1373799 • · , j----- 第094131782號專利申請案 101年4月2日修正替換頁 ^ 九、發明說明： ~ 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於用以對使用在半導體元件（device)之 製造的基板（半導體晶圓等）進行洗淨處理之基板洗淨處理 裝置及基板處理單元。 【先前技術】 在半導體元件之製造中，係經由多種處理步驟對基板 進仃各種處理。特別是，近年來因處理步驟之多樣化，載 設在使用於處理步驟之裝置的基板處理單元變多，而難以 使裝置一體化，目此大多組裝複數個基板處理單元而作成 1台的裝置（參照日本特開2003-77879號公報）。 如上所述，在組裝複數個基板處理單元構成丨台裝置 時，於震置安置之際，必須在基板處理單元間進行搬運基 板的搬運系統的定位。但上述搬運系統的定位不僅耗費時 間長，還具有成本昂貴的問題。此外，在追求高生產性的 情況下，由於需要更多的處理單元，因此還會產生不易減 少裝置之設置面積的問題。 此外’使用處理液進行斜面钱刻與洗淨的基板處理單 几’係以同m序進純刻、洗淨、以及除液、乾燥， •但是在餘刻或洗淨步驟中，處理液會附著在基板處理單元 •=的各部，而該處理液係在除液、乾燥中會形成微粒子或 :、、風而π染基板，因此如何防止所謂的二次污染乃為 要課題。 【發明内容】 317434修正本 5 1373799 • # - 苐094131782號專利申請案 本發明係鑑於者 種在裝置安置之際無需進行搬 位、^係广 詈夕机罢；社α β 尔祝 < 疋位，並可減少裝 置之叹置面積的基板洗淨處理裝置。 此外，本發明之另一目的 :防止因基板處理罩元内之附著物所造成之次 為.課題，本發明之基板洗淨處理裝置係構成 個框架中’載設有：搬運基板之基 板搬運裝置；進行基板處理之至少！個基板處理單元 aa ^ ;以及將處二液供給二基板處 2疋之處理液供給裝置；且前述基板處理單元的維修可 行’前述基板處理單元中’至少1個以上的 土反处理單疋，係可進行基板之兩面洗淨處理、基板之斜 面钱刻處理、單面之清洗處理中的至少一項處理，且可進 I:乾燥處理的基板處理單元，前述基板處理單元具備有喷 人板，用以在前述基板處理單元中經過處理後之基板表面 的乾燥操作中’朝基板外圍嗔射惰性氣體，前述嘴吹板是 由至^基板外圍侧以及比外圍側更内側的2處以上喷射惰 性氣體。 ' 根據本發明，由於在基座一體型之丨個框架中載設 有：基板搬運裝置；基板處理單元；基板裝載埠；及處理 液供給裂置’ gj此’可提供—種多程序型的基板洗淨處理 裝置，可藉由自由組合基板處理單元並載設在基座一體型 的個框木而對應至少一個程序。此外，由於係形成一體 317434修正本 6 1373799 i構以’因此不必㈣即可移送，並可支^ 之位置關係’故無需進行裝置設置時之定位設定等之作 業，而得以大幅縮短裝置之安置時間。此外，可將裝置之 設置面積限制在最小限度i外，由於基板處理單元之維 修可由裝置背面進行，因此有利於維修。 本發明之其他基板洗淨處理裝置係具備有：載置基板 收納匣之基板裝载埠，進行基板處理之基板處理單元；以 及配置在基板裝載埠與基板處理單元之間，且僅在該裝載 埠與基板處理單元之間搬運基板的基板搬運裝置，前^基 板處理單元具備有：將基板保持成水平並使其旋轉的基板 保持部；配置在保持於前述基板保持部之基板上方及下 方，對該基板供給氣體之氣體供給喷嘴；配置在保持於前 述基板保持部之基板上方及下方，對該基板供給液體之液 體供給喷嘴；以及使前述氣體供給喷嘴及前述液體供給喷 嘴由基板之中心部往周緣部移動的移動機構，前述液體供 给喷嘴係配置在基板之直徑方向之比前述氣體供給喷嘴更 外侧之位置。 根據本發明，由於基板搬運裝置係配置在基板裝載璋 與基板處理單元之間，且僅在該裝載埠與基板處理單元之 間搬運基板，因此可縮短基板之移送距離，而得以將發生 微粒子之主因控制在最小限度。 本發明之基板處理單元係在供給有清淨氣體之處理 區域中所使用者，具備有：配置在前述處理區域的處理室； 在該處理室内將基板保持成可在水平面内旋轉的基板保持 7 317434修正本 1373799 第094131782號專利申請案 101年4月2日修正替拖百 部；以及對保持在該基板保持部的基板供給處理流體之處 理流體供給手段，而且在前述處理室設置有氣流形成手 段，其係藉由自形成於前述基板保持部上方之氣體取入口 承接前述清淨氣體，再由底部側進行排氣，以形成均等包 圍保持於前述基板保持部之基板的氣流，前述氣體取入口 係沿著保持在前述基板保持部的前述基板的周緣部形成。 ^根據本發明，係藉由清淨氣體所形成的下降氣流（空 氣屏幕）’遮蔽保持在基板保持部的基板，因此可避免污染 物質由處理室内壁或處理室内之機構移動至基板。此外:、 在處理基板t，亦可防止處理液等飛散在處理室内壁與處 理室内的機構。因&，基於雙重意義，可減輕或是防止基 板的二次污染。 在本發明之一理想形態的基板洗淨處理裝置m 處理單㈣具有：將基板保持成水平並使其旋轉的基板保 持部；配置在保持於前述基板保持部之基板上方及下方， 對該基板供給氣體之氣體供給喷嘴；配置在保持於前述基 板保持σ卩之基板上方及下方，對該基板供給液體之液體供 =嘴；以及使前述氣體供給喷嘴與前述㈣供給喷嘴由 周緣部移動的移動機構；前述液體供給噴 ,、- 土反之直徑方向之比前述氣體供給噴嘴更外侧 藉此，可藉由自液體供給喷嘴將液體供 一 面利用液獏保護基板之上面及下面， 1反 乳體。因此，即使在進行表面混合有親水部分與疏水 317434修正本 8 1373799 第094m782號專利申請案 101年4月2日修正替換$ 部分之圖案基板的乾燥處理時，可於基板全面使親水部分 與疏水部分同時乾燥，並可減少水痕（water mark；^ 【實施方式】 以下，根據圖式說明本發明之實施形態。第1圖與第 2圖顯示本發明之基板洗淨處理裝置的實施形態之示意 圖’第1圖為概略斜視圖，帛2圖為概略平面圖。該1板 洗淨處理裝置係載設在基座一體型的丨個框架丨中：做為 搬運基板之基板搬運裝置之用的固定式搬運機器人2 ;進 行基板處理之基板處理單元3、3;心縣基板收納g [ 4之基板裝載埠5、5 ’·將處理液供給至基板處理單元卜3 之處理液供給裝置6。 框架1的天花板部安裝有風扇過遽單元7,且框架i 的上部載設有控制盤8。此外，基板處理單元3、3的外側 側部配置有計測部9、9與排氣管1〇、1〇。在配置有固定 式搬運機器人2之基板搬運室以基板處理單元3、3之 m尼器12、12。在基板搬運室11之外側，配 =可使卫作人貝人㈣行維修的空間13， Γ4。3、3外側亦配設有可使工作人員人内進行維修的空間 第3圖至第5圖係顯示框架1的構成圖，第3圖為平 剖面圖，第4圖係由第3圖之箭頭纟# " 圖，第5圖係由第3圖之箭頭觀察之側剖面 框架1係基座部13與框架❹形成圖。 框架，其平面與侧面為矩形狀的立方懸來肤土體型的 々餒形狀，而用以將基 317434修正本 9 1373799 * · ________ ' 第094131782號專利申請案 * 101年4月2日修正替換頁 板處理單元3、3載置於内部之框架lc係立設於基座部 。於上述構成之基座一體型框架1的基座部】a面載設搬 運機器人2,再於框架丨c之上載設基板處理單元3、3，此 外，於框架部lb外側載設基板裝裁埠5、卜基板裝載埠5、 5與基板處理單元3、3係隔著基板搬運室互相平行配 置。 如上所述，在該基板洗淨處理裝置中，進行基板處理 所需之複數台（圖中為2台）的基板處理單& 3、3可載設 於基座一體型的框架卜各基板處理單元3、3的外形尺寸 以及安裝尺寸全部統…因此，可藉由自由組合複數個基 板處理單元3，構成可對應複«程之基板洗淨處理裝 置。此外，在基板處理單元3、3的側部，配置有計測部卜 9 ° 一在該基板洗淨處理裝置令，由於基板洗淨處理裂置為 -體構造，因此’可在不分割的情況下一體移送。此外， 體構造’而得以支持基板搬運系之搬運機 盗人2的位置關係，故盔需進 …、而進仃叹置裝置時之定位設定 等，並可大幅縮短裝置之起動睥 卢神、叫間。此外，由於另載設有 處理液供給裝置6、控制盤（電源供應器）8,故得以將系 統的設置面積抑制在最小限产 * 甘上度此外，由於配設有可進入 基板搬運室11之外側及基板處 ίο ! A mτ入 处至早疋d、3之外側之空間 13、14，因此不會對基板搬 〇 ^ λ. , , 哥至11内或基板處理單元3、 3的維修U任何阻礙。特別是基板處 可在空間14,亦即可在裂置 + d 3的維修 者面實鉍。亦即，係設定各基 317434修正本 10 1373799 — ________ 板處理單元3之形狀、大小、配置， 入基板處理單元3、3的内部。 得乂由裝置背面進 在一般的維修f，進行搬運機 空間13進入而進行維修。此外，必須2之维修時，係由 空間13取^取出時，必須具有維修空間:件等時，係由 -般維修時，由於可由裝置的背面側的：;。：外’在進行 板處理單元3、3，因此可將維修空間^制在5全進入基 =’由於處理液供給裝置6的維修，二： 進入，因此在交換機器類時亦十分 t由裝置左側面 進二測部9’因此在維二二 所述’本裝置之所有部份，均可由 二卜側直接進人，故不會產生不移動部分機器即無法進 厅維修等的問題，故維修十分容易。 ’’、、 心Γ:，在該基板洗淨處理裝置中，為了將微粒子等的 最Γ度，而採用不具有移動軸之固定式搬 ^幾:人2以做為基板搬運裝置。該搬運機器人係具有乾 式紅之各自獨立動作的複數個機械手2a，且可進上 =機械手2a前後、左右、上下、旋轉的動作。藉此，即可 在基板收納E 4、4以及與基板收納g相對向的基板處理單 '3、3之間’經由與基板收㈣[4相對向之框架部u 及設於基板處理單元3、3之隔壁且可自由開關的開關器(4 個位置丄省略圖示）搬運、收受基板。此外，由於所有基 板處理單元3、3係與基板收納g 4、4相對向配置，因此 無需進行無謂的基板收受，而得以藉由固定式搬運機器人 317434修正本 id Id tyy id Id tyy 第094131782號專利申請案 101年4月2曰修正替換頁 .2進1所需最低限度的動作，而實現基板思。 之空氣流通（氣流發明之基板洗淨處理裝置内 係設置於淨化二該基板洗淨處理裳置通常 慮單元7去除微粒子等而導入裝置内。在裝mt 由第6圖之箭以所示之裝載側區域流入箭頭b所；:;· 理側區域。如第7圖所示，通過單處 部份係做為下降氣流A01 工虱， ^ ^ A09 ^ 暴板搬運至Η内下降，而其他 玉乳Α02則被導向基板處理單元3之上部，:他 降氣流Α03而由基板處理單 ^刀 下 單元3内。