KR100816740B1 - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판상에 복수의 약액이나 기체를 공급하여 기판을 세정 건조하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 기판 처리 장치는 기판이 놓여지는 척을 갖는 기판 지지부재; 상부가 개방되고, 상기 척 주변을 감싸도록 형상지어진 하부 챔버; 기판에 대한 건조 공정이 외부와 격리된 상태에서 진행되도록 상기 하부 챔버의 상부를 개방 또는 폐쇄하는 상부 챔버; 및 상기 상부 챔버에 설치되며 상기 상부 챔버가 상기 하부 챔버의 상부를 폐쇄한 상태에서 기판으로 유체를 직접 분사하는 직접분사노즐부재를 포함한다.
이러한 구성의 기판 처리 장치는 기판 전체의 건조 효율 증대 및 외부 오염 차단 그리고 산화막 방지 등의 효과를 얻을 수 있다.
Figure R1020060082799
기판, 세정, 건조, 커버

Description

기판 처리 장치 및 방법{A METHOD AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATES}
도 1은 본 발명에서 하부 챔버가 완전 밀폐된 상태의 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명에서 하부 챔버가 부분 밀폐된 상태의 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 3은 본 발명에서 하부 챔버가 완전 개방 상태의 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 4는 직접분사노즐부재가 설치된 상부 챔버를 보여주는 사시도이다.
도 5는 직접분사노즐부재가 설치된 상부 챔버를 보여주는 부분 절개 사시도이다.
도 6은 직접분사노즐부재가 설치된 상부 챔버를 보여주는 평면도이다.
도 7은 직접분사노즐부재가 설치된 상부 챔버를 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 7에서 직접분사노즐부재의 제1,2노즐이 회전된 상태를 보여주는 상부 챔버의 단면도이다.
도 9 내지 도 11은 기판 처리 장치에서의 기판 처리 과정을 단계적 설명하기 위한 도면들이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *
110: 기판 지지부재
120 : 하부 챔버
130 : 상부 챔버
140 : 간접분사노즐부재
180 : 직접분사노즐부재
본 발명은 반도체 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 기판상에 약액이나 기체를 공급하여 기판을 세정 건조하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조공정에서는 절연막 및 금속물질의 증착(Deposition), 식각(Etching), 감광제(Photo-resist)의 도포(Coating), 현상(Develop), 애셔(Asher) 제거 등이 수회 반복되어 미세한 패터닝(Patterning)의 배열을 만들어 나가게 되며, 각각의 공정에서 발생하는 이물질의 제거를 위한 공정으로는 순수(Deionized Water) 또는 약액(Chemical)을 이용한 세정공정(Wet Cleaning Process)이 있다.
일반적인 세정건조 장치는 한 장의 웨이퍼를 처리할 수 있는 웨이퍼 척(Wafer chuck)으로 웨이퍼를 고정시킨 후 모터에 의해 웨이퍼를 회전시키면서, 웨이퍼의 상부에서 분사노즐을 통해 약액 또는 순수를 흘려주어, 웨이퍼의 회전력에 의해 약액 또는 순수가 웨이퍼의 전면으로 퍼지게 하여 공정이 이루어지도록 하고 있다.
이와 같이, 매엽식 세정건조 장치에서는 순수를 이용한 린스 처리후에 N2 가스로 건조하는 방식으로 세정 건조 공정이 이루어지고 있다.
하지만, 웨이퍼가 대형과 되고, 웨이퍼 상에 형성된 패턴이 미세화되면서 세정 공정에서 사용된 순수가 완전히 제거되지 않고 미건조되는 현상이 발생되고 있다. 또한, 웨이퍼가 대기 중에 노출된 상태에서 세정 및 건조가 이루어지기 때문에 외부 환경에 많은 영향을 받아 건조 불량이 발생된다.
특히, 종래 세정 건조 장치는 챔버 하부를 통한 배기 구조로써, 기판 세정 및 건조 과정에서 발생되는 기판 상부의 근거리에 존재하는 흄(fume)의 배출이 원활하지 못하여, 그 흄으로 인해 기판이 오염되는 문제가 발생된다.
본 발명의 목적은 신속한 기판 건조가 가능한 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 목적은 외부 오염원으로 기판을 보호할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 목적은 기판 건조 과정에서 발생되는 물반점을 최소화할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 목적은 외부 환경으로부터 영향을 최소화 할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 목적은 기판 중앙의 건조 불량을 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는데 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 특징에 의하면, 기판 처리 장치는 기판이 놓여지는 척을 갖는 기판 지지부재; 상부가 개방되고, 상기 척 주변을 감싸도록 형상지어진 하부 챔버; 기판에 대한 건조 공정이 외부와 격리된 상태에서 진행되도록 상기 하부 챔버의 상부를 개방 또는 폐쇄하는 상부 챔버; 및 상기 상부 챔버에 설치되며 상기 상부 챔버가 상기 하부 챔버의 상부를 폐쇄한 상태에서 기판으로 유체를 직접 분사하는 직접분사노즐부재를 포함한다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 상기 상부 챔버의 가장자리에 설치되며 유체가 기판에 간접 분사되도록 상기 상부 챔버의 중앙을 향하여 유체를 분사하는 간접분사노즐부재를 더 포함한다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 직접분사노즐부재는 유체의 분사 지점을 변경할 수 있도록 이동 가능하다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 직접분사노즐부재는 상기 상부 챔버의 저면에 위치되며, 일단에 건조 유체 분사구를 갖는 비직선형의 제1,2노즐; 및 상기 제1,2노즐의 타단과 연결되며 상기 제1,2노즐 각각으로 유체를 공급하는 통로를 갖는 샤프트를 포함한다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 직접분사노즐부재는 상기 제1,2노즐의 유체 분사 위치를 변경할 수 있도록 상기 샤프트를 회전시키기 위한 제1구동부와, 상기 제1,2노즐의 유체 분사 높이를 변경할 수 있도록 상기 샤프트를 업다운 시키기 위한 제2구동부를 갖는다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 상부 챔버는 가장자리에 상기 직접분사노즐부재의 제1,2노즐이 대기하는 수납공간을 더 포함한다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 