237 from the center to the periphery of the substrate.
  • the purge plate 238 has a substantially circular shape that does not cover the peripheral edge of the substrate W and the peripheral edge of the substrate W that does not interfere with the bevel cleaning nozzle 236 and the bevel suction nozzle 237.
  • the chemical solution is supplied from the chemical solution feeding tank 231 to the cleaning unit 115, and the chemical solution is supplied from the supply port of the cleaning unit 115 onto the surface of the substrate W. .
  • the cleaning unit 115 reciprocates in the horizontal direction in the figure by the motor M, and collects the chemical solution supplied on the substrate from the suction port. Collected from the suction port The chemical is once sent to the recovery tank (gas-liquid separation tank) 2 3 2 where it is separated into gas and liquid and then sent to the circulation tank 2 3 3.
  • the used chemical solution stored in the circulation tank 2 3 3 is pressurized by the pump P, filtered by the filter 2 3 4, and the temperature is adjusted by the temperature controller 2 3 5, and then the chemical solution can be reused. It is returned to the pressure tank 2 3 1. In this way, the chemical solution can be recycled and reused, thereby saving resources of the chemical solution.
  • the chemical solution supplied from the bevel cleaning nozzle 2 3 6 to the bevel portion of the substrate is also sucked by the bevel suction nozzle 2 37 and can be reused in the same manner.
  • the used chemical solution can be recycled and reused by providing means for regenerating the used chemical solution returned to the circulation tank 2 3 3.
  • the substrate processing units 3_5 to 3-7 it is preferable to apply the following configuration, which is a feature of the substrate processing unit 3_4, to the extent applicable.
  • An air curtain is formed so as to wrap the substrate evenly by air intakes provided symmetrically with respect to the substrate.
  • the substrate cleaning apparatus and the substrate processing unit of the present invention are used to perform a cleaning process on a substrate (semiconductor wafer or the like) used for manufacturing a semiconductor device.

Abstract

基板洗浄処理装置は、装置の立上げに際して搬送系統の位置決めが必要でなく、装置の設置面積の減少が可能である。この基板洗浄処理装置は、ベース一体型の１つのフレーム（１）に、基板を搬送する基板搬送装置（２）と、基板の処理を行なう少なくとも１つの基板処理ユニット（３）と、基板収納カセット（４）を載置する基板ロードポート（５）と、基板処理ユニット（３）へ処理液を供給する処理液供給装置（６）を搭載し、基板処理ユニット（３）のメンテナンスは装置背面から実施できるように構成されている。

