TWI389186B - 處理基板的裝置及其方法 - Google Patents
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Description
本申請案主張於2006年8月30號向韓國智慧財產局提出申請之韓國專利申請案第2006－82799號的優先權，該專利申請案所揭露之內容系完整結合於本說明書中。
本發明是有關於一種基板處理裝置。特別地，本發明是有關於一種對基板上表面施用化學制劑或氣體以清潔與乾燥該基板的基板處理裝置，以及一使用此基板處理裝置的基板處理方法。
在半導體裝置的製作過程中，精細圖案的形成是藉由反覆沉澱與蝕刻絕緣層與金屬材料、塗佈與顯影光阻劑(photoresist)、去除光阻而達成。於上述制程中產生的粒子藉由使用了去離子水(deionized water,DI water)或化學制劑的一濕式清洗過程而去除。
傳統的清潔與乾燥裝置包括一晶圓夾盤(wafer chunck)，用於承載晶圓。當晶圓夾盤承載晶圓藉由一馬達的驅動而轉動時，去離子水或化學制劑會供應至晶圓的表面。藉由晶圓的轉動力，所供應的去離子水或化學制劑會擴散至整個晶圓的表面，從而實施清潔與乾燥制程。
在此單晶圓的清潔與乾燥裝置中，晶圓藉由去離子水而進行清洗，而清洗後的晶圓藉由氮氣而進行乾燥。
然而，隨著近來發展更大直徑晶圓以及晶圓上更高精細圖案的趨勢，去離子水或許不能全部被清除(乾燥)。由於晶圓的清潔與乾燥過程暴露於空氣中，外界的環境會對晶圓的乾燥制程產生較大的影響而引致晶圓乾燥不良。
特別地，傳統清潔和乾燥裝置於腔室底部配置了一排氣(exhaust)結構。盡管有此排氣結構，在清潔和乾燥過程中於基板上產生的煙霧還是不能順利的排出。因此，煙霧會造成基板的污染。
本發明之較佳實施例提供了一種基板處理裝置。在一較佳實施例中，基板處理裝置例如包括：一具有夾盤的基板支撐單元，用於承載基板；一開頂式底部腔室，圍繞於夾盤周圍；一頂部腔室，用於打開與關閉底部腔室的頂部，當頂部腔室與外界隔絕時能使基板乾燥；以及一直接注射噴嘴構件，裝設於頂部腔室內，用於當底部腔室的頂部關閉時直接將流體注入至基板。
本發明之較佳實施例提供了一種基板處理方法。在一較佳實施例中，基板處理方法例如包括：將基板裝載至裝設於底部腔室內的夾盤上；將清潔用流體(fluid)注入至基板，以清潔此基板；將清洗流體注入至基板，以清洗此基板；將乾燥流體注入至基板，以乾燥此基板，其中在注入乾燥流體至基板時，當底部腔室藉由頂部腔室與外界隔絕時，裝置於頂部腔室的直接注射噴嘴直接地將乾燥流體注入至基板，以乾燥此基板。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
本發明將充分結合較佳實施例之圖示進行詳細描述。本發明可以有多種實施方式，並不限於本文所提及之較佳實施例。然而本文所提及之較佳實施例能夠充分和徹底地揭示本發明內容，並能夠將本發明的概念充分傳達給所屬領域具有通常技藝者。圖示中相同的標號代表相同的元件。
圖1繪示了底部腔室完全封閉的基板處理裝置。圖2繪示了底部腔室部分封閉的基板處理裝置。圖3繪示了底部腔室完全打開的基板處理裝置。
請參考圖1至圖3，基板處理裝置100接連實施處理過程，例如化學清潔過程，清洗過程與乾燥過程。
基板處理裝置100包括一基板支撐單元110，一底部腔室120，一頂部腔室130，一化學制劑噴嘴單元160，以及一減壓單元170。
基板支撐單元110用於在基板處理過程中支撐基板W，且其包括一夾盤112，一轉軸(spindle)114，一旋轉構件116，一提升構件(elevating member)117，以及一後噴嘴118。
