KR20230016859A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents
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Abstract
기판 처리 장치는 기판을 지지하기 위한 기판 지지부, 상기 기판의 하부면 상에 제1 세정액을 분사하기 위한 제1 하부 세정 노즐, 상기 기판의 하부면 상에 제2 세정액을 분사하기 위한 적어도 하나의 제2 하부 세정 노즐, 상기 기판 지지부 둘레에 배치되는 보울 구조물, 상기 기판 하부에서 상기 보울 구조물의 수용 공간 내에 배치되며 상기 기판 둘레로부터 외측 방향으로 연장하는 환형 형상의 배출 가이드판, 및 상기 다단 보울 구조물의 상기 수용 공간 내에 승하강 가능하도록 구비되고 하강된 위치에서 상기 배출 가이드판과 함께 상기 기판으로부터 비산되는 상기 제1 세정액을 상기 보울 구조물의 외측 수집부로 수집되도록 하는 제1 배출 경로를 형성하고 상승된 위치에서 상기 배출 가이드판과 함께 상기 기판으로부터 비산되는 상기 제2 세정액을 상기 보울 구조물의 내측 수집부로 수집되도록 하는 제2 배출 경로를 형성하는 배출 분리판을 포함한다.
Description
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, EUV 포토 트랙 설비에서 복수 개의 약액들을 사용하여 기판을 처리하기 위한 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것이다.
EUV 포토 트랙 설비에서 사용되는 포토레지스트는 금속 성분을 포함하고 있으며 코팅 공정 또는 현상 공정에서 웨이퍼를 세정하기 위하여 복수 개의 약액들을 사용할 수 있다. 상기 약액들은 서로 다른 성상을 가지고 있으므로, 서로 분리 배출되어야 하지만, 기존의 다단의 보울 구조에서 상기 약액의 분리 배출이 제대로 되지 않고 서로 섞여서 배출되는 문제점이 있다.
본 발명의 일 과제는 소모되는 용제 양을 최소화하고 포토 설비의 폼팩터를 컴팩트화시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 과제는 상술한 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 제공하는 데 있다.
상기 본 발명의 일 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치는 기판을 지지하고 회전시키기 위한 기판 지지부, 상기 기판의 하부면 상에 제1 물성을 갖는 제1 세정액을 분사하기 위한 적어도 하나의 제1 하부 세정 노즐, 상기 기판의 하부면 상에 상기 제1 물성과 다른 제2 물성을 갖는 제2 세정액을 분사하기 위한 적어도 하나의 제2 하부 세정 노즐, 상기 기판 지지부 둘레에 배치되고 상기 기판으로부터 비산되는 약액을 수용하기 위한 환형 형상의 수용 공간을 제공하는 컵체 및 상기 컵체의 하부에 반경 방향으로 순차적으로 배치되는 환형 형상의 내측 수집부 및 외측 수집부를 구비하는 보울 구조물, 상기 기판 하부에서 상기 보울 구조물의 상기 수용 공간 내에 배치되며 상기 기판 둘레로부터 외측 방향으로 연장하는 환형 형상의 배출 가이드판, 및 상기 다단 보울 구조물의 상기 수용 공간 내에 승하강 가능하도록 구비되고 하강된 위치에서 상기 배출 가이드판과 함께 상기 기판으로부터 비산되는 상기 제1 세정액을 상기 외측 수집부로 수집되도록 하는 제1 배출 경로를 형성하고 상승된 위치에서 상기 배출 가이드판과 함께 상기 기판으로부터 비산되는 상기 제2 세정액을 상기 내측 수집부로 수집되도록 하는 제2 배출 경로를 형성하는 배출 분리판을 포함한다.
상기 본 발명의 일 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치는 기판을 지지하기 위한 기판 지지부, 상기 기판의 상부면 상에 처리액을 분사하기 위한 처리액 분사 노즐, 상기 기판의 상부면의 에지 영역을 향하여 제1 세정액을 분사하기 위한 적어도 하나의 제1 상부 세정 노즐, 상기 기판의 상부면의 상기 에지 영역을 향하여 제2 세정액을 분사하기 위한 적어도 하나의 제2 상부 세정 노즐, 상기 기판의 하부면 상에 상기 제1 세정액을 분사하기 위한 적어도 하나의 제1 하부 세정 노즐, 상기 기판의 하부면 상에 상기 제2 세정액을 분사하기 위한 적어도 하나의 제2 하부 세정 노즐, 상기 기판 지지부 둘레에 배치되며 상기 기판으로부터 비산되는 약액을 수용하기 위한 환형 형상의 수용 공간을 제공하고 상기 수용 공간 하부에 반경 방향으로 순차적으로 배치되는 환형 형상의 내측 수집부 및 외측 수집부를 구비하는 보울 구조물, 상기 기판 하부에서 상기 보울 구조물의 상기 수용 공간 내에 배치되며 상기 기판 둘레로부터 외측 방향으로 연장하는 환형 형상의 배출 가이드판, 및 상기 다단 보울 구조물의 상기 수용 공간 내에 승하강 가능하도록 구비되고 제1 위치에서 상기 배출 가이드판과 함께 상기 기판으로부터 비산되는 상기 제1 세정액을 상기 외측 수집부로 수집되도록 하는 제1 배출 경로를 형성하고, 제2 위치에서 상기 배출 가이드판과 함께 상기 기판으로부터 비산되는 상기 제2 세정액을 상기 내측 수집부로 수집되도록 하는 제2 배출 경로를 형성하는 배출 분리판을 포함한다.
예시적인 실시예들에 따르면, 코팅액(또는 현상액)을 웨이퍼 상에 분사한 후에 상기 웨이퍼를 세정하기 위하여 기판 처리 장치는 제1 물성을 갖는 제1 약액을 상기 웨이퍼의 상부면과 하부면 상에 각각 분사하여 1차 세정하고, 상기 제1 물성과 다른 제2 물성을 갖는 제2 약액을 상기 웨이퍼의 상부면과 하부면 상에 각각 분사하여 2차 세정할 수 있다.
상기 기판 처리 장치는 기판 지지부를 감싸도록 환형의 링 형상을 갖는 다단 보울 구조물 내에 상기 웨이퍼 하부에서 상기 다단 보울 구조물의 수용 공간 내에 배치되며 상기 웨이퍼 둘레로부터 외측 방향으로 연장하는 배출 가이드판 및 상기 수용 공간 내에서 상하로 이동 가능한 배출 분리판을 포함할 수 있다.