Description

明 細 書 基板洗浄処理装置及び基板処理ュニット 技術分野
本発明は、 半導体デバイスの製造に用いられる基板 （半導体ウェハ等） に洗浄 処理を施す基板洗浄処理装置及び基板処理ュ-ットに関するものである。
背景技術
半導体デバイスの製造においては、 基板に多くの処理工程を経て各種の処理を 施している。 特に近年は処理の工程が多種化しているため、 処理工程に用いる装 置に搭載される基板処理ュニットが多くなり、 一体化することが困難で、 複数の 基板処理ュ-ットが組合わさって 1台の装置となっていることが多い （特開 2 0 0 3 - 7 7 8 7 9号公報参照） 。
上記のように複数の基板処理ュニットが組合わさって 1台の装置となってい る場合、 装置の立上げに際しては、 基板処理ュニット間を基板を搬送する搬送系 統の位置決めが必須となる。 この搬送系統の位置決めに多く時間がかかると共に、 コストも高くなるという問題があった。また、高生産性を求める場合においては、 処理ユニットが多く必要となるため、装置の設置面積を減少させることが困難に なるという問題があった。
また、 処理液を用いてベべルェツチングゃ洗浄を行なう基板処理ュニットでは、 エッチング、 洗浄、 および除液 ·乾燥を同じ装置で順次行なう力 エッチングや 洗浄工程において処理液が基板処理ュニット内の各部に付着し、 これが除液■乾 燥中において微粒子やミストとなって基板を汚染する、 いわゆる 2次汚染の防止 が重要な課題である。 発明の開示
本発明は、 上述の点に鑑みてなされたもので、 装置の立上げに際して搬送系統 の位置決めが必要でなく、装置の設置面積の減少が可能な基板洗浄処理装置を提 供することを目的とする。
また、 本 明の他の目的は、 特に小型化した装置において、 基板処理ユニット 内の付着物による基板の 2次汚染を効率的に防止することである。
上記課題を解決するため、 本発明の基板洗浄処理装置は、 ベース一体型の 1つ のフレームに、 基板を搬送する基板搬送装置と、 基板の処理を行なう少なくとも 1つの基板処理ュニットと、 基板収納カセットを载置する基板ロードポートと、 ' 前記基板処理ュニットへ処理液を供給する処理液供給装置を搭載し、 前記基板処 理ュニットのメンテナンスは装置背面から実施できるように構成されている。 この発明によれば、 ベース一体型の 1つのフレームに、 基板搬送装置と、 基板 処理ュニットと、 基板ロードポートと、 処理液供給装置を搭載したので、 基板処 理ュニットを自由に組合せてベース一体型の 1つのフレームに搭載することで 少なくとも 1つのプロセスに対応可能なマルチプロセス型の基板洗浄処理装置 を提供できる。 また、 一体型構造のため分割することなく移送でき、 基板搬送系 の位置関係が支持され、 装置設置時の位置決め設定等の作業が必要なくなり、 装 置の立上げ時間を大幅に短縮できる。 また、 装置の設置面積も最小限に抑えるこ とができる。 また、 基板処理ユニットのメンテナンスは装置背面から実施できる ので、 メンテナンスが容易となる。
基板処理ュュットの内、少なくとも 1以上は最後に乾燥処理を行ない単体にて プロセス処理が完結可能な基板処理ュニットであってもよい。
少なくとも 1以上の基板処理ュニットが最後に乾燥処理を行ない単体にてプ ロセス処理が完結可能な基板処理ュニットとすることで、該基板処理ュニットで 基板のプロセス処理が完結できるから、 装置の小型化が可能となる。
少なくとも 1以上は基板の両面洗浄処理、 基板のベベルエッチング処理、 片面 のスクラブ処理の内の少なくとも 1つの処理が可能で、 且つ乾燥処理が可能な基 板処理ユニットであってもよい。
少なくとも 1以上の基板処理ュ二ットを基板の両面洗浄処理、 基板のベべルェ' ツチング処理、 表面又は裏面のスクラブ処理が可能で、 且つ乾燥処理が可能な基 板処理ュュットとすることで、 該基板処理ュニットで両面洗浄処理、 ベべルェッ チング処理、 スクラブ処理の内の少なくとも 1つの処理及び乾燥処理が可能とな り、 装置の小型化が可能となる。
本発明の他の基板洗浄処理装置は、 基板収納カセットを载置する基板ロードポ ートと、 基板の処理を行なう基板処理ュニットと、 基板ロードポートと基板処理 ュニットの間に配置され、該ロードポートと基板処理ュニットとの間のみ基板を 搬送する基板搬送装置を備えている。
この発明によれば、 基板搬送装置は基板ロードポートと基板処理ュニットの間 に配置され、該ロードポートと基板処理ュニットとの間のみ基板を搬送するので、 基板の移送距離を小さくできるから、 パーティクルの発生要因を最小限に抑える ことが可能となる。 基板処理ュニットは前記基板ロードポートと平行に配置されていることが好 ましい。
基板処理ュニットを基板ロードポートと平行に配置することで、 基板ロードボ 一トと基板処理ュニットとの間の基板の搬送距離を短く、 且つ無駄な基板の受渡 しを一切不要として、 必要最小限の動作にて、 基板の搬送を実現できると共に、 パーティクルの発生要因を最小限に抑えることが可能となる。
処理液供給装置は前記基板処理ュニットに、 2種類以上の処理液を供給するこ とが可能な構成であることが好ましい。
処理液供給装置が複数の基板処理ュニットに、 2種類以上の処理液を供給する ことが可能な構成とすることで、複数の処理液を使用する基板処理ユエットを搭 載しても、 処理液供給装置を変更することなく、 対処できる。
処理液供給装置は、 処理液ごとに複数の供給タンクを具備していてもよい。 処理液供給装置が処理液ごとに複数の供給タンクを具備することで、 処理液を 供給している供給タンクの処理液がなくなっても、 他の供給タンクに切り換えて 処理液を供給することができるから、 処理を継続して実行できる。
この場合、 複数の供給タンクから交互に処理液を供給することが好ましい。 複数の供給タンクから交互に処理液を供給することで、 処理を継続して実行す ることができる。
基板処理ユエットの全てに基板乾燥手段を設けることが好ましい。
基板処理ュニットの全てに基板乾燥手段を設けることで、 基板処理ュニットか らは常に乾燥した状態の基板を取り出すことができ、 搬送装置や装置内が処理液 等で汚染されることがない。
基板乾燥手段は、 基板の裏表面に不活性ガスを噴射するガス噴射手段を具備す ることが好ましい。
基板乾燥手段が基板の裏表面に不活性ガスを噴射するガス噴射手段を具備す ることで、 基板の裏表面を同時に乾燥させることができる。
基板処理ュ-ットにおけるべベルエッチング処理後の基板表面の乾燥に、 不活 性ガスを基板外周に向けて噴射するパージプレートを具備することが好ましい。 基板処理ュ-ットにおけるべベルェツチング処理後の基板表面の乾燥に、 不活 性ガスを基板外周に向けて噴射するパージプレートを具備することで、ベべルェ ッチング処理後の基板のベベル部に残る液を除去し迅速に乾燥させることがで さる。
パージプレートは少なくとも基板外周側とそれより内側の 2箇所以上から不 活性ガスを噴射するようになつていることが好ましい。
パージプレートは少なくとも基板外周側とそれより内側の 2箇所以上から不 活性ガスを噴射するようにすることで、 基板乾燥に際し、 初め内側から不活性ガ スを噴射し次に外周側へと噴射することにより、外周部の液を外側に追い出しな がらベベルのエツチング処理部を乾燥させることができる。
基板搬送装置は、 走行軸を持たない固定式の搬送ロボットであることが好まし レ、。
基板搬送装置を走行軸を持たない固定式の搬送ロボットとすることで、 パーテ ィクルの発生要因を最小限に抑えることが可能となる。
本発明の基板処理装置は、 基板を搬送する基板搬送装置と、 基板の処理を行な う基板処理ュニットと、 基板収納力セットを載置する基板ロードポートと、 前記 基板処理ュニットへ処理液を供給する処理液供給装置を備えた基板処理装置に おいて、 基板処理装置外側の気圧を P 0、 基板搬送装置が配置されている基板搬 送室内の気圧 P A、 基板処理ユニット内の気圧を P Bとした場合、 下記の関係が 維持される。
P A > P 0 > P B
この発明によれば、 基板搬送室内の気圧 P A >基板処理装置外側の気圧 P 0 > 基板処理ュ-ット内の気圧 P Bとしているので、 基板搬送室内は装置外側の空気 が流入することがなく、 基板処理ュニット内で洗浄処理された処理済みの基板が 外部から流入する気流中のパーティクル等により汚染されることがない。
本発明の基板処理ュニットは、清浄気体が供給される処理領域において使用さ れる基板処理ユニットであって、 前記処理領域に配置されたチャンバと、 該チヤ ンバ内において基板を水平面内で回転可能に保持する基板保持部と、 該基板保持 部に保持された基板に向けて処理流体を供給する処理流体供給手段とを備え、前 記チャンバには、 前記基板保持部の上方に形成された気体取入口から前記清浄気 体を取り入れて底部側より排気することにより、 前記基板保持部に保持された基 板を均等に包絡する気流を形成する気流形成手段が設けられている。
この発明によれば、 清浄気体によって形成された下降気流 （エアカーテン） に よって、 基板保持部に保持された基板が遮蔽されるので、 チャンバ内壁やチャン バ内の機構から基板への汚染物質の移動が妨げられる。 また、 基板の処理中にお いても、 処理液等がチャンバ内壁やチャンバ内の機構に飛散するのが防止される, 従って、 二重の意味で、 基板の 2次汚染が軽減され、 あるいは防止される。
前記気体取入口は、 前記基板保持部に保持された前記基板の周縁部に沿って形 成されていることが好ましい。
これにより、 気体取入口から基板保持部に至る筒状の下降気流が形成され、 基 板を効率的に遮蔽するこ.とができる。
本発明の他の基板処理ュニットは、清浄気体が供給される処理領域において使 用される基板処理ュニットであって、 前記処理領域に配置されたチヤンバと、 該 チャンバ内において基板を水平面内で回転可能に保持する基板保持部と、該基板 保持部に保持された基板に向けて処理流体を供給する処理流体供給手段と、 前記 基板の表面を所定の隙間を持って覆うとともに、 この隙間にガスを供給して該隙 間への処理流体の進入を防止するパージ部材とを備え、 前記パージ部材は、 前記 基板面の第 1の領域を覆う第 1の被覆部材と、 前記基板面の第 2の領域を覆う第 2の被覆部材と力 少なくとも一方が他方に対して可動に設けられて構成されて いる。
この発明によれば、 第 1の被覆部材と第 2の被覆部材とを選択的に基板に近接 させることができるので、基板の表面の一部を露出させ、一部を覆うようにして、 効率的な処理と保護とを両立させることができる。
前記基板保持部は、 鉛直方向に軸線を有する複数のローラを有し、 これらの口 ーラには、 該ローラが前記基板を保持するための開口部が形成されたローラカバ 一が設けられていることが好ましい。
これにより、 ローラカバーが、 基板を保持するために必要な開口部を残して口 ーラをカバーするので、 ローラへの処理液の付着が軽減され、 ローラを経由する 基板の 2次汚染が軽減もしくは防止される。 ·
前記基板に向けてガスを噴射するガスノズルが設けられ、該ガスノズルを不使 用時に覆うノズルカバーが設けられていることが好ましい。
これにより、 ガスノズルが不使用時にノズル力パーで覆われているので、 ガス ノズルへの処理液の付着が軽減され、 ガスノズルを経由する基板の 2次汚染が軽 減もしくは防止される。
前記チャンバの内壁を所定のタイミングで洗浄する洗浄液供給手段が設けら れていることが好ましい。
これにより、 チャンバの内壁が所定のタイミングで洗浄されるので、 内壁を経 由する基板の 2次汚染が軽減もしくは防止される。
本発明の更に他の基板洗浄処理装置は、 前記基板処理ユニットと、 該基板処理 ュニットを収容する空間を形成するフレームと、 前記空間に清浄気体を供給する 給気手段とを有する。 これにより、 2次汚染を軽減もしくは防止して、 品質の良い基板の処理が行わ れる。
前記基板保持部には前記処理流体を吸引する保持部吸引部が設けられている ことが好ましい。
これにより、 基板保持部における流体の残留を抑制して、 ローラを経由する基 板の 2次汚染を軽減もしくは防止できる。
前記基板保持部は、 基板の端部に当接して該基板を回転させる複数のローラを 備え、 前記複数のローラは基板の半径方向に沿って移動することが好ましい。 これにより、 基板に作用するローラの力の向きが基板の中心に向けられるので、 基板の回転中心位置の安定性を向上させ、 基板の回転精度を向上させることがで さる。
本発明の好ましい一態様の基板基板洗浄処理装置において、 前記処理ュニット は基板を回転保持する基板保持部を有し、 基板を回転させて基板に流体を供給し て処理を行なうものであって、前記基板保持部には前記流体を吸引する保持部吸 引部が設けられている。
基板保持部における流体の残留を抑制することにより、 ローラを経由する基板 の 2次汚染が軽減もしくは防止される。
本発明の好ましい一態様の基板洗浄処理装置において、 前記処理ュニットは、 基板を水平に保持して回転させる基板保持部と、 前記基板保持部に保持された基 板の上方及び下方に配置され、 該基板に気体を供給する気体供給ノズルと、 前記 基板保持部に保持された基板の上方及び下方に配置され、 該基板に液体を供給す る液体供給ノズルと、 前記気体供給ノズル及び前記液体供給ノズルを基板の中心 部から周縁部に移動させる移動機構とを備え、 前記液体供給ノズルは基板の径方 向において前記気体供給ノズルよりも外側に配置される。
これにより、 液体供給ノズルから液体を基板に供給することで、 基板の上面及 び下面を液膜により保護しながら乾燥用気体を基板に噴射することができる。 従 つて、親水部分と疎水部分が表面に混在するパターン基板を乾燥させる場合でも、 親水部分と疎水部分とを同時に乾燥させることが基板全面で可能となり、 さらな るウォーターマークの低減が可能となる。
本発明の好ましい一態様の基板洗浄処理装置において、 前記処理ュニットには、 回転する基板に近接して、 流体供給口と流体吸引口を離間して、 それぞれ 1っ以 上配置し、 前記流体供給口から処理流体を前記基板に供給すると共に、 前記基板 に付着した前記処理流体を前記流体吸引口から吸引する。 これにより、 基板面からの流体の飛散が抑制され、 流体が効率的に使用される ので、 使用量を低減させることができるとともに、 2次汚染が軽減もしくは防止 される。
本発明の好ましい一態様の基板洗浄処理装置において、 前記処理ュニットには、 基板を保持して回転させる基板保持部が設けられ、 該基板保持部は、 基板の端部 に当接して該基板を回転させる複数のローラを備え、 前記複数のローラは基板の 半径方向に沿って移動する。
これにより、 基板に作用するローラの力の向きが基板の中心に向けられるので、 基板の回転中心位置の安定性を向上させ、 基板の回転精度を向上させることがで きる。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明に係る基板洗浄処理装置の実施の形態を示す外観図である。. 図 2は、 図 1の基板洗浄処理装置の平面図である。
図 3は、 図 1の基板洗浄処理装置のフレームの平面図である。
図 4は、 図 1の基板洗浄処理装置のフレームの側面図 （図 3の A矢視側面） で める。
図 5は、 図 1の基板洗浄処理装置のフレームの背面図 （図 3の B矢視側面） で ある。
図 6は、 本発明に係る基板洗浄処理装置内の空気の流れを示す平面図である。 図 7は、 本発明に係る基板洗浄処理装置内の空気の流れを示す側面図である。 図 8は、本発明に係る基板洗浄処理装置内の空気の流れ及び気圧を示す平面図 である。
図 9は、本発明に係る基板洗浄処理装置の処理液供給装置のシステムの実施の 形態を示す図である。
図 1 0は、本発明に係る基板洗浄処理装置の処理液供給フローを示す図である。 図 1 1は、本発明に係る基板洗浄処理装置の処理液供給フローを示す図である。 図 1 2は、本発明に係る基板洗浄処理装置の基板処理ュニットの実施の形態を 示す図である。
図 1 3 A乃至図 1 3 Cは、 基板処理ュニットのエッチング部の構成を示す図で ある。
図 1 4 A及び図 1 4 Bは、 本発明に係る基板洗浄処理装置の基板処理ュニット の乾燥機構の実施の形態を示す図である。 図 1 5は、本発明に係る基板洗浄処理装置の基板処理ュニットの乾燥機構の他 の実施の形態を示す図である。
図 1 6は、 本発明に係る基板洗浄処理装置の他の実施の形態を示す図である。 図 1 7は、 図 1 6の実施の形態における基板処理ュニットのチャンバの天板を 示す図である。
図 1 8は、 図 1 6の実施の形態における基板処理ュ-ットの構成を示す断面図 である。
図 1 9は、 図 1 8の基板処理ュニットの基板保持部の構成を示す図である。 図 2 0は、 図 1 8の基板処理ュニットの基板保持部の構成を示す断面図である, 図 2 1は、 図 2 0の基板保持部のクランプ部の詳細を示す断面図である。
図 2 2 A乃至図 2 2 Cは、 図 2 0の基板保持部のローラカバーの詳細を示す図 である。
図 2 3は、 図 1 8の基板処理ュニットがべベルエッチング処理を行っている時 の状態を示す図である。
図 2 4 A乃至図 2 4 Cは、 図 1 8の基板処理ュニットのガス嘖射ノズルの動作 を示す図である。
図 2 5 A及ぴ図 2 5 Bは、 図 1 8の基板処理ュニットにおける内壁洗浄ノズル の動作を示す図である。
図 2 6は、 図 1 8の基板処理ュニットにおいてチャンバ内に形成される気流を 示す図である。
図 2 7は、 図 1 8の基板処理ュニットの空気取入口の変形例を示す図である。 図 2 8 A及ぴ図 2 8 Bは、 図 1 8の基板処理ュニットの変形例で、 ローラカバ 一洗浄ノズルの動作を示す図である。
図 2 9は、本発明の他の実施形態の基板処理ュニットを模式的に示す斜視図で ある。
図 3 0 A乃至図 3 0 Dは、 図 2 9の基板処理ュニットの基板保持部を示す拡大 図であり、 図 3 0 Aは平面図、 図 3 0 Bは断面図、 図 3 0 Cは図 3 0 Bの変形例 を示す断面図、 図 3 0 Dは図 3 O Aの変形例を示す平面図である。
図 3 1 A乃至図 3 1 Dは、 図 2 9に示す気体供給ノズルと液体供給ノズルとの 位置関係を説明するための図である
図 3 2は、 本発明の他の実施形態における基板処理ュニットの平面図である。 図 3 3は、 図 3 2の基板処理ュニットの要部を示す側面図である。
図 3 4 Aは、 図 3 3に示す洗浄ノズルの拡大図であり、 図 3 4 Bは、 吸引口の 断面図を示し、 図 3 4 Cは、 供給口の断面図を示す。