수납 공간은 기판보다 바깥쪽에 위치된다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 직접분사노즐부재의 상기 제1,2노즐은 호 형상으로 이루어지며, 다른 공정에 방해되지 않도록 상기 상부 챔버의 가장자리에 형성된 수납공간에서 대기하게 된다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 제1노즐은 기판 세정을 위한 유체를 분사하고, 상기 제2노즐은 기판 건조를 위한 유체를 분사한다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 상부 챔버는 상부 중앙에 상기 간접분사노즐부재로부터 분사되는 유체가 기판의 중앙에 가장 먼저 도달되도록 유체의 흐름을 안내하는 기류 유도 부재를 포함한다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 기류 유도 부재는 상기 상부 챔버의 상부 중앙으로부터 기판의 중심부를 향해 설치되는 콘 형상의 안내돌기로 이루어진다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 상부 챔버는 상기 간접분사노즐로부터 분사되는 건조유체가 상기 상부 챔버의 중앙으로 향하도록 안내하는 환형 공간; 상 기 환형 공간을 따라 상기 상부 챔버의 중앙으로 모여진 건조 유체가 기판을 향해 빠져나오는 중앙 개구; 및 상기 중앙 개구를 통해 빠져나가는 건조 유체가 기판의 중심으로부터 가장자리로 점차 확산되도록 건조 유체를 안내하는 안내면을 더 포함한다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 기류 유도 부재는 상기 상부 챔버의 상부 중앙으로부터 기판의 중심부를 향해 설치되는 콘 형상의 안내돌기로 이루어진다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 간접분사노즐부재는 상기 상부 챔버의 가장자리에 링 형태로 설치된다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 간접분사노즐부재는 상기 상부 챔버의 가장자리에 링 형태로 설치되며, 유체는 상기 안내돌기를 향해 분사된다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 특징에 의하면, 기판 처리 방법은 (a) 하부 챔버의 내측에 위치한 척에 기판을 로딩하는 단계; (b) 기판으로 세정을 위한 유체를 분사하여 기판을 세정하는 단계; (c) 기판으로 린스를 위한 유체를 분사하여 기판을 린스하는 단계; 및 (d) 기판으로 건조를 위한 유체를 분사하여 기판을 건조하는 단계를 포함하되; 상기 (d) 단계는 상기 하부 챔버가 상부 챔버에 의해 밀폐된 상태에서 상기 상부 챔버에 설치된 직접분사노즐부재가 건조 유체를 기판으로 직접분사하면서 기판을 건조한다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 (d) 단계는 상기 상부 챔버가 상기 하부 챔버를 밀폐하기 전에 상기 상부 챔버의 내부는 상기 상부 챔버에 설치된 간접분사 노즐로부터 분사되는 건조 유체에 의해 건조 유체 분위기가 조성된다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 (d) 단계는 상기 직접분사노즐부재로부터 건조 유체가 분사되기 전에, 상기 상부 챔버에 설치된 간접분사노즐부재로부터 건조 유체가 기판으로 간접 분사된다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 (d) 단계는 상기 직접분사노즐부재에 의한 직접 분사와 상기 상부 챔버에 설치된 간접분사노즐부재에 의한 간접 분사가 동시에 이루어진다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 간접분사노즐부재로부터 분사되는 건조 유체는 상기 상부 챔버의 가장자리에서 중앙을 향해 분사되고, 상기 상부 챔버의 중앙으로 모아진 건조 유체는 중앙에 형성된 중앙 개구를 통해 기판을 향해 빠져나오며, 상기 중앙 개구를 통해 빠져나가는 건조 유체는 기판의 중심으로부터 가장자리로 점차 확산되면서 기판 표면을 건조한다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 (d) 단계는 대기압 이하에서 진행된다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 (d) 단계는 상기 하부 챔버가 상기 상부 챔버에 의해 밀폐 되기 전에, 기판이 대기중에 노출되지 않도록 기판 상면으로 탈이온수를 분사하여 기판 상면에 탈이온수로 보호막을 형성하는 단계를 더 포함한다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 보호막을 형성하는 단계에서 기판은 정지되거나 또는 탈이온수가 기판 외곽으로 비산되지 않을 정도의 저속으로 회전된다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 (d) 단계는 상기 상부 챔버가 상기 하부 챔버를 부분 밀폐한 상태에서 상기 직접분사노즐부재가 기판으로 탈이온수를 분사한다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 상부 챔버는 세정을 위한 유체의 분사가 완료되기 전에 상기 하부 챔버를 부분 밀폐하는 위치로 이동되고, 기판으로 탈이온수 분사가 완료되기 전에 상기 하부 챔버를 완전 밀폐하는 위치로 이동한다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명된 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.
본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 1 내지 도 11에 의거하여 상세히 설명한다. 또, 상기 도면들에서 동일한 기능을 수행하는 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 병기한다.
본 발명은 기판의 건조 효율 증대 및 외부 오염 차단 그리고 산화막 방지 등의 효과를 얻을 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는데 있다. 이를 위해 본 발명은 기판의 건조 공정이 대기압 이하에서 처리되도록 기판 처리 공간을 외부와 격리할 수 있는 상하 분리 구조의 챔버(상부챔버와 하부챔버로 이루어짐)와, 기판으로 건조 유체를 직접 및 간접 분사할 수 있는 노즐들 및 챔버의 처리 공간을 감압하기 위한 감압부재를 갖는데 그 특징이 있습니다.
도 1은 본 발명에서 하부 챔버가 완전 밀폐된 상태의 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2는 본 발명에서 하부 챔버가 부분 밀폐된 상태의 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다. 도 3은 본 발명에서 하부 챔버가 완전 개방 상태의 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(100)는 기판(w)을 스피닝하면서 약액 세정, 린스, 그리고 건조 등의 처리 공정을 연속적으로 수행한다.