상기 배출 분리판이 하강된 위치(제1 위치)에 있을 때, 상기 1차 세정을 수행하여 상기 웨이퍼로부터 비산되는 상기 제1 약액을 제1 배출 경로를 따라 제1 수집부로 수집할 수 있다. 상기 배출 분리판이 상승된 위치(제2 위치)에 있을 때, 상기 2차 세정을 수행하여 상기 웨이퍼로부터 비산되는 상기 제2 약액을 제2 배출 경로를 따라 제2 수집부로 수집할 수 있다.
따라서, 1차 세정과 2차 세정에서의 성상이 다른 약액들을 상기 다단 보울 구조물 내의 상기 배출 가이드판 및 상기 배출 분리판을 이용하여 서로 다른 배출 경로들을 통해 분리 배출시킬 수 있다.
이에 따라, 서로 다른 물성들을 갖는 약액들은 각각 다른 경로들을 통해 수집되어 섞임 없이 각기 다른 배출 경로들을 통해 폐수될 수 있다. 또한, 상기 배출 가이드판과 상기 배출 분리판 각각의 서로 다른 표면 특성들을 통해 각 약액들은 이동하는 표면을 적시지 않고 빠르게 배출될 수 있어 1차 세정과 2차 세정 사이에 별도의 건조 시간이 필요없게 된다. 이에 따라, 공정 시간 저감을 통해 전체적인 생산성을 향상시킬 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상기 언급한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 단면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치에서 배출 분리판이 제2 위치로 상승된 상태를 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 1의 기판 처리 장치를 나타내는 부분 절개 사시도이다.
도 5는 도 3의 기판 처리 장치를 나타내는 부분 절개 사시도이다.
도 6은 도 1의 기판 처리 장치의 노즐부의 감광액 공급 노즐을 나타내는 평면도이다.
도 7은 도 1의 기판 처리 장치의 노즐부의 제1 및 제2 상부 세정액 공급 노즐들을 나타내는 평면도이다.
도 8은 도 7의 제1 및 제2 상부 세정액 공급 노즐들을 나타내는 사시도이다.
도 9는 예시적인 실시예에 따른 제1 및 제2 하부 세정 노즐들 둘레에 배치되는 배출 가이드판을 나타내는 사시도이다.
도 10은 도 9의 배출 가이드판을 나타내는 평면도이다.
도 11은 도 10의 배출 가이드판을 나타내는 사시도이다.
도 12은 도 10의 A 부분을 나타내는 확대 사시도이다.
도 13 내지 도 17은 도 1의 기판 처리 장치를 이용한 스핀 코팅 공정을 수행하는 단계들을 나타내는 도면들이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치에서 배출 분리판이 제2 위치로 상승된 상태를 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 1의 기판 처리 장치를 나타내는 부분 절개 사시도이다.
도 5는 도 3의 기판 처리 장치를 나타내는 부분 절개 사시도이다.
도 6은 도 1의 기판 처리 장치의 노즐부의 감광액 공급 노즐을 나타내는 평면도이다.
도 7은 도 1의 기판 처리 장치의 노즐부의 제1 및 제2 상부 세정액 공급 노즐들을 나타내는 평면도이다.
도 8은 도 7의 제1 및 제2 상부 세정액 공급 노즐들을 나타내는 사시도이다.
도 9는 예시적인 실시예에 따른 제1 및 제2 하부 세정 노즐들 둘레에 배치되는 배출 가이드판을 나타내는 사시도이다.
도 10은 도 9의 배출 가이드판을 나타내는 평면도이다.
도 11은 도 10의 배출 가이드판을 나타내는 사시도이다.
도 12은 도 10의 A 부분을 나타내는 확대 사시도이다.
도 13 내지 도 17은 도 1의 기판 처리 장치를 이용한 스핀 코팅 공정을 수행하는 단계들을 나타내는 도면들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 단면도이다. 도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 나타내는 평면도이다. 도 3은 도 1의 기판 처리 장치에서 배출 분리판이 제2 위치로 상승된 상태를 나타내는 단면도이다. 도 4는 도 1의 기판 처리 장치를 나타내는 부분 절개 사시도이다. 도 5는 도 3의 기판 처리 장치를 나타내는 부분 절개 사시도이다. 도 6은 도 1의 기판 처리 장치의 노즐부의 감광액 공급 노즐을 나타내는 평면도이다. 도 7은 도 1의 기판 처리 장치의 노즐부의 제1 및 제2 상부 세정액 공급 노즐들을 나타내는 평면도이다. 도 8은 도 7의 제1 및 제2 상부 세정액 공급 노즐들을 나타내는 사시도이다. 도 1은 배출 분리판이 제1 위치로 하강된 상태를 나타내는 단면도이다.
도 1 내지 도 8을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 기판 지지부(100), 보울 어셈블리(bowl assembly)(200), 및 노즐부를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 기판 처리 장치(10)는 웨이퍼(W)와 같은 기판을 지지하고 회전시키면서 상기 기판 상에 포토레지스트 막을 도포하기 위한 스핀 코터(spin coater) 또는 상기 기판 상에 노광된 포토레지스트막을 현상하기 위한 현상 장치(developer)와 같은 장치로서 사용될 수 있다. 복수 개의 상기 기판 처리 장치들이 EUV 포토 트랙 설비에 구비되어 포토레지스트 막의 코팅 공정 및 현상 공정을 상기 기판 상에 수행할 수 있다.
예를 들면, 상기 EUV 트랙 설비의 인덱스 모듈을 통해 웨이퍼는 상기스핀 코터 내로 이송된 후, 상기 스핀 코터에 의해 상기 웨이퍼 상에 포토레지스트 막을 도포할 수 있다. 이어서, 이송 로봇에 의해 상기 웨이퍼는 가열 유닛으로 이송된 후, 상기 가열 유닛에서 베이크 처리된 후 냉각될 수 있다. 상기 냉각된 웨이퍼는 인터페이스부를 통해 노광 장치로 이송된 후, 상기 포토레지스트 막이 도포된 웨이퍼 상에 노광 공정이 수행될 수 있다. 노광 후, 상기 웨이퍼는 상기 현상 장치 내로 이송된 후, 상기 웨이퍼는 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH)와 같은 현상액을 이용하여 현상되어 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 기판 지지부(100)는 웨이퍼(W)를 지지하고 원하는 회전 속도로 웨이퍼(W)를 회전시킬 수 있다. 기판 지지부(100)는 웨이퍼(W)의 하부면 중심부를 흡착하여 수평으로 보유 지지하는 스핀 척의 역할을 수행할 수 있다. 기판 지지부(100)는 지지 플레이트(110), 회전 샤프트(120) 및 구동부(130)를 포함할 수 있다.