図 3 5は、 洗浄ノズルの往復運動を示す概略図である。
図 3 6 Aは、基板上への流体（液）の供給と吸引を示す図であり、図 3 6 Bは、 流体 （液） が渦卷状に供給される例を示す図であり、 図 3 6 Cは、 流体 （液） が 不安定に供給される例を示す図であり、 図 3 6 Dは、 供給口と吸引口の往復運動 による軌跡を示す図である。
図 3 7は、 本発明の他の実施形態における基板処理ュニットの要部の構成を示 す平面図である。
図 3 8は、 図 3 7に示す基板処理装置の断面図である。
図 3 9は、 図 3 8に示す基板処理装置のシステム構成を示すプロック図である, 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明の実施の形態例を図面に基いて説明する。 図 1及び図 2は本発明 に係る基板洗浄処理装置の実施の形態を示す図で、 図 1は概略斜視図、 図 2は概 略平面図である。 この基板洗浄処理装置はベース一体型の 1つのフレーム 1に、 基板を搬送する基板搬送装置としての固定式の搬送ロボット 2と、 基板の処理を 行なう基板処理ュ-ット 3、 3と、 基板収納カセット 4、 4を載置する基板ロー ドポート 5、 5と、 基板処理ュニット 3、 3へ処理液を供給する処理液供給装置 6を搭載している。
フレーム 1の天井部にはファンフィルタユニット 7が取り付けられ、 フレーム 1の上部には制御盤 8が搭載されている。 また、 基板処理ユニット 3、 3の外側 側部には計装部 9、 9と排気ダクト 1 0、 1 0が配置されている。 固定式の搬送 ロボット 2が配置されている基板搬送室 1 1と基板処理ュニット 3、 3の間には ダンパー 1 2、 1 2が設けられている。 基板搬送室 1 1の外側には、 メンテナン スのために人が入り込めるスペース 1 3が設けられ、 基板処理ユニット 3、 3の 外側にもメンテナンスのために人が入り込めるスペース 1 4が設けられている。 図 3ないし図 5はフレーム 1の構成を示す図で、 図 3は平断面図、 図 4は図 3 の矢印 A方向から見た側断面図、 図 5は図 3の矢印 B方向から見た側断面図であ る。 フレーム 1はベース部 1 aとフレーム部 1 bが一体となったベース一体型の フレームで、平面及び側面が矩形状の立方体形状で、内部に基板処理ュニット 3、 3を載置するためのフレーム 1 cがベース部 1 aに立設されている。 このような 構成のベース一体型フレーム 1のベース部 1 a面に搬送ロボッ ト 2を搭載し、 フ レーム 1 cの上に基板処理ユエット 3、 3を搭載し、 更にフレーム部 1 bの外側 に基板ロードポート 5、 5を搭載している。 基板ロードポート 5、 5と基板処理 •ユニット 3、 3は基板搬送室 1 1を挟んで互いに平行に配置されている。
上記のように、 この基板洗浄処理装置では、 基板の処理に必要な複数台 （図で は 2台） の基板処理ュニット 3、 3がベース一体型のフレーム 1に搭載可能とな つており、 各基板処理ュニット 3、 3の外形寸法及び取付け寸法は全て統一され ている。 従って、 複数の基板処理ユニット 3を自由に糸且合せることにより、 複数 のプロセスに対応可能な基板洗浄処理装置が構成されている。 また、 基板処理ュ ニット 3、 3の側部には、 計装部 9、 9が配置されている。
この基板洗浄処理装置では、 基板洗浄処理装置が一体構造であるため、 分割す ることなく、 一体で移送できる。 また、 一体構造であるため、 基板搬送系である • 搬送ロボット 2の位置関係が支持され、装置設置時の位置決め設定等の必要がな くなり、 装置立上げ時間の大幅な短縮が可能となる。 更に、 処理液供給装置 6、 制御盤 （パワーサプライ） 8も搭載しているので、 システムとしての設置面積も 最小限に抑えることが可能となる。 また、 基板搬送室 1 1の外側及び基板処理ュ ニット 3、 3の外側に入り込むことができるスペース 1 3、 1 4を設けているか ら、 基板搬送室 1 1内や基板処理ュニット 3、 3のメンテナンスに支障がない。 特に基板処理ュニット 3、 3のメンテナンスはスペース 1 4、 即ち装置背面で実 施できるようになつている。 つまり、 基板処理ユニット 3、 3内部へは装置背面 からアクセスできるように、 各基板処理ユニット 3の形状、 大きさ、 配置が設定 されている。
通常のメンテナンスにおいて、搬送ロボット 2のメンテナンスを行なう場合は スペース 1 3からアクセスしてメンテナンスを行なう。 また、 部品交換等が必要 な場合には、 スペース 1 3より取り出す。 取り出す場合には、 メンテナンススぺ ースが必要となる。 また、 通常のメンテナンスにおいて、 基板処理ュュット 3、 3には装置の背面側のスペース 1 4から全て アクセス可能としているため、 メ ンテナンススペースも必要最小限に抑えることができる。 その他、 処理液供給装 置 6のメンテナンスは、装置左側面から容易にアクセス可能で機器類の交換も非 常に容易となる。また、計装部 9には装置両側面から容易にアクセス可能であり、 メンテナンスや機器類の交換も非常に容易である。 このように本装置では、 全て · の部分が装置の外側から直接にアクセス可能なため、機器の一部を移動させない とメンテナンスができない等の不備が無く、 メンテナンスが非常に容易となって いる。
また、 この基板洗浄処理装置では、 パーティクル等の発生を最小限に抑えるた め、 基板搬送装置として、 走行軸を持たない固定式の搬送ロボット 2を採用して いる。 この搬送口ポット 2は、 ドライ仕様の各々独立して動作する複数のハンド 2 aを有し、 これらのハンド 2 aを前後、 左右、 上下、 旋回させる動作が可能で ある。 これにより、 基板収納カセット 4、 4とこれに対向する基板処理ユニット 3、 3との間で、 基板収納カセット 4、 4と対向するフレーム部 1 b、 基板処理 ユエット 3、 3の隔壁に設けられた開閉自在なシャッター （4箇所、 図示略） を 介して基板を搬送し、 受渡ができるようになつている。 また、 基板処理ユニット 3、 3の全てが基板収納カセット 4、 4に対向して配置されているため、 無駄な 基板の受渡しが一切必要なく、 固定式の搬送ロボット 2による必要最小限の動作 によって基板の搬送を実現できる。
図 6及び図 7は、 本発明に係る基板洗浄処理装置内の空気の流れ （気流） を示 す図である。 この基板洗浄処理装置は通常クリーンルーム内に設置され、 タリー ンルーム内から取り入れた空気はファンフィルタュニット 7を通ってパーティ クル等が除去され、 装置内に導入される。 装置内では図 6に矢印 Aで示すロード 側領域から矢印 Bで示す処理側領域に空気が流れるようになっている。 図 7に示 すように、 ファンフィルタユニット 7を通った空気は、 その一部が下降気流 A O 1として基板搬送室 1 1内を下降し、他の空気 A 0 2は基板処理ュニット 3の上 部に導かれ、 分散された下降気流 A O 3となって基板処理ュニット 3の天井から 基板処理ュニット 3内を下降する。 なお、 ファンフィルタュニット 7の前にはケ ミカルフィルタ 1 7を設置してもよい。また、計装部 9は両基板処理ュニット 3、 3の装置外側の側部に配置されている。
基板搬送室 1 1の空気の一部は図 6に示すように、 基板搬送室 1 1と基板処理 ユニット 3の間に設けた供給量調節自在なダンパー 1 2を介して気流 A 0 9と して基板処理ユニット 3内に導かれる。 また、 基板処理ユニット 3の下には基板 処理ュニット 3に計装部 9の中の処理液を供給するための各種バルブが収納さ れたバルブポックス 1 6が配置されており、 このバルブポックス 1 6に図 7に示 すように、 基板搬送室 1 1内の一部の空気が気流 A 0 4として流れ込むようにな つている。 また、 フレーム 1、 基板処理ユニット 3、 計装部 9、 処理液供給装置 6の各部は周囲を外壁により仕切られており、 各々所定の圧力に調節する。
また、 基板処理ュニット 3内では各種の処理液や洗浄液が取り扱われるから空 気はこれらのミスト等により汚染されており、 基板処理ュニット 3内の空気はそ の底部から排気 A O 5となって専用の排気ダクト 1 0を通って排気される。 また. バルブボックス 1 6内の空気も同様にミスト等で汚染される可能性があるから 排気 A O 6となって排気ダクト 1 0を通って排気される。 また、 基板搬送室 1 1 の空気の一部は、 図 7に示すようにダンパー 1 5を通して装置外に 気 A 0 7と して排出される。 また、 基板搬送室 1 1内の一部の空気は気流 A O 8としてバル ブボックス 1 6の下方を通って流れ、排気ダクトカ ら排出される。空気は、温度■ 湿度を所定値に調節されていてもよく、 又空気の代りに不活性ガス （例えば N 2 ガス） を供給するようにしてもよい。 これにより処理基板の処理中又は搬送中の 変質を防止することができる。
図 8は本発明に係る基板洗浄処理装置内の圧力と装置外の圧力を示す図であ る。 装置外の気圧 （大気圧） を P 0、 基板搬送室 1 1内の気圧を P A、 基板処理 ユニット 3内の気圧を P Bとした場合、 P A > P 0 > P Bの関係が維持されるよ うに、 各気圧を調整する。 これにより、 基板搬送室 1 1内の雰囲気を清浄に維持 し （装置外の空気が漏れ込むのを防止） 、 基板処理ュュット 3内で処理を終了し た基板を搬送ロボット 2のハンド 2 aでクリーンな状態で基板収納カセット 4 内に収納できる。
本発明に係る基板洗浄処理装置では、 処理液供給装置 6には基板処理ュニット 3ごとに供給タンクを複数配置している。 供給タンクからの処理液の供給は全て 不活性ガス (例えば N 2ガス) による圧送方式としている。 このためポンプ等に よる供給とは異なり、供給時の脈動がなく、パーティクルの発生等の問題もなく、 安定した処理液の供給が可能となる。 複数台 （図では 2台） の基板処理ユニット 3、 3に、 夫々 2種類以上の処理液を供給することができるようになつている。 また、 処理液ごとに、 複数の供給タンクを具備し、 これらの複数の供給タンク で交互に処理液を供給するようになっている。 図 9はある 1種類の処理液を 1台 の基板処理装置に供給するための処理液供給装置のシステムの実施の形態を示 す図である。図示するように、 ある 1種類の処理液に対して複数個（図では 2個） の供給タンク 2 1、 2 2を具備し、 供給タンク 2 1、 2 2のそれぞれには処理液 を供給するため処理液供給バルブ V 1、 V 4、 不活性ガスを供給するための不活 性ガス供給パルプ V 2、 V 5、 圧抜きバルブ V 3、 V 6が接続されている。
また、 供給タンク 2 1、 2 2にそれぞれバルブ V 7、 V 8が接続され、 これら のバルブ V 7、 V 8を切り換えることにより、 供給タンク 2 1又は供給タンク 2 2から交互に処理液を基板処理ュニット 3に供給するようになっている。 基板処 理ュニット 3はバルブ V 9及び処理液を噴射する処理液噴射ノズル 2 3を備え、 バルブ V 9を介して供給される処理液を処理基板 Wに噴射するようになってい る。 バルブ V 1ないし V 9は上記バルブボックス 1 6 (図 7参照） に配置されて いる。 また、 供給タンク 21には上限センサ S 1と下限センサ S 2が設けられ、 供給タンク 22にも上限センサ S 3と下限センサ S 4が設けられている。 処理液 供給装置 6には、 供給タンク 21から吐出される処理液圧を検出する圧力センサ P 1と、 供給タンク 22から吐出される処理液圧を検出する圧力センサ P 2が備 えられている。
供給タンク 21、 22からの処理液の供給は、 不活性ガス供給バルブ V 2、 V 5を介して供給される不活性ガス圧力を動力として行なうようになっている。 供 給タンク 21、 22からの処理液の圧力は圧力センサ P 1、 P 2で監視し、 必要 以上に圧力が高くなると圧抜きバルブ V 3、 V6を開き、 供給タンク 21、 22 内のガスを抜くようになつている。
図 10及び図 1 1は処理液供給装置の処理液の供給フローを示す図である。 先 ず図 10のステップ ST 1において、 供給タンク 21の下限センサ S 2が ONか を判断し、 NO (処理液レベルが下限レベル以下） であったら、 次に供給タンク 22の下限センサ S 4が ONか否かを判断し （ステップ ST2) 、 NOの時と Y ESの時共に、 図 1 1のステップ 21に移行する。 また、 ステップ ST 1におい て YESの時、 供給タンク 22の下限センサ S 4が ONかを判断し (ステップ S T 3) 、 NOであったら図 1 1のステップ ST 24に移行し、 YESであったら 図 1 1のステップ S T 27に移行する。
図 1 1のステップ S T 21では圧抜きバルブ V 3を閉じ、 続いて供給タンク 2 1に処理液 Lを供給すると共に、 不活性ガス供給バルブ V 2を開いて不活性ガス を供給し、 更にバルブ V 7、 バルブ V 9を開いて処理液を基板処理ュニット 3に 供給する （ステップ ST 22) 。 続いて供給タンク 21の下限センサ S 2が ON かを判断し （ステップ ST 23) 、 YESであったら、 圧抜きバルブ V6を閉じ て供給タンク 22の圧抜きを停止する （ステップ ST24) 。 続いて不活性ガス 供給バルブ V 5、 バルブ V 8を開いて供給タンク 22の処理液 Lを供給する （ス テツプ ST 25) 。
続いて、 不活性ガス供給バルブ V 2、 バルブ V 7を閉じ、 供給タンク 21から の処理液 Lの供給を停止する （ステップ ST 26) 。 続いて、 圧抜きバルブ V 3 を開き、 供給タンク 21の圧抜きを行なう （ステップ ST 27) 。 続いて処理液 供給バルブ V 1を開いて供給タンク 21に処理液 Lの補給を行なう （ステップ S T28) 。 続いて供給タンク 21の上限センサ S 1が ONかを判断し （ステップ ST 29) 、 YESであったら処理液供給バルブ V 1を閉じて供給タンク 21へ の処理液の捕給を停止する （ステップ ST 30) 。 続いて、 供給タンク 2 2の下限センサ S 4が O Nかを判断し (ステップ S T 3 1 ) 、 N Oであったら O Nになるのを待ち、 Y E Sであったら、 上記ステップ S T 2 1に移行する。
上記ステップ S T 2 3において、 供給タンク 2 1の下限センサ S 2が O Nでな い場合、 続いて供給タンク 2 2の下限センサ S 4が O Nかを判断し (ステップ S T 3 2 ) 、 N Oであったら上記ステップ S T 2 3に戻り、 Y E Sであったら圧抜 きバルブ V 6を開いて供給タンク 2 2の圧抜きを行なう。 続いて処理液供給バル ブ V 4を開いて、供給タンク 2 2に処理液の補給を行なう（ステップ S T 3 4 )。 続いて供給タンク 2 2の上限センサ S 3が O Nかを判断し (ステップ S T 3 5 )、 N Oであったら O Nになるのを待ち、 Y E Sであったら処理液供給バルブ V 4を 閉じて供給タンク 2 2への処理液の補給を停止し、 上記ステップ S T 2 3に移行 する。
上記のように供給する処理液ごとに複数 （図では 2個） のタンクを設け、 供給 タンク 2 1、 2 2のいずれか、 例えば供給タンク 2 1にて基板処理ュニット 3に 処理液を供給し、 供給タンク 2 1内の処理液がなくなると、 バルブの切替えによ り供給タンク 2 2に切替える。 切替えられた供給タンク 2 2から処理液を供給し ている間に供給タンク 2 1への処理液の補給が行なわれる。 このように 2個の供 給タンク 2 1、 2 2を使用して交互に処理液を供給することにより、 継続的に処 理液の供給が可能となる。 更に 2つの供給タンク 2 1、 2 2を交互に使用するた め、 プロセスが途切れることなく、 且つ供給タンク 2 1、 2 2の容量を必要最小 限度に抑えることが可能となる。 このため処理液供給装置を非常にコンパクトに できるため、 装置に搭載しても装置フットプリントへの影響も最小限に抑えるこ とが可能となる。
この基板洗浄処理装置に搭載される複数の基板処理ュニット 3の内、少なくと も 1つ以上、 好ましくは全部の基板処理ュニットが単体でプロセス処理が完結可 能な基板処理ユニット、 即ち液処理後の乾燥機能を具備している。 例えば、 基板 の表裏面に不活性ガス （例えば N 2ガス） を嘖霧するノズルを上下に独立して、 且つ複数個設置し、 両面洗浄、 ベベルエッチング処理、 裏面スクラブ処理等の液 処理が終了した後の基板の両面に不活性ガスを噴霧して基板を乾燥させる。 これ によって、 基板搬送装置としては、 ドライ仕様のみで対応でき、 ウエット対策も 必要ない低コストの基板搬送装置を使用できる。 例えば複数のドライハンドを有 する固定式の口ポットで対応できる。
図 1 2は基板処理ュニット 3 - 1の実施の形態を示す断面図である。 基板処理 ユニット 3 - 1はチャンバ 3 1を具備する。 チャンバ 3 1は、 円筒形のチャンバ 本体 3 2とその上端を覆うチャンバカバー 3 3を含んで構成されている。 円筒形 のチャンバ本体 3 2は、 鉛直方向に立設され、 下側が底部 3 4によって塞がれて いる。 チャンバカバー 3 3は、 伏せたお椀状に形成されており、 円筒形のチャン バ本体 3 2の上端を覆っている。 チャンバ本体 3 2の上端部とチャンバカバー 3 3の外周部とは密着してチヤンバ 3 1の内部を外気からシールできるようにな つている。
底部 3 4は水平に対して僅かに傾斜しており、 その傾斜面の最低部である底部 3 4とチャンバ本体 3 2との接続部において、 チャンバ本体 3 2には、 排気と排 水とを兼ねた排気/排水管 4 9が接続されている。
チャンバカバー 3 3の中心部には、 開口が形成されており、 その開口を鉛直方 向に貫通して上部シャフト 3 5が設けられ、 上部シャフト 3 5はその上端に円板 状の鍔部 3 5 aを有している。 チャンバカバー 3 3の開口と鍔部 3 5 aとは、 ベ ローズ状 (蛇腹状) のフレキシブルジョイント 3 6でシーノレ接続されている。 ま た、 上部シャフト 3 5の中心には導管 3 7が貫通して形成されている。 この導管 3 7は、 窒素ガス等の酸素をパージするためのガスやリンス用の超純水を基板表 面に供給するものである。 導管 3 7の先端部は、 基板 Wに対するノズル 3 7 aと して形成されている。