기판 처리 장치(100)는 기판(W)이 놓여지는 척(112)을 갖는 기판 지지부재(110), 하부 챔버(low chamber)(120), 상부 챔버(upper chamber)(130), 약액 노즐부재(160) 그리고 감압 부재(170)를 포함한다.
기판 지지부재(110)는 처리 공정시 기판(w)을 지지한다. 기판 지지부재(110)는 척(112), 스핀들(spindle)(114), 회전 부재(116), 승강 부재(117) 그리고 백 노즐부(118)를 갖는다.
척(112)은 하부 챔버(120)의 안쪽 공간에 배치된다. 척(112)은 상부에 기판(W)이 로딩(loading)되는 상부면(112a)과, 상부면(112)으로부터 이격된 상태로 기판(W)을 지지하는 지지핀(113a)들 그리고 기판(w)을 고정하는 척킹핀(113b)들을 갖는다. 지지핀(113a)들은 기판을 척(112)의 상부면(112a)으로부터 이격된 상태로 지지하며, 척킹핀(113b)들은 공정 진행시 기판의 가장자리 일부를 척킹한다.
스핀들(114)은 척(112)의 중앙 하부와 결합된다. 스핀들(130)은 그 내부가 비어 있는 중공축(hollow shaft) 형태로써, 회전 부재(116)의 회전력을 척(112)에 전달한다. 상세하게 도시하지는 않았지만, 회전 부재(116)는 회전력을 발생하는 모터와 같은 구동부와, 구동부로부터 발생된 회전력을 스핀들로 전달하는 벨트, 체인과 같은 동력 전달부 등의 통상적인 구성으로 이루어질 수 있다.
승강 부재(117)는 공정에 사용되는 유체 종류에 따라(또는 처리 공정에 따라) 하부 챔버(120) 내에서 척(112)의 상대높이가 변화되도록 척(112)을 상하로 이동시키기 위한 것이다. 승강 부재(117)에 의해 척(112)은 사용되는 유체의 종류(또는 처리 공정)에 따라 후술하는 제1,2,3 흡입덕트(122a,122b,122c)에 대응되는 높이로 이동된다. 상술한 예에서는 하부 챔버(120)가 고정되고, 세정 및 린스 그리고 건조 등의 과정(또는 사용되는 유체 종류)에 따라 척(112)이 상하로 이동되는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 반대로 척(112)이 고정된 상태에서 하부 챔버(120)가 상하로 이동될 수도 있다.
백 노즐부(118)는 기판(w)의 저면으로 세정 및 건조를 위한 유체를 선택적으로 분사하기 위한 것으로, 백 노즐부(118)는 스핀들(114)의 중공 부분(hollow section)을 지나는 유체의 이동경로인 공급관(118a)과 척(112)의 상면 중앙에 설치된 노즐(nozzle)(118b)을 포함한다. 노즐(118b)은 공급관(118a)과 연결되어 척(112)의 중앙부에 노출되어 기판 배면에 세정 및 건조를 위한 유체를 분사하여 기판의 배면 세정 및 건조를 수행한다. 공급관(118a)은 소정의 배관으로 구성될 수 있고, 또는 스핀들(114)의 내부의 관 형태로 비어있는 공간으로 정의될 수 있다. 노즐(118b)을 통해 기판의 배면 중앙부로 분사되는 유체는 기판의 회전에 의해 기판의 가장자리로 쉽게 분산된다.
하부 챔버(120)는 상부가 개방된 그리고 척(112) 주변을 감싸도록 형상 지어지며, 회전되는 기판상에서 비산되는 유체(또는 기판의 약액 처리 과정에서 발생되는 흄)를 유입 및 흡입하는 환형의 제1,2,3흡입덕트(122a,122b,122c)가 다단으로 배치되며, 강제 배기가 이루어지도록 진공 라인(174)과 연결되는 배기 포트(124)를 갖는다. 도시하지 않았지만, 하부 챔버(120)에는 약액 회수를 위한 배출라인들이 연결된다.
감압 부재(170)는 하부 챔버(120)와 상부 챔버(130)의 결합에 의해 형성되는 밀폐된 처리 공간(a)을 감압하기 위한 것이다. 감압 부재(170)는 진공펌프(172)와, 일단은 진공펌프(172)와 연결되고 타단은 하부 챔버(120)의 배기포트(124)와 연결되는 진공라인(174)을 갖는다.
도 1 및 도 4 내지 도 8을 참조하면, 상부 챔버(130)는 하부 챔버(120)의 상부를 개방하거나 또는 폐쇄하는 상부 컵(132)과, 상부 컵(132)에 설치되어 건조를 위한 유체를 기판으로 간접 분사하는 간접분사노즐부재(140)와, 상부 컵(132)이 하부 챔버(120)의 상부를 완전 개방, 부분 밀폐 그리고 완전 밀폐하도록 상부 컵(132)을 이동시키는 개폐 구동부(138) 그리고 상부 컵(132)에 설치되어 린스 및 건조를 위한 유체를 기판으로 직접 분사하는 직접분사노즐부재(180)를 포함한다.
상부 컵(132)은 하부 챔버(120) 상부를 충분하게 커버할 수 있는 크기로, 환형 공간(134), 안내돌기(139), 중앙 개구(135), 안내면(136) 그리고 돌출벽(137)을 갖는다.
환형 공간(134)은 간접분사노즐(140)이 설치되는 가장자리부와, 가장자리부 보다 높은 중앙부로 이루어지는 우산 모양의 공간으로, 간접분사노즐(140)로부터 분사되는 건조 유체를 중앙으로 안내하기 위하여 경사진 통로를 갖는다.