지지 플레이트(110)는 회전 샤프트(120)에 연결되고, 회전 샤프트(120)는 구동부(130)의 의해 회전 구동력에 의해 회전하여 지지 플레이트(110)를 회전시킬 수 있다. 지지 플레이트(110)가 회전할 때 웨이퍼(W)는 지지 플레이트(112) 상에 흡착 고정될 수 있다.
구동부(130)는 제어부에 전기적으로 연결되고, 지지 플레이트(110)의 회전 속도는 상기 제어부로부터의 제어 신호에 기초하여 제어될 수 있다. 예를 들면, 웨이퍼(W)는 기판 지지부(100)에 의해 10 rpm 내지 3,000 rpm의 범위 이내의 회전 속도로 회전할 수 있다.
또한, 기판 지지부(100)는 지지 플레이트(110)에 대하여 웨이퍼(W)를 상승시키기 위한 복수 개의 지지 핀들(도시되지 않음) 및 상기 지지 핀들을 승하강 시키기 위한 승강 기구(도시되지 않음)을 포함할 수 있다. 상기 지지 핀은 구동부(130)의 지지 프레임 상에 고정 설치된 베이스 플레이트(210)에 형성된 핀 가이드 홀(212) 내부를 통해 승하강 가능하도록 구비될 수 있다.
상기 승강 기구는 상기 제어부로부터의 제어 신호에 기초하여 상기 지지 핀을 승하강시키도록 작동할 수 있다. 상기 지지 핀들이 상승하여 지지 플레이트(110) 상에 지지된 웨이퍼(W)를 상부로 이동시킬 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)가 상기 상승된 지지 핀들 상에 배치되고, 상기 지지 핀들은 하강하여 지지 플레이트(110) 상에 웨이퍼(W)를 적재시킬 수 있다.
도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 보울 어셈블리(200)는 웨이퍼(W)에 공급된 약액을 수집하여 배출시킬 수 있다. 기판 지지부(100)는 웨이퍼(W)를 원하는 속도로 회전시킬 때, 상기 노즐부에 의해 웨이퍼(W)의 상부면 또는 하부면 상에 약제가 공급될 수 있다. 웨이퍼(W)가 회전할 때, 웨이퍼(W)로부터 비산되는 약액은 보울 어셈블리(200)에 의해 수집하여 배출될 수 있다.
보울 어셈블리(200)는 기판 지지부(100)를 감싸도록 환형의 링 형상을 갖는 다단 보울 구조물을 포함할 수 있다. 상기 다단 보울 구조물은 상부가 개방된 수용 공간(202)을 제공하는 컵체 및 상기 컵체의 하부면 상에 순차적으로 배치되는 제1 및 제2 수집부들(224a, 224b)을 포함할 수 있다. 제1 수집부(224a)는 상기 컵체의 외측 측벽에 가까운 환형 형상의 외측 수집부이고, 제2 수집부(224b)는 상기 컵체의 내측 측벽에 가까운 환형 형상의 내측 수집부일 수 있다. 즉, 상기 내측 수집부 및 상기 외측 수집부는 기판 지지부(100)로부터 반경 방향으로 순차적으로 배열될 수 있다.
상기 컵체는 베이스 플레이트(210)의 외측부에 결합 지지되며 하방으로 연장하는 내부 측벽(220a), 내부 측벽(220a)의 하단부로부터 수평 방향으로 연장하는 환형 형상의 하부벽(220b), 및 하부벽(220b)의 외측 단부로부터 상부로 연장하는 외부 측벽(220c)을 포함할 수 있다. 내부 측벽(220a), 하부벽(220b) 및 외부 측벽(220c)을 포함하는 상기 컵부는 웨이퍼(W)로부터 비산되는 약액을 수용하기 위한 환형 형상의 수용 공간(202)을 제공할 수 있다.
내부 측벽(220a)과 외부 측벽(220c) 사이의 하부벽(220b) 상에는 기 설정된 높이를 갖도록 상부로 연장하는 제1 측벽(222a)이 구비될 수 있다. 제1 측벽(222a)은 하부벽(220b)의 연장 방향을 따라 연장하여 제1 및 제2 수집부들(224a, 224b)을 정의할 수 있다. 제1 수집부(224a)는 최외측에 배치되는 환형 형상의 제1 수집통의 역할을 수행하고, 제2 수집부(224b)는 제1 수집부(224a)보다 내측에 배치되는 환형 형상의 제2 수집통의 역할을 수행할 수 있다.
또한, 내부 측벽(220a)과 제1 측벽(222a) 사이의 하부벽(220b) 상에는 기 설정된 높이를 갖도록 상부로 연장하는 제2 측벽(222b)이 구비될 수 있다. 제2 측벽(222b)은 제2 수집부(224b) 내에서 하부벽(220b)의 연장 방향을 따라 연장하여 제3 수집부(224c)를 정의할 수 있다. 제3 수집부(224c)는 제2 수집부(224b)보다 내측에 배치되는 환형 형상의 제3 수집통의 역할을 수행할 수 있다.
후술하는 바와 같이, 제1 물성을 갖는 제1 약액은 제1 수집부(224a)로 수집된 후 제1 수집부(224a)에 연결된 제1 배출 라인(226a)을 통해 배출될 수 있다. 상기 제1 물성과 다른 제2 물성을 갖는 제2 약액은 제2 수집부(224b)로 수집된 후 제2 수집부(224b)에 연결된 제2 배출 라인(226b)를 통해 배출될 수 있다. 한편, 상기 약액의 공급 시에 발생된 가스는 제3 수집부(224c) 및 제3 배출 라인(226c)를 통해 배출될 수 있다.
도 1, 도 3, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 보울 어셈블리(200)는 웨이퍼(W) 하부에서 상기 다단 보울 구조물의 수용 공간(202) 내에 배치되며 웨이퍼(W) 둘레로부터 외측 방향으로 연장하는 배출 가이드판(250)을 포함할 수 있다. 배출 가이드판(250)은 웨이퍼(W) 하부에서 웨이퍼(W) 둘레를 따라 연장하는 환형 형상을 갖는 상부로 볼록한 보울 형상을 가질 수 있다.