チャンバカバー 3 3と上部シャフト 3 5とは、 図示しない連結部材で連結され ており、 両者の鉛直方向の相対的位置が調整可能に構成されている。 この連結部 材は相対的位置を調整するために上部シャフト 3 5をチャンバカバー 3 3に対 して駆動する図示しない駆動装置を備える。 前述のように、 フレキシブルジョイ ント 3 6が設けられているので、 チャンバカバー 3 3と上部シャフト 3 5との相 対的位置関係に対応可能である。
また、 チャンバ上部シャフト 3 5の下端には、 円形の平板である上部ディスク 3 8力 水平に取り付けられている。 上部ディスク 3 8の下面が、 円形の処理対 象の基板 Wの表面と平行に対向するように構成されている。 上部ディスク 3 8の 下面と基板 Wの表面との隙間はできる限り狭くしている。 例えば、 0 . 5〜2 0 mmの範囲で適宜調整する。 この隙間は、 好ましくは 0 . 8〜 1 0 mm程度、 さ らに好ましくは l〜4 mm程度とし、 導管 3 7を介して供給される窒素ガスや超 純水が基板 Wの表面上を均一に流れるようにする。 この間隙調整をすることによ り比較的少量の流体で基板 Wの処理或いは保護という目的を達することができ る。 この間隙調整は、 上部シャフト 3 5とチャンバカバー 3 3との相対的位置調 整をすることによって行なうことができる。
底部 3 4には図示しない 6個の開口が形成されており、 その開口を貫通して基 板 Wの周縁部に当接し基板 Wを水平に支持する 6個のローラ 3 9 a〜3 9 f 力 立設されている。 6個のローラ 3 9 a〜3 9 f は、 それぞれ自転することにより 基板 Wを回転させる。 水平を支持しながら低速で均一な回転が得られれば良く、 回転速度は最大で 3 0 O m i r1である。
底部 3 4には、 ローラ 3 9 a〜 3 9 f で支持される基板 Wの裏面側に位置する ようにチャンバ下部シャフト 4 0が立設されている。 チャンバ下部シャフト 4 0 の中心には導管 4 1が貫通して形成するノズル 4 1 aとして形成されている。 更に、 チャンパ下部シャフト 4 0の上端には円形の平板である下部ディスク 4 2が、 ローラ 3 9 a〜3 9 f で支持される基板 Wの裏面側に基板 Wの裏面と平行 に対向するように取り付けられている。 下部ディスク 4 2と基板 Wの裏面との隙 間は、 上部ディスク 3 8と基板 Wとの関係と同様に、 できる限り狭いのが好まし いが、 例えば、 0 . 5〜2 0 mmの範囲で適宜調整する。 この間隙は、 好ましく は l〜4 mm程度とし、 導管 4 1を介して供給される窒素ガスや超純水が基板 W の裏面と下部ディスク 4 2との間隙を均一に流れるようにする。 この隙間調整を することにより比較的少量の流体で基板の処理或いは保護をすることができる。 上記構成の基板処理ュニット 3 - 1において、 基板 Wの周縁部であるべベル部 をエッチングするためエッチング部の構成を、 図 1 3 A乃至図 1 3 Cを用いて説 明する。 図 1 3 Aはローラ 3 9 a〜3 9 f で支持された基板 Wとエッチング部 4 5との関係を示す斜視図であり、 図 1 3 Bはェツチング部 4 5の側面図であり、 図 1 3 Cはエッチング部の平面図である。
エッチング部 4 5は、 図 1 3 Bに示すように、 基板 Wの周縁部を、 隙間をあけ て表面と裏面側から挟むように形成された、 コの字形状の部材である。 エツチン グ部 4 5の上部片持ち梁部 4 5 aには、 基板 Wの回転方向に沿って下流側から順 番に、 基板 Wを乾燥するための窒素ガス等のガス導入管 4 6 a、 基板 Wを洗浄す るリンス用の超純水導入管 4 6 b、ベベル部に形成された金属薄膜をエッチング するための第 1の液体としてのフッ酸等の薬液導入管 4 6 cが接続されており、 それぞれ上部片持ち梁部 4 5 aを貫通して、 窒素ガス、 超純水、 薬液をべベル部 に供給するように構成されている。
薬液導入管 4 6 cから供給する薬液は、 エッチング液としての鉱酸又は有機酸、 及び/又は酸化剤である。 鉱酸は、 フッ酸 （H F ) 、 塩酸 （H C 1 ) 、 硝酸 （H N 0 3) 、 硫酸 （H 2 S〇4) 等があり、 前記薬液は、 これらの内少なくとも 1つ を含む。 有機酸は、 酢酸、 ぎ酸、 シユウ酸等であり、 前記薬液は、 これらの内少 なくとも 1つを含む。 酸化剤は、 過酸化水素 （H 2 0 2) 水、 又はオゾン （〇3) 水等であり、 これらの内少なくとも 1つを含む。
薬液導入管 4 6 cの上流側には、 酸を供給する開閉弁であるソレノィドバルブ S V 1と酸化剤を供給する開閉弁であるソレノィド S V 2とが並列に配置され ている。 ソレノィド S V 1を介する酸の導管とソレノィドバルブ S V 2を介する 酸化剤の導管とが、 薬液導入管 4 6 cに合流している。 またソレノイドバルブ S V Iとソレノィドバルブ S V 2とはコントローラ 5 0で開閉制御されるように なっている。
コントローラ 5 0は、 ソレノィドバルブ S V 1とソレノィドバルブ S V 2の開 閉の時間と開閉の順序とを制御する。 金属薄膜の種類により、 酸の種類と濃度は 適宜選択され、エッチング部 4 5に供給する酸と酸化剤の順序及びそれぞれの供 給時間は、 コントローラ 5 0で設定し、 任意の条件で酸と酸化剤とを交互に供給 することができる。 コントローラ 5 0は、 酸と酸化剤とを同時に混合状態で供給 するような選択も可能としている。 また、 全開と全閉とだけが可能なソレノイド バルブの代りに調節弁を採用すると、 酸と酸化剤の流量を調節して、 混合割合を 任意の値にすることができる。
超純水導入管 4 6 bカゝら供給するのは、 洗诤用の超純水である。 ガス導入管か ら供給するのは、 乾燥用の不活性ガス （N 2ガスや A rガス） である。 またエツ チング部 4 5の下部片持ち梁部 4 5 cには、 コ字状の内側から下部片持ち梁部 4 5 cを貫通して、薬液及び超純水の廃液をチャンバ 3 1の外に排出するための排 水管 4 7が接続されている。 また、 エッチング部 4 5のコ字状の外側にはエアシ リンダ 4 8が設置され、 シャフトを介してエッチング部 4 5を基板 W"に近づく方 向、 遠ざかる方向 （図中矢印 Aで示す方向） に駆動するように構成されている。 このようにして、 エッチング部 4 5は、 基板 Wの搬出入時に待避できる構造とな つている。
基板 Wのべベル部のエッチング処理後、導管 3 7及び導管 4 1を通して洗浄用 の超純水を供給し、 ノズノレ 3 7 a及びノズル 4 1 aから基板 Wの表裏面に噴射し て洗浄する。 洗浄後は導管 3 7、 導管 4 1に乾燥用の不活性ガスを供給し、 ノズ ル 3 7 a及びノズノレ 4 1 aから基板 Wの表裏面に噴射して乾燥させる。
図 1 4 A及び図 1 4 Bは基板 Wのべベルエッチング処理を行なう他の基板処 理ユニット 3 - 2の実施の形態を示す図である。 図 1 4 Aに示すように、 基板 W のべベル部のエッチング処理中は基板処理ュニット 3 - 1のローラ 3 9 a〜 3 9 f と同様なローラ 6 3により基板 Wを回転させながら、 上部ディスク 6 0が基板 Wの上数 mmの位置まで下降し、 上部ディスク 6 0の中央部 6 0 aから不活性ガ ス （N 2ガス等） 6 1を噴射して基板 Wの外周部に向かって吹き、 エッチングノ ズル 5 8から噴射される処理液あるいはその処理液の蒸気が基板 Wの中心に回 り込まないようにする。 エッチング処理後にリンスノズル 5 9より純水を回転す る基板 Wのエッジ部に供給し （処理液供給位置よりも内側から純水が供給される ように位置する）、 リンスを行なう。また、乾燥時には、図 1 4 Bに示すように、 上部ディスク 6 0の外周部の 2箇所に設けた噴射ノズル 6 4、 6 5及び/又は上 部ディスク 6 0の中央部 6 0 aから不活性ガス 6 1、 6 1を回転する基板 Wに嘖 射する。
噴射ノズル 6 4は上部ディスク 6 0の外側に位置する基板 Wの表面に向かつ て不活性ガス 6 1を噴射し、 噴射ノズル 6 5はそれより内側から外側に向かって 不活性ガス 6 1を噴射するようになっている。 そして基板乾燥開始時には噴射ノ ズル 6 5からは内側から不活性ガス 6 1を噴射し、続いて噴射ノズル 6 4から外 側に不活性ガスを噴射する。 これによつて基板 Wの表面に残る液は確実に除去さ れ乾燥できる。 なお、 エッチング部は基板 Wの周辺部上面から吸引するべベル吸 引ノス 'ノレ 6 2、 断面がコ字状で基板 Wの周縁部側方から吸引する吸引ノズル 6 6 を具備し、ベベル吸引ノズル 6 2及び吸引ノズル 6 6は乾燥時にベベル部に流入 する不活性ガスや液ミスト等を含むガス 6 9を吸引する。 また、 基板 Wの裏面に は嘖射ノズル 6 7から不活性ガス 6 1を噴射する。 この噴射ノズル 6 7は基板 W の中心部から矢印 Aに示すように不活性ガス 6 1を噴射しながら外周部に移動 する。 また、 ローラ 6 3の外側近傍には吸引ノズノレ 6 8が設けられ、 ローラ 6 3 の表面に流れ込んでくる不活性ガス 6 1や液ミストを含むガス 6 9を吸引する ようになつており、 これによりローラ 6 3の表面も乾燥する。 尚、 噴射ノズル 6 4、 6 5の組は複数組により上部ディスク 6 0の周囲に等間隔で配置してもよい。 また、 噴射ノズル 6 4、 6 5は同一半径上の異なる位置に配置しているが異なる 半径上の互いに異なる半径位置に配置してもよい。
ェツチングノズル 5 8又はリ ンスノズル 5 9は図 1 4 Aではべベル吸弓 Iノズ ル 6 2と離れているが、 隣接してもよく、 エッチングノズノレ 5 8から処理液又は リンスノズル 5 9から純水を供給すると共に、ベベル吸引ノズル 6 2により各々 の液を吸引するようにしてもよい。 隣接するときは基板 Wの回転方向に対向して ベベル吸引ノズル 6 2がノズル 5 8、 5 9より前に位置する場合は液供給直後に 吸引し、 ベベル吸引ノズル 6 2がノズル 5 8、 5 9より後ろに位置する場合は略 基板 Wが一周後に吸引する。 このようにエッチングノズル 5 8又はリンスノズル 5 9とベベル吸引ノズル 6 2の位置を変えることで液との反応時間を調節でき、 使用液量又はェツチング、 リンスの均一性を制御できる。ェツチングノズノレ 5 8、 リンスノズル 5 9、ベベル吸引ノズル 6 2を各々所定位置に配置する移動手段を 設けても良い。 なお、 ベベル処理時には、 裏面処理 （洗浄） を同時に行なうよう にしてもよい。
図 1 5は基板 Wの両面洗浄処理を行なった後に基板 Wの乾燥を行なう基板処 理ュニット 3 - 3の実施の形態を示す図である。 図示するように基板 Wの表裏面 に不活†生ガス 6 1、 6 1を噴射するガス噴射ノズル 7 1、 7 2を設け、 基板処理 ュニット 3 - 1の基板 Wを回転させるローラ 3 9 a〜3 9 f と同様に基板の周囲 に均等に 4個配置したローラ 6 3により回転する基板 Wの表裏面に不活性ガス 6 1、 6 1を噴射する。 また、 ガス噴射ノズル 7 1、 7 2は矢印 、 Bに示すよ うに、 基板 Wの中心部から外周部に向かって移動させる。 これにより、 基板 Wの 乾燥領域は中心部から外周部へ広がりながら乾燥する。
また、 乾燥時にベベル部に流入する不活性ガスや液ミスト等を含むガス 6 9は 吸引ノズレ 6 6で吸引される。 ローラ 6 3の表面に流れ込んでくる不活 14ガスや 液ミスト等を含むガス 6 9も吸引ノズル 6 8で吸引する。 この基板処理ュニット 3 - 3で両面洗浄処理する際は P V A材のスポンジ等の図示しな 、洗浄部材を回 転する基板 Wの両面に接触させて図示しない供給ノズルからより洗浄液を供給 しつつスクラブ洗浄を行なったりあるいは両面をエッチングしその後リンスを 行なう。 尚、 片面 （表面又は裏面） のみスクラブ洗浄あるいはエッチング ' リン スしてもよい。
さらに、 基板 Wのべべルェツチング処理を行なう他の基板処理ュ-ット 3 - 4 の構成について、 図 1 6〜図 2 8 Bを参照して説明する。 チャンバ 7 3は、 横断 面がほぼ正方形のボックス状で、 天板 7 3 a (蓋） が開閉可能であり、 天板 7 3 aを閉じた状態では、 側壁部から外部に液体が飛散しないようになっている。 天 板 7 3 aには、 図 1 7に示すように、 同心の 2つの円弧状の開口 （空気取入口） 7 4が設けられており、 一方、 底部 7 3 bには 2つの排気口 7 9が中心を挟んで 対向して設けられ、 これは排気ダクト 1 0に通じている。 図 1 8に示すように、 底部 7 3 bは傾斜しており、 低い側には排水口 7 5が形成されている。
チャンバ 7 3内には、 基板 Wを回転可能に保持する基板保持部 7 6が設けられ ている。 基板保持部 7 6は、 基板 Wを水平に保持して回転させる 4つのローラ 7 7を備えている。 図 1 8に示すように、 ローラ 7 7の下端部と、 底部 7 3 bの開 口部の周囲の間に、 蛇腹状の被覆部材 7 8が設けられており、 チャンバ 7 3内と チャンバ 7 3下方部の空間とを遮断している。
これらのローラ 7 7の移動方向は、 基板 Wの半径方向に延びるガイドレーノレ 8 0によって規制されている。 すなわち、 図 1 9の矢印に示すように、 それぞれの ローラ 7 7は基板 Wの半径方向に沿って基板 Wの中心 Cに向かって移動するよ うに構成されている。 ローラ 7 7には、 それぞれ駆動機構としてのエアシリンダ 8 1が連結されており、 これらのエアシリンダ 8 1によってそれぞれのローラ 7 7が基板 Wの半径方向に沿って移動し、 基板 Wの端部に当接及び離間するように なっている。 これらのローラ 7 7は、 基板 Wの周方向において等間隔に配置され ている。 ローラ 7 7は駆動源であるモータ（図示せず）に連結されており、 モータ を駆動することにより、 それぞれのローラ 7 7が同期して同一方向に回転するよ うになっている。
図 1 9及び図 2 0に示すように、 中心線 C Lによって 2等分される基板 Wの半 分の領域に接触するローラ 7 7の移動を停止させるストッパ 8 1 aが設けられ ている。 なお、 図 2 0においては 1つのストッパ 8 1 aのみを示す。 ローラ 7 7 は、 エアシリンダ 8 1から第 1の押圧力を受けてストツパ 8 1 aに当接するまで 基板 Wの中心 Cに向かって移動し、 ストッパ 8 1 aによって予め決められた所定 の位置に固定される。 一方、 基板 Wの他方の側に位置するローラ 7 7は、 エアシ リンダ 8 1から第 1の押圧力よりも小さい第 2の押圧力を受けて、 その移動が規 制されることなく基板 Wの中心 Cに向かつて移動する。
図 2 1は、 図 2 0に示すローラ 7 7の要部を示す拡大断面図である。
図 2 1に示すように、 ローラ 7 7の上端付近には、 各ローラ 7 7の外周面に沿 つて延びる溝状のクランプ部 8 2が形成されている。 このクランプ部 8 2は、 そ の中央に位置する平坦部 8 2 aと、 この平坦部 8 2 aの上下に隣接する 2つの湾 曲部 8 2 bとを有しており、 全体として略円弧状の断面を有している。 このよう な構成において、 ローラ 7 7が基板 Wに向かって移動すると、 クランプ部 8 2が 基板 Wの端部から内周側に 0 . 1 mm〜数 mm程度向かった部分を収容するよう に平坦部 8 2 aが基板 Wの端部に当接する。 なお、 これらのローラ 7 7は、 同一 の形状及び同一のサイズを有している。 また、 ローラ 7 7の材料としては、 耐薬 品性のあるフッ素系樹脂、 例えば P VD F、 P E E K等、 又はポリウレタン等が 好適に使用される。
クランプ部 8 2の幅 （上下方向の長さ） Eは、 基板 Wの厚さ Tの 2倍以下とな つている。 具体的には、 直径が 2 0 0 mm、 厚さが 0 . 7 5 mmの基板 Wの場合 では、 クランプ部 8 2の幅 Eは 1 . 5 mm以下に設定される。 平坦部 8 2 aの幅 (上下方向の長さ） Fは、 基板 Wの厚さ Tの半分以下となっている。 このような 構成により、 クランプ部 8 2によつて保持された基板 Wは湾曲部 8 2 bによって 平坦部 8 2 aの位置に規制される。 したがって、 基板 Wの姿勢をほぼ一定に保ち ながら基板 Wを回転させることができる。
なお、 基板保持部 7 6は、 それぞれのローラ 7 7の高さを調整する高さ調整機 構 （図示せず） と、 それぞれのローラ 7 7の傾きを調整する傾き調整機構 （図示 せず） とを備えており、 これらの高さ調整機構及び傾き調整機構により、 総ての ローラ 7 7のクランプ部 8 2が互いに平行な状態で同一水平面上に位置するこ とが可能となっている。
ローラ 7 7には、 図 2 2 Aに示すように、 ローラ 7 7を全体的に覆うローラ力 パー 8 3が設けられている。 ローラカバー 8 3は、 ローラ 7 7の形状に合わせた 筒状であり、 頂部は天板 8 3 aで覆われ、 下端側はチヤンバ 7 3内に開口し、 直 接又は間接的にローラ 7 7のシャフトを保持するベース部に取り付けられてい る。 ローラカバー 8 3の頂部近傍の側面には、 図 2 2 Aに示すように、 ローラ 7 7のクランプ部 8 2に対向する箇所に、基板 Wの縁部を揷入するための開口部 8 3 bが形成されている。 開口部 8 3 bの縦横の寸法は、 図 2 2 B及び図 2 2 Cに 示すように、 ローラ 7 7が基板 Wを保持する際に干渉しないような最小限の大き さに形成されている。 ローラカバー 8 3内の空間は下方で開口しているので、 排 気口 7 9からの排気によって気流が下方に向かうように形成され、 開口部 8 3 b カ ら進入した液滴やミストはこれに乗って下方に排出される。 このローラカバー 8 3は天板 8 3 aが設けられているので、 基板 W上から飛散する処理液等がロー ラ 7 7に付着するのを防止し、 ローラ 7 7自体が汚染源となるのを防止する。 な お、 ローラカバー 8 3の内部の空間を、 チャンバ 7 3の排気口 7 9の経路とは別 の経路で排気するようにしてもよい。
