JPH11304361A - 基板乾燥装置およびそれを用いた基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 均一で効率的に基板の乾燥が行えるとともに
溶剤の消費量が少なく、装置設定の再現性がよい基板乾
燥装置およびそれを用いた基板処理装置を提供する。 【解決手段】 整流板４８は下側に向いた整流面４８ａ
が円筒の内周面の一部に相当する凹面をなし、ガス供給
ノズル４０の上方のチャンバ１０の天井面側辺部から側
面上端にかけて取り付けられている。ガス供給ノズル４
０から供給されるＩＰＡベーパーを含む混合ガスが整流
面４８ａに至るとその流れの方向を曲げられ、基板乾燥
空間ＷＳ側に向けられるとともに、その流れの乱流の発
生を抑えることができる。これにより、基板乾燥空間Ｗ
Ｓへ溢れ出る混合ガスの乱流を抑え、均一で効率的な基
板乾燥を行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、溶剤蒸気を含む
雰囲気が満たされた処理室内の基板乾燥空間を、処理液
による処理後の半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基
板、液晶表示用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板
（以下、単に「基板」という。）を通過させて乾燥させ
る基板乾燥装置およびそれを用いた基板処理装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来から基板の洗浄と乾燥を行う基板洗
浄・乾燥装置においては、処理室内に処理槽を設け、そ
の処理槽に純水を貯留して基板を浸漬して処理を行い、
その間に処理室内に有機溶剤蒸気、たとえばＩＰＡベー
パー（イソプロピルアルコール蒸気）を含んだ雰囲気を
形成しておき、基板の浸漬処理が終了した後、その基板
を処理槽からＩＰＡベーパーを含んだ雰囲気中に引き上
げることにより基板を乾燥させている。そのＩＰＡベー
パーの処理室内への供給は、短時間で処理室内に所定濃
度のＩＰＡベーパーを含んだ雰囲気を形成するために、
一般に処理室内の対向する２つの側面上部に設けられた
一対のノズルからＮ2をキャリアガスとしてＩＰＡベー
パーを下方の処理槽へ向けて噴射することによって行わ
れている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来装
置では上方から処理槽に向けてＩＰＡベーパーを含んだ
ガスを吹き付けるので、そこに乱流を生じることにより
ＩＰＡベーパーの供給が不均一となり、乾燥ムラの原因
となっていた。

【０００４】また、乾燥ムラが生じ易いため、所定程度
の乾燥状態を得ようとすると必要以上にＩＰＡベーパー
を含んだガスを供給しなければならずＩＰＡのロスが大
きく、効率的でなかった。

【０００５】さらに、それに伴いこの装置を複数台用い
て同様の乾燥処理を行う場合に、装置ごとに乾燥条件を
同じにするためにはＩＰＡベーパーを含んだガスの供給
方向を同じにするため一対のノズルの微妙な調整を要
し、装置設定の再現性に乏しかった。

【０００６】この発明は、従来技術における上述の問題
の克服を意図しており、均一で効率的に基板の乾燥が行
えるとともに溶剤の消費量が少なく、装置設定の再現性
がよい基板乾燥装置およびそれを用いた基板処理装置を
提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明の請求項１の基板乾燥装置は、溶剤蒸気を
含む雰囲気が満たされた処理室内の基板乾燥空間を、処
理液による処理後の基板を通過させて当該基板を乾燥さ
せる基板乾燥装置であって、基板乾燥空間の側方に設け
られるとともに、ほぼ上方へ向けて溶剤蒸気を供給する
溶剤蒸気供給手段と、溶剤蒸気供給手段の上方において
溶剤蒸気供給手段から供給された溶剤蒸気の流れの乱れ
を抑えつつ、その流れの方向を基板乾燥空間側へ変える
整流手段と、を備える。

【０００８】また、この発明の請求項２の装置は、請求
項１に記載の基板乾燥装置であって、整流手段の溶剤蒸
気の流れを整流する面が円筒の内周面の一部に相当する
凹面であることを特徴とする。

【０００９】また、この発明の請求項３の装置は、請求
項１に記載の基板乾燥装置であって、整流手段の溶剤蒸
気の流れを整流する面が多角筒の内周面の一部に相当す
る凹面であることを特徴とする。

【００１０】また、この発明の請求項４の装置は、請求
項２または請求項３に記載の基板乾燥装置であって、さ
らに、溶剤蒸気供給手段と基板乾燥空間との間を仕切る
ことにより、溶剤蒸気供給手段から供給された溶剤蒸気
の流れの緩衝空間を規定する仕切り壁を備え、仕切り壁
による基板乾燥空間と緩衝空間との仕切りが不完全であ
ることにより、基板乾燥空間と緩衝空間との間に雰囲気
通路が形成されており、緩衝空間で緩衝された後の溶剤
蒸気の流れが、雰囲気通路を介して基板乾燥空間へ流入
することを特徴とする。

【００１１】また、この発明の請求項５の装置は、請求
項４に記載の基板乾燥装置であって、雰囲気通路が溶剤
蒸気供給手段よりも高い位置に設けられていることを特
徴とする。

【００１２】また、この発明の請求項６の装置は、請求
項５に記載の基板乾燥装置であって、雰囲気通路が仕切
り壁と処理室の天井面との間の間隙であることを特徴と
する。

【００１３】また、この発明の請求項７の装置は、請求
項６に記載の基板乾燥装置であって、仕切り壁が処理室
内部において処理室の側面にほぼ平行に設けられた保持
部材と、保持部材に可動に取り付けられる可動板と、可
動板の保持部材への取付け高さを調節する可動板調節機
構と、を備える。

【００１４】また、この発明の請求項８の装置は、請求
項５に記載の基板乾燥装置であって、仕切り壁が処理室
の天井面にまで至るものであるとともに、雰囲気通路が
仕切り壁内において処理室の天井面から下方に若干離隔
して設けられていることを特徴とする。

【００１５】また、この発明の請求項９の装置は、請求
項８に記載の基板乾燥装置であって、雰囲気通路が流体
抵抗を有して整流作用を生ずる複数の小穴からなること
を特徴とする。

【００１６】また、この発明の請求項１０の基板処理装
置は、基板に対して処理液による処理を施す基板処理部
と、請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の基板乾
燥装置を用いて構成された基板乾燥部と、を備える。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。