안내 돌기(139)는 간접분사노즐부재(140)로부터 분사되는 건조 유체가 기판의 중앙에 가장 먼저 도달될 수 있도록 건조 유체의 흐름을 안내하는 기류 유도 부재로써, 안내 돌기(139)는 상부 컵(132)의 상부 중앙으로부터 기판의 중심을 향해 설치되는 콘 형상으로 이루어진다. 만약, 안내 돌기(139)가 없다면 건조 유체가 상부 컵(132)의 상부 중앙에서 충돌하게 되면서 기류 흐름이 불균일해지게 된다. 따라서, 안내 돌기(139)는 상부 컵(132)의 상부 중앙에서 발생될 수 있는 건조 유체의 충돌을 방지하는 역할도 갖는다.
간접분사노즐부재(140)는 환형 공간(134)의 가장자리부에 설치되는 링 형태로 이루어질 수 있으며, 간접분사노즐부재(140)는 일정 간격마다 형성된 분사구(142)들을 가지며, 분사구(142)들은 상 방향(안내 돌기 방향)으로 건조 유체를 분사하도록 형성된다. 건조 유체는 간접분사노즐(140)의 분사구(142)들을 통해 분사된 후 환형 공간(134)을 따라 환형 공간의 중앙부(134b)에 위치하는 안내 돌기(139)를 향하게 된다.
환형 공간(134)의 중앙부에서 모인 건조 유체는 안내 돌기(139)에 의해 중앙 개구(135)를 통해 처리 공간(a)으로 빠져나가서 기판 중앙부로 향하게 된다. 돌출벽(137)은 간접분사노즐(140)로부터 분사되는 건조 유체가 흐르는 환형 공간(134)과, 기판의 처리 공간(a) 사이에 위치하는 돌출 부분으로 이 돌출벽(137)은 간접분사노즐(140)로부터 떨어지는 이물질로부터 기판을 보호하게 된다.
참고로, 건조 유체는 유기용제(IPA) 및 질소가스가 포함될 수 있으며, 유기용제 및 질소가스는 30도 이상 90도 미만의 온도로 가열된 것이 사용될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 건조 유체가 기판으로 간접 분사됨으로써 층류 기류를 전면적으로 유지할 수 있고, 기판 표면으로 직접 분사하는 종래 스윙 노즐 방식에 비해 건조 유체의 농도 분포를 균일하게 유지할 수 있다. 특히, 간접분사노즐부재(140)가 환형 공간(134) 가장자리부(안쪽으로 움푹 들어간 공간)에 위치됨으로써 간접분사노즐(140)의 분사구(142)들로부터 떨어지는 이물질이 기판으로 떨어지는 것을 방지할 수 있다. 특히, 건조 유체는 상부 커버(132) 중앙부에서 모인 후 기판(w)의 중앙부로 흐르는 안정적인 기류 흐름을 갖기 때문에 건조가 균일하게 이루어진다.
한편, 상부 컵(132)의 안내면(136)은 중앙에서 가장자리 방향으로 갈수록 높이가 낮아지도록 하향 경사지는 구조로 이루어진다. 안내면(136)은 중앙 개구(135)를 통해 빠져나가는 건조 유체가 기판의 중심으로부터 가장자리로 점차 확산되면서(퍼져나가면서) 흘러가도록 건조 유체를 안내하게 된다. 이러한 구조의 안내면(136)은 기판의 중심에 비해 가장자리로 갈수록 건조 유체의 밀도를 낮아지는 것을 방지하기 위한 것으로, 상부 컵(132)의 안내면(136)은 기판의 중심보다 가장자리로 갈수록 좁아지는 처리 공간(a)을 제공하게 된다.
이처럼 기판 상부의 처리 공간(a)은 중앙으로부터 가장자리로 갈수록 줄어들기 때문에 기판의 중앙에서 가장자리로 흐르는 건조 유체의 밀도는 가장자리로 갈수록 높아지게 된다. 또한, 건조 유체는 기판의 중심으로부터 가장자리로 점차 확 산되면서(퍼져나가면서) 흘러가기 때문에 기판 전면에 균일하게 제공된다.
특히, 유체의 이동 통로가 되는 기판 상부의 처리 공간(a)은 가장자리로 갈수록 좁아지기 때문에, 건조 유체는 기판 중심보다 기판 가장자리로 갈수록 빠르게 이동하게 된다. 따라서, 기판 표면에 잔류하는 파티클의 제거 효율 및 물기 제거 효율이 향상될 수 있는 것이다.
도 4 내지 도 8을 참조하면, 직접분사노즐부재(180)는 기판으로 건조 유체를 직접 분사하는 노즐이다. 직접분사노즐부재(180)는 기판의 상면중에서 건조가 안되는 부분을 개별적으로 추가 건조시킬 수 있는 그리고 기판의 건조 효율을 높이기 위한 것이다. 특히, 직접분사노즐부재(180)는 간접분사노즐부재(140)로부터 분사되는 건조 유체의 흐름이 최초 기판의 중앙부 쪽으로 도달이 원활하지 않은 것을 보완하기 위한 것으로, 직접분사노즐부재(180)는 기판 중앙에서 외각 방향으로 밀어내는 직접 건조 방식으로 기판 표면을 건조시킨다.
직접분사노즐부재(180)는 제1,2노즐(182a,182b), 샤프트(184), 제1구동부(187) 그리고 제2구동부(188)를 포함한다. 제1,2노즐(182a,182b)은 상부 컵(132)의 저면에 나란하게 위치된다. 제1,2노즐(182a,182b)은 타단에 탈이온수와 건조 유체를 분사하는 분사구가 형성된 노즐팁(183a,183b)을 갖으며, 일단은 샤프트(184)와 연결된다. 제1,2노즐(182a,182b)은 만곡진 형상으로 이루어지며, 다른 공정에 방해되지 않도록 상부 컵(132)의 가장자리 저면에 형성된 수납공간(131)에서 대기하게 된다. 수납공간(131)은 기판의 가장자리로부터 벗어난 지점에 위치됨으로써, 다른 공정 진행시 제1,2노즐(182a,182b)로 인한 기류 불균형 및 간섭 등이 발생되지 않는다. 예컨대, 제1,2노즐(182a,182b)의 형상은 만곡진 형상으로만 한정하는 것은 아니며 직선 등의 다양한 형상으로도 이루어질 수 있다.