另冰—早疋3的天化板下降至基板處理 另外，在風扇單元7 濾器17。此外，計測邱q又置化予過 之裝置外側的側部"係配置在兩基板處理單元3、3 如第6圖所示基板搬運室“ 友, 流Α09而經由設在美板搬 77工乳，係做為氣 — 基板搬運室1Ϊ與基板處理單元3之門日 夕I在給量的阻尼器12導入基板處理單元3二此 =液 16,如第7圖所示，基板搬 種閥門的閥門箱 流綱流入該閥Η箱，:氣係做為氣 計測部9、處理液供給裝置6 土板處理早疋3、 圍，以分別調節為預定的屋力。…糸利用外壁隔開周 此外’在基板處理單元 淨液而使空氣受到上述水 污處理液或洗 寸幻/5·木基板處理單元3内 317434修正本 I373V99 第094131782號專利申請索 101年4月2日修正替換頁 的介、 年4月2日修正替換 ，* 成棑氣A05而由該底部通過專用排氣管1〇排 二九此外，同樣地閥門箱16内的空氣亦可能受到水氣等的 π $而形成排氣A〇6並通過排氣管1〇排氣。此外，基板搬 阻11的°卩伤空氣係如第7圖所示，亦做為排氣A〇7通過 =尼器15排出於裝置外。此外，基板搬運室u的部份空 ，係做為氣流A08通過閥門箱16下方，由排氣管排出。空 二β先將酿度/溼度調節為預定值，或取代空氣而供給惰 =體（.例如⑴氣體）。藉此，可防止在處理基板之處理 中或搬運中產生變質。 第δ圖顯禾本發明之基板洗淨處理裝置内的麗力 外的I力之示意圖。將裝置外的氣壓（大氣壓）設定為 將基板搬運室U内的氣壓設定為ΡΑ，將基板處理單 ==壓設定㈣時，可調整各氣壓，使之維持ΡΑ 、關係。藉此，可維持基板搬運室 氣體的清淨（防止裝置外 卜工漏），而得以利用搬運機 。人2的機械手2a，在潔淨的狀態下一 3内完成處理的基板收納於基板㈣g4内广〇 Μ 6依昭本^ f理m絲處縣供給震置 依…各基板處理早兀3配置複數個供給槽。供 理液的供給係全部採取葬άu产 、口槽之處 f王口Μ木取糟由惰性氣體（例如 屋送的方式。因此不同於I等的供給，不僅在 產生脈動，會有產 、不胃 ^ ^ ^ -Γ ^ ^ ⑦卞寻的問喊，而得以在稃 疋之清况U供處理液。可㈣對複數台（ 穩 的基板處理單元3、3供給2種以上的處理液。為2。） 317434修正本 13 1373799
第094131782號專利申諳案 101年4月2日修正替捣百 ,,知上 __平4月2日修正替換百 ’各地理液具備有複數個供給槽，上述複數個供 給槽可交互提供供給液。第9圖顯示用以將某種處理液提 供給1台基板纽裝置之處理液供給裝置㈣統實施形 態。如圖所示’某1種處理液係具備複數個（在圖中為2 個^供給槽2卜22,各供給槽2卜22係連接有：用以供 給處理液之處㈣體供給閥f1VhV4;用以提供惰性氣體 之惰性氣體供給閥門V 2、v 5 ;以及除壓閥門v 3、v 6。 此外，閥門V7、V8係分別連接於供給槽21 ' 22，藉 由切換上述閥門V7、V8，可交替地由供給槽21或供給槽 22將處理液提供給至基板處理單元3。基域理單元^ 備有·閥H V9及用以喷射處理液之處理液噴射喷嘴, 將由閥H V9供給之處理液喷射於處理基板w。闕門νι 至V9係配置在上述閥門箱16(參照第7圖）。此外，在供 ’’口槽21 5又有上限感測器S1與下限感測器s2，而在供給槽 22亦配設有上限感測器S3與下限感測器以。處理液供給 、置6係/、備有.檢測由供給槽21所吐出之處理液壓的壓 〃感、、i器P1 ,以及檢測由供給槽22所吐出之處理液壓的 壓力感測器P2。 友此外供給槽21、22之處理液的供給，係以經由惰 性氣體供給閥門V2、V5所供給之惰性氣體壓力做為動力來 ^仃/供給槽2卜22之處理液的壓力係以壓力感測器ρι、 2進仃監視’當壓力高於所需壓力時即開啟除壓闕門μ、 6 ’以去除供給槽21、22内的氣體。 第10圖以及第11圖顯示處理液供給裝置之處理液的 317434修正本 14 13/3V99 第094131782號專利申請案 I 101年4月2日修正替揸！: 〜给流程圖。首先在第1〇圖的步驟ST1巾，判斷供給槽 21的下限感測器S2是否為〇N，為〇N (處理液位準低於下 限仇準）時’捿著判斷供給槽22的下限感測器是否為 N (步驟ST2)不論是N〇或YEs時均移行至第u圖的 v驟S21。此外’在步驟sn中為yes時判斷供給槽以 的下限感心S4是否為⑽（步驟ST3 )，為⑽時移行至第 11圖的步S24，為vpq卩古^丨 马YES時則移行至第η圖的步驟S27。 在第11圖的步驟ST21中關閉除壓間V3，接著在對供 -槽21供給處理液L的同時，開啟惰性氣體供給闊門π 以供給惰性氣體，另外再打開閥門V7、閥門V9而將處理 1供給至基板處。理單元3 (步驟訂22)。接著判斷供給槽 的下限感測裔S2是否為0N (步驟ST23)，為γΕ ， 即關閉除壓間V6並停止供給槽22的除壓（步驟sm)。 ===氣體供給閥㈣、閥門V8供給供給槽 處理液L (步驟ST25)。 接著關閉惰性氣體供給闊門V2、間門^ 之處理^的供給(步驟卿接著二 =:=給槽21_(步驟叫接著打 sm)接二對供給槽21補給處理液L (步驟 )。接者判斷供給槽21的上限感 驟_)，為YES時 疋否為ON(步 供給…給處理液(=Γ閥門V1而停止對 驟二t 給槽22的下限感測器S4是否為⑽(步 r 時則靜待其轉變為⑽，為YES時，則移行 317434修正本 15 1373799 至上述步驟ST21。 第094131782號專利申請案 101年4月2日修正替換百 士在上述步驟ST23中，供給槽21的下限感測器S2非 ⑽犄，接著判斷供給槽22的下限感測器S4是否為on(步 驟ST32 ) ’為N0時即返回上述步驟ST23，為YES時即打開 闊門V6進行供給槽22的除壓。接著打開處理液供給闊門 V4，對供給槽22補給處理液（步驟ST34)。接著判斷供給 槽22的上限感測器S3是否為0N(步驟ST35)，為N0時靜 待其轉憂為0N ’為yes時，則關閉處理液供給閥門V4而 停止對供給槽22補給處理液，並移行至上述步驟ST23。 如上所述，在每一種供給的處理液均配設複數個（在 圖中為2個）槽，利用供給槽2卜22的任—個，例如利用 供給槽21將處理液提供給至基板處理單元3,當供給槽21 内的處理液使用完畢後，可利用閥門之切換使其切換：供 給槽22。在由經切換之供給槽22供給處理液的期間，對 供給槽2丨補給處理液^上所述，藉由使用2個供給槽交 替提供處理液，即可持續進行處理液的供給。此外，由於 係交替使用2個供給槽2卜22，因此可避免製程中斷，並 可將供給槽2卜22的容量抑制在最小限度。因此可將處理 液供給裝置做餘$㈣’ g卩使載設於裝^，村將對裳 置機體（foot print)的影響抑制在最小限度。 乂 載設於該基板洗淨處理裝置之複數個基板處理單元3 内，最好具備有··至少i個以上，且最好所有基板處理單 疋均可以單體完成製程處理之基板處理單元，亦即最好呈 備有液處理後的乾燥功能。例如，使用以噴霧惰性氣體（例 317434修正本 16 1373799 第094131782號專利申請案 101年4月2日修正替換頁 ,M 产儿、 干4月2日修正替換頁 如N2氣體）在基板的表背面的喷嘴獨立於上下方，且配置 複數個，並在完成兩面洗淨、斜面飯刻處理、背面清洗處 f等液處理後之基板的兩面㈣惰性氣體並使基板乾燥。 藉此即可使用僅能對應乾式規格，而無需對應濕式之低 成本的基板搬送裝置來做為基板搬送裝置。例如可利用具 備有複數之乾式機械手的固定式機器人對應。 第12圖顯示基板處理單元3]之實施形態的剖視 圖。基板處理單元3 — 1係具備處理室31。處理室31之構 成包含U筒形之處理室主體32以及覆蓋於其上端 理室蓋罩33。圓筒形的處理室主體32係立設 :34所閉塞。處理室蓋罩”係形成倒扣碗 狀以覆盍㈣形處理室主體32的上端。處理室 的上端部係與處理室蓋罩33 密封處理室31_部。 卜圍h接’而可阻隔外氣 部微朝水平面傾斜，在該傾斜面最低部之底 ，、处王至主體32的連接部中，處理 _ 有兼用以排氣與排水之排。體32係連接 直方室蓋罩33的令心部形成有開口，並設有朝垂 :向貝穿該開口的上部轴35，上部軸 a板狀的凸緣部35a。處理室蓋 /、上糕八有 係以風箱狀（蛇腹狀）的可撓性接頭^封、凸緣部35a， 在上縣35的接f36㈣連接。此外， 係將氮乳等用以清淨 之作用 基板表面。導營的超純水提供給 導吕37的則端部係形 317434修正本 17 1373799 I ^ 094131782 $專利申請素 處理玄鞏罢。o 日修正替換頁' 連接、皿 與上部軸35 ’係以未圖示之連結構件 u可調整兩者在垂直方向的相對位置之方式構 成。。為調整相對位置，該連結構件係具備：對處理室蓋罩 33驅動上部麵《^的，固一 + 驅動裝置。如前所述，因配 j可繞性接㈣之故’而得以對應於處理室蓋罩㈣ 上。卩轴35的相對位置關係。 。，卜在處理至上部軸35的下端，係朝水平面安裝 :圓：平板之上部碟片38。上部碟片38的下面係構 圓=理對象之基板W的表面平行相對向之方式。儘量縮 上㈣片38之下面與基板W表面間的空隙。例如，可在 U至2Gmm的範圍内適度調整。該空隙最好設定在〇.8至 1〇mm，右，而以设定在1至4mm左右最理想，藉此可使經 由導官37供給之氮氣或超純水均句流人基板％的表面上。 ^調整該空隙’即可達到以較少量之流體處理或保護基 W的目的。該空隙調整係可藉由調整上部軸35與處理室 蓋罩3 3間的相對位置來進行。 在底部34形成有未圖示的6個開口，且立設有貫穿 該開口且抵接基板W的周緣部而以水平方式保持基板⑺的 6個滾輪39a至39f。6個滾輪咖至_係分別藉由自轉 使基板W旋轉。可一面伴拄7|^_^_ _ , Α 将 保符水平一面以低速進行均一的旋 轉’最大旋轉速度為30〇min-丨。 在底部34立設有處理室下部軸4〇，使之位於由滚輪 39a至39f所保持之基板W的背面侧。處理室下部轴4〇的 中心係形成為貫穿導管41而形成的喷嘴41a。 317434修正本 18 第094131782號專利申請案 101年4月2日修正替換茛 II M , ,π 丨〇1年4月2日修正替換 此外’在處理室下部轴4〇的上端，圓 =片42係以與基板W之背面平行相對向的方式 所保持之基板"背面側。下部碟片42與基板 間的Γ，係與上部碟片38與基板w間的關係同 t，儘可*b愈窄愈好，例如，可在〇 · 5至2 0随的範圍内 =整。該空隙最好設定在…随的程度，而使經由 \官41所供給之氮氣或超純水均勾地流入基板W之背面與 下碟片4 2間的空隙。& 致 /、 體來處理或保護基板周整該空隙即可以較少量之流