夾盤112設置於底部腔室120中。夾盤112具有一上表面112a,用於承載基板W；支撐腳(support pin)113a，用於支撐基板W,同時將基板W與頂部表面112a隔開；夾盤腳(chucking pin)113b，用於固定基板W。夾盤腳113b在處理過程中夾固基板W之邊緣的一部分。
轉軸114耦接於夾盤112的底部中央。轉軸114為一中空軸的形式，將旋轉構件116的轉動力傳輸至夾盤112。雖然未詳細繪示出，但旋轉構件116可包括一驅動器，例如馬達，以產生一轉動力；一動力傳輸單元，例如傳送帶或傳輸鏈，用於將驅動器所產生的轉動力傳輸至轉軸。
升降構件117能使夾盤112向上或向下移動，以使夾盤112的高度在底部腔室120中隨著處理過程所使用的流體種類而變化(或隨處理過程而變化)。基於此升降構件117，夾盤112依據所使用流體的種類(或依據處理過程)可移動至相對應於第一、第二與第三吸收導管(suction duct)122a、122b與122c(將於後文詳述)的高度。如上所述，底部腔室120被固定，而夾盤112隨著處理過程，例如清潔、水洗、乾燥(或隨著所使用流體的種類)而上下移動。相反，當夾盤112固定時，底部腔室120可上下移動。
背後噴嘴118選擇性地將用於清潔或乾燥基板W的流體注入至基板W的底部。背後噴嘴118包括一供應管118a以及一噴嘴118b。供應管118a可作為流經轉軸114中空部分，以及流經裝設於夾盤112上表面中央的噴嘴118b之流體的流動通道。噴嘴118b暴露於夾盤112中央部分連接供應管118a，用於將流體注入至基板W的背後表面，以清潔和乾燥基板W的後表面。供應管118a可為一預定的導管或以轉軸114之中空空間為內部導管。噴嘴118b注入基板W之背後表面中央的流體藉由基板W的轉動而擴散至基板W的邊緣。
底部腔室120具有敞開的頂部，且底部腔室120環繞於夾盤112周圍。第一、第二與第三吸收導管122a、122b與122c為呈階梯式分佈的環形吸收導管，以使於旋轉基板W之上擴散的流體(或基板W經化學處理時產生的煙霧)流入。每個吸收導管122a、122b或122c都具有一連接於真空管線174的排出口(exhaust port)124，以強制性地排出流體。排出管線(未繪示)連接於底部腔室120，用於回收化學制劑。
減壓單元170將藉由底部腔室120與頂部腔室130的耦接而形成的一封閉的處理空間“a”減壓。減壓單元170包括一真空泵浦(vacuum pump)172與一真空管線174，其中真空管線174一端連接於真空泵浦172，另一端連接於底部腔室120的排出口124。
請參考圖1、以及圖4至圖8，頂部腔室130包括一頂罩132，其用於打開與關閉底部腔室120之頂端；一裝設於頂罩132上的間接注射噴嘴140，以將用於乾燥基板W的流體間接地注入至基板W；一打開/關閉驅動器138，用於驅動頂罩132全部打開、部分關閉或全部關閉底部腔室120之頂端；以及一裝設於頂罩132上的直接注射噴嘴構件180，以將用於清洗與乾燥基板W的流體直接地注入至基板W。
頂罩132之設計尺寸可以完全覆蓋底部腔室120之頂端，且頂罩132具有一環形空間(annular space)134，一導引凸起(guide protrusion)139，一中央孔徑(central aperture)135，一導引表面136，以及一前伸壁(protrusive wall)137。
環形空間134為一傘型空間,其包括一裝設有間接注射噴嘴140的邊緣部分，以及一高於邊緣部分的中央部分。環形空間134具有一傾斜通道，用於將間接注射噴嘴構件140所注入的乾燥流體引導至中央部分。
導引凸起139為一流動引導構件，用於引導乾燥流體的流動，以使從間接注射噴嘴140注入的乾燥流體能夠首先流向基板W的中央。導引凸起139的外型為一從頂罩132的頂部中央凸向基板W中央的圓錐體(cone)。若沒有導引凸起139，則從間接注射噴嘴注入的乾燥流體會由於相互碰撞而產生非均勻性流動。因此，導引凸起139能使頂罩132頂部中央的乾燥流體避免相互碰撞。