【００１８】＜１．第１の実施の形態＞ ＜＜１−１．基板処理装置＞＞図１は、この発明の一つ
の実施の形態である基板処理装置１の構成を示す斜視図
である。図示のように、この装置は、未処理基板を収納
しているカセットＣが投入されるカセット搬入部２と、
このカセット搬入部２からのカセットＣが載置され内部
から複数の基板が同時に取り出される基板取出部３と、
カセットＣから取り出された未処理基板が順次洗浄処理
される基板処理部５と、洗浄処理後の複数の処理済み基
板が同時にカセット中に収納される基板収納部７と、処
理済み基板を収納しているカセットＣが払い出されるカ
セット搬出部８とを備える。さらに、装置の前側には、
基板取出部３から基板収納部７に亙って基板移載搬送機
構９が配置されており、洗浄処理前、洗浄処理中及び洗
浄処理後の基板を一箇所から別の箇所に搬送したり移載
したりする。

【００１９】カセット搬入部２は、水平移動、昇降移動
及び垂直軸回りの回転が可能なカセット移載ロボットＣ
Ｒ1を備え、カセットステージ２ａ上の所定位置に載置
された一対のカセットＣを基板取出部３に移載する。

【００２０】基板取出部３は、昇降移動する一対のホル
ダ３ａ、３ｂを備える。そして、各ホルダ３ａ、３ｂの
上面にはガイド溝が刻設されており、カセットＣ中の未
処理基板を垂直かつ互いに平行に支持することを可能に
する。したがって、ホルダ３ａ、３ｂが上昇すると、カ
セットＣ中から基板が取り出される。カセットＣ中から
取り出された基板は、基板移載搬送機構９に設けた搬送
ロボットＴＲに受け渡され、水平移動後に基板処理部５
に投入される。

【００２１】基板処理部５は、薬液を収容する薬液槽Ｃ
Ｂを備える薬液処理部５ａと、純水を収容する水洗槽Ｗ
Ｂを備える水洗処理部５ｂ（薬液処理部５ａおよび水洗
処理部５ｂが「基板処理部」に相当する）と、単一槽内
で各種の薬液処理や水洗処理を行う処理槽２０を備える
後に詳述する多機能処理部５ｄとから構成される。

【００２２】基板処理部５において、薬液処理部５ａ及
び水洗処理部５ｂの後方側には、第１基板浸漬機構５ｃ
が配置されており、これに設けた上下動及び横行可能な
リフタヘッドＬＨ1によって、搬送ロボットＴＲから受
け取った基板を薬液処理部５ａの薬液槽ＣＢに浸漬した
り、水洗処理部５ｂの水洗槽ＷＢに浸漬したりする。ま
た、この発明における基板乾燥装置および基板乾燥部に
相当する多機能処理部５ｄの内部にはリフタ３０（機構
の詳細は後述）が配置されており、これに設けた上下動
可能なリフタヘッド３２によって、搬送ロボットＴＲか
ら受け取った基板を多機能処理部５ｄの処理槽２０内に
支持する。

【００２３】基板収納部７は、基板取出部３と同様の構
造を有し、昇降可能な一対のホルダ７ａ、７ｂによっ
て、搬送ロボットＴＲに把持された処理済み基板を受け
取ってカセットＣ中に収納する。

【００２４】また、カセット搬出部８は、カセット搬入
部２と同様の構造を有し、移動自在のカセット移載ロボ
ットＣＲ2を備え、基板収納部７上に載置された一対の
カセットをカセットステージ８ａ上の所定位置に移載す
る。

【００２５】基板移載搬送機構９は、水平移動及び昇降
移動が可能な搬送ロボットＴＲを備える。そして、この
搬送ロボットＴＲに設けた一対の回転可能なハンド９
ａ、９ｂによって基板を把持することにより、基板取出
部３のホルダ３ａ、３ｂに支持された基板を基板処理部
５の第１基板浸漬機構５ｃに設けたリフタヘッドＬＨ1
側に移載したり、このリフタヘッドＬＨ1側から隣りの
多機能処理部５ｄに設けたリフタヘッド３２側に移載し
たり、このリフタヘッド３２側から基板収納部７のホル
ダ７ａ、７ｂに移載したりする。

【００２６】＜＜１−２．多機能処理部＞＞図２はこの
発明の第１の実施の形態にかかる多機能処理部５ｄの縦
断面図であり、図３は多機能処理部５ｄの他の縦断面図
である。また、図４は、多機能処理部５ｄの制御部９
０、各種供給源、配管およびバルブ等の構成を示す模式
図である。以下、図２〜図４を用いて多機能処理部５ｄ
の機構的構成についてより詳細に説明する。

【００２７】図示のようにこの多機能処理部５ｄは、主
にチャンバ１０、整流板１５、処理槽２０、リフタ３
０、ガス供給ノズル４０、仕切り壁４２、Ｎ2供給源５
０、ＩＰＡ供給源６０、ＤＩＷ供給源７０、ＨＦ供給源
８０、制御部９０を備えている。

【００２８】チャンバ１０はその内部には処理槽２０、
ガス供給ノズル４０を、その上面には開閉可能かつ閉じ
た状態で密閉可能なシャッタ１１を、さらにその底面下
方にはリフタ３０が設けられ、シャッタ１１を閉じた状
態で、その内部にＩＰＡベーパーを含む雰囲気やＮ2
（窒素）ガスからなる雰囲気を保持することができる。

【００２９】処理槽２０はその内部にＨＦ供給源８０か
ら供給されるＨＦ（フッ酸）またはＤＩＷ供給源７０か
ら供給される純水ＤＩＷ等の処理液を貯留し、その処理
液に基板Ｗを浸漬させて処理を行うことができる。ま
た、処理槽２０の側面上端には処理槽２０から溢れた処
理液を回収するための処理液回収溝２１が設けられてい
る。

【００３０】前述のリフタ３０下部にはサーボモータ３
１が設けられており、その駆動によりリフタヘッド３２
が昇降し、そのリフタヘッド３２には基板Ｗを多数保持
可能な基板ガイド３３が設けられている。

【００３１】ガス供給ノズル４０は、後に詳述するが、
チャンバ１０内にＮ2供給源５０からのＮ2ガスをキャリ
アガスとしてＩＰＡ供給源６０からの有機溶剤の蒸気で
あるＩＰＡベーパー（以下、併せて「混合ガス」とい
う）とともに供給したり、Ｎ2ガスのみを供給したりす
る。

【００３２】仕切り壁４２はガス供給ノズル４０と処理
槽２０との間に設けられている。そして、仕切り壁４２
は、それとガス供給ノズル４０に対して反対側のチャン
バ１０側面との間の、ガス供給ノズル４０から混合ガス
が供給され、その流速を低下させ、乱流を抑えるための
緩衝空間ＢＳ（ガス供給空間）に供給された混合ガスや
Ｎ2ガスを、チャンバ１０内の処理槽２０上方の基板Ｗ
が通過または停留する際に乾燥される空間（以下、「基
板乾燥空間ＷＳ」という）に間接的に供給するためのい
わば堰の役割を果たす。なお、仕切り壁４２の詳細は後
述する。