之：ί =成之基板處理單元3-1中，用以儀刻基板W :緣斜：部㈣刻部構成.，係使用第ΐ3Α圖至請 圖進仃况明。第13Α圖顯示以滾輪 的側視圖，第⑽圖為_部的平面圖。 -面：！部45係如第⑽圖所示，隔著空隙而由表面與 :構件^_^板说之周緣部的方式來形成，係呈〕字形狀 …走二Γ"5的上部懸臂樑部45a中，係沿著基板 =轉：向由下游侧起依序連接：用以乾燥基板 乳等的氣體導入管46a .、'杏淫· I & w 丄 入管46b . Μ田’心基板说之沖洗用的超純水導 液體的乂？ 刻形成於斜面部之金屬薄膜的第1 履體的虱鼠酸等的筚液遙其 懸臂樑部45a，= 形成分別貫穿上部 構造。 字虱氧、超純水、藥液提供給斜面部的 藥液導入營46c所提供之藥液，係做為敍刻液之鑛酸 317434修正本 19 1373799 第094131782號專利申請案 | 101年4月2曰修正替換^ 或有機酸及/或氧化劑。鑛酸有：氫氟酸（HF)、鹽酸（)、 硝酸（HNO3)、硫酸（H2S〇4)等，前述藥液至少包含上述其 令種鑛I。有機酸為醋酸、犧酸（formic acid)、草酸等， 前述藥液至少包含上述其令一種有機酸。氧化劑為過氧化 氫（Ηζ〇2)水、或臭氧（& )水等，至少包含上述其中一 種。 在藥液導入管46c的上游側並聯配置有：用以提供酸 的開關閥的圓筒形線圈（s〇len〇id)閥門SV1與提供氧化劑 的開關閥的圓筒形線圈閥門SV2。通過圓筒形線圈閥門svi 之酸的導管與通過圓筒形線圈閥門SV2之氧化劑的導管， 於藥液導入管46c合流。此外，圓筒形線圈閥門sn與圓 筒形線圈閥門SV2係利用控制器50控制開關。 控制器50係控制圓筒形線圈閥門SV1與圓筒形線圈 閥門SV2的開關時間與開關順序。根據金屬薄膜的種類， 適度選擇酸的種類與濃度，供給至蝕刻部45的酸與氧化劑 的順序及其各別提供時間，係由控制器5〇來設定，可以任 意條件交替提供酸與氧化劑。控制器5〇亦可選擇在同時混 合酸與氧化劑的狀態下進行供給。此外，若取代僅能^ 全開或全關之圓筒形線圈閥門而採用調節閥時，即可調^ 睃與氧化劑的流量，並將混合比例設定為任意值。。 由超純水導入管46b所供給之物質為洗淨用的超純 水。由氣體導入管所供給之物質為乾燥用的惰性氣體 氣體或Ar氣體）。此外，在蝕刻部45之下部懸臂樑部μ。，2 係連接有由3字狀之内侧貫穿下部懸臂樑部45c，而將藥 3Π434修正本 20 1373799 第094131782號專利申請案 ^ 101年4月2日修正替換頁 液以及超純水的廢液排出於處理室31之外的排水管 此外在仙部45之〕字狀的外舰有氣璧缸48，係形成 可經由轴使m彳部45朝著近接基板w的方向，或遠離基板 W的方向（圖中箭頭A所示之方向）驅動的構造。藉由上 述方式’可使㈣部45形成為在搬進搬出基板#時可進行 待避的構造。 在基板W之斜面部的姓刻處理後，透過導管37以及 導管41供給洗淨用的超純水，而由喷嘴…以及喷嘴… 對基板W的表背面進行噴射而清洗。洗淨後再將乾燥用的 惰性氣體提供給導管37、導管41，而由嗔嘴.以及喷嘴 41 a對基板w表背面進行噴射而使之乾燥。 第圖以及第14B圖係進行基板w之斜面餘刻處理 之其他基板處理單元3一2的實施形態之示意圖。如第“A 圖所示，f進行基板W之斜面部㈣刻處理中，係藉由與 基板處理單兀3-1的滾輪39a至39f相同的滾輪63，使基 板w產生旋轉，俾使上部碟片6〇下降至基板w之上的數土 ππη的位置為止’由上部碟片6〇的中央部咖嘴射惰性氣 體（N2氣體等）61使其喷向基板w.的外圍部， 刻喷㈣噴射之處職或喊理㈣蒸氣繞回基板 心。在蝕刻處理後將純水由沖洗噴嘴59提供給旋轉之基板 W的邊緣部（在比處理液供給位置更⑽的位置提供純 水\以進行沖洗。此外，在進行乾燥時，如第m圖所示， 由配设在上部碟片60外圍部的2個部位的喷嘴以、防及 /或上部碟片6〇的令央部6〇a對旋轉之基板w喷射惰性氣 317434修正本 21 1373799 體 61、61 〇 喷射喷嘴64係朝位於上部碟片6〇之外侧之基板评的 表面喷射惰性I體6卜噴射喷嘴65則由更_朝外 射惰性氣體6b接著在基板開始乾燥時係由喷射喷嘴託 自内侧噴射惰性氣體61，接著由喷射喷嘴64朝外側 氣體。藉此可確實去除殘留於基板⑺表面之液體並使 八乾無。此外，餘刻部具備有：由基板w之周邊部上 ^^之斜面柚吸噴嘴62 :以及剖面為〕字狀而由基板W 之周緣賴方進行抽吸之抽吸嘴嘴66，斜面抽吸 =抽吸喷嘴66係在乾燥時抽吸包含流人斜之 =液狀喷霧等的氣體69。此外，對於基板心， 係由噴射喷嘴67噴射惰性氣體61。 板w的中心部，如箭頭為所一 、考係由基 ⑽，·及包含流入滾輪 2氣體69，藉此同樣可乾燥難的表面。此外二 射喷嘴64、65的組合亦可以等間隔在上部碟片： 配置複數組。此外’噴射噴嘴64、 ：、。圍 的相異位置，但亦可配:,、-置於相同半徑上 置。 才了配置在不同半徑上之相異的半徑位 餘刻噴嘴58或沖洗哈峻ςο + &， 吸噴嘴62隔開，但亦可相 4Α圖中係與斜面抽 處理液或由沖洗喷嘴59提供純水的2鞋刻噴嘴58提供 噴嘴62抽吸各液體。在此鄭主5才’可利用斜面抽吸 在彼此鄰接時，當斜面插吸喷嘴62 22 317434修正本 1^/3799 第094131782號專利申請案 101年4月2曰修正替換頁 面向基板W之旋轉方向而位於噴嘴58 59之更前方的位置 時係在液供給後立即進行抽吸，而當斜面抽吸噴嘴62 位於喷嘴58、59之後方位置時則在大致基板W旋轉一周 後進行抽吸。如上所述藉由變更蝕刻噴嘴58或沖洗噴嘴 59與斜面抽吸喷嘴62的位置，即可調節與液體的反應時 間，並控制使用液量或蝕刻、沖洗的均一性。亦可配置分 別將蝕刻喷嘴58、沖洗喷嘴59、斜面抽吸喷嘴”配置在 預定位置的移動手段。此外，在進行斜面處理時，可同時 進行背面處理（洗淨）。 a第15圖顯示進行基板？之兩面洗淨處理後進行基板w 之乾燥之基板處理單元3-3的實施形態之示意圖。如圖所 不，在基板W的表背面配設噴射惰性氣體61、61的氣體喷 嘴m，與使基板處理單元w之基板以轉的滚 a至39f相同地’對著藉由均等配置於基板周圍之& /袞輪63進行凝轉之基板w的表背面喷射惰性氣體^、 卜此外’氣體喷射喷嘴7卜72如箭頭A、B所示，係由 的中心部朝外圍部移動。藉此，基板w的乾燥區域 曰由中心部朝外圍部逐漸擴展而乾燥。 離噴=的進：乾燥時，包含流入斜面部之惰性氣體或液 ^噴霧#的氣體69係藉由抽吸喷嘴66所抽吸。而 二之惰性氣體或液態喷霧等的氣體69亦‘： 、先淨利㈣基㈣理單元3_3進行兩面 洗淨處理^係使PVA(pQly_vinyl aieQhQi，聚乙 海綿等未圖示的洗淨構件接觸旋轉之基板W的兩面，並以 23 317434修正本 1373799 • · — * 第094131782號專利申請案 • |丨〇丨年4月2日修正替換頁 未圖示之供給喷嘴供給洗淨液進行刷洗或在蝕刻兩面之後 進行沖洗。此外，亦可僅對單面（表面或背面）進行刷洗 或姓刻/沖洗。 此外’參照第16圖至第28B圖，說明進行基板w之 斜面蝕刻處理之其他基板處理單元3_4的構成。處理室73 之橫斷面呈大略正方形的盒體狀，天花板73a (蓋子）為 可開關，在關閉天花板73a的狀態下，液體不會由側壁部 飛散至外部。在天花板73a，如第17圖所示，設有同心的 2個圓弧狀開口（线取入口）74，另—方面，在底部⑽ 中2個排氣口 79係隔著中心相對向配設，排氣口係連通排 氣管1〇。如帛18圖所示’底部73b係呈傾斜狀，而在較 低側形成有排水口 75。 至73内’没有使基板w保持在可旋轉狀態的 76。基板保持部76具備有：使基板保持水平 個滾輪77。如第18圖所示，在滾輪”的 開口部的周圍之間，設有蛇腹狀的 空1構件？8,用以遮斷處理室73内與處理室73下方部的 上述滾輪77的移動方向，係 方向的導執別所限制。亦即，=^伸於基板^之半徑 成為各滾輪77係沿著基板w之丰f 19圖之箭頭所示，構 移動。在滾輪77連結有分別做t方向朝基板W的中心C 藉由上述氣壓缸81使各個滚輪= 動機構的氣壓缸8卜 移動，而抵接或離開基板w /Q者基板W之半徑方向 。。該等滾輪77係以等間 317434修正本 24 1373799 5置在基板w的財向。滾輪77料結^^^^ (未圖示），葬由黾；查sr 士 ^之馬達 一方心馬達的驅動，可使各個滾輪7?同步朝同 勒的!ϋ第19圖以及第20圖所示’設置使滾輪77停止移 動的制動器（stopper)81a，該滾輪俜桩錨” 士 , 固域。此外，在第20圖中僅顯示！ 抵接2 Mr滾輪77係由氣㈣81承受第1推麗力到 ，接制動H81a為止’朝著基^的中心c移動，而固定 在由制動器仏所預先決定之預定位置。另一方面，位於 基板W之另-侧的滚輪77，係由氣壓缸8ι承受小於第/ 第2推壓力’該滚輪之移㈣在不受限制下朝基 板W的中心c移動。 第21圖係顯示第20圖所示之滾輪π之主要部位的 放大剖視圖。