間接注射噴嘴140裝設於環形空間134的邊緣部分且呈一環形。間接注射噴嘴140包括多個均勻間隔的注射孔142。每個注射孔142都能沿向上的方向(導引凸起139的方向)將乾燥流體注入。間接注射噴嘴140藉由注射孔142將乾燥流體注入後，乾燥流體沿環形空間134流向裝設於環形空間134之中央部分134b的導引凸起139。
於環形空間134的中央部分134b所收集的乾燥流體藉由導引凸起139經由中央孔徑135排出至一處理空間“a”。前伸壁137為處理空間“a”與環形空間134之間的一前伸部分，由間接注射噴嘴140所注入的乾燥流體流經此前伸壁137。前伸壁137能保護基板W不受從間接注射噴嘴140掉落的外來物質(foreign substances)的影響。
值得注意的是，乾燥流體可包括有機溶劑(organic solvent)例如異丙醇(isopropyl alcohol，IPA)與被加熱至20至90攝氏度的氮氣。
如上所述，乾燥流體間接地注入，呈片狀流動，且乾燥流體的濃度分佈比使用傳統的擺動噴嘴直接將流體噴注至基板表面所形成的流體濃度分佈更加均勻。間接注射噴嘴140裝設於環形空間134的邊緣部分(向內凹入部分)，以阻止外來物質從間接注射噴嘴140的注射孔142掉落至基板W。特別地，由於乾燥流體是在頂罩132的中央部分聚集後，再穩定地流向基板W的中央部分，因此可均勻地乾燥基板W。
頂罩132的導引表面136從其中央至邊緣向下傾斜。導引表面136引導經由中央孔徑135排出的乾燥流體，以使乾燥流體逐漸由基板W的中央擴散至邊緣。由於向下傾斜的導引表面136的存在，即使當乾燥流體從基板W的中央擴散至其邊緣時，乾燥流體的濃度也不會降低。導引表面136定義出一由基板W的中央漸縮至基板邊緣的處理空間“a”。
由於處理空間“a”是由基板W的中央漸縮至基板邊緣，因此由基板W的中央流向其邊緣的乾燥流體，其在基板W的邊緣處的濃度高於在基板W的中央處的濃度。此外，由於乾燥流體是由基板W的中央逐漸擴散至基板W的邊緣，因此可以均勻地覆蓋基板W的整個表面。
由於流體的流動通道，亦即處理空間“a”由基板W的中央至其邊緣逐漸變窄，乾燥流體在基板W之邊緣處的流速高於在基板W之中央處的流速，因此能夠提高遺留在基板W之表面的水分或粒子的移除效率。
請參考圖4至圖8，直接注射噴嘴構件180用於直接地將乾燥流體注入至基板。直接注射噴嘴構件180能將基板上表面未乾燥的部分個別地處理乾燥，以提升基板乾燥效率。特別地，直接注射噴嘴構件180有助於經由間接注射噴嘴構件140的處理而未完全乾燥的基板中央部分的乾燥。直接注射噴嘴構件180將乾燥流體從基板中央推至邊緣，以直接地乾燥基板的表面。
直接注射噴嘴構件180包括第一與第二噴嘴182a與182b、一轉軸184、一第一驅動器187、以及一第二驅動器188。第一與第二噴嘴182a與182b併排裝設於頂罩132的底部表面。第一與第二噴嘴182a與182b分別於其一端具有噴嘴尖(nozzle tip)183a與183b，注射孔形成於噴嘴尖183a與183b上，用以分別注入去離子水與乾燥流體。噴嘴182a與182b的另一端連接於轉軸184。第一與第二噴嘴182a與182b呈彎曲狀，且裝設於容納空間(accommodating space)131內，而容納空間131則位於頂罩132之下表面的邊緣，以避免阻礙其他的處理過程。例如，第一與第二噴嘴182a與182b可呈弧形。容納空間131所裝設之位置同基板的邊緣隔開，以避免在其他的處理過程中由第一與第二噴嘴182a與182b所引致的流動的不平衡與干擾。雖然本實施例中第一與第二噴嘴182a與182b呈彎曲狀，但其也可製作為其他形狀，例如直線狀。