구체적으로, 배출 가이드판(250)은 내부 측벽(220a)의 상단부에 결합 지지될 수 있다. 배출 가이드판(250)은 내부 측벽(220a)의 상부로부터 웨이퍼(W)의 하부면의 에지 영역으로 연장하는 상향 경사판(252), 웨이퍼(W)의 하부면과 가장 근접한 정상부(254) 및 정상부(254)로부터 웨이퍼(W)의 외측으로 연장하는 하향 경사판(256)를 포함할 수 있다.
후술하는 바와 같이, 배출 가이드판(250)은 웨이퍼(W) 하부면에 공급된 약액이 웨이퍼(W) 외측 방향으로 상기 다단 보울 구조물의 수용 공간(202) 내부로 배출되도록 가이드하고 기판 지지부(100)를 향하여 비산되지 않도록 할 수 있다. 또한, 배출 가이드 판(250)은 웨이퍼(W)의 하부면과 기 설정된 이격 거리를 갖도록 배치됨으로써, 웨이퍼(W) 하부면과 배출 가이드 판(250)의 상부면 사이에서 비산되는 약액(기체)가 원활하게 흐르도록 제어할 수 있다.
도 1, 도 3, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 보울 어셈블리(200)는 웨이퍼(W) 외측 영역에 구비되며 상기 다단 보울 구조물의 수용 공간(202) 내에서 승하강 가능한 배출 분리판(260) 및 승강부(270)를 포함할 수 있다.
배출 분리판(260)은 수용 공간(202) 내에서 웨이퍼(W) 둘레를 따라 연장하고 환형 형상을 갖는 외측 방향으로 볼록한 수직 플레이트 형상을 가질 수 있다. 구체적으로, 배출 분리판(260)은 내부를 향하여 상향으로 경사진 상부 경사판(262), 상부 경사판(262)로부터 수직 방향으로 연장하는 수직판(264), 및 수직판(264)으로부터 내부를 향하여 하향으로 경사진 하부 경사판(266)을 포함할 수 있다.
배출 분리판(260)은 내산성 또는 내알칼리성 재질을 포함할 수 있다. 배출 분리판(260)은 정기적인 유지 보수를 위하여 상기 다단 보울 구조물 내에 탈착 가능하도록 설치될 수 있다.
승강부(270)는 배출 분리판(260)과 결합된 승강바(274) 및 승강바(274)를 상하로 이동시키기 위한 승강 구동부(272)를 포함할 수 있다. 승강바(274)의 상단은 수직판(264)의 외측벽에 구비된 플랜지와 결합될 수 있다. 승강바(274)가 상하로 이동함에 따라, 배출 분리판(260)은 상하로 이동할 수 있다. 승강 구동부(272)는 상기 제어부와 연결될 수 있다. 상기 제어부로부터의 제어 신호에 기초하여 승강바(274)는 승하강할 수 있다.
배출 분리판(260)이 하강된 위치(제1 위치)에 있을 때, 배출 분리판(260)의 상단(상부 경사판(262))은 배출 가이드판(250)의 하단(하향 경사판(256))과 접촉할 수 있다. 이에 따라, 배출 가이드판(250)의 일부(하향 경사판(256))와 배출 분리판(260)은 웨이퍼(W)로부터 비산되는 약액이 제1 수집부(224a)로 수집되도록 하는 제1 배출 경로(P1)를 형성할 수 있다. 제1 배출 경로(P1)는 배출 분리판(260)의 외측면과 내부 측벽(220a)의 내측면 사이에 형성될 수 있다. 이 때, 웨이퍼(W)의 상부면과 하부면 상에 공급된 약제는 제1 배출 경로(P1)를 거쳐 제1 수집부(224a)로 수집될 수 있다.
배출 분리판(260)이 상승된 위치(제2 위치)에 있을 때, 배출 분리판(260)의 상단(상부 경사판(262))은 배출 가이드판(250)의 하단(하향 경사판(256))으로부터 이격되고 웨이퍼(W)보다 높은 위치에 있을 수 있다. 이에 따라, 배출 가이드판(250)의 일부(하향 경사판(256))와 배출 분리판(260)은 웨이퍼(W)로부터 비산되는 약액이 제2 수집부(224b)로 수집되도록 하는 제2 배출 경로(P2)를 형성할 수 있다. 제2 배출 경로(P2)는 배출 분리판(260)의 외측면과 내부 측벽(220a)의 내측면 사이에 형성될 수 있다. 배출 가이드판(250)의 외측면과 배출 분리판(260)의 내측면 사이에 형성될 수 있다. 이 때, 웨이퍼(W)의 상부면과 하부면 상에 공급된 약제는 제2 배출 경로(P2)를 거쳐 제2 수집부(224b)로 수집될 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 상기 노즐부는 웨이퍼(W)의 상부면 상에 코팅액, 현상액 등과 같은 처리액을 분사하기 위한 처리액 분사 노즐(310)을 포함할 수 있다. 복수 개의 상기 처리액 분사 노즐들이 구비되어 웨이퍼(W)의 상부면 상에 상기 처리액을 분사할 수 있다. 처리액 분사 노즐(310)은 제1 노즐 암(312)의 일단부에 구비될 수 있다. 제1 노즐 암(312)의 타단부는 노즐 이동 기구에 연결될 수 있다. 상기 노즐 이동 기구에 의해 처리액 분사 노즐(310)은 승강 및 수평 이동 가능하도록 설치될 수 있다.
상기 코팅액은 포토레지스트 액을 포함할 수 있다. 상기 현상액은 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH)와 같은 약액을 포함할 수 있다. EUV용 포토레지스트 막의 코팅 공정에 있어서, 상기 포토레지스트 액은 주석과 같은 금속 물질을 포함할 수 있다.
도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 노즐부는 웨이퍼(W)의 상부면의 에지 영역 상에 제1 세정액 및 제2 세정액을 각각 분사하기 위한 제1 상부 세정 노즐(320a) 및 제2 상부 세정 노즐(320b)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 상부 세정 노즐들(320a, 320b)은 웨이퍼(W)의 상부면의 에지 영역 상에 약액을 분사하기 위하여 웨이퍼(W)의 가장자리를 따라 서로 인접하게 배치될 수 있다. 제1 및 제2 상부 세정 노즐들(320a, 320b)은 제2 노즐 암(322)의 일단부에 구비될 수 있다. 제2 노즐 암(322)의 타단부는 노즐 이동 기구에 연결될 수 있다. 상기 노즐 이동 기구에 의해 제1 및 제2 세정 노즐들(320a, 320b)은 승강 및 수평 이동 가능하도록 설치될 수 있다.