如第21圖所示，在滾輪77上端附近’形成有沿著各 滾輪77之外圍面延伸的溝狀的夾部犯。該夾部犯具有： 位於其中央的平坦部82a ;以及鄰接該平坦部82a之上下 的2個響曲部82b ’整體而言具有大略圓弧狀的剖面。在 上述構成中，當滾輪77朝基板w移動時，平坦部82a會抵 接基板w的端部，俾使夾部82得以收容滾輪由基板w ^端 部朝内圍側移動〇. lmm至數mm左右的部分。此外，該等滾 輪77係具有相同的形狀與相同尺寸。此外，滾輪77的材 料，最好使用具有耐藥性之氟系樹脂，例如pvDF (polyvinylidene difluoride，氟化氟亞乙烯）、pEEK 317434修正本 25 1373799 第094131782號專利申請案 101年4月2日修正替換頁 (polyetheretherketone;聚芳醚酮）等，或聚胺醋 (polyurethane)等。 夾部82的寬度（上下方向的長度）E，係在基板评的 厚度T的2倍以下。具體而言，當基板w的直徑為2Q〇mm， 厚度為0. 75mm時，夾部82的寬度e係設定在1. 5mm以下。 平坦部82a的寬度（上下方向的長度）F，為基板评之厚度 τ的一半以下。藉由上述構成，由夾部82保持之基板w係 可利用彎曲部82b而限制於平坦部82a的位置。因此，可 一面將基板W保持在大致一定的姿勢，一面轉動基板w。 此外，基板保持部76係具備：用以調整各滾輪77之 咼度的尚度调整機構（未圖示）；以及調整各滾輪了了之斜 率的斜率調整機構（未圖示），藉由上述之高度調整機構以 及斜率調整機構，所有滾輪77的夾部82可在彼此平行的 狀態下位於同一水平面上。 如第22A圖所示，在滾輪77配設有覆蓋整個滚輪77 的滾輪蓋罩83。滾輪蓋罩83為符合滚輪77形狀之筒狀， 其頂部係以天花板83a所覆蓋，而下端側係朝處理室73 内形成開口，係以直接或間接方式安裝在保持滾輪77之轴 的基座部。在滾輪蓋罩83的頂部附近的側面，如第22厂 圖所不’在與滾輪77之夾部们相對向的部位，形成有用 以插入基板W之緣部的開口部83b。開口部83b的縱橫尺 寸係如第22B圖以及第22c 圖所示，形成在保持基板W之 際，可不受滾輪77干择的$ , ^ , 丁復的取小限度的大小。由於滾輪蓋罩 8 3内的空間係在下方形杰pq 〆成開口 ’因此氣流會因來自排氣口 317434修正本 26 Μ的排氣朝下方形成，而由開 則合Pa .田间口邛8北進入之液滴或霧氣 板;3'二^排出至下方。該滾輪蓋罩83因配設有天花 77，：&可防止由基板Wjl飛散之處理液等附著於滾輪 室731^止^衰輪77本身形成污染源。此外，亦可藉由處理 3之_σ79之㈣料㈣徑在滾輪蓋罩 空間中進行排氣。 1的 在處理室73設有對滾輪77所保持之基板^射各種 的Ϊ理液供給讀84。上述喷嘴係根據所進行之處 、二：置，而得以將適當的處理液喷射在基板W的 適^位，為了變更喷射位置，以及’在不使用 ，基板评分開的位置，上述嗜嘴係形成可移動之構、 I在該例中，為進行基板w(半導體晶圓）的斜面钱刻， 。=用噴=刻:或洗淨用之純水的處理液供給喷 如垂下之L字狀的管所構成， 並糟由使八㈣，而如第18圖與第23圖之對比—般，可 變更水平管前端之喷嘴的方向。此外，在基板㈣下面側 亦設有用以提供洗淨用之純水的處理液供給喷嘴84(省略 圖示）。 “此外，為去除殘留於基板處理液，防止處理液附 著於5板W之不需要部位’如第24A圖至第24c圖所示， 係對著基板W之適當部位配置用以喷射惰性氣體㈤等 的氣體嗔射喷嘴72。上述噴嘴係為了將氣體噴射在基板W 面的不同部位，並在不使料進行待避，同樣形成可移動 之構造。在料氣时射料72中，設有不使㈣用以防 317434修正本 27 ip /02讯今冴IJ甲S耳示 田Κ/·+装5¾ jlr ^ 101年4月2日修正替換頁 85 :嘴LT液而產生之污染或阻塞^^ 置二立I /蓋罩狀，在本例中’噴嘴蓋罩係經常配 嘴72上胃、/在相位置中使用升降機構使氣體喷射喷 汁，亚將噴嘴前端插入罩内。t 可移動並進行升降的开Η… f嘴盍罩85可形成 嘖嘴罢n 式喷嘴一體移動的形式。 向Γ夕f，i 成配合各個氣體嘴射喷嘴72的喷射方 體，以防1^財射噴嘴72最好在軸t亦能1^射少量氣 體以防止處理液的附著。Λ太办丨士 " Μφο^79 y 在本例中係用於下側的氣體喷 腎但亦適用於配置在上側的氣體嘴射噴嘴71。 液亦士處？至73中，進行基板？之處理時用以控制處理 ，或務^動的噴吹構件86係安纽置於處理室Μ的天 二二。如第18圖所示，喷吹構件％係具備·固定於 天化板73a的頭部86a;固定於頭邱_ 固定喷吹構件m以;面的圓板狀的 下移動方式設置在外側的 動喷队板86c。可動噴吹板86c係經由升降機㈣安裝 ==板73a。升降機構δ7具有··立設於天花板咖上面 的^體壓汽缸87a;安裝於流體壓汽缸…上端的三角米 狀的保持板87b ;以及連結該保持板㈣之緣部與可動喷 吹板86c的棒狀連結構件87c。如第23圖所示可動喷吹 =6c係藉由流體壓汽紅…的作動上升而使基板w的周 ，部露出。此外，在下降位置與固定喷吹板嶋形成一體。 j可動喷吹板，與固定噴吹板86b接觸的面之間配置有 达、封構件88，以避免氣體由該縫隙漏出。 在可動喷吹板86c的緣部’形成略大於基板w外徑的 317434修正本 28 丄W99 突壁89,使之得以yL ~ 使之仟以在召有些微空隙的狀態下覆蓋基板W的 上面與側面。固定喷吹板編與可動喷吹板86c，為 =輪77等其他構件產生干擾’而採取在該部分形成凹所 、措在固疋嘴吹板86b設有可對著與基板W面之間 的縫隙供給氣體的2個氣體流路術、9Qb。第i氣體流路 、a係沿者中心軸上下延伸，在基板W之上面的中央部形 成開口而作為朝基板W面擴徑的空間，而由基板W内侧朝 周緣部提供氣體。第2氣體流路90b係在基板w的周緣部， 亦即，由基板IV的外端在預定寬度的環狀部分形成開口。 §亥流，主要係將氣體提供至基板W的周緣部。經由突出於 處理室73上面側之接頭，將流體提供給至上述氣體 90a、90b。 在處理室73中’如第25A圖以及第25B圖所示，設 有對向於内壁部73e形成開口之内壁洗淨噴嘴9卜在本例 中’内壁洗淨喷嘴91係互相以等間隔朝斜向下側形成開口 的方式設^在沿著處理室73之内壁部…所設置的配管 92。該配管92係經由利用控制系統控制開關的開關閥⑽ 連接在洗淨㈣供水线，並根據預定之時序開啟開關闊 93，以進仃内壁部73c的自動洗淨（se][f c—)。 通常，如第25A圖所示，自動清洗係在基板w未置於 處理室73内的狀態時’亦即’為了進行基板w搬送等之待 ^時，以/片或數片實施。當然，亦可藉由降低洗淨液之 嗔射壓力等而在處理中進行。内壁洗淨喷嘴91的高度位置 係可適度選擇’但最好以處理液之附著可能性較高的位 317434修正本 29 1373799 置，亦即，最好以基板W之處理 下的範圍作為對象。 第094131782號專利申請案 101年4月2日修正替換頁 尚度附近及該處理高度以 以下4明在上述構成之基板處理單元3一4中，餘刻基 板W之周緣部之斜面部的步驟。在開啟天花板心的狀態 下’利用搬运機器人2搬入基板w。接著，在滾輪π待避 的狀態下使基板w維持在夾部82的高度，並使滾輪77朝 内侧移動以保持基板W。之後’在關閉天花板7 3 a後，如 弟18圖所示/形成噴吹構件86覆蓋基板W的狀態。 在該狀L下，通過風扇過遽單元7的部分空氣係如第 7圖所示’導入基板處理單元3_4的上部，並由在天花板 73a形成開口的2個圓弧狀的空氣取入口 74流入處理室73 内。如第26圖所示’流入之空氣會下降而包圍喷吹構件 86與基板W，再由下方的排氣口 79排出。 如上所述，空氣取入口 74係在基板界上方沿著周緣 部形成，因此，處理室73内的氣流係以由上往下包圍基板 w之方式形成。因此，會形成包圍基板w的空氣屏幕Αι〇， 可防止處理室73之天花板73a及内壁，或其他部分之微粒 子等所造成的污染。在本例中，係由噴吹構件86的氣體流 路90a、90b提供清淨的氣體，藉此，同樣可保護基板w。 在沒有喷吹構件86時，氣流係直接保護基板w面。 接著，如第23圖所示，使可動喷吹板86c上昇，以 露出基板W的周緣部。為使處理液平均分散，一面驅動、穿 輪77而以低速旋轉基板W，一面使處理液供給喷嘴84朝 該部位進行喷射。此時，將惰性氣體（氣體等）提供终 317434修正本 30 丄373799 弟乳體〜路90a，使之得以在基板w的 流向外圍部的氣流。藉此，可避免由處理液供給嘴嘴8: 斤噴出之處理液或其蒸氣等進入基板W的内側部分，以保 ，該部分。在結束蝕刻處理後，利用處理液供給噴嘴84 提供純水等洗淨液，以去除似彳液。㈣，同樣將惰性氣 體（…氣體等）提供給第i氣體流路9〇&，以防止液體進 入内側部分。錢射或洗淨巾，亦對基板w的背面側供 給洗淨液，以進行背面側的淨化。 ’、 接著，由基板W面去除洗淨液，再進行使其乾燥之步 驟。1·先，停止洗淨液之供給，維持基板w的旋轉速度或 使其上昇，並利用離心力使液體飛散。除了第i氣體流路 90a之外，亦對第2氣體流路g〇b供給惰性氣體。第1氣 體流路90a之氣體噴射，係用以防止液體進入内側部分， 而第2氣體流路90b之氣體喷射，係用以吹散殘 部的液體。減少殘留在基板w上之液體後，使可動喷吹板 86c下降，以覆蓋基板w的周緣部。藉此，可沿著基板w 的周緣部的面形成惰性氣體之高速流動，以迅速去除液 體，亦即迅速進行乾燥。在該乾燥步驟令，使基板w的旋 轉數降低，或使其停止。 在洗淨液的去除及乾燥步驟中，如第24A圖所示，基 板W背面侧的氣體喷射喷嘴72也提供氣體，進行除液、乾 燥。在結束乾燥後，如第24B圖所示，氣體喷射喷嘴 會在喷射微量的氣體的同時移動至待避位置，並如第24C 圖所示，氣體喷射喷嘴會上昇而以前端收納於噴嘴蓋罩85 317434修正本 31 Ϊ373799 • 第094131782號專利申請案 . 101年4月2日修正替換頁 中的狀態進行待機。 完成處理之基板W ’係在天花板73a開啟的狀態下， 利用搬送機器人搬出，再搬入新的基板w，以進行下一個 處理。其間’係利用第25A圖以及第25B圖所示之内壁洗 /T喷嘴9卜以適當之時序進行内壁部73c的自動洗淨 cleaning ) ° 、在上述步驟中，係以相同裝置進行蝕刻、洗淨、以及 除液/乾燥，因此，在蝕刻或洗淨步驟中受到污染之裝置的 各^會使除液/乾燥中或之後的基板W再次受到污染，而 使所謂的二次冷染防止成為重要的課題。在實施形態的裝 置中:即為了防止二次污染，而設置上述之複數手段。 第卜利用與基板W呈對稱設置之空氣取人 均等地包圍基μ，藉此，可： 嘴，飛散至周邊的構基板w或喷 ，此外，在除液 :或減輕該部分的 ==與基板⑽的污染。因此，基於雙重:義 J丨方止或減輕二次污染。 双 此外，若空氣取入口 74 # :進行調整即愈顯便利。雖然亦可交換天::狀73 了 二 ==74’卻會耗費相當的時間。第二I,: 板^上面’將具有符亦即’在天花 满整構件94，安裝成部分覆蓋各空氣取入狀的的^部的 317434修正本 32 第094131782號專利申請素 101年4月2日修正替換頁 斤工卞广士~ 7*7 - , 1〇1年4月2曰修正替換頁 在大化扳73a與調整構件94-— 95b組合而成的位置調整 凸。P 95a與長孔 .在维持與基板之對;構二:=置調整機構 與螺帽螺合，以固定㈣形成螺絲，並藉由使之 他形狀之緣部的調整構;! 74的形狀。肖正構件94進仃父換，來變更空氣取入口 π，以心;袞輪蓋罩83，覆蓋直接接觸基板W的滚輪 對滚輪77的附著，並防止或減輕經由滾 板73二—次巧染。尤以覆蓋滾輪77之頂部的天花 板73a的覆蓋作用最為有效。 =外’滚輪蓋罩83本身雖未與基㈣接觸，但可能 ς—之過度附著而形成污染源。第m圖以及第· 在滚輪77之待避位置洗淨滾輪蓋罩83的蓋罩 圖幾構96。在該實施形態t，係由第挪圖以及第挪 :罝：广内壁洗肀喷嘴91的配管92將配管96a導入滾輪 96h伯的開卩部咖上方並於該處形成蓋罩洗淨喷嘴 it二的時序基本上可與内⑽…動清洗相同， 例如:疋於此。