轉軸184垂直地穿過頂罩132，且藉由一支架181來支撐。轉軸184藉由第一驅動器187的驅動來轉動，且藉由第二驅動器188的驅動來上下移動。轉軸184具有第一與第二通道184a與184b，去離子水與乾燥流體分別經由這兩個通道供應至第一與第二噴嘴182a與182b，轉軸184還具有端口185a與185b，用於分別連接清洗流體供應管線198a與乾燥流體供應管線198b。轉軸184在支架181上轉動。
第一驅動器187能使第一與第二噴嘴182a與182b水平移動，且第一驅動器187包括一馬達187a，用於產生轉動力；一滑輪(pulley)187b，用於將所產生的轉動力從馬達187傳輸至轉軸184；以及一傳動帶(belt)187c。第二驅動器188能使第一與第二噴嘴182a與182b上下移動。第一與第二噴嘴182a與182b的上下移動用於控制第一與第二噴嘴182a與182b的注射高度，且其移動範圍限制於容納空間131內。直接注射噴嘴構件180包括一感應器189。感應器189可偵測轉軸184的轉動角度與高度，以預防由於第一與第二驅動器187與188的故障而引發的不良處理過程。
根據上述的基板處理裝置100，直接注射噴嘴構件180直接地將乾燥流體注射至經過間接注射噴嘴140處理卻未乾燥均勻的特定部位(例如中央部位、邊緣部位等)，以提高基板的乾燥效率。
此外，基板W的處理空間“a”藉由頂部腔室130而與外部隔絕，且隔絕的處理空間“a”可減壓至低於一個大氣壓力。因此，可將外部環境對基板乾燥處理過程的影響減至最低，且基板可被快速地乾燥。
雖然未於圖中繪示，底部腔室120與基板支撐單元110的夾盤112也可被相應地或個別地提升。當底部腔室120與夾盤112上升或下降時，可將基板W裝載於夾盤112上，或者將經過處理的基板W從其上卸載下來。
請再參考圖1與圖3，化學制劑噴嘴單元160用於注射清潔用流體與清洗流體至基板W的上表面。化學制劑噴嘴單元160包括一化學制劑噴嘴162，其可藉由一噴嘴移動構件164而垂直上下移動或從晶圓W中央的頂部旋轉移動至底部腔室120的外側。噴嘴移動構件164包括一水平支撐166，連接於化學制劑噴嘴162；以及一連接於水平支撐166的垂直支撐168，其可藉由一馬達的驅動而轉動(未繪示)。
根據上述的基板處理裝置100，注射孔的數量或供應至注射孔的流體類型可隨著清潔與乾燥基板的不同方法而變化。此外，注射孔的間隔也可改變。例如，清潔流體可為去離子水和氫氟酸(HF)的混合溶液，或為去離子水、氨水(ammonia solution)與雙氧水(hydrogen peroxide solution)的混合溶液；清洗流體可為去離子水；以及乾燥流體可為異丙醇蒸氣(IPA vapor)與氮氣(nitrogen gas)的混合氣體,或是氮氣。
下面詳細描述使用上述基板處理裝置的一種基板清潔與乾燥方法。
請參考圖9，基板W經由底部腔室120的頂端開口裝載於夾盤112上。基板W由支撐腳113a支撐，且由夾盤腳113b夾固。藉由旋轉構件116的轉動，基板W隨著夾盤112而轉動。藉由化學制劑噴嘴單元160的化學制劑噴嘴162所注入的流體而清潔和清洗旋轉基板W。清潔與清洗過程是在頂部腔室完全打開的狀態下完成。
當基板W的清潔過程完成時，便開始實施基板W的乾燥過程。乾燥過程是在低於大氣壓力的環境下實施，實施前，首先將去離子水注射至基板W的表面，形成一保護層，以避免於基板W的表面形成水印。
下面詳細描述乾燥處理過程。請參考圖10，頂罩從完全打開位置移動至部分封閉位置以封閉底部腔室。此時，直接注射噴嘴構件移動第一與第二噴嘴至基板中央的頂部，以使基板之表面不會暴露於空氣中，然後，藉由第一噴嘴將去離子水注射至基板的表面，以於基板之表面形成一保護層。當去離子水注射至基板表面時，基板的轉動停止，或以1~30rpm的低轉速轉動。基板以低轉速轉動可使去離子水不會被離心力驅散。當頂罩移動至部分封閉位置時，頂罩內在間接注射噴嘴提供的乾燥流體的作用下建立了乾燥的環境。