チャンバ 7 3には、 ローラ 7 7に保持された基板 Wに向けて種々の処理液を噴 射する処理液供給ノズル 8 4が設けられている。 これらは、 行われる処理の種類 に応じて、適宜の処理液を基板 Wの適宜の箇所に噴射することができるように配 置されており、 噴射位置を変えるため、 および、 不使用時に基板 Wから離れた位 置に待避可能なように、 移動可能となっている。 この例では、 基板 W (半導体ゥ ェハ） のべべ ェツチングを行なうために、 ェツチング液や洗浄用の純水を供給 する処理液供給ノズル 8 4が設けられている。 これは、 天板 8 3 aから垂下する L字状の管によって構成されており、 これを回動させることにより、 図 1 8と図 2 3で対比されるように、水平管先端のノズルの向きを変更することができるよ うになつている。 また、 基板 Wの下面側にも洗浄用の純水を供給する処理液供給 ノズル 8 4が設けられている （図示略） 。
また、 基板 Wに残留する処理液を除去したり、 基板 Wの不要箇所に処理液が付 着するのを防止するために、図 2 4 A乃至図 2 4 Cに示すように、不活性ガス（N 2) 等を噴射するガス噴射ノズル 7 2が、 基板 Wの適宜の箇所に向けて配置され ている。 これらも、 基板 W面の異なる箇所にガスを噴射するため、 および不使用 時に待避するために移動可能となっている。 これらのガス噴射ノズル 7 2には、 不使用時に飛散処理液の付着による汚染や詰まりを防ぐノズルカバー 8 5が設 けられている。 ノズルカバー 8 5はキャップ状のもので、 この例では、 待避位置 に常時設置されており、 待避位置において昇降機構を用いてガス噴射ノズル 7 2 が上昇し、 ノズル先端をカバー内に挿入するようになっている。 ノズルカバー 8 5の方が移動したり昇降する形式でも良いし、 ノズ と一体に移動する形式でも 良い。 ノズルカバー 8 5は、 それぞれのガス噴射ノズル 7 2の噴射方向に合わせ て設置されている。 なお、 ガス噴射ノズル 7 2は、 移動中も少量のガスを嘖射し て、 処理液の付着を防止することが望ましい。 この例では下側のガス嘖射ノズル
7 2に用いたが、 上側に配置したガス噴射ノズル 7 1に適用してもよい。
チヤンバ 7 3には、 基板 Wの処理を行なう時に処理液やミストの流れを制御す るパージ部材 8 6がチャンバ 7 3天板 7 3 aに取り付けられて設けられている。 図 1 8に示すように、 パージ部材 8 6は、 天板 7 3 aに固定されたへッド部 8 6 aと、 へッド部 8 6 aの下面に固定された円板状の固定パージ板 8 6 bと、 その 外側に上下可動に設けられた可動パージ板 8 6 cとを備えている。 可動パージ板
8 6 cは、 昇降機構 8 7を介して天板 7 3 aに取り付けられている。 昇降機構 8 7は、 天板 7 3 aの上面に立設された流体圧シリンダ 8 7 aと、 流体圧シリンダ 8 7 aの上端に取り付けられた三角形状の保持板 8 7 bと、 その保持板 8 7 bの 縁部と可動パージ板 8 6 cを連結する棒状の連結部材 8 7 cとを有している。 図 2 3に示すように、 可動パージ板 8 6 cは、 流体圧シリンダ 8 7 aの作動により 上昇して基板 Wの周縁部を露出させる。 また、 下降位置では固定パージ板 8 6 b と一体となる。 可動パージ板 8 6 cと固定パージ板 8 6 bとが接触する面の間に はシール部材 8 8が配置されており、 この隙間からガスが漏れないようになって いる。
可動パージ板 8 6 cの縁部には、 基板 Wの外径よりやや大きい突壁 8 9が形成 されており、 基板 Wの上面と側面とを微小な隙間を持って覆うことができるよう になっている。 固定パージ板 8 6 bや可動パージ板 8 6 cは、 ローラ 7 7等の他 の部材と干渉しないように、該当部分に凹所を形成する等の措置がなされている。 固定パージ板 8 6 bには、 基板 W面との間の隙間に向けてガスを供給する 2つの ガス流路 9 0 a , 9 O bが設けられている。 第 1のガス流路 9 0 aは、 中心軸に 沿って上下に延び、 基板 Wの上面の中央部に基板 W面に向けて拡径した空間とし て開口するもので、 基板 W内側から周縁部に向けてガスを供給する。 第 2のガス 流路 9 O bは、 基板 Wの周縁部において、 すなわち、 基板 Wの外端より所定の幅 の環状の部分に開口している。 これは、 主に基板 Wの周縁部にガスを供給する。 これらのガス流路 9 0 a , 9 0 bには、 チャンバ 7 3の上面側に突出する継手を 介して流体が供給される。
チヤンバ 7 3には、 図 2 5 A及ぴ図 2 5 Bに示すように、 内壁部 7 3 cに対向 して開口する内壁洗浄ノズル 9 1が設けられている。 この例では、 内壁洗浄ノズ ル 9 1は、 チヤンバ 7 3の内壁部 7 3 cに沿って設けられた配管 9 2に斜め下側 に向けて互いに等間隔で開口して設けられている。 この配管 9 2は、 制御システ ムにより開閉制御される開閉弁 9 3を介して洗浄液の給水系に接続されており、 開閉弁 9 3を所定のタイミングで開くことにより、 内壁部 7 3 cの自動洗浄 （セ ルフクリーニング） が行われる。
通常は、 図 2 5 Aに示すように、 セルフクリ一二ングは基板 Wがチャンバ 7 3 内に無い状態の時に、 すなわち、 基板 Wの搬送等のための待機時に、 1ないし数 枚ごとに実施する。 もちろん、 洗浄液の噴射圧力を低くするなどして処理中に実 施してもよい。 内壁洗浄ノズノレ 9 1の高さ位置は、 適宜に選択されるが、 処理液 が付着する可能性の高いところ、 すなわち基板 Wの処理高さ付近及びそれ以下の 範囲を対象とするのが好ましい。
上記構成の基板処理ュニット 3 - 4において、 基板 Wの周縁部であるべベル部 をエッチングする工程を説明する。 天板 7 3 aを開いた状態で、 搬送ロボット 2 により基板 Wを搬入する。 そして、 ローラ 7 7を待避させた状態で基板 Wをクラ ンプ部 8 2の高さに維持し、 ローラ 7 7を内側に移動して基板 Wを保持する。 そ して、 天板 7 3 aを閉じると、 図 1 8に示すように、 パージ部材 8 6が基板 Wを 覆う状態となる。
この状態において、 ファンフィルタュ -ット 7を通った空気の一部は、 図 7に 示すように、 基板処理ユニット 3 - 4の上部に導かれ、 天板 7 3 aに開口する 2 つの円弧状の空気取入口 7 4からチャンバ 7 3内に流入する。 図 2 6に示すよう に、 流入した空気はパージ部材 8 6と基板 Wを包むように下降し、 下方の排気口 7 9から排出される。
このように、 空気取入口 7 4は、 基板 Wの上方に周縁部に沿って形成されてい るので、 チャンバ 7 3内の気流は上から下に基板 Wを包むように形成される。 従 つて、 基板 Wを包囲するエアカーテン A 1 0が形成され、 チャンバ 7 3の天板 7 3 aや内壁、 あるいはその他の部分からの微粒子等による汚染を防止する。 この 例では、 パージ部材 8 6のガス流路 9 0 a , 9 0 bから清浄なガスが供給されて おり、これによつても、基板 W面が保護される。パージ部材 8 6が無い場合には、 気流が基板 W面を直接保護する。
次に、 図 2 3に示すように 可動パージ板 8 6 cを上昇させ、 基板 Wの周縁部 を露出させる。 処理液を均等に分散させるために、 ローラ 7 7を駆動して基板 W を低速度で回転させながら、 処理液供給ノズル 8 4を該当個所に向けて噴射する。 その際、 第 1のガス流路 9 0 aに不活性ガス （N 2ガス等） を供給し、 基板 Wの 表面に中央から外周部に向かう流れを形成する。 これにより、 処理液供給ノズル
8 4から噴射される処理液あるいはその蒸気等が基板 Wの內側部分に入らない ようにして、 この部分を保護する。 エッチング処理が終わった後は、 処理液供給 ノズル 8 4より純水等の洗浄液を供給して、エッチング液を除去する。この時も、 第 1のガス流路 9 0 aに不活性ガス （N 2ガス等） を供給して、 内側部分への液 の進入を防ぐ。 エッチング中および洗浄中において、 基板 Wの裏面側にも洗浄液 を供給して、 裏面側の清浄化を行なう。
次に、基板 W面から洗浄液を除去し、さらには乾燥させる工程を行なう。まず、 洗浄液の供給を停止し、 基板 Wの回転速度を維持あるいは上昇させて、 遠心力に より液を飛散させる。 不活性ガスを、 第 1のガス流路 9 0 aだけでなく、 第 2の ガス流路 9 0 bにも供給する。 第 1のガス流路 9 0 aからのガス噴射は、 内側部 分への液の進入の防止のためであり、 第 2のガス流路 9 0 bからのガス噴射は、 周縁部に残る液を吹き飛ばすためである。 基板 W上に残留する液が減少したとこ ろで、 可動パージ板 8 6 cを下降させて、 基板 Wの周縁部を覆う。 これにより、 不活性ガスの高速の流れを基板 Wの周縁部の面に沿って形成することができ、液 の除去、 すなわち乾燥が迅速に行われる。 この乾燥工程では、 基板 Wの回転数を 低下させ、 あるいは停止する。
洗浄液の除去おょぴ乾燥工程では、 図 2 4 Aに示すように、 基板 Wの裏面側の ガス噴射ノズル 7 2からもガスを供給して、 除液、 乾燥を行なう。 乾燥の終了後 は、 図 2 4 Bに示すように、 ガス噴射ノズル 7 2は微量のガスを噴射しながら待 避位置まで移動し、 図 2 4 Cに示すように、 上昇してノズルカバー 8 5の中に先 端を収めた状態で待機する。
処理を終えた基板 Wは、 天板 7 3 aを開いた状態で、 搬送ロボットにより搬出 され、 新たな基板 Wが搬入されて、 次の処理が行われる。 この間に、 図 2 5 A及 び図 2 5 Bに示す内壁洗浄ノズル 9 1により、 内壁部 7 3 cの自動洗浄 （セルフ タリ一ユング） が適宜のタイミングで行われる。
上記の工程では、 エッチング、 洗浄、 および除液 ·乾燥が同じ装置で行われる ので、 エッチングや洗浄工程で汚染された装置の各部によって、 除液■乾燥中あ るいは後の基板 Wが汚染される、 いわゆる 2次汚染の防止が重要な課題である。 この実施の形態の装置では、 2次汚染を防止するために、 既述したような複数の 手段が設けられている。
第 1に、 基板 Wに対して対称的に設けられた空気取入口 7 4によって基板 Wを 均等に包むように形成されたエアカーテンにより、 処理液による処理中の基板 W やノズルから、 処理液が周辺の部材ゃ内壁に飛散するのが防止又は軽減され、 こ れらの部分の汚染が防止又は軽減される。 さらに、 除液■乾燥工程においても、 エアカーテンが周辺部材ゃ内壁と基板 Wとの間の汚染を防止する。 従って、 2次 汚染が二重の意味で、 防止又は軽減される。
なお、 空気取入口 7 4の開口面積や形状は、 状況に応じて調整することができ ると便利である。 天板 7 3 aや、 空気取入口 7 4の部分を交換することもできる 力 かなりの手間が掛かる。 図 2 7は、 容易に開口面積や形状を変えることがで きるようにした実施の形態を示すものである。 すなわち、 天板 7 3 aの上面に、 空気取入口 7 4の形状に沿った形状の縁部を有する調整部材 9 4を、各空気取入 口 7 4を部分的に覆うように取り付けたものである。 天板 7 3 aと調整部材 9 4 の間には、 凸部 9 5 aと長穴 9 5 bの組合せによる位置調整機構 9 5が設けられ ている。 この位置調整機構 9 5を用いて、 2つの調整部材 9 4を基板 Wに対する 対称性を維持しつつ位置調整することができる。 凸部 9 5 aにネジを形成し、 こ れにナツトを螺合させることにより、調整部材 9 4を固定するようにしてもよい。 また、 別の形状の縁部を有する調整部材 9 4と交換することにより、 空気取入口 7 4の形状を変えるようにしてもよい。
第 2に、 ローラカバー 8 3によって、 基板 Wに直接接触するローラ 7 7が覆わ れているので、 ローラ 7 7への処理液の付着が軽減され、 ローラ 7 7を介しての 2次汚染が防止又は軽減される。 特にローラ 7 7の頂部を覆う天板 7 3 aの被覆 作用が有効である。
なお、 ローラカバー 8 3自体は基板 Wに接触しないが、 処理液等が過度に付着 すると汚染源となる可能性が出てくる。 図 2 8 A及び図 2 8 Bは、 ローラカバー 8 3をローラ 7 7の待避位置において洗浄するためのカバー洗浄機構 9 6を示 す。 この実施の形態では、 図 2 5 A及び図 2 5 Bで示した内壁洗浄ノズル 9 1の 配管 9 2から配管 9 6 aをローラカバー 8 3の開口部 8 3 bの上方に導入して、 これにカバー洗浄ノズル 9 6 bを形成している。 使用のタイミングは基本的に内 壁部 7 3 cのセルフクリーニングと同じでよいが、 これに限られるものではない c また、カバー洗浄機構 9 6ばこれに限られず、例えば、ローラカバー 8 3自体に、 開口部 8 3 bの内側から洗浄液を噴射するノズルを設けるようにしてもよい。 第 3に、 ノズルカバー 8 5によって、 ガス噴射ノズル 7 2が待避位置にあると きの汚染が防止又は軽減される。 従って、 汚染されたガス噴射ノズル 7 2から噴 射用等のガスが噴射されるという事態を回避し、 2次汚染を防止又は軽減する。 第 4に、 内壁洗浄ノズル 9 1によって内壁部 7 3 cのセルフクリーニングが行 われるので、 内壁部 7 3 cに付着した処理液等に起因する微粒子が基板 Wに再付 着するという経路の 2次汚染を防止又は軽減する。
なお、 これらの 4つの手段とともに、 以下に説明するような、 基板保持部に処 理流体を吸引する保持部吸引部を配置する方法を併用してもよい。 これにより、 処理液が基板保持部に付着するのを軽減し、 この付着に起因する微粒子の基板 W への再付着を防止又は軽減することができるからである。
図 2 9は、 本発明の他の実施形態に係る基板処理ュ-ット 3 - 5を模式的に示 す斜視図である。 図 2 9に示すように、 基板処理ュ-ット 3 - 5は、 複数の （本 実施形態では 4つの） 基板保持部 1 1 1を備えており、 それぞれの基板保持部 1 1 1は、 その軸心回りに回転するローラ 1 2 0を備えている。 基板 Wの上方には ベベル吸引ノズル （周縁部吸引部） 1 1 6が配置されている。 このべベル吸引ノ ズル 1 1 6は基板 Wの周縁部に近接しており、 基板 Wの周縁部から液体を吸引す るようになっている。
図 3 0 A及ぴ図 3 0 Bは、 基板保持部 1 1 1の実施の形態を示す図である。 基 板を保持する基板保持部 （回転保持部） 1 1 1は、 各々クランプ部 1 2 1を有す るローラ 1 2 0を備え、 そのクランプ部 1 2 1が基板 Wの端部と基板 Wの略中心 方向へ向けた所定の押圧力で接触し、 図示しない回転駆動手段によって総ての基 板保持部 1 1 1を所定の同一回転速度かつ同一方向に回転させ、 基板保持部 1 1 1と基板 Wの（縁）端部との摩擦によって基板 Wに回転力を付与しつつ保持する。 総ての基板保持部 1 1 1のうち、 少なくとも一つだけ回転駆動させてもよい。 口 ーラ 1 2 0のクランプ部 1 2 1の近傍には、 処理液等の流体を吸引する吸引口 1 2 3を備えた保持部吸引ノズル 1 2 4が配置されている。 ここで、 吸引口 1 2 3 はクランプ部 1 2 1に例えば 5 mm以下に近接して配置され、 クランプ部 1 2 1 に付着した流体を吸引する。 また、 クランプ部 1 2 1に洗浄流体を供給する供給 口 1 2 5を備えた保持部洗浄ノズル 1 2 6が同様にローラ 1 2 0のクランプ部 1 2 1に近接して配置されている。 ここでのローラ 1 2 0の材料としては耐薬品 性のフッ素系樹脂である P V D Fを用いている。
スピンチヤックは基板を固定して保持するため、 スピンチヤックの爪の内側で は流体が入れ替わりにくい。 これに対して、 基板保持部 1 1 1により基板 Wを回 転保持し、 かつ基板保持部 1 1 1に保持部吸引部 1 2 4をそれぞれ設置すること で、 基板保持部 1 1 1付近の流体の置換向上と流体の残留抑制が可能である。 こ こで、 基板保持部 1 1 1のクランプ部 1 2 1は基板 Wの端部と接触し、 基板 Wの 内側に向けて所定の圧力 基板 Wを押し付け保持する。 クランプ部 1 2 1の形状 は、 保持又は回転中に基板 Wのずれのないように窪んだ形が望ましい。 また、 ク ランプ部 1 2 1は真上から見た場合、 真円形状であることが望ましい。 保持部吸 引ノズル 1 2 4とクランプ部 1 2 1とのクリアランスは、 望ましくは l mm以下 さらに望ましくは 0 . 5 mm以下である。 また、 ローラ 1 2 0の材料としては、 耐薬品性のあるフッ素系樹脂、 例えば P V D F、 P E E K等、 又はポリウレタン 等が好適である。 保持部洗浄ノズル 1 2 6とクランプ部 1 2 1とのクリアランス (位置関係） は、 保持部吸引ノズノレ 1 2 4とクランプ部 1 2 1とのクリアランス と同様に、 望ましくは l mm以下、 さらに望ましくは 0 . 5 mm以下である。 仮に保持部吸引ノズル 1 2 4がなければ、 クランプ部 1 2 1に付着した流体は ローラ 1 2 0の回転によって基板 Wと再接触し、 基板 W及ぴローラ 1 2 0の接線 方向 Xに流体が飛散する （図 3 O A参照） 。 その防止のための吸引口 1 2 3と供 給口 1 2 5の配置関係は、 ローラ 1 2 0の回転方向が図中の矢印の方向であると すると、 クランプ部 1 2 1と基板 Wとの接触部 W cに対して回転方向の前方に保 持部洗浄ノズ /レ 1 2 6が配置され、 さらにその前方に吸引口 1 2 3を備えた保持 部吸引ノズル 1 2 4が配置されている。 従って、 接触部 W cで基板 Wの周縁部の 流体がローラ 1 2 0のクランプ部 1 2 1に移動し、 ローラ 1 2 0は図中矢印で示 す方向に回転し、保持部洗浄ノズノレ 1 2 6の洗浄流体供給口 1 2 5から供給され る洗浄流体により流体が付着したクランプ部 1 2 1が洗浄される。 そして、 ロー ラ 1 2 0の回転に伴い吸引口 1 2 3を備えた保持部吸引ノズル 1 2 4の前に洗 浄流体により処理された流体が到達すると、 その流体が吸引ノズル 1 2 4により 吸引される。 これにより、 基板 Wの周縁部からの流体の飛散を抑制し、 基板の汚 染ゃウォーターマークの発生を抑制することができる。 また、 ベベル吸引ノズル 1 1 6により基板周緣部に付着した流体を吸引することができるので、低速回転 であっても効率的に基板周縁部に付着した流体を除去することが可能である。 なお、 図 3 0 Cの断面図に示すように、 吸引配管 1 2 7をローラ 1 2 0の内部 に設け、 吸引配管 1 2 7を介してクランプ部 1 2 1の一箇所又は複数箇所から流 体を吸引するようにしてもよい。 また、 上記実施形態では保持部洗浄ノズル 1 2 6を設ける例について説明したが、 洗浄処理が必要でない場合には、 この保持部 洗浄ノズル 1 2 6を設けることを省略することができる。 ここで、 保持部吸引ノ ズル 1 2 4の吸引口 1 2 3および吸引配管 1 2 7は気液分離装置を介して真空 源に連通し、 真空吸引により、 流体等を吸引する。 真空源としては、 ェジェクタ 一、真空ポンプなどを用いる。