此外’蓋罩洗淨機構96亦未限定於此， 清洗液的^輪蓋罩83本身設置由開口部伽内側喷射 位於物藉由喷嘴蓋罩85 ’防止或減輕氣體噴射喷嘴72 射喷嘴7?位置時的污染。因此，可避免由受污染之氣體脅 育出噴射用#的氣體的情形，而防止或減輕二次 317434修正本 33 1373799 第094131782號專利申請案 ⑻年4月2日修正替換頁 » 污染。 第4’由於係利用内壁洗淨喷嘴91進行内壁部7允的 自動清洗，因此可防止或減輕因附著於内壁部7允之處理 液等所產生的微粒子再度附著於基板丨y的路徑之二次污 染。 此外，亦可係用在配置上述4個手段的同時，配置下 述說明之在基板保持部抽吸處理流體之保持部抽吸部的方 法。藉此可減輕處理液附著於基板保持部的程度，並防止 或減輕因附著所產生之微粒子再次附著於基板w的情形。 第29圖係以模式顯示本發明之其他實施形態之基板 處理單元3-5的斜視圖。如第29圖所示，基板處理單元 3-5係具備複數的（在本實施形態中為4個）基板保持部 ⑴’而各個基板保持部⑴❹備有繞其心旋轉的滾輪 120。在基板w的上方配置有斜面抽吸喷嘴（周緣部抽吸部） 116。該斜面抽吸喷嘴116係接近基板界的周緣部，以便由 .基板W的周緣部抽吸液體。 …第謝圖以及第30B圖係顯示基板保持部ιη的實施 形態之示意圖。保持基板之基板保持部（旋轉保持部 係具備分別具有史部121的滾輪120,該夾部121係利用 朝向基板W之端部與基板w之大略中心方向的預定推壓力 進行接觸，並利用未圖示之旋轉驅動手段使所有的基板保 持部111以預定之同一旋轉速度朝同一方向旋轉，再藉由 基板保持部111與基板⑺之（緣部）端部間的摩擦，對基 板w賦予》疋轉力並予則呆持。亦可僅使所有基板保持部111 317434修正本 34 1373799 • · ' 第094131782號專利申請案 ' | 101年4月2日修正替換頁 _的至少其中一個旋轉驅動。在滾輪12〇的夾部121附近， 配置具有用以柚吸處理液等之流體之抽吸口 i 23的保持部 柚吸噴嘴124。在此’抽吸口 123係以.例如5丽以下的距 離與夾部121接近配置，以抽吸附著在爽部121的流體。 此外，具備用以對夾部121供給洗淨流體之供給口 125的 保持部洗淨噴嘴126，係同樣地與滾輪12〇的夾部121接 近配置。在此滾輪120的材料可使用耐藥性之氟系樹脂之 PVDF。 由於旋轉爽盤必須固定保持基板，因此不易在旋轉夾 盤之爪的内側置換流體。相對地，利用基板保持部丨丨工， 旋轉保持基板W，且藉由在基板保持部丨11分別配置保持 部抽吸噴嘴124,即可改善基板保持部lu附近之流體的 置換並抑制流體的殘留。在此，基板保持部lu的夾部ΐ2ι 係與基板W的端部接觸，並以預定的壓力朝基板w的内側 壓附保持基板w。夾部121的形狀最好形成凹陷狀，使保 持中或旋轉中的基板W不致產生偏移。此外，由正上方觀 察夾部121時，最好呈正圓形。保持部抽吸噴嘴124與夹 部121之間的間隙（clearance)最好在丨_以下，而以在 〇.5_以下更為理想。此外，滾輪12〇的材料係以耐藥性 之氟系樹脂，例如PVDF、PEEK等或聚胺酯較合適。保持部 洗淨喷嘴126與夾部121間的間隙（位置關係），係與保持 部抽吸喷嘴124與夾部121間的間隙相同地，最好在lmm 以下’而以〇. 5mm以下更為理想。 如果沒有保持部抽吸喷嘴124，附著於夾部丨21的流 317434修正本 35 1373799 ， 第094131782號專利申請宰 體便會經由滾輪12〇之旋轉而盥 <得而興基板W再接觸，而使流體 土板W以及袁輪120的接線方向χ飛散（參照第3〇A圖）。 以防止流體飛散的抽吸口 123與供給口 125的配置關 係’假設滾輪120之旋轉方向為圖中的箭頭方向時，係朝 者旋轉方向的前方將保持部洗淨喷嘴126配置在夹部i2i 與基板w間的接觸部Wc，並在該前方配置具有抽吸口 123 之保持部抽吸嘖嘴124。因此’可藉由接觸部Wc使基板w 的周緣部的流體往滾輪12〇的夾部121移動，並使滾輪i2〇 朝圖中箭頭所示方向旋轉，而利用保持部洗淨喷嘴126之 洗淨流體供給口 125所提供的洗淨流體來洗淨附著有流體 的夾部121。接著，當經由洗淨流體所處理之流體隨著滾 輪120的旋轉到達具有抽吸口 123之保持部抽吸噴嘴124 之則時，S亥流體即被保持部抽吸喷嘴1 24所抽吸。藉此， 可抑制流體從基板W周緣部飛散，並抑制基板污染或水痕 (water mark)的發生。此外，由於可利用斜面抽吸噴嘴116 柚吸附著在基板周緣部的流體，因此，即使是低速旋轉亦 可有效地去除附著於基板周緣部的流體。 此外’如第30C圖之剖視圖所示，可將抽吸配管丨27 設在滾輪120内部，以經由抽吸配管丨27由夾部丨21的一 個部位或複數個部位抽吸流體。此外，在上述實施形態中 係說明設置保持部洗淨喷嘴126的例子，但無需進行洗淨 處理時’亦可省略該保持部洗淨喷嘴126的配置。在此， 保持部抽吸喷嘴124的抽吸口 123以及抽吸配管127係藉 氣液分離裝置與真空源連通’而藉由真空抽吸，抽吸流體 36 317434修正本 1373799 101年4月2曰侈，不絲站‘ 等。可使用喷射器、真空泵等做為真空源 此外’為避免基板丨上的流體㈣於料部洗淨嗔嘴 126以及保持部抽吸喷嘴124 ’如第3〇a圖之 所 示，可將保持部洗淨喷嘴126以及保持部抽吸噴嘴f i 在偏離基板W的位置。亦即，可對應滾請的中心:； 保持部洗淨喷嘴126以及保持部抽吸喷嘴124配== 部Wc的相反侧。 直在接觸 w上m面抽吸喷嘴116或未圖示之抽吸喷嘴拙吸基板 持：二=由於並不一定要洗淨滾輪12°，故可省略保 t=!::26。此時，如第_圖所示，保持部抽吸 ^ 124取好是配置在滾輪m及基板w的接線上，且最 配置在旋轉方向之較接觸部We更前方的位置。此外在★亥 =下’保持部抽吸喷嘴124的抽吸σ 123最好朝接觸部/ c形成開口，且與接觸部^接近配置。此外，亦可配置 =寺部抽吸噴嘴124 ’俾使抽吸口 123可經常接觸滞留於 接觸部Wc的流體。 在該實施形態中，斜面抽吸噴嘴116具有由導電性材 t所形成之導電部151。該導電部151係位於斜面抽吸喷 嘴116的前端，並經由配線147形成接地（ea地）。此外， 在本實施形態中’僅部分之斜面抽吸噴嘴116係由導電性 材料所形成’但斜面抽吸喷嘴116整體亦可全部由導電性 材料形成。此外亦可在基板W的下面側形成斜面抽吸喷a嘴。 保持部抽吸喷嘴124係具有由導電性材料所形成之導 電部152。該導電部152係位於保持部抽吸喷嘴124之前 317434修正本 37 1373799 端 並經由配線148形成接地（earth )。此外，在本實施 形態中，僅部分之保持部抽吸喷嘴124係由導電性材料所 形成’但保持部抽吸喷嘴124整體亦可全部由導電性材料 形成。此外，只要4個保持部抽吸喷嘴124中的至少—個 具有導電部152即可。 在基板W之上方配置有用以將乾燥用氣體供給至基板 w上面的氣體供給噴嘴113,並在基板w之下方配置用以將 乾燥用氣體供給至基板w下面的氣體供給喷嘴114。氣體 供給喷嘴113、114係以大略垂直於基板w的方式延伸，乾 燥用氣體係由各個氣體供給喷嘴113、114朝基板w的上面 以及下面喷附。氣體供給噴嘴113係安裝在搖動臂之 前端’搖動臂135的搖動軸服係連結於驅動源（移動機 構）137。驅動源137開始運轉後，搖動臂135即開始搖動， 而使氣體供給f嘴113沿著基板^半徑方向移動。 體供給喷嘴113相同地，氣體供給噴嘴丨丨纟亦絲於搖動 臂136的前端，並經由搖動軸136a連結於驅動源 著，藉由使驅動源138運轉，使氣體供給噴嘴ιΐ4 μ 板W的半徑方向移動。 土 乾燥用氣體最好使用Ν2氣體等惰性氣體。 供給喷嘴113、114所供給之乾燥用氣體的壓力、 =至== 壓力過低時，即使降低氣二 觜113、114的移動速度，也會導致 、 體壓力過高時’使氣體朝液臈噴射時:液“氣 於基板W，而產生水痕。基於 g彈起並附著 呔理由，由氣體供給噴嘴 317434修正本 38 1373799 第094131782號專利申請案 101年4月2日修正替捣苜 113、114所提供之氣體的壓力最好為5〇kpa至。 在搖動臂135、136,分別安裝有將純水等預定液體提 供給基板w的液體供給噴嘴145、146。該等液體供給噴嘴 145、146係與氣體供給喷嘴113、114相同地，以大略垂 直於基板W的方式延伸。此外，從位於基板w上方之液體 供給喷嘴145，將預定液體提供給基板w之上面，而從位 於基板W下方的液體供給噴嘴146，將預定液體提供給基 板w的下面。液體供給噴嘴145、146係與氣體供給喷嘴 113、114鄰接配置，而液體供給噴嘴145、146與氣體供 給喷嘴113、114係同時沿著基板w的半徑方向移動。 在此，參照第31A圖至第31D圖說明氣體供給噴嘴 113、114與液體供給喷嘴145、146之位置關係。第3ia 圖至第31D圖係用以說明第29圖所示之氣體供給喷嘴與液 體供給喷嘴的位置關係圖。 如第31A圖以及第31C圖所示，液體供給喷嘴145係 配置於氣體供給喷嘴113的直徑方向外側。亦即，液體供 給喷嘴145係位於基板w之半徑方向且較氣體供給噴嘴 113更外側的位置。由於液體供給喷嘴145以及氣體供給 喷嘴113係固定於搖動臂135 (參照第29圖），因此液體 供給嘴145以及氣體供給喷嘴113係一面保持彼此之相對 位置’ 一面沿著箭頭s所示之圓弧轨道朝基板W的半徑方 向移動。因此，在液體供給喷嘴丨45以及氣體供給喷嘴^ i 3 朝基板w的周緣部移動時，液體供給喷嘴145係位於行進 方向中較氣體供給噴嘴113更前方的位置。液體供給噴嘴 39 317434修正本 1373799 第094丨31782號專利申請索 101年4月2曰修正替換頁 145與氣體供給喷嘴113位於基㈣之半徑方向的距離最 好在10至30mm，在本實施形態中為2〇imn。液體供給喷嘴 145與氣體供給喷嘴113間的距離過近時，由液體供給喷 嘴145供給之液體會受到氣體供給噴嘴113所喷出之氣體 的影響，而可能產生液體飛散的情形。此外，液體供給喷 嘴145與氣體供給喷嘴113之間的距離過遠時，會在基板 W表面產生無法藉由液體保護的部分。因此，液體供給喷 嘴145與氣體供給噴嘴113之間的距離最好為⑺咖至 30mm。 ^ /夜體供給噴嘴146與氣體供給喷嘴114之間的位置關 係係與上述液體供給噴嘴145與氣體供給喷嘴η 3之間的 位置關係相同。亦即，如第31Β圖以及第31D圖所示，液 ，供、噴嘴146係位於基板w之半徑方向巾較氣體供給喷 夤114更外侧的位置。