【００３３】整流板４８はチャンバ１０の天井面側辺部
から側面上端にかけて取り付けられ、ガス供給ノズル４
０から供給される混合ガスまたはＮ2ガスの乱流を抑え
つつその流れの方向をチャンバ１０内側に向ける。な
お、整流板１５の詳細も後述する。

【００３４】Ｎ2供給源５０、ＩＰＡ供給源６０にはそ
れぞれバルブＶ１，Ｖ２が介挿された配管Ｐ２，Ｐ３が
設けられており、さらにそれらは互いに結合され、１本
の配管Ｐ４となってチャンバ１０内のガス供給ノズル４
０に接続されている。

【００３５】ＤＩＷ供給源７０には配管Ｐ５が、ＨＦ供
給源８０にはバルブＶ３が介挿された配管Ｐ６が接続さ
れており、さらにそれらは互いに１本の配管Ｐ７に連結
され、その配管Ｐ７はチャンバ１０内の処理槽２０に接
続されている。特に、ＤＩＷ供給源７０に接続された配
管Ｐ５には、処理槽２０に供給する純水ＤＩＷを冷却す
る冷却部７５、配管Ｐ５を流れる純水ＤＩＷを含む処理
液流量を計測する流量計ＦＭ１およびその流量を変化さ
せる流量変更手段である制御弁ＣＶ１が介挿されてい
る。なお、ＤＩＷ供給源７０と配管Ｐ５，Ｐ７を併せた
もの、またはＨＦ供給源８０と配管Ｐ６，Ｐ７を併せた
ものが「液供給手段」に相当する。

【００３６】また、この装置の設置される施設内の排気
ラインにはエアポンプＡＰおよびバルブＶ４が介挿され
た配管Ｐ８が接続されており、その多端はチャンバ１０
に接続されている。また、この装置の設置される施設内
の排液ラインにはバルブＶ５が介挿された配管Ｐ９が接
続されており、その多端はチャンバ１０内の処理槽２０
に接続されている。また、処理液回収溝２１に接続され
た配管Ｐ１０は三方弁Ｖ６により循環用配管Ｐ１１と排
液ラインに通じる配管Ｐ１２とに分岐される。さらに循
環用配管Ｐ１１にはポンプＰ、フィルタＦおよび循環す
る純水ＤＩＷおよびＨＦ等の処理液の流量を計測する流
量計ＦＭ２およびその流量を変化させる制御弁ＣＶ１と
同様の流量変更手段である制御弁ＣＶ２が介挿されてい
る。

【００３７】さらに、制御部９０は上述のバルブＶ１〜
Ｖ５、三方弁Ｖ６、制御弁ＣＶ１，ＣＶ２、流量計ＦＭ
１，ＦＭ２、エアポンプＡＰ、ポンプＰに電気的に接続
されており（これら接続は図示省略）、各バルブＶ１〜
Ｖ５の開閉、三方弁Ｖ６の切り替え、制御弁ＣＶ１，Ｃ
Ｖ２の開度、エアポンプＡＰの起動および停止、ポンプ
Ｐの起動および停止の制御を行う。

【００３８】以下、この発明の主要部について説明す
る。

【００３９】仕切り壁４２はチャンバ１０のＸ軸に垂直
な対向する２つの側面の内側にそれら側面に平行に、処
理槽２０とガス供給ノズル４０との間に、一対、設けら
れている。

【００４０】図５は仕切り壁４２のＸ軸方向から見た側
面図である。図３および図５に示すように、仕切り壁４
２はチャンバ１０に対して固定された固定板４２ａ（こ
の発明の「保持部材」に相当）における処理槽２０側の
面に可動板４２ｂがそれぞれ取り付けられている。ま
た、固定板４２ａ下端とチャンバ１０の底面とは離隔し
ている。

【００４１】図６は仕切り壁４２の部分断面図である。
図６に示すように、固定板４２ａと可動板４２ｂには固
定板４２ａへの可動板４２ｂの取り付け位置（高さ）を
調節するための可動板調節機構が設けられている。すな
わち、固定板４２ａには貫通しない取付け穴ＡＨがＹ軸
方向両端の若干内側に２つずつ、計４つ設けられるとと
もに、可動板４２ｂにはそのＹ軸方向両端より若干内側
に複数の貫通孔ＴＨがそれぞれ設けられている。そし
て、固定板４２ａの取付け穴ＡＨに可動板４２ｂの貫通
孔ＴＨのうちの４つをそれぞれ一致させた状態で固定板
４２ａと可動板４２ｂとを重ね、ボルト４２ｃを可動板
４２ｂの貫通孔ＴＨを貫通させた状態で固定板４２ａの
取付け穴ＡＨ内面に設けられたねじ溝に螺合させること
によって、可動板４２ｂを固定板４２ａに取り付けるこ
とができる。そして、上記のようにしてボルト４２ｃを
貫通させる可動板４２ｂの貫通孔ＴＨを切替えることに
よって、可動板４２ｂの固定板４２ａへの取付け高さを
矢印Ａ１のように調節することができるようになってい
る。

【００４２】また、可動板４２ｂはその上端がチャンバ
１０上面との間に間隙Ｓを有するように固定板４２ａに
取り付けられ、それにより、その間隙Ｓを通じて仕切り
壁４２とそれに対向して隣接するチャンバ１０の側面と
の間の緩衝空間ＢＳ内の雰囲気と基板乾燥空間ＷＳの雰
囲気とが流通可能とされる。すなわち、可動板４２ｂと
チャンバ１０上面との間の間隙Ｓおよび仕切り壁４２の
下端とチャンバ１０下面との間の空間がこの発明におけ
る雰囲気通路を形成し、この雰囲気通路はガス供給ノズ
ル４０よりも高い位置に設けられている。

【００４３】また、ガス供給ノズル４０はチャンバ１０
内側面の処理槽２０上端より下方に水平に設けられた配
管Ｐ１上面に混合ガスやＮ2ガスを供給するための多数
のガス供給口４０ａが設けられている。そして、緩衝空
間ＢＳ内にガス供給ノズル４０から上方へ向けて供給さ
れた混合ガスやＮ2ガスがその流速を減じられた後、間
隙Ｓを通じて基板乾燥空間ＷＳ側に至る。すなわち、混
合ガスやＮ2ガスが仕切り壁４２の上端からチャンバ１
０内側へ溢れ出る。これにより、混合ガスやＮ2ガスの
供給の際に発生する雰囲気内の乱流を抑えることができ
る。