상기 제1 세정액은 웨이퍼(W)의 상부면의 에지 영역 상에 분사되어 상기 에지 영역 상에 도포된 포토레지스트 막의 에지 비드(edge bead) 부분을 제거할 수 있다. 상기 제2 세정액은 웨이퍼(W)의 상부면의 에지 영역 상에 분사되어 상기 제1 세정액에 의해 제거된 포토레지스트 막의 일부분 상에 잔존하는 금속 물질을 제거할 수 있다. 상기 제1 세정액은 제1 물성을 갖는 제1 약액을 포함할 수 있다. 상기 제2 세정액은 상기 제1 물성과 다른 제2 물성을 갖는 제2 약액을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 세정액은 유기 용매를 포함할 수 있다. 상기 제2 세정액은 산성 또는 염기성 수용액을 포함할 수 있다. 예를 들면, 산성 수용액으로는 HF, H202 등이 사용될 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 노즐부는 웨이퍼(W)의 하부면 상에 제3 세정액 및 제4 세정액을 각각 분사하기 위한 제1 하부 세정 노즐(330a) 및 제2 하부 세정 노즐(330b)을 포함할 수 있다. 제1 하부 세정 노즐(330a) 및 제2 하부 세정 노즐(330b)은 웨이퍼(W) 하부에 베이스 플레이트(210) 상에 설치될 수 있다. 예를 들면, 2개의 제1 하부 세정 노즐들(330a)은 제1 방향 및 상기 제1 방향의 역방향으로 상기 제3 세정액을 각각 분사하고, 2개의 제2 하부 세정 노즐들(330b)은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향 및 상기 제2 방향의 역방향으로 상기 제4 세정액을 각각 분사할 수 있다.
상기 제3 세정액은 웨이퍼(W)의 하부면 상에 분사되어 상기 에지 영역을 포함한 하부면 상에 도포된 포토레지스트 막을 제거할 수 있다. 상기 제4 세정액은 웨이퍼(W)의 하부면 상에 분사되어 상기 제3 세정액에 의해 제거된 포토레지스트 막의 일부분 상에 잔존하는 금속 물질을 제거할 수 있다. 상기 제3 세정액은 상기 제1 물성을 갖는 제3 약액을 포함할 수 있다. 상기 제4 세정액은 상기 제1 물성과 다른 제2 물성을 갖는 제4 약액을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제3 세정액은 유기 용매를 포함할 수 있다. 상기 제4 세정액은 산성 또는 염기성 수용액을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제3 세정액들은 상기 제1 물성을 갖는 동일한 약액을 포함할 수 있다. 상기 제2 및 제4 세정액들을 상기 제2 물성을 갖는 동일한 약액을 포함할 수 있다.
상기 코팅 공정 또는 상기 현상 공정에 있어서, 상기 코팅액 또는 상기 현상액을 상기 웨이퍼 상에 분사한 후에는 웨이퍼의 에지 영역에 에지 비드라는 잔존 오염물(포토레지스트 또는 포토레지스트 잔유물)이 형성될 수 있다. 이러한 에지 비드는 웨이퍼의 에지 영역의 상부면과 하부면을 감싸도록 형성될 수 있다. 이를 세정하지 않을 경우, 이후 공정에서 이송 로봇이나 버퍼 챔버 등을 오염시켜 설비 내부의 파티클 관리를 어렵게 만들 수 있다. 제1 상부 세정 노즐(320a) 및 제1 하부 세정 노즐(330a)은 상기 제1 물성을 갖는 제1 약액(예를 들면, 유기 용매)을 분사하여 상기 에지 영역에 형성된 에지 비드를 제거할 수 있다.
하지만, EUV 포토 설비에 있어서, 상기 포토레지스트에는 주석과 같은 금속 물질이 포함되어 있을 수 있다. 제2 상부 세정 노즐(320b) 및 제2하부 세정 노즐(330b)은 상기 제1 물성과 다른 제2 물성을 갖는 제2 약액(예를 들면, 산성 수용액)을 분사하여 상기 금속 물질을 제거할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 배출 분리판(260)이 하강된 위치(제1 위치)에 있을 때, 제1 상부 세정 노즐(320a) 및 제1 하부 세정 노즐들(330a)은 상기 제1 약액을 웨이퍼(W)의 상부면과 하부면에 각각 분사할 수 있다. 웨이퍼(W)로부터 비산되는 상기 제1 약액은 제1 배출 경로(P1)를 따라 제1 수집부(224a)로 수집될 수 있다.
배출 분리판(260)이 상승된 위치(제2 위치)에 있을 때, 제2 상부 세정 노즐(320b) 및 제2 하부 세정 노즐들(330b)은 상기 제2 약액을 웨이퍼(W)의 상부면과 하부면에 각각 분사할 수 있다. 웨이퍼(W)로부터 비산되는 상기 제2 약액은 제2 배출 경로(P2)를 따라 제2 수집부(224b)로 수집될 수 있다.
이하에서는, 상기 배출 가이드판의 세부 구성에 대하여 설명하기로 한다.
도 9는 예시적인 실시예에 따른 제1 및 제2 하부 세정 노즐들 둘레에 배치되는 배출 가이드판을 나타내는 사시도이다. 도 10은 도 9의 배출 가이드판을 나타내는 평면도이다. 도 11은 도 10의 배출 가이드판을 나타내는 사시도이다. 도 12은 도 10의 A 부분을 나타내는 확대 사시도이다.
도 9 내지 도 12를 참조하면, 배출 가이드판(250)은 베이스 플레이트(210) 상의 2개의 제1 하부 세정 노즐들(330a) 및 2개의 제2 하부 세정 노즐들(330b) 둘레를 따라 연장하는 환형 형상을 갖는 보울 형상의 구조물을 포함할 수 있다. 배출 가이드판(250)은 하향 경사판(256)의 상부면 상에 사선 방향으로 연장하는 격벽들(257)을 포함할 수 있다. 격벽들(257)은 하향 경사판(256)의 연장 방향으로 따라 서로 이격될 수 있다. 격벽들(237)의 개수는 상기 제1 및 제2 하부 세정 노즐들의 개수에 따라 결정될 수 있다.