液體供給喷嘴1與氣體供給喷嘴 114之間的距離最好為1〇至3〇mm，而在本實施形態中為 20龍。此外，可在基板W的上方及下方分別配置2個以上 的氣體供給嘴嘴，同樣地亦可在基板W的上方及下方分別 配置2個以上的液體供給喷嘴。 此外’如同將液體供给喷嘴145以及氣體供給喷嘴113 安裝在搖動臂135的情形一般，可將1個或複數個液體供 喷嘴乂及氣體供給喷嘴分別安裝在與搖動臂1Μ相異之 1個或複數個搖動臂，使其得以移動而由基板评的中心部 朝周緣部同時描綠出複數個不同的圓弧執道以進行乾燥。 由基板W的中心部描繪出之複數個圓弧軌道係以大略放射 40 317434修正本 1373799 • ’ . · 第094131782號專利申請案 . | 101年4月2日修正替換頁 狀且等角方式朝周緣部延伸’藉此可均勻地乾燥基板W。 基板W的背面亦以相同方式實施。此外，亦可取代使其沿 著圓弧轨道移動的方式而使液體供給噴嘴以及氣體供給噴 嘴以直線方式由基板W之中心部移動至周緣部。 接著’說明上述方式所構成之基板處理單元3_5的動 作的一例。在此’係使用上面形成有Cu以及Low-k材，下 面形成有氧化膜之半導體晶圓做為基板W。此外，以下的 動作例係說明僅由配置在基板W上方之液體供給喷嘴145 對基板W供給液體的情形。 首先，使基板W保持在基板保持部1丨丨的滾輪丨2〇， 並以35m i η的旋轉速度使基板w旋轉。在該狀態下由沖洗 液供給噴嘴140將做為處理液之沖洗液（純水）供給至基 板w的上面，並由沖洗液供給噴嘴141Α、141β將做為處理 液之沖洗液（純水）提供至基板W的下面，而在基板w的 上面以及下面形成純水的液膜。 接著’將氣體供給噴嘴113、114以及液體供給喷嘴 145、146移動至基板w的中心部。接著，在停止沖洗液供 給喷嘴14 0、141A、141Β之純水供給的同時或之前，由氣 體供給噴嘴113、114將300kPa的N2氣體提供給基板w的 上面以及下面，並由液體供給喷嘴145將流量為4〇〇cc/ min的純水提供給基板w的上面。在該狀態下，將基板ψ 的方疋轉速度提高至8〇mi η-1 ’使氣體供給噴嘴113、114以 及液體供給噴嘴145、146朝基板W的周緣部移動，並使基 板W的上面與下面乾燥。 317434修正本 41 1373799 第094131782號專利申請案 |丨〇丨年4月2曰修正替換頁 在移動液體供給噴嘴145的同時，可藉由提供純水而 在基板W的上面形成液膜，藉此保護基板？的上面。氣體 供給喷嘴113所供給之N2氣體可使液膜朝基板w的周緣部 移動，並使基板的上面乾燥。移動至基板w之周緣部的 液膜（純水）係由斜面抽吸喷嘴116所抽吸。此外，純水 係由基板W往滾輪12〇移動，而由保持部抽吸喷嘴丨％所 抽吸。如上所述，由於係在基板w之上面大致形成液膜的 同時去除液膜，故得以在基板W之上面未產生水痕的情況 下乾燥基板W。 由斜面抽吸喷嘴116以及保持部抽吸喷嘴124抽吸基 板W上的純水時，純水會與空氣混合產生摩擦，並經由摩 -擦產生靜電。在本實施形態中，斜面抽吸喷嘴116以及保 持部抽吸噴嘴124 ’係分別經由導電部15卜152形成接地 (earth)，故得以防止因靜電所導致之基板w的帶電。因 此可排除靜電對形成於基板w上面之電路所造成的不良 影響，並提升良率。此外，基板保持部⑴（滾輪12〇)的 至少-部份係由導電性材料所形成，亦可使其形成接地。 此時’同樣可去除靜電。 此外，在上記動作例中，僅由基板⑺之上面側的液體 /、給喷嘴145提供液體，但亦可視形成於基板W下面之膜 的種類而由基板W之下面側的液體供給喷嘴146將液體供 給至基板W的下面。基板w的上面與下面的濕潤性不同時， 最好依照濕潤性調整乾燥基板⑺的所需時間。例如，冬美 板w的上面的疏水性高於基板面時，係在開始= 317434修正本 42 1373799 ' 第094131782號專利申請案 * | 1〇1年4月2日修正替換^ 基板W之下面侧的氣體供給喷嘴114以及液體供給噴嘴 146後，才開始移動基板w之上面側的氣體供給噴嘴 以及液體供給脅嘴145。此時’為同時進行基板w的上面 與下面的乾燥’可以不同速度使之移動而使上面側的氣體 供給噴嘴113與下面側的氣體供給喷嘴114同時到達基板 W的周緣部。藉由上述方式，即可同時完成濕潤性相異之 上面與下面的乾燥，並有效防止水痕的發生。 接著，說明本發明之其他實施形態之基板處理單元 3-6。第32圖顯示本發明之其他實施形態之基板處理單元 3 6之概略實施形態的平面圖。在該基板處理單元中， 係藉由基板保持部m (llla、1Ub、1Uc、1Ud)將處 理對象之半導體晶圓等的基板W旋轉保持在處理室U 〇 内。在基板保持部111 (llla、lllb、lllc、llld)分別 接近配置：保持部抽吸喷嘴（保持部抽吸部）i 24 (丨24a、 124b 124c、124d) ’以及保持部洗淨喷嘴（保持部洗淨部） 126 (126a、126b、126c、126d)。保持部抽吸喷嘴 124a、 124b、124c、124d 及保持部洗淨喷嘴 126a、126b、126c、 126d ’係分別甴支持部128a、128b、128c、128d所支撑。 各保持部抽吸喷嘴124可藉由調整部124,，且各保持部洗 淨喷嘴126可藉由調整部126,，來調整與基板保持部U1 之間的間隙。在基板W的上面側以及下面側具備有：具有 流體供給口與流體抽吸口之洗淨喷嘴（基板處理部）1丨2、 115/該洗淨喷嘴112、115如圖中二點鏈線（未圓示顯示 洗淨喷嘴115之二點鏈線）所示可朝基板w的半徑方向移 317434修正本 43 1373799 第094131782號專利申請宰 動。 L101年4月2日修正替拖百' 此外，基板W之上面側以及下面側，配置有供給^ 氣體等惰性氣體或是渥度在⑽以下之乾燥空氣等之乾 燥用氣體的氣體供㈣嘴113、114。氣體供給喷嘴⑴、 114係分別具有氣體供給口 117、118。料氣體供給嘴嘴 1U、114係如圖中—鏈線所示，可分別以支點c為中心沿 著基板W之大略半徑方向搖動。此外，基板處理單元^ 係具備有自基板W之周緣部抽吸流體的斜面抽吸噴嘴（周 緣部抽吸部）116。此外，基板保持部111在圖中共有4個， 但只要達到3個以上並無特別之限^。在此流自洗淨嘴嘴 的流體，刊舉洗淨流體、關液、_氣體等，具體而 言，可列舉：敗化氫等腐蝕性氣體；氫氟酸等酸；或過氧 化氫、硝酸、臭氧等氧化劑；氨等鹼劑；螫和（cheUte)劑； 界面活性劑；或是上述幾種化學劑的混合液。 第33圖顯示第32圖所示之基板處理單元洗淨基板w 之表背面的狀態。如第33圖所示，係藉由升降手段（未圖 示）使上面側之洗淨噴嘴（基板處理部）丨丨2上升到預定的 高度，以接近配置在基板W的表面側，並同樣地使下面側 的洗淨喷嘴（基板處理部）115接近配置在基板w的背面 側。另外，下面側的洗淨喷嘴115係藉由升降手段（未圖示） 接近配置在預定的高度。此外，在該裝置中，基板w係藉 由以滾輪120所構成的基板保持部111 一面被賦予旋轉 力，一面保持在水平狀態。此外，上面側的氣體供給喷嘴 113以及下面侧的氣體供給喷嘴114分別位於退避位置。 317434修正本 44 1373799 第094131782號專利申請案 101年4月2日修正替換頁 完成洗淨處理後，上面侧的洗淨喷嘴112係退避至基板w 之半徑方向的退避位置，代之由上面側的氣體供給噴嘴 113會開始移動，並將乾燥氣體供給到基板w上，以 乾燥步驟。同樣地’下面侧的洗淨喷嘴115也會退避到基 的半徑方向以及下方的退避位置而代之由下面側的 氣體供給嘴嘴114移動至預定位置，而對基板k下面側 供給氣體以進行乾燥步驟。 該洗淨噴嘴112、115係於洗淨噴嘴中分離流體供給 口與流體抽吸口，例如在處理直徑為2〇〇mm &基板時，分 別父替配置大約10個’並採用自流體供給口對基板$供給 例如洗淨液等流體（液）的同時，而由流體抽吸口抽吸附著 在基板W的流體（液）的方式。在此，流體供給口與流體抽 吸口係藉由來回運動’進行各種流體（液）之供給與抽吸， 來執行洗淨等之處理，藉由上述處理可抑制流體（液）由基 板面飛散而出，故具有經處理後之基板上的流體（液）殘量 可大幅減少的優點。 ^第34A圖至第34C圖顯示洗淨部之具體實施形態。洗 淨噴嘴112、115係分別在嘴嘴本體中具有作用φ η、κ2， 在各作用面上流體（液）之供給口 227與抽吸口 228係呈交 替且直線狀排列配置。如第34Β圖以及第3牝圖所示，各 供給口 227係連接在共通之供給管229，而各抽吸口⑽ 同樣地連接在共通之排液排氣管23〇。因此，當對供給管 229供給流體（液）時，即分別經由各個流體供給口，將流 體（液）自供給σ 227供給至基板面。同樣地，排液排氣管 317434修正本 45 1373799 進行真空抽吸， 230係與真空源連通 因此可由各個抽吸 口 228抽吸附著在基板面的流體（液）。 在圖示例尹’一個洗淨部具備有2面之供給口與抽吸 口的排列，可使用2種流體（液）。因此’在各洗淨部丨丨2、 U5 t具備有2條排液排氣管230、230與2條供給管229、 229。此外’一對供給管229與排液排氣管23〇係與在作用 面K1形成開口的供給口 227與抽吸口 228相連接。而另一 對供給管229與排液排氣管230係與分別在另一作用面n 形成開口的供給口 227與抽吸口 228相連接。供給口 227 與抽吸口 228的配置，係如供給口 227、供給口 227、抽吸 口 228、供給口 227、供給口 227、抽吸口 228的方式，亦 可將抽吸部中的各個供給口 227與抽吸口 228的個數設為 1個或1個以上的數量，且交替配置供給部、抽吸部。 可藉由未圖示之旋轉手段，使洗淨噴嘴112、115分 別、堯著令心軸心〇,、〇2(參照第34β圖以及第34c圖）進行 ^分^ 1的旋轉’而切換作用面！Π、K2。#此即可利用同 一洗淨噴嘴112、115進行使用不同流體（液）的處理。在作 用，κι中，進行藥液處理及蝕刻程序，而在作用面中， 接著作用面Κ1的程序，利用純水等進行沖洗處理，而將因 作用面Κ1之程序殘留在基板上的流體（液）置換成沖洗 液。此外，在圖示射，係顯判用作用面K1自洗淨喷嘴 112、115供給處理液，而處理基板冗之上面與下面的情形。 如第36A圖所示，各供給口以及各抽吸口，最好盥美 板面以相隔—定距離的方式配置。藉此，即可由所有供ς 317434修正本 46 1373799 .