【００４４】また、基板Ｗの特性に応じて、緩衝空間Ｂ
Ｓから基板乾燥空間ＷＳ側へのガスの供給の際に雰囲気
中の乱流の発生を極力抑えたい場合には可動板４２ｂの
固定板４２ａに対する取付け高さを高くし、乱流が多少
発生してもよい場合には低くすることができる。

【００４５】また、図２に示すように、ガス供給ノズル
４０の上方（緩衝空間ＢＳ上方）のチャンバ１０の天井
面側辺部から側面上端にかけて整流板４８が設けられて
いる。

【００４６】図７はこの発明における整流板４８の断面
図であり、図８はこの発明における整流板４８の斜視図
である。この整流板４８は下側（ガス供給ノズル側）に
向いた面が円筒の内周面の一部（中心角にしてほぼ１／
４程度）に相当する凹面の形状をなす整流面４８ａを有
している。すなわち、整流板４８の断面はその中心角が
９０°程度の弧状（いわゆるアール）となっている（図
７参照）。そして、整流板４８は整流面４８ａを下方に
向けた状態で両ガス供給ノズル４０の上方のチャンバ１
０の天井面側辺部から側面上端にかけて取り付けられて
いる。これにより、下方のガス供給ノズル４０から供給
される混合ガスおよびＮ2ガスが整流面４８ａに至ると
その流れの方向を曲げて、チャンバ１０内側、すなわち
基板乾燥空間ＷＳ側に向けるとともに、その流れの乱れ
を抑える。すなわち、整流板４８が設けられていないチ
ャンバ１０の天井面にその流れが至る場合のように乱流
が発生し難いものとなっている。

【００４７】＜＜１−３．基板乾燥処理および効果＞＞
つぎに、この実施の形態の多機能処理部５ｄにおける基
板乾燥処理について説明する。

【００４８】基板乾燥処理に先立ち、複数の基板Ｗが整
列して処理槽２０に貯留されたＨＦにより処理され、そ
の後、処理槽２０内のＨＦの代わりに洗浄液である純水
ＤＩＷが処理槽２０内に供給されて基板Ｗの洗浄が行わ
れる。この基板洗浄の間、処理槽２０内には純水ＤＩＷ
の供給が続けられて、処理槽２０から純水ＤＩＷが溢れ
（以下、「オーバーフロー状態」という）、その溢れた
純水ＤＩＷは処理液回収溝２１に集められ、排液ライン
に排出されたり、フィルタＦにより浄化された後に処理
槽２０に戻されて再利用されたりする。

【００４９】そして、オーバーフロー状態でガス供給ノ
ズル４０からは乾燥に適した温度に高められたＩＰＡベ
ーパーとＮ2ガスとの混合ガスがチャンバ１０内に供給
される。このとき、この混合ガスはガス供給ノズル４０
から緩衝空間ＢＳ内に供給され、仕切り壁４２を越えて
基板乾燥空間ＷＳに至り、処理槽２０直上に高濃度のＩ
ＰＡベーパーを含む雰囲気を形成する。

【００５０】つぎに、基板乾燥空間ＷＳ内の雰囲気中の
ＩＰＡベーパーの濃度が所定濃度程度になった後、リフ
タヘッド３２の上昇により基板Ｗが処理槽２０の純水Ｄ
ＩＷ中から引き上げられる。この引き上げ時に基板Ｗに
付着した純水ＤＩＷがＩＰＡの凝縮により除去される。

【００５１】さらに、その後、基板乾燥空間ＷＳ内にお
いて処理槽２０上方に基板Ｗを位置させつつ、ＩＰＡベ
ーパーを含む混合ガスの供給を続け、それとともに、処
理槽２０内の純水ＤＩＷを排出する。

【００５２】つぎに、ガス供給ノズル４０へのＩＰＡベ
ーパーの供給を停止し、Ｎ2ガスのみをチャンバ１０内
に供給し、チャンバ１０内の雰囲気を完全にＮ2ガスに
置換する。

【００５３】つぎに、チャンバ１０内の雰囲気を排気
し、内部気圧を減圧する。

【００５４】最後に、チャンバ１０内を大気解放した
後、チャンバ１０外に基板Ｗを搬出する。

【００５５】これで一連の基板Ｗの乾燥処理は終了し、
続いて搬入される別の基板Ｗについて同様の処理が繰返
される。

【００５６】以上説明したように、第１の実施の形態に
よれば、基板乾燥空間ＷＳとガス供給ノズル４０との間
に仕切り壁４２を備え、その仕切り壁４２のガス供給ノ
ズル４０と同一平面近傍以外の位置、取り分け、仕切り
壁４２上端に雰囲気通路である間隙Ｓを有するため、間
隙Ｓを通じて間接的に基板乾燥空間にＩＰＡベーパーを
供給することができるので、ＩＰＡベーパー供給の際の
乱流の発生を抑え、ＩＰＡベーパーの基板Ｗ表面の純水
ＤＩＷへの均一な凝縮により、乾燥ムラの発生を抑えて
効率的な基板Ｗの乾燥を行うことができる。また、処理
槽２０から引き上げられた基板Ｗに付着した純水ＤＩＷ
にＩＰＡベーパーを均一に凝縮させることができるの
で、余分にＩＰＡベーパーを供給する必要がないためＩ
ＰＡの消費量を抑えることができる。また、ガス供給ノ
ズル４０からのＩＰＡベーパーの供給は処理槽２０の液
面へ向けて吹き付けることにはならず、ＩＰＡベーパー
の処理槽２０の処理液への溶込みが少なく、ＩＰＡベー
パーの消費量抑制および処理液中にＩＰＡが溶け込むこ
とに起因するパーティクルの発生も少なくすることがで
きる。

【００５７】また、間接的に基板乾燥空間ＷＳにＩＰＡ
ベーパーを供給するので、ガス供給ノズル４０の微妙な
調整が不要となり装置設定の再現性がよい。

【００５８】また、ガス供給ノズル４０は配管Ｐ１上面
にガス供給口４０ａを備えており、それにより上方に向
けてＩＰＡベーパーとＮ2ガスとからなる混合ガスを供
給するものであるとともに、間隙Ｓがガス供給ノズル４
０より上方に設けられているため、上方から間接的に混
合ガスを基板乾燥空間ＷＳに供給するので、混合ガスは
基板乾燥空間ＷＳにおいてはＩＰＡベーパーとＮ2ガス
との分子量の差により上方のＮ2ガスの層と下方のＩＰ
Ａベーパーの層に分かれ、したがって処理槽２０直上に
高濃度のＩＰＡベーパーの層を形成することができる。
それにより、例えば親水性部と疎水性部の混在する基板
Ｗを乾燥する際にもＩＰＡベーパーにさらす時間を短く
することによりパーティクルの発生を抑えることができ
る。また、上記のように高濃度のＩＰＡ層を形成するこ
とができるので、ＩＰＡ消費量を一層抑えることができ
る。