하향 경사판(256)의 상부면에는 격벽들(237)에 의해 제1 가이드 통로(S1) 및 제2 가이드 통로(S2)가 정의될 수 있다. 제1 및 제2 가이드 통로들(S1, S2)는 하향 경사판(256)의 연장 방향으로 따라 교대로 구비될 수 있다. 2개의 제1 하부 세정 노즐들(330a)은 제1 가이드 통로(S1)를 향하여 제3 세정액(F1)을 분사하고, 2개의 제2 하부 세정 노즐들(330b)은 제2 가이드 통로(S2)를 향하여 제4 세정액(F2)을 각각 분사할 수 있다.
제1 가이드 통로(S1)를 형성하는 하향 경사판(256)은 제1 표면(256a)을 가지고, 제2 가이드 통로(S2)를 형성하는 하향 경사판(256)은 제2 표면(256b)을 가질 수 있다. 제1 하부 세정 노즐들(330a)로부터 분사되어 웨이퍼(W)의 하부면으로부터 비사되는 제3 세정액은 제1 가이드 통로(S1)를 따라 수용 공간(202) 내부로 배출되도록 가이드될 수 있다. 제2 하부 세정 노즐들(330b)로부터 분사되어 웨이퍼(W)의 하부면으로부터 비사된 제4 세정액은 제2 가이드 통로(S2)를 따라 수용 공간(202) 내부로 배출되도록 가이드될 수 있다.
상기 제3 세정액(또는 제1 세정액)과 접촉하는 하향 경사판(256)의 제1 표면(256a)은 친수성 표면 거칠기를 가지고, 상기 제4 세정액(또는 제2 세정액)과 접촉하는 하향 경사판(256)의 제2 표면(256b)는 소수성 표면 거칠기를 가질 수 있다. 하향 경사판(256)의 제1 표면(256a)은 상기 제3 세정액(또는 제1 세정액)과의 상대적으로 높은 접촉각을 갖는 표면 특성을 가지고, 하향 경사판(256)의 제2 표면(256b)은 상기 제4 세정액(또는 제2 세정액)과의 상대적으로 높은 접촉각을 갖는 표면 특성을 가질 수 있다. 예를 들면, 하향 경사판(256)의 제1 표면(256a)은 하향 경사판(256)의 제2 표면(256b)보다 높은 표면 에너지를 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 제3 세정액(또는 제1 세정액)과 상기 제4 세정액(또는 제2 세정액)의 표면 접촉력을 감소시켜 빠르게 배출시킬 수 있다.
이와 유사하게, 상기 3 세정액(또는 제1 세정액)과 접촉하는 배출 분리판(260)의 외측면은 친수성 표면 거칠기를 가지고, 상기 제3 세정액(또는 제2 세정액)과 접촉하는 배출 분리판(260)의 내측면은 소수성 표면 거칠기를 가질 수 있다. 배출 분리판(260)의 상기 외측면은 상기 제3 세정액(또는 제1 세정액)이 닿았을 때 상대적으로 높은 접촉각을 나타내도록 하는 표면 특성을 가지고, 배출 분리판(260)의 상기 내측면은 상기 제4 세정액(또는 제2 세정액)이 닿았을 때 상대적으로 높은 접촉각을 나타내도록 하는 표면 특성을 가질 수 있다. 예를 들면, 배출 분리판(260)의 상기 외측면은 배출 분리판(260)의 상기 내측면보다 높은 표면 에너지를 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 제3 세정액(또는 제1 세정액)과 상기 제4 세정액(또는 제2 세정액)의 표면 접촉력을 감소시켜 원활하게 배출시킬 수 있다.
이하에서는, 도 1의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 대하여 설명하기로 한다.
도 13 내지 도 17은 도 1의 기판 처리 장치를 이용한 스핀 코팅 공정을 수행하는 단계들을 나타내는 도면들이다.
도 13을 참조하면, 기판 지지부(100) 상에 로딩된 웨이퍼(W) 상에 코팅액을 분사할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 배출 분리판(260)이 하강된 위치(제1 위치)로 이동하고, 처리액 분사 노즐(310)은 웨이퍼(W)의 상부면 상에 상기 코팅액을 분사할 수 있다. 상기 코팅액은 포토레지스트 액을 포함할 수 있다. 상기 포토레지스트 액은 주석과 같은 금속 물질을 포함할 수 있다.
웨이퍼(W)로부터 비산되는 상기 코팅액은 배출 분리판(260)의 외측면과 내부 측벽(220a)의 내측면 사이의 제1 배출 경로(P1)를 따라 제1 수집부(224a)로 수집되고, 제1 배출 라인(226a)을 통해 배출될 수 있다.
도 14 및 도 15를 참조하면, 상기 코팅액이 도포된 웨이퍼(W)를 1차 세정하기 위하여 웨이퍼(W)의 상부면과 하부면 상에 제1 물성을 갖는 제1 약액을 분사할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 배출 분리판(260)이 하강된 위치(제1 위치)에서, 제1 상부 세정 노즐(320a) 및 제1 하부 세정 노즐들(330a)은 상기 제1 약액을 웨이퍼(W)의 상부면과 하부면에 각각 분사할 수 있다. 제1 상부 세정 노즐(320a)은 웨이퍼(W)의 상부면의 에지 영역 상에 상기 제1 약액을 분사할 수 있다. 2개의 제1 하부 세정 노즐들(330a)은 제1 방향 및 상기 제1 방향의 역방향으로 상기 제1 약액(F1)을 각각 분사할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 약액은 유기 용매를 포함할 수 있다. 웨이퍼(W)의 상부면 및 하부면으로부터 비산되는 상기 제1 약액은 제1 배출 경로(P1)를 따라 제1 수집부(224a)로 수집되고, 제1 배출 라인(226a)을 통해 배출될 수 있다.
제1 하부 세정 노즐들(330a)로부터 분사되어 웨이퍼(W)의 하부면으로부터 비산되는 제1 약액(F1')은 배출 가이드판(250)의 제1 가이드 통로(S1)를 따라 수용 공간(202) 내부로 배출되도록 가이드될 수 있다. 이후, 제1 약액(F1')은 배출 분리판(260)의 외측면과 내부 측벽(220a)의 내측면 사이의 제1 배출 경로(P1)를 따라 제1 수집부(224a)로 수집되고, 제1 배출 라인(226a)을 통해 배출될 수 있다.