샤프트(184)는 상부 컵(132)를 관통하여 수직하게 위치되며, 브라켓(181)에 의해 지지된다. 샤프트(184)는 제1구동부(187)에 의해 회전되며, 제2구동부(188)에 의해 상하 이동된다. 샤프트(184)는 제1,2노즐(182a,182b) 각각으로 탈이온수 및 건조에 사용되는 유체를 각각 공급하는 제1,2통로(184a,184b)과, 린스 유체 공급라인(198a)과 건조 유체 공급라인(198b)이 연결되는 포트(185a,185b)들을 갖는다. 샤프트(184)는 브라켓(181)상에 회전 가능하게 설치된다.
제1구동부(187)는 제1,2노즐(182a,182b)을 수평 이동시키기 위한 것으로, 회전력을 발생하는 모터(187a)와, 모터(187a)로부터 발생된 회전력을 샤프트(184)로 전달하는 풀리(187b)와, 벨트(187c) 등으로 이루어진다. 제2구동부(188)는 제1,2노즐(182a,182b)을 상하 이동시키기 위한 것으로, 제1,2노즐(182a,182b)은 수납공간(131)에 수납되기 위해 상하 이동되고, 제1,2노즐(182a,182b)의 분사 높이를 조절하기 위해 상하 이동된다. 한편, 직접분사노즐부재(180)는 감지부(189)를 갖는다. 이처럼, 본 발명은 감지부(189)가 샤프트(184)의 회전 각도 및 높이를 검출함으로써 제1,2구동부(187,188)의 오작동으로 인한 공정 불량을 사전에 예방할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 기판 처리 장치(100)는 직접분사노즐부재(180)가 간접분사노즐부재(140)에 의해서도 건조가 안 되는 특정 부위(중앙 부분이나 가장자리 부분 등)로 건조 유체를 직접 분사함으로써 건조 효율을 향상시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 기판 처리 장치(100)는 상부 챔버(130)에 의해 기판(w)의 처리 공간(a)이 외부와 격리될 뿐만 아니라, 외부와 격리된 기판(w)의 처리 공간(밀폐 공간;a)이 대기압 이하로 감압될 수 있는 구조적인 특징을 갖는다. 이러한 구조적인 특징에 의하면, 기판의 건조 공정에서 외부 환경에 의한 영향을 최소화 할 수 있고, 신속한 기판 건조가 가능하다.
도시되지 않았지만, 하부 챔버(120)와 기판 지지부재(110)의 척(112)은 상대적으로 또는 개별적으로 승강하도록 구성될 수 있으며, 이들을 승,하강시킨 상태에서 기판(w)을 기판 지지부재(110)의 척(112)으로 로딩하거나, 처리가 끝난 기판(W)을 언로딩할 수 있다.
도 1 및 도 3을 참조하면, 약액 노즐 부재(160)는 기판(w)의 상면으로 세정을 위한 유체 및 린스를 위한 유체를 분사하기 위한 것으로, 약액 노즐 부재(160)는 노즐 이동부재(164)에 의해 상하방향으로 직선이동 되거나 웨이퍼(W)의 중심 상부에서 하부 챔버(120)의 외측으로 회전 이동되는 약액 노즐(162)을 포함한다. 노즐 이동부재(164)는 약액 노즐(162)이 결합되는 수평 지지대(166)와 이에 결합되며 모터(미도시됨)에 의해 회전 가능한 수직 지지대(168)를 가진다.
이와 같이, 본 발명의 기판 처리 장치(100)는 기판의 세정 및 건조 방식에 따라 분사구들의 개수 또는 분사구들로 공급되는 유체의 종류를 변경할 수 있으며, 분사구들간의 간격 역시 변경될 수 있다. 예컨대, 세정을 위한 유체에는 탈이온수와 불산 용액이 혼합된 혼합액, 탈이온수, 암모니아 용액과 과산화수용액이 혼합된 혼합액 등이 사용될 수 있으며, 린스를 위한 유체에는 탈이온수가 사용될 수 있으 며, 건조를 위한 유체에는 이소프로필알콜 증기와 질소가스가 혼합된 가스, 질소 가스 등이 사용될 수 있다.
상기와 같은 기판 처리 장치를 사용하여 기판을 세정 건조하는 공정을 살펴보면 다음과 같다.
도 9를 참조하면, 기판(w)은 하부 챔버(120)의 개방된 상부를 통해 척(122)에 로딩된다. 기판(w)은 지지핀(113a)들에 지지된 상태에서 척킹핀(113b)들에 의해 척킹된다, 기판(w)은 회전부재(116)의 동작에 의해 척(112)과 함께 회전된다. 이후, 회전되는 기판은 약액노즐부재(160)의 약액노즐(162)을 통해 분사되는 유체에 의해 세정 및 수세 처리된다. 세정 및 수세 과정은 상부 챔버가 완전 개방된 상태에서 진행된다.
기판의 세정 처리가 완료되면, 기판(w)에 대한 건조 처리가 진행된다. 기판의 건조 처리는 기판 표면에 물반점이 발생되지 않도록 기판 표면으로 탈이온수를 분사하여 보호막을 형성한 후 신속하게 대기압 이하의 환경에서 진행되는 것이 특징이다.