【００５９】また、仕切り壁４２は可動板４２ｂの固定
板４２ａへの取り付け高さを調節することができるの
で、基板Ｗの特性に応じた基板乾燥を行うことができ
る。例えば表面に凹凸の多い基板Ｗの乾燥処理を行う場
合には雰囲気中の乱流の発生を極力抑えて、基板乾燥空
間ＷＳの処理槽２０直上にＩＰＡベーパー濃度の高い雰
囲気を形成する必要がある。そのような場合には可動板
４２ｂの固定板４２ａに対する取付け位置を高くして混
合ガスやＮ2ガスを間隙Ｓから溢れるように基板乾燥空
間ＷＳに供給すればよい。逆に、例えばレジストのよう
な高濃度のＩＰＡによって悪影響を受ける部分を有する
基板Ｗの乾燥処理を行う場合には、可動板４２ｂを下げ
て間隙Ｓを大きくして雰囲気中に意図的に若干の乱流を
発生させることにより、Ｎ2ガス層とＩＰＡベーパー層
を若干攪拌して混合し、ＩＰＡベーパー層中の濃度を下
げて乾燥処理を行えばよい。このように、この装置によ
れば基板特性に応じた効率の良い基板乾燥を行うことが
できる。

【００６０】また、固定板４２ａに設けた取付け穴ＡＨ
は固定板４２ａを貫通していないため、固定板４２ａに
は雰囲気を通過させる穴が存在しない。したがって、そ
のような穴を通じて緩衝空間ＢＳから基板乾燥空間ＷＳ
に雰囲気が流出することがないため、より乱流を抑える
ことができる。

【００６１】また、ガス供給ノズル４０の上方に、ガス
供給ノズル４０から供給された混合ガスやＮ2ガスの流
れの乱れを抑えつつ、その流れの方向を基板乾燥空間Ｗ
Ｓ側へ変える整流板４８を備えるため、混合ガスにおけ
る乱流の発生を抑えて基板乾燥空間ＷＳ側へ混合ガスを
供給することにより、基板Ｗ表面に付着した純水ＤＩＷ
へＩＰＡベーパーを均一に凝縮させることができ、した
がって基板Ｗの乾燥ムラの発生を抑えて効率的な乾燥を
行うことができる。また、ＩＰＡベーパーを基板Ｗに付
着した純水ＤＩＷに対して均一に凝縮させることができ
るため、余分にＩＰＡベーパーを供給する必要がないの
でＩＰＡの消費量を抑えることができる。また、間接的
にＩＰＡベーパーを供給するので、ガス供給ノズル４０
の微妙な調整が不要となり装置設定の再現性がよい。

【００６２】また、整流板４８の整流面４８ａが円筒の
内周面の一部に相当する凹面であるため、より乱流の発
生を抑えつつ、混合ガスの方向を変えることができるの
で、より乾燥ムラを抑えて効率的な乾燥を行うことがで
きるとともに、よりＩＰＡの消費量を抑えることができ
る。

【００６３】また、整流板４８が仕切り壁４２で仕切ら
れた緩衝空間ＢＳ上方のチャンバ１０の天井面側辺部か
ら側面上端にかけて設けられているため、乱流を抑えら
れた混合ガスを間隙Ｓを通じて基板乾燥空間ＷＳに流入
させることができるので、ＩＰＡベーパーを基板Ｗに付
着した純水ＤＩＷに対して一層均一に凝縮させることが
できる。そしてそれにより、一層乾燥ムラの発生を抑え
て効率的な基板Ｗの乾燥を行うことができるとともに、
余分にＩＰＡベーパーを供給する必要がないのでＩＰＡ
の消費量を一層抑えることができる。

【００６４】また、整流板４８により乱流を抑えられた
混合ガスを上方から間接的に基板乾燥空間ＷＳに供給す
るので、基板乾燥空間ＷＳ内におけるＮ2ガスを含む雰
囲気中においてはその分子量の差によりＩＰＡベーパー
は下方に貯まり、乱流の発生が少ないのでその層は乱さ
れることが少ない。したがって、基板乾燥空間ＷＳ下方
に高濃度のＩＰＡベーパーの層を形成することができる
ので、親水性部と疎水性部の混在する基板Ｗを乾燥する
際にもＩＰＡベーパーにさらす時間を短くして乾燥する
ことによりパーティクルの発生を抑えることができる。

【００６５】＜２．第２の実施の形態＞図９は第２の実
施の形態にかかる多機能処理部５ｄの縦断面図であり、
図１０は多機能処理部５ｄの他の縦断面図である。ま
た、図１１は仕切り壁４６のＸ軸方向から見た側面図で
ある。以下、図９〜図１１を用いて第２の実施の形態に
ついて説明する。

【００６６】第２の実施の形態の基板処理装置１では多
機能処理部５ｄの仕切り壁４６のみが第１の実施の形態
の仕切り壁４２と異なるだけである。仕切り壁４６はそ
の上端がチャンバ１０上面に連結した一対の板状の部材
が、処理槽２０とガス供給ノズル４０との間にそれぞれ
Ｘ軸方向に垂直に設けられたものとなっている。また、
仕切り壁４６には上端から若干離隔した下方の位置（す
なわち、チャンバ１０の天井面（内部上面）から下方に
若干離隔した位置）に、この発明における雰囲気通路に
相当する複数の小穴であるパンチ穴ＰＨ（図１０では参
照符号一部省略）が設けられており、それらパンチ穴Ｐ
Ｈは第１の実施の形態の間隙Ｓよりも大きな流体抵抗を
有している。また、ガス供給ノズル４０は第１の実施の
形態と同様にガス供給口４０ａが配管Ｐ１上面に設けら
れたものとなっており、ＩＰＡベーパーを含んだ混合ガ
スやＮ2ガスを上方に向けて供給するものとなってい
る。そして、仕切り壁４６のパンチ穴ＰＨの開孔の面積
の総和はガス供給ノズル４０のガス供給口４０ａの開孔
の面積の総和より大きくなっており、そのため、緩衝空
間ＢＳ内に供給された混合ガスは基板乾燥空間ＷＳ側に
流速を低減された状態で溢れるように流れ込むものとな
っている。また、パンチ穴ＰＨの整流作用により緩衝空
間ＢＳから基板乾燥空間ＷＳに混合ガスが流れ込む際の
乱流の発生を抑えることができる。