도 16 및 도 17을 참조하면, 상기 코팅액이 도포된 웨이퍼(W)를 2차 세정하기 위하여 웨이퍼(W)의 상부면과 하부면 상에 제2 물성을 갖는 제2 약액을 분사할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 배출 분리판(260)이 상승된 위치(제2 위치)로 이동하고, 제2 상부 세정 노즐(320b) 및 제2 하부 세정 노즐들(330b)은 상기 제2 약액을 웨이퍼(W)의 상부면과 하부면에 각각 분사할 수 있다. 제2 상부 세정 노즐(320b)은 웨이퍼(W)의 상부면의 에지 영역 상에 상기 제2 약액을 분사할 수 있다. 2개의 제2 하부 세정 노즐들(330b)은 제2 방향 및 상기 제2 방향의 역방향으로 상기 제2 약액(F2)을 각각 분사할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 약액은 산성 수용액을 포함할 수 있다. 웨이퍼(W)의 상부면 및 하부면으로부터 비산되는 상기 제2 약액은 배출 분리판(260)의 외측면과 내부 측벽(220a)의 내측면 사이의 제2 배출 경로(P2)를 따라 제2 수집부(224b)로 수집되고, 제2 배출 라인(226b)을 통해 배출될 수 있다.
제2 하부 세정 노즐들(330b)로부터 분사되어 웨이퍼(W)의 하부면으로부터 비산되는 제2 약액(F2')은 배출 가이드판(250)의 제21 가이드 통로(S2)를 따라 수용 공간(202) 내부로 배출되도록 가이드될 수 있다. 이후, 제2 약액(F2')은 제2 배출 경로(P2)를 따라 제1 수집부(224a)로 수집되고, 제2 배출 라인(226b)을 통해 배출될 수 있다.
상술한 바와 같이, 상기 코팅액(또는 상기 현상액)을 상기 웨이퍼 상에 분사한 후에 웨이퍼의 에지 영역에 잔존하는 에지 비드를 제거하기 위하여, 제1 물성을 갖는 제1 약액을 상기 웨이퍼의 상부면과 하부면 상에 각각 분사하여 1차 세정하고, 상기 제1 물성과 다른 제2 물성을 갖는 제2 약액을 상기 웨이퍼의 상부면과 하부면 상에 각각 분사하여 2차 세정할 수 있다.
배출 분리판(260)이 하강된 위치(제1 위치)에 있을 때, 상기 1차 세정을 수행하여 웨이퍼(W)로부터 비산되는 상기 제1 약액을 제1 배출 경로(P1)를 따라 제1 수집부(224a)로 수집할 수 있다. 배출 분리판(260)이 상승된 위치(제2 위치)에 있을 때, 상기 2차 세정을 수행하여 웨이퍼(W)로부터 비산되는 상기 제2 약액을 제2 배출 경로(P2)를 따라 제2 수집부(224b)로 수집할 수 있다.
따라서, 1차 세정과 2차 세정에서의 성상이 다른 약액들을 다단 보울 구조물 내의 배출 가이드판(250) 및 배출 분리판(260)을 이용하여 서로 다른 배출 경로들을 통해 분리 배출시킬 수 있다.
이에 따라, 서로 다른 물성들을 갖는 약액들은 각각 다른 경로들을 통해 수집되어 섞임 없이 각기 다른 배출 경로들을 통해 폐수될 수 있다. 또한, 상기 배출 가이드판과 상기 배출 분리판 각각의 서로 다른 표면 특성들을 통해 각 약액들은 이동하는 표면을 적시지 않고 빠르게 배출될 수 있어 1차 세정과 2차 세정 사이에 별도의 건조 시간이 필요없게 된다. 이에 따라, 공정 시간 저감을 통해 전체적인 생산성을 향상시킬 수 있다.
서로 분리 배출된 다른 약액들을 재사용하여 소모되는 용제의 양을 최소화시킬 수 있다. 또한, 보울 어셈블리의 복잡한 구성을 단순화시켜 설비의 폼팩터를 컴팩트화시킬 수 있고, 한정된 공간 내에 여러 모듈들(스핀 코터들, 현상 장치들)을 설치할 수 있어 전체적인 생산성을 향상시킬 수 있다.
전술한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 의해 제조된 반도체 장치는 로직 소자나 메모리 소자와 같은 반도체 소자를 포함할 수 있다. 상기 반도체 장치는, 예를 들어 중앙처리장치(CPU, MPU), 애플리케이션 프로세서(AP) 등과 같은 로직 소자, 예를 들어 에스램(SRAM) 장치, 디램(DRAM) 장치 등과 같은 휘발성 메모리 장치, 및 예를 들어 플래시 메모리 장치, 피램(PRAM) 장치, 엠램(MRAM) 장치, 알램(RRAM) 장치 등과 같은 불휘발성 메모리 장치를 포함할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10: 기판 처리 장치 100: 기판 지지부
110: 지지 플레이트 120: 회전 샤프트
130: 구동부 200: 보울 어셈블리
202: 수용 공간 210: 베이스 플레이트
220a: 내부 측벽 220b: 하부벽
220c: 외부 측벽 222a: 제1 측벽
222b: 제2 측벽 224a: 제1 수집부
224b: 제2 수집부 224c: 제3 수집부
226a: 제1 배출 라인 226b: 제2 배출 라인
226c: 제3 배출 라인 250: 배출 가이드판
252: 상향 경사판 254: 정상부
256: 하향 경사판 257: 격벽
260: 배출 분리판 262: 상부 경사판
264: 수직판 266: 하부 경사판
270: 승강부 272: 승강 구동부
274: 승강바 310: 처리액 분사 노즐
312: 제1 노즐 암 320a: 제1 상부 세정 노즐
320b: 제2 상부 세정 노즐 322: 제2 노즐 암
330a: 제1 하부 세정 노즐 330b: 제2 하부 세정 노즐
110: 지지 플레이트 120: 회전 샤프트
130: 구동부 200: 보울 어셈블리
202: 수용 공간 210: 베이스 플레이트
220a: 내부 측벽 220b: 하부벽
220c: 외부 측벽 222a: 제1 측벽
222b: 제2 측벽 224a: 제1 수집부
224b: 제2 수집부 224c: 제3 수집부
226a: 제1 배출 라인 226b: 제2 배출 라인
226c: 제3 배출 라인 250: 배출 가이드판
252: 상향 경사판 254: 정상부
256: 하향 경사판 257: 격벽
260: 배출 분리판 262: 상부 경사판
264: 수직판 266: 하부 경사판
270: 승강부 272: 승강 구동부
274: 승강바 310: 처리액 분사 노즐
312: 제1 노즐 암 320a: 제1 상부 세정 노즐
320b: 제2 상부 세정 노즐 322: 제2 노즐 암
330a: 제1 하부 세정 노즐 330b: 제2 하부 세정 노즐
Claims (10)
- 기판을 지지하고 회전시키기 위한 기판 지지부;
상기 기판의 하부면 상에 제1 물성을 갖는 제1 세정액을 분사하기 위한 적어도 하나의 제1 하부 세정 노즐;
상기 기판의 하부면 상에 상기 제1 물성과 다른 제2 물성을 갖는 제2 세정액을 분사하기 위한 적어도 하나의 제2 하부 세정 노즐;
상기 기판 지지부 둘레에 배치되고, 상기 기판으로부터 비산되는 약액을 수용하기 위한 환형 형상의 수용 공간을 제공하는 컵체 및 상기 컵체의 하부에 반경 방향으로 순차적으로 배치되는 환형 형상의 내측 수집부 및 외측 수집부를 구비하는 보울 구조물;
상기 기판 하부에서 상기 보울 구조물의 상기 수용 공간 내에 배치되며 상기 기판 둘레로부터 외측 방향으로 연장하는 환형 형상의 배출 가이드판; 및