在形成了去離子水的保護層後，頂罩隨後從部分封閉位置移動至全部封閉位置以封閉底部腔室(見圖11)。請參考圖11，藉由減壓單元170對由頂罩所封閉的一處理空間“a”實施減壓。當處理空間“a”內的氣壓減至低於大氣壓力時，藉由間接注射噴嘴構件140所間接注入的乾燥流體，以及藉由直接注射噴嘴構件180之第二噴嘴所直接注入的乾燥流體對基板W實施乾燥。乾燥流體是從處理空間“a”被減壓前由間接注射噴嘴構件140(亦即從頂部腔室開始移動以封閉底部腔室時)開始注入。間接注射噴嘴140裝設於環形空間134的邊緣部分，且注射孔142向上開孔，以避免從注射孔142掉落的外來物質所引致的基板污染。乾燥流體從間接注射噴嘴構件140之注射孔142注入後，沿著環形空間134聚集於環形空間134的中央部分134b(頂罩的中央)。於環形空間134的中央部分所聚集的乾燥流體經由中央孔徑135而流動至處理空間“a”的基板中央部分。經由中央孔徑135而流動至基板中央部分的乾燥流體從旋轉基板W的中央逐漸擴散至邊緣，從而快速而均勻地乾燥基板W的表面。
直接注射噴嘴構件180將乾燥流體從基板中央推至邊緣，以直接地乾燥基板的表面。當直接注射噴嘴構件180從基板W的中央移動至邊緣時，乾燥流體在擴散的同時也被注入至基板W的邊緣。可選地，直接注射噴嘴可受控而集中地將乾燥流體注射至特定的部位，例如乾燥不良處。
根據本發明，可同時清潔與乾燥基板W的上表面和下表面。特別地，當基板W旋轉時，藉由背後噴嘴構件118的噴嘴118b所注入的、與注入至基板W上表面之流體相同的流體來清潔與乾燥基板的下表面。
當完成了基板W的乾燥時，頂部腔室130的頂罩132在移動至如圖10所示的部分封閉位置之後，移動至如圖9所示的完全打開的位置，以打開底部腔室120的頂端。夾盤112停止轉動後，基板W被從夾盤112上卸載。
本發明可應用於所有使用液體(或氣體)來處理基板的裝置中。雖然本發明之上述實施例描述了一種用於半導體清潔的旋轉的清潔裝置，但本發明亦可應用於旋轉蝕刻裝置。
基於上述，本發明具有以下的優點：(1)可快速乾燥基板；(2)乾燥流體間接注射至基板，可完全維持片狀流動，以及維持乾燥流體的濃度的均勻分佈；(3)間接注射噴嘴向上開孔，以避免外來物質掉落至基板；(4)基板乾燥過程中受到保護而免於受到外界污染；(5)乾燥基板過程中產生的水印可減至最低；(6)阻隔了基板與空氣的接觸；(7)所供應的用於乾燥基板的流體之濃度與溫度的變化減至最小；以及(8)基板中央部分的乾燥效率提升。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為准。
110．．．基板支撐單元
112．．．夾盤
112a．．．頂部表面
113a．．．支撐腳
113b．．．夾盤腳
114．．．轉軸
116．．．旋轉構件
117．．．升降構件
118．．．背後噴嘴
118a．．．供應管
118b．．．噴嘴
120．．．底部腔室
122a．．．第一吸收導管
122b．．．第二吸收導管
122c．．．第三吸收導管
124．．．排出口
130．．．頂部腔室
132．．．頂罩
134．．．環形空間
135．．．中央孔徑
136．．．導引表面
137．．．前伸壁
138．．．開/關驅動器
139．．．導引凸起
140．．．間接注射噴嘴
160．．．化學制劑噴嘴單元
162．．．化學制劑噴嘴
166．．．水平支撐
168．．．垂直支撐
170．．．減壓單元
172．．．真空泵浦
174．．．真空管線
180．．．直接注射噴嘴
W．．．基板
181．．．支架