なお、 基板 W上の流体が保持部洗浄ノズル 1 2 6及び保持部吸引ノズル 1 2 4 に付着することがないように、 図 3 0 Aの一点鎖線で示すように、 保持部洗浄ノ ズル 1 2 6及ぴ保持部吸引ノズル 1 2 4を基板 Wから離れた位置に配置しても よい。 すなわち、 保持部洗浄ノズル 1 2 6及び保持部吸引ノズル 1 2 4をローラ 1 2 0の中心に対して接触部 W cの反対側に配置してもよい。
基板 W上の流体をべベル吸引ノズル 1 1 6又は図示しない吸引ノズルにより 吸引する場合は、 必ずしもローラ 1 2 0を洗浄しなくてもよいため、 保持部洗浄 ノズル 1 2 6を省略することができる。 この場合は、 図 3 O Dに示すように、 保 持部吸引ノズル 1 2 4はローラ 1 2 0及び基板 Wの接泉上であって、 かつ接触部 W cよりも回転方向において前方に配置することが好ましい。 さらにこの場合、 保持部吸引ノズル 1 2 4の吸引口 1 2 3は接触部 W cに向けて開口し、 かつ接触 部 W cに近接して配置されることが好ましレ、。なお、保持部吸引ノズル 1 2 4を、 接触部 W cに溜まっている流体に吸引口 1 2 3が常に接触するように配置して もよい。
この実施形態では、 ベベル吸引ノズル 1 1 6は導電性材料から形成された導電 部 1 5 1を有している。 この導電部 1 5 1はべベル吸引ノズノレ 1 1 6の先端に位 置しており、 配線 1 4 7を介して接地 （アース） されている。 なお、 本実施形態 では、 ベベル吸引ノズ^ 1 6の一部のみが導電性材料から形成されている力 ベベル吸引ノズノレ 1 1 6全体を導電性材料から形成してもよい。 また、 ベベル吸 引ノズルを基板 Wの下面側にも設けてもよい。
保持部吸引ノズル 1 2 4は導電性材料から形成された導電部 1 5 2を有して いる。 この導電部 1 5 2は保持部吸引ノズル 1 2 4の先端に位置しており、 配線 148を介して接地 （アース） されている。 なお、 本実施形態では、 保持部吸引 ノズル 124の一部のみが導電性材料から形成されているが、保持部吸引ノズル 124全体を導電性材料から形成してもよい。 また、 4つの保持部吸引ノズル 1
24のうちの少なくとも一つが導電部 152を有していればよい。
基板 Wの上方には基板 Wの上面に乾燥用気体を供給する気体供給ノズル 11 3が配置されており、 基板 Wの下方には基板 Wの下面に乾燥用気体を供給する気 体供給ノズル 114が配置されている。 気体供給ノズル 113, 114は基板 W に対して略垂直に延び、 それぞれの気体供給ノズノレ 113， 114からは乾燥用 気体が基板 Wの上面及び下面に向けて吹き付けられるようになっている。 気体供 給ノズル 113は揺動アーム 135の先端に取り付けられており、揺動アーム 1
35の揺動軸 135 aは駆動源 （移動機構） 137に連結されている。 駆動源 1 37を稼働させると、 摇動アーム 135力 S揺動し、 気体供給ノズル 113が基板 Wの半径方向に沿って移動する。 気体供給ノズノレ 113と同様に、 気体供給ノズ ル 114も摇動アーム 136の先端に取り付けられており、揺動軸 136 aを介 して駆動源 138に連結されている。 そして、 駆動源 138を稼働させることに より、 気体供給ノズル 114が基板 Wの半径方向に沿って移動する。
乾燥用気体としては、 N2ガスなどの不活性ガスが好適に用いられる。 また、 気体供給ノズル 113, 114から供給される乾燥用気体の圧力は、 50 k P a 〜350 k P aであることが好ましい。 気体の圧力が低すぎると、 気体供給ノズ ノレ 113， 114の移動速度を遅くしても乾燥不良が起こる。 また、 気体の圧力 が高すぎると、気体を液膜に向けて噴射したときに液滴がはねて基板 Wに付着し、 ウォーターマークを発生させる。 このような理由から、 気体供給ノズル 1 13， 114から供給される気体の圧力は 50 kP a〜350 kP aが最適である。 摇動アーム 135, 136には、 基板 Wに純水などの所定の液体を供給する液 体供給ノズノレ 145 , 46がそれぞれ取り付けられている。 これらの液体供給ノ ズル 145 , 46は、 気体供給ノズル 1 13, 1 14と同様に、 基板 Wに対して 略垂直に延びている。 そして、 基板 Wの上方に位置する液体供給ノズル 145か らは基板 Wの上面に所定の液体が供給され、 基板 Wの下方に位置する液体供給ノ ズノレ 146からは基板 Wの下面に所定の液体が供給されるようになっている。 液 体供給ノズノレ 145 , 46は気体供給ノズル 113， 114に隣接して配置され ており、 液体供給ノズル 145， 46と気体供給ノズル 113， 114とは共に 基板 Wの半径方向に沿って移動する。
ここで、 気体供給ノズル 1 13, 114と液体供給ノズル 145， 46との位 置関係について図 3 1 Aないし図 3 1 Dを参照して説明する。 図 3.1 Aないし図 3 1 Dは図 2 9に示す気体供給ノズルと液体供給ノズルとの位置関係を説明す るための図である。
図 3 1 A及ぴ図 3 1 Cに示すように、 液体供給ノズル 1 4 5は、 気体供給ノズ ル 1 1 3の径方向外側に配置されている。 即ち、 液体供給ノズル 1 4 5は、 基板 Wの半径方向において気体供給ノズル 1 1 3よりも外側に位置している。 液体供 給ノズル 1 4 5及ぴ気体供給ノズル 1 1 3は、 揺動アーム 1 3 5 (図 2 9参照） に固定されているため、液体供給ノズル 1 4 5及び気体供給ノズル 1 1 3は互い の相対位置を保ちつつ矢印 Sで示す円弧軌道を描きながら基板 Wの半径方向に 沿つて移動する。 従って、 液体供給ノズル 1 4 5及び気体供給ノズル 1 1 3が基 板 Wの周縁部に向かって移動するとき、 液体供給ノズル 1 4 5は、 進行方向にお いて気体供給ノズル 1 1 3よりも前方に位置することとなる。 液体供給ノズル 1 4 5と気体供給ノズル 1 1 3との基板 Wの半径方向における距離は 1 0〜3 0 mmであることが好ましく、 本実施形態では 2 0 mmである。 液体供給ノズル 1 4 5と気体供給ノズル 1 1 3との距離が近すぎると、液体供給ノズル 1 4 5力、ら 供給された液体が気体供給ノズル 1 1 3からの気体の影響を受け、 液体が飛び散 るおそれがある。 また、 液体供給ノズル 1 4 5と気体供給ノズル 1 1 3との距離 が遠すぎると、液体によって保護されない部分が基板 Wの表面に生じる。従って、 液体供給ノズル 1 4 5と気体供給ノズル 1 1 3との距離は 1 0 mo！〜 3 0 mm が最適である。
液体供給ノズル 1 4 6と気体供給ノズル 1 1 4との位置関係は、 上述した液体 供給ノズル 1 4 5及び気体供給ノズル 1 1 3との位置関係と同じである。 即ち、 図 3 1 B及び図 3 1 Dに示すように、 液体供給ノズノレ 1 4 6は、 基板 Wの半径方 向において気体供給ノズル 1 1 4よりも外側に位置している。 液体供給ノズル 1 4 6と気体供給ノズル 1 1 4との距離は 1 0〜 3 0 mmであることが好ましく、 本実施形態では 2 0 mmである。 なお、 2つ以上の気体供給ノズルを基板 Wの上 方及び下方にそれぞれ配置してもよく、 同様に 2つ以上の液体供給ノズルを基板 Wの上方及び下方にそれぞれ配置してもよい。
また、液体供給ノズル 1 4 5及び気体供給ノズノレ 1 1 3を揺動アーム 1 3 5に 取付けたのと同様に、各々 1又は複数の液体供給ノズル及び気体供給ノズルを摇 動アーム 1 3 5とは異なる 1又は複数の揺動アームに取付け、 基板 Wの中心部か ら周縁部に向けて複数の異なる円弧軌道を同時に描くように移動させて乾燥を 行なうようにしてもよい。 基板 Wの中心部から複数の円弧軌道が略放射状に等角 度で周縁部へ延びるようにすることで、 基板 Wを均一に乾燥することができる。 基板 Wの裏面に対しても同様にしてもよい。 なお、 円弧軌道に沿って移動させる 代わりに液体供給ノズル及び気体供給ノズルを基板 Wの中心部から周縁部に直 線的に移動させてもよい。
次に、 上述のように構成された基板処理ュニット 3 - 5の動作の一例について 説明する。 ここでは、 基板 Wとして、 上面に C u及び L o w— k材が形成され、 下面に酸ィ匕膜が形成された半導体ウェハを用いる。 また、 以下の動作例は、 基板 Wの上方に配置された液体供給ノズル 1 4 5のみから液体を基板 Wに供給する 場合を示す。
まず、基板 Wを基板保持部 1 1 1のローラ 1 2 0に保持させ、 3 5 m i n一1の 回転速度で基板 Wを回転させる。 この状態でリンス液供給ノズル 1 4 0から処理 液としてのリンス液 （純水） を基板 Wの上面に供給するとともに、 リンス液供給 ノズル 1 4 1 A, 1 4 1 Bから基板 Wの下面に処理液としてのリンス液 （純水） を供給し、 基板 Wの上面及び下面に純水の液膜を形成する。
次に、 気体供給ノズル 1 1 3， 1 1 4及び液体供給ノズノレ 1 4 5， 4 6を基板 Wの中心部に移動させる。 そして、 リンス液供給ノズル 1 4 0 , 1 4 1 A, 1 4 1 Bからの純水の供給を停止すると同時又は直前に、 気体供給ノズル 1 1 3 , 1 1 4から 3 0 0 k P aの N 2ガスを基板 Wの上面及ぴ下面に供給し、 液体供給ノ . ズル 1 4 5から流量 4 0 0 c c /m i nの純水を基板 Wの上面に供給する。 この 状態で、基板 Wの回転速度を 8 0 m i n _ 1に上げるとともに、気体供給ノズル 1 1 3， 1 1 4及び液体供給ノズル 1 4 5 , 4 6を基板 Wの周縁部に向かって移動 させ、 基板 Wの上面及ぴ下面を乾燥させる。
液体供給ノズル 1 4 5を移動させながら純水を供給することによって基板 W の上面には液膜が形成され、 これにより基板 Wの上面が保護される。 気体供給ノ ズル 1 1 3から供給された N 2ガスは液膜を基板 Wの周縁部に移動させつつ、 基 板 Wの上面を乾燥させる。 基板 Wの周縁部に移動した液膜 （純水） はべベル吸引 ノズル 1 1 6力 ら吸引される。さらに純水は、基板 Wからローラ 1 2 0に移動し、 保持部吸引ノズル 1 2 4によって吸引される。 このように、 基板 Wの上面に液膜 を形成するとほぼ同時に液膜が除去されるため、 基板 Wの上面にウォーターマー · クを発生させることなく基板 Wを乾燥することができる。
ベベル吸引ノズル 1 1 6及ぴ保持部吸引ノズル 1 2 4から基板 W上の純水を 吸引すると、 純水と空気とが混合されて摩擦が発生し、 その摩擦により静電気が 発生する。 本実施形態では、 ベベル吸引ノズル 1 1 6及び保持部吸引ノズル 1 2 4は、 それぞれ導電部 151, 152を介して接地 （アース） されているので、 ' 静電気による基板 Wの帯電を防止することができる。 従って、 基板 Wの上面に形 成された回路への静電気による悪影響を排除することができ、 歩留まりを向上さ せることができる。 なお、 基板保持部 111 (ローラ 120) の少なくとも一部 分を導電性材料で形成し、 これを接地するようにしてもよい。 この場合でも、 静 電気の除去が可能である。
なお、 上記動作例では、 基板 Wの上面側の液体供給ノズノレ 145のみから液体 を供給したが、 基板 Wの下面に形成された膜の種類によっては基板 Wの下面側の 液体供給ノズル 146からも液体を基板 Wの下面に供給してもよい。 基板 Wの上 面と下面とで濡れ性が異なる場合には、濡れ性に応じて基板 Wの乾燥に要する時 間を調整することが好ましい。 例えば、 基板 Wの下面よりも上面の方が疎水性が 高い場合は、 基板 Wの下面側の気体供給ノズル 114及び液体供給ノズル 146 の移動を開始した後に、 基板 Wの上面側の気体供給ノズル 113及ぴ液体供給ノ ズル 145の移動を開始する。 この場合、 基板 Wの上面と下面とを同時に乾燥さ せるために、 上面側の気体供給ノズル 113と下面側の気体供給ノズル 114と が同時に基板 Wの周縁部に到達するように異なる速度で移動させる。 このように することで、 濡れ性の異なる上面と下面の乾燥を同時に終了させることができ、 ウォーターマークの発生を効果的に防止することができる。
次に、 本発明の他の実施形態における基板処理ュ-ット 3- 6について説明す る。 図 32は、 本発明の他の実施形態に係る基板処理ュニット 3- 6の概略的な 実施の形態を示す平面図である。 この基板処理ユニット 3- 6では、 チャンバ 1 10内に処理対象の半導体ウェハ等の基板 Wが基板保持部 111 (l l l a, 1 l i b, 111 c, 111 d)により回転保持されている。基板保持部 111 (1 11 a, 111 b， 111 c, 111 d) にはそれぞれ保持部吸引ノズル （保持 部吸引部） 124 (124 a， 124 , 124 c， 124 d) 、 保持部洗浄ノ ズル （保持部洗浄部） 126 (126 a, 126 b， 126 c, 126 d) が近 接して設置されている。 保持部吸引ノズル 124 a， 124b， 124 c, 12 4 d、 保持部洗浄ノズル 126 a， 126 b, 126 c, 126 dは、 それぞれ 支持部 128 a， 128 b, 128 c, 128 dによって支持されている。 各保 持部吸引ノズノレ 124は調整部 124 'によって、また、各保持部洗浄ノズノレ 12 6は調整部 126，によって基板保持部 1 11とのクリアランス調整が可能であ る。 基板 Wの上面側及び下面側には流体供給口と流体吸引口を有する洗浄ノズノレ (基板処理部） 112, 115が備えられ、 この洗浄ノズル 112, 115は図 中二点鎖線 （洗浄ノズル 1 1 5を示す二点鎖線は非図示） で示すように基板 Wの 半径方向に移動可能となっている。
また、 基板 Wの上面側及び下面側には、 N 2ガス等の不活 ¾Ξの気体又は湿度 1 0 %以下の乾燥空気等の乾燥用気体を供給する気体供給ノズル 1 1 3 , 1 1 4力 S 配置されている。気体供給ノズノレ 1 1 3， 1 1 4は、それぞれ気体供給口 1 1 7， 1 1 8を有している。 これらの気体供給ノズル 1 1 3 , 1 1 4は、 それぞれ支点 Cを中心として図中一点鎖線で示すように基板 Wの略半径方向に沿って揺動可 能となっている。 また、 基板処理ユニット 3 - 6は、 基板 Wの周縁部から流体を 吸引するべベル吸引ノズル （周縁部吸引部） 1 1 6を備えている。 なお、 基板保 持部 1 1 1は図中では 4つとしたが、 3つ以上であれば特に限定されない。 ここ での洗浄ノズルからの流体としては、 洗浄流体、 エッチング液、 エッチングガス 等が挙げられ、 具体的には、 フッ化水素等の腐食性ガス、 フッ酸等の酸、 また過 酸化水素、硝酸、オゾンなどの酸化剤、アンモニア等のアルカリ剤、キレート剤、 界面活性剤、 またそれらのうちいくつかの混合液が挙げられる。
図 3 3は、 図 3 2に示す基板処理ュニットが基板 Wの表裏面を洗浄している状 態を示す。 図 3 3に示すように、 昇降手段 （不図示） により所定の高さに上面側 の洗浄ノズル （基板処理部） 1 1 2が基板 Wの表面側に近接して配置され、 下面 側の洗浄ノズノレ （基板処理部）. 1 1 5が同様に基板 Wの裏面側に近接して配置さ れる。 尚、 下面側の洗浄ノズル 1 1 5は、 昇降手段 （不図示） により所定の高さ に近接して配置されている。 尚、 この装置においても、 基板 Wはローラ 1 2 0に よって構成される基板保持部 1 1 1により回転力を付与されつつ水平に保持さ れている。 また、 上面側の気体供給ノズル 1 1 3， 及び下面側の気体供給ノズル 1 1 4はそれぞれ退避位置にある。 洗浄終了後には、 上面側の洗浄ノズル 1 1 2 は、 基板 Wの半径方向の退避位置に退避し、 代わりに上面側の気体供給ノズル 1 1 3が移動し、 乾燥気体を基板 W上に供給し、 乾燥工程が行われる。 同様に、 下 面側の洗浄ノズル 1 1 5も基板 Wの半径方向及び下方の退避位置に退避し、代わ りに下面側の気体供給ノズル 1 1 4が所定位置に移動し、 基板 Wの下面側に気体 を供給し、 乾燥工程が行われる。
この洗浄ノズル 1 1 2 , 1 1 5は、 洗浄ノズルに流体供給口と流体吸引口を離 間して、 例えば直径 2 0 0 mmの基板を処理する場合、 それぞれ約 1 0個を交互 に配置し、 流体供給口から例えば洗浄液等の流体 (液）を基板 Wに供給すると共に、 基板 Wに付着した流体 (液）を流体吸引口から吸引する方式を採用している。 ここ で、 流体供給口と流体吸引口は往復運動し、 流体 (液）の各々供給と吸引を行なう ことで、 洗浄等の処理が行われ、 この処理によれば基板面からの流体 （液） の飛 散が抑制され、 処理後の基板上の流体 (液)残量が極めて少なくなるという特長が める。
図 3 4 A乃至図 3 4 Cは、 洗浄部の具体的な実施の形態を示す。 洗浄ノズノレ 1 1 2 , 1 1 5には、 それぞれノズル本体に作用面 K l， K 2を有し、 それぞれの 作用面に流体 （液） の供給口 2 2 7と吸引口 2 2 8とが交互に且つ直線状に整列 して配置されている。 図 3 4 B及び図 3 4 Cに示すように、 各供給口 2 2 7は共 通の供給管 2 2 9に接続され、 各吸引口 2 2 8は同様に共通の排液排気管 2 3 0 に接続されている。 従って、 供給管 2 2 9に流体 （液） を供給すると、 それぞれ の流体供給口を介して、 供給口 2 2 7から流体 （液） が基板面に供給される。 同 様に、 排液排気管 2 3 0は真空源に連通し、 真空吸引されているので、 それぞれ の吸引口 2 2 8から基板面に付着した流体 （液） を吸引する。