상기 다단 보울 구조물의 상기 수용 공간 내에 승하강 가능하도록 구비되고, 하강된 위치에서 상기 배출 가이드판과 함께 상기 기판으로부터 비산되는 상기 제1 세정액을 상기 외측 수집부로 수집되도록 하는 제1 배출 경로를 형성하고, 상승된 위치에서 상기 배출 가이드판과 함께 상기 기판으로부터 비산되는 상기 제2 세정액을 상기 내측 수집부로 수집되도록 하는 제2 배출 경로를 형성하는 배출 분리판을 포함하는 기판 처리 장치. - 제 1 항에 있어서, 상기 컵체는 상부가 개방된 상기 수용 공간을 정의하는 내부 측벽, 하부벽 및 외측 측벽을 포함하고,
제1 측벽은 상기 하부벽의 연장 방향을 따라 연장하여 상기 내측 수집부 및 상기 외측 수집부를 정의하는 기판 처리 장치. - 제 2 항에 있어서, 상기 배출 가이드판은
상기 내부 측벽의 상부로부터 상기 기판의 에지 영역으로 연장하는 상향 경사판;
상기 상향 경사판으로 상기 기판의 하부면과 가장 근접하도록 연장하는 정상부; 및
상기 정상부로부터 상기 기판의 외측으로 연장하는 하향 경사판을 포함하는 기판 처리 장치. - 제 2 항에 있어서, 상기 배출 가이드판은 상기 하향 경사판의 상부면 상에서 사선 방향으로 연장하는 복수 개의 격벽들을 포함하고,
상기 하향 경사판의 상부면은 상기 격벽에 의해 분리된 제1 및 제2 가이드 통로들을 제공하는 기판 처리 장치. - 제 4 항에 있어서, 상기 제1 가이드 통로를 제공하는 상기 하향 경사판의 제1 표면은 친수성 표면 거칠기를 가지고, 상기 제2 가이드 통로를 제공하는 상기 하향 경사판의 제2 표면은 소수성 표면 거칠기를 갖는 기판 처리 장치.
- 제 4 항에 있어서, 상기 제1 하부 세정 노즐은 상기 제1 가이드 통로를 향하여 제1 세정액을 분사하고, 상기 제2 하부 세정 노즐은 상기 제2 가이드 통로를 향하여 상기 제2 세정액을 분사하는 기판 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 기판의 상부면의 에지 영역을 향하여 상기 제1 세정액을 분사하기 위한 적어도 하나의 제1 상부 세정 노즐; 및
상기 기판의 상부면의 상기 에지 영역을 향하여 상기 제2 세정액을 분사하기 위한 적어도 하나의 제2 상부 세정 노즐을 더 포함하는 기판 처리 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판의 상부면 상에 처리액을 분사하기 위한 처리액 분사 노즐을 더 포함하는 기판 처리 장치. - 제 1 항에 있어서, 상기 기판 지지부를 향하는 상기 배출 분리판의 외측면은 친수성 표면 거칠기를 가지고, 상기 외측면에 반대하는 상기 배출 분리판의 내측면은 소수성 표면 거칠기를 갖는 기판 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제1 세정액을 유기 용매를 포함하고, 상기 제2 세정액은 산성 수용액 또는 염기성 수용액을 포함하는 기판 처리 장치.
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| KR1020210098360A KR20230016859A (ko) | 2021-07-27 | 2021-07-27 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US17/678,233 US11923209B2 (en) | 2021-07-27 | 2022-02-23 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020210098360A KR20230016859A (ko) | 2021-07-27 | 2021-07-27 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1020210098360A KR20230016859A (ko) | 2021-07-27 | 2021-07-27 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
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| CN116705661A (zh) * | 2023-06-27 | 2023-09-05 | 若名芯装备(苏州)有限公司 | 一种基板单面和侧面清洗装置以及清洗方法、清洗流水线 |
| CN117894713A (zh) * | 2023-12-13 | 2024-04-16 | 江苏亚电科技股份有限公司 | 一种清洗液单独收集的单片式晶圆清洗装置 |
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| JP2006114884A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-04-27 | Ebara Corp | 基板洗浄処理装置及び基板処理ユニット |
| KR100687011B1 (ko) | 2006-01-13 | 2007-02-26 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| JP2008117831A (ja) | 2006-11-01 | 2008-05-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板薬液処理装置及びそれを用いた基板薬液処理方法 |
| JP5844681B2 (ja) * | 2011-07-06 | 2016-01-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法 |
| JP6005604B2 (ja) | 2012-09-13 | 2016-10-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理装置 |
| JP6020271B2 (ja) | 2013-03-18 | 2016-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
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| TWI638394B (zh) * | 2016-07-25 | 2018-10-11 | 斯庫林集團股份有限公司 | 基板處理裝置 |
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2021
- 2021-07-27 KR KR1020210098360A patent/KR20230016859A/ko active Search and Examination
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2022
- 2022-02-23 US US17/678,233 patent/US11923209B2/en active Active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN116705661A (zh) * | 2023-06-27 | 2023-09-05 | 若名芯装备(苏州)有限公司 | 一种基板单面和侧面清洗装置以及清洗方法、清洗流水线 |
| CN117894713A (zh) * | 2023-12-13 | 2024-04-16 | 江苏亚电科技股份有限公司 | 一种清洗液单独收集的单片式晶圆清洗装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US11923209B2 (en) | 2024-03-05 |
| US20230033040A1 (en) | 2023-02-02 |
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