185a、185b．．．端口
142．．．注射孔
182a．．．第一噴嘴
182b．．．第二噴嘴
183a、183b．．．噴嘴尖
184．．．轉軸
184a．．．第一通道
184b．．．第二通道
187．．．第一驅動器
187a．．．馬達
187b．．．滑輪
187c．．．傳動帶
188．．．第二驅動器
189．．．感應器
圖1繪示了底部腔室完全封閉的一基板處理裝置。
圖2繪示了底部腔室部分封閉的一基板處理裝置。
圖3繪示了底部腔室完全打開的一基板處理裝置。
圖4為裝設了直接注射噴嘴之頂部腔室的立體示意圖。
圖5為裝設了直接注射噴嘴之頂部腔室的局部剖面圖。
圖6為裝設了直接注射噴嘴之頂部腔室的平面圖。
圖7為裝設了直接注射噴嘴之頂部腔室的剖面示意圖。
圖8為頂部腔室的剖面示意圖，繪示了圖7之直接注射噴嘴的第一與第二噴嘴轉動後的狀態。
圖9至圖11繪示了利用基板處理裝置而處理基板的各個步驟。
110．．．基板支撐單元
112．．．夾盤
112a．．．頂部表面
113a．．．支撐腳
113b．．．夾盤腳
114．．．轉軸
116．．．旋轉構件
117．．．升降構件
118．．．背後噴嘴
118a．．．供應管
118b．．．噴嘴
120．．．底部腔室
122a．．．第一吸收導管
122b．．．第二吸收導管
122c．．．第三吸收導管
124．．．排出口
130．．．頂部腔室
132．．．頂罩
134．．．環形空間
135．．．中央孔徑
136．．．導引表面
137．．．前伸壁
138．．．開/關驅動器
139．．．導引凸起
140．．．間接注射噴嘴
160．．．化學制劑噴嘴單元
162．．．化學制劑噴嘴
166．．．水平支撐
168．．．垂直支撐
170．．．減壓單元
172．．．真空泵浦
174．．．真空管線
180．．．直接注射噴嘴
W．．．基板
Claims (23)
- 一種基板處理裝置，包括：一基板支撐單元，其具有一可裝載基板的夾盤；一底部腔室，其具有敞開的頂部，且所述底部腔室環繞於所述夾盤周圍；一頂部腔室，用於打開或關閉所述底部腔室之頂部，當所述頂部腔室與外界隔絕時，使所述基板乾燥；一直接注射噴嘴構件，配置於所述頂部腔室中，用於當所述底部腔室之頂部關閉時將流體直接地注射至所述基板；以及一間接注射噴嘴構件，配置於所述頂部腔室之邊緣，用於將流體注射至所述頂部腔室的中央，以將所述流體間接地注射至所述基板。
- 如申請專利範圍第1項所述之基板處理裝置，其中所述直接注射噴嘴構件是可移動的，以變換流體注射位置。
- 如申請專利範圍第1項所述之基板處理裝置，其中所述直接注射噴嘴構件包括：非線性的第一與第二噴嘴，配置於所述頂部腔室的底部表面上，且每個所述噴嘴於其一端都具有一乾燥流體注射孔；以及一轉軸，連接於所述第一與所述第二噴嘴的各自的另一端，且所述轉軸具有一通道，流體經由所述通道供應至所述第一與所述第二噴嘴。
- 如申請專利範圍第3項所述之基板處理裝置，其中 所述直接注射噴嘴構件更包括：一第一驅動器，用於驅動所述轉軸，以改變所述第一與所述第二噴嘴的流體注射位置。
- 如申請專利範圍第3項所述之基板處理裝置，其中所述直接注射噴嘴構件更包括：一第二驅動器，用於升降所述轉軸，以改變所述第一與所述第二噴嘴的流體注射高度。
- 如申請專利範圍第3項所述之基板處理裝置，其中於所述頂部腔室之邊緣界定了一用於容納所述直接注射噴嘴構件之所述第一與所述第二噴嘴的容納空間。
- 如申請專利範圍第6項所述之基板處理裝置，其中所述容納空間位於所述基板之邊緣的外側。
- 如申請專利範圍第3項所述之基板處理裝置，其中所述第一與所述第二噴嘴每個都呈弧形，且配置於位於所述頂部腔室之邊緣的所述容納空間中，以避免對其他處理過程的干擾。
- 如申請專利範圍第6項所述之基板處理裝置，其中所述第一噴嘴注射用於清潔所述基板的流體，且所述第二噴嘴注射用於乾燥所述基板的流體。