건조 과정을 자세히 살펴보면, 도 10에 도시된 바와 같이, 상부 컵은 하부 챔버를 밀폐하기 위해 완전 개방 위치에서 부분 밀폐 위치로 1차 이동된다. 이때, 직접분사노즐부재는 기판 표면이 대기 중에 노출되지 않도록 제1,2노즐을 기판의 중심 상부로 이동시키고, 제1노즐을 통해 기판 표면으로 탈이온수를 분사하여 기판 표면에 탈이온수로 보호막을 형성시킨다. 탈이온수가 기판 표면으로 분사될 때 기판은 정지된 상태 또는 1rpm에서 30rpm 정도의 저속으로 회전되는 것이 바람직하 다. 즉, 기판은 탈이온수가 원심력에 의해 외곽으로 비산되지 않도록 저속으로 회전된다. 상부 컵이 부분 밀폐 위치로 이동될 때, 상부 컵의 내부는 간접분사노즐부재로부터 분사되는 건조 유체에 의해 건조 분위기로 조성된다.
탈이온수 보호막을 형성한 후, 상부 컵은 하부 챔버를 밀폐하기 위해 부분 밀폐 위치에서 완전 밀폐 위치로 2차 이동된다(도 11 참조). 도 11을 참조하면, 상부 컵에 의해 밀폐된 처리 공간(a)은 감압 부재(170)에 의해 대기압 이하로 감압된다. 처리 공간(a)이 대기압 이하로 감압되면, 기판(w)은 간접분사노즐(140)을 통해 간접 분사되는 건조 유체와 직접분사노즐(180)의 제2노즐을 통해 기판으로 직접 분사되는 건조 유체에 의해 건조된다. 여기서, 건조 유체는 처리 공간(a)이 감압되기 이전(상부 챔버가 하부 챔버를 밀폐시키기 위해 이동하는 순간)부터 간접분사노즐(140)을 통해 제공된다. 한편, 간접분사노즐(140)은 돌출벽(137)에 의해 차단된 환형 공간(134)의 가장자리부(134a)에 위치되고, 분사구(142)가 상방향을 향하기 때문에 분사구(142)로부터 떨어지는 이물질로 인한 기판 오염을 방지할 수 있다. 건조 유체는 간접분사노즐(140)의 분사구(142)들을 통해 분사된 후 환형 공간(134)을 따라 환형 공간의 중앙부(134b)(상부 컵의 중앙)로 모이게 된다. 환형 공간(134)의 중앙부(134b)에서 모인 건조 유체는 중앙 개구(135)를 통해 처리 공간(a)의 기판 중앙부분으로 향하게 된다. 중앙 개구(135)를 통해 기판의 중앙부분으로 향한 건조 유체는 회전하는 기판(w)의 중심으로부터 가장자리로 점차 확산되면서(퍼져나가면서) 기판 표면을 신속하게 그리고 균일하게 건조시킨다.
한편, 직접분사노즐(180)은 기판 중앙에서 외각 방향으로 밀어내는 직접 건 조 방식으로 기판 표면을 건조시킨다. 직접분사노즐(180)은 건조 유체가 기판의 중앙으로부터 분사되기 시작하여 기판의 외곽으로 퍼지면서 분사되도록 기판 중앙에서 가장자리로 이동하면서 건조 유체를 분사하게 된다. 선택적으로, 직접분사노즐부재는 제2노즐이 건조 불량이 발생되는 특정 영역으로 건조 유체를 집중 분사하도록 제어될 수 있다.
본 발명에서는 기판의 상면과 저면을 동시에 세정 및 건조할 수 있다. 기판(w)의 저면 세정 및 건조는 기판이 회전되는 상태에서, 백 노즐부(150)의 노즐(152)을 통해 기판(w) 상부로 제공되는 유체와 동일한 유체가 기판의 저면으로 공급되면서 이루어진다.
기판 건조 과정이 완료되면, 하부 챔버(120)의 상부 개방을 위해 상부 챔버(130)의 상부 컵(132)은 도 10에 도시된 부분 밀폐 위치까지 상승된 후, 도 9에 도시된 완전 개방 위치로 이동된다. 기판(w)은 척(112)이 정지된 상태에서 척(112)으로부터 언로딩된다.
본 발명은 기판을 액상(또는 기체상태)의 유체로 처리하는 모든 설비에 적용 가능하다. 그러한 실시예 중에서 바람직한 실시예로 반도체 세정 공정에서 사용되는 회전형 세정 장치를 예를 들어 설명한 것으로, 본 발명은 회전형 식각 장치(rotary etching apparatus) 등에도 사용될 수 있다.
이상에서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성 및 작용을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능함은 물론이다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 신속한 기판 건조가 가능하다.
또한, 본 발명은 건조 유체를 기판에 간접 분사하여 층류기류를 전면적으로 유지 가능하고, 건조 유체의 농도 분포를 균일하게 유지할 수 있다.
또한, 본 발명은 간접분사노즐이 상부를 향하고 있어 이물질이 기판으로 떨어지는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 건조시 외부 오염원으로 기판을 보호할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 건조 과정에서 발생되는 물반점을 최소화할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 건조시 외부 환경으로부터 영향을 최소화 할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판이 공기와 접촉하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 건조를 위해 공급되는 유체의 농도 및 온도 변화를 최소할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 중앙부분의 건조 효율을 높일 수 있다.