、 第 〇94131782ΪΪ^^· 口以同一距離對基板面供給流體（液），而進行均勻之處 理。另外，所有抽吸口可以同一距離由基板面進行抽吸， 並藉由所有抽吸口毫無偏差地將對基板的抽吸力保持在一 定的程度。 供給口 227之前端與基板面間的距離最好為接近2随 以下’更好為接近0. 5mm以下而以等距離之方式配置。抽 吸口 228之前端與基板面的距離最好為接近2mm以下，更 好為接近0.5IM1以下，而以等距離之方式配置。此時，即 使供給口 227與抽吸口 228的距離不等亦可。另外，藉由 接近配置，供給至基板的流體（液）可在與基板呈相對靜止 的狀態（靜置）下進行，並可進一步提升抽吸的效率。由各 供給口進行供給的流體（液）之流量，最好是1個供給口 i 至30mL/min，待別是為了供給藥液使之與基板表面產生反 應’最好是1至lOmL/min’但又以1至5mL/min左右更佳。 例如，在直徑為200mm之晶圓的情況下，用以洗淨單面的 流體（液）流量為3OmL/mi η左右。另外，由於所供給之流量 非常之少，因此極少在處理中產生流體（液）的飛散。此外， 运具有處理後殘留在基板上的液殘量極少的優點。另外， 為了避免自供給口供給到基板上的流體（液）直接由抽吸口 抽吸，最好將供給口 227與抽吸口 228分開，並加裝段差 d以及間隔s(參照第36Α圖）。段差d以及間隔s最好至少 在1 mm以上。 該洗淨喷嘴112、115係分別沿著洗淨對象之基板的 半徑方向如第35圖之箭號所示可來回運動。洗淨喷嘴的配 47 317434修正本 1373799 f第0941317S2號專利申請案 _ | 101年4月2日修正替換百 置方向與喷嘴的來回運動，未必呈同一直線狀。因此，如 第36A圖所示，藉由該洗淨喷嘴，除了由接近基板讲之流 體（液）的供給口 227對基板W供給（靜置）流體（液）外在 -定時間後由與供給口 227分開配置的抽吸口挪抽吸去 除殘留在基板Ψ的剩餘流體（液）。習知裝置係利用高速旋 轉所產生之離力排除供給至基板讯的流體（液）。但是， 在該洗淨部中，流體（液）對基板w的供給，係在流體（液） 不會在基板上形成相對運動的靜置狀態τ，使所供給之流 體（液）在基板上殘留—定時間以上，並與基板表面產生充 分反應後，利用上述洗淨喷嘴之半徑方向的來回運動使分 開的抽吸口移動’再由該抽吸口抽吸與基板表面產生反應 後的流體（液）。換言之，最好藉由複數供給口之基板半徑 f向來回移動與基板的旋轉，而以預定之大略均勻厚度的 薄膜狀進行塗布或印刷的方法對基板表面整體供給流體 (液），且最好降低流體（液）之供給流速。亦即，流體（液） 的供給流速最好在5m/s以下，而以lm/s以下更佳。此外， 基板w的旋轉速度最好在500min-〗以下，但特別以i〇〇min 一1以下為佳。 藉由組合該流體（液）之供給與抽吸的方法，流體（液） 的使用量可較一般供給至基板中央部進行旋轉洗淨的方式 大幅削減。此外，藉由將流體（液）供給至基板上並抽吸該 流體（液），即可防止流體（液）的飛散。另外，藉由抽吸而 殘留在基板W的流體（液）的量及其厚度會在基板表面整體 維持固定’而提昇處理之穩定性及均一性。 317434修正本 48 1373799 * — -' 第094131782號專利申請安 - 101年4月2日修正 如上所述，該洗淨部係將流體（液）供給（靜置）至欲供 給的位置，因此最好以lOOmin-1左右的低速旋轉進行處 理，而非藉由基板W之高速旋轉使流體（液）散布於基板整 體。一般而言，根據對基板W之中央部供給流體（液），再 利用旋轉使之擴散到基板W整體的方式，必須在例如200mm 之半導體基板上以500min-1的旋轉速度，將至少0 5L/min 之流量的流體（液）供給至基板的單面。如上所述，該洗淨 部係利用反覆流體（液）之供給與抽吸的方法，因此以 3〇mL/min左右之流體（液）的流量即可充分洗淨基板。 供給口與抽吸口沿著基板之半徑方向的來回運動的 週期，必須大於基板的旋轉週期。假設基板w之旋轉週期 與洗淨部之來回運動的週期一致時，由於係維持在基板上 的一定位置進行流體（液）之供給以及抽吸，因此處理會不 均勻。相對地，對應基板之旋轉週期將洗淨部之來回運動 的週期拉長時，例如基板會對應洗淨部的一次來回旋轉數 次’而以漩渦狀進行流體（液）在基板上的供給與抽吸（參照 第36B圖及帛36D圖）。另-方面，對應基板之旋轉週期將 洗淨部之來回運動的週期縮短時，基板上的流體執跡會變 2極為複雜（參照第36C圖）。因此，供給流體（液）後，需 &過一定程度之時間才會被抽吸，故在流體（液）的反應上 可職予充分的時間而得以進行均句的處理。 此外，在進行供給口與抽吸口的來回運動之際，移動 $的停止時間最好在U秒以内。在進行洗淨部之來回運 時反轉時^止的時間係對同一位置供給液體，因此時 317434修正本 49 ^73799 第094131782號專利申請案 101年4月2曰修正替換頁 間愈短愈好。例如，一來回為5秒的話， 時間最好在0.5秒_，㈣…、㈣更佳動咖止 此外，如第35圖所示，洗淨噴嘴115之供給口 227 ::動最好設定在不含基板之中心w〇及端部的基板 役方向的範圍内。將流體（液）的供給口移動到基板的 =:〇時’流向…。的流體(液)的供給量會較其他位 置的1夕，故較不理想。因此，由於供給口 22?的移動範 圍未包含基板之中心、點Wq，因此最好使供給口位於接近中 、、名Wo的位置。此外，對基板端部供給流體（液）時，流體 (液）可能飛散到基板外，因此必須限制供給口的移動範圍。 此外，第34A圖至第34D圖所示之洗淨部（洗淨喷嘴） 中，流體（液）的供給口與抽吸口雖以一定間隔且直線狀配 置’、但即使不以一定間隔交替配置成直線狀，也能夠達成 上述洗淨功能。此外，在上述實施形態中洗淨部具備有2 個作用面，且分別配置有流體（液）的供給口與抽吸口，但 亦可將流體（液）之供給口與抽吸口配置於一面，而在另一 面僅配置其他流體（液）的供給口。此外，亦可不限於2面， 在面甚至四面以上配置流體（液）之供給口以及抽吸 口。另外’洗淨部112、115係在構造上可形成其剖面為多 角形或是圓形，甚至具有2個以上之作用噴嘴群。此外， 可做成如第34B圖以及第34C圖所示之由多角形與圓形所 組成的剖面。 如苐34A圖所示，流體（液）的供給口 227最好為複 數’且可分別控制由各供給.口所供給之流體（液）的流量， 317434修正本 50 第094131782號專利申請案 101年4月2日修正替換頁 並調整噴嘴開口徑而使由其 用流體(液)的供給流量得二中心二：向周緣部之洗淨 轉之基。由於耗料係接近旋 #1，各因此會隨著愈接近基板之外圍 介接：：：供給對象表面積則愈加擴大。因此，在 =近外圍側時，必須使由各供給σ所供給之流 的 流1對應對象面積而掸大， ）的 體（液H、 而在基板面全面進行均句的流 此外，取好具備有··用以監測複數個供給口之至少一 =二：流體(液)流量的手段。例如’可藉由檢測出流 體⑷的供給壓力，而根據供給口之開口徑或大小來算出 各^…口的机體（液）的供給流量/流速。此外，藉由控制供 -塵力使之交為預定之供給流量、流速，可提升洗淨液等 之流體（液）的流量精密度，而進行精密的洗淨。此外，最 好具備有用以同時進行流體（液）之加溫、冷卻或兩者中任 、者的'皿度控制手段。流體（液）的基板處理性能有時會取 決於溫度j此時最好可調整為流體（液）之適當溫度。溫度 控制手&係可藉由在流體（液）的供給配管配備加熱器或冷 卻部而實現。 另一方面，各抽吸口 228也做成可自由調整電導性的 構造（抽吸口形狀以及大小），且各抽吸口 228係可藉由調 整為預定之吸入壓力的同一個或是依照各抽吸口 228分別 設置的真空源來抽吸處理流體（液），但是各抽吸口 228的 處理流體（液）的抽吸流量/流速，亦可藉由任意設定抽吸口 之開口徑而分別加以變更。將抽吸口 228之開口徑設定為 317434修正本 51 1373799 第094131782號專利申請案 101年4月2日倏正毬拖百 一定時，可藉由變更真空源之抽吸強度來變更柚吸流量/ 流速。使基板W之各半徑位置中的抽吸流量的過剩量不會 大於供給流量的過剩量，以及使來自各抽吸口 228的抽二 流量在接近基板W外圍時形成均量，或使之降低（換言之， 係使處理液在基板之表面整體恆常堆積成均勻厚度，或藉 由以均一速度在基板表面之所有位置供給、抽吸處理液而 進行置換），而有利於基板表面整體之均勻處理。 此外，亦可具備有用以控制基板之處理步驟的手段， 以根據被處理基板（晶圓）的種類、形成於基板表面之膜的 種類，設定：上述基板旋轉速度、與洗淨部112、115之基 板面的距離、洗淨部112、115的來回運動的週期、平均ς 度、最大速度、所供給之流體（液）的供給壓力及溫度、真 空源之真空強度或流體（液）種類等的處理條件，監測處理 被處理基板時對應各處理條件的實測值，並比較各處理條 件之預定的設定資料及其實測值，而使實測值維持上述預 定之設定資料。 此外，在配置有用以處理基板下面之洗淨部115的基 板處理單元中，亦可設置斜面洗淨手段，藉此，可在進行 基板之斜面部處理的同時進行基板之背面的洗淨或蝕刻處 理。或在基板上面配置洗淨部112，並設置用以處理下面 之周緣部的斜面洗淨手段。 此外，最好還具備有由抽吸口回收所抽吸之流體（液） 而再使用的手段。例如，最好可將使用過的流體（液）回收 到回收槽，並在經過過濾器之過濾後使之流回基板處理單 317434修正本 52 1.373799 • · ' 第094131782號專利申請案 • 一 I 101年4月2日修正替換^ 兀的流體（液）的供給槽。此外，最好另外具備用以使回枚 的流體（液）再生的手段。藉此，可再度利用流體（液），並 達到省資源化。另外，最好具備用以監測已回收或再生之 流體（液）的濃度或含雜質之濃度等的手段。 第37圖及第38圖顯示本發明之其他實施开）態之基板 處理早兀3-7的概略構造，第39圖係顯示其系統構造。在 基板處理單元3一7中，處理對象之基板W係藉由以滾輪所 形成之基板保持部Ula、Ulb、111c、llld旋轉保持的部 分，以及係由保持部抽吸噴嘴丨24(丨2乜、丨2仆、124c、1 抽吸處理液，而由保持部洗淨喷嘴126(126a、126b、126c、 126d)將洗淨液供給至夹部121而處理基板w的部分係與上 述只施形怨相同。但是，在本實施形態中，僅在基板W之 下面側具備有洗淨部⑴，而在基板w之上面側則具備有 可朝水平/垂直方向移動的嘴吹板238。在喷吹板238設有 未圖示之開口，由該開口將仏氣體等惰性氣體供給至半導 體晶圓等之基板⑺。