【００６７】その他の構成すなわち、基板処理装置１に
おける多機能処理部５ｄ以外の処理部の構成、多機能処
理部５ｄの図４に示す制御部９０、各種供給源、配管お
よびバルブ等の構成およびそれにより行われる基板乾燥
処理等の処理は第１の実施の形態と同様である。ただ
し、図４および基板乾燥処理の説明中の仕切り壁４２は
ここでは仕切り壁４６とみなす。

【００６８】以上より、第２の実施の形態によれば、第
１の実施の形態における仕切り壁による効果のうち高さ
調節による効果以外と同様の効果を有するとともに、仕
切り壁４６がチャンバ１０の内部上面にまで至り、仕切
り壁４６内においてチャンバ１０の天井面下方に若干離
隔してパンチ穴ＰＨを有するので、ガス供給ノズル４０
から供給されたＩＰＡベーパーを含む混合ガスがチャン
バ１０の天井面に至って乱流を発生する場合でも、その
下方の乱流の少ないＩＰＡベーパーを基板乾燥空間ＷＳ
に供給することができる。それにより均一で効率的な基
板乾燥を行うことができるとともに、余分にＩＰＡベー
パーを供給する必要がないのでＩＰＡの消費量を抑える
ことができる。

【００６９】また、雰囲気通路としてのパンチ穴ＰＨは
第１の実施の形態の間隙Ｓに比べて大きな流体抵抗を有
するため、基板乾燥空間ＷＳに供給する際の混合ガスの
流速を一層抑えることができるとともに、その整流作用
により乱流の発生を一層抑えることができるので、一層
均一で効率的な基板乾燥を行うことができる。

【００７０】また、間接的にＩＰＡベーパーを基板乾燥
空間ＷＳに供給するので、ガス供給ノズル４０の微妙な
調整が不要となり、装置設定の再現性がよい。

【００７１】また、ガス供給ノズル４０の上方に、ガス
供給ノズル４０から供給された混合ガスやＮ2ガスの流
れの乱れを抑えつつ、その方向を基板乾燥空間ＷＳ側へ
変える整流板４８を備えるため、混合ガスにおける乱流
の発生を抑え、さらに、チャンバ１０の天井面から若干
離隔した下方のパンチ穴ＰＨを通じて基板乾燥空間ＷＳ
側へ混合ガスを供給することにより、第１の実施の形態
に比べて一層、基板乾燥空間ＷＳ側への混合ガス供給時
に乱流の発生を抑制することができる。そのため、基板
Ｗ表面に付着した純水ＤＩＷへＩＰＡベーパーを一層均
一に凝縮させることができ、したがって基板Ｗの乾燥ム
ラの発生を抑えて効率的な乾燥を行うことができる。ま
た、ＩＰＡベーパーを基板Ｗに付着した純水ＤＩＷに対
して一層均一に凝縮させることができるため、余分にＩ
ＰＡベーパーを供給する必要がさらにないので一層ＩＰ
Ａの消費量を抑えることができる。

【００７２】また、整流板４８の整流面４８ａが円筒内
周面の一部に相当する凹面であるため、より乱流の発生
を抑えることができるので、より乾燥ムラを抑えて効率
的な乾燥を行うことができるとともに、よりＩＰＡの消
費量を抑えることができる。

【００７３】また、整流板４８により乱流を抑えられた
混合ガスを仕切り壁４６のパンチ穴ＰＨを通じて上方か
ら間接的に基板乾燥空間ＷＳに供給するので、基板乾燥
空間ＷＳ内におけるＮ2ガスを含む雰囲気中においては
その分子量の差によりＩＰＡベーパーは下方に貯まり、
乱流の発生が少ないためその層は乱されることが少な
い。したがって、基板乾燥空間ＷＳ下方に高濃度のＩＰ
Ａベーパーの層を形成することができるので、親水性部
と疎水性部の混在する基板Ｗを乾燥する際にもＩＰＡベ
ーパーにさらす時間を短くして乾燥することによりパー
ティクルの発生を抑えることができる。

【００７４】＜３．変形例＞以上、各実施の形態に基づ
いてこの発明を説明したが、この発明の技術的範囲はこ
れらの実施の形態に限定されるものではない。

【００７５】図１２は第１の実施の形態の変形例におけ
る仕切り壁４３の部分断面図である。この変形例では第
１の実施の形態における仕切り壁４２において、固定板
４２ａに設けられていた貫通しない取付け穴ＡＨの代わ
りに、固定板４３ａを貫通するように内面にねじ溝のな
い取付け穴ＡＨを設け、可動板４３ｂの貫通孔ＴＨと固
定板４３ａの取付け穴ＡＨとを一致させた状態で固定板
４３ａと可動板４３ｂとを重ねて、ボルト４３ｃを貫通
孔ＴＨを貫通させてナット４３ｄと螺合させることによ
って可動板４３ｂを固定板４３ａに取り付けるものとし
てもよい。なお、ワッシャ４３ｅを取付け穴ＡＨとナッ
ト４３ｄとの間に挿入してもよい。このような仕切り壁
４３を用いた多機能処理部５ｄおよび基板処理装置１に
よれば第１の実施の形態と同様の効果を有する。

【００７６】図１３は第１の実施の形態の他の変形例に
おける仕切り壁４４の側面図である。第１の実施の形態
における仕切り壁４２の可動板調節機構では可動板４２
ｂに貫通孔ＴＨが複数設けられていたのに対して、この
変形例の可動板４４ｂは高さ方向を長手方向とする長穴
ＬＨを有している。可動板４４ｂの固定板４４ａへの固
定方法は図６におけるものと同様に長穴ＬＨを貫通した
ボルト４４ｃを可動板４４ｂの取付け穴ＡＨに螺合させ
ることによる。このような仕切り壁４４を用いた多機能
処理部５ｄおよび基板処理装置１によれば第１の実施の
形態と同様の効果を有するとともに、第１の実施の形態
における可動板４２ｂの固定板４２ａへの取付け位置が
段階的にしか調節できなかったのに対して、この変形例
では無段階に可動板４４ｂの固定板４４ａへの取付け位
置を調節でき、一層、基板特性に柔軟に対応した基板乾
燥処理が行える。