Claims (25)

  1. 삭제
  2. 기판 처리 장치에 있어서:
    기판이 놓여지는 척을 갖는 기판 지지부재;
    상부가 개방되고, 상기 척 주변을 감싸도록 형상지어진 하부 챔버;
    기판에 대한 건조 공정이 외부와 격리된 상태에서 진행되도록 상기 하부 챔버의 상부를 개방 또는 폐쇄하는 상부 챔버;
    상기 상부 챔버에 설치되며 상기 상부 챔버가 상기 하부 챔버의 상부를 폐쇄한 상태에서 기판으로 유체를 직접 분사하는 직접분사노즐부재; 및
    상기 상부 챔버의 가장자리에 설치되며 유체가 기판에 간접 분사되도록 상기 상부 챔버의 중앙을 향하여 유체를 분사하는 간접분사노즐부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 기판 처리 장치에 있어서:
    기판이 놓여지는 척을 갖는 기판 지지부재;
    상부가 개방되고, 상기 척 주변을 감싸도록 형상지어진 하부 챔버;
    기판에 대한 건조 공정이 외부와 격리된 상태에서 진행되도록 상기 하부 챔버의 상부를 개방 또는 폐쇄하는 상부 챔버; 및
    상기 상부 챔버에 설치되며 상기 상부 챔버가 상기 하부 챔버의 상부를 폐쇄한 상태에서 기판으로 유체를 직접 분사하는 직접분사노즐부재를 포함하되;
    상기 직접분사노즐부재는 유체의 분사 지점을 변경할 수 있도록 이동 가능한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 기판 처리 장치에 있어서:
    기판이 놓여지는 척을 갖는 기판 지지부재;
    상부가 개방되고, 상기 척 주변을 감싸도록 형상지어진 하부 챔버;
    기판에 대한 건조 공정이 외부와 격리된 상태에서 진행되도록 상기 하부 챔버의 상부를 개방 또는 폐쇄하는 상부 챔버; 및
    상기 상부 챔버에 설치되며 상기 상부 챔버가 상기 하부 챔버의 상부를 폐쇄한 상태에서 기판으로 유체를 직접 분사하는 직접분사노즐부재를 포함하되;
    상기 직접분사노즐부재는
    상기 상부 챔버의 저면에 위치되며, 일단에 건조 유체 분사구를 갖는 비직선형의 제1,2노즐; 및
    상기 제1,2노즐의 타단과 연결되며 상기 제1,2노즐 각각으로 유체를 공급하는 통로를 갖는 샤프트를 포함하는 것을 특징으로 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 직접분사노즐부재는
    상기 제1,2노즐의 유체 분사 위치를 변경할 수 있도록 상기 샤프트를 회전시키기 위한 제1구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 직접분사노즐부재는
    상기 제1,2노즐의 유체 분사 높이를 변경할 수 있도록 상기 샤프트를 업다운 시키기 위한 제2구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 상부 챔버는 가장자리에 상기 직접분사노즐부재의 제1,2노즐이 대기하 는 수납공간을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 수납 공간은 기판보다 바깥쪽에 위치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제4항에 있어서,
    상기 직접분사노즐부재의 상기 제1,2노즐은 호 형상으로 이루어지며, 다른 공정에 방해되지 않도록 상기 상부 챔버의 가장자리에 형성된 수납공간에서 대기하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 제1노즐은 기판 세정을 위한 유체를 분사하고, 상기 제2노즐은 기판 건조를 위한 유체를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 제2항에 있어서,
    상기 상부 챔버는 상부 중앙에 상기 간접분사노즐부재로부터 분사되는 유체가 기판의 중앙에 가장 먼저 도달되도록 유체의 흐름을 안내하는 기류 유도 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 기류 유도 부재는
    상기 상부 챔버의 상부 중앙으로부터 기판의 중심부를 향해 설치되는 콘 형상의 안내돌기로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 상부 챔버는
    상기 간접분사노즐로부터 분사되는 건조유체가 상기 상부 챔버의 중앙으로 향하도록 안내하는 환형 공간;
    상기 환형 공간을 따라 상기 상부 챔버의 중앙으로 모여진 건조 유체가 기판을 향해 빠져나오는 중앙 개구; 및
    상기 중앙 개구를 통해 빠져나가는 건조 유체가 기판의 중심으로부터 가장자리로 점차 확산되도록 건조 유체를 안내하는 안내면을 더 포함하며,
    상기 기류 유도 부재는
    상기 상부 챔버의 상부 중앙으로부터 기판의 중심부를 향해 설치되는 콘 형상의 안내돌기로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  14. 제12항 또는 제13항에 있어서,
    상기 간접분사노즐부재는 상기 상부 챔버의 가장자리에 링 형태로 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  15. 제12항 또는 제13항에 있어서,
    상기 간접분사노즐부재는 상기 상부 챔버의 가장자리에 링 형태로 설치되며, 유체는 상기 안내돌기를 향해 분사되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  16. 기판 처리 방법에 있어서:
    (a) 하부 챔버의 내측에 위치한 척에 기판을 로딩하는 단계;
    (b) 기판으로 세정을 위한 유체를 분사하여 기판을 세정하는 단계;
    (c) 기판으로 린스를 위한 유체를 분사하여 기판을 린스하는 단계; 및
    (d) 기판으로 건조를 위한 유체를 분사하여 기판을 건조하는 단계를 포함하되;
    상기 (d) 단계는
    상기 하부 챔버가 상부 챔버에 의해 밀폐된 상태에서 상기 상부 챔버에 설치된 직접분사노즐부재가 건조 유체를 기판으로 직접분사하면서 기판을 건조하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 (d) 단계는
    상기 상부 챔버가 상기 하부 챔버를 밀폐하기 전에 상기 상부 챔버의 내부는 상기 상부 챔버에 설치된 간접분사노즐로부터 분사되는 건조 유체에 의해 건조 유 체 분위기가 조성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 (d) 단계는
    상기 직접분사노즐부재로부터 건조 유체가 분사되기 전에, 상기 상부 챔버에 설치된 간접분사노즐부재로부터 건조 유체가 기판으로 간접 분사되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 (d) 단계는
    상기 직접분사노즐부재에 의한 직접 분사와 상기 상부 챔버에 설치된 간접분사노즐부재에 의한 간접 분사가 동시에 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 간접분사노즐부재로부터 분사되는 건조 유체는 상기 상부 챔버의 가장자리에서 중앙을 향해 분사되고, 상기 상부 챔버의 중앙으로 모아진 건조 유체는 중앙에 형성된 중앙 개구를 통해 기판을 향해 빠져나오며, 상기 중앙 개구를 통해 빠져나가는 건조 유체는 기판의 중심으로부터 가장자리로 점차 확산되면서 기판 표면을 건조하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  21. 제16항에 있어서,
    상기 (d) 단계는
    대기압 이하에서 진행되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  22. 제16항에 있어서,
    상기 (d) 단계는
    상기 하부 챔버가 상기 상부 챔버에 의해 밀폐 되기 전에, 기판이 대기중에 노출되지 않도록 기판 상면으로 탈이온수를 분사하여 기판 상면에 탈이온수로 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 보호막을 형성하는 단계에서 기판은 정지되거나 또는 탈이온수가 기판 외곽으로 비산되지 않을 정도의 저속으로 회전되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  24. 제16항에 있어서,
    상기 (d) 단계는
    상기 상부 챔버가 상기 하부 챔버를 부분 밀폐한 상태에서 상기 직접분사노즐부재가 기판으로 탈이온수를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 상부 챔버는 세정을 위한 유체의 분사가 완료되기 전에 상기 하부 챔버를 부분 밀폐하는 위치로 이동되고, 기판으로 탈이온수 분사가 완료되기 전에 상기 하부 챔버를 완전 밀폐하는 위치로 이동하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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CNB200710108456XA CN100565791C (zh) 2006-08-30 2007-06-14 处理基材的设备和方法