図示の例では、 1個の洗浄部に 2面の供給口と吸引口の配列を備え、 2種類の 流体（液）の使用が可能である。従って、それぞれの洗浄部 1 1 2 , 1 1 5には、 2本の排液排気管 2 3 0 , 2 3 0と 2本の供給管 2 2 9， 2 2 9とを備えている。 そして、 一対の供給管 2 2 9と排液排気管 2 3 0が作用面 K 1に開口する供給口 2 2 7と吸引口 2 2 8とに接続されている。 そして、 他の一対の供給管 2 2 9と 排液排気管 2 3 0とがそれぞれ他の作用面 K 2に開口する供給口 2 2 7と吸引 口 2 2 8とに接続されている。 供給口 2 2 7と吸引口 2 2 8の配置は供給口 2 2 7， 供給口 2 2 7 , 吸引口 2 2 8 , 供給口 2 2 7 , 供給口 2 2 7， 吸引口 2 2 8 …のように供給部、 吸引部におけるそれぞれの供給口 2 2 7と吸引口 2 2 8の個 数を 1又は 1以上として供給部、 吸引部を交互に配置してもよい。
図示しない回転手段により洗浄ノズル 1 1 2 , 1 1 5をそれぞれ中心軸心 Oい 0 2 (図 3 4 B及ぴ図 3 4 C参照） の回りに 4分の 1回転させて、 作用面 K 1， K 2を切り換えることができる。 これにより同一の洗浄ノズノレ 1 1 2， 1 1 5で 異なる流体 （液） による処理を行なうことが可能である。 作用面 K 1では薬液処 理ゃエッチングプロセスを行い、 作用面 K 2では、 作用面 K 1でのプロセスに引 きつづいて、 純水等によりリンス処理を行い、 作用面 K 1でのプロセスで基板に 残留する流体 （液） をリンス液に置き換えるようにしてもよい。 尚、 図示の例で は、 作用面 K 1により洗浄ノズル 1 1 2， 1 1 5から処理液を供給し、 基板 Wの 上面と下面を処理している様子を表わしている。
図 3 6 Aに示すとおり、 各供給口及び各吸引口は、 基板面と一定の距離で配置 されることが好ましい。 これにより、 全ての供給口から基板面に同一の距離で流 体 （液） を供給でき、 均一に処理することが可能である。 また、 全ての吸引口に おいて基板面に同一の距離から吸引することができ、 基板に対する吸引力を全て の吸引口で偏りなく一定に保つことができる。
供給口 2 2 7の先端の基板面からの距離は、 好ましくは 2 mm以下、 更に好ま しくは 0 . 5 mm以下に近接して等距離となるように配置することが好ましい。 吸引口 2 2 8の先端の基板面からの距離は、 同じく好ましくは 2 mm以下、 更に 好ましくは 0 . 5 mm以下に近接して等距離となるように配置することが好まし い。 このとき、 供給口 2 2 7と吸引口 2 2 8の距離は等しくなくてもよレ、。 尚、 近接して配置することによって、 基板に供給した流体 (液)が基板に対して相対的 に静止した状態 （静置） で行なうことができ、 更に吸引の効率も向上する。 各供 給口から供給する流体 (液）の流量は、 1つの供給口につき 1〜3 O m LZm i n が好ましく、 特に薬液を供給して基板表面と反応させるためには、 l〜1 0 m L /m i n、 更に好ましくは l〜5 m L /m i n程度である。 例えば、 直径 2 0 0 mmのウェハの場合、片面を洗浄するのに使用する流体 (液）の流量は 3 O m L/ m i n程度である。 また、供給する流量が非常に少ないため、処理中の流体（液） の飛散が極めて少ない。 更に、 処理後の基板上の液残量が極めて少なくなるとい う特長がある。 尚、 供給口から基板上に供給した流体 (液）が直接吸引口から吸引 されることがないように、 供給口 2 2 7と吸引口 2 2 8は離間して、 段差 d及び 間隔 s (図 3 6 A参照） を付けることが好ましい。 段差 d及ぴ間隔 sは、 少なく とも 1 mm以上が好ましい。
この洗浄ノズル 1 1 2 , 1 1 5は、 それぞれ洗浄対象の基板の半径方向に沿つ て図 3 5に矢印で示すように往復運動可能となっている。 洗浄ノズルの配置方向 と、 ノズルの往復運動は、 必ずしも同一直線状でなくてもよい。 従って、 図 3 6 Aに示すように、 この洗浄ノズルでは基板 Wに近接した流体 (液）の供給口 2 2 7 力 ら基板 Wに流体 (液）を供給 （静置） すると共に、 ある時間後に基板 Wに残留し た余剰の流体 (液）を供給口 2 2 7と離間して配置した吸引口 2 2 8から吸引除 去するものである。 従来の装置では、 基板 Wに供給した流体 (液）を高速回転によ る遠心力で排除している。 しかしながら、 この洗浄部では、 基板 Wへの流体 (液） の供給は、 基板上で流体 (液)が相対運動しない静置状態で、 供給した流体 (液)は 基板上に一定時間以上残留して基板表面と十分に反応させてから、離間した吸引 口が上述した洗浄ノズノレの半径方向の往復運動により移動し、 その吸引口から基 板表面と反応した後の流体 (液）を吸引するようにしている。 言いかえると、 複数 の供給口の基板半径方向往復移動と基板の回転により流体（液）を基板の表面全 体に所定の略均一な厚さの薄膜状に塗布、 又は印刷するような方法で供給するこ とが望ましく、 流体 (液)の供給流速を低くすることが好ましい。 即ち、 流体 (液） の供給流速は好ましくは 5 m/ s以下、 更に好ましくは 1 mZ s以下である。 ま た、基板 Wの回転速度は、 5 0 O m i n— 1以下、特に 1 0 O m i n—1以下が好ま しい。
この流体 （液） の供給と吸引を組み合わせた方法によって、 流体 （液） の使用 量は一般的な基板中央部に供給してスピン洗浄するという方式に比べ、 大幅に削 減可能である。 また、 流体 （液） を基板上に供給し、 その流体 （液） を吸引する ことで、 流体 （液） の飛散が防止できる。 また、 吸引によって基板 Wに残留する 流体 （液） の量およびその厚みは常に基板表面全体にわたって一定に保たれ、 処 理の安定性及び均一性が向上する。
上述したように、 この洗浄部では、流体（液） を供給したい位置に供給 （静置） するので、基板 Wの高速回転により流体（液）を基板全体に広げるものではなく、 1 0 O m i n一1前後の低速回転での処理が好ましい。一般に基板 Wの中央部に流 体 （液） を供給し回転によつて基板 W全体に広げる方式では、 例えば 2 0 0 mm の半導体基板で 5 0 0 m i n— 1の回転速度で、少なくとも 0 . 5 L/m i nの流 量の流体 （液） を基板の片面に供給する必要がある。 上述したように、 この洗浄 部では流体'（液） の供給と吸引を繰り返す方法であるので、 3 0 m LZm i n前 後の流体 （液） の流量で十分な基板の洗浄が可能となる。
供給口と吸引口との基板の半径方向に沿った往復運動の周期は、 基板の回転周 期より大きくすることが必要である。 仮に基板 Wの回転周期と洗浄部の往復運動 の周期が同じであるとすると、 常に基板上の一定の位置で流体 （液） の供給及ぴ 吸引が行われるため、 処理が不均一になる。 これに対して、 基板の回転周期に対 して洗浄部の往復運動の周期を長くすると、 例えば、 洗浄部の一往復に対して基 板が数回転し、 基板上への流体 （液） の供給及び吸引は渦巻き状に行われる （図 3 6 B , 図 3 6 D参照） 。 一方、 基板の回転周期に対して洗浄部の往復運動の周 期を短くすると、基板上での流体の軌跡は、非常に複雑になる。 （図 3 6 C参照）。 このため、流体（液）の供給後ある程度の時間をおいて吸引されるため、流体（液） の反応に十分な時間が与えられ、 均一な処理が可能である。
また、 供給口と吸引口との往復運動の際、 移動端での停止時間が 0 . 5秒以内 であることが好ましい。 洗浄部の往復運動の際、 反転時に停止する時間は同じ位 置に液を供給することになるので、 なるべく短いことが好ましい。 例えば、 一往 復が 5秒であるとすると、 移動端での停止時間は 0 . 5秒以内、 更に好ましくは 0 . 1秒以内である。
また、 図 3 5のとおり、 洗浄ノズル 1 1 5の供給口 2 2 7の移動範囲は、 基板 の中心 W o及び端部を含まない基板の半径方向の範囲内とすることが好ましい。 基板の中央 W oに流体 （液） の供給口を移動すると、 中央 W oへの流体 （液） の 供給量が他に比べて多くなり、 好ましいことではない。 このため、 供給口 2 2 7 の移動範囲は基板の中心点 W oを含まないで、 中心点 W oに近接するように位置 することが好ましい。 また、'基板の端部に流体 （液） を供給すると、 基板外に流 体 （液） が飛散する可能性があるため、 供給口の移動範囲を制限することが必要 である。
尚、 図 3 4 A乃至図 3 4 Dに示す洗浄部 （洗浄ノズル） は、 流体 (液）の供給口 と吸引口とが一定間隔で且つ直線状で配置されているが、必ずしも一定間隔で交 互に直線状に配置しなくても上記洗浄機能を達成することができる。 また、 この 実施形態では洗浄部に 2つの作用面を備え、 それぞれに流体 (液）の供給口と吸引 口とを配置したが、 流体 (液）の供給口と吸引口とを一面に配置し、 他の一面に他 の流体 (液）の供給口のみを配置するようにしてもよい。 また、 二面に限らず、 三 面、 さらに四面以上に流体 (液）の供給ロ及ぴ吸引口を配置するようにしてもよい。 更には、洗浄部 1 1 2 , 1 1 5はその断面が多角形であっても、円形であっても、 2つ以上の作用ノズル群を有する構造でもよレ、。 また、 図 3 4 B及び図 3 4 Cに 示すように多角形と円形を組み合わせた断面とすることができる。
図 3 4 Aに示すように、 流体 （液） の供給口 2 2 7は複数であって、 各供給口 から供給する流体 （液） の流量をそれぞれ制御し、 基板の中心付近から周縁部に 向かって洗浄用流体 （液） の供給流量が増加するようにノズル開口径を調整して おくことが好ましい。 この洗浄部は、 回転する基板に近接して流体 （液） を供給 していくものであるので、 基板の外周側に行くに従って、 単位時間当たりの供給 対象表面積が広がることになる。 このため、 外周側に行くに従って各供給口から 供給する流体（液）の流量を対象面積に対応して増大していくことが必要であり、 基板面の全面にわたっての流体 （液） の均一な供給を行なうことができる。
また、 複数の供給口の少なくとも 1つの流体 （液） の流量をモニタリングする 手段を備えることが好ましい。例えば、流体（液）の供給圧力を検出することで、 供給口の開口径又は大きさから各供給口の流体 （液） の供給流量.流速を算定す ることができる。 さらに、 所定の供給流量、 流速となるように供給圧力を制御す ることにより、 洗浄液等の流体 （液） の流量精度を高めることができ、 精密な洗 浄が可能となる。 また、 流体 （液） の加温又は冷却の両方又はいずれかを行なう 温度制御手段を備えることが好ましい。 流体 （液） の基板処理性能は温度に依存 する場合があり、 このような場合には流体 （液） の好適な温度に調整できること が好ましい。 温度制御手段としては、 流体 （液） の供給配管にヒータあるいは冷 却部を備えることで実現することができる。
一方、 各吸引口 2 2 8もコンダクタンスを調整自在な構成 （吸引口形状および 大きさ） としており、 各吸引口 2 2 8は所定の吸入圧力に調整した同一の又は各 吸引口 2 2 8毎に別々の真空源により処理流体 （液） を吸引するが、 各吸引口 2 2 8からの処理流体 （液） の吸引流量，流速も、 吸引口開口径を任意に設定する ことで個々に変更できる。 吸引口 2 2 8の開口径を一度設定した場合、 真空源の 吸引強度を変えることにより吸引流量 ·流速を変更できる。 基板 Wの各半径位置 における供給流量よりも吸引流量が過剰とならないようにすることが、 および基 板 Wの外周に向かうほど各吸引口 2 2 8からの吸引流量を等しくする力 \ 低下さ せるようにすることが、 （言い換えると、 基板の表面全体に処理液が均一の厚さ に常に堆積させ、 かつ基板の表面のあらゆる箇所で均一な速度で処理液を供給 - 吸引により置換させることが、）基板の表面全体を均一に処理する上で好ましい。 また、 被処理基板 （ウェハ） の種類や、 基板の表面に形成される膜の種類に応 じて上述の基板回転速度、 洗浄部 1 1 2 , 1 1 5の基板面との距離、 洗浄部 1 1 2 , 1 1 5の往復運動の周期、 平均速度、 最大速度、 供給する流体 （液） の供給 圧力や温度、 真空源の真空強度や流体 （液） の種類等の処理条件を設定して被処 理基板の処理中に各処理条件に対応する実測値をモニターし、各処理条件の所定 の設定データとその実測値を比較し、実測値がその所定の設定データを維持する ように基板の処理工程を制御する手段を備えてもよい。
また、 基板の下面を処理する洗浄部 1 1 5を配置した基板処理ュニットにおい て、 ベベル洗浄手段を設けてもよい。 これにより、 基板のベベル部処理と同時に 基板の裏面の洗浄又はエッチングが可能である。 もしくは、 基板の上面に洗浄部 1 1 2を配置し、 下面の周縁部を処理するべベル洗浄手段を設けてもよい。
また、 吸引口から吸引した流体 （液） を回収し、 再使用する手段を更に備える ことが好ましい。 例えば、 使用済み流体 （液） を回収タンクに回収し、 フィルタ で濾過した後に本基板処理ュニットの流体 （液） の供給タンクに戻すようにする ことが好ましい。 また、 回収した流体 （液） を再生する手段を更に備えることが 好ましい。 これにより、 流体 （液） の再利用が図れ、 さらに省資源化することが できる。 尚、 回収又は再生した流体 （液） の濃度又は含有不純物の濃度等をモニ タリングする手段を備えることが好ましい。 図 37及び図 38は、 本発明の他の実施形態の基板処理ュニット 3 _ 7の概略 構成を示し、 図 39はそのシステム構成を示す。 この基板処理ユニット 3- 7で は、 処理対象の基板 Wがローラからなる基板保持部 111 a， 111 b, 111 c, 111 dにより回転しつつ保持されることや、 保持部吸引ノズル 124 (1 24 a, 124 b, 124 c, 124 d) から処理液を吸引し、 保持部洗浄ノズ ル 126 (126 a， 126 b, 126 c, 126 d) から洗浄液をクランプ部 121に供給しつつ基板 Wを処理することは上述の実施形態と同様である。 しか しながら、 この実施形態では洗浄部 115を基板 Wの下面側のみに備え、 基板 W の上面側には水平■垂直方向に移動可能なパージ板 238を備えている。 パージ 板 238には図示しない開口が設けられており、 この開口から N2ガス等の不活 性ガスが半導体ウェハ等の基板 Wに供給されるようになっている。 これにより、 基板 Wの下面側から生じる流体 （液） のミストゃ薬液雰囲気により基板表面を汚 染又は変質することを防止することができる。 なお、 開口は、 パージ板 238の 基板 Wの中心に対応した位置に 1つだけ設けてもよく、 又は、 複数の開口を基板 Wと同心上に配列された複数の円に沿つて半径方向に等間隔に配置してもよ！/、。 また、 この基板処理ユニット 3- 7では、 基板の周縁部 （ベベル部） を洗浄す るべベル洗浄ノズル 236を備え、 また洗浄液のベベル吸弓 Iノズル 237を備え ている。 従づて、 ベベル洗浄ノズル 236から供給された洗浄液は基板 Wが矢印 方向に略一周する直前でベベル吸引ノズル 237から吸引されて除去される。 従 つて、 この装置によれば、 基板裏面側の洗浄を行なうことができると共に、 基板 表面側のベベル部の洗浄等の処理を行なうことができる。 上述のノズルを用いて エッチング処理等の処理を行い、 その後に洗浄処理を行なうことも可能である。 また、 ベベル洗浄ノズル 236、 ベベル吸引ノズル 237はそれぞれ基板周縁部 の処理位置を調整できるように基板 Wの半径方向にモータ Mにより移動可能と なっている。 さらにべベル洗浄ノズル 236、 ベベル吸引ノズル 237を基板の 中心から周縁に往復移動させて基板の表面全体を処理するようにしてもよい。 尚、 パージ板 238は基板 Wの周縁部と、ベベル洗浄ノズル 236およびべベル吸引 ノズル 237と干渉しないだけの基板 Wの周縁部を覆わない略円形状としてい る。
この基板処理ュニット 3- 7においては、 図 39に示すように、 薬液圧送槽 2 31から洗浄部 115に薬液が供給され、 洗浄部 115の供給口から基板 Wの面 上に薬液が供給される。 洗浄部 115は、 モータ Mにより図中の水平方向に往復 運動し、 基板上に供給された薬液を吸引口から回収する。 吸引口から回収された 薬液は一旦回収槽 （気液分離槽） 2 3 2に送られ、 ここで気液分離され、 さらに 循環槽 2 3 3に送られる。
循環槽 2 3 3に貯えられた使用済みの薬液はポンプ Pにより加圧され、 フィル タ 2 3 4により濾過され、 温調器 2 3 5により温度が調整された後に再使用可能 な薬液として薬液圧送槽 2 3 1に戻される。 このようにして薬液の循環再利用が 可能であり、 これにより薬液の省資源化が図れる。 尚、 ベベル洗浄ノズル 2 3 6 から基板のベベル部に供給される薬液もべベル吸引ノズル 2 3 7により吸引さ れ、 同様に再利用することが可能である。 尚、 ここでは図示しないが、 循環槽 2 3 3に戻った使用済みの薬液を再生する手段を備えることで、使用済み薬液の再 生再利用も可能である。
なお、 基板処理ュニット 3 _ 5〜3— 7において、 基板処理ュニット 3 _ 4の 特徴である以下の構成を、 適用可能な範囲で適用することが好ましい。
( 1 ) 基板に対して対称的に設けられた空気取入口によって基板を均等に包むよ うにエアカーテンを形成する。
( 2 ) ローラカバーによって、 基板に直接接角虫するローラを覆う。
( 3 ) ノズルカバーによって、 待避位置にあるときガス噴射ノズルを覆う。
( 4 ) 内壁洗浄ノズノレによって内壁部のセルフクリーニングを行なう。 産業上の利用の可能性
本発明の基板洗浄処理装置及び基板処理ュニットは、 半導体デバイスの製造に 用いられる基板 （半導体ウェハ等） に洗浄処理を施すのに利用される。