- 如申請專利範圍第1項所述之基板處理裝置，其中所述頂部腔室包括：一流動導引構件，用於引導從所述間接注射噴嘴構件所注入之流體流向所述頂部腔室之所述頂部表面之中央，以使所述流體首先到達所述基板的中央。
- 如申請專利範圍第10項所述之基板處理裝置，其中所述流動導引構件包括一圓錐形導引凸起，其從所述頂部腔室之所述頂部表面之中央向所述基板之中央凸起。
- 如申請專利範圍第10項所述之基板處理裝置，其中所述頂部腔室更包括：一環形空間，用於將所述間接注射噴嘴所注入的所述乾燥流體引導至所述頂部腔室的中央；一中央孔徑，藉由所述中央孔徑，沿著所述環形空間聚集於所述頂部腔室之中央的所述乾燥流體排出至所述基板；以及一導引表面，用於引導由所述中央孔徑排出的所述乾燥流體從所述基板的中央逐漸擴散至邊緣，其中所述流動導引構件包括所述圓錐形引導凸起，其從所述頂部腔室之所述頂部表面之中央向所述基板之中央凸起。
- 如申請專利範圍第11項所述之基板處理裝置，其中所述間接注射噴嘴構件配置於所述頂部腔室之邊緣，且呈環狀。
- 如申請專利範圍第13項所述之基板處理裝置，其中所述間接注射噴嘴構件用於注射流體至所述導引凸起。
- 一種基板處理方法，包括：(a)裝載一基板至一夾盤，所述夾盤配置於一底部腔室中；(b)注射清潔流體至所述基板，以清潔所述基板； (c)注射清洗流體至所述基板，以清洗所述基板；以及(d)注射乾燥流體至所述基板，以乾燥所述基板，其中在所述步驟(d)中，當一頂部腔室將所述底部腔室封閉時，配置於所述頂部腔室內的一直接注射噴嘴構件直接地注射所述乾燥流體至所述基板，以乾燥所述基板，其中在所述步驟(d)中，於所述乾燥流體由所述直接注射噴嘴構件注入之前，所述乾燥流體藉由配置於所述頂部腔室內的間接注射噴嘴構件間接地注入至所述基板。
- 如申請專利範圍第15項所述之基板處理方法，其中在所述步驟(d)中，於所述頂部腔室將所述底部腔室封閉之前，藉由配置於所述頂部腔室內的間接注射噴嘴構件所注入的所述乾燥流體，於所述頂部腔室內先形成了乾燥的環境。
- 如申請專利範圍第15項所述之基板處理方法，其中在所述步驟(d)中，利用所述直接注射噴嘴構件而實施的所述直接注射，與利用所述間接噴嘴構件而實施的所述間接注射為同時發生。
- 如申請專利範圍第15項所述之基板處理方法，其中所述間接注射噴嘴構件所注入的所述乾燥流體是從所述頂部腔室的邊緣注入至中央，於所述頂部腔室之中央聚集的所述乾燥流體經由形成於所述頂部腔室之中央的中央孔徑而被排出至所述基板，且所述中央孔徑所排出的所述乾燥流體從所述基板之中央逐漸擴散至所述基板之邊緣，以乾燥所述基板之表面。
- 如申請專利範圍第15項所述之基板處理方法，其中所述步驟(d)在低於大氣壓力之環境下實施。
- 如申請專利範圍第15項所述之基板處理方法，其中所述步驟(d)更包括：於所述底部腔室被所述頂部腔室封閉之前，將去離子水注射至所述基板之上表面，以於所述基板之上表面形成一保護層，從而避免所述基板暴露於空氣中。
- 如申請專利範圍第20項所述之基板處理方法，其中在形成所述保護層的過程中，所述基板的轉動停止，或以低速轉動，以避免所述去離子水被驅散至所述基板之外。
- 如申請專利範圍第15項所述之基板處理方法，其中在所述步驟(d)中，當所述頂部腔室將所述底部腔室部分封閉時，所述直接注射噴嘴構件將所述去離子水注入至所述基板。
- 如申請專利範圍第22項所述之基板處理方法，其中在所述清潔流體的注入完成前，所述頂部腔室移動至將所述底部腔室部分封閉之位置，且在所述去離子水注入至所述基板的過程完成前，所述頂部腔室移動至將所述底部腔室完全封閉之位置。
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