TW096122325A TWI389186B (zh) 2006-08-30 2007-06-21 處理基板的裝置及其方法
JP2007223636A JP4538754B2 (ja) 2006-08-30 2007-08-30 基板処理装置および基板処理方法

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101458512B1 (ko) * 2013-02-27 2014-11-07 청진테크 주식회사 세정 장치

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4943381B2 (ja) * 2008-06-05 2012-05-30 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
CN101802982B (zh) 2008-06-05 2012-05-23 东京毅力科创株式会社 液体处理装置和液体处理方法
US8501025B2 (en) 2010-03-31 2013-08-06 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
US8485204B2 (en) * 2010-05-25 2013-07-16 Lam Research Ag Closed chamber with fluid separation feature
KR101329301B1 (ko) * 2010-08-12 2013-11-14 세메스 주식회사 기판 처리 장치
US10269615B2 (en) * 2011-09-09 2019-04-23 Lam Research Ag Apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles
JP6010398B2 (ja) * 2012-08-31 2016-10-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR101512560B1 (ko) 2012-08-31 2015-04-15 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판처리장치
JP6351993B2 (ja) * 2013-03-18 2018-07-04 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
CN103234328B (zh) * 2013-03-28 2015-04-08 京东方科技集团股份有限公司 一种基板减压干燥方法及装置
JP6032189B2 (ja) 2013-12-03 2016-11-24 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、記憶媒体
JP6215748B2 (ja) * 2014-03-28 2017-10-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR101905289B1 (ko) 2014-03-28 2018-10-05 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6224501B2 (ja) * 2014-03-28 2017-11-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6280789B2 (ja) * 2014-03-28 2018-02-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6280790B2 (ja) * 2014-03-28 2018-02-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6279954B2 (ja) 2014-03-28 2018-02-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
WO2017218152A1 (en) * 2016-06-16 2017-12-21 Applied Materials, Inc. Wafer processor door interface
KR20170020830A (ko) 2017-02-06 2017-02-24 김용관 스마트폰 거치대를 갖춘 베개
JP7166089B2 (ja) * 2018-06-29 2022-11-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法
JP7197376B2 (ja) * 2019-01-17 2022-12-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
KR102535766B1 (ko) * 2021-08-24 2023-05-26 (주)디바이스이엔지 백 노즐 어셈블리를 포함하는 기판 처리장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10106999A (ja) * 1996-09-26 1998-04-24 Shinko Electric Co Ltd ウェーハ洗浄装置
KR20020044536A (ko) * 2000-12-05 2002-06-15 시바가키 키조오 매엽식 기판세정방법 및 매엽식 기판세정장치
JP2003280218A (ja) 2002-03-27 2003-10-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3222013B2 (ja) * 1994-07-25 2001-10-22 シャープ株式会社 基板処理装置
KR200244536Y1 (ko) 1995-06-05 2001-12-01 류정열 승합차용사이드스텝
JP3442219B2 (ja) 1996-04-01 2003-09-02 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US6164297A (en) * 1997-06-13 2000-12-26 Tokyo Electron Limited Cleaning and drying apparatus for objects to be processed
JPH11265873A (ja) 1998-03-17 1999-09-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板乾燥装置およびそれを用いた基板処理装置
US6315858B1 (en) * 1998-03-18 2001-11-13 Ebara Corporation Gas polishing apparatus and method
JPH11304361A (ja) 1998-04-20 1999-11-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板乾燥装置およびそれを用いた基板処理装置
JP2001176833A (ja) * 1999-12-14 2001-06-29 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP3953248B2 (ja) 2000-01-14 2007-08-08 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4040270B2 (ja) * 2001-06-25 2008-01-30 東京エレクトロン株式会社 基板の処理装置
JP2003017461A (ja) * 2001-07-03 2003-01-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP3958539B2 (ja) * 2001-08-02 2007-08-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP3958572B2 (ja) * 2001-12-26 2007-08-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2003338450A (ja) * 2002-05-22 2003-11-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理システム
JP2004254830A (ja) 2003-02-25 2004-09-16 Toshiba Corp 食器洗浄機
JP4105574B2 (ja) * 2003-03-26 2008-06-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2006114884A (ja) * 2004-09-17 2006-04-27 Ebara Corp 基板洗浄処理装置及び基板処理ユニット
KR100797079B1 (ko) * 2006-07-12 2008-01-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10106999A (ja) * 1996-09-26 1998-04-24 Shinko Electric Co Ltd ウェーハ洗浄装置
KR20020044536A (ko) * 2000-12-05 2002-06-15 시바가키 키조오 매엽식 기판세정방법 및 매엽식 기판세정장치
JP2003280218A (ja) 2002-03-27 2003-10-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101458512B1 (ko) * 2013-02-27 2014-11-07 청진테크 주식회사 세정 장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN101136310A (zh) 2008-03-05
TW200811934A (en) 2008-03-01
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