Claims

請求の範囲
1 . ベース一体型の 1つのフレームに、 基板を搬送する基板搬送装置と、 基板 の処理を行なう少なくとも 1つの基板処理ュニットと、 基板収納カセットを載置 する基板ロードポートと、 前記基板処理ュニットへ処理液を供給する処理液供給 装置を搭載し、 前記基板処理ュニットのメンテナンスは装置背面から実施できる ように構成したことを特徴とする基板洗浄処理装置。
2 . 請求項 1に記載の基板洗浄処理装置において、前記基板処理ュニットの内、 少なくとも 1以上は最後に乾燥処理を行ない単体にてプロセス処理が完結可能 な基板処理ュ-ットであることを特徴とする基板洗浄処理装置。
3 . 請求項 1に記載の基板洗浄処理装置において、前記基板処理ュニットの内、 少なくとも 1以上は基板の両面洗浄処理、 基板のベべノレエッチング処理、 片面の スクラブ処理の内の少なくとも 1つの処理が可能で、 且つ乾燥処理が可能な基板 処理ュニットであることを特徴とする基板洗浄処理装置。
4 . 基板収納カセットを载置する基板ロードポートと、 基板の処理を行なう基 板処理ュニットと、 前記基板ロードポートと基板処理ユエットの間に配置され、 該ロードポートと基板処理ュニットとの間のみ基板を搬送する基板搬送装置を 備えたことを特徴とする基板洗浄処理装置。 '
5 . 請求項 1または請求項 4に記載の基板洗浄処理装置において、 前記基板処 理ユニットは前記基板ロードポートと平行に配置されていることを特徴とする 基板洗浄処理装置。
6 . 請求項 1に記載の基板洗浄処理装置において、 前記処理液供給装置は前記 基板処理ユニットに、 2種類以上の処理液を供給することが可能な構成であるこ とを特徴とする基板洗浄処理装置。
'
7 . 請求項 6に記載の基板洗浄処理装置において、 前記処理液供給装置は、 処 理液ごとに複数の供給タンクを具備することを特徴とする基板洗浄処理装置。
8 . 請求項 7に記載の基板洗浄処理装置において、 前記複数の供給タンクから '交互に処理液を供給することを特徴とする基板洗浄処理装置。
9 . 請求項 3に記載の基板洗浄処理装置において、 前記基板処理ュ-ットの全 てに基板乾燥手段を設けたことを特徴とする基板洗浄処理装置。
1 0 . 請求項 9に記載の基板洗浄処理装置において、 前記基板乾燥手段は、 基 板の裏表面に不活性ガスを噴射するガス噴射手段を具備することを特徴とする
• 基板洗浄処理装置。
1 1 . 請求項 3に記載の基板洗浄処理装置において、 前記基板処理ュニットに おけるベべルェツチング処理後の基板表面の乾燥に、 不活性ガスを基板外周に向 けて噴射するパージプレートを具備することを特徴とする基板洗浄処理装置。
1 2 . 請求項 1 1に記載の基板洗浄処理装置において、 前記パージプレートは 少なくとも基板外周側とそれより内側の 2箇所以上から不活性ガスを噴射する ようになつていることを特徴とする基板洗浄処理装置。
1 3 . 請求項 1または請求項 4に記載の基板洗浄処理装置において、 前記基板 搬送装置は、 走行軸を持たない固定式の搬送ロボットであることを特徴とする基 板洗浄処理装置。
1 4 . 基板を搬送する基板搬送装置と、 基板の処理を行なう基板処理ュニッ トと、 基板収納カセットを載置する基板ロードポートと、 前記基板処理ュニット へ処理液を供給する処理液供給装置を備えた基板処理装置において、 基板処理装 置外側の気圧を P 0、前記基板搬送装置が配置されている基板搬送室内の気圧 P A、 前記基板処理ュニット内の気圧を P Bとした場合、 下記の関係が維持される ことを特徴とする基板処理装置。
P A > P 0 > P B
1 5 . 清浄気体が供給される処理領域において使用される基板処理ュニットで ' あって、
前記処理領域に配置されたチヤンバと、
該チャンバ内において基板を水平面内で回転可能に保持する基板保持部と、 該基板保持部に保持された基板に向けて処理流体を供給する処理流体供給手 段とを備え、
前記チャンバには、前記基板保持部の上方に形成された気体取入口から前記清 浄気体を取り入れて底部側より排気することにより、 前記基板保持部に保持され た基板を均等に包絡する気流を形成する気流形成手段が設けられていることを 特徴とする基板処理ュニット。
1 6 . 請求項 1 5に記載の基板処理ュニットにおいて、 前記気体取入口は、 前 記基板保持部に保持された前記基板の周縁部に沿って形成されていることを特 徴とする基板処理ュニット。
1 7 . 清浄気体が供給される処理領域において使用される基板処理ュニットで あって、
前記処理領域に配置されたチヤンバと、
該チャンバ内において基板を水平面内で回転可能に保持する基板保持部と、 該基板保持部に保持された基板に向けて処理流体を供給する処理流体供給手 段と、
前記基板の表面を所定の隙間を持って覆うとともに、 この隙間にガスを供給し て該隙間への処理流体の進入を防止するパージ部材とを備え、
前記パージ部材は、 前記基板面の第 1の領域を覆う第 1の被覆部材と、 前記基 板面の第 2の領域を覆う第 2の被覆部材と力 少なくとも一方が他方に対して可 動に設けられて構成されていることを特徴とする基板処理ュニット。
1 8 · 請求項 1 5または請求項 1 7に記載の基板処理ュニットにおいて、 前記 基板保持部は、 鉛直方向に軸線を有する複数のローラを有し、 これらのローラに は、該ローラが前記基板を保持するための開口部が形成されたローラカバーが設 けられていることを特徴とする基板処理ュニット。
1 9 . 請求項 1 5または請求項 1 7に記載の基板処理ュニットにおいて、 前記 基板に向けてガスを噴射するガスノズルが設けられ、該ガスノズルを不使用時に 覆うノズルカバーが設けられていることを特徴とする基板処理ュニット。 2 0 . 請求項 1 5または請求項 1 Ίに記載の基板処理ユエットにおいて、 前記 チャンバの内壁を所定のタイミングで洗浄する洗浄液供給手段が設けられてい ることを特徴とする基板処理ュニット。
2 1, . 請求項 1 5または請求項 1 7に記載の基板処理ュニットと、 該基板処理 ュニットを収容する空間を形成するフレームと、 前記空間に清浄気体を供給する ' 給気手段とを有することを特徴とする基板洗浄処理装置。
2 2 . 請求項 1 5または請求項 1 7に記載の基板処理ユエットであって、 前記 基板保持部には前記処理流体を吸引する保持部吸引部が設けられていることを 特徴とする基板処理ュニット。
2 3 . 請求項 1 5または請求項 1 7に記載の基板処理ュニットであって、 前記 基板保持部は、 基板の端部に当接して該基板を回転させる複数のローラを備え、 前記複数のローラは基板の半径方向に沿って移動することを特徴とする基板処 理ユニット。
2 4. 請求項 1または請求項 4に記載の基板洗浄処理装置であって、 前記処理 ュ-ットは基板を回転保持する基板保持部を有し、 基板を回転させて基板に流体 を供給して処理を行なうものであって、 前記基板保持部には前記流体を吸引する 保持部吸引部が設けられていることを特徴とする基板洗浄処理装置。
2 5 · 請求項 1または請求項 4に記載の基板洗浄処理装置であって、 前記処理 ュニットは、
基板を水平に保持して回転させる基板保持部と、
前記基板保持部に保持された基板の上方及び下方に配置され、該基板に気体を 供給する気体供給ノズルと、
前記基板保持部に保持された基板の上方及び下方に配置され、該基板に液体を 供給する液体供給ノズルと、'
前記気体供給ノズル及び前記液体供給ノズルを基板の中心部から周縁部に移 動させる移動機構とを備え、
前記液体供給ノズルは基板の径方向において前記気体供給ノズルょりも外側 に配置されることを特徴とする基板洗浄処理装置。
2 6 . 請求項 1または請求項 4に記載の基板洗浄処理装置であって、
前記処理ユニットには、 回転する基板に近接して、 流体供給口と流体吸引口を 離間して、 それぞれ 1つ以上配置し、 前記流体供給口から処理流体を前記基板に 供給すると共に、 前記基板に付着した前記処理流体を前記流体吸引口から吸引す ることを特徴とする基板洗浄処理装置。
2 7 . 請求項 1または請求項 4に記載の基板洗浄処理装置であって、
前記処理ュニットには、 基板を保持して回転させる基板保持部が設けられ、 該 基板保持部は、 基板の端部に当接して該基板を回転させる複数のローラを備え、 前記複数のローラは基板の半径方向に沿って移動することを特徴とする基板洗 浄処理装置。
PCT/JP2005/017318 2004-09-17 2005-09-14 基板洗浄処理装置及び基板処理ユニット WO2006030953A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/663,071 US20070277930A1 (en) 2004-09-17 2005-09-14 Substrate Cleaning Apparatus and Substrate Processing Unit

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004-271875 2004-09-17
JP2004271875 2004-09-17
JP2005-247070 2005-08-29
JP2005247070A JP2006114884A (ja) 2004-09-17 2005-08-29 基板洗浄処理装置及び基板処理ユニット

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2006030953A1 true WO2006030953A1 (ja) 2006-03-23

Family

ID=36060194

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2005/017318 WO2006030953A1 (ja) 2004-09-17 2005-09-14 基板洗浄処理装置及び基板処理ユニット

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20070277930A1 (ja)
JP (1) JP2006114884A (ja)
TW (1) TWI373799B (ja)
WO (1) WO2006030953A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113496927A (zh) * 2021-05-30 2021-10-12 黄国燊 一种半导体硅片表面液体清理设备

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101231841B1 (ko) * 2005-12-29 2013-02-08 엘지디스플레이 주식회사 반송계
KR100816740B1 (ko) * 2006-08-30 2008-03-27 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP5080214B2 (ja) * 2007-11-21 2012-11-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
CN101971295B (zh) * 2007-12-20 2012-05-30 朗姆研究公司 构造提供相对于晶圆的均匀流体流的临近头的方法
JP5151629B2 (ja) 2008-04-03 2013-02-27 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄装置、現像方法、現像装置及び記憶媒体
JP5198223B2 (ja) * 2008-11-18 2013-05-15 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US9111729B2 (en) * 2009-12-03 2015-08-18 Lam Research Corporation Small plasma chamber systems and methods
US9190289B2 (en) * 2010-02-26 2015-11-17 Lam Research Corporation System, method and apparatus for plasma etch having independent control of ion generation and dissociation of process gas
JP5538102B2 (ja) 2010-07-07 2014-07-02 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板洗浄方法および基板洗浄装置
US8999104B2 (en) 2010-08-06 2015-04-07 Lam Research Corporation Systems, methods and apparatus for separate plasma source control
US9155181B2 (en) 2010-08-06 2015-10-06 Lam Research Corporation Distributed multi-zone plasma source systems, methods and apparatus
US9967965B2 (en) 2010-08-06 2018-05-08 Lam Research Corporation Distributed, concentric multi-zone plasma source systems, methods and apparatus
US9449793B2 (en) 2010-08-06 2016-09-20 Lam Research Corporation Systems, methods and apparatus for choked flow element extraction
JP5743853B2 (ja) * 2010-12-28 2015-07-01 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP5762925B2 (ja) * 2010-12-28 2015-08-12 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP5731866B2 (ja) * 2011-03-22 2015-06-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US9177762B2 (en) 2011-11-16 2015-11-03 Lam Research Corporation System, method and apparatus of a wedge-shaped parallel plate plasma reactor for substrate processing
US10283325B2 (en) 2012-10-10 2019-05-07 Lam Research Corporation Distributed multi-zone plasma source systems, methods and apparatus
KR20130101328A (ko) * 2012-03-05 2013-09-13 삼성전자주식회사 인쇄판 세정 장치 및 이를 포함하는 인쇄 장치
JP2013193060A (ja) * 2012-03-22 2013-09-30 Sharp Corp 除塵装置および除塵方法
JP5541311B2 (ja) * 2012-04-09 2014-07-09 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄装置、現像方法、現像装置及び記憶媒体
JP6295023B2 (ja) 2012-10-03 2018-03-14 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置、基板洗浄方法、および研磨装置
KR20150140329A (ko) 2013-05-02 2015-12-15 후지필름 가부시키가이샤 에칭 방법, 이에 이용하는 에칭액, 및 반도체 기판 제품의 제조 방법
WO2014178422A1 (ja) * 2013-05-02 2014-11-06 富士フイルム株式会社 エッチング液およびエッチング液のキット、これを用いたエッチング方法および半導体基板製品の製造方法
JP6198672B2 (ja) * 2013-05-02 2017-09-20 富士フイルム株式会社 エッチング方法、これに用いるエッチング液およびエッチング液のキット、ならびに半導体基板製品の製造方法
JP6110814B2 (ja) 2013-06-04 2017-04-05 富士フイルム株式会社 エッチング液およびそのキット、これらを用いたエッチング方法、半導体基板製品の製造方法および半導体素子の製造方法
JP6073192B2 (ja) * 2013-06-14 2017-02-01 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、基板洗浄システムおよび基板洗浄方法
TWI569349B (zh) 2013-09-27 2017-02-01 斯克林集團公司 基板處理裝置及基板處理方法
JP6324010B2 (ja) * 2013-09-27 2018-05-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6163434B2 (ja) * 2014-01-16 2017-07-12 株式会社東芝 薬液処理装置及び薬液処理方法
RU2640270C1 (ru) 2014-03-11 2017-12-27 Тинк Лаборатори Ко., Лтд. Обрабатывающее устройство модульного типа и полностью автоматизированная система по изготовлению формных цилиндров для глубокой печати с использованием подобного устройства
JP6797526B2 (ja) * 2014-11-11 2020-12-09 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置
JP6698446B2 (ja) * 2016-07-05 2020-05-27 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体
JP6971676B2 (ja) * 2016-08-29 2021-11-24 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法
CN111095512B (zh) * 2017-09-08 2024-01-26 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 清洗半导体硅片的方法及装置
JP7073658B2 (ja) * 2017-09-25 2022-05-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置、及び記憶媒体
EP3701561A4 (en) * 2017-10-23 2021-07-21 Lam Research AG SYSTEMS AND METHODS TO PREVENT THE ADHESION OF STRUCTURES WITH A HIGH ASPECT RATIO AND / OR FOR THE REPAIR OF STRUCTURES WITH A HIGH ASPECT RATIO
KR20200088547A (ko) * 2019-01-14 2020-07-23 삼성전자주식회사 초임계 건조 장치 및 그를 이용한 기판 건조방법
JP7369632B2 (ja) * 2020-02-03 2023-10-26 株式会社荏原製作所 乾燥装置、基板処理装置及び基板ホルダの乾燥方法
JP7398977B2 (ja) 2020-02-18 2023-12-15 株式会社ディスコ 加工装置
JP6830170B1 (ja) * 2020-02-25 2021-02-17 株式会社スギノマシン 洗浄機及び洗浄方法
CN116194200A (zh) * 2020-08-12 2023-05-30 栗田工业株式会社 pH-氧化还原电位调整水制造装置
JP2022138907A (ja) * 2021-03-11 2022-09-26 キオクシア株式会社 基板洗浄装置および基板洗浄方法
KR20230016859A (ko) * 2021-07-27 2023-02-03 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN117460866A (zh) * 2022-06-17 2024-01-26 株式会社荏原制作所 镀覆装置
CN117153739B (zh) * 2023-10-31 2024-01-30 沈阳芯达科技有限公司 晶圆清洗装置

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05259146A (ja) * 1992-03-09 1993-10-08 Hitachi Ltd 半導体製造装置
JPH0831790A (ja) * 1994-07-14 1996-02-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板回転処理装置
JPH09225424A (ja) * 1996-02-26 1997-09-02 Shibuya Mach Kk 洗壜機
JPH09270412A (ja) * 1996-04-01 1997-10-14 Canon Inc 洗浄装置及び洗浄方法
JPH1126346A (ja) * 1997-06-30 1999-01-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2001223196A (ja) * 1999-12-01 2001-08-17 Ses Co Ltd 基板洗浄システム
JP2002205022A (ja) * 2001-01-15 2002-07-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
WO2002095809A2 (en) * 2001-05-18 2002-11-28 Lam Research Corporation Apparatus and method for substrate preparation implementing a surface tension reducing process
JP2002359220A (ja) * 2001-05-31 2002-12-13 Tokyo Electron Ltd 基板の処理装置
JP2003007662A (ja) * 2001-06-21 2003-01-10 Ebara Corp 基板洗浄装置
WO2003007348A2 (en) * 2001-07-13 2003-01-23 Lam Research Corporation Apparatus and method for controlling galvanic corrosion effects on a single-wafer cleaning system
JP2003077879A (ja) * 2001-09-05 2003-03-14 Ebara Corp 基板処理装置及び基板処理方法
JP2003133275A (ja) * 2001-10-26 2003-05-09 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置の中心位置合わせ兼洗浄機構および中心位置合わせ兼洗浄機構を備えた研削装置
JP2004111487A (ja) * 2002-09-13 2004-04-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4345545A (en) * 1980-07-28 1982-08-24 The Carborundum Company Apparatus for electron curing of resin coated webs
JP3333733B2 (ja) * 1998-02-20 2002-10-15 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置
US6827814B2 (en) * 2000-05-08 2004-12-07 Tokyo Electron Limited Processing apparatus, processing system and processing method
US7584760B2 (en) * 2002-09-13 2009-09-08 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
WO2005015627A1 (en) * 2003-08-07 2005-02-17 Ebara Corporation Substrate processing apparatus, substrate processing method, and substrate holding apparatus
US7476290B2 (en) * 2003-10-30 2009-01-13 Ebara Corporation Substrate processing apparatus and substrate processing method

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05259146A (ja) * 1992-03-09 1993-10-08 Hitachi Ltd 半導体製造装置
JPH0831790A (ja) * 1994-07-14 1996-02-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板回転処理装置
JPH09225424A (ja) * 1996-02-26 1997-09-02 Shibuya Mach Kk 洗壜機
JPH09270412A (ja) * 1996-04-01 1997-10-14 Canon Inc 洗浄装置及び洗浄方法
JPH1126346A (ja) * 1997-06-30 1999-01-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2001223196A (ja) * 1999-12-01 2001-08-17 Ses Co Ltd 基板洗浄システム
JP2002205022A (ja) * 2001-01-15 2002-07-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
WO2002095809A2 (en) * 2001-05-18 2002-11-28 Lam Research Corporation Apparatus and method for substrate preparation implementing a surface tension reducing process
JP2002359220A (ja) * 2001-05-31 2002-12-13 Tokyo Electron Ltd 基板の処理装置
JP2003007662A (ja) * 2001-06-21 2003-01-10 Ebara Corp 基板洗浄装置
WO2003007348A2 (en) * 2001-07-13 2003-01-23 Lam Research Corporation Apparatus and method for controlling galvanic corrosion effects on a single-wafer cleaning system
JP2003077879A (ja) * 2001-09-05 2003-03-14 Ebara Corp 基板処理装置及び基板処理方法
JP2003133275A (ja) * 2001-10-26 2003-05-09 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置の中心位置合わせ兼洗浄機構および中心位置合わせ兼洗浄機構を備えた研削装置
JP2004111487A (ja) * 2002-09-13 2004-04-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113496927A (zh) * 2021-05-30 2021-10-12 黄国燊 一种半导体硅片表面液体清理设备
CN113496927B (zh) * 2021-05-30 2022-06-24 山东华楷微电子装备有限公司 一种半导体硅片表面液体清理设备

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006114884A (ja) 2006-04-27
TWI373799B (en) 2012-10-01
TW200616068A (en) 2006-05-16
US20070277930A1 (en) 2007-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2006030953A1 (ja) 基板洗浄処理装置及び基板処理ユニット
JP5705723B2 (ja) 操作において開モードと閉モードとの切り替えを簡単に行う加工チェンバ設計を用いてマイクロ電子加工品を加工するための道具および方法
US6629540B2 (en) Wet treatment apparatus
TWI709169B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP3834542B2 (ja) 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
US20090081810A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20030082422A (ko) 액처리장치 및 액처리방법
US11217451B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR20060061816A (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 및 기판 유지 장치
US10290518B2 (en) Substrate liquid processing apparatus
CN101802982A (zh) 液体处理装置和液体处理方法
JP5726686B2 (ja) 液処理装置、及び液処理装置の制御方法
KR20180075388A (ko) 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템, 기판 처리 시스템의 제어 장치, 반도체 기판의 제조 방법 및 반도체 기판
US20080053488A1 (en) Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
WO2005043611A1 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2002301413A (ja) ノズル装置及び塗布装置
US9263303B2 (en) Methodologies for rinsing tool surfaces in tools used to process microelectronic workpieces
US10331049B2 (en) Substrate cleaning device and substrate processing apparatus including the same
KR100839912B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
TW202335069A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP3961749B2 (ja) 基板洗浄装置及び基板処理装置、基板処理方法
JP5173874B2 (ja) 塗布装置及びノズルの待機方法
KR20140071312A (ko) 기판 처리 장치
KR20100046799A (ko) 매엽식 기판 처리 장치 및 방법
JP2002270592A (ja) 基板処理装置および基板処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS KE KG KM KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NG NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SM SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LT LU LV MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 11663071

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase
WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 11663071

Country of ref document: US