【００７７】図１４は、第２の実施の形態の変形例にお
ける仕切り壁４７の側面図である。第２の実施の形態に
おける仕切り壁４６には上端から若干の間隔だけ下方の
位置に複数のパンチ穴ＰＨが設けられていたのに対し
て、この変形例では第２の実施の形態のパンチ穴ＰＨと
同様の位置に複数の水平方向（Ｙ方向）に細長いスリッ
トＳＬが設けられている。そして、仕切り壁４７のスリ
ットＳＬの開孔の面積の総和はガス供給ノズル４０のガ
ス供給口４０ａの開孔の面積の総和より大きくなってお
り、そのため、緩衝空間ＢＳ内に供給された混合ガスが
基板乾燥空間ＷＳ側に流速を低減された状態で溢れるよ
うに流れ込むものとなっている。そのため、仕切り壁４
７を用いた多機能処理部５ｄおよび基板処理装置１によ
れば第２の実施の形態と同様の効果を有するとともに、
スリットＳＬは細長い形状であるためパンチ穴より一層
流体抵抗が大きいので、より基板乾燥空間ＷＳに混合ガ
ス等を供給する際の乱流を抑えて、一層均一な乾燥が行
え、乾燥効率を向上することができる。

【００７８】また、第１の実施の形態の多機能処理部５
ｄでは仕切り壁４２の下端とチャンバ１０の底面とが離
隔していたが、仕切り壁の下端には開孔を設けないでチ
ャンバ１０底面に連結するものとしてもよい。

【００７９】また、上記各実施の形態ではガス供給ノズ
ルを処理槽２０上端より下に設けたが、雰囲気通路とほ
ぼ同一平面内以外の高さであればより高い位置に設ける
等としてもよい。

【００８０】図１５はこの発明の変形例における整流板
４９の断面図であり、図１６は整流板４９の斜視図であ
る。この整流板４９は整流面４９ａが多角筒、より正確
には正１６角筒の内周面の一部（中心角にしてほぼ１／
４程度）に相当する凹面をなす整流面４９ａを有してい
る。すなわち、整流面４９ａは複数の平面を互いに若干
の角度を設けて組み合わせた形状を有している。これを
第１および第２の実施の形態と同様にガス供給ノズル４
０の上方（緩衝空間ＢＳ上方）のチャンバ１０の天井面
側辺部から側面上端にかけて取り付けることにより、下
方のガス供給ノズル４０から供給される混合ガスおよび
Ｎ2ガスが整流面４９ａに至るとその流れの方向を曲げ
て、チャンバ１０内側、すなわち基板乾燥空間ＷＳ側に
向けるとともに、第１および第２の実施の形態における
整流板４８ほどではないが、その流れの乱流の発生を抑
えることができる。そのため、第１または第２の実施の
形態における整流板４８による乱流の発生を抑えたこと
による効果に対して、その程度は劣るもののそれらと同
種の効果を有する。また、第１および第２の実施の形態
における整流板４８に比べてその成形が容易である。な
お、この多角筒は正１６角筒でなくとも正３２角筒等、
その他の正多角筒の一部でもよいし、さらに正多角筒以
外にも角辺の長さの異なる多角筒であってもよい。

【００８１】また、上記各実施の形態において整流手段
として整流板４８，４９をチャンバ１０の天井面側辺部
から側面上端にかけて取り付けるものとしたが、このよ
うな整流板を取り付けるのではなくチャンバ１０の側面
から天井面にかけての部材自体を、下方に向いた面が円
筒または多角筒の内周面の一部に相当する凹面の形状に
なるように形成することによって整流手段としてもよ
い。

【００８２】さらに、上記各実施の形態における多機能
処理部５ｄでは溶剤としてＩＰＡを用い、不活性ガスと
してＮ2ガスを用いたが、溶剤としてエタノールやメタ
ノール等のその他の溶剤、不活性ガスとしてヘリウムガ
スやアルゴンガス等のその他不活性ガスを用いてもよ
い。

【００８３】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１〜請求項
９の基板乾燥装置によれば、溶剤蒸気供給手段の上方
に、溶剤蒸気供給手段から供給された溶剤蒸気の流れの
乱れを抑えつつ、その流れの方向を基板乾燥空間側へ変
える整流手段を備えるため、溶剤蒸気に乱流を発生させ
ないで基板乾燥空間側へ溶剤蒸気を供給することによ
り、基板表面に付着した処理液へ溶剤蒸気を均一に凝縮
させることができ、したがって基板の乾燥ムラの発生を
抑えて効率的な乾燥を行うことができる。また、溶剤蒸
気を基板に付着した処理液に対して均一に凝縮させるこ
とができるため、余分に溶剤蒸気を供給する必要がない
ので溶剤の消費量を抑えることができる。また、間接的
に溶剤蒸気を供給するので、溶剤蒸気供給手段の微妙な
調整が不要となり装置設定の再現性がよい。

【００８４】また、請求項２の基板乾燥装置によれば整
流手段の溶剤蒸気の流れを整流する面が円筒の内周面の
一部に相当する凹面であるため、より乱流の発生を抑え
ることができるので、より乾燥ムラを抑えて効率的な乾
燥を行うことができるとともに、溶剤の消費量を抑える
ことができる。

【００８５】また、請求項３の基板乾燥装置によれば、
整流手段の溶剤蒸気の流れを整流する面が多角筒の内周
面の一部に相当する凹面であるため、請求項２の場合に
比べて整流手段の成形が容易である。

【００８６】また、請求項６および請求項７の基板乾燥
装置によれば、溶剤蒸気供給手段と基板乾燥空間との間
を仕切ることにより、溶剤蒸気供給手段から供給された
溶剤蒸気の流れの緩衝空間を規定する仕切り壁を備え、
仕切り壁と処理室の天井面との間の間隙が基板乾燥空間
と緩衝空間との間に雰囲気通路であるため、整流手段に
より乱流の発生を抑えられた溶剤蒸気の流れが、雰囲気
通路を介して基板乾燥空間へ流入するので、溶剤蒸気を
基板に付着した処理液に対して一層均一に凝縮させるこ
とができることにより、一層乾燥ムラの発生を抑えて効
率的な基板の乾燥を行うことができるとともに、余分に
溶剤蒸気を供給する必要がないので溶剤の消費量を一層
抑えることができる。

【００８７】また、整流手段により乱流を抑えられた溶
剤蒸気を上方から間接的に基板乾燥空間に供給するの
で、基板乾燥空間内における不活性ガス等を含む雰囲気
中においてはその分子量の差により溶剤蒸気は下方に貯
まり高濃度の層を形成する。そして、整流手段により乱
流の発生が抑えられることによりその層は乱されること
が少ない。したがって、基板乾燥空間下方に高濃度の溶
剤蒸気の層を安定して形成することができるので、親水
性部と疎水性部の混在する基板を乾燥する際にも溶剤蒸
気にさらす時間を短くして乾燥することによりパーティ
クルの発生を抑えることができる。