藉此，可防止由基板W下面側所產生 ^流體（液）的濕氣以及藥液環境氣體所造成之基板表面的 5木或Μ質。此外’開π係可在對應清洗板238之基板W 的t心的位置僅設置1個，或沿著與基板W排列在同心上 的複數圓而朝半徑方向以等間隔方式配置複數個開口。 此外，該基板處理單元3—7中，具備有用以洗淨基板 之周緣部（斜面部）的斜面洗淨嘴嘴236,另外具備有洗淨 液之斜面抽吸㈣237。因此，由斜面洗淨喷嘴挪所供 、’、。的洗淨液會在基板w朝箭頭方向約轉_周前由斜面抽吸 317434修正本 53 1373799 • · Γ ' 第09413Π82號專利申請案 ' | 101年4月2日修正替換頁 噴嘴237柚吸去除。因此，根據該裝置，除了可清洗基板 背面側外，亦可進行清洗基板表面側之斜面部的處理。使 用上述喷實進行姓刻處理等之處理，在其後亦可進行洗淨 處理。此外，斜面洗淨喷嘴236、斜面柚吸噴嘴237係構 成可藉由馬達Μ朝基板W之半徑方向移動而得以分別調整 基板周緣部的處理位置。另外，可使斜面洗淨噴嘴、 斜面抽吸噴嘴237由基板中心往周緣來回移動以處理基板 之表面整體。另外，清洗板238係形成基板w之周緣部不 會與斜面洗淨喷嘴236、斜面抽吸喷嘴237產生干擾之未 覆蓋基板W之周緣部的大略圓形狀。 在該基板處理單元3-7中，如第39圖所示，係由藥 液壓送槽231將藥液供給至洗淨部115，而由洗淨部ιΐ5 之供給口將藥液供給至基板W的面上。洗淨部115係利用 馬達Μ朝著圖中之水平方向來回運動，並由抽吸口將供給 至基板上的藥液回收。由抽吸口回收的藥液會暫時被送到 回收槽（氣液分離槽）232，並在回收槽中氣液分離，然後再 送到循環槽233。 儲存在循環槽233之經使用過的藥液係利用泵p進行 加壓，由過濾器234過濾，再由調溫器235調整過溫度後 做為可再利用之藥液而送回藥液壓送槽231。如此一來即 可循環再利用藥液，並藉此達到藥液之省資源化。另外， 由斜面洗淨噴嘴236供給至基板之斜面部的藥液亦同樣由 斜面抽吸喷嘴237所抽吸並加以再利用。此外，在此雖未 圖不，但可藉由具備用以使返回循環槽233之使用過的藥 317434修正本 54 m 第甄辱利申請案 101年4月2曰修正替換頁 液再生的手段，而再生再利用已使用過的藥液 此外’在基板處理單元3_5至3—7中，最好在可適用 之範圍内使用基板處理單元3_4之特徵的以下構造。 ⑴藉由設計成與基板呈對稱狀之空氣取人口，形成 空氣屏幕以均等包住基板。 (2) ，由滚輪蓋罩，覆蓋住與基板直接接觸的滚輪。 (3) 藉由喷嘴蓋罩，覆蓋住位於待避位置時的氣體喷 射喷嘴。 ' (4)藉由内壁洗淨噴嘴進行内壁部之自動清洗。 (產業上之可利用性） 本發明之基板洗淨處理裝置及基板處理單元，係利用 在.對製造半導體元件時所使用之基板（半導體晶圓等）進 行洗淨處理。 【圖式簡單說明】 第1圖係顯示本發明之基板洗淨處理裝置之實施形態 的外觀圖。 “ 苐2圖係第1圖之基板洗淨處理裝置的平面圖。 第3圖係苐1圖之基板洗淨處理袭置之框架的平面 圖。 第4圖係第1圖之基板洗淨處理裝置之框架的側視圖 (第3圖之a箭視側面）。 第5圖係第1圖之基板洗淨處理裝置之框架的後視圖 (第3圖之b箭視側面）。 第6圖顯示本發明之基板洗淨處理裝置内之空氣流向 317434修正本 1373799 * ' * 第094131782號專利申請案 . | 101年4月2曰修正替換頁 的平面圖。 第7圖顯示本發明之基板洗淨處理裝置内之空氣流向 的側視圖。 第8圖顯示本發明之基板洗淨處理裝置内之空氣流向 及氣壓的平面圖。 第9圖顯示本發明之基板洗淨處理裝置之處理液供給 裝置之系統的實施形態之示意圖。 第10圖係顯示本發明之基板洗淨處理裝置之處理液 供給的流程圖。 第11圖係顯示本發明之基板洗淨處理裝置之處理液 供給的流程圖。 第12圖係顯示本發明之基板洗淨處理裝置之基板處 理單元之實施形態的示意圖。 第13A圖至第13C圖係顯示基板處理單元之蝕刻部的 構成圖。 第14A圖以及苐14B圖係顯示本發明之基板洗淨處理 裝置之基板處理單元的乾燥機構的實施形態之示意圖。 第15圖係顯示本發明之基板洗淨處理裝置之基板處 理单元的乾燥機構的其他實施形態之示意圖。 第16圖係顯示本發明之基板洗淨處理裝置之其他實 施形態的示意圖。 第17圖係顯示第16圖之實施形態中的基板處理單元 的處理室的天花板的示意圖。 第18圖係顯示第16圖之實施形態中的基板處理單元 317434修正本 56 i J·/汐y 第094131782號專利申請案 構造的刮視圖。 第19圖係顯示第18圖之基板處理單元之基板保 的構造圖》 第20圖係顯示第18圖之基板處理單元之基板保持部 之構造的剖視圖。 …第21圖係顯示第20圖之基板保持部之夾 之詳細情形的剖面圖。 第22Α圖至第22C圖係顯示第2〇圖之基板保持部之 滾輪蓋罩之詳細圖。 第23圖係顯示第18圖之基板處理單元進行斜面钱刻 處理時之狀態圖。 厂第⑽圖至帛24C圖係顯.示“圖之基板處理單元 之氣體喷射喷嘴的動作圖。 -第25A圖以及第25B圖係顯示第㈣之基板處理單 元中的内壁洗淨喷嘴的動作圖。 第26圖係顯示在第μ圖夕且 理室内的氣流的示意圖圖之基板處理單元中形成於處 第27圖係顯示第18圖之基板處理單元之空氣取入口 之變形例的示意圖。 孔取 ㈣圖二第28B圖係第18圖之基板處理單元的 遣形例，顯不滾輪盍罩洗淨噴嘴的動作。 的 第29圖係以模式顯示本發 i 處理單元的斜視圖。 "κ施形態之基板 第30Α圖至第30D圖係顯示第2 弟圖之基板處理單元 57 317434修正本 1373799 • · 「 * 第094131782號專利申請案 * 101年4月2日修正替換百 之基板保持部的放大圖，第3〇A圖為平面圖，第3〇b圖為 剖視圖，第30C圖係顯示第30B圖之變形例的剖視圖，第 30D圖係顯示第30A圖之變形例的平面圖。 第31A圖至第31D圖，係用以說明第29圖所示之氣 體供給喷嘴與液體供給喷嘴之位置關係圖。 第32圖係顯示本發明之其他實施形態之基板處理單 元之平面圖。 第33圖係顯示第32圖之基板處理單元之主要部位的 側視圖。 第34A圖為第33圖所示之洗淨喷嘴的放大圖，第34β 圖顯示抽吸口之剖視圖，第34C圖顯示供給口的剖視圖。 第35圖係顯示洗淨喷嘴之來回運動的概略圖。 第36A圖係顯示基板上之流體（液）之供給與抽吸的 圖，第36B圖係顯示流體（液）以旋渦狀進行供給的例圖， 第36C圖係顯示流體（液）呈不穩定供給時的例圖，第36d 圖，係顯示供給口與抽吸口之來回運動所產生之執跡圖。 第37圖係顯示本發明之其他實施形態中的基板處理 單元的主要部位之構造的平面圖。 第38圖係顯示第37圖所示之基板處理裝置的剖視 圖。 第39圖係顯示第38圖所示之基板處理裝置的系統構 造的方塊圖。 【主要元件符號說明】 A01 至A04，A08 氣流 58 317434修正本 1373799 _ • 1 第094131782號專利申請案 • 101年4月2曰修正替換頁 A05至A07 排氣 P1，P2 壓力感測器 S1，S3 下限感測器 S2，S4 上限感測器 SV1, SV2 線圈閥門 V1，V2，V4, V5，V7, V8, V9 閥門 V3, V6 除壓閥 W 基板 1 框架 la 基座部 lb 框架部 lc 框架 2 基板搬送裝置（搬送機器人） 2a 機械臂 3, 3-1 至 3-7 基板處理單元 4 基板收納匣 5 基板裝載埠 6 處理液供給裝置 7 風扇過濾單元 8 控制盤（電源供應器） 9 計測部 10 排氣管 11 基板搬運室 12 阻尼器 59 317434修正本 1373799 _ • _ 第094131782號專利申請案 ' 101年4月2曰修正替換頁 13, 14 空間 16 閥門箱 17 化學過濾器 21, 22 供給槽 31, 73 處理室 32 處理室主體 33 處理室蓋罩 35 上部軸 35a 凸緣部 36 可撓性接頭 37,41 導管 37a, 41a 喷嘴 38, 60 上部碟片 39a至39f，63, 77, 120 滾輪 40 處理室下部軸 42 下部碟片 45 触刻部 45a 上部懸壁樑部 46a 氣體導入管 46b 超純水導入管 46c 藥液導入管 47 排水管 48, 81 氣壓缸 50 控制器 58 蝕刻喷嘴 60 317434修正本 1373799 〇· • · i 第094131782號專利申請案 101年4月2日修正替換頁 59 沖洗喷嘴 61 惰性氣體 62, 1 16, 237 斜面抽吸噴嘴 64, 65 喷射喷嘴 66, 68 抽吸喷嘴 69 氣體 71，72 氣體噴射喷嘴 73a,83a 天花板 73b 底板 73c 内壁部 75 排水口 76, 111 基板保持部 79 排氣口 80 導執 81a 制動器 82, 121 灸部 82a 平坦部 83a 滚輪蓋罩 83b 開口部 84 處理液供給喷嘴 85 喷嘴蓋罩 86 賁吹構件 86a 頭部 86b 固定喷吹板 86c 可動喷吹板 61 317434修正本 1373799 第094131782號專利申請案 101年4月2日修正替換頁 87 升降機構 87a 流體壓氣缸 87b 保持板 87c. 連結構件 88 密封構件 90a, 90b 氣體流路 91 内壁洗淨喷嘴 92 配管 93 開關闊 94 調整構件 95 位置調整機構 95a 凸部 95b 長孔 96 蓋罩洗淨機構 96a 配管 96b 蓋罩洗淨喷嘴 111 a, 111 b, 111 c, 111 d基板保持部旋轉保持的部八 112, 115 洗淨喷嘴（洗淨部） 77 113,114 氣體供給喷嘴 116 斜面抽吸喷嘴 117,118 氣體供給口 123 抽吸孔 保持部抦吸嘴嘴 保持部洗淨噴嘴 124, 124a, 124b, 124c, 124d 125 供給口 126, 126a, 126b, 126c, 126d 317434修正本 62 1373799 第094131782號專利申請案 101年4月2日修正替換頁 127 柚吸配管 128a, 128b, 128c, 128d支持部 135, 136 榣動臂 135a,136a 搖動軸 138 驅動源 140, 141A，141B沖洗液供給喷嘴 145,146 液體供給喷嘴 147, 148 配線 151,152 導電部 227 供給口 228 抽吸口 229 供給管 230 排液排氣管 231 藥液壓送槽 233 循環槽 234 過濾器 235 調溫器 236 斜面洗淨喷嘴 238 清洗板 63 317434修正本