【００８８】また、請求項８および請求項９の基板乾燥
装置によれば、雰囲気通路が仕切り壁内において処理室
の天井面から下方に若干離隔して設けられているため、
溶剤蒸気供給手段から供給された溶剤蒸気が処理室の天
井面に至って整流手段により乱流を抑えられたうえに、
さらに、その天井面より若干下方のさらに乱流の影響の
少ない溶剤蒸気を基板乾燥空間に供給することができる
ので、より均一で効率的で溶剤消費量の少なく基板乾燥
を行うことができる。また、親水性部と疎水性部の混在
する基板を乾燥する際にも一層パーティクルの発生を抑
えることができる。

【００８９】また、請求項９の発明によれば雰囲気通路
が流体抵抗を有して整流作用を生ずる複数の小穴からな
るため、基板乾燥空間に供給する際の溶剤蒸気の流速お
よび乱流を一層抑えることができるので、一層均一で効
率的な基板乾燥を行うことができる。

【００９０】さらに、請求項１０の基板処理装置は、請
求項１ないし請求項９のいずれかに記載の基板乾燥装置
を用いて構成された基板乾燥部を備えるので、上記と同
様の効果を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態である基板処理装置の構
成を示す斜視図である。

【図２】第１の実施の形態における多機能処理部の縦断
面図である。

【図３】第１の実施の形態における多機能処理部の他の
縦断面図である。

【図４】第１の実施の形態の多機能処理部の配管等の構
成を示す模式図である。

【図５】第１の実施の形態における仕切り壁のＸ軸方向
から見た側面図である。

【図６】第１の実施の形態における仕切り壁の部分断面
図である。

【図７】整流板の断面図である。

【図８】整流板の斜視図である。

【図９】第２の実施の形態における多機能処理部の縦断
面図である。

【図１０】第２の実施の形態における多機能処理部の他
の縦断面図である。

【図１１】第２の実施の形態における仕切り壁のＸ軸方
向から見た側面図である。

【図１２】第１の実施の形態の変形例における仕切り壁
の部分断面図である。

【図１３】第１の実施の形態の他の変形例における仕切
り壁の側面図である。

【図１４】第２の実施の形態の変形例における仕切り壁
の側面図である。

【図１５】本発明の変形例における整流板の断面図であ
る。

【図１６】本発明の変形例における整流板の斜視図であ
る。

【符号の説明】

１ 基板処理装置 ５ａ 薬液処理部（基板処理部） ５ｂ 水洗処理部（基板処理部） ５ｄ 多機能処理部（基板乾燥装置および基板乾燥部） １０ チャンバ ２０ 処理槽 ４０，４１ ガス供給ノズル（溶剤蒸気供給手段） ４２〜４４，４６〜４７ 仕切り壁 ４２ａ，４３ａ，４４ａ 固定板（保持部材） ４２ｂ，４３ｂ，４４ｂ 可動板 ４２ｃ，４３ｃ，４４ｃ ボルト ４３ｄ ナット ４３ｅ ワッシャ ４８，４９ 整流板 ４８ａ，４９ａ 整流面 ＡＨ 取付け穴 ＤＩＷ 純水（処理液） ＬＨ 長穴 ＰＨ パンチ穴（小穴） Ｓ，ＳＳ 間隙（雰囲気通路） ＳＬ スリット（小穴） ＴＨ 貫通孔 Ｗ 基板 ＷＳ 基板乾燥空間

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 溶剤蒸気を含む雰囲気が満たされた処理
   室内の基板乾燥空間を、処理液による処理後の基板を通
   過させて当該基板を乾燥させる基板乾燥装置であって、 前記基板乾燥空間の側方に設けられるとともに、ほぼ上
   方へ向けて溶剤蒸気を供給する溶剤蒸気供給手段と、 前記溶剤蒸気供給手段の上方において前記溶剤蒸気供給
   手段から供給された溶剤蒸気の流れの乱れを抑えつつ、
   その流れの方向を前記基板乾燥空間側へ変える整流手段
   と、を備えることを特徴とする基板乾燥装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板乾燥装置であっ
   て、 前記整流手段の溶剤蒸気の流れを整流する面が円筒の内
   周面の一部に相当する凹面であることを特徴とする基板
   乾燥装置。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の基板乾燥装置であっ
   て、 前記整流手段の溶剤蒸気の流れを整流する面が多角筒の
   内周面の一部に相当する凹面であることを特徴とする基
   板乾燥装置。
4. 【請求項４】 請求項２または請求項３に記載の基板乾
   燥装置であって、さらに、 前記溶剤蒸気供給手段と前記基板乾燥空間との間を仕切
   ることにより、前記溶剤蒸気供給手段から供給された溶
   剤蒸気の流れの緩衝空間を規定する仕切り壁を備え、 前記仕切り壁による前記基板乾燥空間と前記緩衝空間と
   の仕切りが不完全であることにより、前記基板乾燥空間
   と前記緩衝空間との間に雰囲気通路が形成されており、 前記緩衝空間で緩衝された後の前記溶剤蒸気の流れが、
   前記雰囲気通路を介して前記基板乾燥空間へ流入するこ
   とを特徴とする基板乾燥装置。
5. 【請求項５】 請求項４に記載の基板乾燥装置であっ
   て、 前記雰囲気通路が前記溶剤蒸気供給手段よりも高い位置
   に設けられていることを特徴とする基板乾燥装置。
6. 【請求項６】 請求項５に記載の基板乾燥装置であっ
   て、 前記雰囲気通路が前記仕切り壁と前記処理室の天井面と
   の間の間隙であることを特徴とする基板乾燥装置。
7. 【請求項７】 請求項６に記載の基板乾燥装置であっ
   て、 前記仕切り壁が前記処理室内部において前記処理室の側
   面にほぼ平行に設けられた保持部材と、 前記保持部材に可動に取り付けられる可動板と、 前記可動板の前記保持部材への取付け高さを調節する可
   動板調節機構と、を備えることを特徴とする基板乾燥装
   置。
8. 【請求項８】 請求項５に記載の基板乾燥装置であっ
   て、 前記仕切り壁が前記処理室の天井面にまで至るものであ
   るとともに、前記雰囲気通路が前記仕切り壁内において
   前記処理室の天井面から下方に若干離隔して設けられて
   いることを特徴とする基板乾燥装置。
9. 【請求項９】 請求項８に記載の基板乾燥装置であっ
   て、 前記雰囲気通路が流体抵抗を有して整流作用を生ずる複
   数の小穴からなることを特徴とする基板乾燥装置。
10. 【請求項１０】 基板に対して処理液による処理を施す
    基板処理部と、 請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の基板乾燥装
    置を用いて構成された基板乾燥部と、を備えることを特
    徴とする基板処理装置。